JPH08172002A - 電圧非直線型抵抗体の製造方法 - Google Patents
電圧非直線型抵抗体の製造方法Info
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- JPH08172002A JPH08172002A JP6312815A JP31281594A JPH08172002A JP H08172002 A JPH08172002 A JP H08172002A JP 6312815 A JP6312815 A JP 6312815A JP 31281594 A JP31281594 A JP 31281594A JP H08172002 A JPH08172002 A JP H08172002A
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- epoxy resin
- oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ＺｎＯ素子の製造工程中で素子側面に塗布す
る側面絶縁剤の構成に改良を加えたことにより、沿面絶
縁耐力を向上させることを目的とする。 【構成】 ＺｎＯ素子の側面絶縁材として、セラミック
ス系絶縁材料２を塗布し、熱処理後にセラミック・ファ
イバーを含有するエポキシ樹脂系絶縁材料３を塗布して
硬化処理を行うことによって２層構造として形成する。
上記セラミックス系絶縁材料２として、ＺｎＯ，ＢｉＯ
3，Ｓｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2を用いており、セラミック・ファ
イバーとして、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2
及びＦｅ2Ｏ3のうち少なくとも１種類を採用する。エポ
キシ樹脂としてビスフェノール系液状エポキシ樹脂を採
用し、セラミック・ファイバーのビスフェノール系液状
エポキシ樹脂に対する成分比を０〜７５（重量％）とす
る。
る側面絶縁剤の構成に改良を加えたことにより、沿面絶
縁耐力を向上させることを目的とする。 【構成】 ＺｎＯ素子の側面絶縁材として、セラミック
ス系絶縁材料２を塗布し、熱処理後にセラミック・ファ
イバーを含有するエポキシ樹脂系絶縁材料３を塗布して
硬化処理を行うことによって２層構造として形成する。
上記セラミックス系絶縁材料２として、ＺｎＯ，ＢｉＯ
3，Ｓｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2を用いており、セラミック・ファ
イバーとして、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2
及びＦｅ2Ｏ3のうち少なくとも１種類を採用する。エポ
キシ樹脂としてビスフェノール系液状エポキシ樹脂を採
用し、セラミック・ファイバーのビスフェノール系液状
エポキシ樹脂に対する成分比を０〜７５（重量％）とす
る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は主として酸化亜鉛形避雷
器に組み込まれる電圧非直線型抵抗体の製造方法に関す
るものである。
器に組み込まれる電圧非直線型抵抗体の製造方法に関す
るものである。
【０００２】
【従来の技術】酸化亜鉛（以下ＺｎＯと略称）を主成分
とする電圧非直線型の抵抗体は、ＺｎＯに副添加成分と
して酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3），酸化アンチモン（Ｓｂ
2Ｏ3），酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3），酸化クロム（Ｃｒ
2Ｏ3），酸化硅素（ＳｉＯ2），酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ2），酸化ニッケル（ＮｉＯ）等の金属酸化物を粉砕
したものを添加することにより、非直線性が高く、熱損
失の小さい組成配合物を得ている。
とする電圧非直線型の抵抗体は、ＺｎＯに副添加成分と
して酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3），酸化アンチモン（Ｓｂ
2Ｏ3），酸化コバルト（Ｃｏ2Ｏ3），酸化クロム（Ｃｒ
2Ｏ3），酸化硅素（ＳｉＯ2），酸化マンガン（Ｍｎ
Ｏ2），酸化ニッケル（ＮｉＯ）等の金属酸化物を粉砕
したものを添加することにより、非直線性が高く、熱損
失の小さい組成配合物を得ている。
【０００３】通常これらの副添加成分は、ＺｎＯととも
にボール・ミル等で予備粉砕した後、ポリビニルアルコ
ール（ＰＶＡ）等の有機バインダー溶液と混合して、ス
プレードライヤーで噴霧乾燥して得られる流動性の高い
造粒粉を原材料とし、この原材料を金型成形プレスで略
円柱状に成形して脱脂した後、１０００〜１３００℃で
数時間焼成する。そして得られたＺｎＯ素子に低融点ガ
ラス系の側面絶縁材を塗布して焼付固定し、両平面を十
分に研磨してからアルミニウム等の電極金属を溶射して
製造している。上記ＺｎＯ素子を避雷器に組み込む場合
には、絶縁性を持つ支持棒の存在下で、前記多数個のＺ
ｎＯ素子を支持板とかスプリングを用いて固定し、周囲
を絶縁性碍管で包囲して完成する。
にボール・ミル等で予備粉砕した後、ポリビニルアルコ
ール（ＰＶＡ）等の有機バインダー溶液と混合して、ス
プレードライヤーで噴霧乾燥して得られる流動性の高い
造粒粉を原材料とし、この原材料を金型成形プレスで略
円柱状に成形して脱脂した後、１０００〜１３００℃で
数時間焼成する。そして得られたＺｎＯ素子に低融点ガ
ラス系の側面絶縁材を塗布して焼付固定し、両平面を十
分に研磨してからアルミニウム等の電極金属を溶射して
製造している。上記ＺｎＯ素子を避雷器に組み込む場合
には、絶縁性を持つ支持棒の存在下で、前記多数個のＺ
ｎＯ素子を支持板とかスプリングを用いて固定し、周囲
を絶縁性碍管で包囲して完成する。
【０００４】上記側面絶縁材は主として外部閃絡を防止
するためのものであって、高抵抗層を形成するために、
通常ＺｎＯ，ＢｉＯ3，Ｓｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2より成るセラ
ミックス系絶縁材料と、ＰｂＯ，ＺｎＯ，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ
2Ｏ3，ＳｉＯ2等より成る低融点ガラスとを混合して有
機溶剤で所定の粘度になるように希釈してペースト状に
したものをロール塗布等の手段で塗着し、５５０〜７０
０℃で焼付け処理を施す方法が一般的である。
するためのものであって、高抵抗層を形成するために、
通常ＺｎＯ，ＢｉＯ3，Ｓｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2より成るセラ
ミックス系絶縁材料と、ＰｂＯ，ＺｎＯ，Ａｌ2Ｏ3，Ｂ
2Ｏ3，ＳｉＯ2等より成る低融点ガラスとを混合して有
機溶剤で所定の粘度になるように希釈してペースト状に
したものをロール塗布等の手段で塗着し、５５０〜７０
０℃で焼付け処理を施す方法が一般的である。
【０００５】上記２層で構成される絶縁構造は、避雷器
用電圧非直線抵抗体において電流放電耐量、耐アーク性
等の役割を担っている。
用電圧非直線抵抗体において電流放電耐量、耐アーク性
等の役割を担っている。
【０００６】上記ＺｎＯ素子は電圧非直線性が高く、熱
損失の小さい組成配合を持ち、且つ一般の弱電用サージ
アブソーバに比べると吸収し得るエネルギーが大きいた
め、大きな体積と大口径サイズを持つものが必要であ
る。前記アルミニウム電極は、この大口径サイズの焼結
体においてサージエネルギーの集電体の役割を有してい
る。
損失の小さい組成配合を持ち、且つ一般の弱電用サージ
アブソーバに比べると吸収し得るエネルギーが大きいた
め、大きな体積と大口径サイズを持つものが必要であ
る。前記アルミニウム電極は、この大口径サイズの焼結
体においてサージエネルギーの集電体の役割を有してい
る。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記した従来のＺｎＯ
素子の製造工程中で、得られたＺｎＯ素子の側面にセラ
ミックス系絶縁材料と低融点ガラスとを混合した側面絶
縁材を塗布してから焼付け処理を施しており、この側面
絶縁材が電流放電耐量とか耐アーク性等の役割を担って
いるものであるが、該側面絶縁材は大電流・高エネルギ
ーのインパルスに対して必ずしも充分であるとは言え
ず、沿面フラッシュオーバー現象が発生する惧れがあ
る。
素子の製造工程中で、得られたＺｎＯ素子の側面にセラ
ミックス系絶縁材料と低融点ガラスとを混合した側面絶
縁材を塗布してから焼付け処理を施しており、この側面
絶縁材が電流放電耐量とか耐アーク性等の役割を担って
いるものであるが、該側面絶縁材は大電流・高エネルギ
ーのインパルスに対して必ずしも充分であるとは言え
ず、沿面フラッシュオーバー現象が発生する惧れがあ
る。
【０００８】本発明はこのような従来のＺｎＯ素子を主
体とする電圧非直線抵抗体の製造方法が有している課題
を解消して、２層の側面絶縁材の組成に改良を加えたこ
とにより、沿面絶縁耐力を向上させることができる電圧
非直線型抵抗体の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
体とする電圧非直線抵抗体の製造方法が有している課題
を解消して、２層の側面絶縁材の組成に改良を加えたこ
とにより、沿面絶縁耐力を向上させることができる電圧
非直線型抵抗体の製造方法を提供することを目的とする
ものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、酸化亜鉛に副添加成分としての金属酸化
物の粉砕物を加え、有機バインダー溶液と混合して得ら
れたスラリー状の原料をスラリータンクに充填し、上記
の原料をスプレードライヤに送り込んで噴霧乾燥し、得
られた流動性の高い造粒粉の一定量を計量して金型成形
プレスで成形後、脱脂してから所定の温度と時間を保っ
て焼成し、得られたＺｎＯ素子側面に側面絶縁材を形成
して抵抗体素子を得るようにした電圧非直線型抵抗体の
製造方法において、得られたＺｎＯ素子の側面に、側面
絶縁材としてセラミックス系絶縁材料を塗布し、熱処理
後にセラミック・ファイバーを含有するエポキシ樹脂系
絶縁材料を塗布して硬化処理を行うことによって２層構
造として形成した製造方法を提供する。
成するために、酸化亜鉛に副添加成分としての金属酸化
物の粉砕物を加え、有機バインダー溶液と混合して得ら
れたスラリー状の原料をスラリータンクに充填し、上記
の原料をスプレードライヤに送り込んで噴霧乾燥し、得
られた流動性の高い造粒粉の一定量を計量して金型成形
プレスで成形後、脱脂してから所定の温度と時間を保っ
て焼成し、得られたＺｎＯ素子側面に側面絶縁材を形成
して抵抗体素子を得るようにした電圧非直線型抵抗体の
製造方法において、得られたＺｎＯ素子の側面に、側面
絶縁材としてセラミックス系絶縁材料を塗布し、熱処理
後にセラミック・ファイバーを含有するエポキシ樹脂系
絶縁材料を塗布して硬化処理を行うことによって２層構
造として形成した製造方法を提供する。
【００１０】上記ＺｎＯ素子の側面に塗布するセラミッ
クス系絶縁材料として、ＺｎＯ，ＢｉＯ3，Ｓｂ2Ｏ3，
ＳｉＯ2を用いており、セラミック・ファイバーとして
Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2及びＦｅ2Ｏ3の
うち少なくとも１種類を採用する。又、エポキシ樹脂と
してビスフェノール系液状エポキシ樹脂を採用し、セラ
ミック・ファイバーのビスフェノール系液状エポキシ樹
脂に対する成分比を０〜７５（重量％）とする。
クス系絶縁材料として、ＺｎＯ，ＢｉＯ3，Ｓｂ2Ｏ3，
ＳｉＯ2を用いており、セラミック・ファイバーとして
Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2及びＦｅ2Ｏ3の
うち少なくとも１種類を採用する。又、エポキシ樹脂と
してビスフェノール系液状エポキシ樹脂を採用し、セラ
ミック・ファイバーのビスフェノール系液状エポキシ樹
脂に対する成分比を０〜７５（重量％）とする。
【００１１】上記エポキシ樹脂系絶縁材料の塗布は、低
粘度配合のものはロール塗布によって行い、高粘度配合
のものはシート状に成形した後に焼結体の側面に巻き付
けて回転させながら圧接する方法を用いる。
粘度配合のものはロール塗布によって行い、高粘度配合
のものはシート状に成形した後に焼結体の側面に巻き付
けて回転させながら圧接する方法を用いる。
【００１２】上記副添加成分として、酸化ビスマス，酸
化アンチモン，酸化コバルト，酸化クロム，酸化マンガ
ン，酸化硅素，酸化ニッケルの各金属酸化物の何れか、
もしくは混合物を用いる。
化アンチモン，酸化コバルト，酸化クロム，酸化マンガ
ン，酸化硅素，酸化ニッケルの各金属酸化物の何れか、
もしくは混合物を用いる。
【００１３】
【作用】かかる電圧非直線型抵抗体の製造方法によれ
ば、ＺｎＯ素子の側面にセラミックス系絶縁材料を塗布
し、熱処理後のセラミックス系絶縁材料上にセラミック
・ファイバーを含むエポキシ樹脂系絶縁材料を塗布して
硬化処理を行うことにより、側面絶縁材がセラミックス
系絶縁材料とセラミック・ファイバーを含有するエポキ
シ樹脂系絶縁材料との２層構造として構成される。硬化
処理の終了した焼結体の両端面を研磨してからアルミニ
ウム電極を溶射してＺｎＯ素子が完成する。
ば、ＺｎＯ素子の側面にセラミックス系絶縁材料を塗布
し、熱処理後のセラミックス系絶縁材料上にセラミック
・ファイバーを含むエポキシ樹脂系絶縁材料を塗布して
硬化処理を行うことにより、側面絶縁材がセラミックス
系絶縁材料とセラミック・ファイバーを含有するエポキ
シ樹脂系絶縁材料との２層構造として構成される。硬化
処理の終了した焼結体の両端面を研磨してからアルミニ
ウム電極を溶射してＺｎＯ素子が完成する。
【００１４】上記セラミックス絶縁層厚さとエポキシ樹
脂系絶縁層厚さは平均３０（μｍ）以上であり、２ｍｓ
方形波放電耐量試験と４／１０μｓ波放電耐量試験を実
施して放電電流での沿面フラッシュオーバーによる累積
破壊率を求めた結果、従来の側面絶縁構造に対して本実
施例にかかる側面絶縁構造は、セラミック・ファイバー
の添加量は僅かであっても４／１０μｓ波放電耐量特性
を示す破壊率が格段に低減しており、沿面絶縁耐力が向
上する。
脂系絶縁層厚さは平均３０（μｍ）以上であり、２ｍｓ
方形波放電耐量試験と４／１０μｓ波放電耐量試験を実
施して放電電流での沿面フラッシュオーバーによる累積
破壊率を求めた結果、従来の側面絶縁構造に対して本実
施例にかかる側面絶縁構造は、セラミック・ファイバー
の添加量は僅かであっても４／１０μｓ波放電耐量特性
を示す破壊率が格段に低減しており、沿面絶縁耐力が向
上する。
【００１５】エポキシ樹脂系絶縁材料の塗布は、低粘度
配合のものはロール塗布によって行い、高粘度配合のも
のは、シート状に成形した後に焼結体の側面に巻き付
け、回転させながら圧接することによって良好な塗布状
態が得られる。
配合のものはロール塗布によって行い、高粘度配合のも
のは、シート状に成形した後に焼結体の側面に巻き付
け、回転させながら圧接することによって良好な塗布状
態が得られる。
【００１６】
【実施例】以下本発明にかかる電圧非直線型抵抗体の製
造方法の実施例を説明する。本実施例では上記したＺｎ
Ｏ素子の製造工程中で、得られたＺｎＯ素子の側面に塗
布する側面絶縁材として、セラミックス系絶縁層とセラ
ミック・ファイバーを含有するエポキシ樹脂系絶縁層の
２層構造としたことが大きな特徴となっている。
造方法の実施例を説明する。本実施例では上記したＺｎ
Ｏ素子の製造工程中で、得られたＺｎＯ素子の側面に塗
布する側面絶縁材として、セラミックス系絶縁層とセラ
ミック・ファイバーを含有するエポキシ樹脂系絶縁層の
２層構造としたことが大きな特徴となっている。
【００１７】本実施例で採用したエポキシ樹脂系絶縁材
料の調製は、所定量のビスフェノール系液状エポキシ樹
脂（２液混合タイプに硬化促進剤を配合したもの）と表
１に示すセラミック・ファイバーを、表２に示す配合比
（成分ベース，重量％）に基づいて混合撹拌することに
より実施した。
料の調製は、所定量のビスフェノール系液状エポキシ樹
脂（２液混合タイプに硬化促進剤を配合したもの）と表
１に示すセラミック・ファイバーを、表２に示す配合比
（成分ベース，重量％）に基づいて混合撹拌することに
より実施した。
【００１８】
【表１】
【００１９】
【表２】
【００２０】表１に示すセラミック・ファイバーはＣＲ
Ｆ−１，ＣＲＦ−２，ＣＲＦ−３，ＣＲＦ−４の４種類
とし、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2及びＦｅ2
Ｏ3を表中に記載した重量％に基づいて混合してある。
表２に示すサンプルＡ〜Ｉは、前記ビスフェノール系液
状エポキシ樹脂をベースとしてＣＲＦ−１，２，３，４
の配合割合を変えて構成されている。
Ｆ−１，ＣＲＦ−２，ＣＲＦ−３，ＣＲＦ−４の４種類
とし、Ａｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2及びＦｅ2
Ｏ3を表中に記載した重量％に基づいて混合してある。
表２に示すサンプルＡ〜Ｉは、前記ビスフェノール系液
状エポキシ樹脂をベースとしてＣＲＦ−１，２，３，４
の配合割合を変えて構成されている。
【００２１】尚、本実施例では上記セラミック・ファイ
バーとしてＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2及び
Ｆｅ2Ｏ3のうち少なくとも１種類の成分をビスフェノー
ル系液状エポキシ樹脂に０〜３０（重量％）の割合で添
加した。このセラミック・ファイバーの繊維長は１００
（μｍ）以下、繊維径は１０（μｍ）以上であり、この
セラミック・ファイバーの成分比は０〜７５（重量％）
となっている。
バーとしてＡｌ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2及び
Ｆｅ2Ｏ3のうち少なくとも１種類の成分をビスフェノー
ル系液状エポキシ樹脂に０〜３０（重量％）の割合で添
加した。このセラミック・ファイバーの繊維長は１００
（μｍ）以下、繊維径は１０（μｍ）以上であり、この
セラミック・ファイバーの成分比は０〜７５（重量％）
となっている。
【００２２】製造工程は、先ず主原料であるＺｎＯ粉末
と、予め所定の割合で混合・粉砕したＢｉ2Ｏ3，Ｓｂ2
Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2，ＮｉＯ
等の金属酸化物とを結合剤としてのポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）と分散剤としてのカチオンＭＡを所定量溶
解したバインダー溶液に添加して、ボール・ミルで十分
に混合して原料スラリーを作成し、得られた原料スラリ
ーを十分に脱泡してからスプレードライヤーで噴霧乾燥
して流動性の高い造粒粉を得た。
と、予め所定の割合で混合・粉砕したＢｉ2Ｏ3，Ｓｂ2
Ｏ3，Ｃｏ2Ｏ3，Ｃｒ2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＭｎＯ2，ＮｉＯ
等の金属酸化物とを結合剤としてのポリビニルアルコー
ル（ＰＶＡ）と分散剤としてのカチオンＭＡを所定量溶
解したバインダー溶液に添加して、ボール・ミルで十分
に混合して原料スラリーを作成し、得られた原料スラリ
ーを十分に脱泡してからスプレードライヤーで噴霧乾燥
して流動性の高い造粒粉を得た。
【００２３】次に自動システムに基づいて上記の造粒粉
を所定量計量し、乾式プレス金型ダイスで成形を行っ
た。この時の成形体の外形はφ５０−ｔ５０とし、成形
圧力は３５０（ｋｇｆ／ｃｍ2）とした。得られた成形
体を８００〜１０００℃で６時間程度の仮焼を行ってＺ
ｎＯ素子を得た。
を所定量計量し、乾式プレス金型ダイスで成形を行っ
た。この時の成形体の外形はφ５０−ｔ５０とし、成形
圧力は３５０（ｋｇｆ／ｃｍ2）とした。得られた成形
体を８００〜１０００℃で６時間程度の仮焼を行ってＺ
ｎＯ素子を得た。
【００２４】このようにして得られた図１に示すＺｎＯ
素子１の側面に、先ずセラミックス系絶縁材料２を塗布
し、１０００℃〜１３００℃で１０時間焼成した。この
焼成体を更に５５０℃〜７００℃で熱処理を行った。こ
のセラミックス系絶縁材料２は、ＺｎＯ，ＢｉＯ3，Ｓ
ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2より成る。
素子１の側面に、先ずセラミックス系絶縁材料２を塗布
し、１０００℃〜１３００℃で１０時間焼成した。この
焼成体を更に５５０℃〜７００℃で熱処理を行った。こ
のセラミックス系絶縁材料２は、ＺｎＯ，ＢｉＯ3，Ｓ
ｂ2Ｏ3，ＳｉＯ2より成る。
【００２５】熱処理後の焼結体の上記セラミックス系絶
縁材料２上に、表２に示したセラミック・ファイバーを
含むエポキシ樹脂系絶縁材料３で構成された各サンプル
Ｂ〜Ｉを塗布し、１００℃〜１７０℃で１０時間〜３０
時間の硬化処理を行った。尚、サンプルＡはエポキシ樹
脂系絶縁材料が１００％であり、セラミック・ファイバ
ーは含有されていない。
縁材料２上に、表２に示したセラミック・ファイバーを
含むエポキシ樹脂系絶縁材料３で構成された各サンプル
Ｂ〜Ｉを塗布し、１００℃〜１７０℃で１０時間〜３０
時間の硬化処理を行った。尚、サンプルＡはエポキシ樹
脂系絶縁材料が１００％であり、セラミック・ファイバ
ーは含有されていない。
【００２６】このエポキシ樹脂系絶縁材料３の塗布は、
低粘度配合のものはロール塗布によって行い、高粘度配
合のものは、シート状に成形した後に焼結体の側面に巻
き付け、回転させながら圧接した。
低粘度配合のものはロール塗布によって行い、高粘度配
合のものは、シート状に成形した後に焼結体の側面に巻
き付け、回転させながら圧接した。
【００２７】同時に比較例として、上記エポキシ樹脂系
絶縁材料３に代えて、従来の低融点Ｐｂガラス絶縁ペー
ストを塗布して同様に熱処理したものを作成した。
絶縁材料３に代えて、従来の低融点Ｐｂガラス絶縁ペー
ストを塗布して同様に熱処理したものを作成した。
【００２８】次に硬化処理の終了した焼結体の両端面を
研磨してからアルミニウム電極４，４を溶射してＺｎＯ
素子を完成させた。そして得られたＺｎＯ素子の各サン
プルＡ〜Ｉと、上記エポキシ樹脂系絶縁材料３に代えて
低融点Ｐｂガラスを塗布した比較例について、各側面部
分を電子顕微鏡で観察し、絶縁層の厚さを測定した。そ
の結果を表３に示す。
研磨してからアルミニウム電極４，４を溶射してＺｎＯ
素子を完成させた。そして得られたＺｎＯ素子の各サン
プルＡ〜Ｉと、上記エポキシ樹脂系絶縁材料３に代えて
低融点Ｐｂガラスを塗布した比較例について、各側面部
分を電子顕微鏡で観察し、絶縁層の厚さを測定した。そ
の結果を表３に示す。
【００２９】
【表３】
【００３０】表３中の供試素子Ｎｏ１は比較例であり、
供試素子Ｎｏ６．７（サンプルＦ，Ｅ）は、本実施例中
に説明したように、エポキシ樹脂塗布方法として上記シ
ート状成形手段を用いており、他の供試素子はロール塗
布方法を用いた。尚、表３は単にセラミックス絶縁層厚
さ（μｍ）とエポキシ樹脂系絶縁層厚さ（μｍ）を実測
した結果であって、各層の平均厚は３０（μｍ）以上で
あった。
供試素子Ｎｏ６．７（サンプルＦ，Ｅ）は、本実施例中
に説明したように、エポキシ樹脂塗布方法として上記シ
ート状成形手段を用いており、他の供試素子はロール塗
布方法を用いた。尚、表３は単にセラミックス絶縁層厚
さ（μｍ）とエポキシ樹脂系絶縁層厚さ（μｍ）を実測
した結果であって、各層の平均厚は３０（μｍ）以上で
あった。
【００３１】次に表３に示す供試素子Ｎｏ１〜１０に対
して、２ｍｓ方形波放電耐量試験と４／１０μｓ波放電
耐量試験を実施した。２ｍｓ方形波放電耐量試験の放電
電流は２５０Ａとして破壊率（％）を求め、４／１０μ
ｓ波放電耐量試験の放電電流は５０ｋＡ，６５ｋＡ，７
５ｋＡ，８５ｋＡ，９５ｋＡとし、各供試素子Ｎｏごと
２０個ずつについて行い、４／１０μｓ波放電耐量試験
は累積試験とし、放電電流での沿面フラッシュオーバー
による累積破壊率を評価データとした。その結果を表４
に示す。
して、２ｍｓ方形波放電耐量試験と４／１０μｓ波放電
耐量試験を実施した。２ｍｓ方形波放電耐量試験の放電
電流は２５０Ａとして破壊率（％）を求め、４／１０μ
ｓ波放電耐量試験の放電電流は５０ｋＡ，６５ｋＡ，７
５ｋＡ，８５ｋＡ，９５ｋＡとし、各供試素子Ｎｏごと
２０個ずつについて行い、４／１０μｓ波放電耐量試験
は累積試験とし、放電電流での沿面フラッシュオーバー
による累積破壊率を評価データとした。その結果を表４
に示す。
【００３２】
【表４】
【００３３】表４によれば、比較例である供試素子Ｎｏ
１は放電電流８５ｋＡでの４／１０μｓ波放電耐量特性
を示す破壊率が１００％となっているのに対して、本実
施例を適用した供試素子Ｎｏ２〜１０は比較例に較べて
同放電耐量特性がいずれも良化しており、特に供試素子
Ｎｏ６．７（表３のサンプルＦ，Ｅ）は、９５ｋＡでの
４／１０μｓ波放電耐量特性を示す破壊率が５５％と４
０％となって他のサンプルに比して格段に沿面絶縁耐力
が向上していることが判明した。
１は放電電流８５ｋＡでの４／１０μｓ波放電耐量特性
を示す破壊率が１００％となっているのに対して、本実
施例を適用した供試素子Ｎｏ２〜１０は比較例に較べて
同放電耐量特性がいずれも良化しており、特に供試素子
Ｎｏ６．７（表３のサンプルＦ，Ｅ）は、９５ｋＡでの
４／１０μｓ波放電耐量特性を示す破壊率が５５％と４
０％となって他のサンプルに比して格段に沿面絶縁耐力
が向上していることが判明した。
【００３４】上記の結果から、ＺｎＯ素子１の側面絶縁
材として、セラミックス系絶縁層と、表１に示すセラミ
ック・ファイバーが添加されたエポキシ樹脂系絶縁層と
の２層構造としたことにより、このセラミック・ファイ
バーの添加量は僅かであっても沿面絶縁耐力が向上する
ことが理解される。
材として、セラミックス系絶縁層と、表１に示すセラミ
ック・ファイバーが添加されたエポキシ樹脂系絶縁層と
の２層構造としたことにより、このセラミック・ファイ
バーの添加量は僅かであっても沿面絶縁耐力が向上する
ことが理解される。
【００３５】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明にか
かる電圧非直線型抵抗体の製造方法によれば、ＺｎＯ素
子の側面に塗布する側面絶縁剤としてセラミックス系絶
縁材料とセラミック・ファイバーを含有するエポキシ樹
脂系絶縁材料との２層構造を採用したことにより、セラ
ミック・ファイバーの添加量は僅かであっても４／１０
μｓ波放電耐量特性を示す破壊率が格段に低減されて沿
面絶縁耐力を向上させることができる。
かる電圧非直線型抵抗体の製造方法によれば、ＺｎＯ素
子の側面に塗布する側面絶縁剤としてセラミックス系絶
縁材料とセラミック・ファイバーを含有するエポキシ樹
脂系絶縁材料との２層構造を採用したことにより、セラ
ミック・ファイバーの添加量は僅かであっても４／１０
μｓ波放電耐量特性を示す破壊率が格段に低減されて沿
面絶縁耐力を向上させることができる。
【００３６】又、エポキシ樹脂系絶縁材料の塗布は、低
粘度配合のものはロール塗布によって行い、高粘度配合
のものは、シート状に成形した後に焼結体の側面に巻き
付け、回転させながら圧接することによって良好な塗布
状態が得られる。
粘度配合のものはロール塗布によって行い、高粘度配合
のものは、シート状に成形した後に焼結体の側面に巻き
付け、回転させながら圧接することによって良好な塗布
状態が得られる。
【００３７】従って本発明によれば、側面絶縁材が大電
流・高エネルギーのインパルスに対しても対応可能とな
って沿面フラッシュオーバー現象が発生する惧れをなく
すことができる電圧非直線型抵抗体の製造方法が提供さ
れる。
流・高エネルギーのインパルスに対しても対応可能とな
って沿面フラッシュオーバー現象が発生する惧れをなく
すことができる電圧非直線型抵抗体の製造方法が提供さ
れる。
【図１】本実施例を適用したＺｎＯ素子の構造を示す要
部断面図。
部断面図。
１…ＺｎＯ素子 ２…セラミックス系絶縁材料 ３…エポキシ樹脂系絶縁材料 ４…アルミニウム電極
Claims (5)
- 【請求項１】 酸化亜鉛に副添加成分としての金属酸化
物の粉砕物を加え、有機バインダー溶液と混合して得ら
れたスラリー状の原料をスラリータンクに充填し、上記
の原料をスプレードライヤに送り込んで噴霧乾燥し、得
られた流動性の高い造粒粉の一定量を計量して金型成形
プレスで成形後、脱脂してから所定の温度と時間を保っ
て焼成し、得られたＺｎＯ素子側面に側面絶縁材を形成
して抵抗体素子を得るようにした電圧非直線型抵抗体の
製造方法において、 得られたＺｎＯ素子の側面に、側面絶縁材としてセラミ
ックス系絶縁材料を塗布し、熱処理後にセラミック・フ
ァイバーを含有するエポキシ樹脂系絶縁材料を塗布して
硬化処理を行うことによって２層構造として形成したこ
とを特徴とする電圧非直線型抵抗体の製造方法。 - 【請求項２】 上記ＺｎＯ素子の側面に塗布するセラミ
ックス系絶縁材料として、ＺｎＯ，ＢｉＯ3，Ｓｂ
2Ｏ3，ＳｉＯ2を用いた請求項１記載の電圧非直線型抵
抗体の製造方法。 - 【請求項３】 上記セラミック・ファイバーとしてＡｌ
2Ｏ3，ＳｉＯ2，ＺｒＯ2，ＴｉＯ2及びＦｅ2Ｏ3のうち
少なくとも１種類を採用するとともにエポキシ樹脂とし
てビスフェノール系液状エポキシ樹脂を採用し、セラミ
ック・ファイバーのビスフェノール系液状エポキシ樹脂
に対する成分比を０〜７５（重量％）とした請求項１，
２記載の電圧非直線型抵抗体の製造方法。 - 【請求項４】 上記エポキシ樹脂系絶縁材料の塗布は、
低粘度配合のものはロール塗布によって行い、高粘度配
合のものはシート状に成形した後に焼結体の側面に巻き
付けて回転させながら圧接する方法を用いた請求項１，
２，３記載の電圧非直線型抵抗体の製造方法。 - 【請求項５】 前記副添加成分として、酸化ビスマス，
酸化アンチモン，酸化コバルト，酸化クロム，酸化マン
ガン，酸化硅素，酸化ニッケルの各金属酸化物の何れ
か、もしくは混合物を用いた請求項１，２，３，４記載
の電圧非直線型抵抗体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312815A JPH08172002A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 電圧非直線型抵抗体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6312815A JPH08172002A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 電圧非直線型抵抗体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH08172002A true JPH08172002A (ja) | 1996-07-02 |
Family
ID=18033751
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6312815A Pending JPH08172002A (ja) | 1994-12-16 | 1994-12-16 | 電圧非直線型抵抗体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH08172002A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000235905A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-08-29 | Meidensha Corp | 非直線抵抗体の製造方法 |
| JP2000243607A (ja) * | 1999-02-18 | 2000-09-08 | Meidensha Corp | 非直線抵抗体の製造方法 |
| JP2004095739A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Meidensha Corp | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
| EP1436819A1 (en) * | 2001-08-29 | 2004-07-14 | McGraw Edison Company | MECHANICAL REINFORCEMENT TO IMPROVE HIGH CURRENT, SHORT DURATION WITHSTAND OF A MONOLITHIC DISK OR BONDED DISK STACK |
| DE10142314B4 (de) * | 2000-08-31 | 2007-07-12 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Widerstand mit nichtlinearer Spannungscharakteristik (Voltage-Nonlinear-Resistor) |
| JP2008513982A (ja) * | 2004-09-15 | 2008-05-01 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | バリスタ |
| CN104616850A (zh) * | 2015-02-10 | 2015-05-13 | 清华大学 | 一种氧化锌/环氧树脂复合压敏电阻的制备方法 |
-
1994
- 1994-12-16 JP JP6312815A patent/JPH08172002A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000235905A (ja) * | 1999-02-15 | 2000-08-29 | Meidensha Corp | 非直線抵抗体の製造方法 |
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| EP1436819A4 (en) * | 2001-08-29 | 2008-11-05 | Cooper Technologies Co | MECHANICAL REINFORCEMENT FOR IMPROVING THE REPRODUCTIBILITY OF A MONOLITHIC PLATE OR A BONDED PLATE STACK TO HIGH FLOWS OF SHORT DURATION |
| JP2004095739A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Meidensha Corp | 電圧非直線抵抗体の製造方法 |
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| JP4755648B2 (ja) * | 2004-09-15 | 2011-08-24 | エプコス アクチエンゲゼルシャフト | バリスタ |
| US8130071B2 (en) | 2004-09-15 | 2012-03-06 | Epcos Ag | Varistor comprising an insulating layer produced from a loading base glass |
| CN104616850A (zh) * | 2015-02-10 | 2015-05-13 | 清华大学 | 一种氧化锌/环氧树脂复合压敏电阻的制备方法 |
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