JP4111137B2 - ハロゲン系ガスの除去方法 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、半導体の製造工程で発成するドライエッチング排ガスやＣＶＤ（化学気相蒸着）チャンバー排ガスやイオン注入排ガスやドーピング排ガス等のように、水分との反応によってＨＦ（フッ化水素）、ＨＣｌ（塩化水素）、ＨＢｒ（臭化水素）やＨＩ（ヨウ化水素）を生成するハロゲン系ガス（以下、本ハロゲン系ガスという）を除去する方法及びこれに用いる除去剤に関する。
【０００２】
【従来の技術】
本ハロゲン系ガスを含有するドライエッチング排ガスや、ＳｉＨ_４（シラン）ガスを主成分とするＣＶＤチャンバーの排ガスや、ＡｓＨ_３（アルシン）やＰＨ_３（ホスフィン）を主成分とするイオン注入やドーピングの排ガスには、Ｎ_２（窒素）ガス等のキャリアーガスと共に前記した主成分ガスと、これらが製造装置内で分解及び反応して生成した本ハロゲン系ガスや粒子等が含まれる。
従来より、これら本ハロゲン系ガスの処理方法は、熱分解法、吸着法、湿式吸収法に大別される方法が採用されている。熱分解法は燃焼式排ガス処理装置によって加熱又は燃焼して被処理ガスを分解するものであり、吸着法は活性炭やゼオライトを吸着剤として充填した乾式の処理方法であり、湿式吸収法は水、水酸化ナトリウム水溶液等のアルカリ性溶液、酸化還元性溶液等の水溶液に本ハロゲン系ガスを吸収させる湿式処理方法である。
なかでも、設備の小型化、または、操作及び設備保守の簡便化のため、活性炭の吸着剤を充填物として使用した乾式による処理方法等が採用される場合が多い。しかし、被処理ガスの吸着熱による発火のおそれ、使用済み吸着剤から脱着する本ハロゲン系ガスの臭気による充填剤交換時の作業環境の悪化及び固形廃棄物の処理等が問題であり解決を求められていた。また充填物の入れ替え作業頻度低減のために、充填物の更なる吸着容量増加が要望されていた。特に使用頻度の高いＣｌ_２ガスやＣｌ_２とＢＣｌ_３（三塩化ホウ素）との混合ガスの場合の除害時にこれら問題が顕著であった。
ここで前記の本ハロゲン系ガスの除去方法以外に、化学反応を利用した方法があり、処理能力の向上が期待できる。例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）や炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ_３）を造粒物として使用した方法（特開昭６１−６１６１９、特開昭６２−４２７２７及び特開２００２−１４３６４０）が開示されている。しかし開示された方法においては実際に使用するにあたって、被処理ガスである本ハロゲン系ガスが低濃度や高線速で処理される場合での性能の向上や、長寿命化のための反応率向上をより安価かつ安全で簡便な方法で達成することが求められている。また半導体製造設備においては装置一台に対して数種類のガスが使用されるので多種の本ハロゲン系ガスに単一の除去剤で対応できることが求められている。さらに、活性炭による吸着法を含めて反応の終点の予知が困難で、通常は破過した時に充填層出口のインジケーター薬剤の変色で事後的に確認していた。あるいは充填層の重量増加を測定して寿命を予測しているが被処理ガスの組成によって反応後の重量は変動するので正確な予測が困難であった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、上記の問題に鑑み、本ハロゲン系ガスの処理能力が高く、吸着剤の発火を抑制し、使用済み吸着剤の臭気及び固形廃棄物の発生を低減し、除去剤の寿命の予測を容易にした、本ハロゲン系ガスの除去方法及びこれに用いる除去剤を提供し半導体製造工程等の改善を図ることを課題とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】
この課題解決において、発明者らは、水分によってＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ及びＨＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を生成するハロゲン系ガスを含有するガスと、造粒物の全質量に対して６０〜９９．９質量％の固体塩基と０．１〜４０質量％の炭素質材料を含有する造粒物（以下、本造粒物という）とを、水の存在下に接触させてハロゲン系ガスを除去するハロゲン系ガスの除去方法であり、前記固体塩基が、炭酸水素ナトリウム及び／又は炭酸水素カリウムであり、前記造粒物が、平均細孔半径０．１〜５０ｎｍ、かつ、細孔容積０．０５〜４ｃｍ ^３ ／ｇのシリカゲル及び／又はゼオライトである多孔質体を０．１〜１０質量％含有するハロゲン系ガスの除去方法を提供する。
本発明は、固体塩基を基材として使用することにより、吸着でなく、より高容量の処理が可能となる中和反応によって本ハロゲン系ガスを除去することで処理容量を大幅に増加することができ、新たな設備や充填物や金属の付加無しに、本ハロゲン系ガスから生成するＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒやＨＩ等の酸性ガスを被処理ガスから安定かつ効果的に除去できる。中和反応を用いた除去方法（以下、中和反応法という）においては単に固体塩基を使用するのみでは本ハロゲン系ガスがＣｌ_２、Ｂｒ_２及びＩ_２である場合においては、次亜ハロゲン塩の生成によって中和反応が阻害され処理容量が低下していた。これを解消するために従来開示されている中和反応法の技術的範囲においては酸性ガスを被処理ガスに添加したり重金属を添加したりする複数の方法が提案されている（ＵＳ２００２／００６８０３２Ａ１）。本発明においては、これら最近新たに開示された方法に比較しても、さらに容易に、すなわち被処理ガスの組成調整することなく、他の充填剤層を加えることなく、廃棄にあたって支障があったり高価であったりする金属を使用することなく、この次亜ハロゲン塩の蓄積を一剤で容易かつ安価に回避することができる。
さらに本ハロゲン系ガスからＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒやＨＩ等の酸性ガスを生成するのに必要な水分を存在させるという課題を、新たな設備や充填物の付加無しに対応可能とした。すなわち、本造粒物の中和によって水が生成する固体塩基、例えば、炭酸水素ナトリウムや炭酸水素カリウム等を選定することにより、解決できることも新規に見出した。またこの際、使用する活性炭の消費が効果的に行われることで、失色で本造粒物の寿命をモニタリングできることを新規に見出した。
一方、ＳｉＦ_４（四フッ化ケイ素）、ＳｉＨ_２Ｃｌ_２（ジクロロシラン）、ＳｉＣｌ_４（四塩化ケイ素）、ＡｓＣｌ_３（三塩化ヒ素）、ＰＣｌ_３（三塩化リン）、ＢＦ_３（三フッ化ホウ素）、ＢＣｌ_３、ＢＢｒ_３（三臭化ホウ素）、ＷＦ_６（六フッ化タングステン）、ＣｌＦ_３（三フッ化塩素）、ＣＯＦ_２（フッ化カルボニル）等の加水分解によってＨＦ（フッ化水素）、ＨＣｌ（塩化水素）及びＨＢｒ（臭化水素）からなる群より選ばれる少なくとも１種を生成する本ハロゲン系ガスの処理においても本造粒物の単品で対応できる。この他水分によって加水分解が進行するＣＯＣｌ_２（ホスゲン）等も前文に例示のガスに比較して除去性能は低下するものの除去可能である。
これら加水分解する本ハロゲン系ガスの処理は、本造粒物の固体塩基として中和によって水が生成する固体塩基を選定することにより、新たな設備や充填物の付加無しに実現できることを新規に見出した。また本造粒物は、それに含有される活性炭の比表面積と細孔容積の作用によって加水分解が加速されることにより高性能な除去剤となっている。また、本ハロゲン系ガスの本造粒物による除去は、固体塩基がＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒやＨＩ等の酸性ガスを中和反応で効率よく除去できるので、ＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒやＨＩ等の酸性ガスとの共存下においても、吸着で除去する活性炭に比較して、効果的に実施できる。
さらに本造粒物は嵩密度が高く除害装置のカラムへの充填質量を大きくできるので処理能力を高くできる利点がある。従来使用されている活性炭は０．４から０．６ｇ／ｃｍ^３であるのに対し、本造粒物は充填密度は０．７ｇ／ｃｍ^３以上、好ましくは０．８ｇ／ｃｍ^３以上で、さらに好ましくは０．９ｇ／ｃｍ^３以上であり、単位容積あたりの充填密度が高く、本ハロゲン系ガスの処理量が大きい。
本造粒物の硬度が、前記造粒物は、粒子径１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ未満の造粒物の平均硬度が０．５Ｎ以上、または、粒子径１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満の造粒物の平均硬度が１Ｎ以上、または、粒子径２．０ｍｍ以上の造粒物の平均硬度が５Ｎ以上である場合は、ここで充填層としたときに粉化が抑制され好適である。
また半導体の製造工程において除害設備で充填層としたときに、本ハロゲン系ガスの除去性能をより向上させるためには、粒子径が４ｍｍ以下の造粒品が質量基準で９０％以上、かつ粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１０％以下とすると、充填層の構造が均一となり、より高い除去性能が達成される。
以上の新規の発明を複合して、従来は困難又は高コストであった各課題を解決し、長寿命化、低コスト化、設備のコンパクト化、既設設備の転用、メンテナンスや除害後の副生成物の処理の容易化、吸着熱に起因する発熱の低減による安全化、除去薬剤の寿命の予測の容易化等を、わずか一剤で実現する飛躍的に優れた本ハロゲン系ガスの除去方法および本ハロゲン系ガスの処理剤の提供が達成できた。本発明は設備の稼働率を高く維持し多種のガスを使用する必要のある、半導体製造設備の能力を向上し半導体の生産改善に大きく寄与できる。
また本造粒物は他の除去薬剤と併用しても良い。例えば活性炭や炭酸水素ナトリウムの造粒物と混合及び／又は層に分けて除害装置のカラムに充填して使用できる。例えば塩化水素が本ハロゲン系ガスの大部分である場合は炭酸水素ナトリウムの造粒物の充填層を本ハロゲン系ガスの上流に配して、本造粒物の充填層を下流に配すると好ましい。
【０００５】
【発明の実施の形態】
本発明では、本ハロゲン系ガス、すなわち、半導体の製造工程で発成するドライエッチング排ガスやＣＶＤチャンバー排ガスやイオン注入排ガスやドーピング排ガス等の水分によってＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ、またはＨＩを生成するハロゲン系ガスを除去する。より具体的には、本造粒物が対象とする被処理ガスは、本ハロゲン系ガス以外のハロゲン系ガスを含んでもよい。
本発明では、本ハロゲン系ガスの温度が０℃〜１００℃であると、効率的に除去処理できるので好ましい。本ハロゲン系ガスの温度が０℃より低いと、本造粒物と本ハロゲン系ガスとの反応速度が低下するので好ましくない。また、本ハロゲン系ガスの温度が１００℃以下であれば、充填塔等の設備を高価な耐熱材料又は構造とする必要がなく、操作及び設備等を簡略化できる。
【０００６】
本発明では、固体塩基として、アルカリ金属またはアルカリ土類金属の、炭酸水素塩、炭酸塩、酸化物及び水酸化物からなる群より選ばれる１種が使用できる。炭酸水素塩としては、炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムが挙げられ、炭酸塩としては炭酸ナトリウム、セスキ炭酸ナトリウム、炭酸カリウム又は塩基性炭酸マグネシウム（ヒドロキシ炭酸マグネシウム）が挙げられ、酸化物としては、酸化マグネシウム、酸化カルシウムが、水酸化物としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化カルシウム又は水酸化マグネシウムが挙げられる。その他の固体塩基としては、ケイ酸ナトリウム、ソーダ石灰、トリポリリン酸ナトリウム又はクエン酸ナトリウムが挙げられる。ここで、炭酸ナトリウム、セスキ炭酸ナトリウムについては、天然又は合成に拘わらず、さらに、炭酸ナトリウムについては軽質（軽灰）、重質（重灰）に拘わらず使用できる。
炭酸水素塩のうち炭酸水素ナトリウムは、吸湿性が無く、造粒物の製造及び保存が容易で、大量かつ安価に入手できる等工業的な製造原料として適しており特に好ましい。一方、ナトリウム塩の使用が好ましくない場合はＫＨＣＯ_３（炭酸水素カリウム）の使用が好ましい。
【０００７】
本造粒物中の炭素質材料の含有量は０．１〜４０質量％が好ましい。本造粒物中の炭素質材料の含有量が０．１質量％未満であると、炭素質材料を含有する後述の効果が得られないため好ましくなく、また、含有量が４０質量％超であると、本造粒物の硬度（圧縮強度）が低下し、崩壊しやすくなるため好ましくない。本造粒物中の炭素質材料の含有量は０．１〜２０質量％が特に好ましい。
【０００８】
本発明では、本ハロゲン系ガスがＣｌ_２、Ｂｒ_２及びＩ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種を含有するハロゲン系ガスの場合、本造粒物中に炭素質材料を含有することにより、水分の存在下で、固体塩基とハロゲンとの反応性が向上し、同量の固体塩基を使用した場合においてもより多量のハロゲン系ガスに使用できる。この機構は、以下のとおり説明できる。
本発明において、本造粒物中の炭素質材料は、水及びＣｌ_２、Ｂｒ_２及びＩ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種のハロゲン元素と反応することにより固体塩基とハロゲン元素との反応を促進するものと考えられる。以下、推定される反応機構をハロゲンにＣｌ_２、固体塩基に炭酸水素ナトリウムを使用した場合について説明する。
本造粒物中の炭素質材料は、水分の存在下で、Ｃｌ_２と反応し、塩化水素（ＨＣｌ）を発生する（式１）。一方、炭酸水素ナトリウム（ＮａＨＣＯ_３）とＣｌ_２が反応するときには、まず、式２により次亜塩素酸ナトリウム（ＮａＣｌＯ）と塩化ナトリウム（ＮａＣｌ）が生成すると考えられる。このとき、式２を右辺に進行させるには右辺の次亜塩素酸ナトリウムを極力少なくする必要があり、そのためには生成した次亜塩素酸ナトリウムが逐次分解される必要がある。すなわち、次亜塩素酸ナトリウムの分解がこの反応全体の律速となると本発明者らは推測している。式１で発生する塩化水素は式２の右辺の次亜塩素酸ナトリウムの分解を促進するものと考えられる（式３）。
Ｃｌ_２＋Ｈ_２Ｏ＋Ｃ→２ＨＣｌ＋ＣＯ ・・式１
２ＮａＨＣＯ_３＋Ｃｌ_２→ＮａＣｌＯ＋ＮａＣｌ＋Ｈ_２Ｏ＋２ＣＯ_２・・式２
２ＮａＣｌＯ＋２ＨＣｌ→
２ＮａＣｌ＋Ｃｌ_２＋Ｈ_２Ｏ＋（１／２）Ｏ_２ ・・式３
【０００９】
次亜塩素酸ナトリウムの分解としては他に式４（自然分解）、式５（自然分解の副反応）があり、また途中で生成するＨＣｌＯも酸性では分解（式６）する。本発明では式５により速やかに次亜塩素酸ナトリウムが分解され、全体としては主に式７でＣｌ_２が除去されると発明者らは推測している。ハロゲンがＢｒ_２又はＩ_２の場合も同様に次亜ハロゲン酸塩が生成し、その分解をハロゲン化水素が促進しているものと考えられる。
ＮａＣｌＯ→ＮａＣｌ＋Ｏ ・・式４
３ＮａＣｌＯ→ＮａＣｌＯ_３＋２ＮａＣｌ ・・式５
ＨＣｌＯ→ＨＣｌ＋（１／２）Ｏ_２ ・・式６
Ｃ＋４ＮａＨＣＯ_３＋２Ｃｌ_２→
４ＮａＣｌ＋２Ｈ_２Ｏ＋４ＣＯ_２＋ＣＯ＋（１／２）Ｏ_２・・式７
【００１０】
またＨＣｌはＮａＨＣＯ_３とも反応（式８）することとなるため、ＨＦやＨＣｌやＨＢｒ等の酸性ガス及び／又は水分によって、ＨＦ、ＨＣｌ及びＨＢｒからなる群より選ばれる少なくとも１種を生成する、ハロゲン系ガスの除去もできる。さらに、式１で生成した次亜塩素酸ナトリウムを分解する塩化水素は、式８で消費されるためＨＦやＨＣｌやＨＢｒ等の酸性ガス及び／又は水分によって、ＨＦ、ＨＣｌ及びＨＢｒからなる群より選ばれる少なくとも１種を生成する、ハロゲン系ガスの混合ガスを、本ハロゲン系ガスとする場合も、本造粒物はさらに好適に使用できる。
ＮａＨＣＯ_３＋ＨＣｌ→ＮａＣｌ＋ＣＯ_２＋Ｈ_２Ｏ ・・式８
【００１１】
なお、式１の反応が開始されるにあたり水分が必要であるが、この水分は、被処理ガス中に混入した空気中の水分や本造粒物に付着した僅かな量で充分である。この後、水分は本造粒物の反応生成物として供給される（式２、式３）。
【００１２】
本発明において、炭素質材料としては、活性炭、木炭、骨炭、グラファイト、カーボンブラック、コークス、石炭、フラーレン、カーボンナノチューブ、カーボンマイクロコイル、ガラス状カーボン等が挙げられる。
炭素質材料は、活性炭であることが特に好ましい。本発明においては、原料、賦活方法、添着、担持の有無等の違い等で使用できる活性炭が限定されるわけではなく、どのような活性炭であっても本発明に使用できる。また、アルカリや金属酸化物等を添着したものやパラジウム等の触媒を担持した活性炭の他、水分を含浸させた活性炭であっても本質的には何ら問題なく本発明に使用できる。
炭素質材料が活性炭である場合は、本造粒物の細孔構造を最適に調整でき、本造粒物の反応性を向上させることができる。本造粒物に使用する活性炭は、平均細孔半径０．１〜５０ｎｍ、かつ、細孔容積０．１〜４ｃｍ^３／ｇであることが好ましい。活性炭の平均細孔半径及び細孔容積が上記の値より小さいと、本ハロゲン系ガスが本造粒物の深部にまで浸透しにくいことから好ましくな。また、平均細孔半径及び細孔容積が上記の値より大きいと、本造粒物の機械的強度が低下し、成型時に細孔が潰れやすくなるため好ましくない。活性炭は、平均細孔半径０．２〜５０ｎｍ、かつ、細孔容積０．１〜３ｃｍ^３／ｇが特に好ましい。
なお、本明細書において、平均細孔半径は、ガス吸着細孔分布測定装置を使用して窒素吸着法により細孔容積を測定し、全細孔容積を１００％として累積曲線を求めたとき、その累積細孔容積が５０％となる点の細孔半径（ｎｍ）のことをいう。
【００１３】
本造粒物は、無機酸化物よりなる多孔質体（以下、単に多孔質体という）を０．１〜１０質量％含有することができる。
本造粒物に多孔質体を配合することにより、本ハロゲン系ガス及び上記反応式で生成したハロゲン化水素ガスを本造粒物の内部まで誘導して本造粒物内部全体で、固体塩基と反応させることができる。多孔質体の含有量が０．１質量％に満たない場合は、その添加効果が充分発現しないおそれがあるため好ましくなく、含有量が１０質量％を超える場合は、本造粒物の硬度が低下するおそれがあるため好ましくない。
多孔質体は、平均細孔半径０．１〜５０ｎｍ、かつ、細孔容積０．０５〜４ｃｍ^３／ｇであることが好ましい。多孔質体は、本ハロゲン系ガス及び上記反応式で生成したハロゲン化水素ガスを本造粒物の深部にまで到達させ、また本造粒物が反応するのための比表面積を増加させる。これにより、本造粒物中の固体塩基と、本ハロゲン系ガス及び上記反応式で生成したハロゲン化水素ガスとの反応速度及び反応効率が向上する。多孔質体の平均細孔半径及び細孔容積が上記の値より小さいと、ガスの拡散が不充分となり反応速度及び反応効率が低下することから好ましくない。また、平均細孔半径及び細孔容積が上記の値より大きいと、本造粒物の硬度が低下し粉化しやすくなるため好ましくない。多孔質体は、平均細孔半径０．２〜５０ｎｍ、かつ、細孔容積０．１〜３ｃｍ^３／ｇであることが特に好ましい。
【００１４】
また、本造粒物に粘土を配合することも、粘土が層状構造であることから本造粒物中に間隙を有し、多孔質体と同様にガスを本造粒物の内部まで誘導しやすくするため好ましい。
粘土の含有量が０．１質量％未満であると、効果の向上が見られないことから好ましくなく、含有量が１０質量％超であると、本造粒物の硬度が低下するため好ましくない。多孔質体と粘土を併用する場合はその合計量が１０質量％以下であることが好ましい。
【００１５】
本造粒物中の固体塩基と多孔質体又は粘土との比率は、対象とするハロゲン系ガスの組成、濃度、圧力、温度、所要処理時間等により最適化される。本ハロゲン系ガスの濃度、圧力及び温度が低い場合、本造粒物と本ハロゲン系ガスとの接触時間が短い場合は多孔質体の含量を増加することが好ましい。
【００１６】
多孔質体としては、天然又は合成のゼオライト、シリカゲル、アルミナ、多孔質ガラス、ケイソウ土、多孔質セラミックス等が挙げられる。また、粘土としては、活性白土、酸性白土、パーライト、クリソタイルやベントナイト等の層状ケイ酸塩、セピオライト、パリゴルスカイト、アロフェン、イモゴライト、アンチゴライトの酸処理生成物、合成層状化合物等が挙げられる。多孔質体としては、シリカゲル、天然又は合成のゼオライトが、また、粘土としては、活性白土、ベントナイトが工業的に安価に入手しやすいことから特に好ましい。
【００１７】
本発明において、固体塩基及び炭素質材料は、一次粒子の平均粒子径が１〜５００μｍであることが好ましい。多孔質体及び粘土を用いる場合は、同様に、これらの一次粒子の平均粒子径が１〜５００μｍであることが好ましい。一次粒子の平均粒子径が１μｍ未満であると、流動性がよくなく、ハンドリング等の取扱いが難しくなるので好ましくない。また、一次粒子の平均粒子径が５００μｍ超であると、固体塩基と炭素質材料、多孔質体及び粘土の造粒物内での均一な混合が困難となり、さらに、工業的な造粒物の製造が困難であり、コスト的に高くなるので好ましくない。なお、一次粒子とは固体塩基の単結晶、炭素質材料の粉末、多孔質体の粉末、粘土の粉末をいう。
【００１８】
本明細書において、粉末、造粒物のように、平均粒子径７０μｍ以上のものについて、平均粒子径とは、篩分け法においては各篩と最下部の受け皿の上に残量した質量を測定して、その全質量を１００％として累積曲線を作成し、その累積質量が５０％となる点の粒子径をいう。一方、平均粒子径７０μｍ未満のものについて、平均粒子径とは、レーザー回折散乱式粒度分布測定装置により測定し、全体積を１００％として累積曲線を求めたときには、その累積体積が５０％となる点の粒子径を平均粒子径をいう。
【００１９】
本造粒物の平均粒子径は０．５〜２０ｍｍであることが好ましい。これにより、新たな設備を導入することなく、従来から使用されている活性炭やゼオライト等用の充填式の設備をそのまま使用することができる。本造粒物の平均粒子径が０．５ｍｍ未満であると、被処理ガスである本ハロゲン系ガスが本造粒物の充填層を通過するための圧力損失が高くなるために減圧ポンプ等の吸引設備の増強が必要となったり所要電力が増加するため好ましくない。また、平均粒子径が２０ｍｍ超であると、本ハロゲン系ガスと本造粒物の外表面との接触部分の面積が低下し本造粒物の本ハロゲン系ガスの除去性能が低下するため好ましくない。本造粒物の平均粒子径は０．５〜１０ｍｍが特に好ましい。また半導体の製造工程において除害設備で充填層としたときに、本ハロゲン系ガスの除去性能をより向上させるために、粒子径が４ｍｍ以下の造粒品が質量基準で９０％以上、かつ粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１０％以下とすると、充填層の構造が均一となり、より高い除去性能が達成される。これは充填層の構造が均一となると理論段数が向上するためである。粒子径が４ｍｍ以下の造粒品が質量基準で９０％以下であると、充填層の充填構造が不均一となるのみならず、大きな造粒物は内部まで本ハロゲン系ガスが浸透しづらく、本造粒物の反応率が低下する。また粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１０％以上であると、小粒子が他の粒子の間隙に入り込み、充填層の充填構造が不均一となりガスの均一な流れを阻害するため、本造粒物の反応率が低下する。
【００２０】
本発明では、本造粒物中の固体塩基の含有量は６０〜９９．９質量％である。含有量が６０質量％未満であると、本ハロゲン系ガスの処理容量が低下するため好ましくない。
【００２１】
本造粒物にはバインダーを混合することができる。バインダーには、ケイ酸ナトリウム、ＣＭＣ（カルボキシメチルセルロース）又はＰＶＡ（ポリビニルアルコール）等の公知のものから本ハロゲン系ガスの組成により適宜選択できる。
バインダーの混合量は本造粒物の全質量に対して０．０１〜１０質量％が好ましい。バインダーの混合量が０．０１質量％未満であると、バインダーによる硬度向上の効果がみられないたバインダーを使用する意味がなくなり、混合量が１０質量％超であると、固体塩基の量が低下するため好ましくない。
【００２２】
本造粒物では固体塩基と炭素質材料の合計量が８０質量％以上であることが好ましい。本造粒物中において、固体塩基と炭素質材料の合計量が８０質量％未満であると、ハロゲン系ガス除去剤としてのガス処理容量が低下し除去剤充填層の入れ替え頻度が高くなるので好ましくない。固体塩基と炭素質材料の合計量は８５質量％以上であることが特に好ましい。
【００２３】
本造粒物は、乾式法又は湿式法のいずれの方法でも得ることができる。また、造粒方法としては、圧縮成形法、転動式造粒法、撹拌式造粒法、押し出し式成型法、スプレードライ法、流動層法等の方法が挙げられる。打錠成型法又はロールプレス法等による乾式の圧縮成形法は、乾燥工程が不要である等工程が簡略なため工業的な生産に有利であり、バインダーなしで硬度の高い本造粒物を得ることができ、固体塩基と炭素質材料の合計量を増加できること及び本ハロゲン系ガスによりバインダーが劣化することによる本造粒物粒子の強度低下の懸念が無いことから好ましい。この場合の本造粒物の粒度分布と平均粒子径の調節方法として、乾式圧縮成形機で成形後、粗砕し、篩い分ける工程が採用できる。また、本造粒物を得る他の方法として、固体塩基と炭素質材料、また必要に応じて多孔質体と水溶性バインダーのＣＭＣ等と水を混錬した後に、ペレタイザー等の湿式の押し出し式成型機で成形し、その後、乾燥して篩い分けで粒度分布と平均粒子径を調整する方法も挙げられる。また、ペレタイザーで成型した後にマルメライザー等の転動式造粒機で球状にすることにより、本造粒物の磨耗部分（例えば飛び出た出っ張り個所など本造粒物から欠け落ちやすい部分）の発生を抑制し、かつ、充填層に充填したときの密度を上げることもできる。これは篩い分けを複数回実施することによっても達成される。複数回の篩い分けは本造粒物の粒度分布を狭くし充填層としたときの充填構造を均一化でき充填層の理論段数を向上させ本ハロゲン系ガスの処理能力をさらに向上させることができるので好ましい。
【００２４】
本造粒物の強度評価方法として硬度を用いる。硬度とは、一個の粒子を上方より垂直に力をかけて圧縮して破壊するときの力である。この硬度は同じ材料であっても粒子径によって左右されるために粒子を篩い分け等によって揃えてから測定する必要がある。本造粒物が平均粒子径で０．５〜２０ｍｍである場合は、その各粒子を篩によって０．５ｍｍより順次０．５ｍｍずつ大きくして篩い分ける。例えば、平均粒子径１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満の粒子については、目開き１．５ｍｍの篩と目開き２．０ｍｍの篩を使用して篩分け、１．５ｍｍ篩上かつ２．０ｍｍ篩下の粒子を２０個採取し、各粒子の硬度を測定してその平均値を粒子強度の評価基準として採用する。
本造粒物の硬度は、粒子径０．５ｍｍ以上１．０ｍｍ未満の造粒物の平均硬度が０．１Ｎ以上、または、粒子径１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ未満の造粒物の平均硬度が０．５Ｎ以上、または、粒子径１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満の造粒物の平均硬度が１Ｎ以上、または、粒子径２．０ｍｍ以上の造粒物の平均硬度が５Ｎ以上であることが好ましい。上記の粒子径範囲の全てにおいて、それぞれ上記に掲げる平均硬度以上の値を有する場合は、さらにより好ましい。
本造粒物を、充填層として使用する場合には、本造粒物の粒子の硬度が低いと、充填時や反応時に粉化して、配管に堆積したり、目皿を詰めたり、減圧ポンプに吸引されたり、被処理ガスが充填層を通過するときの圧力損失を上昇させたりする等、除害操作に支障を与えるため造粒物の硬度は高くすることが好ましい。
【００２５】
木造粒物中の固体塩基が炭酸水素ナトリウム又は炭酸水素カリウムの場合、それら自身が水溶性であり、また、本ハロゲン系ガスとの反応物も多くは水溶性の塩となる。水溶性の塩を生成する場合は、本ハロゲン系ガスを除害した後、炭素質材料、多孔質体以外のほとんどは、水に溶けるため固形廃棄物を大幅に減少できるので好ましい。また、造粒物を水に溶解したときに濾過することで炭素質材料及び多孔質体を回収でき、必要に応じて再利用が可能となり資源のリサイクルに役立てることができる。
【００２６】
本造粒物中の固体塩基は、ハロゲン単体又はハロゲン化合物と反応して揮発性のない塩を生成するため、充填物の交換のときには、活性炭のみでの吸着による除害操作の場合のようにハロゲン単体又はハロゲン化合物が脱離して、ハロゲン臭気を発生することがない。このため充填物の入れ替え作業時の作業環境が大幅に改善するので、作業者の労働安全上好ましいばかりでなく、作業場に設置する除害設備を小型化できる。また、固体塩基が炭酸水素塩の場合、炭酸水素ナトリウムが消火剤に使用されているように炭酸水素塩には消火性があり、さらに一般的に炭酸水素塩の中和反応は吸熱反応のため、活性炭による吸着操作に比較して発火の危険性が無いという非常に大きな利点を有している。
【００２７】
また本造粒物では含有する活性炭の消費が効果的に行われることで、本ハロゲン系ガスとの反応が進むと失色するので、本造粒物の外観は黒色から失色し白色や灰色や茶色となる。色相は使用する被処理ガスによって異なるが、外観色の変化で寿命を予測できる大きな利点を有している。特に充填層として使用するときは失色部分が本ハロゲン系ガスの流入部分から下流方向に次第に拡大していくので、充填層の寿命の予測が従来の充填剤を用いる本ハロゲン系ガスの除去方法と比較して極めて容易となる。これも従来の本ハロゲン系ガスの除去剤には無かった特徴であり、半導体製造において本ハロゲン系ガスの除害設備の充填層の管理を簡便かつ信頼性の高いものとできる。
【００２８】
また、本造粒物はドライエッチング、ＣＶＤ等の排ガス及び各種プロセスのハロゲン系ガスの除去だけに限定されるものではなく、防毒マスクの吸収管等にも好適に使用できる。
【００２９】
【実施例】
本例において、硬度は、藤原製作所製の木屋式デジタル硬度計ＫＨＴ−２０型を使用して測定した。また、硬度は、粒子の大きにより異なるため篩分けして粒子径を揃えたものについて測定した。
平均粒子径については、平均粒子径７０μｍ未満のものについては、日機装社製のマイクロトラックＦＲＡ９２２０を使用し、平均粒子径７０μｍ以上のものは篩い分けで測定した。また、平均細孔半径、細孔容積は、アムコ社製の自動表面積測定装置（商品名：ソープトマチック１９９０）を使用して測定した。
【００３０】
〔例１（参考例）〕
一次粒子の平均粒子径が９５μｍの食品添加物用炭酸水素ナトリウムの粉末（旭硝子株式会社製）を１０ｋｇ使用し、これに平均粒子径４３μｍ、平均細孔半径１．２５ｎｍ、細孔容積０．６３ｃｍ^３／ｇの活性炭（武田薬品工業株式会社製、商品名：活性炭白鷺Ｃ）３００ｇを均一に混合し、ロールプレス式圧縮成形機（ターボ工業株式会社製、商品名：ローラーコンパクターＷＰ型、ロール外径：２３０ｍｍ、ロール長：８０ｍｍ）を使用して線圧３６．８ｋＮ／ｃｍで圧縮成形し、フレーク状の炭酸水素ナトリウム及び活性炭の混合物の成形体を得た。得られたフレーク状の成形体をロール式架砕造粒機（日本グラニュレーター株式会社製、商品名：架砕ロールグラニュレーターＧＲＮ−２５２１型）により粗粉砕して整粒した。架砕機は二段に設置し、一段目の回転歯のピッチは１４ｍｍで二段目は４ｍｍとした。次に、整粒された粒子を、内径２００ｍｍの金網ステンレス製の標準篩で目開き１．０ｍｍと２．８ｍｍを二段にセットして手で篩い分け、１．０ｍｍと２．８ｍｍの篩の間（１．０ｍｍの篩の上）の粒子を採取し本造粒物１ｋｇを得た。
次に、内径２００ｍｍの金網ステンレス製の標準篩で目開き５．６０ｍｍ、４．７５ｍｍ、４．００ｍｍ、２．８０ｍｍ、２．００ｍｍ、１．００ｍｍのものを重ね合わせ、最下部に底皿を設置した上に、造粒物１００ｇを注いだ。次いでロータップシェーカー式篩振とう機（株式会社飯田製作所製、商品名：ＩＩＤＡＳＩＥＶＥ ＳＨＡＫＥＲ、振とう数２９０回転／分、打数１６５回／分）により１０分間振とうさせた後、各標準篩と底皿の上の本造粒物の残渣の質量を測定し、各目開きに対する通過質量の累計をグラフ化して、通過質量の累計が５０％となる粒子径を平均粒子径とした。本造粒物の平均粒子径は２．３ｍｍであった。粒子径が４ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１００％、粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１９．９％であった。
造粒物の硬度は、前述の硬度測定法により測定した。すなわち得られた平均粒子径２．３ｍｍの造粒物を０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、１．５ｍｍ、２．０ｍｍ、２．５ｍｍの目開きの篩で篩分け、各粒度の硬度を２０個測定し平均値を求めたところ、０．５〜１．０ｍｍの間の粒子の平均硬度が０．６Ｎ、１．０〜１．５ｍｍが４Ｎ、１．５〜２．０ｍｍが９Ｎ、２．０ｍｍ以上が１８Ｎであった。
次に、底面が通気性ガラス板で内径５１ｍｍ、長さ６００ｍｍのガラス製反応管に充填物として前記造粒物を５００ｇ充填した。充填高さは２９２ｍｍで充填容積は５９６ｃｍ^３で、充填密度で０．８４ｇ／ｃｍ^３であった。ここに標準状態（０℃、０．１０ＭＰａ）で、流量が毎分２５０ｃｍ^３、組成がＣｌ_２２０体積％、Ｎ_２８０体積％のガスを、温度２５℃にて、常圧下で底部から注入した。
処理後のガスの濃度を観測するために、電気化学計器株式会社製の隔膜電極式塩素ガス検出器を使用した。検出範囲は０〜３体積ｐｐｍで検出下限界は０．０１体積ｐｐｍでガス濃度の変化を連続的に数値で確認できる。ガス処理開始直後のＣｌ_２は０．０１体積ｐｐｍ以下であった。
処理開始から５０６分経過後に処理後のガス中のＣｌ_２濃度が上昇して塩素ガス検出器が作動した。充填物を取り出したところ、造粒物粒子の粉化は認められず塩素臭気の発生はほとんどなかった。また、この充填物を水に溶解したところ活性炭以外は溶解し、これを濾過分離することにより固形廃棄物を削減できた。また、混合ガス処理中に充填層の温度を測定したところ、充填層のガラス壁外部の温度測定したところ最高温度は３７℃、最低温度は２２℃であり後述の比較例と比べ大幅に低かった。温度はガス下流側が最も高く、ガス上流側が最も低かった。また、その最高温度、最低温度の個所は反応が進むに従い共にガス下流側に移動していった。この傾向は以下の例に共通であった。さらに処理後のガスの一酸化炭素濃度をガス検知管（ガステック社製、商品名：一酸化炭素用ガス検知管Ｎｏ．１Ｌ、吸引量１００ｍｌ当りの検知範囲は２．５〜２０００体積ｐｐｍ）を使用して、１００ｍｌのガスを吸引したときの一酸化炭素濃度は２００体積ｐｐｍであった。この結果は前述した式１の反応が起きていることを裏付けている。また以下の例７まで含めて装置の外気温は、２５〜２６℃であった。
さらに、本造粒物は反応が進行するにつれて、被処理ガスの上流側から次第に黒色から茶色に変色し、変色が下流から３ｃｍに達したときにガス検知器が作動し反応の終了が目視でも確認できた。これから本造粒物では反応終了が目視で予測できることが分かる。
【００３１】
〔例２〕
例１において、造粒物を製造する際に、平均粒子径２μｍ、平均細孔半径０．２ｎｍ、細孔容積０．４５ｃｍ^３／ｇのＡ型ゼオライト（日本ビルダー社製）５００ｇを添加した以外は、例１と同様にして試験を行った。本造粒物の平均粒子径は２．２ｍｍであった。粒子径が４ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１００％、粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１９．１％であった。充填高さは２８８ｍｍで充填容積は５８８ｃｍ^３で、充填密度で０．８５ｇ／ｃｍ^３であった。例１と同様に造粒物の粒子強度を測定したところ０．５〜１．０ｍｍの間の粒子の平均硬度が１Ｎ、１．０〜１．５ｍｍが９Ｎ、１．５〜２．０ｍｍが１４Ｎ、２．０ｍｍ以上が２４Ｎであった。例１と同様にして、流出ガスを分析したところ、塩素ガス検出器は作動せず、Ｃｌ_２濃度は０．０１体積ｐｐｍ以下であった。
処理開始から５４６分経過後に処理後のガス中のＣｌ_２濃度が上昇し始めた。充填物を取り出したところ、造粒物粒子の粉化は認められず塩素臭気の発生はなかった。また、この充填物を水に溶解したところ活性炭、ゼオライト以外は溶解し、これを濾過分離することにより固形廃棄物を削減できた。また、混合ガス処理中に充填層の温度を測定したところ、最高温度は３４℃、最低温度は２２℃であった。
さらに、本造粒物は反応が進行するにつれて、被処理ガスの上流側から次第に茶色に変色し、変色が下流から２ｃｍに達したときにガス検知器が作動し反応の終了が目視でも予測できた。
【００３２】
〔例３〕
例２において、Ａ型ゼオライトの代わりに平均粒子径１７μｍのＮａ型ベントナイト（クニミネ工業株式会社製、商品名：クニゲルＶ１）を使用した以外は、例２と同様にして試験を行った。本造粒物の平均粒子径は２．４ｍｍであった。粒子径が４ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１００％、粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１６．１％であった。充填高さは２８９ｍｍで、充填容積は５９０ｃｍ^３で、充填密度で０．８５ｇ／ｃｍ^３であった。例１と同様に造粒物の粒子強度を測定したところ０．５〜１．０ｍｍの間の粒子の平均硬度が０．４Ｎ、１．０〜１．５ｍｍが４Ｎ、１．５〜２．０ｍｍが１３Ｎ、２．０ｍｍ以上が１８Ｎであった。例１と同様にして、流出ガスを分析したところ、塩素ガス検出器は作動せず、Ｃｌ_２濃度は０．０１体積ｐｐｍ以下であった。
処理開始から５１２分経過後に処理後のガス中のＣｌ_２濃度が上昇し始めた。充填物を取り出したところ、造粒物粒子の粉化は認められず塩素臭気の発生はなかった。また、この充填物を水に溶解したところ活性炭、ベントナイト以外は溶解し、これを濾過分離することにより固形廃棄物を削減できた。また、混合ガス処理中に充填層の温度を測定したところ、最高温度は３６℃、最低温度は２３℃であった。
さらに、本造粒物は反応が進行するにつれて、被処理ガスの上流側から次第に茶色に変色し、変色が下流から２ｃｍに達したときにガス検知器が作動し反応の終了が目視でも予測できた。
【００３３】
〔例４（比較例）〕
例１において、造粒物を炭酸水素ナトリウムのみに変えた以外は、例１と同様にして試験を行った。本造粒物の平均粒子径は２．１ｍｍであった。粒子径が４ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１００％、粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒品が質量基準で２１．１％であった。充填高さは２６０ｍｍで充填容積は５３１ｃｍ^３で、充填密度で０．９４ｇ／ｃｍ^３であった。例１と同様にして、流出ガスを分析したところ、塩素ガス検出器は作動せず、Ｃｌ_２濃度は０．０１体積ｐｐｍ以下であった。
処理開始から５分経過後に処理後のガス中のＣｌ_２濃度が上昇して塩素ガス検出器が作動した。充填物を取り出したところ、造粒物粒子の粉化は認められず、塩素臭気に関しては例１よりは強かったが後述の例５よりは大幅に弱かった。また、この充填物を水に溶解したところほとんどが溶解した。混合ガス処理中に充填層の温度を測定したところ、最高温度２５℃、最低温度２０℃であった。
さらに、この造粒物の外観は白色のままであり、外観色からは反応の終了は確認できず、この造粒物の寿命の予測は目視ではできなかった。
【００３４】
〔例５（比較例）〕
例１の造粒物の代わりに、添着活性炭（武田薬品工業株式会社製、商品名：粒状白鷺ＸＲＣ）を使用した以外は、例１と同様に試験を行った。平均粒子径は１．４ｍｍで、粒子径が４ｍｍ以下の粒子が質量基準で１００％、粒子径が１．０ｍｍ以下の粒子が質量基準で１０．３％であった。充填高さは３８１ｍｍで、充填容積は７７８ｃｍ^３で、充填密度で０．６４ｇ／ｃｍ^３であった。処理後のガスを分析したところ、塩素ガス検出器は作動せず、Ｃｌ_２濃度は０．０１体積ｐｐｍ以下であった。
処理開始から３８０分経過後に処理後のガス中のＣｌ_２濃度が上昇して塩素ガス検出器が作動した。充填物を取り出したところ、造粒物の粉化はなかったが著しい塩素臭気が認められた。また、この充填物を水に溶解したところ溶解しなかった。また、混合ガス処理中に充填層の温度を測定したところ、最高温度７３℃と著しい発熱が認められた。最低温度２５℃であった。
さらに、この活性炭の外観は黒色のままであり、外観色からは反応の終了は確認できず、この活性炭の寿命の予測は目視ではできなかった。
【００３５】
〔例６（参考例）〕
例１のガスの代わりに、標準状態（０℃、０．１０ＭＰａ）で、流量は毎分２５０ｃｍ^３とし、組成はＢＣｌ_３が５．０体積％、ＣＣｌ_４が０．６体積％、Ｃｌ_２が１０．０体積％、ＳｉＣｌ_４が０．６体積％、ＨＣｌが４．８体積％、ＣＯＣｌ_２が０．６体積％、Ｆ_２が２．７体積％、ＣＯＦ_２が０．６体積％、ＨＦが４．８体積％、ＳｉＦ_４が０．６体積％、ＮＦ_３が０．８体積％、ＨＢｒが４．８体積％、ＷＦ_６が０．６体積％、ＣｌＦ_３が０．６体積％、Ｎ_２が６２．９体積％の組成のガスを温度２５℃、常圧下で底部から注入した以外は、例１と同様に試験を行った。本造粒物は実施例１で使用した物と同じ物である。充填高さは２９５ｍｍで、充填容積は６０２ｃｍ^３で、充填密度で０．８３ｇ／ｃｍ^３であった。
処理後のガスを分析したところ、塩素ガス検出器は作動せず、Ｃｌ_２濃度は０．０１体積ｐｐｍ以下、その他窒素以外のＢＣｌ_３、ＣＣｌ_４、ＳｉＣｌ_４、ＨＣｌ、ＣＯＣｌ_２、Ｆ_２、ＣＯＦ_２、ＨＦ、ＳｉＦ_４、ＮＦ_３、ＨＢｒ、ＷＦ_６、ＣｌＦ_３等はガスクロマトグラフ質量分析装置（パーキンエルマージャパン社製、ガスクロマトグラフ部分：オートシステムＸＬ、質量分析部分：ターボマス）で確認したところいずれの成分も検出されなかった。
処理開始から２７１分経過後にガス中のＣｌ_２濃度が上昇して塩素ガス検出器が作動した。充填物を取り出したところ、造粒物粒子の粉化は認められず塩素臭の発生はなかった。また、この充填物を水に溶解したところ活性炭以外はほとんど溶解し、これを濾過分離することにより固形廃棄物を削減できた。また、混合ガス処理中に充填層の温度を測定したところ、最高温度４４℃、最低温度２２℃であった。
さらに、本造粒物は反応が進行するにつれて、被処理ガスの上流側から次第に灰色に変色し、変色が下流から２ｃｍに達したときにガス検知器が作動し反応の終了が目視でも予測できた。
【００３６】
〔例７（比較例）〕
例６の造粒物の代わりに、添着活性炭（武田薬品工業社製、商品名：粒状白鷺ＸＲＣ）を使用した以外は、例６と同様に試験を行った。本添着活性炭は比較例５で使用した物と同じ物である。充填高さは３８３ｍｍで、充填容積は７８２ｃｍ^３で、充填密度で０．６４ｇ／ｃｍ^３であった。処理後のガスを分析したところ、塩素ガス検出器は作動せず、Ｃｌ_２濃度は０．０１体積ｐｐｍ以下、その他窒素以外のＢＣｌ_３、ＣＣｌ_４、ＳｉＣｌ_４、ＨＣｌ、ＣＯＣｌ_２、Ｆ_２、ＣＯＦ_２、ＨＦ、ＳｉＦ_４、ＮＦ_３、ＨＢｒ、ＷＦ_６、ＣｌＦ_３等はガスクロマトグラフ質量分析装置で例６と同様に確認したところいずれの成分も検出されなかった。
処理開始から１７５分経過後に処理後のガス中のＣｌ_２濃度が上昇して塩素ガス検出器が作動した。充填物を取り出したところ、造粒物の粉化はなかったが著しい塩素臭気が認められた。また、この充填物を水に溶解したところ溶解しなかった。また、混合ガス処理中に充填層の温度を測定したところ、最高温度７６℃、最低温度２５℃であった。
さらに、本造粒物の外観は黒色のままであり、外観色からは寿命の予測はできなかった。
【００３７】
〔例８（参考例）〕
本造粒物の製造方法として、炭酸水素ナトリウムを９．５ｋｇと活性炭を５００ｇを混合した以外は例１に示した方法で架砕機まで通し粗粉砕して整粒物まで得た。次に、整粒された粒子を、内径２００ｍｍの金網ステンレス製の標準篩で目開き１．７ｍｍと４．０ｍｍを二段にセットして手で篩い分け、１．７ｍｍと４．０ｍｍの篩の間（１．７ｍｍの篩の上）の粒子を採取し本造粒物とした。本造粒物の平均粒子径は２．０ｍｍであった。粒子径が４ｍｍ以下の造粒品が質量基準で９６．１％、粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１１．５％であった。この方法によって本造粒物２ｋｇを製造した。
造粒物の粒子強度は、前述の硬度測定法と同様に測定した。すなわち得られた造粒物を０．５ｍｍ、１．０ｍｍ、１．５ｍｍ、２．０ｍｍ、２．８ｍｍの目開きの篩で篩分け、各粒度の硬度を２０個測定し平均値を求めた。ここで本造粒物の測定では、篩い分けの目開きを４．０ｍｍを採用したため、最大の粒子が実施例１と比較すると大きくなるので２．８ｍｍの目開きの篩を追加した。ここで、０．５〜１．０ｍｍの間の粒子は１Ｎ、１．０〜１．５ｍｍの間の粒子は５Ｎ、１．５〜２．０ｍｍ間の粒子は１６Ｎ、２．０〜２．８ｍｍ間の粒子は３７Ｎ、２．８ｍｍ以上の粒子は５４Ｎであった。
次に、底面が通気性ガラス板で内径３０ｍｍ、長さ３００ｍｍのガラス製反応管に充填物として本実施例で記載した前記本造粒物を２００ｍｍの高さに充填した。充填容積は１４１ｃｍ^３となる。充填質量は１５４．６ｇであった。充填密度は１．０９ｇ／ｃｍ^３となる。定容積での充填とした理由は、実際の半導体製造においてエッチング排ガス等の除害設備が定容積のカラムを使用することにより、定容積での値が実質的な除害剤カラムの寿命となるため、定容積での性能比較データを採取することとしたことによる。ここに標準状態（０℃、０．１０ＭＰａ）で、流量が毎分４２４ｃｍ^３、組成がＣｌ_２２．４体積％、ＢＣｌ_３０．６体積％、Ｎ_２９７．０体積％のガスを、温度２５℃にて、常圧下で底部から注入した。処理後のガスの濃度を観測するために、リトマス試験紙を入れたガラス容器を充填ガラス製反応管のガス出口に設置した。
処理開始から３００分経過後に本造粒物が破過してリトマス試験紙が変色した。充填物を取り出したところ、造粒物粒子の粉化は認められず塩素臭気の発生はほとんどなかった。また、この充填物を水に溶解したところ活性炭以外は溶解し、これを濾過分離することにより固形廃棄物を削減できた。また、混合ガス処理中に充填層の中央の温度を、充填層のガラス壁外部で温度測定したところ、操作前は１６℃最高温度は４６℃あり後述の比較例１０の６０℃と比べ大幅に低かった。
さらに、本造粒物は黒色であるが、反応が進行するにつれて、被処理ガスの上流側から次第に薄い灰色に変色し、変色が下流から３ｃｍに達したときにリトマス試験紙が変色し、反応の終了が本造粒物の変色で目視でも予測できた。
【００３８】
〔例９（参考例）〕
本造粒物の製造方法として、実施例８と同様にして１．７ｍｍと４．０ｍｍの篩いの間（１．７ｍｍの篩いの上）の粒子を２．０ｋｇ得た。これを再度、目開き１．７ｍｍと４．０ｍｍを二段にセットして手で篩い分け、１．７ｍｍと４．０ｍｍの篩いの間（１．７ｍｍの篩いの上）の粒子を採取し本造粒物とした。この操作は、二回篩い分けることで破砕しやすい造粒物を除去することと、造粒物の表面の出っ張りを除去して粉の発生を防止することを目的として実施した。本造粒物の平均粒子径は２．６ｍｍであった。粒子径が４ｍｍ以下の造粒品が質量基準で９８．９％、粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒品が質量基準で１．６％であった。この方法によって本造粒物１．５ｋｇを製造した。造粒物の粒子強度は、実施例８と同じ方法で測定した。ここで、０．５〜１．０ｍｍの間の粒子の平均硬度が３Ｎ、１．０〜１．５ｍｍの間の粒子は１０Ｎ、１．５〜２．０ｍｍ間の粒子は１７Ｎ、２．０〜２．８ｍｍ間の粒子は２８Ｎ、２．８ｍｍ以上の粒子は９２Ｎであった。
次に、底面が通気性ガラス板で内径３０ｍｍ、長さ３００ｍｍのガラス製反応管に充填物として本実施例で記載した前記本造粒物を２００ｍｍの高さに充填した。充填質量は１４８．５ｇであった。充填密度は１．０５ｇ／ｃｍ^３となる。実施例８と同じ条件で本ハロゲン系ガス方法を流した。処理後のガスの濃度を観測するために、実施例８と同じくリトマス試験紙を入れたガラス容器を充填ガラス製反応管のガス出口に設置した。
処理開始から３４９分経過後に本造粒物が破過してリトマス試験紙が変色した。充填物を取り出したところ、造粒物粒子の粉化は認められず塩素臭気の発生はほとんどなかった。また、この充填物を水に溶解したところ活性炭以外は溶解し、これを濾過分離することにより固形廃棄物を削減できた。
また、混合ガス処理中に充填層の中央の温度を、充填層のガラス壁外部で温度測定したところ、操作前は１６℃最高温度は４８℃あり後述の比較例１０の６０℃と比べ大幅に低かった。
さらに、本造粒物は黒色であるが、反応が進行するにつれて、被処理ガスの上流側から次第に薄い灰色に変色し、変色が下流から１ｃｍに達したときにリトマス試験紙が変色し、反応の終了が本造粒物の変色で目視でも予測できた。この結果より実施例９は実施例８よりさらに優れていることが分かる。これは二回の篩い分けで本造粒物の粒度分布がより狭くなり、充填層としたときの均一性が増加し、本ハロゲン系ガスがより均一に充填層を流れる事によって理論段数が増加したと、本発明者らは推測している。
【００３９】
〔例１０（比較例）〕
例８の造粒物の代わりに、添着活性炭（武田薬品工業社製、商品名：粒状白鷺ＸＲＣ）を使用した以外は、例８と同様に試験を行った。本添着活性炭は比較例５で使用した物と同じ物である。２００ｍｍの高さに充填し、充填質量は８４．７ｇであった。充填密度は０．６００ｇ／ｃｍ^３となる。処理開始から１９０分経過後に本造粒物が破過してリトマス試験紙が変色した。また、混合ガス処理中に充填層の中央の温度を、充填層のガラス壁外部で温度測定したところ、操作前は１６℃最高温度は６０℃と高かった。
充填物を取り出したところ、造粒物の粉化はなかったが著しい塩素臭気が認められた。また、この充填物を水に溶解したところ溶解しなかった。
さらに、この活性炭の外観はほとんど黒色のままであり、外観色からは反応が終了した粒子部分を明確には確認できず、この活性炭の寿命の予測は目視ではできなかった。
【００４０】
【発明の効果】
本発明により、ハロゲン単体又はハロゲン化合物の除去剤として、使用時に粉化せず、除去能力がより高く、臭気の発生や発熱が少なく、反応の終了の確認容易な造粒物が得られる。また、本発明の造粒物は、従来の活性炭を使用する充填塔等にそのまま適用できる。

Claims (8)

1. 水分によってＨＦ、ＨＣｌ、ＨＢｒ及びＨＩからなる群より選ばれる少なくとも１種を生成するハロゲン系ガスを含有するガスと、造粒物の全質量に対して６０〜９９．９質量％の固体塩基と０．１〜４０質量％の炭素質材料を含有する造粒物とを、水の存在下に接触させてハロゲン系ガスを除去するハロゲン系ガスの除去方法であり、前記固体塩基が、炭酸水素ナトリウム及び／又は炭酸水素カリウムであり、前記造粒物が、平均細孔半径０．１〜５０ｎｍ、かつ、細孔容積０．０５〜４ｃｍ ^３ ／ｇのシリカゲル及び／又はゼオライトである多孔質体を０．１〜１０質量％含有するハロゲン系ガスの除去方法。
2. 前記ハロゲン系ガスが、Ｃｌ_２、Ｂｒ_２及びＩ_２からなる群より選ばれる少なくとも１種である請求項１記載のハロゲン系ガスの除去方法。
3. 前記炭素質材料が、平均細孔半径０．１〜５０ｎｍ、かつ、細孔容積０．０５〜４ｃｍ^３／ｇの活性炭である請求項１又は２のいずれかに記載のハロゲン系ガスの除去方法。
4. 前記造粒物が、粘土を０．１〜１０質量％含有する請求項１〜３に記載のハロゲン系ガスの除去方法。
5. 前記造粒物が、充填密度が０．７ｇ／ｃｍ^３以上である請求項１〜４に記載のハロゲン系ガスの除去方法。
6. 前記造粒物は、粒子径１．０ｍｍ以上１．５ｍｍ未満の造粒物の平均硬度が０．５Ｎ以上、または、粒子径１．５ｍｍ以上２．０ｍｍ未満の造粒物の平均硬度が１Ｎ以上、または、粒子径２．０ｍｍ以上の造粒物の平均硬度が５Ｎ以上である、請求項１〜５に記載のハロゲン系ガスの除去方法。
7. 前記造粒物が、粒子径が１．０ｍｍ以下の造粒物が質量基準で１０％以下である請求項１〜６に記載のハロゲン系ガスの除去方法。
8. 請求項１〜７のいずれかに記載のハロゲン系ガスの除去方法によりハロゲン系ガスを除去する半導体の製造方法。