JP4083944B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
半導体記憶装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4083944B2 JP4083944B2 JP35317299A JP35317299A JP4083944B2 JP 4083944 B2 JP4083944 B2 JP 4083944B2 JP 35317299 A JP35317299 A JP 35317299A JP 35317299 A JP35317299 A JP 35317299A JP 4083944 B2 JP4083944 B2 JP 4083944B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- data
- write
- line pair
- memory cell
- command
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1069—I/O lines read out arrangements
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
- G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
- G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
- G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
- G11C11/4076—Timing circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1015—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port
- G11C7/1039—Read-write modes for single port memories, i.e. having either a random port or a serial port using pipelining techniques, i.e. using latches between functional memory parts, e.g. row/column decoders, I/O buffers, sense amplifiers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1078—Data input circuits, e.g. write amplifiers, data input buffers, data input registers, data input level conversion circuits
- G11C7/1096—Write circuits, e.g. I/O line write drivers
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C2207/00—Indexing scheme relating to arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C2207/10—Aspects relating to interfaces of memory device to external buses
- G11C2207/107—Serial-parallel conversion of data or prefetch
Description
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体記憶装置に関するもので、特にメモリセルアレイからのランダムなデータの読み書きを高速に行う機能を有する高速サイクル(Fast Cycle)シンクロナスDRAM(SDR−FCRAM)、さらにその2倍のデータ転送レートを実現するダブルデータレートシンクロナスDRAM(DDR−FCRAM)のデータ書き込み方式に係るものである。
【0002】
【従来の技術】
DRAMのデータアクセスをSRAM並に高速化し、高いクロック周波数(tCK)による高いデータバンド幅(単位時間当たりのデータバイト数)を得るために、シンクロナスDRAM(SDRAM)が発案され、既に4Mや16MDRAM世代より実用化されている。現在の64M世代では、全てのDRAM使用量の大部分をSDRAMが占めている。
【0003】
最近では、このSDRAMをさらに高速化するために、クロック信号の立ち上がりエッジと立ち下がりエッジの両方に同期させることにより、従来の2倍のデータ転送レートで動作するダブルデータレートSDRAMが提案され、製品化が進められている。
【0004】
ところで、データ転送レートを高速化するために、データバンド幅の向上が進む一方で、メモリコアにおけるセルデータのランダムアクセス、すなわち行(ロー)が変化した異なる行アドレス(Row Address)からのデータアクセスの高速化には、DRAM特有の破壊読み出しと増幅動作、さらに次のメモリコアのアクセスに先立つプリチャージ動作に一定の時間(コアレーテンシーと称する)を必要とするため、メモリコアのサイクルタイム(ランダムサイクルタイム=tRC)を大幅に高速化するのが困難であった。
【0005】
この問題を解決するために、メモリコアのアクセスやプリチャージ動作もパイプライン化し、従来のDRAMのランダムサイクルタイムを1/2以下に短縮した、いわゆる高速サイクルRAM(FCRAM)が提案され、従来SRAMが用いられてきた、ランスイッチ(LAN Switch)やルーターなどのランダムデータを高速に転送するようなネットワークの分野を中心に、その製品化が始まろうとしている。
【0006】
上記FCRAMにおけるデータ読み出しの基本システムについては、例えば特願平9−145406号、特願平9−215047号及び特願平9−332739号を基礎出願とする国際出願、国際公開番号WO98/56004(藤岡ほか)に記載されている。また、FCRAMのデータ書き込みシステムにおいて、例えば本出願人による特願平10−240161号(土田ほか)では、“遅延書き込み動作(Delayed Write Operation)”と呼ぶ方式を提案している。
【0007】
この発明は、これらの出願において定義されているFCRAMのデータ書き込み動作に改良を加えようとするもので、特に特願平10−240161号における第2,第3の実施の形態に記載されている機能の改良に関するものである。
【0008】
まず、特願平10−240161号の第2,第3の実施の形態に記載されているFCRAMのデータ書き込み動作(Delayed Write Operation、本願ではレイトライト動作(Late Write Operation)と呼ぶことにする)について説明する。
【0009】
図9及び図10はそれぞれ、特願平10−240161号の第2の実施の形態について説明するためのもので、この先願における図3と図5に対応し、図9は動作を示すタイミングチャート、図10はFCRAMの概略的な基本構成を示すブロック図である。図11及び図12(a),(b)はそれぞれ、上記先願の第3の実施の形態について説明するためのもので、上記先願における図8と図9(A),(B)に対応し、概略的な基本構成とアドレス整合性判定器の構成を示すブロック図である。また、図13は、従来のDRAMの書き込み方式の問題点について説明するためのタイミングチャートであり、上記先願の第2の実施の形態による書き込み動作によって、このタイミングチャートに示すような書き込み方式の問題を解決しており、先願の図17に対応する。
【0010】
但し、ここではリードコマンド(Read Command)の設定から読み出しデータが確定するまでの遅延時間(通常クロック数で記述し、これをリードレーテンシー(Read Latency)RLと称する)と、ライトコマンド(Write Command)の設定から書き込みデータをFCRAM内部で確定するまでの遅延時間(通常クロック数で記述し、これをライトレーテンシー(Write Latency)WLと称する)を等しく2とし、バースト長は2、且つこの発明の主な対象となるDDR−SDRAMに適用する場合の入出力波形に変更してある。
【0011】
従来のDRAMの一般的な動作のままでデータ書き込み時のランダムサイクルtRCを高速化しようとすると、特願平10−240161号で説明されているようなタイミングの問題が生ずる。すなわち、図13のタイミングチャートに示すように、センスアンプがリストア(Restore)動作を終了し、ワード線WLnを定電圧(Nチャネルタイプ想定)にリセット(Equalize)するタイミングt1と、データ入力バッファ6に取り込まれたDQピンデータDQ0〜DQnを、I/O制御回路10で制御されたDQライトドライバからメモリコア部と周辺回路間のデータ転送を行うためのデータ線対MDQ,/MDQ(符号の前に付した“/”はバーを意味する)に転送し、さらにカラム選択線(Column Select Line)CSLを立ち上げてメモリセルへデータを書き込むタイミングt2とがほぼ重なってしまい、高速化には限界がある。
【0012】
このようなタイミングt1,t2の重なりを回避するために、特願平10−240161号では、実際にメモリセルへの書き込みを行うタイミングを、「次の」ライトコマンドが設定されたタイミングから開始し、それまではアドレス入力とデータ入力をそれぞれアドレスレジスタとデータレジスタに保存するというディレイドライト(レイトライト)方式を提案している。さらに、次のライトコマンドより前にリードコマンドが与えられ、これがアドレスレジスタに保存された、まだ実際にメモリセルへの書き込みが終わっていないアドレスと一致した場合に備えて、アドレスの整合性判定器(Coherency Detector)を設け、両アドレスが一致した場合はメモリセルへのアクセスを遮断し、データレジスタに保存されているデータを読み出すことにより、データの整合性(Coherency)を維持することも提案されている。
【0013】
しかしながら、この先願で説明されている書き込み方式では、アドレスレジスタの内容に基づいてメモリセルへの書き込みを行う場合のデータパスの長大化や、パターン占有面積の増加によるチップサイズの増大などについては配慮されていない。
【0014】
これについて図14の回路図を用いて説明する。図14は、上記先願のデータ書き込み及び読み出しに関係する部分を抽出して概略構成を模式的に示すブロック図である。データ入力バッファ6に入力された書き込みデータ(シリアルデータ)は、シリアル/パラレル変換回路20によってパラレルデータに変換され、データレジスタ21−1,21−2にラッチされる。これらデータレジスタ21−1,21−2にラッチされたデータは、書き込みデータ線WDe,WDoを介してライトドライバ(DQWD)22−1,22−2に供給され、データ線対MDQ,/MDQ、I/Oゲート23、センスアンプSA及びビット線対BL,/BLをそれぞれ介してメモリセルMCに書き込まれる。この際、カラムデコーダ(CD)9−1,9−2でカラム選択線CSLが選択され、上記I/Oゲート23がオン/オフ制御されることにより、書き込みを行うカラムが選択されるようになっている。
【0015】
一方、メモリセルMCから読み出されたデータは、ビット線BL,/BL、センスアンプSA、I/Oゲート23及びデータ線対MDQ,/MDQをそれぞれ介してDQリードアンプ(DQRA)25−1,25−2に供給されて増幅される。上記DQリードアンプ25−1,25−2の出力信号は、読み出しデータ線RDe,RDo及びスイッチSW3,SW4を介してパラレル/シリアル変換回路26に供給され、データ出力バッファ13から出力されるようになっている。
【0016】
上記整合性判定器14は、スイッチSW3〜SW6を選択的にオン/オフ制御するものであり、次のライトコマンドより前にリードコマンドが与えられ、これがアドレスレジスタ(図示せず)に保存された、まだ実際にメモリセルMCへの書き込みが終わっていないアドレスに一致した場合に、スイッチSW3,SW4をオフしてメモリセルMCから読み出したデータを遮断し、且つスイッチSW5,SW6をオンしてデータレジスタ21−1,21−2に保存されているデータをパラレル/シリアル変換回路26及びデータ出力バッファ13を介して読み出す。
【0017】
なお、上記DQライトドライバ22−1,22−2とDQリードアンプ25−1,25−2は、I/O制御回路10−1,10−2として働く。
【0018】
このように、先願の回路構成では、データレジスタ21−1,21−2がメモリコア部27とは独立した周辺回路として存在している。これは、次のライトコマンドより前にリードコマンドが与えられ、これがアドレスレジスタに保存された、まだ実際にメモリセルMCへの書き込みが終わっていないアドレスに一致した場合に、整合性判定器14が一致を検出し、メモリセルMCのアクセスを遮断し、データレジスタ21−1,21−2に保存されているデータを読み出す動作に対しては余裕が大きいといえる。
【0019】
しかし、次のライトコマンドが与えられ、アドレスレジスタの内容に基づいてメモリセルMCへの書き込みを行う場合は、周辺回路からメモリコアまでのデータパス28が長くなり、書き込み時のランダムサイクルタイムtRCを悪化させる可能性がある。また、データレジスタ21−1,21−2をメモリコア部27の周辺に配置した場合、8ビットや16ビットのI/O構成では、データ入力バッファ6とデータレジスタ21−1,21−2をI/Oの数だけ配置する必要があり、しかもこれを書き込みデータ線WDe,WDoでメモリコア部27の周辺回路に配線しなければならない。このため、データレジスタ21−1,21−2には大きなドライブ能力が要求され、出力段にサイズの大きなトランジスタを設けなければならず、パターン占有面積が増大する。また先願では、書き込みのバースト長を1ビットとしているが、実使用上は従来のSDR−SDRAMやDDR−SDRAMのように2,4,8といった複数のバーストデータを書き込むことが常識であり、これらの書き込みデータを保存するためのデータレジスタ21−1,21−2にはより大きなパターン占有面積が必要となる。さらに通常のSDRAMと同様に、FCRAMが複数のメモリバンク構成からなる場合、これらはバンクの数だけ必要となり、結果的に周辺回路部には、「I/O数×バースト長×バンク数」のデータレジスタが必要となる。このため、周辺回路部のパターン占有面積と配線数が大幅に増大し、チップサイズはますます大きくなる。
【0020】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように従来の半導体記憶装置は、ランダムなデータ書き込みサイクルを高速化しようとすると、ワード線を定電圧にリセットするタイミングと、I/Oメモリセルへ書き込むタイミングが重なってしまい、高速化が制限されるという問題があった。
【0021】
この問題を解決するためにいくつかの提案がされているが、アドレスレジスタの内容に基づいてメモリセルへの書き込みを行う場合に、データパスの長大化によるランダムサイクルタイムの悪化や、データレジスタのパターン占有面積の増加によるチップサイズの増大については充分な配慮がなされていない。
【0022】
この発明は上記のような事情に鑑みてなされたもので、その目的とするところは、アドレスレジスタの内容に基づいてメモリセルへの書き込みを行う場合のデータパスを短縮して書き込み時のランダムサイクルタイムを高速化でき、且つデータレジスタのパターン占有面積を小さくしてチップサイズを縮小できる半導体記憶装置を提供することにある。
【0023】
【課題を解決するための手段】
この発明の一態様に係る半導体記憶装置は、メモリセルアレイ、ワード線を駆動するローデコーダ、カラム選択線を選択するカラムデコーダ、前記メモリセルアレイ中のメモリセルが接続されるビット線対、前記ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプ及びI/O制御回路を含むメモリコア部と、書き込みの対象となるメモリセルのアドレスをラッチするアドレスレジスタと、前記メモリコア部の前記I/O制御回路中に設けられ、前記ビット線対の倍数のピッチで繰り返し配置され、前記メモリセルに書き込むデータをラッチするデータレジスタと、前記メモリコア部の前記I/O制御回路の一部として働き、前記ビット線対の倍数のピッチで繰り返し配置され、前記データレジスタにラッチされた書き込みデータに応じてデータ線対を駆動するDQライトドライバとを具備し、コマンドの入力によって外部から取り込んだ書き込みデータを、実際にメモリセルに書き込むタイミングを、次のコマンドが設定されたタイミングから開始する。
【0024】
また、下記(a)〜(d)のような特徴を備えている。
【0025】
(a)前記コマンドは、各ランダムサイクルタイムにつき1回の入力でリード/ライトを規定するものであることを特徴とする。
【0026】
(b)前記データ線対と前記ビット線対間に設けられ、カラム選択線のレベルに応答してオン/オフ制御されるI/Oゲートと、前記アドレスレジスタにラッチされているカラムアドレス信号をデコードして前記カラム選択線を選択的に駆動するカラムデコーダとを更に具備し、コマンドの入力に応答して書き込みデータを前記データレジスタに転送してラッチし、次のクロックサイクルのコマンドの入力に応答して前記DQライトドライバを動作させて前記データレジスタにラッチされている書き込みデータに応じて前記データ線対を駆動し、続いて前記I/Oゲートをオンして前記データ線対のデータをビット線対を介してメモリセルに書き込むことを特徴とする。
【0027】
(c)前記コマンドは、連続する2つのクロックサイクルでパケットとして与えた第1,第2のコマンドの組み合わせで動作を規定するものであることを特徴とする。
【0028】
(d)前記データ線対と前記ビット線対間に設けられ、カラム選択線のレベルに応答してオン/オフ制御されるI/Oゲートと、前記アドレスレジスタにラッチされているカラムアドレス信号をデコードして前記カラム選択線を選択的に駆動するカラムデコーダとを更に具備し、第1のコマンドの入力に応答して書き込みデータを前記データレジスタに転送してラッチし、次のクロックサイクルの第1のコマンドで前記データレジスタに転送された書き込みデータを前記DQライトドライバを動作させてデータ線対に転送し、第2のコマンドの入力に応答して前記I/Oゲートをオンして前記データ線対のデータをビット線対を介してメモリセルに書き込むことを特徴とする。
【0029】
更に、この発明の他の一態様に係る半導体記憶装置は、メモリセルアレイ、ワード線を駆動するローデコーダ、カラム選択線を選択するカラムデコーダ、前記メモリセルアレイ中のメモリセルが接続されるビット線対、前記ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプ及びI/O制御回路を含むメモリコア部と、書き込みの対象となるメモリセルのアドレスをラッチするアドレスレジスタと、前記メモリコア部の前記I/O制御回路中に設けられ、前記ビット線対のピッチの倍数のピッチで繰り返し配置され、前記メモリセルに書き込むデータをラッチするデータレジスタと、前記メモリコア部の前記I/O制御回路の一部として働き、前記ビット線対のピッチの倍数のピッチで繰り返し配置され、前記データレジスタにラッチされた書き込みデータに応じてデータ線対を駆動するDQライトドライバと、前記メモリコア部の前記I/O制御回路の一部として働き、前記DQライトドライバに対応して前記ビット線対のピッチの倍数のピッチで繰り返し配置され、前記データ線対上に読み出された読み出しデータを増幅するDQリードアンプと、入力されたアドレスと前記アドレスレジスタに保存された、まだ実際にメモリセルへの書き込みが終わっていないアドレスとが一致しているか否かを判定する整合性判定器と、前記整合性判定器の出力信号に応答して、前記DQリードアンプで増幅された読み出しデータと前記データレジスタにラッチされているデータとを切り換えて読み出しデータ線に供給する切換回路とを具備し、ライトコマンドの入力によって前記データレジスタにラッチしたデータのメモリセルへの書き込みを、次のクロックサイクルのライトコマンドの入力に応答して開始し、書き込み時に、次のライトコマンドの前にリードコマンドが入力され、前記整合性判定器でアドレスの一致が検知されたときに、前記データ線対のセンス動作を停止し、前記データレジスタにラッチされているデータを、前記切換回路で前記DQリードアンプの増幅結果に代えて、読み出しデータ線対に転送して外部に出力する。
【0030】
また、下記(e),(f)のような特徴を備えている。
【0031】
(e)前記データ線対と前記ビット線対間に設けられ、カラム選択線のレベルに応答してオン/オフ制御されるI/Oゲートと、前記アドレスレジスタにラッチされているカラムアドレス信号をデコードして前記カラム選択線を選択的に駆動するカラムデコーダとを更に具備し、ライトコマンドの入力に応答して書き込みデータを前記データレジスタに転送してラッチし、次のクロックサイクルのライトコマンドで前記データレジスタに転送された書き込みデータを前記DQライトドライバを動作させてデータ線対に転送し、カラムアドレスラッチコマンドの入力に応答してカラム選択線を駆動することにより前記I/Oゲートをオンして前記データ線対のデータをビット線対を介してメモリセルに書き込むことを特徴とする。
【0032】
(f)前記DQリードアンプ、前記DQライトドライバ及び前記データレジスタは、前記ビット線対のピッチの倍数のピッチで形成されていることを特徴とする。
【0033】
上記のような構成によれば、データレジスタをメモりコア部内のメモリセルに近い位置に配置しているので、メモリセルへの書き込みデータのデータパスにおける上流部側にデータを送り込むことが可能であり、次のライトサイクルにおいて、メモリセルにデータを書き込む動作を高速化して書き込み時のランダムサイクルタイムを短縮できる。
【0034】
また、データレジスタとしてのラッチ回路は極めて簡単な構成にでき、且つドライブ能力の小さなトランジスタで構成できる。よって、データレジスタを、従来のDQリードアンプ及びDQライトドライバの繰り返し配置部に容易に埋め込むことができ、データレジスタの内部ノードの信号のための配線も極めて簡単にできる。この結果的、チップサイズの増大を抑えることができる。
【0035】
更に、レイトライト動作において、次のライトコマンドより前にリードコマンドが与えられ、これがアドレスレジスタに保存された、まだ実際にメモリセルへの書き込みが終わっていないアドレスと一致した場合に、メモリセルからのデータでなく、データレジスタからのデータを直接読み出すことができる。
【0036】
【発明の実施の形態】
以下、この発明の実施の形態について図面を参照して説明する。
[第1の実施の形態]
図1乃至図3はそれぞれ、この発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明するためのもので、図1はDDR−SDRAMのデータ書き込み及び読み出しに関係する要部を抽出して概略構成を示すブロック図、図2は図1に示した回路におけるDQライトドライバ及びデータレジスタ(ラッチ回路)の具体的な回路構成例を示す回路図、図3は上記図1及び図2に示した回路の動作を説明するためのタイミングチャートである。なお、従来の説明では書き込みバースト長を1ビットとしたが、ここではDDR−SDRAMの仕様に基づき、バースト長を2とした例を示す。
【0037】
図1に示すように、メモリコア部100には、メモリセルアレイMCA、ローデコーダ(RD)112、カラムデコーダ(CD)106−1,106−2,…、センスアンプSA、及びI/O制御回路101−1,101−2,…などが設けられている。上記I/O制御回路101−1,101−2,…はそれぞれ、DQリードアンプ(DQRA)102−1,102−2,…、DQライトドライバ(DQWD)103−1,103−2,…、及びデータレジスタ(ラッチ回路)104−1,104−2,…で構成される。上記DQリードアンプ102−1,102−2,…とDQライトドライバ103−1,103−2,…にはそれぞれ、データ線対MDQ,/MDQを介して、I/Oゲート105、センスアンプSA、ビット線対BL,/BL、及びメモリセルMCなどが接続されている。上記DQリードアンプ102−1,102−2とDQライトドライバ103−1,103−2は、メモリセルアレイMCAにできるだけ近接した場所に配置され、ビット線対BL,/BLのピッチの倍数のピッチで形成されている。例えば16ビットのI/O構成のFCRAMで最大バースト長が4、1つのメモリコアの連続するビット線対が2048であれば、同時に動作するDQリードアンプとDQライトドライバは、16×4=64個なので、2048÷64=32ビット線対に1セットのDQリードアンプとDQライトドライバが繰り返し配置される。
【0038】
上記カラムデコーダ106−1,106−2,…は、上記各I/O制御回路101−1,101−2,…に対応して設けられ、これらカラムデコーダ106−1,106−2,…の出力信号が供給されるカラム選択線CSLによって上記I/Oゲート105がオン/オフ制御される。そして、選択されたカラム選択線CSLが立ち上がると、I/Oゲート105がオンしてデータ線対MDQ,/MDQとビット線対BL,/BLが接続される。
【0039】
データ入力バッファ108、シリアル/パラレル変換回路109、書き込みデータ線WDe,WDo、データ出力バッファ111、パラレル/シリアル変換回路110、及び読み出しデータ線RDe,RDoは、メモリコア部100の周辺に配置されている。
【0040】
外部DQピン107からデータ入力バッファ108に入力された書き込みデータ(シリアルデータ)は、シリアル/パラレル変換回路109によってパラレルデータに変換され、書き込みデータ線WDe,WDoを介して、それぞれデータレジスタ104−1,104−2にラッチされる。これらデータレジスタ104−1,104−2にラッチされたデータは、DQライトドライバ103−1,103−2に供給され、このDQライトドライバ103−1,103−2でデータ線対MDQ,/MDQが駆動される。カラムデコーダ106−1,106−2によって選択されたカラム選択線CSLが立ち上がると、データ線対MDQ,/MDQ上のデータが選択されたI/Oゲート105を介してセンスアンプSAに供給され、ビット線対BL,/BLを介してメモリセルMCに書き込まれる。
【0041】
一方、メモリセルMCから読み出されたデータは、ビット線対BL,/BLを介してセンスアンプSAに供給され、センス及び増幅された後、選択されたI/Oゲート105とデータ線対MDQ,/MDQを介してDQリードアンプ102−1,102−2に供給される。このDQリードアンプ102−1,102−2によって増幅された読み出しデータは、読み出しデータ線RDe,RDoを介してパラレル/シリアル変換回路110に供給され、シリアルデータに変換される。パラレル/シリアル変換回路110の出力信号は、データ出力バッファ111に取り込まれ、外部DQピン107から出力されるようになっている。
【0042】
図2は、上記図1に示した回路におけるI/O制御回路101−1,101−2中に設けられたDQライトドライバ103−1,103−2とデータレジスタ(ラッチ回路)104−1,104−2の具体的な構成例を示す回路図である。
【0043】
データレジスタ104は、信号/WXFR,WXFRでそれぞれゲート制御されるクロックドインバータ201,202とインバータ203,204を含んで構成されている。上記信号WXFRは、カラム選択線CSLの選択動作が終了し、レイトライトの終了に同期して立ち上がる信号であり、/WXFRはその反転信号である。上記クロックドインバータ201及びインバータ203,204は、出力端と入力端が順次縦続接続されている。また、上記クロックドインバータ202の出力端はインバータ203の入力端に、クロックドインバータ202の入力端はインバータ203の出力端にそれぞれ接続されている。そして、クロックドインバータ201の入力端に書き込みデータ線WDが接続されて書き込みデータが供給され、上記インバータ203の出力端(内部ノード)からラッチした書き込みデータに対応する信号WDIN、インバータ204の出力端(内部ノード)から上記信号WDINの反転信号/WDINをそれぞれ出力するようになっている。このデータレジスタ104は、基本的には図14に示した従来のデータレジスタ21−1,21−2と同様に使用する。
【0044】
また、上記DQライトドライバ103は、アンドゲート211,212、ノアゲート213〜216、Pチャネル型MOSトランジスタ217〜219、及びNチャネル型MOSトランジスタ220,221などを含んで構成されている。上記アンドゲート211の入力端には、データレジスタ104にラッチされている書き込みデータに対応する信号/WDINとDQライトドライバ103のライトゲートパルスWGTが供給され、その出力がノアゲート213の一方の入力端に供給される。上記ノアゲート213の他方の入力端にはデータ線対/MDQ,MDQのイコライズ信号MDQEQが供給され、その出力がMOSトランジスタ218のゲートに供給される。このMOSトランジスタ218のソースは電源に接続され、ドレインはデータ線/MDQに接続される。ノアゲート214の一方の入力端にはライトゲートパルス/WGTが、他方の入力端には上記信号/WDINがそれぞれ供給され、その出力がMOSトランジスタ220のゲートに供給される。このMOSトランジスタ220のドレインはデータ線/MDQに接続され、ソースは接地点に接続される。
【0045】
上記アンドゲート212の入力端には、データレジスタ104にラッチされている書き込みデータに対応する信号WDINとライトゲートパルスWGTが供給され、その出力がノアゲート215の一方の入力端に供給される。上記ノアゲート215の他方の入力端にはイコライズ信号MDQEQが供給され、その出力がMOSトランジスタ219のゲートに供給される。このMOSトランジスタ219のソースは電源に接続され、ドレインはデータ線MDQに接続される。ノアゲート216の一方の入力端にはライトゲートパルス/WGTが、他方の入力端には上記信号WDINがそれぞれ供給され、その出力がMOSトランジスタ221のゲートに供給される。このMOSトランジスタ221のドレインはデータ線MDQに接続され、ソースは接地点に接続される。
【0046】
そして、MOSトランジスタ217の電流通路が上記データ線対/MDQ,MDQ間に接続され、このMOSトランジスタ217のゲートにイコライズ信号/MDQEQが供給されるようになっている。
【0047】
従来は、最初のライトサイクルで外部から入力した書き込みデータは、周辺回路部のデータレジスタ21−1,21−2に取り込んだが、本実施の形態に係るFCRAMでは、通常のSRAMと同様に、外部から入力した書き込みデータを書き込みデータ線WDe,WDoに転送し、さらにDQライトドライバ103に隣接して設けたデータレジスタ(ラッチ回路)104−1,104−2にまで転送している。従って、特願平10−240161号で提案されている技術と比較すると、次のライトサイクルで実際にメモリセルMCにデータを書き込む際に、前のライトサイクルで外部から入力した書き込みデータは、書き込みデータ全体のデータパス、すなわち図1に示した回路における、最下流に位置する外部DQピン107→データ入力バッファ108→シリアル/パラレル変換回路109→書き込みデータ線WDe,WDo→データレジスタ104−1,104−2→DQライトドライバ103−1,103−2→データ線対MDQ,/MDQ→I/Oゲート105→ビット線対BL,/BL→最上流に位置するメモリセルMCへのデータパスにおける上流部側にデータを送り込むことが可能である。よって、次のライトサイクルにおいて、メモリセルMCにデータを書き込む動作を高速化し、結果的に書き込み時のランダムサイクルタイムtRCを短縮できる。
【0048】
次に、上記データレジスタ104としてのラッチ回路の動作について図3のタイミングチャートにより詳しく説明する。最初のライトサイクル(“i−1”)で外部DQピン107から入力された書き込みデータは、データ入力バッファ108、シリアル/パラレル変換回路109、及び書き込みデータ線WDe,WDoを介してメモリコア部100に転送される。このサイクルでは、その前のライトサイクルで取り込まれたデータを、レイトライトでメモリセルMCに書き込む動作が行われており、この書き込みのためにカラム選択線CSLi−1が立ち上がる。信号WXFRは、このカラム選択線CSLi−1のパルス(選択動作)が終了し、レイトライトの終了に同期して立ち上がる信号であり、書き込みデータ線WDe,WDoの内容をデータレジスタ104の内部ノード(信号WDIN,/WDIN)に取り込む。内部ノードに取り込まれたデータは、次のライトサイクル(“i”)の始まり、すなわちライトコマンドWRを取り込むクロックエッジを受けてから、DQライトドライバ103のライトゲートパルスWGTが発生するまで保持されている。
【0049】
ライトゲートパルスWGTが立ち上がると、DQライトドライバ103が活性化し、データ線対MDQ,/MDQをデータレジスタ104の内部ノードの信号WDIN,/WDINに対応する状態に直ちに駆動し、その後カラム選択線CSLiが立ち上がることでデータ線対MDQ,/MDQのデータがビット線対BL,/BLに転送され、センスアンプSAで増幅されてメモリセルMCへ書き込まれる。ライトゲートパルスWGTとカラム選択線CSLによる動作が終了する際には、次の書き込みデータが書き込みデータ線WDe,WDoに転送され、信号WXFRに応答してデータレジスタ104の内部ノード(信号WDIN,/WDIN)に取り込まれる。
【0050】
上述したような動作の繰り返しで、レイトライト動作が行われ、ランダムサイクルタイムtRCの高速化が維持される。また、データレジスタ104としてのラッチ回路は極めて簡単な構成であり、且つドライブ能力の小さなトランジスタで構成できる。よって、上述した例のように、32ビット線対に1セットのDQリードアンプ101とDQライトドライバ103を繰り返し配置する場合にも支障にはならない。これにより、データレジスタ104を、従来のDQリードアンプ101及びDQライトドライバ103の繰り返し配置部に容易に埋め込むことができ、内部ノードの信号WDIN,/WDINや信号WXFER,/WXFERのための配線も極めて簡単にできる。この結果的、チップサイズの増大を抑えることができる。
【0051】
[第2の実施の形態]
図4は、この発明の第2の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明するためのタイミングチャートである。上記第1の実施の形態では、コマンドを1回のクロックサイクルで与えるものを例にとって説明したが、この第2の実施の形態では、国際出願WO98/56004に示されている、コマンドを2つの連続するクロックサイクルでパケットとして与えるものに適用したものである。
【0052】
実際のFCRAMの動作としては、リード/ライト以外に、リフレッシュ動作やSDRAMのようなモードセットサイクル(Mode Set Cycle)のような機能があるため、これまでに示したランダムサイクルタイムtRC内で1回だけコマンドを与えて、全ての動作を実現することは困難である。よって、この先願のように、連続するクロックサイクルでパケットとして与えた2つのコマンドの組み合わせで動作を規定する方が現実的である。
【0053】
例えば第1のコマンドとしてライトコマンドWRAと、第2のコマンドとしてカラムアドレスラッチコマンドLAを1つのパケットPAとしてFCRAMに与えると、連続するクロック入力パルスにそれぞれ応答して動作することになり、コマンド間隔は最小となり、それぞれのコマンドサイクルの高速化に有効である。ライトコマンドWRAとカラムアドレスラッチコマンドLAを2つの連続したクロックCLKに同期して取り込むことで、ライトコマンドWRAの入力によって上記ライトゲートパルスWGTを発生し、DQライトドライバ103を活性化して、データレジスタ104の内部ノードの内容(信号WDIN,/WDIN)に応じてデータ線対MDQ,/MDQを駆動する。続いて、カラムアドレスラッチコマンドLAの入力によってカラム選択線CSLを選択し、I/Oゲート105をオンしてデータ線対MDQ,/MDQ上のデータをビット線対BL,/BLに転送してメモリセルMCに書き込む。
【0054】
この時、ライトコマンドWRAの入力によって、データを書き込むべきメモリセルアレイMCAのローアドレス(これはアドレスレジスタに保持されている)に対応するワード線WLの選択と活性化が開始され、センスアンプSAによるセンス動作が開始される。しかし、連続するクロックサイクルでパケットPAとして与えた2つのコマンドWRA,LAの組み合わせであり、クロックサイクルはワード線WLの選択と活性化及びセンスアンプSAの動作開始に要する時間Tsenseより充分短いので、第2のコマンドであるカラムアドレスラッチコマンドLAの入力によってカラム選択線CSLが選択され、データ線対MDQ,/MDQ上のデータをビット線対BL,/BLに書き込む際、センスアンプSAはまだ動作を開始していない。従って、メモリセルMCの記憶データをセンス、リストアする動作と競合することなく、新たに書き込みデータをビット線対BL,/BLに与え、これをセンスアンプSAがセンス、リストアすることになり、メモリセルへのデータの書き込み、リストア動作のスピードは、通常の読み出し動作とほとんど同じ速度で行われ、書き込み時のランダムサイクルタイムtRCがFCRAMの動作を律速することはない。
【0055】
[第3の実施の形態]
図5及び図6はそれぞれ、この発明の第3の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明するためのもので、図5はDDR−SDRAMのデータ書き込み及び読み出しに関係する部分を抽出して概略構成を示すブロック図、図6は上記図5に示した回路におけるDQリードアンプの出力信号とデータレジスタの出力信号とを切り換える読み出しデータ切換回路の構成例を示す回路図である。
【0056】
この第3の実施の形態は、レイトライト動作において、次のライトコマンドより前にリードコマンドが与えられ、これがアドレスレジスタに保存された、まだ実際にメモリセルへの書き込みが終わっていないアドレスと一致した場合に、メモリセルからのデータでなく、データレジスタ104からのデータを直接読み出すように構成したものである。
【0057】
すなわち、図5に示すようにアドレスの整合性判定器113を設け、この整合性判定器113の出力信号WDRDでDQリードアンプ102の出力信号を遮断し、データレジスタ104にラッチされているデータを出力するようにしている。
【0058】
上記読み出しデータ切換回路は、例えば図6に示すように、スイッチSW7,SW8、マルチプレクサ(MUX)133、ナンドゲート134、ノアゲート135、Pチャネル型MOSトランジスタ(バッファトランジスタ)136及びNチャネル型MOSトランジスタ(バッファトランジスタ)137等で構成する。上記マルチプレクサ133の一方の入力端にはスイッチSW7を介してDQリードアンプ102の出力端が接続され、他方の入力端にはスイッチSW8を介してデータレジスタ104の内部ノードが接続(信号WDINが供給)される。これらスイッチSW7,SW8は、上記整合性判定器113から出力されるアドレスの一致を検出する信号WDRDでオン/オフ制御される。アドレスの一致が検出された時にはスイッチSW8がオン、スイッチSW7がオフとなってデータレジスタにラッチされたデータが選択され、不一致の時にはスイッチSW7がオン、スイッチSW8がオフとなってDQリードアンプ102の出力信号が選択される。
【0059】
上記マルチプレクサ133の出力端(センスノードbRD)は、ナンドゲート134の一方の入力端及びノアゲート135の一方の入力端に接続される。上記ナンドゲート134の他方の入力端には信号/RDPが供給され、上記ノアゲート135の他方の入力端には信号RDPが供給される。上記信号/RDP,RDPは、MOSトランジスタ136,137をセンスノードbRDのレベルに応じて選択的にオン/オフ制御するか、共にオフ状態にして読み出しデータ線RDから切り離すかを決定する信号である。上記ナンドゲート134の出力信号は、MOSトランジスタ136のゲートに供給され、このMOSトランジスタ136のソースは電源に接続される。上記ノアゲート135の出力信号はMOSトランジスタ137のゲートに供給され、このMOSトランジスタ137のドレインは上記MOSトランジスタ136のドレインに、ソースは接地点にそれぞれ接続される。そして、上記MOSトランジスタ136,137のドレイン共通接続点から読み出しデータ線RDにデータを出力するようになっている。
【0060】
上記のような構成において、アドレスの整合性判定器113で一致が検出されないときには、スイッチSW7がオン、スイッチSW8がオフ状態となり、DQリードアンプ102の出力信号がマルチプレクサ133を介してセンスノードbRDに転送され、ナンドゲート134とノアゲート135でMOSトランジスタ136,137がそれぞれオン/オフ制御されることにより、メモリセルMCから読み出されたデータが読み出しデータ線RDに出力される。
【0061】
一方、整合性判定器113で一致が検出されると、DQリードアンプ102を活性化させ、メモリセルMCから読み出したデータを転送したデータ線対MDQ,/MDQをセンスする信号CMAをオフにする。これによって、スイッチSW7がオフ、スイッチSW8がオン状態となり、データレジスタ104の内部ノードのデータ(信号WDIN)がマルチプレクサ133を介してセンスノードbRDに転送され、ナンドゲート134とノアゲート135でMOSトランジスタ136,137がそれぞれオン/オフ制御されることにより、データレジスタ104から読み出されたデータが読み出しデータ線RDに出力される。
【0062】
このように、センスノードbRDにおいて、データ線対MDQ,/MDQのセンス結果とデータレジスタ104にラッチされたデータがマルチプレクスされる。そして、レイトライト動作において、次のライトコマンドより前にリードコマンドが与えられ、これがアドレスレジスタに保存された、まだ実際にメモリセルへの書き込みが終わっていないアドレスと一致した場合に、メモリセルMCからのデータでなく、データレジスタ104からのデータを直接読み出すことができる。
【0063】
なお、上記のように構成すると、第1,第2の実施の形態に比べてデータパスが長くなるが、あくまで通常のリード動作におけるデータパスと同じであり、この動作でアクセスタイムが律速されることはない。
【0064】
図7及び図8はそれぞれ、上記図6に示した回路におけるDQリードアンプ102と読み出しデータ切換回路の他の構成例を示す回路図である。
【0065】
図7に示す回路は、Pチャネル型MOSトランジスタ141〜147、Nチャネル型MOSトランジスタ148〜154、アンドゲート155、インバータ156,157、ナンドゲート158及びノアゲート159を含んで構成されている。上記MOSトランジスタ141,142の電流通路の一端にはそれぞれデータ線対MDQ,/MDQが接続され、ゲートにはデータ線対MDQ,/MDQのセンスイネーブル信号QSEoが供給される。上記MOSトランジスタ141の電流通路の他端には、MOSトランジスタ144,148のドレイン共通接続点、及びMOSトランジスタ145,149のゲートがそれぞれ接続される。上記MOSトランジスタ142の電流通路の他端には、MOSトランジスタ145,149のドレイン共通接続点、MOSトランジスタ144,148のゲート、及びインバータ156の入力端がそれぞれ接続される。上記MOSトランジスタ144,145のソースと電源間には、MOSトランジスタ143の電流通路が接続され、このMOSトランジスタ143のゲートには信号/QSEが供給される。上記MOSトランジスタ148,149のソースと接地点間には、MOSトランジスタ150の電流通路が接続され、このMOSトランジスタ150のゲートには信号QSEが供給される。上記アンドゲート155の一方の入力端には上記センスイネーブル信号QSEoが供給され、他方の入力端にはアドレスの整合性判定器113から出力されるアドレスの一致を検出する信号/WDRDが供給され、出力信号QSEが上記MOSトランジスタ150のゲートに供給されると共に、その反転信号/QSEが上記MOSトランジスタ143のゲートに供給される。
【0066】
上記インバータ156の出力端には、MOSトランジスタ151のゲートが接続され、このMOSトランジスタ151のドレインはセンスノードbRDに、ソースは接地点にそれぞれ接続される。上記センスノードbRDと電源間には、MOSトランジスタ146の電流通路が接続され、このMOSトランジスタ146のゲートには上記アンドゲート155の出力信号QSEが供給される。また、上記センスノードbRDと接地点間には、MOSトランジスタ152,153の電流通路が直列接続され、MOSトランジスタ152のゲートにはアドレスの一致を検出する信号WDRDが、MOSトランジスタ153のゲートには内部ノードの信号WDINがそれぞれ供給される。
【0067】
インバータ157の入力端は、上記センスノードbRDに接続され、出力端はナンドゲート158の一方の入力端及びノアゲート159の一方の入力端に接続される。上記ナンドゲート158の他方の入力端には、信号/RDPが供給され、ノアゲート159の他方の入力端には信号RDPが供給される。上記ナンドゲート158の出力端にはMOSトランジスタ(バッファトランジスタ)147のゲートが接続され、このMOSトランジスタ147のソースは電源に接続される。上記ノアゲート159の出力端には、MOSトランジスタ(バッファトランジスタ)154のゲートが接続され、このMOSトランジスタ154のドレインはMOSトランジスタ147のドレインに、ソースは接地点にそれぞれ接続される。そして、上記MOSトランジスタ147,154のドレイン共通接続点に接続された読み出しデータ線RDに信号を出力するようになっている。
【0068】
上記のような構成において、センスノードbRDは整合性判定器113によってアドレスの一致が検出され、信号WDRDがハイレベル、信号/WDRDがロウレベルとなると、センスイネーブル信号SQEoのレベルに拘わらずアンドゲート155の出力信号QSEがロウレベル(/QSEはハイレベル)となる。これによって、MOSトランジスタ143,150がオフ状態、MOSトランジスタ146がオン状態となる。この結果、インバータ156の入力端がハイレベルに固定され、出力端がロウレベルとなってMOSトランジスタ151がオフ状態となり、センスノードbRDがDQリードアンプ102から切り離される。
【0069】
この時、センスノードbRDは、オン状態にあるMOSトランジスタ146によってハイレベルにプリチャージされ、データレジスタ104の内部ノードの信号WDINによってMOSトランジスタ153がオン/オフ制御されることにより、信号WDINのレベルに応じてセンスノードbRDのプリチャージ状態を維持するかディスチャージするかが決定される。このセンスノードbRDのレベルに応じてナンドゲート158及びノアゲートでMOSトランジスタ147,154が選択的に駆動され、データレジスタ102にラッチされたデータに応じて読み出しデータ線RDが駆動される。
【0070】
これに対し、整合性判定器113によってアドレスの一致が検出されない時には、信号/WDRDがハイレベル、信号WDRDがロウレベルとなり、センスイネーブル信号SQEoがハイレベルになると、アンドゲート155の出力信号QSEがハイレベル(/QSEはロウレベル)となる。これによって、MOSトランジスタ143,150がオン状態、MOSトランジスタ146がオフ状態となる。これによって、データ線対MDQ,/MDQのレベルに応じてセンスノードbRDをMOSトランジスタ151で放電するか否かが決定される。このセンスノードbRDのレベルに応じてナンドゲート158及びノアゲートでMOSトランジスタ147,154が選択的に駆動され、メモリセルMCから読み出されたデータに応じて読み出しデータ線RDが駆動される。
【0071】
図8に示す回路は、Pチャネル型MOSトランジスタ161〜167、Nチャネル型MOSトランジスタ168〜170、オペアンプ171,172、インバータ173、ナンドゲート174及びノアゲート175を含んで構成されている。上記MOSトランジスタ161〜163は、データ線対MDQ,/MDQをプリチャージ及びイコライズするためのプリチャージ/イコライズ回路を構成している。上記MOSトランジスタ161の電流通路はデータ線MDQと電源間に接続され、上記MOSトランジスタ162の電流通路はデータ線/MDQと電源間に接続され、上記MOSトランジスタ163の電流通路はデータ線対MDQ,/MDQ間に接続されている。これらMOSトランジスタ161〜163のゲートには、プリチャージ信号QPRが供給される。
【0072】
オペアンプ171の反転入力端(−)には上記データ線MDQが接続され、非反転入力端(+)にはデータ線/MDQが接続されている。オペアンプ172の反転入力端(−)には上記データ線/MDQが接続され、非反転入力端(+)にはデータ線MDQが接続される。これらオペアンプ171,172には、内部ノードの信号/WDINが供給されて動作が制御される。また、上記MOSトランジスタ164の電流通路は電源とデータ線/MDQ間に接続され、このMOSトランジスタ164のゲートには上記オペアンプ171の出力端が接続される。上記MOSトランジスタ165の電流通路は電源とデータ線MDQ間に接続され、このMOSトランジスタ165のゲートには上記オペアンプ171の出力端が接続される。
【0073】
上記オペアンプ172の出力端(センスノードbRD)と接地点間には、MOSトランジスタ168,169の電流通路が直列接続され、MOSトランジスタ168のゲートにはアドレスの整合性判定器113の出力信号WDRDが、MOSトランジスタ169のゲートにはデータレジスタ104の内部ノードの信号WDINがそれぞれ供給される。また、上記オペアンプ172の出力端と電源間には、MOSトランジスタ166の電流通路が接続され、このMOSトランジスタ166のゲートには上記プリチャージ信号QPRが供給される。
【0074】
インバータ173の入力端は、上記センスノードbRDに接続され、出力端はナンドゲート174の一方の入力端及びノアゲート175の一方の入力端に接続される。上記ナンドゲート174の他方の入力端には、信号/RDPが供給され、ノアゲート175の他方の入力端には信号RDPが供給される。上記信号/RDP,RDPは、MOSトランジスタ167,170をセンスノードbRDのレベルに応じて選択的にオン/オフ制御するか、共にオフ状態にして読み出しデータ線RDから切り離すかを決定する信号である。上記ナンドゲート174の出力端にはMOSトランジスタ(バッファトランジスタ)167のゲートが接続され、このMOSトランジスタ167のソースは電源に接続される。上記ノアゲート175の出力端には、MOSトランジスタ(バッファトランジスタ)170のゲートが接続され、このMOSトランジスタ170のドレインはMOSトランジスタ167のドレインに、ソースは接地点にそれぞれ接続される。そして、上記MOSトランジスタ167,170のドレイン共通接続点に接続された読み出しデータ線RDに信号を出力するようになっている。
【0075】
このような構成のDQリードアンプ102及び読み出しデータ切換回路であっても、基本的には図7の回路と同様な動作を行い、レイトライト動作において、次のライトコマンドより前にリードコマンドが与えられ、これがアドレスレジスタに保存された、まだ実際にメモリセルへの書き込みが終わっていないアドレスと一致した場合に、メモリセルMCからのデータでなく、データレジスタ104からのデータを直接読み出すことができる。
【0076】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、アドレスレジスタの内容に基づいてメモリセルへの書き込みを行う場合のデータパスを短縮して書き込み時のランダムサイクルタイムを高速化でき、且つデータレジスタのパターン占有面積を小さくしてチップサイズを縮小できる半導体記憶装置が得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明するためのもので、DDR−SDRAMのデータ書き込み及び読み出しに関係する要部を抽出して概略構成を示すブロック図。
【図2】この発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明するためのもので、図1に示した回路におけるDQライトドライバ及びデータレジスタ(ラッチ回路)の具体的な回路構成例を示す回路図。
【図3】この発明の第1の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明するためのもので、図1及び図2に示した回路の動作を説明するためのタイミングチャート。
【図4】この発明の第2の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明するためのタイミングチャート。
【図5】この発明の第3の実施の形態に係る半導体記憶装置について説明するためのもので、DDR−SDRAMのデータ書き込み及び読み出しに関係する部分を抽出して概略構成を示すブロック図。
【図6】図5に示した回路におけるDQリードアンプの出力信号とデータレジスタの出力信号とを切り換える読み出しデータ切換回路の構成例を示す回路図。
【図7】図6に示した回路におけるDQリードアンプと読み出しデータ切換回路の他の構成例を示す回路図。
【図8】図6に示した回路におけるDQリードアンプと読み出しデータ切換回路の更に他の構成例を示す回路図。
【図9】従来の半導体記憶装置について説明するためのもので、特願平10−240161号の第2の実施の形態における動作を示すタイミングチャート。
【図10】従来の半導体記憶装置について説明するためのもので、FCRAMの概略的な基本構成を示すブロック図。
【図11】従来の半導体記憶装置について説明するためのもので、特願平10−240161号の第3の実施の形態の概略的な基本構成を示すブロック図。
【図12】従来の半導体記憶装置について説明するためのもので、特願平10−240161号の第3の実施の形態のアドレス整合性判定器の構成を示すブロック図。
【図13】従来のDRAMにおける書き込み方式の問題点について説明するためのタイミングチャート。
【図14】特願平10−240161号のデータ書き込み及び読み出しに関係する部分を抽出して概略構成を示すブロック図。
【符号の説明】
100…メモリコア部
101−1,101−2…I/O制御回路
102−1,102−2…DQリードアンプ(DQRA)
103−1,103−2…DQライトドライバ(DQWD)
104−1,104−2…データレジスタ(ラッチ回路)
105…I/Oゲート
106−1,106−2…カラムデコーダ(CD)
107…外部DQピン
108…データ入力バッファ
109…シリアル/パラレル変換回路
110…パラレル/シリアル変換回路
111…データ出力バッファ
112…ローデコーダ(RD)
113…整合性判定器
WDe,WDo…書き込みデータ線
RDe,RDo…読み出しデータ線
SA…センスアンプ
MDQ,/MDQ…データ線対
BL,/BL…ビット線対
WL…ワード線
MC…メモリセル
MCA…メモリセルアレイ
Claims (7)
- メモリセルアレイ、ワード線を駆動するローデコーダ、カラム選択線を選択するカラムデコーダ、前記メモリセルアレイ中のメモリセルが接続されるビット線対、前記ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプ及びI/O制御回路を含むメモリコア部と、
書き込みの対象となるメモリセルのアドレスをラッチするアドレスレジスタと、
前記メモリコア部の前記I/O制御回路中に設けられ、前記ビット線対の倍数のピッチで繰り返し配置され、前記メモリセルに書き込むデータをラッチするデータレジスタと、
前記メモリコア部の前記I/O制御回路の一部として働き、前記ビット線対の倍数のピッチで繰り返し配置され、前記データレジスタにラッチされた書き込みデータに応じてデータ線対を駆動するDQライトドライバと
を具備し、
コマンドの入力によって外部から取り込んだ書き込みデータを、実際にメモリセルに書き込むタイミングを、次のコマンドが設定されたタイミングから開始することを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記コマンドは、各ランダムサイクルタイムにつき1回の入力でリード/ライトを規定するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記データ線対と前記ビット線対間に設けられ、カラム選択線のレベルに応答してオン/オフ制御されるI/Oゲートと、前記アドレスレジスタにラッチされているカラムアドレス信号をデコードして前記カラム選択線を選択的に駆動するカラムデコーダとを更に具備し、
コマンドの入力に応答して書き込みデータを前記データレジスタに転送してラッチし、次のクロックサイクルのコマンドの入力に応答して前記DQライトドライバを動作させて前記データレジスタにラッチされている書き込みデータに応じて前記データ線対を駆動し、続いて前記I/Oゲートをオンして前記データ線対のデータをビット線対を介してメモリセルに書き込むことを特徴とする請求項2に記載の半導体記憶装置。 - 前記コマンドは、連続する2つのクロックサイクルでパケットとして与えた第1,第2のコマンドの組み合わせで動作を規定するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体記憶装置。
- 前記データ線対と前記ビット線対間に設けられ、カラム選択線のレベルに応答してオン/オフ制御されるI/Oゲートと、前記アドレスレジスタにラッチされているカラムアドレス信号をデコードして前記カラム選択線を選択的に駆動するカラムデコーダとを更に具備し、
第1のコマンドの入力に応答して書き込みデータを前記データレジスタに転送してラッチし、次のクロックサイクルの第1のコマンドで前記データレジスタに転送された書き込みデータを前記DQライトドライバを動作させてデータ線対に転送し、第2のコマンドの入力に応答して前記I/Oゲートをオンして前記データ線対のデータをビット線対を介してメモリセルに書き込むことを特徴とする請求項4に記載の半導体記憶装置。 - メモリセルアレイ、ワード線を駆動するローデコーダ、カラム選択線を選択するカラムデコーダ、前記メモリセルアレイ中のメモリセルが接続されるビット線対、前記ビット線対の電位差を増幅するセンスアンプ及びI/O制御回路を含むメモリコア部と、
書き込みの対象となるメモリセルのアドレスをラッチするアドレスレジスタと、
前記メモリコア部の前記I/O制御回路中に設けられ、前記ビット線対のピッチの倍数のピッチで繰り返し配置され、前記メモリセルに書き込むデータをラッチするデータレジスタと、
前記メモリコア部の前記I/O制御回路の一部として働き、前記ビット線対のピッチの倍数のピッチで繰り返し配置され、前記データレジスタにラッチされた書き込みデータに応じてデータ線対を駆動するDQライトドライバと、
前記メモリコア部の前記I/O制御回路の一部として働き、前記DQライトドライバに対応して前記ビット線対のピッチの倍数のピッチで繰り返し配置され、前記データ線対上に読み出された読み出しデータを増幅するDQリードアンプと、
入力されたアドレスと前記アドレスレジスタに保存された、まだ実際にメモリセルへの書き込みが終わっていないアドレスとが一致しているか否かを判定する整合性判定器と、
前記整合性判定器の出力信号に応答して、前記DQリードアンプで増幅された読み出しデータと前記データレジスタにラッチされているデータとを切り換えて読み出しデータ線に供給する切換回路と
を具備し、
ライトコマンドの入力によって前記データレジスタにラッチしたデータのメモリセルへの書き込みを、次のクロックサイクルのライトコマンドの入力に応答して開始し、
書き込み時に、次のライトコマンドの前にリードコマンドが入力され、前記整合性判定器でアドレスの一致が検知されたときに、前記データ線対のセンス動作を停止し、前記データレジスタにラッチされているデータを、前記切換回路で前記DQリードアンプの増幅結果に代えて、読み出しデータ線対に転送して外部に出力する
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 前記データ線対と前記ビット線対間に設けられ、カラム選択線のレベルに応答してオン/オフ制御されるI/Oゲートと、前記アドレスレジスタにラッチされているカラムアドレス信号をデコードして前記カラム選択線を選択的に駆動するカラムデコーダとを更に具備し、
ライトコマンドの入力に応答して書き込みデータを前記データレジスタに転送してラッチし、次のクロックサイクルのライトコマンドで前記データレジスタに転送された書き込みデータを前記DQライトドライバを動作させて前記データ線対に転送し、カラムアドレスラッチコマンドの入力に応答してカラム選択線を駆動することにより前記I/Oゲートをオンして前記データ線対のデータをビット線対を介してメモリセルに書き込むことを特徴とする請求項6に記載の半導体記憶装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35317299A JP4083944B2 (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 半導体記憶装置 |
KR10-2000-0075450A KR100408466B1 (ko) | 1999-12-13 | 2000-12-12 | 개량된 데이터 기입 동작을 갖는 고속 사이클 ram |
US09/736,053 US6636445B2 (en) | 1999-12-13 | 2000-12-13 | Fast cycle ram having improved data write operation |
US10/369,945 US6795370B2 (en) | 1999-12-13 | 2003-02-18 | Fast cycle RAM having improved data write operation |
US10/930,591 US6990040B2 (en) | 1999-12-13 | 2004-08-31 | Method for writing data to a semiconductor memory comprising a peripheral circuit section and a memory core section including a memory cell |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP35317299A JP4083944B2 (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 半導体記憶装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2001176267A JP2001176267A (ja) | 2001-06-29 |
JP4083944B2 true JP4083944B2 (ja) | 2008-04-30 |
Family
ID=18429057
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP35317299A Expired - Fee Related JP4083944B2 (ja) | 1999-12-13 | 1999-12-13 | 半導体記憶装置 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (3) | US6636445B2 (ja) |
JP (1) | JP4083944B2 (ja) |
KR (1) | KR100408466B1 (ja) |
Families Citing this family (30)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4083944B2 (ja) | 1999-12-13 | 2008-04-30 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
JP4253097B2 (ja) * | 1999-12-28 | 2009-04-08 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法 |
US6944731B2 (en) * | 2001-12-19 | 2005-09-13 | Agere Systems Inc. | Dynamic random access memory system with bank conflict avoidance feature |
DE10203893B4 (de) * | 2002-01-31 | 2004-01-15 | Infineon Technologies Ag | DDR-Speicher und Speicherverfahren |
KR100496857B1 (ko) * | 2002-05-17 | 2005-06-22 | 삼성전자주식회사 | 외부적으로 데이터 로드 신호를 갖는 반도체 메모리 장치및 이 반도체 메모리 장치의 직렬 데이터의 병렬데이터로의 프리패치 방법 |
JP2004086934A (ja) * | 2002-08-22 | 2004-03-18 | Renesas Technology Corp | 不揮発性記憶装置 |
JP4418153B2 (ja) | 2002-12-27 | 2010-02-17 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体装置 |
US7054202B2 (en) * | 2003-06-03 | 2006-05-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | High burst rate write data paths for integrated circuit memory devices and methods of operating same |
DE102004026526B4 (de) * | 2003-06-03 | 2010-09-23 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Integrierter Schaltungsbaustein und Betriebsverfahren |
KR100593442B1 (ko) | 2004-02-06 | 2006-06-28 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 이 장치의 데이터 라이트 및 리드방법 |
US7215597B2 (en) * | 2005-01-28 | 2007-05-08 | Infineon Technologies Ag | Memory device having components for transmitting and receiving signals synchronously |
KR100599216B1 (ko) * | 2005-07-11 | 2006-07-12 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 출력회로 및 데이터 출력방법 |
US7403446B1 (en) | 2005-09-27 | 2008-07-22 | Cypress Semiconductor Corporation | Single late-write for standard synchronous SRAMs |
US7428168B2 (en) * | 2005-09-28 | 2008-09-23 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory device sharing a data line sense amplifier and a write driver in order to reduce a chip size |
KR100745368B1 (ko) * | 2005-11-22 | 2007-08-02 | 삼성전자주식회사 | 개선된 데이터 입출력 경로를 갖는 반도체 메모리 장치 |
KR100712539B1 (ko) | 2005-11-23 | 2007-04-30 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치의 칼럼 디코더 및 반도체 메모리장치의 칼럼 선택 라인 신호 발생 방법 |
US7492656B2 (en) * | 2006-04-28 | 2009-02-17 | Mosaid Technologies Incorporated | Dynamic random access memory with fully independent partial array refresh function |
JP5018074B2 (ja) | 2006-12-22 | 2012-09-05 | 富士通セミコンダクター株式会社 | メモリ装置,メモリコントローラ及びメモリシステム |
JP5413938B2 (ja) * | 2007-05-08 | 2014-02-12 | ピーエスフォー ルクスコ エスエイアールエル | 半導体記憶装置及びその書き込み制御方法 |
KR101124321B1 (ko) | 2010-04-06 | 2012-03-28 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 리드/라이트 제어 방법 |
JP5529661B2 (ja) * | 2010-07-23 | 2014-06-25 | ラピスセミコンダクタ株式会社 | 半導体メモリ |
US8406073B1 (en) * | 2010-12-22 | 2013-03-26 | Intel Corporation | Hierarchical DRAM sensing |
US9406346B2 (en) | 2011-06-30 | 2016-08-02 | Sandisk Technologies Llc | Smart bridge for memory core |
US9208070B2 (en) | 2011-12-20 | 2015-12-08 | Sandisk Technologies Inc. | Wear leveling of multiple memory devices |
KR20130129785A (ko) * | 2012-05-21 | 2013-11-29 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치 |
US9087565B2 (en) * | 2012-11-20 | 2015-07-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Pre-charging a data line |
KR20150033374A (ko) * | 2013-09-24 | 2015-04-01 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 시스템 및 반도체 장치 |
JP6542075B2 (ja) * | 2015-08-28 | 2019-07-10 | 東芝メモリ株式会社 | メモリシステム |
CN110989942A (zh) * | 2019-12-30 | 2020-04-10 | 南京信息工程大学滨江学院 | 一种数据存储扩展接口系统及其控制方法 |
US20220066681A1 (en) * | 2020-08-27 | 2022-03-03 | Micron Technology, Inc. | Bubble break register in semiconductor device |
Family Cites Families (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5222047A (en) * | 1987-05-15 | 1993-06-22 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Method and apparatus for driving word line in block access memory |
JP2740097B2 (ja) | 1992-03-19 | 1998-04-15 | 株式会社東芝 | クロック同期型半導体記憶装置およびそのアクセス方法 |
JPH06131240A (ja) * | 1992-10-14 | 1994-05-13 | Nippon Steel Corp | ランダムアクセスメモリ |
US5511024A (en) | 1993-06-02 | 1996-04-23 | Rambus, Inc. | Dynamic random access memory system |
JP3099931B2 (ja) | 1993-09-29 | 2000-10-16 | 株式会社東芝 | 半導体装置 |
US5539696A (en) * | 1994-01-31 | 1996-07-23 | Patel; Vipul C. | Method and apparatus for writing data in a synchronous memory having column independent sections and a method and apparatus for performing write mask operations |
JP3170146B2 (ja) | 1994-07-29 | 2001-05-28 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
JP2970434B2 (ja) * | 1994-10-31 | 1999-11-02 | 日本電気株式会社 | 同期型半導体記憶装置およびセンス制御方法 |
JP3184096B2 (ja) | 1995-08-31 | 2001-07-09 | 株式会社東芝 | 半導体記憶装置 |
TW348266B (en) | 1996-03-11 | 1998-12-21 | Toshiba Co Ltd | Semiconductor memory device |
JPH1050054A (ja) * | 1996-07-30 | 1998-02-20 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
JP2888201B2 (ja) | 1996-07-30 | 1999-05-10 | 日本電気株式会社 | 半導体メモリ集積回路 |
JPH1056004A (ja) | 1996-08-09 | 1998-02-24 | Hitachi Ltd | 有機物除去装置 |
JP3604861B2 (ja) * | 1997-03-11 | 2004-12-22 | 株式会社ルネサステクノロジ | 半導体記憶装置 |
KR100245276B1 (ko) * | 1997-03-15 | 2000-02-15 | 윤종용 | 버스트 모드 성능을 갖는 랜덤 억세스 메모리 장치 및 그의 동작 방법 |
JPH10283777A (ja) * | 1997-04-04 | 1998-10-23 | Mitsubishi Electric Corp | Sdramコアと論理回路を単一チップ上に混載した半導体集積回路装置およびsdramコアのテスト方法 |
US6172935B1 (en) * | 1997-04-25 | 2001-01-09 | Micron Technology, Inc. | Synchronous dynamic random access memory device |
JP3156636B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2001-04-16 | 日本電気株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置 |
TW378330B (en) | 1997-06-03 | 2000-01-01 | Fujitsu Ltd | Semiconductor memory device |
US6044429A (en) | 1997-07-10 | 2000-03-28 | Micron Technology, Inc. | Method and apparatus for collision-free data transfers in a memory device with selectable data or address paths |
JPH1153887A (ja) | 1997-08-06 | 1999-02-26 | Toshiba Corp | デコード信号比較回路 |
US5969997A (en) * | 1997-10-02 | 1999-10-19 | International Business Machines Corporation | Narrow data width DRAM with low latency page-hit operations |
US5923615A (en) * | 1998-04-17 | 1999-07-13 | Motorlola | Synchronous pipelined burst memory and method for operating same |
JPH11306751A (ja) | 1998-04-22 | 1999-11-05 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP4226686B2 (ja) * | 1998-05-07 | 2009-02-18 | 株式会社東芝 | 半導体メモリシステム及び半導体メモリのアクセス制御方法及び半導体メモリ |
US6295231B1 (en) | 1998-07-17 | 2001-09-25 | Kabushiki Kaisha Toshiba | High-speed cycle clock-synchronous memory device |
JP2000137983A (ja) | 1998-08-26 | 2000-05-16 | Toshiba Corp | 半導体記憶装置 |
JP4043151B2 (ja) * | 1998-08-26 | 2008-02-06 | 富士通株式会社 | 高速ランダムアクセス可能なメモリデバイス |
US6081477A (en) * | 1998-12-03 | 2000-06-27 | Micron Technology, Inc. | Write scheme for a double data rate SDRAM |
JP4025488B2 (ja) * | 1999-09-30 | 2007-12-19 | 富士通株式会社 | 半導体集積回路およびその制御方法 |
JP4083944B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2008-04-30 | 東芝マイクロエレクトロニクス株式会社 | 半導体記憶装置 |
US6151236A (en) | 2000-02-29 | 2000-11-21 | Enhanced Memory Systems, Inc. | Enhanced bus turnaround integrated circuit dynamic random access memory device |
-
1999
- 1999-12-13 JP JP35317299A patent/JP4083944B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-12-12 KR KR10-2000-0075450A patent/KR100408466B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-12-13 US US09/736,053 patent/US6636445B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-02-18 US US10/369,945 patent/US6795370B2/en not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-08-31 US US10/930,591 patent/US6990040B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100408466B1 (ko) | 2003-12-06 |
JP2001176267A (ja) | 2001-06-29 |
US6990040B2 (en) | 2006-01-24 |
US20050024932A1 (en) | 2005-02-03 |
US20030123297A1 (en) | 2003-07-03 |
KR20010070296A (ko) | 2001-07-25 |
US20010005012A1 (en) | 2001-06-28 |
US6795370B2 (en) | 2004-09-21 |
US6636445B2 (en) | 2003-10-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4083944B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6134180A (en) | Synchronous burst semiconductor memory device | |
US7277334B2 (en) | Method and apparatus for synchronization of row and column access operations | |
US6359813B1 (en) | Semiconductor memory device having improved data transfer rate without providing a register for holding write data | |
TW451198B (en) | Semiconductor memory device | |
JPH09288888A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP4253097B2 (ja) | 半導体記憶装置及びそのデータ読み出し方法 | |
JP4043151B2 (ja) | 高速ランダムアクセス可能なメモリデバイス | |
JPH11273335A (ja) | 高速、高帯域幅ランダム・アクセス・メモリ | |
US6621753B2 (en) | Semiconductor device | |
JP2004171609A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JP2000260181A (ja) | 同期型半導体記憶装置 | |
JP2001266573A (ja) | 半導体記憶装置 | |
JPH09320261A (ja) | 半導体記憶装置および制御信号発生回路 | |
JP2003303493A (ja) | 半導体記憶装置の制御方法、および半導体記憶装置 | |
US6339560B1 (en) | Semiconductor memory based on address transitions | |
US6961830B2 (en) | Semiconductor memory device with fast masking process in burst write mode | |
JPH1166850A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US6836445B2 (en) | Memory device in semiconductor for enhancing ability of test | |
US7660167B1 (en) | Memory device and method for fast cross row data access | |
KR100524944B1 (ko) | 고속의 기입 및 독출동작을 가능하게 하는 입출력 구조를갖는 반도체 메모리장치 | |
JP2001266570A (ja) | 同期型半導体記憶装置 | |
JP2004220678A (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20080291746A1 (en) | Semiconductor Storage Device and Burst Operation Method | |
JPH0745068A (ja) | 同期型半導体記憶装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20040507 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20070405 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070410 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20070611 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20071120 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080121 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20080212 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20080214 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110222 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120222 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130222 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |