JP4023318B2 - スルホニウム塩化合物 - Google Patents
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Description
尚、本発明のスルホニウム塩は、カウンターアニオンがフッ素を含むカルボン酸であるため、溶液中で凝集しにくく、微粒子の発生を抑制する効果もある。
ジフェニルスルホキシド21.1g(0.1mol)をベンゼン200mlに溶解し、0〜5℃でトリフルオロ酢酸無水物42.0g(0.2mol)を滴下した後、0〜5℃で30分間撹拌した。次いでトリフルオロメタンスルホン酸15.0g(0.1mol)を0〜5℃で滴下し、0〜20℃で3時間撹拌反応させた。反応後、n-ヘキサン500mlを注入し、デカンテーションして分離した油状物を塩化メチレン−n-ヘキサンにより結晶化させ、濾取、乾燥してトリフェニルスルホニウム トリフルオロメタンスルホネートの白色結晶37.9g(収率:92%)を得た。
融点:132〜134℃
1HNMR(CDCl3)δppm:7.30〜7.79(15H, m, Ar-H)
融点:71〜74℃
1HNMR(CDCl3)δppm:7.67〜7.80(15H, m, Ar-H)
ジフェニルスルホキシド21.1g(0.1mol)を窒素雰囲気下でテトラヒドロフラン600mLに溶解し、クロロトリメチルシラン27.2g(0.25mol)を注入した。そこに、ブロモベンゼン39.3g(0.25mol)と金属マグネシウム6.1gとから常法によって得たグリニャール試薬を氷冷下で滴下した後、同温度で3時間反応させた。反応終了後、反応液に24%臭化水素酸水溶液500mLを0〜5℃で滴下し、トルエン600mLを注入して撹拌した後、分液し、有機層を12%臭化水素酸水溶液120mLで2回抽出し、合わせた水層を塩化メチレン480mLで3回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮してトリフェニルスルホニウム ブロマイドの白色結晶23.3g(収率68%)を得た。
融点:288〜290℃
1HNMR(CDCl3) δppm:7.72〜7.82(9H, m, Ar-H)、7.85〜7.89(6H, m, Ar-H)
融点:130〜130.5℃
1HNMR(CDCl3) δppm:7.66〜7.80(15H, m, Ar-H)
ジフェニルスルホキシド21.1g(0.1mol)をベンゼン200mlに溶解し、室温で臭化アルミニウム160.0g(0.6mol)を加えた後、80℃で2時間撹拌反応させた。反応液を氷1000mlに注ぎ、塩化メチレン200mlで3回抽出した。得られた有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥した後、減圧濃縮してトリフェニルスルホニウム ブロマイドの白色結晶22.0g(収率:64%)を得た。
融点:288〜290℃
1HNMR(CDCl3)δppm:7.72〜7.82(9H, m, Ar-H)、7.85〜7.89(6H, m, Ar-H)
融点:91〜93℃。
1HNMR(CDCl3)δppm:7.14〜7.52(4H, m, Ar-H)、7.65〜7.82(15H, m, Ar-H)
各種のスルホキシドと所定のベンゼン又はその誘導体とを用いて実施例1〜3に記載した何れかの方法に準じて合成を行い、対応するスルホニウム塩を得た。得られた結果について表1及び2に記載する。
実施例2と同様に合成して得られたトリフェニルスルホニウム ブロマイド17.2g(0.05mol)を室温遮光下で塩化メチレン100mlに溶解し、そこにテトラフルオロコハク酸銀10.1g(0.025mol)を加え、室温で一夜撹拌反応させた。反応終了後、生じた沈殿を濾別し、母液を減圧濃縮し、酢酸エチルで結晶化させ、ビス(トリフェニルスルホニウム)テトラフルオロサクシネートの白色結晶17.4g(収率97%)を得た。
融点:227〜227.5℃(分解)。
1HNMR(CDCl3)δppm:7.65〜7.84(15H, m, Ar-H)
実施例2と同様に合成して得られたトリフェニルスルホニウム ブロマイド17.2g(0.05mol)を室温遮光下で塩化メチレン100mlに溶解し、そこにドデカフルオロスベリン酸銀15.1g(0.025mol)を加え、室温で一夜撹拌反応させた。反応終了後、生じた沈殿を濾別し、母液を減圧濃縮し、酢酸エチルで結晶化させ、ビス(トリフェニルスルホニウム)ドデカフルオロスベリネートの白色結晶21.0g(収率92%)を得た。
融点:140〜141℃。
1HNMR(CDCl3)δppm:7.70〜7.88(15H, m, Ar-H)
実施例2と同様に合成して得られたトリフェニルスルホニウム ブロマイド17.2g(0.05mol)を室温遮光下で塩化メチレン100mlに溶解し、そこにテトラフルオロフタル酸銀8.60g(0.025mol)を加え、室温で一夜撹拌反応させた。反応終了後、生じた沈殿を濾別し、母液を減圧濃縮し、酢酸エチルで結晶化させ、ビス(トリフェニルスルホニウム)のテトラフルオロフタレート淡黄色結晶18.1g(収率95%)を得た。
融点:75〜78℃。
1HNMR(CDCl3)δppm:7.45〜7.58(9H, m, Ar-H)、7.86(6H, w, Ar-H)
実施例2のペンタデカフルオロオクタン酸銀の代わりにオクタンカルボン酸銀を用いた以外は実施例2と同様に反応、後処理を行い、トリフェニルスルホニル オクタノエートの無色油状物を得た。
1HNMR(CDCl3)δppm: 0.84(3H,t,CH3)、1.23(8H,br,CH2)、1.56(2H,m,CH2)、2.12(2H,t,CH2)、7.65〜7.74(9H,m,Ar-H)、7.86〜7.90(6H,m,Ar-H)
実施例2のペンタデカフルオロオクタン酸銀の代わりに安息香酸銀を用いた以外は実施例2と同様に反応、後処理を行い、トリフェニルスルホニル ベンゾエートの白色結晶を得た。
融点:136〜138℃。
1HNMR(CDCl3)δppm:7.19(3H,m,Ar-H)、7.60〜7.68(15H, m, Ar-H)、8.07(2H, w, Ar-H)
実施例2のペンタデカフルオロオクタン酸銀の代わりにトリフルオロ酢酸銀を用いた以外は実施例2と同様に反応、後処理を行い、トリフェニルスルホニル トリフルオロアセテートの白色結晶を得た。
融点:120〜122℃。
1HNMR(CDCl3)δppm:7.68〜7.82(15H, m, Ar-H)
下記の組成から成る化学増幅型レジスト組成物を調製した。
(1)ポリ[4-(1-エトキシエトキシ)スチレン/4-tert-ブトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン] [Mw:21000,Mw/Mn:2.00]
6.0g
(2)ビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタン 0.3g
(3)トリフェニルスルホニウム ヘプタフルオロブタノエート 0.1g
(4)有機塩基 0.1g
(5)界面活性剤 0.1g
(6)プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート 45.0g
実験例1の組成中、トリフェニルスルホニウム ヘプタフルオロブタノエートを下記表3のスルホニウム塩(使用量は同じ)に代えた以外は実験例1と同様にしてレジストを調製した。
実験例1の組成中、トリフェニルスルホニウム ペンタデカフルオロオクタノエートを下記、表4のスルホニウム塩(使用量は同じ)に代えてレジストを調製した。
上記実験例1〜7及び参考例1〜4で得られたレジスト組成物を使用し、以下のようにパターンを形成した。
レジスト組成物を0.1μmのメンブランフィルターで濾過し、シリコン基板上にスピンコートした後、90℃、90秒ホットプレート上でプレベークし、膜厚0.5μmのレジスト膜を得た。248nmのKrFエキシマレーザーステッパー(ニコン社製 NSR2005EX10B NA=0.55)でパターンを転写するために照射した。次いで105℃、90秒ホットプレート上でベークし、2.38%のテトラメチルアンモニウムヒドロキシドの水溶液で現像を行うことによりシリコン基板上にレジストパターンを形成した。
得られたレジストパターンを下記の様に評価し、その結果を表5に示す。
Claims (18)
- 一般式[1]
(式中、R1、R2及びR3は夫々独立してフェニル基又はパラ位に一般式[2]
(式中、R 4 はアルキル基を表す。)で示される基を置換基として有するフェニル基を表し、Yn-は一般式[6]
(式中、R 9 はフッ素原子を有する、炭素数2以上のアルキル基、アラルキル又は置換基としてアルキル基を有していてもよいフェニル基を表す。)又は一般式[6’]
(式中、Rはフッ素原子を有する、アルキレン基又はフェニレン基を表す。)で示されるフッ素原子を有する炭素数3以上のカルボン酸由来のアニオンを表し、nは1又は2を表す。但し、R1、R2及びR3がオルト位及び/又はメタ位に置換基を有するフェニル基である場合を除く。)で示される化合物(但し、トリフェニルスルホニウム ペンタフルオロプロピオネート、トリフェニルスルホニウム ヘプタフルオロブタノエート、トリフェニルスルホニウム ノナフルオロペンタノエート、トリフェニルスルホニウム 2,2,3,3- テトラフルオロノナノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロノナノエート、トリフェニルスルホニウム 2H,2H,3H,3H- パーフルオロウンデカノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロウンデカノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロドデカノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロテトラデカノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロイコサノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロシクロヘキサンカルボキシレート、トリフェニルスルホニウム ペンタフルオロベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 2- フルオロベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 4- フルオロベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 2,4,6- トリフルオロベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 4- トリフルオロメチルベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 5- フルオロ -2- メチルベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 2- フルオロ -4- トリフルオロメチルベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 4- フルオロナフタレンカルボネート、トリフェニルスルホニウム 4- フルオロフェニルアセテート、 (4- メチルフェニル ) ジフェニルスルホニウム へプタフルオロブタノエート、 (4- メチルフェニル ) ジフェニルスルホニウム パーフルオロドデカノエート、 (4- メチルフェニル ) ジフェニルスルホニウム ペンタフルオロベンゾエート、( 4- メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム 2- フルオロベンゾエート、( 4- メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム 5- フルオロ -2- メチルベンゾエート、ビス( 4- メチルフェニル)フェニルスルホニウム ノナフルオロペンタノエート、( 4-tert- ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロノナノエート、( 4-tert- ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム 2H,2H,3H,3H- パーフルオロウンデカノエート、( 4-tert- ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム 2,2,3,3- テトラフルオロウンデカノエート、( 4-tert- ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロドデカノエート、( 4-tert- ブチルフェニル)ジフェニ ルスルホニウム 2H,2H,3H,3H- パーフルオロテトラデカノエート、( 4-tert- ブチルフェニル)ジフェニルスルホニウム パーフルオロテトラデカノエート、 (4-tert- ブチルフェニル ) ジフェニルスルホニウム ペンタフルオロベンゾエート、トリス( 4-tert- ブチルフェニル)スルホニウム ヘプタフルオロブタノエート、トリス( 4-tert- ブチルフェニル)スルホニウム ノナフルオロペンタノエート、トリス( 4-tert- ブチルフェニル)スルホニウム パーフルオロノナノエート、トリス (4-tert- ブチルフェニル ) スルホニウム パーフルオロドデカノエート、トリス (4-tert- ブチルフェニル ) スルホニウム パーフルオロテトラデカノエート、トリス( 4-tert- ブチルフェニル)スルホニウム パーフルオロシクロヘキサンカルボキシレート、トリス( 4-tert- ブチルフェニル)スルホニウム ペンタフルオロベンゾエート及びトリス( 4-tert- ブチルフェニル)スルホニウム 4- フルオロベンゾエートを除く。)。 - R1、R2及びR3で表される芳香族炭化水素残基がフェニル基又は4-メチルフェニル基である請求項1に記載の化合物。
- 一般式[1]に於けるスルホニウムカチオンが、トリフェニルスルホニウムカチオン、( 4- メチルフェニル)ジフェニルスルホニウムカチオン、ジ( 4- メチルフェニル)フェニルスルホニウムカチオン又はトリ( 4- メチルフェニル)スルホニウムカチオンである、請求項1又は2に記載の化合物。
- Yn-で表されるフッ素原子を有する炭素数3以上のカルボン酸由来のアニオンに於けるカルボン酸が、飽和脂肪族モノカルボン酸、芳香族モノカルボン酸、アルキル芳香族モノカルボン酸及びアラルキルモノカルボン酸からなる群より選ばれるモノカルボン酸、又は飽和脂肪族ジカルボン酸及び芳香族ジカルボン酸からなる群より選ばれるジカルボン酸である請求項1〜3の何れかに記載の化合物。
- 飽和脂肪族モノカルボン酸がパーフルオロ飽和脂肪族モノカルボン酸である請求項4に記載の化合物。
- 一般式[6]で示される化合物がヘプタフルオロブタン酸、ペンタデカフルオロオクタン酸、o-トリフルオロメチル安息香酸、m-トリフルオロメチル安息香酸、p-トリフルオロメチル安息香酸、o-フルオロ安息香酸、m-フルオロ安息香酸、p-フルオロ安息香酸、2,4-ジフルオロ安息香酸、2,3,4,5,6-ペンタフルオロ安息香酸、4-フルオロフェニル酢酸又はパーフルオロドデカン酸であり、一般式[6’]で示される化合物がテトラフルオロコハク酸、ドデカフルオロスベリン酸又はテトラフルオロフタル酸である請求項1に記載の化合物。
- 一般式[1]で示される化合物が、トリフェニルスルホニウム ペンタデカフルオロオクタノエート、トリフェニルスルホニウム o- トリフルオロメチルベンゾエート、トリフェニルスルホニウム m- トリフルオロメチルベンゾエート、トリフェニルスルホニウム m- フルオロベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 2,4- ジフルオロベンゾエート、( 4- メチルフェニル)ジフェニルスルホニウム ペンタデカフルオロオクタノエート、ジ( 4- メチルフェニル)フェニルスルホニウム ペンタデカフルオロオクタノエート、トリ( 4- メチルフェニル)スルホニウム ペンタデカフルオロオクタノエート、ビス(トリフェニルスルホニウム) テトラフルオロサクシネート、ビス(トリフェニルスルホニウム) ドデカフルオロスベリネート又はビス(トリフェニルスルホニウム) テトラフルオロフタレートである、請求項1に記載の化合物。
- 一般式[1]で示される化合物がトリフェニルスルホニウム ペンタデカフルオロオクタノエート又はトリフェニルスルホニウム パーフルオロドデカノエートである請求項1に記載の化合物。
- 一般式[1’]
〔式中、R 1 ’、R 2 ’及びR 3 ’はフェニル基を表し、Y’ - は一般式[6]
(式中、R 9 はフッ素原子を有する、炭素数2以上のアルキル基、アラルキル又は置換基としてアルキル基を有していてもよいフェニル基を表す。)で示されるフッ素原子を有する炭素数3以上のカルボン酸由来のアニオンを表す。〕で示される化合物(但し、トリフェニルスルホニウム ペンタフルオロプロピオネート、トリフェニルスルホニウム ヘプタフルオロブタノエート、トリフェニルスルホニウム ノナフルオロペンタノエート、トリフェニルスルホニウム 2,2,3,3- テトラフルオロノナノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロノナノエート、トリフェニルスルホニウム 2H,2H,3H,3H- パーフルオロウンデカノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロウンデカノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロドデカノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロテトラデカノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロイコサノエート、トリフェニルスルホニウム パーフルオロシクロヘキサンカルボキシレート、トリフェニルスルホニウム ペンタフルオロベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 2- フルオロベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 4- フルオロベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 2,4,6- トリフルオロベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 4- トリフルオロメチルベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 5- フルオロ -2- メチルベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 2- フルオロ -4- トリフルオロメチルベンゾエート、トリフェニルスルホニウム 4- フルオロナフタレンカルボネート及びトリフェニルスルホニウム 4- フルオロフェニルアセテートを除く。)を含んで成る酸発生剤。 - 請求項9に記載の酸発生剤とジアゾジスルホン化合物とを含んで成る酸発生剤組成物。
- ジアゾジスルホン化合物がビス(1-メチルエチルスルホニル)ジアゾメタン、ビス(1,1-ジメチルエチルスルホニル)ジアゾメタン又はビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンである請求項10又は11に記載の酸発生剤組成物。
- 請求項9に記載の酸発生剤を含んで成るレジスト組成物。
- 請求項10〜12の何れかに記載の酸発生剤組成物を含んで成るレジスト組成物。
- 酸の作用を受けてアルカリ現像液に可溶となる保護基を懸垂するポリマーがポリ(p-1-エトキシエトキシスチレン/p-ヒドロキシスチレン/p-tert-ブトキシスチレン)であり、請求項9に記載の酸発生剤がトリフェニルスルホニウム パーフルオロドデカノエートであり、一般式[10]で示される化合物がビス(シクロヘキシルスルホニル)ジアゾメタンである請求項15に記載のレジスト組成物。
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US7122294B2 (en) | 2003-05-22 | 2006-10-17 | 3M Innovative Properties Company | Photoacid generators with perfluorinated multifunctional anions |
EP1649322A4 (en) | 2003-07-17 | 2007-09-19 | Honeywell Int Inc | PLANARIZATION FILMS FOR ADVANCED MICROELECTRONIC DEVICES AND APPLICATIONS AND METHODS FOR PRODUCING SAID FILMS |
EP1676835B1 (en) * | 2003-10-21 | 2014-12-10 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Process for producing triarylsulfonium salt |
US20050148679A1 (en) * | 2003-12-29 | 2005-07-07 | Chingfan Chiu | Aryl sulfonium salt, polymerizable composition and polymerization method of the same |
US7393627B2 (en) | 2004-03-16 | 2008-07-01 | Cornell Research Foundation, Inc. | Environmentally friendly photoacid generators (PAGs) with no perfluorooctyl sulfonates (PFOS) |
DE102004058584A1 (de) * | 2004-12-03 | 2006-06-08 | Basf Ag | Strahlungshärtbare Beschichtungsmassen |
US8263306B2 (en) * | 2005-04-21 | 2012-09-11 | Texas Instruments Incorporated | Use of blended solvents in defectivity prevention |
US7521170B2 (en) * | 2005-07-12 | 2009-04-21 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
EP1748057A1 (en) * | 2005-07-29 | 2007-01-31 | 3M Innovative Properties Company | Sulfonium initiators, process for production and use in cationic polymerizable compositions |
US7678528B2 (en) * | 2005-11-16 | 2010-03-16 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
WO2007124092A2 (en) | 2006-04-21 | 2007-11-01 | Cornell Research Foundation, Inc. | Photoacid generator compounds and compositions |
JP5374836B2 (ja) * | 2006-06-09 | 2013-12-25 | 住友化学株式会社 | 化学増幅型レジスト組成物の酸発生剤用の塩 |
US7491482B2 (en) * | 2006-12-04 | 2009-02-17 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
US7390613B1 (en) * | 2006-12-04 | 2008-06-24 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Photoactive compounds |
US20080187868A1 (en) * | 2007-02-07 | 2008-08-07 | Munirathna Padmanaban | Photoactive Compounds |
US8163461B2 (en) | 2008-04-09 | 2012-04-24 | Cornell Research Foundation, Inc. | Photoacid generator compounds and compositions |
KR100998503B1 (ko) | 2008-10-30 | 2010-12-07 | 금호석유화학 주식회사 | 방향족 환을 포함하는 산 발생제 |
JP5324361B2 (ja) * | 2009-08-28 | 2013-10-23 | 東京応化工業株式会社 | 表面処理剤及び表面処理方法 |
EP2580624A4 (en) * | 2010-12-24 | 2014-07-30 | Fujifilm Corp | RESIN COMPOSITION SENSITIVE TO ACTINIC RAYS OR ACTINIC IRRADIATION, FILM SENSITIVE TO ACTINIC RADIATION OR IRRADIATION MANUFACTURED THEREFROM, AND METHOD OF FORMING A PATTERN USING THE COMPOSITION |
US8614047B2 (en) * | 2011-08-26 | 2013-12-24 | International Business Machines Corporation | Photodecomposable bases and photoresist compositions |
JP6112813B2 (ja) * | 2012-09-27 | 2017-04-12 | 住友精化株式会社 | トリアリールスルホニウム塩の製造方法 |
JP6244109B2 (ja) | 2013-05-31 | 2017-12-06 | 東京応化工業株式会社 | レジスト組成物、化合物、高分子化合物及びレジストパターン形成方法 |
JP6240409B2 (ja) | 2013-05-31 | 2017-11-29 | サンアプロ株式会社 | スルホニウム塩および光酸発生剤 |
JP6059675B2 (ja) * | 2014-03-24 | 2017-01-11 | 信越化学工業株式会社 | 化学増幅型ネガ型レジスト組成物及びレジストパターン形成方法 |
TWI516520B (zh) | 2014-10-31 | 2016-01-11 | 財團法人工業技術研究院 | 波長轉換聚合物、其製法及包含其之波長轉換裝置 |
JP6583126B2 (ja) * | 2016-04-28 | 2019-10-02 | 信越化学工業株式会社 | 新規カルボン酸オニウム塩、化学増幅レジスト組成物、及びパターン形成方法 |
JP6583136B2 (ja) * | 2016-05-11 | 2019-10-02 | 信越化学工業株式会社 | 新規スルホニウム化合物及びその製造方法、レジスト組成物、並びにパターン形成方法 |
JP7057240B2 (ja) * | 2018-07-02 | 2022-04-19 | サンアプロ株式会社 | スルホニウム塩の製造方法 |
US11746085B2 (en) | 2018-10-09 | 2023-09-05 | Changzhou Tronly Advanced Electronic Materials Co., Ltd. | Triphenylsulfonium salt compound, and uses thereof |
JPWO2020175495A1 (ja) * | 2019-02-26 | 2021-11-04 | 富士フイルム株式会社 | 塩の製造方法 |
JP7149241B2 (ja) * | 2019-08-26 | 2022-10-06 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
KR20220123377A (ko) * | 2019-12-27 | 2022-09-06 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 감방사선성 수지 조성물 및 패턴 형성 방법 |
US11681220B2 (en) * | 2020-03-05 | 2023-06-20 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Resist composition and method for producing resist pattern |
Family Cites Families (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
IE42085B1 (en) * | 1974-09-18 | 1980-06-04 | Ici Ltd | Photopolymerisable compositions |
DE4006190A1 (de) * | 1990-02-28 | 1991-08-29 | Hoechst Ag | Negativ arbeitendes strahlungsempfindliches gemisch und daraus hergestelltes strahlungsempfindliches aufzeichnungsmaterial |
EP0501919A1 (de) * | 1991-03-01 | 1992-09-02 | Ciba-Geigy Ag | Strahlungsempfindliche Zusammensetzungen auf der Basis von Polyphenolen und Acetalen |
EP0601974B1 (de) * | 1992-12-04 | 1997-05-28 | OCG Microelectronic Materials Inc. | Positiv-Photoresist mit verbesserten Prozesseigenschaften |
US5558971A (en) | 1994-09-02 | 1996-09-24 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Resist material |
JP2956824B2 (ja) * | 1995-06-15 | 1999-10-04 | 東京応化工業株式会社 | ポジ型レジスト膜形成用塗布液 |
US5962180A (en) * | 1996-03-01 | 1999-10-05 | Jsr Corporation | Radiation sensitive composition |
DE69915928T2 (de) * | 1998-05-19 | 2005-04-14 | Jsr Corp. | Diazodisulfonverbindung und strahlungsempfindliche Harzzusammensetzung |
KR100279497B1 (ko) * | 1998-07-16 | 2001-02-01 | 박찬구 | 술포늄 염의 제조방법 |
KR100293266B1 (ko) * | 1999-01-19 | 2001-06-15 | 박찬구 | 술포늄염의 제조방법 |
TWI227377B (en) * | 1999-10-06 | 2005-02-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive-type resist composition |
US6723483B1 (en) | 1999-12-27 | 2004-04-20 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd. | Sulfonium salt compounds |
US6727036B2 (en) * | 1999-12-27 | 2004-04-27 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive-working radiation-sensitive composition |
JP4070393B2 (ja) * | 2000-01-17 | 2008-04-02 | 富士フイルム株式会社 | ネガ型レジスト組成物 |
TWI224713B (en) * | 2000-01-27 | 2004-12-01 | Fuji Photo Film Co Ltd | Positive photoresist composition |
US6692883B2 (en) * | 2000-04-21 | 2004-02-17 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Positive photoresist composition |
US6660446B2 (en) * | 2000-05-30 | 2003-12-09 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Heat-sensitive composition and planographic printing plate |
EP1179750B1 (en) * | 2000-08-08 | 2012-07-25 | FUJIFILM Corporation | Positive photosensitive composition and method for producing a precision integrated circuit element using the same |
-
2001
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