JP4048634B2 - 非直線抵抗体の製造方法 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、酸化亜鉛を主成分とし、主に避雷器に組み込まれる非直線抵抗体の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
非直線抵抗体(電圧非直線抵抗体)には、酸化亜鉛(ZnO)を主成分とするものが多く、その添加物成分(添加物スラリー)として酸化ビスマス,酸化アンチモン,酸化コバルト,酸化マンガン,酸化クロム,酸化ニッケル,酸化ケイ素等の複数個の金属酸化物を添加し、非直線性が高く熱損失の小さい組成配合からなっている。
【0003】
通常、前記添加物スラリーをボールミル等で湿式予備粉砕した後、有機バインダー(結合剤)および酸化亜鉛と十分混合して混合物(原料スラリー)を得、その原料スラリーをスプレードライヤーにより噴霧乾燥して流動性の良好な造粒粉を得る。なお、前記有機バインダーには水系の有機バインダー、例えばポリビニルアルコール(PVA)が用いられている。前記造粒粉を金型プレスにより例えば円盤状の成形体に成形し、この成形体を脱脂する。
【0004】
前記成形体の外周面には絶縁材を塗布し1000〜1300℃の温度で焼成して、外周面に高抵抗層(絶縁層)を形成した焼成体を得る。その焼成体の両端面を平面研削した後、その平面研削した両端面にアルミニウムから成る電極材料を溶射して非直線抵抗体を完成させる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
前記高抵抗層は、ZnO,Bi23,Sb23,SiO2等の金属酸化物に対して所定の配合で有機バインダーと有機溶剤とを混合してペースト状の絶縁材を得、脱脂する前の成形体,脱脂した後の成形体,または焼成体の所定の部分に前記絶縁材をローラー塗布し焼き付け処理して形成されている。
【0006】
しかし、以上示したように高抵抗層を形成する場合、成形体(または焼成体)の収縮時に熱膨張係数が異なることから、その成形体と高抵抗層との密着性が低くなってしまう。そのため、非直線抵抗体の放電耐量を低下させてしまう。また、脱脂した後の成形体の場合、バインダー成分が除去されていても焼結されていないため、非常に脆弱な状態の成形体に対して高抵抗層を形成することになり、その成形体の破壊(欠け)が起こりやすくなってしまう。
【0007】
本発明は、前記課題に基づいて成されたものであり、成形体(仮焼体)と高抵抗層との密着性を向上させると共に成形体が欠けることを低減し、非直線抵抗体の電気的特性を良好にすると共に製造コストを低減した非直線抵抗体の製造方法を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は前記課題を解決するために、非直線抵抗体の製造方法における第1発明は、あらかじめZnO,Bi23,Sb23,SiO2をボールミル等により粉砕・混合して混合物スラリーを得、その混合物スラリーをスプレードライヤー等により瞬時に乾燥すると共にロータリーキルン等により均一に焙焼して原料偏析の無い絶縁粉体を形成した後、その絶縁粉体と有機バインダーとを混練して第1絶縁材を形成する。
【0009】
一方、複数個の金属酸化物を粉砕・混合して得た添加物スラリーと、有機バインダーと、酸化亜鉛とを混合して原料スラリーを形成し、その原料スラリーを脱泡および乾燥して得た造粒粉を円盤状の成形体(直径32mm,厚さ30mm)に成形した後、その成形体を仮焼することにより脱脂および仮焼結して仮焼体を形成する。
【0010】
その後、前記仮焼体の外周面に前記第1絶縁材を塗布した後、焼成して外周面に高抵抗層が形成された焼成体を得、前記焼成体の高抵抗層の表面に対して第2絶縁材を塗布し熱処理して焼き付けた後、前記焼成体の両端面に対して電極を設けて構成する
【0011】
そして、前記絶縁粉体は、粉砕用の羽根車が複数個内蔵されたロータリーキルン内に前記混合物スラリーを所定量供給し、前記羽根車により粉砕すると同時に、前記ロータリーキルン内のヒーターにより乾燥および焙焼して得たことを特徴とする。
【0012】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図面に基づいて説明する。本発明の実施の形態では、高抵抗層を形成する方法を改良(第1〜4実施例)して、成形体(仮焼体)と高抵抗層との密着性を向上させると共に成形体が欠けることを低減し、非直線抵抗体の電気的特性を良好にすると共に製造コストを低減することを検討したものである。
【0013】
図1は、本発明の実施の形態における非直線抵抗体の製造工程図を示すものである。図1において、ステップS1は造粒粉形成工程を示すものであり、この工程では、まず非直線抵抗体の主原料である酸化亜鉛,所定量の添加物スラリー,有機バインダーを混合して原料スラリーを得、その原料スラリーを脱泡した後、スプレードライヤーにより噴霧乾燥して造粒粉を得る。
【0014】
前記造粒粉はステップS2に示す成形工程に送られ、その造粒粉を金型プレスにより直径32mm,厚さ30mm(φ32−t30)の円盤状の成形体に成形する。その後、ステップS3に示す仮焼工程にて、前記成形体を800〜1100°Cの温度で仮焼することにより、前記成形体の脱脂および仮焼結して仮焼体を得る。
【0015】
ステップS4は第1絶縁材塗布工程を示すものであり、この工程では予めZnO,Bi23,Sb23,SiO2を十分に粉砕・混合して混合物スラリーを形成し、その混合物スラリーを乾燥し800〜1100°Cの温度で焙焼して絶縁粉体を得た後、その絶縁粉体と有機バインダーとを混練して得られたペースト状の第1絶縁材(詳細を第1〜4実施例に基づいて後述する)を、前記仮焼体の所望の部分(仮焼体の外周面)に対して塗布する。
【0016】
その後、ステップS5に示す焼成工程にて前記仮焼体を1000〜1300°Cの温度で焼成することにより、外周面に高抵抗層が形成された焼成体を得る。ステップS6は第2絶縁材塗布工程を示すものであり、この工程では予めガラス粉末を有機バインダーと有機溶剤とによりペースト状にして第2絶縁材を得、その第2絶縁材を前記焼成体の高抵抗層表面に塗布する。
【0017】
ステップS7は熱処理工程を示すものであり、前記焼成体に塗布された第2絶縁材を空気中で熱処理することにより、高抵抗層表面にガラス層が形成された焼成体を得る。前記焼成体はステップS8に示す電極材料溶射工程に送られ、前記焼成体の両端面を平滑に研磨し、その研磨された表面に対してアルミニウムの電極材料を溶射して非直線抵抗体を完成させる。
【0018】
次に、図1のステップS4の第1絶縁材塗布工程にて用いられる第1絶縁材において、第1〜4実施例に基づいて詳細に説明する。
【0019】
(第1実施例)
第1実施例において、まず粉砕メディアが充填されたボールミルにより、ZnO,Bi23,Sb23,SiO2を十分に粉砕・混合して混合物スラリーを得る。その後、前記混合物スラリーをSUS製バットに充填し、その混合物スラリーが充填されたSUS製バットを恒温槽で乾燥して乾燥粉体を得る。そして、前記乾燥粉体を前記SUS製バットからサヤに入れ替え、ガス炉により800〜1100°Cの温度で焙焼して絶縁粉体を得た後、その絶縁粉体と有機バインダーとを前記ボールミルにより混練してペースト状の第1絶縁材(以下、絶縁材S1と称する)を形成する。
【0020】
(第2実施例)
第2実施例において、まず前記第1実施例に示す混合物スラリーをスラリードライヤーにより瞬間的に乾燥させて乾燥粉体を得、その乾燥粉体をロータリーキルン内に供給し800〜1100°Cの温度で焙焼して絶縁粉体を得る。そして、前記絶縁粉体と有機バインダーとを前記ボールミルにより混練してペースト状の第1絶縁材(以下、絶縁材S2と称する)を形成する。
【0021】
(第3実施例)
第3実施例において、前記第1実施例に示す混合物スラリーをロータリーキルン(第4実施例に示す粉砕用の羽根車は未装着)に対して直接供給し、そのロータリーキルンにて前記混合物スラリーを乾燥および焙焼して絶縁粉体を得る。そして、前記絶縁粉体と有機バインダーとを前記ボールミルにより混練してペースト状の第1絶縁材(以下、絶縁材S3と称する)を形成する。
【0022】
(第4実施例)
第4実施例において、図2A,Bに示すように粉砕用の羽根車を装着したロータリーキルン(詳細を後述する)を用い、前記第3実施例と同様に前記混合物スラリーを乾燥および焙焼して絶縁粉体を得、その絶縁粉体と有機バインダーとを前記ボールミルにより混練してペースト状の第1絶縁材(以下、絶縁材S4と称する)を形成する。
【0023】
なお、前記第1〜4実施例ではボールミルに粉砕メディアを充填したが、その粉砕メディアにはY23部分安定化ジルコニアを用いることが好ましい。また、有機バインダーには、ブチルカルビトール,酢酸nブチル等にエチルセルロースを溶解し2〜50poiseに調整されたものを用いた。
【0024】
図2A(概略構成図),B(斜視図)は、前記第4実施例におけるロータリーキルンの説明図を示すものである。図2Aにおいて、符号21はロータリーキルン、符号22は混合物スラリー22aが充填された容器を示すものである。前記ロータリーキルン21内にはスクリューフィーダ部23,駆動装置24,炉芯管25が内蔵され、前記駆動装置24には回転軸24aが設けられている。前記駆動装置24により、前記回転軸24aを介して、前記スクリューフィーダ部23のスクリュー23aおよび後述する羽根車26が前記回転軸24aの周方向に回転する。
【0025】
符号26は、前記炉芯管25内に複数個内蔵される粉砕用の羽根車を示すものであり、図2Bの斜視図に示すように羽根車26の軸方向に穿設された孔26aの周方向に対して3個の羽根26bがそれぞれ等間隔に設けられている。なお、本発明の羽根車26には複数個の羽根26bが設けられ、図2bに示すように3個に限定されるものではない。前記の各羽根車26は、各孔26aを介して前記回転軸24aに連結される。符号27はヒータを示すものであり、前記炉芯管25の外周側に複数個設けられる。
【0026】
次に、図2Aに示すロータリキルンの動作を説明する。まず、容器22に充填された混合物スラリー22aを、調整弁22b,ポンプ22cを介して、ロータリーキルン21の供給口21aからスクリューフィーダ部23内に供給する。その供給された混合物スラリー22aを、駆動装置24によって回転するスクリュー23aにより炉芯管24内に搬送する。そして、前記炉芯管25内において、前記駆動装置24により羽根車26を周方向に回転させると共にヒータ27により加熱することにより、前記混合物スラリー22aを粉砕しながら乾燥および焙焼して、微細な絶縁粉体28を得ることができる。
【0027】
図2A,Bに示したように構成するロータリーキルンを用いることにより、得られる絶縁粉体が塊状になることを防ぎ、その絶縁粉体の原料偏析を皆無にすることができると共に、混合物スラリーの乾燥と焙焼とを同時に行うことができる。
【0028】
次に、前記第1〜4実施例により得られた絶縁材S1〜S4を用い、図1に示す製造工程を経て非直線抵抗体の試料を各絶縁材S1〜S4につき10個それぞれ作製し、それら試料において4/10μs放電耐量試験および剥離発生試験をそれぞれ行った。前記の各試験結果を下記表1に示した。
【0029】
なお、前記絶縁材S1〜S4を用いて成る非直線抵抗体との比較例(従来法)として、前記混合物スラリーを恒温槽で乾燥させて得た未焙焼の第1絶縁材(以下、絶縁材Sαと称する)を脱脂前の成形体(または脱脂後の成形体)の外周面に塗布し焼成して成る非直線抵抗体の試料10個と、前記混合物スラリーを乾燥および焙焼させて得た第1絶縁材(以下、絶縁材Sβと称する)を脱脂前の成形体(または脱脂後の成形体)に塗布し焼成して成る非直線抵抗体の試料10個とを用いた。また、下記表1中の放電耐量試験結果において、10個の試料のうち何れも破壊しなかった場合は○印、10個の試料のうち1個でも破壊してしまった場合を×印で示した。
【0030】
【表1】
Figure 0004048634
【0031】
前記表1に示すように、成形体に未焙焼の絶縁材Sαを塗布した試料の場合、放電耐量が低く、前記絶縁材Sαを塗布する際に成形体が破壊してしまい、歩留まりが低くなってしまった。また、成形体に絶縁材Sβを塗布した試料の場合には、収縮時において成形体と高抵抗層との収縮率が一致しないため、成形体から高抵抗層が剥離してしまい、放電耐量が低くなってしまった。
【0032】
一方、第1実施例によりバッチ炉で焙焼した絶縁材S1を仮焼体に塗布して成る試料は、仮焼体と高抵抗層との収縮率に差がないため、仮焼体から高抵抗層が剥離することはなく放電耐量が向上したことを確認できた。第2実施例により混合物スラリーをスラリードライヤーにより乾燥しロータリーキルンにより焙焼した絶縁材S2を仮焼体に塗布した試料の場合には、前記絶縁材S1を用いた試料と同様の理由により、放電耐量が向上したことを確認できた。絶縁材S1を用いた試料と比較して絶縁材S2を用いた試料の放電耐量が高いことが読み取れるが、この理由として、絶縁材S2における混合物スラリーの乾燥および焙焼方式により、絶縁粉体の原料偏析が起こらなかったためと思われる。
【0033】
第3実施例により粉砕用の羽根車が装備されていないロータリーキルンを用いて得た絶縁材S3を塗布した試料の場合、前記絶縁材Sα,Sβを用いた試料と同様の放電耐量が得られたが、ロータリーキルンにより得られた絶縁粉体が塊状になってしまったため、その塊状の絶縁粉体を粉砕する工程が必要となると共に、その絶縁粉体において原料偏析が見られた。第4実施例により粉砕用の羽根車を備えたロータリーキルンを用いて得た絶縁材S4を塗布した試料の場合には、絶縁粉体が微細で原料偏析が皆無であるため、前記絶縁材Sα,Sβを用いた試料と比較して、放電耐量が飛躍的に向上したことを確認できた。
【0034】
【発明の効果】
以上示した本発明によれば、成形体を仮焼して脱脂および仮焼結された仮焼体を形成した後、あらかじめ粉砕・混合された混合スラリーをバットで乾燥しバッチ炉で焙焼した第1絶縁材を前記仮焼体の外周面に塗布し、その仮焼体を焼成工程にて焼成して外周面に高抵抗層が形成された焼成体を得ることにより、仮焼体と高抵抗層との密着性を向上し、その高抵抗層の剥離等の不良を減少すると共に、第1絶縁材塗布中に仮焼体が欠けることを低減することができる。
【0035】
また、前記混合スラリーをスラリードライヤ等により乾燥した後、ロータリーキルン等により焙焼することにより、絶縁粉体の原料偏析が低減し、高抵抗層の絶縁性および放電耐量を向上させることができる。さらに、粉砕用の羽根車を備えたロータリーキルンを用いて、混合物スラリーを粉砕すると共に乾燥および焙焼することにより、絶縁粉体の原料偏析を低減すると共に製造工数を低減することができる。
【0036】
ゆえに、非直線抵抗体の製造コストを低減することができると共に、電気的特性および機械的強度を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態における非直線抵抗体の製造工程図。
【図2】本発明の実施の形態におけるロータリーキルンの概略構成図。
【符号の説明】
S1…造粒粉形成工程
S2…成形工程
S3…仮焼工程
S4…第1絶縁材塗布工程
S5…焼成工程
S6…第2絶縁材塗布工程
S7…熱処理工程
S8…電極材料溶射工程
21…ロータリーキルン
22…容器
23…スクリューフィーダ部
24…駆動装置
25…炉芯管
26…羽根車
27…ヒータ
28…絶縁粉体

Claims (1)

  1. ZnO,Bi23,Sb23,SiO2を粉砕・混合して混合物スラリーを得、その混合物スラリーを瞬時に乾燥すると共に均一に焙焼して原料偏析の無い絶縁粉体を形成した後、その絶縁粉体と有機バインダーとを混練して第1絶縁材を得、
    複数個の金属酸化物を粉砕・混合して得た添加物成分と、有機バインダーと、酸化亜鉛とを混合して原料スラリーを形成し、その原料スラリーを脱泡および乾燥して得た造粒粉を円盤状の成形体に成形した後、その成形体を仮焼することにより脱脂および仮焼結して仮焼体を形成し、
    前記仮焼体の外周面に前記第1絶縁材を塗布した後、焼成して外周面に高抵抗層が形成された焼成体を得、前記焼成体の高抵抗層の表面に対して第2絶縁材を塗布し熱処理して焼き付けた後、前記焼成体の両端面に対して電極を設けて構成するものであって、
    前記絶縁粉体は、粉砕用の羽根車が複数個内蔵されたロータリーキルン内に前記混合物スラリーを供給し、前記羽根車により粉砕すると同時に乾燥および焙焼して得ることを特徴とする非直線抵抗体の製造方法。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57128904A (en) * 1981-02-03 1982-08-10 Mitsubishi Electric Corp Method of forming protective film layer for nonlinear resistor
JPS57148304A (en) * 1981-03-09 1982-09-13 Tokyo Shibaura Electric Co Method of producing metal oxide nonlinear resistor
JPS5916304A (ja) * 1982-07-20 1984-01-27 株式会社東芝 非直線抵抗体
JPS5961002A (ja) * 1982-09-30 1984-04-07 株式会社東芝 金属酸化物非直線抵抗体の製造方法
JPS5967604A (ja) * 1982-10-12 1984-04-17 株式会社東芝 金属酸化物非直線抵抗体の製造方法
JPH01232701A (ja) * 1988-03-14 1989-09-18 Nippon Denso Co Ltd 正特性半導体磁器の製造方法
JP2735320B2 (ja) * 1989-11-16 1998-04-02 株式会社東芝 非直線抵抗体
JPH04338602A (ja) * 1991-05-16 1992-11-25 Meidensha Corp 酸化亜鉛非直線抵抗体の製造方法
JPH0582315A (ja) * 1991-09-19 1993-04-02 Meidensha Corp 非直線抵抗体の製造方法
JPH05144612A (ja) * 1991-11-21 1993-06-11 Meidensha Corp 非直線抵抗体の製造方法
JP3256570B2 (ja) * 1992-02-18 2002-02-12 財団法人生産開発科学研究所 導電性物質の製造法
JPH06349607A (ja) * 1993-06-04 1994-12-22 Meidensha Corp 電圧非直線抵抗体の製造方法
JPH07130506A (ja) * 1993-11-04 1995-05-19 Meidensha Corp 電圧非直線抵抗体の製造方法
JPH08172002A (ja) * 1994-12-16 1996-07-02 Meidensha Corp 電圧非直線型抵抗体の製造方法
JPH0997706A (ja) * 1995-09-29 1997-04-08 Meidensha Corp 非直線抵抗体の製造方法
JP3728881B2 (ja) * 1997-07-29 2005-12-21 株式会社明電舎 非直線抵抗体の製造方法
JPH1197221A (ja) * 1997-09-24 1999-04-09 Mitsubishi Electric Corp 非直線性抵抗体の側面絶縁層の形成方法

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