JP4025744B2 - 積層型光電変換装置の製造方法 - Google Patents
積層型光電変換装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4025744B2 JP4025744B2 JP2004091897A JP2004091897A JP4025744B2 JP 4025744 B2 JP4025744 B2 JP 4025744B2 JP 2004091897 A JP2004091897 A JP 2004091897A JP 2004091897 A JP2004091897 A JP 2004091897A JP 4025744 B2 JP4025744 B2 JP 4025744B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- photoelectric conversion
- layer
- silicon
- conversion unit
- silicon composite
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Classifications
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Description
さらに、積層された複数の光電変換ユニットの間に光透過性及び光反射性の双方を有し且つ導電性の中間反射層を介在させる構造を有する積層型の光電変換装置が近年提案されている。この場合、中間反射層に到達した光の一部が反射し、中間反射層よりも光入射側に位置する前方光電変換ユニット内での光吸収量が増加し、その前方光電変換ユニットで発生する電流値を増大させることができる。例えば、非晶質シリコン光電変換ユニットと結晶質シリコン光電変換ユニットからなるハイブリッド型光電変換装置に中間反射層を挿入した場合、非晶質シリコン層の膜厚を増やすことなく非晶質シリコン光電変換ユニットによって発生する電流を増加させることができる。もしくは、同一の電流値を得るために必要な非晶質シリコン層の膜厚を薄くできることから、非晶質シリコン層の膜厚増加に応じて顕著となる光劣化による非晶質シリコン光電変換ユニットの特性低下を押さえることが可能となる。
中間反射層は、例えばZnOのような透明導電性金属酸化物層で構成されることが多いが、特許文献1に記載されているような、シリコンと酸素の非晶質合金中にシリコン結晶相を含む導電型の酸化シリコン層(本願ではシリコン複合層と呼ぶ)を採用しても、同様の効果が得られることが開示されている。このシリコン複合層は、前記透明導電性金属酸化物層と同様に光透過性と導電性とを有しながら、非晶質シリコン系光電変換ユニットや結晶質シリコン系光電変換ユニットなどと同様にプラズマCVD法などで形成可能であり、しかもこれら光電変換ユニットの導電型層の一部の役割も兼ねることができるため、簡便でコスト的にも有利な製造方法で形成できる。
ところで、積層型光電変換装置は半導体層の数および種類が多いため、複数ユニットを連続的に1つのプラズマCVD装置にて形成するためには、かなり大規模な設備が必要となり、コスト・設置場所、設備増設移設時などの様々な面で融通がきかなくなる。加えて、特にインライン方式のプラズマCVDの場合は、設備が大規模になるほど稼働率低下の恐れがある。また、例えば非晶質シリコン系ユニットに代表される前方光電変換ユニットと結晶質シリコン系ユニットに代表される後方光電変換ユニットとでは、膜厚の違いなどのために製膜に要する時間が異なり、さらには最適な形成条件や最適プラズマCVD装置構成も異なってくる。しかし、これらを別々のプラズマCVD装置を用いると、そうした懸念は少なくなり、製造工程の融通性と生産効率を高めることができる。例えば基板上にプラズマCVD装置を用いて前方光電変換ユニットを形成し、その基板をプラズマCVD装置から一旦大気中に取り出した後、他のプラズマCVD装置に移して後方光電変換ユニットを引き続き形成するという製造方法がある。
また特許文献3には、前方光電変換ユニットを構成する一導電型層、光電変換層、逆導電型層の全てを形成した後、基板を酸素雰囲気(大気を含む)に暴露することで、逆導電型層表面近傍を酸化させ、その後別のプラズマCVD装置において、後方光電変換ユニットを構成する一導電型層、光電変換層、逆導電型層を形成するという手法が開示されている。この形成方法によると、前方および後方光電変換ユニットの界面(pn界面)に微少な酸素原子層が形成され、これがpn界面でのドーパント原子の拡散を抑制するため、大気暴露を行うことなく全ての光電変換ユニットを連続形成したと比べて光電変換装置の特性を改善できると記載されている。
図1に示すような積層型光電変換装置を作製した。まず、透明なガラス基板1上にSnO2を主成分とする透明電極層2を形成した。その後、透明電極層付きの基板を第一プラズマCVD装置に導入し、昇温した後に、非晶質シリコン光電変換ユニット3のうちのp型非晶質シリコンカーバイド層31、i型非晶質シリコン光電変換層32、n型層33のうちのn型シリコン複合層33aを、それぞれ15nm、300nm、40nmの厚さで形成した。
同様に図2に示すような積層型光電変換装置を作製した。実施例1と異なるのは非晶質シリコン光電変換ユニット3および結晶シリコン光電変換ユニット4までを、一度も大気に暴露することなく1つのプラズマCVD装置で連続形成を行った点である。非晶質シリコン光電変換ユニット3における逆導電型層はn型シリコン複合層33cのみから成り、その膜厚は実施例1のシリコン複合層33aと33bを合わせた膜厚と同じ50nmととしている。それ以外は実施例1と同様の作製方法であり、またシリコン複合層33の膜特性等も同じである。
図3に示すような積層型光電変換装置を作製した。第一プラズマCVD装置において、非晶質シリコン光電変換ユニット3のうちのp型非晶質シリコンカーバイド層31、i型非晶質シリコン光電変換層32、n型層33のうちのn型微結晶シリコン層33dおよびn型シリコン複合層33aを、それぞれ15nm、300nm、10nm、40nmの厚さで形成した。実施例1と異なるのはn型n型シリコン複合層33aを形成する前に、シリコン複合層よりも導電性および結晶化率の高いn型微結晶シリコン層33dを形成している点である。このn型微結晶シリコン層33dを先に形成することにより、i型非晶質シリコン層32/シリコン複合層33a界面の接触抵抗が低減でき、実施例1の場合よりも光電変換特性をより改善できる。
同様に図4に示すような積層型光電変換装置を作製した。実施例1と異なるのは非晶質シリコン光電変換ユニット3および結晶シリコン光電変換ユニット4までを一度も大気に暴露することなく1つのプラズマCVD装置で連続形成を行った点である。非晶質シリコン光電変換ユニット3におけるn型シリコン複合層33cの膜厚は50nmと実施例1あるいは実施例3のシリコン複合層33aと33bを合わせた膜厚と同じである。それ以外は、実施例2と同様の作製方法であり、またシリコン複合層33の膜特性等も同じである。
(実施例3〜5および比較例3〜9)
n型シリコン複合層33a、33b、あるいは33cの膜中酸素濃度および波長600nmにおける屈折率を変え、それ以外は実施例2あるいは比較例2と同様の方法で、図3あるいは図4に示すような積層型光電変換装置を作製した。シリコン複合層の膜中酸素濃度あるいは屈折率の各値に対し、シリコン複合層の途中で大気暴露を行った場合、行わなかった場合の光電変換効率を、比較例2に対する相対値として比較した結果を表1に示す。
(実施例6〜8および比較例10〜11)
大気暴露前に形成するn型シリコン複合層33aおよび大気暴露後に形成するn型シリコン複合層33bの膜厚の割合を変え、それ以外は実施例2と同様の方法で図3に示すような積層型光電変換装置を作製した。シリコン複合層33aと33bの膜厚の合計はすべて50nmで一定であり、大気暴露を行わない比較例2におけるシリコン複合層33cの膜厚と同じである。それぞれの場合の光電変換効率を、比較例2に対する相対値として比較した結果を表2に示す。
2 透明電極層
3 前方光電変換ユニットである非晶質シリコン光電変換ユニット
31 前方光電変換ユニット内の一導電型層である、非晶質シリコンカーバイド層
32 前方光電変換ユニット内の光電変換層である、i型非晶質シリコン光電変換層
33 前方光電変換ユニット内の逆導電型層であるn型層
33a 大気暴露前に形成されるn型シリコン複合層
33b 大気暴露後に形成されるn型シリコン複合層
33c 大気暴露を行うことなく形成されるn型シリコン複合層
33d n型微結晶シリコン層
4 後方光電変換ユニットである結晶質シリコン光電変換ユニット
41 後方光電変換ユニット内の一導電型層である、p型微結晶シリコン層
42 後方光電変換ユニット内の光電変換層である、ノンドープのi型結晶質シリコン光電変換層
43 後方光電変換ユニット内の逆導電型層である、n型微結晶シリコン層
5 裏面電極層
Claims (3)
- 光入射側から見て、一導電型層と、実質的に真性半導体の光電変換層と、逆導電型層の順に配置され、かつプラズマCVD法にて形成される光電変換ユニットを複数含む積層型光電変換装置の製造方法であって、相対的に光入射側に配置された前方光電変換ユニット内の逆導電型層と、該前方光電変換ユニットの後方側に隣接して配置される後方光電変換ユニット内の一導電型層のうち、片方もしくは両方にシリコンと酸素の非晶質合金中にシリコン結晶相が混在するシリコン複合層を少なくとも一部具備した導電型層を形成する工程を有し、且つ前記シリコン複合層の一部までが形成された後に一旦大気中に取り出されることによって、該シリコン複合層の最外表面が大気に暴露され、その後同一導電型の残りのシリコン複合層を形成する工程を有することを特徴とする、積層型光電変換装置の製造方法。
- 前記シリコン複合層の600nmの波長の光に対する屈折率が2.5以下、あるいは膜中酸素濃度が25原子%以上であることを特徴とする請求項1に記載の積層型光電変換装置の製造方法。
- 前記大気に暴露される界面を有するシリコン複合層のうち、大気に暴露する前に形成される部分の膜厚が全体の6割以上であることを特徴とする、請求項1もしくは2に記載の積層型光電変換装置の製造方法。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004091897A JP4025744B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 積層型光電変換装置の製造方法 |
KR1020057007418A KR101008274B1 (ko) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | 적층형 광전 변환 장치 |
PCT/JP2004/010115 WO2005011001A1 (ja) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | 積層型光電変換装置 |
EP04747581A EP1650811B1 (en) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Stacked photoelectric converter |
ES04747581T ES2405597T3 (es) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Convertidor fotoeléctrico apilado |
DK04747581.9T DK1650811T3 (da) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Stakket fotoelektrisk converter |
US10/530,283 US7550665B2 (en) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Stacked photoelectric converter |
AU2004259485A AU2004259485B2 (en) | 2003-07-24 | 2004-07-15 | Stacked photoelectric converter |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2004091897A JP4025744B2 (ja) | 2004-03-26 | 2004-03-26 | 積層型光電変換装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005277303A JP2005277303A (ja) | 2005-10-06 |
JP4025744B2 true JP4025744B2 (ja) | 2007-12-26 |
Family
ID=35176597
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004091897A Expired - Fee Related JP4025744B2 (ja) | 2003-07-24 | 2004-03-26 | 積層型光電変換装置の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4025744B2 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4971755B2 (ja) * | 2006-11-14 | 2012-07-11 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置とその製造方法 |
US7582515B2 (en) * | 2007-01-18 | 2009-09-01 | Applied Materials, Inc. | Multi-junction solar cells and methods and apparatuses for forming the same |
JP5371284B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-12-18 | 株式会社カネカ | 薄膜光電変換装置 |
EP2316137A2 (en) * | 2008-08-01 | 2011-05-04 | Oerlikon Solar Ip Ag, Trübbach | Method for manufacturing a photovoltaic cell structure |
WO2010023991A1 (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 株式会社アルバック | 光電変換装置の製造方法、光電変換装置、及び光電変換装置の製造システム |
WO2010023948A1 (ja) * | 2008-08-29 | 2010-03-04 | 株式会社アルバック | 光電変換装置の製造方法、光電変換装置、及び光電変換装置の製造システム |
KR20110008283A (ko) | 2008-10-30 | 2011-01-26 | 미츠비시 쥬고교 가부시키가이샤 | 광전 변환 장치의 제조 방법 |
DE102008063737A1 (de) * | 2008-12-18 | 2010-06-24 | Forschungszentrum Jülich GmbH | Verfahren zur Abscheidung von mikrokristallinem Silizium auf einem Substrat |
JP2010177582A (ja) * | 2009-01-30 | 2010-08-12 | Ulvac Japan Ltd | 光電変換装置の製造方法と光電変換装置、及び光電変換装置の製造システム |
TWI413267B (zh) * | 2009-01-30 | 2013-10-21 | Ulvac Inc | 光電轉換裝置之製造方法、光電轉換裝置、光電轉換裝置之製造系統、及光電轉換裝置製造系統之使用方法 |
WO2013022086A1 (ja) | 2011-08-11 | 2013-02-14 | 株式会社カネカ | 積層型光電変換装置の製造方法 |
KR101821392B1 (ko) * | 2012-02-07 | 2018-03-08 | 엘지전자 주식회사 | 박막 태양 전지 |
-
2004
- 2004-03-26 JP JP2004091897A patent/JP4025744B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2005277303A (ja) | 2005-10-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4257332B2 (ja) | シリコン系薄膜太陽電池 | |
JP2006319068A (ja) | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置、及びその製造方法 | |
JP4063735B2 (ja) | 積層型光電変換装置を含む薄膜光電変換モジュール | |
JP4025744B2 (ja) | 積層型光電変換装置の製造方法 | |
JP4068043B2 (ja) | 積層型光電変換装置 | |
JP2007305826A (ja) | シリコン系薄膜太陽電池 | |
JP5180574B2 (ja) | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 | |
JP5197845B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
JP4886746B2 (ja) | 積層型光電変換装置の製造方法 | |
JP2005135986A (ja) | 積層型光電変換装置 | |
JP5180640B2 (ja) | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 | |
JP5404604B2 (ja) | 透明導電酸化物層の形成方法、透明導電酸化物層、並びに、透明導電酸化物層を用いた光電変換装置 | |
JP4717122B2 (ja) | 薄膜太陽電池の製造方法 | |
JPWO2006006368A1 (ja) | 薄膜光電変換装置の製造方法 | |
WO2010067704A1 (ja) | 光起電力装置及びその製造方法 | |
JP2010267860A (ja) | 積層型光電変換装置の製造方法 | |
JP5022246B2 (ja) | 多接合型シリコン系薄膜光電変換装置 | |
JP5409675B2 (ja) | 薄膜太陽電池およびその製造方法 | |
EP2521184A2 (en) | Photoelectric conversion device | |
JP5675993B2 (ja) | 積層型光電変換装置の製造方法 | |
JP2011014635A (ja) | 光電変換素子及びその製造方法 | |
JP2009277892A (ja) | 薄膜光電変換装置 | |
JP2002280584A (ja) | ハイブリッド型薄膜光電変換装置とその製造方法 | |
JP2013058554A (ja) | 積層型薄膜光電変換装置の製造方法 | |
JP2011035297A (ja) | 積層型光起電力素子および積層型光起電力素子の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20070129 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20070612 |
|
RD03 | Notification of appointment of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7423 Effective date: 20070809 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070911 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20071005 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20101012 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20111012 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20121012 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012 Year of fee payment: 6 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20131012 Year of fee payment: 6 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |