JP4079522B2 - 半導体集積回路装置 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
この発明は、半導体集積回路装置に関し、例えば半導体チップの中央部に周辺回路及びボンディングパッドを配置し、外部端子から供給された電源電圧を降圧して上記周辺回路等に供給する電源回路を備えたダイナミック型RAM(ランダム・アクセス・メモリ)の上記電源回路に利用して有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体チップの中央部にボンディングパッドとそれに対応して周辺回路を配置するとともに、外部端子から供給された電源電圧を降圧し、上記周辺回路を含む内部回路に供給するようにしたダイナミック型RAMの例として、特開平3−214669号公報がある。この公報のダイナミック型RAMにおいては、メモリチップの縦横の中央部に十文字状に周辺回路を構成するエリアを設け、かかる十文字状のエリアによって4分割に区切られたエリアにメモリアレイを配置するものである。そして、上記の十文字状の中央部、いわばチップの中心部にもXデコーダ、Yデコーダ用アドレス信号発生回路や内部降圧電源回路等が配置される。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】
上記のようにメモリチップの縦横の中央部に周辺回路を配置した場合には、それぞれの回路配列にそって配線チャンネルが形成される。本願発明者等においては、この発明に先立ってメモリチップの短辺方向の中央部には冗長回路等を配置し、かかる冗長回路に対する信号径路として、第2層目の金属配線層を用いた配線チャンネルを形成し、メモリチップの長辺方向の中央部には、アドレスバッファ、データ入出力回路等の周辺回路を配置し、かかる周辺回路に対する信号径路として第3層目の金属配線層を用いた配線チャンネルを形成することを考えた。
【0004】
上記のような構成とすることにより、各回路を構成する単位の論理回路等を第1層目の金属配線層を用いて形成し、各論理回路間を接続する配線を、その上層に形成された配線チャンネルを用いることにより合理的な回路レイアウトを実現することができる。しかしながら、このようにするとチップの中央部では、上記2つの配線チャンネルが交差する部分が形成され、上記第1層目の金属配線層のみを用いて回路を形成しなけばならなくなる。
【0005】
上記第1層目の金属配線層は、それを形成した後の熱工程の影響を受けにくくするために、タングステン(W)等を含む高い融点の金属材料を用いるものであり、かかる第1層目の金属配線層を用いた配線では比較的抵抗値が大きなものになってしまう。したがって、上記第1層目の金属配線層を用いて、いわば職人技というような配線レイアウトにより回路を構成しても、比較的大きな配線抵抗によって高い性能を持った回路を得ることは期待できない。そこで、本願発明者等においては、上記のように2つの配線チャンネルが交差する部分を有効に利用して回路素子の合理的な配置を実現する半導体集積回路装置の開発に至った。
【0006】
この発明の目的は、回路の性能を落とすことなく、回路素子の合理的な配置を実現した半導体集積回路装置を提供することにある。この発明の前記ならびにそのほかの目的と新規な特徴は、本明細書の記述および添付図面から明らかになるであろう。
【0007】
【課題を解決するための手段】
本願において開示される発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下記の通りである。すなわち、半導体チップにおける第1方向に延長される複数からなる第2層目の金属配線層からなる第1の配線チャンネルと、上記第1方向とは直交する第2方向に延長される複数からなる第3層目の金属配線層からなる第2の配線チャンネルと、外部端子から供給された電源電圧を受け、それと異なる電圧を形成し、安定化容量を備えた内部電源回路とを備えた半導体集積回路装置において、上記安定化容量の大半を上記第2層目と第3層目の金属配線層が交差する半導体領域上に形成されたキャパシタが占めるようにする。
【0008】
【発明の実施の形態】
図1には、この発明が適用されるダイナミック型RAMの一実施例の概略構成図が示されている。同図において、(A)には拡散層の概略レイアウトが示され、(B)には概略配線層レイアウトが示されている。同図のレイアウトは、ダイナミック型RAMを構成する各回路ブロックのうち、その主要部が判るように代表的な部分が示されており、それが公知の半導体集積回路の製造技術により、単結晶シリコンのような1個の半導体基板上において形成される。
【0009】
この実施例では、特に制限されないが、メモリアレイは、全体として4個に分けられる。半導体チップの長手方向に対して左右に分けられて、(A)に示すように長手方向の中央部分にアドレス入力回路、データ入出力回路及び、(B)に示すようにボンディングパッド列と第3層目の配線層M3からなる配線チャンネルが形成される。上記のような長手方向の中央部には、上記の入出力インターフェイス回路及び昇圧回路や降圧回路を含む電源回路等が設けられる。そして、短辺方向の中央部には、特に制限されないが、後述するように冗長回路が設けられ、かかる冗長回路が形成される部分には第2層目の金属層M2による配線チャンネルが形成される。
【0010】
この実施例では、上記第3層目の配線チャンネルと第2層目の配線チャンネルとが交差する半導体チップの中央部には安定化容量を形成する拡散層が形成される。この安定化容量は、特に制限されないが、上記周辺回路の動作電圧を形成する降圧電源回路の安定化容量として用いられる。上記降圧電源回路は、後述するように複数回路が半導体チップ上の長手方向中央部の周辺回路が形成される部分に分散して配置され、かかる周辺回路の隙間的な半導体領域を活用して小さな容量値の安定化容量も接続される。これら分散して設けられる安定化容量は、上記のように限られた半導体領域を用いるものであるために、上記チップ中央部に形成される安定化容量に比べて小さな容量値にされる。
【0011】
上記のように半導体チップ上の比較的長くされた長手方向中央部に周辺回路が形成されるものであり、上記のように降圧電源回路を複数個分散させて配置させることにより、周辺回路が動作時に必要とする電流が、比較的短い距離の配線径路を通して供給されるために動作電圧の安定化を図ることができる。このような降圧電圧を供給する電源線としては、特に制限されないが、上記第3層目の金属層M3を用いて構成される。
【0012】
上記周辺回路は、特に制限されないが、図(B)に示したボンディングパッド列を挟んで、図(A)に示したように左側の比較的大きな回路セル列は、入力回路やプリデコーダ、電源回路等の周辺回路であり、右側の比較的小さな回路セル列は、出力回路を構成するものである。
【0013】
上述のように半導体チップの長手方向に対して左右に2個、半導体チップの短辺方向に対して上下に2個ずつに分けられた4個からなるメモリアレイが配置される。メモリアレイは、後述するように、その長手方向の中央部分にメインロウデコーダ領域とメインワードドライバが配置され、いわゆる階層ワード線(又は分割ワード線)方式が採用される。また、ビット線も複数に分割されて構成される。この結果、上記メモリアレイのそれぞれは、複数のサブアレイに分割されて構成される。
【0014】
図2には、上記半導体チップの中央部に設けられる安定化容量の構成図が示されている。図2(A)には、平面構成が示され、図2(B)には断面構成が示されている。特に制限されないが、P型基板上PSUB上にN型ウェル領域NWELLが形成され、MOS容量の他方の電極として用いられる。つまり、ディプレッションモードのMOS容量が構成される。このN型ウェル領域NWELLの周辺部には、Nチャンネル型MOSFETのソース,ドレイン領域を構成するN+型拡散層Lが形成され、かかるN+型拡散層Lにコンタクト部LCNTを設けて安定化容量の一方の電極とし、例えば回路の接地電位を供給する。
【0015】
上記N型ウェル領域NWELLの表面にはMOSFETのゲート絶縁膜と同じ工程で形成された絶縁膜が形成され、これを誘電体として用いる。上記絶縁膜上にはMOSFETのゲート電極と同じ工程で形成された導電性ポリシリコン層FGが形成されて、上記安定化容量の他方の電極として用いられる。この導電性ポリシリコン層FGに対しては、コンタクト部FCNTが設けられ、例えば降圧電源回路の出力端子に接続されて降圧電圧VPRERIが供給される。
【0016】
この実施例の安定化用容量は、特に制限されないが、上記第1の配線チャンネルと第2の配線チャンネルとの交差部であって、周辺回路との関係で430μm×425μmの大きさと、400μm×315μmのような大きさに形成される。1μm×1μmにより約5fFの容量値を得ることができるから、上記のような大きさの安定化容量においては、おおよそ730μm×400μmであるために、約1460pFの容量値のキャパシタを得ることができる。これに対して、図示しないが、前記周辺回路に分散して適宜に設けられる安定化用容量の容量値は、おおよそ980pFであり、出力回路に分散して適宜に設けられる安定化用容量は、おおよそ100pFである。この例では、半導体チップの中央部に形成される安定化容量は、全体の半分以上になるものである。
【0017】
図3には、この発明に係る降圧電源回路の一実施例の概略回路図が示されている。この実施例では、演算増幅回路OPの非反転入力(+)に基準電圧VLRERIを供給し、その出力信号を可変抵抗として作用するPチャンネル型の出力MOSFETQ16のゲートに供給する。このMOSFETQ16のドレインは、電源電圧VDDに接続され、ソースと回路の接地電位との間に分圧回路を構成するPチャンネル型MOSFETQ17とQ18が接続される。上記抵抗素子として作用するMOSFETQ17とQ18で形成された分圧出力は、上記演算増幅回路OPの反転入力(−)に供給される。これにより、上記可変抵抗素子として動作するMOSFETQ16は、上記分圧された電圧と上記基準電圧VLPERIとが一致するようなゲート電圧が供給される。
【0018】
上記MOSFETQ16のドレインが出力端子とされて降圧電圧VPERIが形成される。この出力端子には、上記降圧電圧VPERIを安定化させる安定化容量(1)、(2)及び(3)が接続される。上記安定化容量(1)は、前記図1に示したように半導体チップの中心部(第1と第2の配線チャンネルの交差部)に形成されたものであり、安定化容量(2)は、上記周辺回路の隙間に形成されたものであり、安定化容量(3)は、上記出力回路の隙間に形成されたものである。
【0019】
上記演算増幅回路OPは、コントロール回路により制御される。演算増幅回路OPは、次に説明するように定常的に動作するものと、周辺回路が動作状態にされたときに選択的に動作するものとの2種類で構成される。上記コントロール回路は、上記周辺回路が動作状態にされたときに動作信号を形成するものである。また、上記の選択的に動作する演算増幅回路は、半導体チップにおいて複数個が分散して配置される。
【0020】
図4には、上記降圧電源回路を構成する演算増幅回路の一実施例の回路図が示されている。同図(A)には、待機時用の演算増幅回路が示され、同図(B)には動作時用の演算増幅回路が示されている。同図(A)の待機時用の演算増幅回路では、CMOS構成の入力回路及び周辺回路等での降圧電圧VPERIのリーク電流のような比較的小さな電流を補うように小さな電流供給能力で足りることから、同図のようにNチャンネル型MOSFETの差動MOSFETQ1とQ2と、その共通ソースと回路の接地電位との間にソース−ドレイン経路が接続され、ゲートに基準電圧Vrefが供給されることによって定電流を流すようにされたNチャンネル型の電流源MOSFETQ5と、上記MOSFETQ1とQ2のドレインと電源電圧VDDとの間に設けられ、電流ミラー形態にされることによってアクティブ負荷回路を構成するPチャンネル型MOSFETQ3とQ4からなる差動回路と、上記差動回路の出力信号を受ける.Pチャンネル型の出力MOSFETQ6と、そのドレインと回路の接地電位との間に設けられ、負荷回路と帰還回路を構成する抵抗R1とR2から構成される。
【0021】
上記差動MOSFETQ1のゲートには、基準電圧VLPERIが印加され、上記出力MOSFETQ6のドレインから降圧電圧VPERIが出力される。上記抵抗R1とR2で形成された分圧電圧が、上記帰還電圧として上記差動MOSFETQ2のゲートに供給される。この実施例では、上記抵抗R1とR2の抵抗値を等しく形成することにより、演算増幅回路では、上記基準電圧VLPERIと、降圧電圧VPERIの1/2に分割された帰還電圧とが等しくなるように上記出力MOSFETQ6を制御するので、上記1/2にされた基準電圧VLPERIを用いて、その2倍に電圧増幅された降圧電圧VPERIを形成することができる。このように出力電圧VLPERIに対して1/2の定電圧VLPERIを用いて差動回路を動作させるようにすることにより、差動回路を高感度領域で動作させることができる。なお、抵抗R1,R2は、前記のように2つのMOSトランジスタのダイオード接続によっても実現できる。
【0022】
動作時用の演算増幅回路では、前記のように入力回路やアドレスデコーダ等のアドレス選択回路の動作電流に見合った比較的大きな電流を効率よく形成するようにするため、同図のようにNチャンネル型MOSFETの差動MOSFETQ7とQ8、その共通ソースと回路の接地電位との間にソース−ドレイン経路が接続され、ゲートに動作制御信号φOPが供給されることによって動作時のみに動作電流を流すようにされたNチャンネル型の電流源MOSFETQ9と、上記MOSFETQ1とQ2のドレインと電源電圧VDDとの間にそれぞれダイオート形態にされたPチャンネル型MOSFETQ10とQ12が設けられる。
【0023】
上記差動MOSFETQ7とQ8のドレイン出力信号は、次の出力駆動回路を通して出力MOSFETQ16のゲートに伝えられる。上記一方の差動MOSFETQ7のドレイン電流は、上記Pチャンネル型MOSFETQ10とPチャンネル型MOSFETQ11からなる電流ミラー回路を介してダイオード形態にされたNチャンネル型MOSFETQ14に供給される。このMOSFETQ14のソースは回路の接地電位に接続される。上記MOSFETQ14には、電流ミラー形態にされたNチャンネル型MOSFETQ15が設けられる。上記他方の差動MOSFETQ8のドレイン電流は、上記Pチャンネル型MOSFETQ12とPチャンネル型MOSFETQ13からなる電流ミラー回路を介して上記MOSFETQ15のドレインに供給される。
【0024】
上記Pチャンネル型MOSFETQ13とQ15の共通接続されたドレイン電圧が駆動電圧としてPチャンネル型の出力MOSFETQ16のゲートに供給される。この構成では、上記差動MOSFETQ7とQ8のドレイン電流の差分に対応した電流によって出力MOSFETQ16のゲート容量が充放電されて駆動電圧が形成される。それ故、出力MOSFETQ16のゲートに供給される駆動電圧は、ほぼ電源電圧VDDから回路の接地電位のような大きな信号振幅となり、出力MOSFETQ16のゲートに印加される駆動電圧のダイナミックレンジが大きくなり、出力MOSFETQ16から大きな駆動電流を形成することができる。
【0025】
上記差動MOSFETQ7のゲートには、基準電圧VLPERIが印加され、上記出力MOSFETQ16のドレインから降圧電圧VPERIが出力される。この出力MOSFETQ16のドレイン側に設けられた抵抗R3とR4で形成された分圧電圧が、上記帰還電圧として上記差動MOSFETQ8のゲートに供給される。この実施例では、上記抵抗R3とR4の抵抗値を等しく形成することにより、演算増幅回路では、上記基準電圧VLPERIと、降圧電圧VPERIの1/2に分割された帰還電圧とが等しくなるように上記出力MOSFETQ16を制御するので、上記1/2にされた基準電圧VLPERIを用いて、その2倍に電圧増幅された降圧電圧VPERIを形成することができる。なお、上記抵抗R3,R4は、前記図3のように2つのMOSトランジスタQ17とQ18のようにダイオード接続によっても実現できる。
【0026】
上記のように動作時用の演算増幅回路は、前記のように大きな信号振幅で出力MOSFETQ16を駆動するので、大きな出力電流を得ることができる反面、差動回路の電流源MOSFETQ9で形成された動作電流と同じ電流が出力駆動回路に流れるので、たとえMOSFETQ5とQ9とに流れる電流が同じであっても、(A)のような演算増幅回路の2.5倍の電流が流れてしまう。このように(B)は(A)に比べて本質的に消費電流が大きい。このため、上記制御信号φOPにより上記のように対応する周辺回路の動作時に合わせて間欠的あるいは選択的に動作させられる。
【0027】
図5には、この発明が適用された半導体記憶装置の一実施例の全体のメモリチップの構成図が示されている。同図には、代表として入力回路と周辺回路に対応した降圧電源回路1〜6のように複数個と、非動作時用の降圧電源回路7とが代表として例示的に示されている。上記非動作時用の降圧電源回路(Stby)7は、上記のように1つが設けられる。
【0028】
メモリアレイ部が、同図のように4つのメモリバンク(Bank0〜3)に分けられたとき、特に制限されないが、1つのメモリバンクBank0が選択されたとき、中心部の電圧駆動回路1,2と、端部の電圧駆動回路3とが動作制御信号φOP1とφOPB0により動作状態にされて電流供給を行う。このように隣接して設けられる電圧駆動回路からの電流供給を行うことにより、電源線での電圧ロスを最小に抑えて動作電圧の安定化を図ることができる。このとき、メモリバンク1ないし3に対応して設けられる端部の電圧駆動回路4〜6は非動作状態にされることによって消費電流を低減させる。
【0029】
リフレッシュ動作時において2つのメモリバンク、例えばBank0と1とで同時にリフレッシュ動作が行われるとき、中心部の電圧駆動回路1,2と、端部の電圧駆動回路3と4とが動作制御信号φOP1とφOPB0とφOPB1とにより動作状態にされて電流供給を行う。リフレッシュ動作時において4つのメモリバンク(Bank)0〜3が同時にリフレッシュ動作が行われるときには、動作制御信号φOP1とφOPB0〜φOPB3により、全ての電圧駆動回路1〜6が動作状態にされて電流供給を行うようにされる。このような電圧駆動回路1〜6の動作と類似して、上記メモリバンクBank0〜3に対応して設けられるセンスアンプの動作電圧VDLを形成する図示しない降圧電源回路も上記の周辺回路に対応した降圧電源回路1〜6と同様に複数個が設けられて上記と同様に制御される。
【0030】
上記センスアンプに動作電圧VDLを供給する降圧電源回路も、前記図4に示した周辺回路用の降圧電源回路と同様に形成される。つまり、図4において、基準電圧(VLDL)は、上記センスアンプ用の電源電圧VDLに対応した基準電圧であり、かかる基準電圧VLDLを供給することにより、それに対応した降圧電圧VDLを形成することができる。例えば、電源電圧VDDが3.3Vであるときに、上記周辺回路用の内部降圧電圧は2.5Vにされ、上記センスアンプ用の内部降圧電圧VDLは2.0Vにされる。
【0031】
図6には、この発明に係るダイナミック型RAMの一実施例の概略レイアウト図が示されている。この実施例では、メモリアレイは、前記同様に全体として4個に分けられる。半導体チップの長手方向に沿った上下に2個、左右に2個ずつのメモリアレイが分割されて設けられ、前記同様に上記チップの長手方向に沿った中央部分にアドレス入力回路、データ入出力回路及びボンディングパッド列からなる入出力インターフェイス回路PERI等が設けられる。上記メモリアレイの上記中央側にはメインアンプMAが配置される。
【0032】
上述のように半導体チップの長手方向に沿った上下に2個と、左右に2個ずつに分けられて合計4個からなる各メモリアレイにおいて、長手方向に対して左右方向の中間部にX系プリデコーダ回路ROWPDC及び救済回路ROWRED、Y系プリデコーダ回路COLPDC及び救済回路COLREDが纏めて配置される。つまり、上記4個のメモリアレイにそれぞれ対応して、上記X系プリデコーダ回路ROWPDC及び救済回路ROWRED、Y系プリデコーダ回路COLPDC及び救済回路COLREDが上記左右2個ずつ設けられたメモリアレイに対応して2組ずつ振り分けて設けられる。
【0033】
上記メモリアレの上記中間部分に沿って前記同様にメインワードドライバ領域MWDが形成されて、それぞれのメモリアレイに対応して下、上方側に延長するように設けられたメインワード線をそれぞれが駆動するようにされる。この構成では、前記同様なザブアレイを用いた場合には、16個のサブアレイを貫通するようにメインワード線が延長される。そして、上記メモリアレイにおいて、上記チップ中央部分とは反対側のチップ周辺側にYデコーダYDCが設けられる。つまり、この実施例においては、上記中央側に配置されたメインアンプMAと周辺側に配置されたYデコーダYDCとにより上記4分割されてなる各メモリアレイがそれぞれ挟さまれるように配置されるものである。この場合には、前記のようにチップ中央部には、縦方向と横方向に延長される配線チャンネルが交差する部分が発生し、そこに安定化容量Cが形成される。また、前記のように周辺回路等の隙間にも分散して小さな容量値の安定化容量が適宜に設けられる。
【0034】
上記メモリアレイにおいて、特に制限されないが、上記チップ中央部分とは反対側のチップ周辺側にYデコーダYDCが設けられる。この実施例においては、上記中央側に配置されたメインアンプMAと周辺側に配置されたYデコーダYDCとにより上記4分割されてなる各メモリアレイが挟さまれるように配置されるものである。
【0035】
上記メモリアレイは、複数のサブアレイ15に分割される。その1つが拡大して示されているように、かかるサブアレイ15は、それを挟むように配置されたセンスアンプ領域16、サブワードドライバ領域17に囲まれて形成される。上記センスアンプアンプ領域16と、上記サブワードドライバ領域17の交差部は交差領域18とされる。上記センスアンプ領域16に設けられるセンスアンプは、シェアードセンス方式により構成され、メモリセルアレイの両端に配置されるセンスアンプを除いて、センスアンプを中心にして左右に相補ビット線が設けられ、左右いずれかのサブアレイ15の相補ビット線に選択的に接続される。
【0036】
図7には、この発明に係るダイナミック型RAMの他の一実施例の概略レイアウト図が示されている。この実施例では、特に制限されないが、メモリアレイは、全体として8個に分けられる。半導体チップの長手方向に沿った上下に4個、左右に2個ずつのメモリアレイが分割されて設けられ、上記チップの長手方向に沿った中央部分にアドレス入力回路、データ入出力回路及びボンディングパッド列からなる入出力インターフェイス回路等の周辺回路PERI等が設けられる。上記メモリアレイの上記中央側にはメインアンプMAが配置される。
【0037】
上述のように半導体チップの長手方向に沿った上下に2個ずつの4個と、左右に2個ずつに分けられて合計8個からなる各メモリアレイにおいて、長手方向に対して左右方向の中間部にX系プリデコーダ回路ROWPDC及び救済回路ROWRED、Y系プリデコーダ回路COLPDC及び救済回路COLREDが配置される。上記メモリアレの上記中間部分に沿ってメインワードドライバ領域MWDが形成されて、それぞれのメモリアレイに対応して下、上方側に延長するように設けられたメインワード線をそれぞれが駆動するようにされる。
【0038】
上記メモリアレイにおいて、特に制限されないが、上記チップ中央部分とは反対側のチップ周辺側にYデコーダYDCが設けられる。この実施例においては、上記中央側に配置されたメインアンプMAと周辺側に配置されたYデコーダYDCとにより上記8分割されてなる各メモリアレイが挟さまれるように配置される。上記各メモリアレイは、前記同様に複数のサブアレイに分割される。かかるサブアレイは、それを挟むように配置されたセンスアンプ領域、サブワードドライバ領域に囲まれて形成される。上記センスアンプアンプ領域と、上記サブワードドライバ領域の交差部は交差領域とされる。
【0039】
上述のように半導体チップの長手方向に沿って4個ずつに分けられたメモリアレイは、2個ずつ組となって配置される。このように2個ずつ組となって配置された2つのメモリアレイは、その中間部分にX系プリデコーダ回路ROWPDC及び救済回路ROWRED、Y系プリデコーダ回路COLPDC及び救済回路COLREDが配置される。つまり、上記X系プリデコーダ回路ROWPDC及び救済回路ROWRED、Y系プリデコーダ回路COLPDC及び救済回路COLREDを中心として、メモリアレイが上下に配置される。上記メインワードドライバMWDは、上記1つのメモリアレイを貫通するようにチップ長手方向に延長されるメインワード線の選択信号を形成する。また、上記メインワードドライバMWDにサブワード選択用のドライバも設けれら、後述するように上記メインワード線と平行に延長されてサブワード選択線の選択信号を形成する。
【0040】
1つのサブアレイは、図示しないが256本のサブワード線と、それと直交する256対からなる相補ビット線(又はデータ線)とにより構成される。なお、不良ワード線又は不良ビット線の救済のために予備のワード線及び予備の相補ビット線に設けられるものである。上記1つのメモリアレイにおいて、上記サブアレイがワード線の配列方向に8個設けられるから、全体としての上記サブワード線は約2K分設けられ、ビット線の配列方向に16個設けられるから、相補ビット線は全体として約4K分設けられる。このようなメモリアレイが全体で8個設けられるから、全体では8×2K×4K=64Mビットのような記憶容量を持つようにされる。これにより、相補ビット線その長さが、上記16個のサブアレイに対応して1/16の長さに分割される。サブワード線は、上記8個のサブアレイに対応して1/8の長さに分割される。
【0041】
上記1つのメモリアレイの分割されたサブアレイ毎にサブワードドライバ(サブワード線駆動回路)が設けられる。サブワードドライバは、上記のようにメインワード線に対して1/8の長さに分割され、それと平行に延長されるサブワード線の選択信号を形成する。この実施例では、メインワード線の数を減らすために、言い換えるならば、メインワード線の配線ピッチを緩やかにするために、特に制限されないが、1つのメインワード線に対して、相補ビット線方向に4本からなるサブワード線を配置させる。このようにメインワード線方向には8本に分割され、及び相補ビット線方向に対して4本ずつが割り当てられたサブワード線の中から1本のサブワード線を選択するために、メインワードドライバMWDには図示しないサブワード選択ドライバが配置される。このサブワード選択ドライバは、上記サブワードドライバの配列方向に延長される4本のサブワード選択線の中から1つを選択する選択信号を形成する。この構成は、前記図6の実施例にも同様に適用される。
【0042】
図7のようなレイアウトを採用した場合において、Yアドレスが入力されると、アドレスバッファADDBUPを通して上記メモリアレイの中間部に設けられた救済回路、プリデコーダを介してチップの周辺側に配置されたYデコーダYDCに伝えられ、ここでY選択信号が形成される。上記Y選択信号より1つのサブアレイの相補ビット線が選択されて、それと反対側のチップ中央部側のメインアンプMAに伝えられ、増幅されて図示しない出力回路を通して出力される。
【0043】
この構成は、一見すると信号がチップを引き回されて読み出し信号が出力されるまでの時間が長くなるように判断される。しかし、救済回路には、アドレス信号をそのまま入力する必要があるので、救済回路をチップ中央のいずれかに配置すると、不良アドレスであるか否かの判定結果をまってプリデコーダの出力時間が決定される。つまり、プリデコーダと救済回路とが離れていると、そこでの信号遅延が実際のY選択動作を遅らせる原因となる。
【0044】
この実施例では、メモリアレイを挟んでメインアンプMAとYデコーダYDCが両側に配置されるため、サブアレイの相補ビット線を選択するための信号伝達経路と、選択された相補ビット線から入出力線を通ってメインアンプMAの入力に至る信号伝達経路との和は、いずれの相補ビット線を選択しようともメモリアレイを横断するだけの信号伝達経路となって上記のように1往復するものの半分に短縮できるものである。これにより、メモリアクセスの高速化が可能になるものである。このことは、前記図6の実施例でも同様である。
【0045】
この実施例では、周辺回路に対応した配線チャンネルと前記冗長回路に対応した配線チャンネルとが交差する部分が2つに分散して設けられる。したがって、それぞれの交差領域に対応して前記のような安定化容量Cが2つに分散して設けられるものである。特に制限されないが、前記定常的に動作して内部降圧電圧を形成する回路も、上記分散して設けられた安定化容量に対応して2個設けるようにするものであってもよい。あるいは、上記2つの安定化容量の中心部に1個配置するものであってもよい。
【0046】
図8には、この発明に係るダイナミック型RAMのセンスアンプ部を中心にして、アドレス入力からデータ出力までの簡略化された一実施例の回路図が示されている。同図においては、2つのサブアレイ15に上下から挟まれるようにされたセンスアンプ16と交差エリア18に設けられる回路が例示的に示され、他はブロック図として示されている。また、MOSFETに付された回路記号は、前記図4と重複しているが、それぞれは別個の回路機能を持つものであると理解されたい。
【0047】
ダイナミック型メモリセルは、上記1つのサブアレイ15に設けられたサブワード線SWLと、相補ビット線BL,BLBのうちの一方のビット線BLとの間に設けられた1つが代表として例示的に示されている。ダイナミック型メモリセルは、アドレス選択MOSFETQmと記憶キャパシタCsから構成される。アドレス選択MOSFETQmのゲートは、サブワード線SWLに接続され、このMOSFETQmのドレインがビット線BLに接続され、ソースに記憶キャパシタCsが接続される。記憶キャパシタCsの他方の電極は共通化されてプレート電圧VPLTが与えられる。上記MOSFETQmの基板(チャンネル)には負のバックバイアス電圧VBBが印加される。特に制限されないが、上記バックバイアス電圧VBBは、−1Vのような電圧に設定される。上記サブワード線SWLの選択レベルは、上記ビット線のハイレベルに対して上記アドレス選択MOSFETQmのしきい値電圧分だけ高くされた高電圧VPPとされる。
【0048】
センスアンプを内部降圧電圧VDLで動作させるようにした場合、センスアンプにより増幅されてビット線に与えられるハイレベルは、上記内部電圧VDLレベルにされる。したがって、上記ワード線の選択レベルに対応した高電圧VPPはVDL+Vth+αにされる。センスアンプの左側に設けられたサブアレイの一対の相補ビット線BLとBLBは、同図に示すように平行に配置される。かかる相補ビット線BLとBLBは、シェアードスイッチMOSFETQ1とQ2によりセンスアンプの単位回路の入出力ノードと接続される。
【0049】
センスアンプの単位回路は、ゲートとドレインとが交差接続されてラッチ形態にされたNチャンネル型の増幅MOSFETQ5,Q6及びPチャンネル型の増幅MOSFETMOSFETQ7,Q8からなるCMOSラッチ回路で構成される。Nチャンネル型MOSFETQ5とQ6のソースは、共通ソース線CSNに接続される。Pチャンネル型MOSFETQ7とQ8のソースは、共通ソース線CSPに接続される。上記共通ソース線CSNとCSPには、それぞれパワースイッチMOSFETが接続される。特に制限されないが、Nチャンネル型の増幅MOSFETQ5とQ6のソースが接続された共通ソース線CSNには、上記クロスエリア18に設けられたNチャンネル型のパワースイッチMOSFETQ14により接地電位に対応した動作電圧が与えられる。
【0050】
特に制限されないが、上記Pチャンネル型の増幅MOSFETQ7とQ8のソースが接続された共通ソース線CSPには、上記クロスエリア18に設けられたオーバードライブ用のNチャンネル型のパワーMOSFETQ16と、上記内部電圧VDLを供給するNチャンネル型のパワーMOSFETQ15が設けられる。上記オーバードライブ用の電圧には、特に制限されないが、外部端子から供給される電源電圧VDDが用いられる。あるいは、センスアンプ動作速度の電源電圧VDD依存性を軽減するために、ゲートにVPPが印加され、ドレインに電源電圧VDDが供給されたNチャンネル型MOSFETのソースから上記電圧を得るものとしてわずかに降圧してもよい。
【0051】
上記Nチャンネル型のパワーMOSFETQ16のゲートに供給されるセンスアンプオーバードライブ用活性化信号SAP1は、上記Nチャンネル型MOSFETQ15のゲートに供給される活性化信号SAP2と同相の信号とされ、SAP1とSAP2は時系列的にハイレベルにされる。特に制限されないが、SAP1とSAP2のハイレベルは昇圧電圧VPPレベルの信号とされる。つまり、昇圧電圧VPPは、約3.6Vであるので、上記Nチャンネル型MOSFETQ15、16を十分にオン状態にさせることができる。MOSFETQ16がオフ状態(信号SAP1がロウレベル)の後にはMOSFETQ15のオン状態(信号SAP2がハイレベル)によりソース側から内部電圧VDLに対応した電圧を出力させることができる。
【0052】
上記センスアンプの単位回路の入出力ノードには、相補ビット線を短絡させるイコライズMOSFETQ11と、相補ビット線にハーフプリチャージ電圧VBLRを供給するスイッチMOSFETQ9とQ10からなるプリチャージ(イコライズ)回路が設けられる。これらのMOSFETQ9〜Q11のゲートは、共通にプリチャージ信号PCBが供給される。このプリチャージ信号PCBを形成するドライバ回路は、図示しないが、上記クロスエリアにインバータ回路を設けて、その立ち上がりや立ち上がりを高速にする。つまり、メモリアクセスの開始時にワード線選択タイミングに先行して、各クロスエリアに分散して設けられたインバータ回路を通して上記プリチャージ回路を構成するMOSFETQ9〜Q11を高速に切り替えるようにするものである。
【0053】
上記クロスエリア18には、IOスイッチ回路IOSW(ローカルIOとメインIOを接続するスイッチMOSFETQ19,Q20)が置かれる。さらに、図3に示した回路以外にも、必要に応じて、センスアンプのコモンソース線CSPとCSNのハーフプリチャージ回路、ローカル入出力線LIOのハーフプリチャージ回路、メイン入出力線のVDLプリチャージ回路、シェアード選択信号線SHRとSHLの分散ドライバ回路等も設けられる。
【0054】
センスアンプの単位回路は、シェアードスイッチMOSFETQ3とQ4を介して図下側のサブアレイ15の同様な相補ビット線BL,BLBに接続される。例えば、上側のサブアレイのサブワード線SWLが選択されたときには、センスアンプの上側シェアードスイッチMOSFETQ1とQ2はオン状態に、下側シェアードスイッチMOSFETQ3とQ4とがオフ状態にされる。スイッチMOSFETQ12とQ13は、カラム(Y)スイッチ回路を構成するものであり、上記選択信号YSが選択レベル(ハイレベル)にされるとオン状態となり、上記センスアンプの単位回路の入出力ノードとローカル入出力線LIO1とLIO1B、LIO2,LIO2B等とを接続させる。
【0055】
これにより、センスアンプの入出力ノードは、上記上側の相補ビット線BL,BLBに接続されて、選択されたサブワード線SWLに接続されたメモリセルの微小信号を増幅し、上記カラムスイッチ回路(Q12とQ13)を通してローカル入出力線LIO1,LIO1Bに伝える。上記ローカル入出力線LIO1,LIO1Bは、上記センスアンプ列に沿って、つまり、同図では横方向に延長される。上記ローカル入出力線LIO1,LIO1Bは、クロスエリア18に設けられたNチャンネル型MOSFETQ19とQ20からなるIOスイッチ回路を介してメインアンプ61の入力端子が接続されるメイン入出力線MIO,MIOBに接続される。上記IOスイッチ回路は、X系のアドレス信号を解読して形成された選択信号よりスイッチ制御されれる。なお、IOスイッチ回路は、上記Nチャンネル型MOSFETQ19とQ20のそれぞれにPチャンネル型MOSFETを並列に接続したCMOSスイッチ構成としてもよい。
【0056】
上記のようにカラム選択信号YSにより、2対の相補ビット線を選択する構成では、図2の実施例で2本の点線で示されたローカル入出力線LIOとメイン入出力線MIOは、上記二対の入出力線に対応するものである。シンクロナスDRAMのバーストモードでは、上記カラム選択信号YSがカウンタ動作により切り換えられ、上記ローカル入出力線LIO1,LIO1B及びLIO2,LIO2Bとサブアレイの二対ずつの相補ビット線BL,BLBとの接続が順次に切り換えられる。
【0057】
アドレス信号Aiは、アドレスバッファ51に供給される。このアドレスバッファは、時分割的に動作してXアドレス信号とYアドレス信号を取り込む。Xアドレス信号は、プリデコーダ52に供給され、メインローデコーダ11とメインワードドライバ12を介してメインワード線MWLの選択信号が形成される。上記アドレスバッファ51は、外部端子から供給されるアドレス信号Aiを受けるものであるので、外部端子から供給される電源電圧VDDにより動作させられ、上記プリデコーダは、前記の降圧電圧VPERIにより動作させられ、上記メインワードドライバ12は、昇圧電圧VPPにより動作させられる。このメインワードドライバ12として、次に説明するような上記プリデコード信号を受けるレベル変換機能付論理回路が用いられる。カラムデコーダ(ドライバ)53は、上記アドレスバフッァ51の時分割的な動作によって供給されるYアドレス信号を受けて、上記選択信号YSを形成する。
【0058】
上記メインアンプ61は、前記降圧電圧VPERIにより動作させられ、外部端子から供給される電源電圧VDDで動作させられる出力バッファ62を通して外部端子Dout から出力される。外部端子Dinから入力される書き込み信号は、入力バッファ63を通して取り込まれ、同図においてメインアンプ61に含まれるライトアンプ(ライトドライバ)を通して上記メイン入出力線MIOとMIOBに書き込み信号を供給する。上記出力バッファ62の入力部には、レベル変換回路とその出力信号を上記クロック信号に対応したタイミング信号に同期させて出力させるための論理部が設けられる。
【0059】
特に制限されないが、上記外部端子から供給される電源電圧VDDは、第1の形態では3.3Vにされ、内部回路に供給される降圧電圧VPERIは2.5Vに設定され、上記センスアンプの動作電圧VDLは2.0Vとされる。そして、ワード線の選択信号(昇圧電圧)は、3.6Vにされる。ビット線のプリチャージ電圧VBLRは、VDL/2に対応した1.0Vにされ、プレート電圧VPLTも1.0Vにされる。そして、基板電圧VBBは−1.0Vにされる。上記外部端子から供給される電源電圧VDDは、2.5Vのような低電圧にされてもよい。このように低い電源電圧VDDのときには、降圧電圧VPERIが2.0Vにされ、降圧電圧VDLが1.8V程度により低くされる。
【0060】
上記の実施例から得られる作用効果は、下記の通りである。
(1) 半導体チップにおける第1方向に延長される複数からなる第2層目の金属配線層からなる第1の配線チャンネルと、上記第1方向とは直交する第2方向に延長される複数からなる第3層目の金属配線層からなる第2の配線チャンネルと、外部端子から供給された電源電圧を受け、それと異なる電圧を形成し、安定化容量を備えた内部電源回路とを備えた半導体集積回路装置において、上記安定化容量の大半を上記第2層目と第3層目の金属配線層が交差する半導体領域上に形成されたキャパシタが占めるようにすることにより、内部電源電圧の安定化を確保しつつ、回路機能や動作性能を落とすことなく合理的な回路配置を実現することができるという効果が得られる。
【0061】
(2) 上記電源電圧と異なる電圧を降圧した電圧とし、かかる降圧電圧を、上記第2の配線チャンネルに沿って形成される内部回路の動作電圧として用いるようにすることより、半導体集積回路装置の消費電流を低減しつつ、合理的な回路配置を実現することができるという効果が得られる。
【0062】
(3) 上記半導体チップの第1方向の中央部において第2方向に複数のボンディングパッドを並べて配置し、かかるボンディングパッドに沿って上記第2の配線チャンネルを形成し、上記第2の配線チャンネルに沿ってアドレス入力回路、データ入出力回路を含む周辺回路を設け、上記半導体チップの第2方向の中央部において第1方向に上記第1の配線チャンネルを形成し、上記第1の配線チャンネルに沿って不良救済のための冗長回路を形成し、上記第1と第2の配線チャンネルにより分割された4つのエリアにメモリアレイを構成することにより、信号の流れに沿った合理的な回路配置と、上記周辺回路の動作電圧の安定化を図ることができるという効果が得られる。
【0063】
(4) 上記降圧電圧を形成する内部電源回路として、第1導電型の差動MOSFETと、上記差動MOSFETの共通化されたソースに設けられて定常的に動作電流を供給する第1の電流源と、上記差動MOSFETのドレインに設けられてアクティブ負荷回路を構成する電流ミラー形態にされた第2導電型のMOSFETからなる第1差動回路と、上記第1差動回路の出力信号がゲートに供給された第2導電型の出力MOSFETと、上記出力MOSFETのドレインに設けられて負荷回路を構成する抵抗素子とを備え、上記第1差動回路の一方の入力に上記第1内部電圧に対応された基準電圧を供給し、上記出力MOSFETのドレインから上記第1内部電圧にされた出力電圧を得るように上記第1差動回路の他方の入力に上記負荷回路で形成した負帰還電圧を供給した第1回路と、第1導電型の差動MOSFETと、上記差動MOSFETの共通化されたソースに設けられて内部回路の動作時に動作電流を流すようにされた第2の電流源と、上記差動MOSFETのそれぞれのドレインに設けられたダイオード形態の第2導電型の第1、第2MOSFETとからなる第2差動回路と、上記第1MOSFETと電流ミラー形態にされた第2導電型の第3MOSFET及び上記第2MOSFETと電流ミラー形態にされた第2導電型の第4MOSFETと、上記第3と第4MOSFETのドレインに設けられて、アクティブ負荷回路を構成する電流ミラー形態にされた第1導電型のMOSFETからなる出力駆動回路と、上記出力駆動回路の出力信号がゲートに供給された第2導電型の出力MOSFETと、上記出力MOSFETのドレインに設けられ、負荷回路を構成する抵抗素子とを備え、上記第2差動回路の一方の入力に上記第1内部電圧に対応された基準電圧を供給し、上記出力MOSFETのドレインから上記第1内部電圧にされた出力電圧を得るように上記第2差動回路の他方の入力に上記負荷回路で形成した負帰還電圧を供給する第2回路とを用いることにより、効率のよい降圧電圧動作を行わせることができるという効果が得られる。
【0064】
(5)上記第1回路を、内部回路が何も動作をしないスタンバイ時の電流に対応した電流を供給するよう設定し、かつ、上記第2層目と第3層目の金属配線層が交差する半導体領域上に形成されたキャパシタに隣接して設け、上記第2回路を、上記内部回路が動作を行う時の電流に対応した電流を供給するよう設定され、かつ、上記周辺回路に対応して複数個を設けるようにすることにより、半導体集積回路の動作に対応した合理的な電流供給を行うようにすることができるという効果が得られる。
【0065】
(6)上記第2回路には、上記周辺回路の隙間に形成された上記第2層目と第3層目の金属配線層が交差する半導体領域上に形成されたキャパシタに比べて小さな容量値にされたキャパシタが適宜を接続することにより、降圧電圧の安定化と合理的な回路レイアウトを実現することができるという効果が得られる。
【0066】
(7) 四角形の領域内に形成され、その第1辺を横切る線に沿って延びる第1領域と、上記第1辺の辺である第2辺を横切る線に沿って延びる第2領域を備え、メモリアレイと周辺回路を含む半導体集積回路装置において、上記第1領域と第2領域とを上記周辺回路を形成してそこに外部電源電圧を受けて内部電源電圧を出力する電源回路を設け、その出力部に設けられる上記安定化容量の容量値の半分以上を形成する容量を上記第1領域と第2領域とが交差する領域に設けることにより、内部電源電圧の安定化を確保しつつ、回路機能や動作性能を落とすことなく合理的な回路配置を実現することができるという効果が得られる。
【0067】
(8) 上記電源回路として上記外部電源電圧を降圧して上記内部電源電圧を出力する降圧回路とすることにより、上記のように内部電源電圧の安定化を確保しつつ、回路機能や動作性能を落とすことなく合理的な回路配置に合わせて低消費電力化を図ることができるという効果が得られる。
【0068】
以上本発明者よりなされた発明を実施例に基づき具体的に説明したが、本願発明は前記実施例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能であることはいうまでもない。例えば、上記図6又は図7に示したダイナミック型RAMにおいてメモリアレイ、サブアレイ及びサブワードドライバの構成は、種々の実施形態を採ることができるし、ダイナミック型RAMの入出力インターフェイスは、シンクロナス仕様やランバス仕様等に適合したもの等種々の実施形態を採ることができるものである。ワード線は、前記のような階層ワード線方式の他にワードシャント方式を採るものであってもよい。
【0069】
この発明に係る半導体集積回路装置は、前記のような前記のようなダイナミック型RAMの他、スタティック型RAM等のような他の半導体記憶装置、あるいは交差した配線チャンネルを持ち、しかも内部で形成された電圧で動作する内部回路を備えた1チップマイクロコンピュータ等のような各種の半導体集積回路装置に広く利用できる。内部電圧は、前記のように降圧した電圧の他に、前記ダイナミック型RAMのワード線の昇圧回路等のように昇圧して形成された電圧であってよい。
【0070】
【発明の効果】
本願において開示される発明のうち代表的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下記の通りである。すなわち、半導体チップにおける第1方向に延長される複数からなる第2層目の金属配線層からなる第1の配線チャンネルと、上記第1方向とは直交する第2方向に延長される複数からなる第3層目の金属配線層からなる第2の配線チャンネルと、外部端子から供給された電源電圧を受け、それと異なる電圧を形成し、安定化容量を備えた内部電源回路とを備えた半導体集積回路装置において、上記安定化容量の大半を上記第2層目と第3層目の金属配線層が交差する半導体領域上に形成されたキャパシタが占めるようにすることにより、内部電源電圧の安定化を確保しつつ、回路機能や動作性能を落とすことなく合理的な回路配置を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】この発明が適用されるダイナミック型RAMの一実施例を示す概略構成図である。
【図2】図1に示した半導体チップの中央部に設けられる安定化容量の一実施例を示す構成図である。
【図3】この発明に係る降圧電源回路の一実施例を示す概略回路図である。
【図4】図3に示した降圧電源回路を構成する演算増幅回路の一実施例を示す回路図である。
【図5】この発明が適用された半導体記憶装置の一実施例を示す全体のメモリチップの構成図である。
【図6】この発明に係るダイナミック型RAMの一実施例を示す概略レイアウト図である。
【図7】この発明に係るダイナミック型RAMの他の一実施例を示す概略レイアウト図である。
【図8】この発明に係るダイナミック型RAMのセンスアンプ部を中心にして、アドレス入力からデータ出力までの簡略化された一実施例を示す回路図である。
【符号の説明】
OP…演算回路(差動増幅回路)、1〜7…降圧電源回路、
YDC…Yデコーダ、MA…メインアンプ、COLRED…Y系救済回路、COLPDC…Y系プリデコーダ、ROWRED…X系救済回路、ROWPDC…X系プリデコーダ、SA…センスアンプ、SWD…サブワードドライバ、MWD…メインワードドライバ、
11,12…デコーダ,メインワードドライバ、15…サブアレイ、16…センスアンプ、17…サブワードドライバ、18…クロスエリア、51…アドレスバッファ、52…プリデコーダ、53…デコーダ、61…メインアンプ、62…出力バッファ、63…入力バッファ、
Q1〜Q20…MOSFET。

Claims (19)

  1. 半導体基板上に第1方向に延在する複数の第1配線を有する第1配線チャンネルと、
    前記半導体基板上に前記第1方向と交差する第2方向に延在する複数の第2配線を有する第2配線チャンネルと、
    内部電源電圧を形成するための電源供給回路と、
    前記内部電源電圧を安定させるために前記電源供給回路に接続される複数のキャパシタと、
    を具備し、
    前記第1配線チャンネルと前記第2配線チャンネルは、異なる配線層に形成され、
    前記複数のキャパシタの全容量値の半分以上は、前記第1配線チャンネルと前記第2配線チャンネルの交差領域に設けられることを特徴とする半導体集積回路装置。
  2. 請求項1において、
    前記電源供給回路は、前記内部電源電圧を供給するために外部電源電圧を降圧する降圧回路であることを特徴とする半導体集積回路装置。
  3. 半導体基板上に形成される第1配線層と、
    前記半導体基板上に形成され、前記第1配線層に重なる第2配線層と、
    前記半導体基板上に形成され、前記第2配線層に重なる第3配線層と、
    前記第2配線層に配置され、第1方向に延在する複数の第1配線を有する第1配線領域と、
    前記第3配線層に配置され、前記第1方向と交差する第2方向に延在する複数の第2配線を有する第2配線領域と、
    内部電源電圧を供給するために設けられる電源供給回路と、
    前記内部電源電圧を安定させるために前記電源供給回路の出力ノードに接続される複数のキャパシタと、
    を具備し、
    前記複数のキャパシタの全容量値の半分以上は、前記第1配線領域と前記第2配線領域が交差する領域に形成されることを特徴とする半導体集積回路装置。
  4. 請求項3において、
    前記複数のキャパシタの夫々の一つの電極は、前記半導体基板に形成された拡散層であることを特徴とする半導体集積回路装置。
  5. 請求項4において、
    前記複数のキャパシタの夫々の他の一つの電極は、前記半導体基板に形成された前記拡散層を有するMOSFETのゲート電極であることを特徴とする半導体集積回路装置。
  6. 第1方向に延長される複数の第1の配線チャンネルを含む第2層目の金属配線層と、
    前記第1方向とは直交する第2方向に延長される複数の第2の配線チャンネルを含む第3層目の金属配線層と、
    外部端子から供給された電源電圧を受け、前記電源電圧とは異なる第1内部電圧を形成し、前記第1内部電圧を出力ノードから出力する内部電源回路と、
    を具備し、
    前記内部電源回路は、前記出力ノードに安定化容量が接続され、前記安定化容量の容量値の半分以上を前記第2層目の金属配線層と前記第3層目の金属配線層が交差する半導体領域上に形成されたキャパシタが占めるようにしてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
  7. 請求項において、
    前記第1内部電圧は、降圧した電圧であり、前記降圧した電圧は、前記第2の配線チャンネルに沿って形成される内部回路の動作電圧として用いられるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。
  8. 請求項において、
    半導体基板の前記第1方向の中央部において前記第2方向に複数のボンディングパッドが並べて配置され、前記複数のボンディングパッドに沿って前記第2の配線チャンネルが形成され、
    前記第2の配線チャンネルに沿ってアドレス入力回路、データ入出力回路を含む周辺回路が設けられ、
    前記半導体基板の前記第2方向の中央部において前記第1方向に前記第1の配線チャンネルが形成され、
    前記第1の配線チャンネルに沿って不良救済のための冗長回路が形成され、
    前記第1及び第2の配線チャンネルにより分割された4つのエリアにメモリアレイが構成されてなることを特徴とする半導体集積回路装置。
  9. 請求項において、
    前記降圧電圧を形成する内部電源回路は、第1回路と第2回路とからなり、
    前記第1回路は、
    第1導電型の差動MOSFETと、前記差動MOSFETの共通化されたソースに設けられて定常的に動作電流を供給する第1の電流源と、前記差動MOSFETのドレインに設けられてアクティブ負荷回路を構成する電流ミラー形態にされた第2導電型のMOSFETからなる第1差動回路と、
    前記第1差動回路の出力信号がゲートに供給された第2導電型の出力MOSFETと、
    前記出力MOSFETのドレインに設けられ、負荷回路を構成する抵抗素子と、
    を備え、前記第1差動回路の一方の入力に前記第1内部電圧に対応された基準電圧が供給され、前記出力MOSFETのドレインから前記第1内部電圧にされた出力電圧を得るように前記第1差動回路の他方の入力に前記負荷回路で形成した負帰還電圧が供給され、
    前記第2回路は、
    第1導電型の差動MOSFETと、前記差動MOSFETの共通化されたソースに設けられて内部回路の動作時に動作電流を流すようにされた第2の電流源と、前記差動MOSFETのそれぞれのドレインに設けられたダイオード形態の第2導電型の第1、第2MOSFETとからなる第2差動回路と、
    前記第1MOSFETと電流ミラー形態にされた第2導電型の第3MOSFET及び前記第2MOSFETと電流ミラー形態にされた第2導電型の第4MOSFETと、前記第3と第4MOSFETのドレインに設けられて、アクティブ負荷回路を構成する電流ミラー形態にされた第1導電型のMOSFETからなる出力駆動回路と、
    前記出力駆動回路の出力信号がゲートに供給された第2導電型の出力MOSFETと、
    前記出力MOSFETのドレインに設けられ、負荷回路を構成する抵抗素子と、
    を備え、前記第2差動回路の一方の入力に前記第1内部電圧に対応された基準電圧が供給され、前記出力MOSFETのドレインから前記第1内部電圧にされた出力電圧を得るように前記第2差動回路の他方の入力に前記負荷回路で形成した負帰還電圧が供給される、ことを特徴とする半導体集積回路装置。
  10. 請求項において、
    前記第1回路は、内部回路のスタンバイ時の電流に対応した電流を供給するよう設定され、かつ、前記第2層目の金属配線層と前記第3層目の金属配線層が交差する半導体領域上に形成されたキャパシタに隣接して設けられ、
    前記第2回路は、前記内部回路が動作を行う時の電流に対応した電流を供給するよう設定され、かつ、前記周辺回路に対応して複数個が設けられるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。
  11. 請求項10において、
    前記第2回路には、前記周辺回路の隙間に形成された前記第2層目の金属配線層と前記第3層目の金属配線層が交差する半導体領域上に形成されたキャパシタに比べて小さな容量値にされたキャパシタが接続されるものであることを特徴とする半導体集積回路装置。
  12. 四角形の領域内に形成された半導体集積回路装置であって、前記半導体集積回路装置の第1辺を横切る線に沿って延びる第1領域と、前記第1辺の隣辺である第2辺を横切る線に沿って延びる第2領域を備え、
    前記半導体集積回路装置はメモリアレイと周辺回路を含み、
    前記第1領域及び前記第2領域は、前記周辺回路を形成するために設けられ、
    前記周辺回路は外部電源電圧を受けて内部電源電圧を出力する電源回路を有し、
    前記電源回路の出力部に安定化容量が接続され、
    前記安定化容量の容量値の半分以上を形成する容量が前記第1領域と前記第2領域とが交差する領域に設けられることを特徴とする半導体集積回路装置。
  13. 請求項12において、
    前記電源回路は前記外部電源電圧を降圧して前記内部電源電圧を出力する降圧回路であることを特徴とする半導体集積回路装置。
  14. 請求項13において、
    前記メモリアレイはセンスアンプを含み、
    前記周辺回路はメインアンプを含み、
    前記内部電源電圧は前記メインアンプの電源電圧とされることを特徴とする半導体集積回路装置。
  15. 請求項14において、
    前記メモリアレイはダイナミック型メモリセルを含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
  16. 半導体基板の第1方向に延びる長辺を有する四角形の第1領域と、
    前記第1方向と交差する第2方向に延びる長辺を有し、前記第1領域と交差する四角形の第2領域と、
    前記第1領域と前記第2領域で区切られる第3、第4、第5及び第6領域と有する半導体集積回路装置であって、
    前記第1領域の長辺は、前記第2領域の長辺より短く、
    前記第3、第4、第5及び第6領域は、複数のメモリセルを有し、
    前記第2領域のうち前記第1領域と交差しない領域は、外部電源電圧を受け、内部電源電圧を形成する第1内部電源回路と、前記第1内部電源回路の出力ノードに接続される第1キャパシタとを含み、
    前記第1領域と前記第2領域とが交差する領域は、前記第1内部電源回路の出力ノードに接続される第2キャパシタを含み、
    前記第2キャパシタの容量値は、前記第1キャパシタの容量値より大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
  17. 請求項16において、
    前記第2領域のうち前記第1領域と交差しない領域は、前記内部電源電圧を形成する第2内部電源回路を更に有し、
    前記第2内部電源回路から前記第2キャパシタまでの距離は、前記第1内部電源回路から前記第2キャパシタまでの距離より短く、
    前記1内部電源回路の出力電流は、前記第2内部電源回路の出力電流より大きいことを特徴とする半導体集積回路装置。
  18. 請求項17において、
    前記第1領域は、前記複数のメモリセルに欠陥がある場合に、他のメモリセルと置き換えるための冗長回路を含むことを特徴とする半導体集積回路装置。
  19. 請求項18において、
    前記第1領域は、前記第1方向に延在する複数の第1配線が設けられる第1配線層を有し、
    前記第2領域は、前記第2方向に延在する複数の第2配線が設けられる第2配線層を有し、
    前記複数の第1配線は、前記冗長回路に用いる信号を伝達し、
    前記複数の第2配線は、前記第2領域に設けられる複数の回路に用いる信号を伝達することを特徴とする半導体集積回路装置。
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