JP2003055341A - スルホニル構造を有する化合物、それを用いた感放射線性酸発生剤、ポジ型感放射線性樹脂組成物、及びネガ型感放射線性樹脂組成物 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 （修正有） 【課題】 遠紫外線等の活性放射線に感応する酸発生剤
として有用で、優れたレジストパターンを可能にするス
ルホニル構造を有する化合物、それを用いた感放射線性
酸発生剤並びに化学増幅型のポジ型およびネガ型の感放
射線性樹脂組成物を提供する。 【解決手段】 一般式１ ［Ｒ^１〜Ｒ^３は独立に水素、Ｃ１〜２０の置換／非置換
のアルキル若しくはアルケニル基、置換／非置換のアリ
ール若しくはヘテロアリール基を示し、Ｙは酸素、硫
黄、＝Ｎ−Ｒ^４基、＝Ｎ−ＯＲ^４基、＝Ｎ−Ｎ−Ｒ^５基
等（Ｒ^４とＲ^５はＲ^１〜Ｒ^３と同じ。）］のスルホニル
構造を有する化合物。一般式Ｉの化合物の具体例には２
−メトキシイミノ−１−インダノンオキシム−１−プロ
パンスルホネートがある。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＫｒＦエキシマレ
ーザー、ＡｒＦエキシマレーザー、Ｆ_２エキシマレーザ
ー、ＥＵＶ等の（超）遠紫外線、シンクロトロン放射線
等のＸ線、電子線等の荷電粒子線の如き各種の放射線に
よる微細加工に適した化学増幅型レジストとして使用さ
れるスルホニル構造を有する化合物、それを用いた感放
射線性酸発生剤、ポジ型感放射線性樹脂組成物、及びネ
ガ型感放射線性樹脂組成物に関する。

【０００２】

【従来の技術】集積回路素子の製造に代表される微細加
工の分野においては、より高い集積度を得るために、最
近では０．３０μｍ以下のレベルでの微細加工が可能な
リソグラフィー技術が必要とされている。しかし、従来
のリソグラフィープロセスでは、一般に放射線としてｉ
線等の近紫外線が用いられているが、この近紫外線で
は、サブクオーターミクロンレベルでの微細加工が極め
て困難であると言われている。

【０００３】そこで、０．３０μｍ以下のレベルにおけ
る微細加工を可能とするために、より波長の短い放射線
の利用が検討されている。このような短波長の放射線と
しては、例えば、水銀灯の輝線スペクトルやエキシマレ
ーザーに代表される遠紫外線、Ｘ線、電子線等を挙げる
ことができるが、これらのうち、特にＫｒＦエキシマレ
ーザー（波長２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー
（波長１９３ｎｍ）、Ｆ２エキシマレーザー（波長１５
７ｎｍ）、ＥＵＶ（波長１３ｎｍ等）、電子線等が注目
されている。

【０００４】前記短波長の放射線に適した感放射線性樹
脂組成物として、酸解離性官能基を有する成分と放射線
の照射（以下、「露光」という。）により酸を発生する
感放射線性酸発生剤との間の化学増幅効果を利用した組
成物（以下、「化学増幅型感放射線性組成物」とい
う。）が数多く提案されている。化学増幅型感放射線性
組成物としては、例えば、特公平２−２７６６０号公報
には、カルボン酸のｔ−ブチルエステル基またはフェノ
ールのｔ−ブチルカーボナート基を有する重合体と感放
射線性酸発生剤とを含有する組成物が開示されている。
この組成物は、露光により発生した酸の作用により、重
合体中に存在するｔ−ブチルエステル基あるいはｔ−ブ
チルカーボナート基が解離して、該重合体がカルボキシ
ル基やフェノール性水酸基からなる酸性基を形成し、そ
の結果、レジスト被膜の露光領域がアルカリ現像液に易
溶性となる現象を利用したものである。

【０００５】しかしながら、デバイスの設計寸法がサブ
ハーフミクロン以下であり、線幅制御をより精密に行う
必要がある場合には、解像性能が優れているだけでな
く、レジストパターン形成後の膜表面の平滑性に優れて
いることも重要となってきている。膜表面の平滑性に劣
る化学増幅型レジストを用いると、エッチングなどの処
理により、基板にレジストパターンを転写する際に、膜
表面の凹凸形状（以下、「ナノエッジラフネス」とい
う）が基板に転写されて、寸法精度が低下し、最終的に
デバイスの電気特性が損なわれることになる。（J. Pho
topolym. Sci. Tech. p571, 1998；Proc. SPIE Vol.333
3, p313 ；Proc. SPIE Vol.3333, p634 ；J.Vac.Sci. T
echnol. B16(1), 1998, p69 参照）。

【０００６】そこで、解像性能に優れ、かつナノエッジ
ラフネスの小さい、より優れた化学増幅型レジストおよ
び上記性能を発現する感放射線性酸発生剤の開発が強く
求められてきた。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、活性
放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、ＡｒＦエキシ
マレーザーあるいはＦ_２エキシマレーザー、ＥＵＶに代
表される遠紫外線、あるいは電子線に感応する酸発生剤
として、優れた熱安定性ならびに保存安定性を有し、表
面ならびに側壁の平滑性に優れたレジストパターンを得
ることができるスルホニル構造を有する化合物、それを
用いた感放射線性酸発生剤、ポジ型感放射線性樹脂組成
物、及びネガ型感放射線性樹脂組成物を提供することに
ある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、種々検討
した結果、後述する特定の化合物およびこれを用いた樹
脂組成物が上記問題を解決することができるものである
ことを見いだし、本発明に到達した。すなわち、本発明
は、第１に

【０００９】下記一般式（１）

【化６】

【００１０】［式中、Ｒ^１およびＲ^２は、独立に、水素
原子、炭素原子数１〜２０の置換若しくは非置換のアル
キル基、炭素原子数３〜２０の置換若しくは非置換の脂
環族基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、置換若し
くは非置換のアリール基、又は置換若しくは非置換のヘ
テロアリール基を示し、Ｒ³は、−Ｒ’基、−ＯＲ’
基、−ＳＲ’基または−Ｎ（Ｒ’）_２基を示し、Ｙは酸
素原子、硫黄原子、＝Ｎ−Ｒ’基、＝Ｎ−ＯＲ’基、＝
Ｎ−ＯＣ（Ｒ’）_２基、＝Ｎ−Ｎ（Ｒ’）_２基、＝Ｃ
（Ｒ’）_２基、＝Ｎ−ＯＣＯ−Ｒ’基、＝Ｎ−ＯＣＯ−
ＯＲ’基、＝Ｎ−ＯＣＯ−ＳＲ’基、＝Ｎ−ＯＣＯ−Ｎ
（Ｒ’）_２基、＝Ｎ−ＯＳＯ_２−ＯＲ’基、＝Ｎ−ＯＳ
Ｏ_２−ＳＲ’基または＝Ｎ−ＯＳＯ_２−Ｎ（Ｒ’）_２基
を示す。（ここでＲ’は、水素原子、炭素原子数１〜２
０の置換若しくは非置換のアルキル基、炭素原子数３〜
２０の置換若しくは非置換の脂環族基、炭素原子数１〜
２０のアルケニル基、置換若しくは非置換のアリール
基、又は置換若しくは非置換のヘテロアリール基を示
す。ただし、同一の窒素原子または炭素原子に結合した
２つのＲ’は、相互に結合してヘテロ原子を含んでも良
い環を形成しても良い。）ただし、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ
^３の少なくとも２つが互いに結合して下記式(２−１)、
(２−２)および（２−３）

【００１１】

【化７】 に示すように環状構造を形成していてもよく、Ｒ^１、Ｒ
^２、またはＲ^３は下記式(３−１)、(３−２)または（３
−３）

【００１２】

【化８】

【００１３】

【化９】

【００１４】

【化１０】 （式中、Ｒ^１’、Ｒ^２’、またはＲ^３’は、別々の分子
に属する２個Ｒ^１、Ｒ^２、またはＲ^３から各１個の原子
または基が解離して残基が結合して形成された形である
２価の基である。）に示すように、Ｒ^１’、Ｒ^２’、ま
たはＲ^３’となって、これらを介して二量体を形成して
いてもよい。］で表されるスルホニル構造を有する化合
物を提供する。第２に、一般式（１）で表される化合物
を含有する感放射線性酸発生剤を提供する。第３に、
（Ａ）一般式（１）で表される化合物を含有する感放射
線性酸発生剤、及び（Ｂ）酸解離性基で保護されたアル
カリ不溶性またはアルカリ難溶性樹脂であって、該酸解
離性基が解離したときにアルカリ可溶性となる樹脂を含
有してなる化学増幅型のポジ型感放射線性樹脂組成物を
提供する。第４に、（Ａ）一般式（１）で表される化合
物を含有する感放射線性酸発生剤、（Ｃ）アルカリ可溶
性樹脂、および（Ｄ）酸の存在下で前記アルカリ可溶性
樹脂を架橋し得る化合物を含有してなる化学増幅型のネ
ガ型感放射線性樹脂組成物を提供する。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下、本発明を詳細に説明する。 ［スルホニル構造を有する化合物］一般式（１）で表わ
されるスルホニル構造を有する化合物（第一発明）につ
て説明する。

【００１６】一般式（１）において、Ｒ^１およびＲ
^２は、独立に、水素原子、炭素原子数１〜２０の置換若
しくは非置換のアルキル基、炭素原子数３〜２０の置換
若しくは非置換の脂環族基、炭素原子数１〜２０のアル
ケニル基、置換若しくは非置換のアリール基、又は置換
若しくは非置換のヘテロアリール基を示し、Ｒ³は、−
Ｒ’基、−ＯＲ’基、−ＳＲ’基または−Ｎ（Ｒ’）_２
基を示し、Ｙは酸素原子、硫黄原子、＝Ｎ−Ｒ’基、＝
Ｎ−ＯＲ’基、＝Ｎ−ＯＣ（Ｒ’）_２基、＝Ｎ−Ｎ
（Ｒ’）_２基、＝Ｃ（Ｒ’）_２基、＝Ｎ−ＯＣＯ−Ｒ’
基、＝Ｎ−ＯＣＯ−ＯＲ’基、＝Ｎ−ＯＣＯ−ＳＲ’
基、＝Ｎ−ＯＣＯ−Ｎ（Ｒ’）_２基、＝Ｎ−ＯＳＯ _２−
ＯＲ’基、＝Ｎ−ＯＳＯ_２−ＳＲ’基または＝Ｎ−ＯＳ
Ｏ_２−Ｎ（Ｒ’）_２基を示す。ここでＲ’は、水素原
子、炭素原子数１〜２０の置換若しくは非置換のアルキ
ル基、炭素原子数３〜２０の置換若しくは非置換の脂環
族基、炭素原子数１〜２０のアルケニル基、置換若しく
は非置換のアリール基、又は置換若しくは非置換のヘテ
ロアリール基を示す。ただし、同一の窒素原子または炭
素原子に結合した２つのＲ’は、相互に結合してヘテロ
原子を含んでも良い環を形成しても良い。

【００１７】炭素原子数１〜２０の置換若しくは非置換
のアルキル基としては直鎖状、分岐状若しくは環状のも
の何れでもよく、これらのうち直鎖状および分岐状アル
キル基としては、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル
基、ｎ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、ｎ−ヘキシル基、
ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−ノニル基、ｎ−
デシル基、ｎ−ウンデシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ト
リデシル基、ｎ−テトラデシル基、ｎ−ペンタデシル
基、ｎ−ヘキサデシル基、ｎ−ヘプタデシル基、ｎ−オ
クタデシル基、ｎ−ノナデシル基、ｎ−エイコシル基、
ｉ−プロピル基、ｉ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ
−ブチル基、フルオロメチル基、ジフルオロメチル基、
トリフルオロメチル基、ペンタフルオロエチル基等が挙
げられる。

【００１８】炭素原子数３〜２０の置換若しくは非置換
の脂環族基としては、シクロプロピル基、シクロブチル
基、シクロペンチル基、３−フルオロシクロペンチル
基、３−トリフルオロメチルシクロペンチル基、３−メ
チルシクロペンチル基、３−メトキシシクロペンチル
基、３−カルボキシシクロペンチル基、３−メチルカル
ボニルシクロペンチル基、３−メトキシカルボニルシク
ロペンチル基、３−ジメチルアミノシクロペンチル基、
シクロヘキシル基、４−メチルシクロヘキシル基、４−
フルオロシクロヘキシル基、４−トリフルオロメチルシ
クロヘキシル基、４−メトキシシクロヘキシル基、４−
カルボキシシクロヘキシル基、４−メチルカルボニルシ
クロヘキシル基、４−メトキシカルボニルシクロヘキシ
ル基、４−ジメチルアミノシクロヘキシル基、シクロヘ
プチル基、シクロオクチル基、ノルボルニル基、ノルボ
ルニルメチル基、カンフォロイル基、イソカンフォロイ
ル基、テトラシクロドデセニル基、テトラシクロドデセ
ニルメチル基、アダマンチル基、アダマンチルメチル
基、メチルアダマンチル基、トリシクロデセニル基、ト
リシクロデセニルメチル基、メシチル基、ビシクロ
［３．３．０］オクチル基等が挙げられる。炭素原子数
１〜２０のアルケニル基としては、ビニル基、プロペニ
ル基等が挙げられる。

【００１９】置換若しくは非置換のアリール基およびヘ
テロアリール基としては、フェニル基、ベンジル基、
２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、３，４−キ
シリル基、３，５−キシリル基、ｏ−トルイル基、ｍ−
トルイル基、ｐ−トルイル基、２−フルオロフェニル
基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル
基、２−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリフル
オロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニ
ル基、２−メトキシフェニル基、３−メトキシフェニル
基、４−メトキシフェニル基、４−カルボキシフェニル
基、４−メチルカルボニルフェニル基、４−メトキシカ
ルボニルフェニル基、４−ジメチルアミノカルボニルフ
ェニル基、１−ナフチル基、４−メチル−１−ナフチル
基、４−メトキシ−１−ナフチル基、４−カルボキシル
−１−ナフチル基、２−ナフチル基、１−アントラセニ
ル基、９−アントラセニル基等が挙げられる。

【００２０】ただし、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３の少なくと
も２つが互いに結合して下記式(２−１)、(２−２)およ
び（２−３）

【化１１】 に示すように環状構造を形成していてもよく、Ｒ^１、Ｒ
^２、またはＲ^３は下記式(３−１)、(３−２)または（３
−３）

【００２１】

【化１２】

【００２２】

【化１３】

【００２３】

【化１４】 （式中、Ｒ^１’、Ｒ^２’、またはＲ^３’は、別々の分子
に属する２個Ｒ^１、Ｒ^２、またはＲ^３から各１個の原子
または基が解離して残基が結合して形成された形である
２価の基である。）に示すように、Ｒ^１’、Ｒ^２’、ま
たはＲ^３’となって、これらを介して二量体を形成して
いてもよい。

【００２４】［スルホニル構造を有する化合物の合成］
一般式（１）で表わされるにスルホニル構造を有する化
合物は次にようにして合成される。一般式（１）で表わ
されるにスルホニル構造を有する化合物は、溶媒中で塩
基の存在下、式（４）で示されるオキシム化合物と、式
（５）で示されるスルホン酸クロリドから、公知のスル
ホン酸エステルの合成法（例えば、K. Hattori, Y.Mats
umura, T. Miyazaki, K. Maruoka, and H. Yamamoto,
J. Am. Chem. Soc.1981, 103, 7368 に記載されてい
る）で合成できる。これらの反応は、通常、非プロトン
性有機溶媒、例えば、トルエン、テトラヒドロフラン、
塩化メチレン、ピリジン、ＤＭＦ、ＤＭＳＯ中で、塩基
性触媒、例えば、３級アミン（トリエチルアミン等）や
ピリジン等の存在下で行う。反応温度は、通常、−３５
〜５０℃、好ましくは、−２０〜２５℃である。

【００２５】

【化１５】 [式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３およびＹは前記のとおり。]式
（４）で示されるオキシム化合物は、公知のオキシム化
合物の合成法で合成できる。例えば式（６）で示すケト
ン化合物から合成できる。

【００２６】

【化１６】 [式中、Ｒ^１、Ｒ^２およびＹは前記のとおり。]一般式
（１）で表わされるスルホニル構造を有する化合物の好
ましい具体例として次に示すものが挙げられる。

【００２７】・Ｙが＝Ｎ−Ｒ’基、＝Ｎ−ＯＲ’基、＝
Ｎ−ＯＣ（Ｒ’）_２基、＝Ｎ−Ｎ（Ｒ’）_２基、＝Ｎ−
ＯＣＯ−Ｒ’基、＝Ｎ−ＯＣＯ−ＯＲ’基、＝Ｎ−ＯＣ
Ｏ−ＳＲ’基、＝Ｎ−ＯＣＯ−Ｎ（Ｒ’）_２基、＝Ｎ−
ＯＳＯ_２−ＯＲ’基、＝Ｎ−ＯＳＯ_２−ＳＲ’基または
＝Ｎ−ＯＳＯ_２−Ｎ（Ｒ’）_２基である場合。（ただ
し、Ｙが＝Ｎ−ＯＲ’基である場合は、Ｒ’はメチル
基、エチル基、ｔ−ブチル基またはベンジル基であるこ
とが好ましく、Ｙが＝Ｎ−ＯＣ（Ｒ’）_２基である場合
は、−Ｃ（Ｒ’）_２基の部分がテトラヒドロフラニル環
を形成している基であることが好ましく、Ｙが＝Ｎ−Ｏ
ＣＯ−Ｒ’基または＝Ｎ−ＯＣＯ−ＯＲ’基、の場合
は、Ｒ’はｔ−ブチル基であることが好ましく、Ｙが＝
Ｎ−ＯＣＯ−Ｎ（Ｒ’）_２基または＝Ｎ−ＯＳＯ_２−Ｎ
（Ｒ’）_２基の場合は、Ｒ’は、水素原子、メチル基ま
たはエチル基であることが好ましい。）

【００２８】

【００２９】・Ｙが酸素原子である場合。

【００３０】・Ｙが硫黄原子である場合。

【００３１】・Ｙが−Ｃ（Ｒ’）_２基である場合。 なお、上記式（３−１）および（３−２）で表される二
量体としては、上記化合物を二量化した化合物を全て挙
げることができる。また、上記式（３−２）で表される
二量体としては、下記式で表される化合物が好ましい。

【００３２】 なお、本発明におけるＲ^３としては、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、ｎ−ブチル基、カンフォロイル
基、トルイル基、トリフルオロメチル基、および−Ｎ
（Ｒ’）_２基として−Ｎ（ＣＨ_３）_２、基もしくは−Ｎ
Ｈ−Ｃ_２Ｈ_５基が好ましいものとして挙げられる。

【００３３】［感放射線性酸発生剤］本発明の感放射線
性酸発生剤（第２発明）は、前記一般式（１）で表わさ
れるスルホニル構造を有する化合物を含有するものであ
り、このスルホニル構造を有する化合物は１種単独でま
たは２種以上を組み合わせて使用することができる。

【００３４】［ポジ型感放射線性樹脂組成物］本発明の
ポジ型感放射線性樹脂組成物（第３発明）は、（Ａ）一
般式（１）で表される前記スルホニル構造を有する化合
物を含有する感放射線性酸発生剤、及び後述する（Ｂ）
酸解離基で保護されたアルカリ不溶性又はアルカリ難溶
性の樹脂であって、該酸解離性基が解離したときにアル
カリ可溶性となる樹脂を含有してなる。 ［ネガ型感放射線性樹脂組成物］本発明のポジ型感放射
線性樹脂組成物（第４発明）は、（Ａ）前記一般式
（１）で表わされるスルホニル構造を有する化合物を含
有する感放射線性酸発生剤、後述する（Ｃ）アルカリ可
溶性樹脂、及び後述する（Ｄ）酸の存在下で前記アルカ
リ可溶性樹脂を架橋し得る化合物（架橋剤）を含有して
なる。

【００３５】［（Ｂ）酸解離性基含有樹脂］第３発明に
おいて用いられる成分（Ｂ）は、酸解離性基で保護され
たアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の樹脂であっ
て、該酸解離性基が解離したときにアルカリ可溶性とな
る樹脂（以下、「酸解離性基含有樹脂（Ｂ）」とい
う。）である。この酸解離性基含有樹脂（Ｂ）は、フェ
ノール性水酸基、カルボキシル基等の１種以上の酸性官
能基を含有する樹脂、例えば、後述する式（９−１）〜
（９−４）で表される繰返し単位を有するアルカリ可溶
性樹脂中の酸性官能基の水素原子を、酸の存在下で解離
することができる１種以上の酸解離性基で置換した、そ
れ自体としてはアルカリ不溶性またはアルカリ難溶性の
樹脂である。ここで言う「アルカリ不溶性またはアルカ
リ難溶性」とは、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）を含有する
感放射線性樹脂組成物を用いて形成されるレジスト被膜
からレジストパターンを形成する際に採用されるアルカ
リ現像条件下で、当該レジスト被膜の代わりに酸解離性
基含有樹脂（Ｂ）のみを用いた被膜を現像した場合に、
当該被膜の初期膜厚の５０％以上が現像後に残存する性
質を意味する。

【００３６】酸解離性基含有樹脂（Ｂ）における前記酸
解離性基としては、例えば、置換メチル基、１−置換エ
チル基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、
アルコキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等
を挙げることができる。前記置換メチル基としては、例
えば、メトキシメチル基、メチルチオメチル基、エトキ
シメチル基、エチルチオメチル基、メトキシエトキシメ
チル基、ベンジルオキシメチル基、ベンジルチオメチル
基、フェナシル基、ブロモフェナシル基、メトキシフェ
ナシル基、メチルチオフェナシル基、α−メチルフェナ
シル基、シクロプロピルメチル基、ベンジル基、ジフェ
ニルメチル基、トリフェニルメチル基、ブロモベンジル
基、ニトロベンジル基、メトキシベンジル基、メチルチ
オベンジル基、エトキシベンジル基、エチルチオベンジ
ル基、ピペロニル基、メトキシカルボニルメチル基、エ
トキシカルボニルメチル基、ｎ−プロポキシカルボニル
メチル基、ｉ−プロポキシカルボニルメチル基、ｎ−ブ
トキシカルボニルメチル基、ｔ−ブトキシカルボニルメ
チル基等を挙げることができる。

【００３７】また、前記１−置換エチル基としては、例
えば、１−メトキシエチル基、１−メチルチオエチル
基、１，１−ジメトキシエチル基、１−エトキシエチル
基、１−エチルチオエチル基、１，１−ジエトキシエチ
ル基、１−エトキシプロピル基、１−プロポキシエチル
基、１−シクロヘキシルオキシエチル基、１−フェノキ
シエチル基、１−フェニルチオエチル基、１，１−ジフ
ェノキシエチル基、１−ベンジルオキシエチル基、１−
ベンジルチオエチル基、１−シクロプロピルエチル基、
１−フェニルエチル基、１，１−ジフェニルエチル基、
１−メトキシカルボニルエチル基、１−エトキシカルボ
ニルエチル基、１−ｎ−プロポキシカルボニルエチル
基、１−イソプロポキシカルボニルエチル基、１−ｎ−
ブトキシカルボニルエチル基、１−ｔ−ブトキシカルボ
ニルエチル基等を挙げることができる。

【００３８】また、前記１−分岐アルキル基としては、
例えば、ｉ−プロピル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔ−ブチ
ル基、１，１−ジメチルプロピル基、１−メチルブチル
基、１，１−ジメチルブチル基等を挙げることができ
る。また、前記シリル基としては、例えば、トリメチル
シリル基、エチルジメチルシリル基、メチルジエチルシ
リル基、トリエチルシリル基、ｉ−プロピルジメチルシ
リル基、メチルジ−ｉ−プロピルシリル基、トリ−ｉ−
プロピルシリル基、ｔ−ブチルジメチルシリル基、メチ
ルジ−ｔ−ブチルシリル基、トリ−ｔ−ブチルシリル
基、フェニルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリ
ル基、トリフェニルシリル基等のトリカルビルシリル基
を挙げることができる。

【００３９】また、前記ゲルミル基としては、例えば、
トリメチルゲルミル基、エチルジメチルゲルミル基、メ
チルジエチルゲルミル基、トリエチルゲルミル基、イソ
プロピルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｉ−プロピル
ゲルミル基、トリ−ｉ−プロピルゲルミル基、ｔ−ブチ
ルジメチルゲルミル基、メチルジ−ｔ−ブチルゲルミル
基、トリ−ｔ−ブチルゲルミル基、フェニルジメチルゲ
ルミル基、メチルジフェニルゲルミル基、トリフェニル
ゲルミル基等のトリカルビルゲルミル基を挙げることが
できる。また、前記アルコキシカルボニル基としては、
例えば、メトキシカルボニル基、エトキシカルボニル
基、ｉ−プロポキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボ
ニル基等を挙げることができる。

【００４０】また、前記アシル基としては、例えば、ア
セチル基、プロピオニル基、ブチリル基、ヘプタノイル
基、ヘキサノイル基、バレリル基、ピバロイル基、イソ
バレリル基、ラウロイル基、ミリストイル基、パルミト
イル基、ステアロイル基、オキサリル基、マロニル基、
スクシニル基、グルタリル基、アジポイル基、ピペロイ
ル基、スベロイル基、アゼラオイル基、セバコイル基、
アクリロイル基、プロピオロイル基、メタクリロイル
基、クロトノイル基、オレオイル基、マレオイル基、フ
マロイル基、メサコノイル基、カンホロイル基、ベンゾ
イル基、フタロイル基、イソフタロイル基、テレフタロ
イル基、ナフトイル基、トルオイル基、ヒドロアトロポ
イル基、アトロポイル基、シンナモイル基、フロイル
基、テノイル基、ニコチノイル基、イソニコチノイル
基、ｐ−トルエンスルホニル基、メシル基等を挙げるこ
とができる。

【００４１】さらに、前記環式酸解離性基としては、例
えば、シクロプロピル基、シクロペンチル基、シクロヘ
キシル基、シクロヘキセニル基、４−メトキシシクロヘ
キシル基、テトラヒドロピラニル基、テトラヒドロフラ
ニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テトラヒドロチ
オフラニル基、３−ブロモテトラヒドロピラニル基、４
−メトキシテトラヒドロピラニル基、４−メトキシテト
ラヒドロチオピラニル基、３−テトラヒドロチオフェン
−１，１−ジオキシド基等を挙げることができる。これ
らの酸解離性基のうち、ｔ−ブチル基、ベンジル基、１
−メトキシエチル基、１−エトキシエチル基、トリメチ
ルシリル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシ
カルボニルメチル基、テトラヒドロピラニル基、テトラ
ヒドロフラニル基、テトラヒドロチオピラニル基、テト
ラヒドロチオフラニル基等が好ましい。

【００４２】酸解離性基含有樹脂（Ｂ）における酸解離
性基の導入率（酸解離性基含有樹脂（Ｂ）中の保護され
ていない酸性官能基と酸解離性基との合計数に対する酸
解離性基の数の割合）は、酸解離性基や該基が導入され
るアルカリ可溶性樹脂の種類により一概には規定できな
いが、好ましくは１０〜１００％、さらに好ましくは１
５〜１００％である。酸解離性基含有樹脂は、例えば、
予め製造したアルカリ可溶性樹脂に１種以上の酸解離性
基を導入する方法のほか、酸解離性基を有する１種以上
の重合性不飽和単量体を、場合により１種以上の他の重
合性不飽和単量体と共に、（共）重合する方法、酸解離
性基を有する１種以上の重縮合成分を、場合により１種
以上の他の重縮合成分と共に、（共）重縮合する方法等
によって製造することができる。

【００４３】前記酸解離性基を有する重合性不飽和単量
体としては、例えば、後述する式（９−１）〜（９−
３）で表される繰返し単位に対応する単量体中のフェノ
ール性水酸基あるいはカルボキシル基の水素原子を該酸
解離性基で置換した化合物を挙げることができ、また前
記他の重合性不飽和単量体としては、例えば、後述する
アルカリ可溶性樹脂について例示した他の重合性不飽和
単量体と同様の化合物を挙げることができる。さらに、
前記酸解離性基を有する１種以上の重縮合成分として
は、例えば、後述する式（９−４）で表される繰返し単
位に対応する重縮合成分中のフェノール性水酸基の水素
原子を該酸解離性基で置換した化合物を挙げることがで
きる。

【００４４】酸解離性基含有樹脂を製造する際の酸解離
性基を有する重合性不飽和単量体のの（共）重合は、単
量体や反応媒質の種類等に応じて、ラジカル重合開始
剤、アニオン重合触媒、配位アニオン重合触媒、カチオ
ン重合触媒等の重合開始剤あるいは重合触媒を適宜に選
定し、塊状重合、溶液重合、沈澱重合、乳化重合、懸濁
重合、塊状−懸濁重合等の適宜の重合方法により実施す
ることができ、また酸解離性基を有する重縮合成分の
（共）縮合は、酸性触媒の存在下、水媒質中または水と
親水性溶媒との混合媒質中で（共）重縮合することによ
って製造することができる。

【００４５】酸解離性基含有樹脂には、場合により、重
合性不飽和結合を２つ以上有する多官能性単量体を用い
て、分岐構造を導入することもできる。このような多官
能性単量体としては、例えば、特開平８−３１６８８８
に記載されているような多官能性（メタ）アクリレート
類や、ジビニルベンゼン、ジイソプロペニルベンゼン等
の多官能性芳香族ビニル化合物等を挙げることができ
る。前記多官能性単量体は、単独でまたは２種以上を混
合して使用することができる。多官能性単量体として、
例えば、１，１−ジメチルエチレングリコールのジ（メ
タ）アクリレートを用いる場合、下記式（７）で表され
る酸解離性の分岐構造が酸解離性基含有樹脂に導入され
る。

【００４６】

【化１７】 また、酸解離性基含有樹脂がフェノール性水酸基を有す
る場合、該フェノール性水酸基と１種以上のジビニルエ
ーテル化合物とを反応させることにより、アセタール性
架橋基による分岐構造を酸解離性基含有樹脂に導入する
ことができる。

【００４７】このような分岐構造を与えるジビニルエー
テル化合物としては、例えば、エチレングリコールジビ
ニルエーテル、ジエチレングリコールジビニルエーテ
ル、シクロヘキサン−１，４−ジメタノールジビニルエ
ーテル等を挙げることができる。前記アセタール性架橋
基による分岐構造の例としては、下記式（８）で表され
る酸解離性の分岐構造を挙げることができる。

【００４８】

【化１８】 〔式（８）において、Ｚは２価の有機基を示す。〕

【００４９】酸解離性基含有樹脂中における多官能性単
量体および／またはアセタール性架橋基による分岐構造
の導入率は、該分岐構造やそれが導入される酸解離性基
含有樹脂の種類により一概には規定できないが、全繰返
し単位に対して、１０モル％以下であることが好まし
い。

【００５０】第３発明における酸解離性基含有樹脂とし
ては、特に、ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェ
ノール性水酸基の水素原子の一部または全部を前記酸解
離性基で置換した樹脂、ｐ−ヒドロキシスチレンおよび
／またはｐ−ヒドロキシ−α−メチルスチレンと（メ
タ）アクリル酸との共重合体中のフェノール性水酸基の
水素原子および／またはカルボキシル基の水素原子の一
部または全部を前記酸解離性基で置換した樹脂や、これ
らの樹脂に前記分岐構造を導入した樹脂等が好ましい。

【００５１】酸解離性基含有樹脂のゲルパーミエーショ
ンクロマトグラフィーで測定したポリスチレン換算重量
分子量（以下、「Ｍｗ」という。）は、次のとおりであ
る。分岐構造をもたない酸解離性基含有樹脂の場合、Ｍ
ｗは、好ましくは１，０００〜１５０，０００、さらに
好ましくは３，０００〜１００，０００である。また、
分岐構造を有する酸解離性基含有樹脂の場合、Ｍｗは、
好ましくは５，０００〜５００，０００、さらに好まし
くは８，０００〜３００，０００である。酸解離性基含
有樹脂は、単独でまたは２種以上を混合して使用するこ
とができる。

【００５２】［（Ｃ）アルカリ可溶性樹脂］第４発明に
おいて成分（Ｃ）として使用されるアルカリ可溶性樹脂
（以下、「アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）」という）は、ア
ルカリ現像液と親和性を示す官能基、例えば、フェノー
ル性水酸基、カルボキシル基等の酸性官能基を１種以上
有する、アルカリ現像液に可溶な樹脂である。アルカリ
可溶性樹脂（Ｃ）としては、例えば、下記式（９−１）
〜（９−３）で表される繰返し単位を１種以上有する付
加重合系樹脂、下記式（９−４）で表される繰返し単位
を１種以上有する重縮合系樹脂等を挙げることができ
る。

【００５３】

【化１９】 〔式（９−１）において、Ｒ¹²は水素原子またはメチル
基を示し、Ｒ¹³は-OH 、-COOH 、 -R¹⁴COOH 、-OR¹⁴OOH
または-OCOR¹⁴COOH（但し、R¹⁴ は -(CH₂)g-を示し、ｇ
は１〜４の整数である。）を示す。〕

【００５４】

【化２０】 〔式（９−２）において、Ｒ¹⁵は水素原子またはメチル
基を示す。〕

【００５５】

【化２１】

【００５６】

【化２２】 〔式（９−４）において、Ｒ¹⁶、Ｒ¹⁷、Ｒ¹⁸、Ｒ¹⁹およ
びＲ²⁰は独立に水素原子または炭素原子数１〜４のアル
キル基を示す。〕

【００５７】アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）が付加重合系樹
脂の場合、前記式（９−１）〜（９−３）で表される繰
返し単位のみから構成されていてもよいが、生成した樹
脂がアルカリ現像液に可溶である限りでは、他の繰返し
単位をさらに有することもできる。このような他の繰返
し単位としては、例えば、スチレン、α−メチルスチレ
ン、無水マレイン酸、（メタ）アクリロニトリル、クロ
トンニトリル、マレインニトリル、フマロニトリル、メ
サコンニトリル、シトラコンニトリル、イタコンニトリ
ル、（メタ）アクリルアミド、クロトンアミド、マレイ
ンアミド、フマルアミド、メサコンアミド、シトラコン
アミド、イタコンアミド、ビニルアニリン、ビニルピリ
ジン、ビニル−ε−カプロラクタム、ビニルピロリド
ン、ビニルイミダゾール等の重合性二重結合を有する単
量体の重合性二重結合部分が付加重合に参加して生成す
る単位を挙げることができる。

【００５８】前記付加重合系樹脂は、例えば式（９−
１）〜（９−３）で表される繰返し単位に対応する各単
量体の１種以上を、場合により前記他の繰返し単位に対
応する単量体とともに、（共）重合することにより製造
することができる。これらの（共）重合は、単量体、反
応媒質の種類等に応じて、ラジカル重合開始剤、アニオ
ン重合触媒、配位アニオン重合触媒、カチオン重合触媒
等の重合開始剤あるいは重合触媒を適宜に選定し、塊状
重合、溶液重合、沈澱重合、乳化重合、懸濁重合、塊状
−懸濁重合等の適宜の従来公知である重合方法により実
施することができる。

【００５９】また、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）が重縮合
系樹脂の場合、前記式（９−４）で表される繰返し単位
のみから構成されていてもよいが、生成した樹脂がアル
カリ現像液に可溶である限りでは、他の繰返し単位をさ
らに有することもできる。このような重縮合系樹脂は、
式（９−４）で表される繰返し単位に対応する１種以上
のフェノール類と１種以上のアルデヒド類とを、場合に
より他の繰返し単位を形成し得る重縮合成分とともに、
酸性触媒の存在下、水媒質中または水と親水性溶剤との
混合媒質中で（共）重縮合することによって製造するこ
とができる。

【００６０】前記フェノール類としては、例えば、ｏ−
クレゾール、ｍ−クレゾール、ｐ−クレゾール、２，３
−キシレノール、２，４−キシレノール、２，５−キシ
レノール、３，４−キシレノール、３，５−キシレノー
ル、２，３，５−トリメチルフェノール、３，４，５−
トリメチルフェノール等を挙げることができ、また前記
アルデヒド類としては、例えば、ホルムアルデヒド、ト
リオキサン、パラホルムアルデヒド、ベンズアルデヒ
ド、アセトアルデヒド、プロピルアルデヒド、フェニル
アセトアルデヒド等を挙げることができる。

【００６１】アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）中の式（９−
１）〜（９−４）で表される繰返し単位の含有率は、場
合により含有される前記他の繰返し単位の種類により一
概に規定できないが、好ましくは１０〜１００モル％、
さらに好ましくは２０〜１００モル％である。アルカリ
可溶性樹脂（Ｃ）のＭｗは、感放射線性樹脂組成物の所
望の特性に応じて変化するが、好ましくは１，０００〜
１５０，０００、さらに好ましくは３，０００〜１０
０，０００である。また、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）の
Ｍｗ／Ｍｎは、通常、１〜１０、好ましくは１〜５であ
る。

【００６２】アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）は、式（９−
１）、式（９−４）等で表されるような炭素−炭素不飽
和結合を含有する繰返し単位を有する場合、水素添加物
として用いることもできる。この場合の水素添加率は、
式（９−１）、式（９−４）等で表される繰返し単位中
に含まれる炭素−炭素不飽和結合の、通常、７０％以
下、好ましくは５０％以下、さらに好ましくは４０％以
下である。この場合、水素添加率が７０％を超えると、
アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）のアルカリ現像液による現像
特性が低下するおそれがある。アルカリ可溶性樹脂
（Ｃ）としては、特に、ポリ（ヒドロキシスチレン）、
ヒドロキシスチレン／ヒドロキシ−α−メチルスチレン
共重合体、ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体等を
主成分とする樹脂が好ましい。アルカリ可溶性樹脂
（Ｃ）は、１種単独でまたは２種以上を混合して使用す
ることができる。

【００６３】［（Ｄ）架橋剤］第４発明において用いら
れる成分（Ｄ）は、酸、例えば露光により生じた酸の存
在下で、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）を架橋し得る化合物
（以下、「架橋剤（Ｄ）」という。）である。架橋剤
（Ｄ）としては、例えば、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）と
の架橋反応性を有する１種以上の置換基（以下、「架橋
性置換基」という。）を有する化合物を挙げることがで
きる。架橋剤（Ｄ）における前記架橋性置換基として
は、例えば、下記式（１０−１）〜（１０−５）で表さ
れる基を挙げることができる。

【００６４】

【化２３】 〔式（１０−１）において、ｋは１または２であり、Q¹
は、ｋ＝１のとき、単結合、-O- 、-S- 、-COO- もしく
は-NH-を示すか、またはｋ＝２のとき、３価の窒素原子
を示し、Q²は-O- または-S- を示し、i は０〜３の整
数、j は１〜３の整数で、i ＋ j＝１〜４である。〕

【００６５】

【化２４】 〔式（１０−２）において、Q³は-O- 、-COO- または-C
O-を示し、R²¹ およびR²² は独立に水素原子または炭素
原子数１〜４のアルキル基を示し、R²³ は炭素原子数１
〜５のアルキル基、炭素原子数６〜１２のアリール基ま
たは炭素原子数７〜１４のアラルキル基を示し、y は１
以上の整数である。〕

【００６６】

【化２５】 〔式（１０−３）において、R²⁴ 、R²⁵ およびR²⁶ は独
立に水素原子または炭素原子数１〜４のアルキル基を示
す。〕

【００６７】

【化２６】 〔式（１０−４）において、R²¹ およびR²² は式（１０
−２）のR²¹ およびR²²と同義であり、R²⁷ およびR²⁸
は独立に炭素原子数１〜５のアルキロイル基を示し、y
は１以上の整数である。〕

【００６８】

【化２７】 〔式（１０−５）において、R²¹ およびR²² は式（１０
−２）のR²¹ およびR²²と同義であり、R²⁹ は酸素原
子、硫黄原子または窒素原子のいずれかのヘテロ原子を
有し、３〜８員環を形成する２価の有機基を示し、y は
１以上の整数である。）

【００６９】このような架橋性置換基の具体例として
は、グリシジルオキシ基、グリシジルオキシカルボニル
基、グリシジルアミノ基、メトキシメチル基、エトキシ
メチル基、ベンジルオキシメチル基、ジメチルアミノメ
チル基、ジエチルアミノメチル基、ジメチロールアミノ
メチル基、ジエチロールアミノメチル基、モルホリノメ
チル基、アセトキシメチル基、ベンゾイロキシメチル
基、ホルミル基、アセチル基、ビニル基、イソプロペニ
ル基等を挙げることができる。

【００７０】架橋剤（Ｄ）としては、上記の架橋性置換
基を有する、例えば、ビスフェノールＡ系エポキシ化合
物、ビスフェノールＦ系エポキシ化合物、ビスフェノー
ルＳ系エポキシ化合物、ノボラック樹脂系エポキシ化合
物、レゾール樹脂系エポキシ化合物、ポリ（ヒドロキシ
スチレン）系エポキシ化合物、メチロール基含有メラミ
ン化合物、メチロール基含有ベンゾグアナミン化合物、
メチロール基含有尿素化合物、メチロール基含有フェノ
ール化合物、アルコキシアルキル基含有メラミン化合
物、アルコキシアルキル基含有ベンゾグアナミン化合
物、アルコキシアルキル基含有尿素化合物、アルコキシ
アルキル基含有フェノール化合物、カルボキシメチル基
含有メラミン樹脂、カルボキシメチル基含有ベンゾグア
ナミン樹脂、カルボキシメチル基含有尿素樹脂、カルボ
キシメチル基含有フェノール樹脂、カルボキシメチル基
含有メラミン化合物、カルボキシメチル基含有ベンゾグ
アナミン化合物、カルボキシメチル基含有尿素化合物、
カルボキシメチル基含有フェノール化合物等を挙げるこ
とができる。

【００７１】これら架橋剤（Ｄ）のうち、メチロール基
含有フェノール化合物、メトキシメチル基含有メラミン
化合物、メトキシメチル基含有フェノール化合物、メト
キシメチル基含有グリコールウリル化合物、メトキシメ
チル基含有ウレア化合物およびアセトキシメチル基含有
フェノール化合物が好ましく、さらに好ましくはメトキ
シメチル基含有メラミン化合物（例えばヘキサメトキシ
メチルメラミン等）、メトキシメチル基含有グリコール
ウリル化合物、メトキシメチル基含有ウレア化合物等で
ある。メトキシメチル基含有メラミン化合物は、ＣＹＭ
ＥＬ３００、ＣＹＭＥＬ３０１、ＣＹＭＥＬ３０３、Ｃ
ＹＭＥＬ３０５（三井サイアナミッド（株）製）等の商
品名で、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物
はＣＹＭＥＬ１１７４（三井サイアナミッド（株）製）
等の商品名で、またメトキシメチル基含有ウレア化合物
は、ＭＸ２９０（三和ケミカル（株）製）等の商品名で
市販されている。

【００７２】架橋剤（Ｄ）としては、さらに、アルカリ
可溶性樹脂（Ｃ）中の酸性官能基に前記架橋性置換基を
導入し、架橋剤（Ｄ）としての性質を付与した化合物も
好適に使用することができる。その場合の架橋性官能基
の導入率は、架橋性官能基や該基が導入されるアルカリ
可溶性樹脂（Ｃ）の種類により一概には規定できない
が、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）中の全酸性官能基に対し
て、通常、５〜６０モル％、好ましくは１０〜５０モル
％、さらに好ましくは１５〜４０モル％である。この場
合、架橋性官能基の導入率が５モル％未満では、残膜率
の低下、パターンの蛇行や膨潤等を来たしやすくなる傾
向があり、一方６０モル％を超えると、現像性が悪化す
る傾向がある。

【００７３】第４発明における架橋剤（Ｄ）としては、
特に、メトキシメチル基含有グリコールウリル化合物、
メトキシメチル基含有ウレア化合物、具体的には、テト
ラメトキシメチルグリコールウリル、ジメトキシメチル
ウレア等が好ましい。第４発明において、架橋剤（Ｄ）
は、１種単独でまたは２種以上を混合して使用すること
ができる。

【００７４】第３発明のポジ型感放射線性樹脂組成物を
構成する各成分の配合割合も第４発明のネガ型感放射線
性樹脂組成物を構成する各成分の配合割合も、レジスト
の所望の特性に応じて変化するが、それらの例を示す
と、次のとおりである。第３発明における酸発生剤
（Ａ）の配合量は、酸解離性基含有樹脂（Ｂ）１００重
量部に対して、通常、０．００１〜７０重量部、好まし
くは０．０１〜５０重量部、特に好ましくは０．１〜２
０重量部である。この場合、酸発生剤（Ａ）の配合量が
０．００１重量部未満では、感度および解像度が低下す
る傾向があり、一方７０重量部を超えると、レジストの
塗布性やパターン形状の劣化を来しやすくなる傾向があ
る。

【００７５】次に、第４発明において、酸発生剤（Ａ）
の配合量は、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）１００重量部に
対して、通常、０．００１〜７０重量部、好ましくは
０．０１〜５０重量部、特に好ましくは０．１〜２０重
量部である。この場合、酸発生剤（Ａ）の配合量が０．
００１重量部未満では、感度および解像度が低下する傾
向があり、一方７０重量部を超えると、レジストの塗布
性やパターン形状の劣化を来しやすくなる傾向がある。
また、架橋剤（Ｄ）の配合量は、アルカリ可溶性樹脂
（Ｃ）１００重量部に対して、通常、５〜９５重量部、
好ましくは１５〜８５重量部、特に好ましくは２０〜７
５重量部である。この場合、架橋剤（Ｄ）の配合量が５
重量部未満では、残膜率の低下、パターンの蛇行や膨潤
等を来しやすくなる傾向があり、一方９５重量部を超え
ると、現像性が低下する傾向がある。

【００７６】第３発明のポジ型感放射線性樹脂組成物お
よび第４発明のネガ型感放射線性樹脂組成物には、必要
に応じて、酸発生剤（Ａ）以外の感放射線性酸発生剤
（以下、「他の酸発生剤」という。）、酸拡散制御剤、
界面活性剤、増感剤等の各種の添加剤を配合することが
できる。また、第３発明のポジ型感放射線性樹脂組成物
に対しては、さらにアルカリ可溶性樹脂（Ｃ）および／
または酸解離性の保護基を有する低分子のアルカリ溶解
性制御剤を配合することができ、また第４発明のネガ型
感放射線性樹脂組成物に対しては、さらに酸解離性基含
有樹脂（Ｂ）を配合することができる。

【００７７】［他の酸発生剤］前記他の酸発生剤として
は、例えば、スルホンイミド化合物、オニウム塩化合
物、スルホン化合物、スルホン酸エステル化合物、ジス
ルホニルジアゾメタン化合物、ジスルホニルメタン化合
物、オキシムスルホネート化合物、ヒドラジンスルホネ
ート化合物等を挙げることができる。以下に、これらの
他の酸発生剤の例を示す。

【００７８】スルホンイミド化合物；スルホンイミド化
合物としては、例えば、Ｎ−（１０−カンファースルホ
ニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（１０−カンファー
スルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（１０−カンフ
ァースルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−
（１０−カンファースルホニルオキシ）ビシクロ［２．
２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（１０−カンファースルホニルオキシ）−７−
オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，
３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０−カンファースル
ホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，
６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（１０
−カンファースルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【００７９】Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ｎ−オクタンスルホニルオキシ）ナフチ
ルイミド、

【００８０】Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ス
クシンイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
フタルイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）
ジフェニルマレイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニル
オキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−
２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスル
ホニルオキシ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘ
プト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシ
イミド、Ｎ−（ｐ−トルエンスルホニルオキシ）ナフチ
ルイミド、

【００８１】Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（２ートリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（２−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【００８２】Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホニルオキシ）スクシンイミド、Ｎ−（４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホニルオキシ）フタルイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．
１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、
Ｎ−（４−トリフルオロメチルベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフ
ルオロメチルベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（４−トリフルオロメチルベン
ゼンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、

【００８３】Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオ
キシ）スクシンイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンス
ルホニルオキシ）フタルイミド、Ｎ−（パーフルオロベ
ンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマレイミド、Ｎ−
（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（パーフルオ
ロベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］
ヘプタン−５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミ
ド、Ｎ−（パーフルオロベンゼンスルホニルオキシ）ナ
フチルイミド、

【００８４】Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）スク
シンイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）フタ
ルイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）ジフェ
ニルマレイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキシ）
ビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジ
カルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレンスルホニルオキ
シ）−７−オキサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−
エン−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ナフタレン
スルホニルオキシ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−
５，６−オキシ−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−
（ナフタレンスルホニルオキシ）ナフチルイミド、Ｎ−
〔（５−メチル−５−メトキシカルボニルビシクロ
［２．２．１］ヘプタン−２−イル）スルホニルオキ
シ〕スクシンイミド、Ｎ−〔（５−メチル−５−メトキ
シカルボニルビシクロ［２．２．１］ヘプタン−２−イ
ル）スルホニルオキシ〕ビシクロ［２．２．１］ヘプト
−５−エン−２，３−ジカルボキシイミド、

【００８５】Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）スクシ
ンイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）フタルイ
ミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ジフェニルマ
レイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）ビシクロ
［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３−ジカルボキ
シイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキシ）−７−オ
キサビシクロ［２．２．１］ヘプト−５−エン−２，３
−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホニルオキ
シ）ビシクロ［２．２．１］ヘプタン−５，６−オキシ
−２，３−ジカルボキシイミド、Ｎ−（ベンゼンスルホ
ニルオキシ）ナフチルイミド等を挙げることができる。

【００８６】オニウム塩化合物：オニウム塩化合物とし
ては、例えば、ヨードニウム塩、スルホニウム塩、ホス
ホニウム塩、ジアゾニウム塩、アンモニウム塩、ピリジ
ニウム塩等を挙げることができる。

【００８７】オニウム塩化合物の具体例としては、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムピレンスルホ
ネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブ
チルフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネー
ト、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムベン
ゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨ
ードニウム１０−カンファースルホネート、ビス（４−
ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、ビス（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ビス
（４−ｔ−ブチルフェニル）ヨードニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、ビス（４−ｔ−ブチ
ルフェニル）ヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホ
ネート、

【００８８】ジフェニルヨードニウムピレンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスル
ホネート、ジフェニルヨードニウムｐ−トルエンスルホ
ネート、ジフェニルヨードニウムベンゼンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウム１０−カンファースルホネ
ート、ジフェニルヨードニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、ジフェニルヨードニウム２−トリフルオロメチルベ
ンゼンスルホネート、ジフェニルヨードニウム４−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホネート、ジフェニルヨー
ドニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００８９】ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムピレンス
ルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−ドデ
シルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨード
ニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）
ヨードニウムベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイ
ル）ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジ
（ｐ−トルイル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウム２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ジ（ｐ−トルイル）ヨー
ドニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、ジ（ｐ−トルイル）ヨードニウムパーフルオロベン
ゼンスルホネート、

【００９０】ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニ
ウムピレンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、
ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｐ−トル
エンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨ
ードニウムベンゼンスルホネート、ジ（３，４−ジメチ
ルフェニル）ヨードニウム１０−カンファースルホネー
ト、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムｎ−
オクタンスルホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニ
ル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスル
ホネート、ジ（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（３，４−ジメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、

【００９１】４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムピレンスルホネート、４−ニトロフェニル・フェニル
ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、４−
ニトロフェニル・フェニルヨードニウムｐ−トルエンス
ルホネート、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウ
ムベンゼンスルホネート、４−ニトロフェニル・フェニ
ルヨードニウム１０−カンファースルホネート、４−ニ
トロフェニル・フェニルヨードニウムｎ−オクタンスル
ホネート、４−ニトロフェニル・フェニルヨードニウム
２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ニ
トロフェニル・フェニルヨードニウム４−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、４−ニトロフェニル・フ
ェニルヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネー
ト、

【００９２】ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムピ
レンスルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニ
ウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（３−ニト
ロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、
ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホ
ネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウム１０−
カンファースルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨ
ードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（３−ニトロ
フェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホネート、ジ（３−ニトロフェニル）ヨードニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（３−ニトロフェニル）ヨードニウムパーフルオロベン
ゼンスルホネート、

【００９３】４−メトキシフェニル・フェニルヨードニ
ウムピレンスルホネート、４−メトキシフェニル・フェ
ニルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、
４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムｐ−トル
エンスルホネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨ
ードニウムベンゼンスルホネート、４−メトキシフェニ
ル・フェニルヨードニウム１０−カンファースルホネー
ト、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウムｎ−
オクタンスルホネート、４−メトキシフェニル・フェニ
ルヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ネート、４−メトキシフェニル・フェニルヨードニウム
４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−メ
トキシフェニル・フェニルヨードニウムパーフルオロベ
ンゼンスルホネート、

【００９４】ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムピ
レンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニ
ウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ（４−クロ
ロフェニル）ヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、
ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホ
ネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウム１０−
カンファースルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨ
ードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（４−クロロ
フェニル）ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホネート、ジ（４−クロロフェニル）ヨードニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ
（４−クロロフェニル）ヨードニウムパーフルオロベン
ゼンスルホネート、

【００９５】ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウムピレンスルホネート、ジ（４−トリフルオロ
メチルフェニル）ヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンス
ルホネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨ
ードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ（４−トリフ
ルオロメチルフェニル）ヨードニウムベンゼンスルホネ
ート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニ
ウム１０−カンファースルホネート、ジ（４−トリフル
オロメチルフェニル）ヨードニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨード
ニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ジ（４−トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、ジ（４−
トリフルオロメチルフェニル）ヨードニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウムトリ
フルオロメタンスルホネート、ジナフチルヨードニウム
ノナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート、ジナフチルヨ
ードニウムパーフルオロ−ｎ−オクタンスルホネート、
ジナフチルヨードニウムピレンスルホネート、ジナフチ
ルヨードニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、ジ
ナフチルヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、ジナ
フチルヨードニウムベンゼンスルホネート、ジナフチル
ヨードニウム１０−カンファースルホネート、ジナフチ
ルヨードニウムｎ−オクタンスルホネート、ジナフチル
ヨードニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネ
ート、ジナフチルヨードニウム４−トリフルオロメチル
ベンゼンスルホネート、ジナフチルヨードニウムパーフ
ルオロベンゼンスルホネート、

【００９６】ビフェニレンヨードニウムピレンスルホネ
ート、ビフェニレンヨードニウムｎ−ドデシルベンゼン
スルホネート、ビフェニレンヨードニウムｐ−トルエン
スルホネート、ビフェニレンヨードニウムベンゼンスル
ホネート、ビフェニレンヨードニウム１０−カンファー
スルホネート、ビフェニレンヨードニウムｎ−オクタン
スルホネート、ビフェニレンヨードニウム２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、ビフェニレンヨード
ニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
ビフェニレンヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホ
ネート、

【００９７】２−クロロビフェニレンヨードニウムピレ
ンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウム
ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェ
ニレンヨードニウムｐ−トルエンスルホネート、２−ク
ロロビフェニレンヨードニウムベンゼンスルホネート、
２−クロロビフェニレンヨードニウム１０−カンファー
スルホネート、２−クロロビフェニレンヨードニウムｎ
−オクタンスルホネート、２−クロロビフェニレンヨー
ドニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、２−クロロビフェニレンヨードニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、２−クロロビフェニ
レンヨードニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【００９８】トリフェニルスルホニウムピレンスルホネ
ート、トリフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼン
スルホネート、トリフェニルスルホニウムｐ−トルエン
スルホネート、トリフェニルスルホニウムベンゼンスル
ホネート、トリフェニルスルホニウム１０−カンファー
スルホネート、トリフェニルスルホニウムｎ−オクタン
スルホネート、トリフェニルスルホニウム２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、トリフェニルスルホ
ニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロアンチモネー
ト、トリフェニルスルホニウムナフタレンスルホネー
ト、トリフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンス
ルホネート、

【００９９】４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスル
ホニウムピレンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル
・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホ
ネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニ
ル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、４
−ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム１０−
カンファースルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・ジ
フェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、４−
ｔ−ブチルフェニル・ジフェニルスルホニウム２−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチル
フェニル・ジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメ
タンベンゼンスルホネート、４−ｔ−ブチルフェニル・
ジフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、

【０１００】４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウムピレンスルホネート、４−ｔ−ブトキシフェ
ニル・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンス
ルホネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルス
ルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ｔ−ブトキ
シフェニル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネ
ート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニ
ウム１０−カンファースルホネート、４−ｔ−ブトキシ
フェニル・ジフェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホ
ネート、４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホ
ニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、
４−ｔ−ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウム４
−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ｔ−
ブトキシフェニル・ジフェニルスルホニウムパーフルオ
ロベンゼンスルホネート、

【０１０１】４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスル
ホニウムピレンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル
・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホ
ネート、４−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニ
ウムｐ−トルエンスルホネート、４−ヒドロキシフェニ
ル・ジフェニルスルホニウムベンゼンスルホネート、４
−ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム１０−
カンファースルホネート、４−ヒドロキシフェニル・ジ
フェニルスルホニウムｎ−オクタンスルホネート、４−
ヒドロキシフェニル・ジフェニルスルホニウム２−トリ
フルオロメチルベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシ
フェニル・ジフェニルスルホニウム４−トリフルオロメ
チルベンゼンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・
ジフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネ
ート、

【０１０２】トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ムピレンスルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）
スルホニウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、トリ
（４−メトキシフェニル）スルホニウムｐ−トルエンス
ルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ムベンゼンスルホネート、トリ（４−メトキシフェニ
ル）スルホニウム１０−カンファースルホネート、トリ
（４−メトキシフェニル）スルホニウムｎ−オクタンス
ルホネート、トリ（４−メトキシフェニル）スルホニウ
ム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、トリ
（４−メトキシフェニル）スルホニウム４−トリフルオ
ロメチルベンゼンスルホネート、トリ（４−メトキシフ
ェニル）スルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネー
ト、

【０１０３】ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−トルイ
ルスルホニウムピレンスルホネート、ジ（４−メトキシ
フェニル）・ｐ−トルイルスルホニウムｎ−ドデシルベ
ンゼンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ
−トルイルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、ジ
（４−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム
ベンゼンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）・
ｐ−トルイルスルホニウム１０−カンファースルホネー
ト、ジ（４−メトキシフェニル）・ｐ−トルイルスルホ
ニウムｎ−オクタンスルホネート、ジ（４−メトキシフ
ェニル）・ｐ−トルイルスルホニウム２−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニ
ル）・ｐ−トルイルスルホニウム４−トリフルオロメチ
ルベンゼンスルホネート、ジ（４−メトキシフェニル）
・ｐ−トルイルスルホニウムパーフルオロベンゼンスル
ホネート、

【０１０４】フェニル・テトラメチレンスルホニウムピ
レンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニ
ウムｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、フェニル・テ
トラメチレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、
フェニル・テトラメチレンスルホニウムベンゼンスルホ
ネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウム１０−
カンファースルホネート、フェニル・テトラメチレンス
ルホニウムｎ−オクタンスルホネート、フェニル・テト
ラメチレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼ
ンスルホネート、フェニル・テトラメチレンスルホニウ
ム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホネート、フェ
ニル・テトラメチレンスルホニウムパーフルオロベンゼ
ンスルホネート、

【０１０５】４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレン
スルホニウムピレンスルホネート、４−ヒドロキシフェ
ニル・テトラメチレンスルホニウムｎ−ドデシルベンゼ
ンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチ
レンスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、４−ヒド
ロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムベンゼン
スルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレ
ンスルホニウム１０−カンファースルホネート、４−ヒ
ドロキシフェニル・テトラメチレンスルホニウムｎ−オ
クタンスルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラ
メチレンスルホニウム２−トリフルオロメチルベンゼン
スルホネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレ
ンスルホニウム４−トリフルオロメチルベンゼンスルホ
ネート、４−ヒドロキシフェニル・テトラメチレンスル
ホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１０６】フェニル・ビフェニレンスルホニウムピレ
ンスルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウム
ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート、フェニル・ビフェ
ニレンスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、フェニ
ル・ビフェニレンスルホニウムベンゼンスルホネート、
フェニル・ビフェニレンスルホニウム１０−カンファー
スルホネート、フェニル・ビフェニレンスルホニウムｎ
−オクタンスルホネート、フェニル・ビフェニレンスル
ホニウム２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト、フェニル・ビフェニレンスルホニウム４−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、フェニル・ビフェニ
レンスルホニウムパーフルオロベンゼンスルホネート、

【０１０７】（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニ
ルスルホニウムピレンスルホネート、（４−フェニルチ
オフェニル）・ジフェニルスルホニウムｎ−ドデシルベ
ンゼンスルホネート、（４−フェニルチオフェニル）・
ジフェニルスルホニウムｐ−トルエンスルホネート、
（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルスルホニウ
ムベンゼンスルホネート、（４−フェニルチオフェニ
ル）・ジフェニルスルホニウム１０−カンファースルホ
ネート、（４−フェニルチオフェニル）・ジフェニルス
ルホニウムｎ−オクタンスルホネート、（４−フェニル
チオフェニル）・ジフェニルスルホニウム２−トリフル
オロメチルベンゼンスルホネート、（４−フェニルチオ
フェニル）・ジフェニルスルホニウム４−トリフルオロ
メチルベンゼンスルホネート、（４−フェニルチオフェ
ニル）・ジフェニルスルホニウムパーフルオロベンゼン
スルホネート、

【０１０８】４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフ
ェニル）スルフィドジ（ピレンスルホネート）、４，
４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィ
ドジ（ｎ−ドデシルベンゼンスルホネート）、４，４’
−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ
（ｐ−トルエンスルホネート）、４，４’−ビス（ジフ
ェニルスルホニオフェニル）スルフィドジ（ベンゼンス
ルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオ
フェニル）スルフィドジ（１０−カンファースルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（ｎ−オクタンスルホネート）、４，
４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニル）スルフィ
ドジ（２−トリフルオロメチルベンゼンスルホネー
ト）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオフェニ
ル）スルフィドジ（４−トリフルオロメチルベンゼンス
ルホネート）、４，４’−ビス（ジフェニルスルホニオ
フェニル）スルフィドジ（パーフルオロベンゼンスルホ
ネート）等を挙げることができる。

【０１０９】スルホン化合物：スルホン化合物として
は、例えば、β−ケトスルホン、β−スルホニルスルホ
ンや、これらのα−ジアゾ化合物等を挙げることができ
る。スルホン化合物の具体例としては、フェナシルフェ
ニルスルホン、メシチルフェナシルスルホン、ビス（フ
ェニルスルホニル）メタン、４−トリスフェナシルスル
ホン等を挙げることができる。

【０１１０】スルホン酸エステル化合物：スルホン酸エ
ステル化合物としては、例えば、アルキルスルホン酸エ
ステル、ハロアルキルスルホン酸エステル、アリールス
ルホン酸エステル、イミノスルホネート等を挙げること
ができる。スルホン酸エステル化合物の具体例として
は、ベンゾイントシレート、ピロガロールメタンスルホ
ン酸トリエステル、ニトロベンジル−９,１０−ジエト
キシアントラセン−２−スルホネート、α−メチロール
ベンゾイントシレート、α−メチロールベンゾインｎ−
オクタンスルホネート、α−メチロールベンゾインドデ
シルスルホネート等を挙げることができる。

【０１１１】ジスルホニルジアゾメタン化合物：ジスル
ホニルジアゾメタン化合物としては、例えば、ビス（シ
クロヘキシルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（フェニ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−トルエンスル
ホニル）ジアゾメタン、ビス（２，４−ジメチルベンゼ
ンスルホニル）ジアゾメタン、メチルスルホニル−ｐ−
トルエンスルホニルジアゾメタン、ビス（４−ｔ−ブチ
ルフェニルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（ｐ−クロ
ロベンゼンスルホニル）ジアゾメタン、シクロヘキシル
スルホニル−ｐ−トルエンスルホニルジアゾメタン、
（シクロヘキシルスルホニル）（１，１−ジメチルエチ
ルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，１−ジメチル
エチルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（１−メチルエ
チルスルホニル）ジアゾメタン、ビス（３，３−ジメチ
ル−１，５−ジオキサスピロ［５．５］ドデカン−８−
スルホニル）ジアゾメタン、ビス（１，４−ジオキサス
ピロ［４．５］デカン−７−スルホニル）ジアゾメタン
等を挙げることができる。

【０１１２】ヒドラジンスルホネート化合物：ヒドラジ
ンスルホネート化合物としては、例えば、ビス（ベンゼ
ン）スルホニルヒドラジン、ビス（ｐ−トルエン）スル
ホニルヒドラジン、ビス（ｎ−プロパン）スルホニルヒ
ドラジン、ベンゼンスルホニルヒドラジン、ｐ−トルエ
ンスルホニルヒドラジン、ｎ−プロパンスルホニルヒド
ラジン等を挙げることができる。

【０１１３】これらの他の酸発生剤は、１種単独でまた
は２種以上を混合して使用することができる。他の酸発
生剤の配合割合は、各酸発生剤の種類に応じて適宜選定
されるが、酸発生剤（Ａ）と他の酸発生剤との合計１０
０重量部に対して、好ましくは９５重量部以下、さらに
好ましくは９０重量部以下である。この場合、他の酸発
生剤の配合割合が９５重量部を超えると、本発明におけ
る所期の効果が低下する傾向がある。

【０１１４】［酸拡散制御剤］第３発明および第４発明
においては、さらに、露光により酸発生剤（Ａ）あるい
は他の酸発生剤から生じた酸のレジスト被膜中における
拡散現象を制御し、非露光領域での好ましくない化学反
応を抑制する作用を有する酸拡散制御剤を配合すること
が好ましい。このような酸拡散制御剤を使用することに
より、樹脂組成物の貯蔵安定性が向上し、またレジスト
として解像度が向上するとともに、露光から現像処理ま
での引き置き時間（ＰＥＤ）の変動によるレジストパタ
ーンの線幅変化を抑えることができ、プロセス安定性に
極めて優れたものとなる。酸拡散制御剤としては、レジ
ストパターンの形成工程中の露光や加熱処理により塩基
性が変化しない含窒素有機化合物が好ましい。このよう
な含窒素有機化合物としては、例えば、下記式（１１）

【０１１５】

【化２８】 〔式（１１）において、Ｒ³⁰、Ｒ³¹およびＲ³²は独立に
水素原子、置換もしくは非置換のアルキル基、置換もし
くは非置換のアリール基または置換もしくは非置換のア
ラルキル基を示す。〕で表される化合物（以下、「含窒
素化合物（Ｉ）」という。）、同一分子内に窒素原子を
２個有するジアミノ化合物（以下、「含窒素化合物（I
I）」という。）、窒素原子を３個以上有するジアミノ
重合体（以下、「含窒素化合物（III)」という。）、ア
ミド基含有化合物、ウレア化合物、含窒素複素環式化合
物等を挙げることができる。

【０１１６】含窒素化合物（Ｉ）としては、例えば、ｎ
−ヘキシルアミン、ｎ−ヘプチルアミン、ｎ−オクチル
アミン、ｎ−ノニルアミン、ｎ−デシルアミン等のモノ
アルキルアミン類；ジ−ｎ−ブチルアミン、ジ−ｎ−ペ
ンチルアミン、ジ−ｎ−ヘキシルアミン、ジ−ｎ−ヘプ
チルアミン、ジ−ｎ−オクチルアミン、ジ−ｎ−ノニル
アミン、ジ−ｎ−デシルアミン等のジアルキルアミン
類；トリエチルアミン、トリ−ｎ−プロピルアミン、ト
リ−ｎ−ブチルアミン、トリ−ｎ−ペンチルアミン、ト
リ−ｎ−ヘキシルアミン、トリ−ｎ−ヘプチルアミン、
トリ−ｎ−オクチルアミン、トリ−ｎ−ノニルアミン、
トリ−ｎ−デシルアミン等のトリアルキルアミン類；ア
ニリン、Ｎ−メチルアニリン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリ
ン、２−メチルアニリン、３−メチルアニリン、４−メ
チルアニリン、４−ニトロアニリン、ジフェニルアミ
ン、トリフェニルアミン、１−ナフチルアミン等の芳香
族アミン類；エタノールアミン、ジエタノールアミン、
トリエタノールアミン等のアルカノールアミン類等を挙
げることができる。

【０１１７】含窒素化合物（II）としては、例えば、エ
チレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエ
チレンジアミン、テトラメチレンジアミン、ヘキサメチ
レンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（２−
ヒドロキシエチル）エチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，
Ｎ’−テトラキス（２−ヒドロキシプロピル）エチレン
ジアミン、４，４’−ジアミノジフェニルメタン、４，
４’−ジアミノジフェニルエーテル、４，４’−ジアミ
ノベンゾフェノン、４，４’−ジアミノジフェニルアミ
ン、２，２’−ビス（４−アミノフェニル）プロパン、
２−（３−アミノフェニル）−２−（４−アミノフェニ
ル）プロパン、２−（４−アミノフェニル）−２−（３
−ヒドロキシフェニル）プロパン、２−（４−アミノフ
ェニル）−２−（４−ヒドロキシフェニル）プロパン、
１，４−ビス［１−（４−アミノフェニル）−１−メチ
ルエチル］ベンゼン、１，３−ビス［１−（４−アミノ
フェニル）−１−メチルエチル］ベンゼン等を挙げるこ
とができる。

【０１１８】含窒素化合物（III)としては、例えば、ポ
リエチレンイミン、ポリアリルアミン、ジメチルアミノ
エチルアクリルアミドの重合体等を挙げることができ
る。前記アミド基含有化合物としては、例えば、ホルム
アミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホ
ルムアミド、アセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、
Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、プロピオンアミド、ベ
ンズアミド、ピロリドン、Ｎ−メチルピロリドン等を挙
げることができる。

【０１１９】前記ウレア化合物としては、例えば、尿
素、メチルウレア、１，１−ジメチルウレア、１，３−
ジメチルウレア、１，１，３，３−テトラメチルウレ
ア、１，３−ジフェニルウレア、トリブチルチオウレア
等を挙げることができる。

【０１２０】前記含窒素複素環式化合物としては、例え
ば、イミダゾール、ベンズイミダゾール、２−フェニル
ベンズイミダゾール、２−メチルイミダゾール、４−メ
チルイミダゾール、２−フェニルイミダゾール、４−フ
ェニルイミダゾール、４−メチル−２−フェニルイミダ
ゾール等のイミダゾール類；ピリジン、２−メチルピリ
ジン、４−メチルピリジン、２−エチルピリジン、４−
エチルピリジン、２−フェニルピリジン、４−フェニル
ピリジン、Ｎ−メチル−４−フェニルピリジン、ニコチ
ン、ニコチン酸、ニコチン酸アミド、キノリン、８−オ
キシキノリン、アクリジン等のピリジン類のほか、ピラ
ジン、ピラゾール、ピリダジン、キノザリン、プリン、
ピロリジン、ピペリジン、１−ピペリジンエタノール、
２−ピペリジンエタノール、モルホリン、４−メチルモ
ルホリン、ピペラジン、１,４−ジメチルピペラジン、
１，４−ジアザビシクロ［２．２．２］オクタン等を挙
げることができる。

【０１２１】これら含窒素有機化合物のうち、含窒素化
合物（Ｉ）、含窒素複素環式化合物等が好ましい。ま
た、含窒素化合物（Ｉ）の中では、トリアルキルアミン
類が特に好ましく、含窒素複素環式化合物の中では、イ
ミダゾール類が特に好ましい。前記酸拡散制御剤は、１
種単独でまたは２種以上を混合して使用することができ
る。酸拡散制御剤の配合量は、酸解離性基含有樹脂
（Ｂ）またはアルカリ可溶性樹脂（Ｃ）１００重量部に
対して、好ましくは１５重量部以下、さらに好ましくは
０．００１〜１０重量部、特に好ましくは０．００５〜
５重量部である。この場合、酸拡散制御剤の配合量が１
５重量部を超えると、レジストとしての感度や露光部の
現像性が低下する傾向がある。なお、酸拡散制御剤の配
合量が０．００１重量部未満では、プロセス条件によっ
ては、レジストとしてのパターン形状や寸法忠実度が低
下する恐れがある。

【０１２２】［界面活性剤］前記界面活性剤は、感放射
線性樹脂組成物の塗布性、ストリエーション、現像性等
を改良する作用を示す。このような界面活性剤として
は、アニオン系、カチオン系、ノニオン系あるいは両性
のいずれでも使用することができるが、好ましい界面活
性剤は、ノニオン系界面活性剤である。

【０１２３】前記ノニオン系界面活性剤の例としては、
ポリオキシエチレン高級アルキルエーテル類、ポリオキ
シエチレン高級アルキルフェニルエーテル類、ポリエチ
レングリコールの高級脂肪酸ジエステル類等のほか、以
下商品名で、ＫＰ（信越化学工業製）、ポリフロー（共
栄社油脂化学工業製）、エフトップ（トーケムプロダク
ツ製）、メガファック（大日本インキ化学工業製）、フ
ロラード（住友スリーエム製）、アサヒガード、サーフ
ロン（旭硝子製）等の各シリーズを挙げることができ
る。これらの界面活性剤は、１種単独でまたは２種以上
を混合して使用することができる。界面活性剤の配合量
は、感放射線性樹脂組成物中の全樹脂成分１００重量部
に対して、界面活性剤の有効成分として、通常、２重量
部以下である。

【０１２４】［増感剤］前記増感剤は、放射線のエネル
ギーを吸収して、そのエネルギーを酸発生剤（Ａ）ある
いは他の酸発生剤に伝達し、それにより酸の生成量を増
加する作用を示すもので、感放射線性樹脂組成物のみか
けの感度を向上させる効果を有する。好ましい増感剤
は、アセトフェノン類、ベンゾフェノン類、ナフタレン
類、ビアセチル、エオシン、ローズベンガル、ピレン
類、アントラセン類、フェノチアジン類等である。これ
らの増感剤は、１種単独でまたは２種以上を混合して使
用することができる。増感剤の配合量は、感放射線性樹
脂組成物中の全樹脂成分１００重量部に対して、通常、
５０重量部以下、好ましくは３０重量部以下である。

【０１２５】また、染料あるいは顔料を配合することに
より、露光部の潜像を可視化させて、露光時のハレーシ
ョンの影響を緩和でき、接着助剤を配合することによ
り、基板との接着性を改善することができる。さらに、
他の添加剤としては、ハレーション防止剤、保存安定
剤、消泡剤、形状改良剤等、具体的には４−ヒドロキシ
−４’−メチルカルコン等を挙げることができる。

【０１２６】［溶解性制御剤］溶解性制御剤としては、
例えば、フェノール性水酸基、カルボキシル基等の酸性
官能基を有する化合物、該化合物中の酸性官能基の水素
原子を酸の存在下で解離しうる１種以上の置換基（以
下、「酸解離性置換基」という。）で置換した化合物等
を挙げることができる。前記酸解離性置換基としては、
例えば、前記酸解離性基含有樹脂について例示した置換
メチル基、１−置換エチル基、１−置換−ｎ−プロピル
基、１−分岐アルキル基、シリル基、ゲルミル基、アル
コキシカルボニル基、アシル基、環式酸解離性基等の酸
解離性基と同様の基を挙げることができる。溶解性制御
剤は、低分子化合物でも高分子化合物でもよいが、低分
子化合物の具体例としては、下記式（１２）〜（１６）
で表される化合物等を挙げることができる。

【０１２７】

【化２９】 〔式（１０）において、Ｒ³³は水素原子または酸解離性
置換基を示し、複数存在するＲ³³は相互に同一でも異な
ってもよく、Ｒ³⁴は炭素原子数１〜４の直鎖状もしくは
分岐状のアルキル基、フェニル基または１−ナフチル基
を示し、複数存在するＲ³⁴は相互に同一でも異なっても
よく、ｐは１以上の整数、ｑは０以上の整数で、ｐ＋ｑ
≦６を満たす。〕

【０１２８】

【化３０】 〔式（１１）において、Ｒ^3３およびＲ³⁴は式（１０）
と同義であり、Ａは単結合、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ
−、−ＣＯＯ−、−ＳＯ−、−ＳＯ₂ −、−Ｃ（Ｒ ^3５)
(Ｒ^3６）−（但し、Ｒ^3５およびＲ^3６は相互に独立に水
素原子、炭素原子数１〜６の直鎖状、分岐状もしくは環
状のアルキル基、炭素原子数２〜１１のアシル基、フェ
ニル基もしくは１−ナフチル基を示す。）または下記式
で表される基

【０１２９】

【化３１】 （但し、Ｒ³⁴は前記に同じであり、ｘは０〜４の整数で
ある。）を示し、ｐ、ｑ、ｒおよびｓはそれぞれ０以上
の整数で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｐ＋ｒ≧１を満た
す。〕

【０１３０】

【化３２】 〔式（１４）において、Ｒ³³およびＲ³⁴は式（１２）と
同義でありＲ³⁷は水素原子、炭素原子数１〜４の直鎖状
もしくは分岐状のアルキル基またはフェニル基を示し、
ｐ、ｑ、ｒ、ｓ、ｔおよびｕはそれぞれ０以上の整数
で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｔ＋ｕ≦５、ｐ＋ｒ＋ｔ
≧１を満たす。〕

【０１３１】

【化３３】 〔式（１５）において、Ｒ³³およびＲ³⁴は式（１２）と
同義であり、Ｒ³⁷は式（１４）と同義であり、複数存在
するＲ³⁷は相互に同一でも異なってもよく、ｐ、ｑ、
ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖおよびｗはそれぞれ０以上の整数
で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｔ＋ｕ≦５、ｖ＋ｗ≦
５、ｐ＋ｒ＋ｔ＋ｖ≧１を満たす。〕

【０１３２】

【化３４】 〔式（１６）において、Ｒ³³およびＲ³⁴は式（１２）と
同義であり、Ｒ³⁷は式（１４）と同義であり、複数存在
するＲ³⁷は相互に同一でも異なってもよく、ｐ、ｑ、
ｒ、ｓ、ｔ、ｕ、ｖおよびｗはそれぞれ０以上の整数
で、ｐ＋ｑ≦５、ｒ＋ｓ≦５、ｔ＋ｕ≦５、ｖ＋ｗ≦
４、ｐ＋ｒ＋ｔ＋ｖ≧１を満たす。〕 これらの溶解制御剤は、単独でまたは２種以上を混合し
て使用することができる。

【０１３３】［溶剤］第３発明のポジ型感放射線性樹脂
組成物および第４発明のネガ型感放射線性樹脂組成物
は、使用時に、固形分濃度が例えば５〜５０重量％とな
るように溶剤に溶解したのち、例えば孔径０．２μｍ程
度のフィルターでろ過することによって、組成物溶液と
して調製される。

【０１３４】前記溶剤としては、例えば、エーテル類、
エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエ
ステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、
ラクトン類、（ハロゲン化）炭化水素類等を挙げること
ができ、より具体的には、エチレングリコールモノアル
キルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエー
テル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル
類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、エチ
レングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プ
ロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、乳酸
エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、（非）環式ケ
トン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル
類、プロピオン酸エステル類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルホル
ムアミド類、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアセトアミド類、Ｎ−
アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、（ハロゲン
化）脂肪族炭化水素類、（ハロゲン化）芳香族炭化水素
類等を挙げることができる。

【０１３５】このような溶剤の具体例としては、エチレ
ングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコール
モノエチルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−プ
ロピルエーテル、エチレングリコールモノ−ｎ−ブチル
エーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジ
エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリ
コールジ−ｎ−プロピルエーテル、ジエチレングリコー
ルジ−ｎ−ブチルエーテル、エチレングリコールモノメ
チルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノエチ
ルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノ−ｎ
−プロピルエーテルアセテート、イソプロペニルアセテ
ート、イソプロペニルプロピオネート、トルエン、キシ
レン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、２−ヘ
プタノン、３−ヘプタノン、４−ヘプタノン、２−ヒド
ロキシプロピオン酸エチル、２−ヒドロキシ−２−メチ
ルプロピオン酸エチル、エトキシ酢酸エチル、ヒドロキ
シ酢酸エチル、２−ヒドロキシ−３−メチル酪酸メチ
ル、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸ｎ−プロピル、乳酸
ｉ−プロピル、３−メトキシブチルアセテート、３−メ
チル−３−メトキシブチルアセテート、３−メチル−３
−メトキシブチルプロピオネート、３−メチル−３−メ
トキシブチルブチレート、酢酸エチル、酢酸ｎ−プロピ
ル、酢酸ｎ−ブチル、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エ
チル、３−メトキシプロピオン酸メチル、３−メトキシ
プロピオン酸エチル、３−エトキシプロピオン酸メチ
ル、３−エトキシプロピオン酸エチル、Ｎ−メチルピロ
リドン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメ
チルアセトアミド等を挙げることができる。

【０１３６】これらの溶剤のうち、プロピレングリコー
ルモノアルキルエーテルアセテート類、２−ヘプタノ
ン、乳酸エステル類、２−ヒドロキシプロピオン酸エス
テル類、３−アルコキシプロピオン酸エステル類等が好
ましい。前記溶剤は、１種単独でまたは２種以上を混合
して使用することができる。さらに前記溶剤には、必要
に応じて、ベンジルエチルエーテル、ジ−ｎ−ヘキシル
エーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、
ジエチレングリコールモノエチルエーテル、アセトニル
アセトン、イソホロン、カプロン酸、カプリル酸、１−
オクタノール、１−ノナノール、ベンジルアルコール、
酢酸ベンジル、安息香酸エチル、シュウ酸ジエチル、マ
レイン酸ジエチル、γ−ブチロラクトン、炭酸エチレ
ン、炭酸プロピレン、エチレングリコールモノフェニル
エーテルアセテート等の高沸点溶剤を１種以上添加する
こともできる。

【０１３７】［レジストパターンの形成］第３発明のポ
ジ型感放射線性樹脂組成物および第４発明のネガ型感放
射線性樹脂組成物からレジストパターンを形成する際に
は、前述のようにして調製された組成物溶液を、回転塗
布、流延塗布、ロール塗布等の手段によって、例えば、
シリコンウエハー、アルミニウムで被覆されたウエハー
等の基板上に塗布することにより、レジスト被膜を形成
したのち、加熱処理（以下、この加熱処理を「ＰＢ」と
いう。）を行い、次いで所定のマスクパターンを介して
該レジスト被膜に露光する。その際に使用することがで
きる放射線としては、水銀灯の輝線スペクトル（波長２
５４ｎｍ）、ＫｒＦエキシマレーザー（波長２４８ｎ
ｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎｍ）等の
遠紫外線や、シンクロトロン放射線等のＸ線、電子線等
の荷電粒子線等が挙げられるが、遠紫外線および荷電粒
子線が好ましく、特に、ＫｒＦエキシマレーザー（波長
２４８ｎｍ）、ＡｒＦエキシマレーザー（波長１９３ｎ
ｍ）および電子線が好ましい。また、放射線量等の露光
条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種
類等に応じて、適宜選定される。

【０１３８】露光後は、レジストの見掛けの感度を向上
させるために、加熱処理（以下、この加熱処理を「ＰＥ
Ｂ」という。）を行うことが好ましい。この場合の加熱
条件は、感放射線性樹脂組成物の配合組成、添加剤の種
類等により変化するが、通常、３０〜２００℃、好まし
くは５０〜１５０℃である。その後、アルカリ現像液で
現像することにより、所定のレジストパターンを形成す
る。

【０１３９】アルカリ現像液としては、例えば、アルカ
リ金属水酸化物、アンモニア水、アルキルアミン類、ア
ルカノールアミン類、複素環式アミン類、テトラアルキ
ルアンモニウムヒドロキシド類、コリン、１，８−ジア
ザビシクロ［５．４．０］−７−ウンデセン、１，５−
ジアザビシクロ［４．３．０］−５−ノネン等のアルカ
リ性化合物の１種以上を、通常、１〜１０重量％、好ま
しくは２〜５重量％の濃度となるように溶解したアルカ
リ性水溶液が使用される。特に好ましいアルカリ現像液
は、テトラアルキルアンモニウムヒドロキシド類の水溶
液である。また、前記アルカリ性水溶液からなる現像液
には、例えば、メタノール、エタノール等の水溶性有機
溶剤や界面活性剤等を適量添加することもできる。な
お、このようにアルカリ性水溶液からなる現像液を使用
する場合には、一般に、現像後、水洗する。

【０１４０】

【実施例】以下、実施例を挙げて、本発明をさらに具体
的に説明する。但し、本発明は、これらの実施例に何ら
制約されるものではない。

【０１４１】[スルホニル構造を有する化合物の合成]合成例１ 反応フラスコ内で、２−インダノン２６ｇをテトラヒド
ロフラン２００ｍｌに溶解し、亜硝酸イソペンチル２３
ｇを加えて攪拌しながら、４Ｍ塩化水素ジオキサン溶液
１００ｍｌをゆっくり滴下した。滴下後３０分攪拌した
のち蒸留水１Ｌを加え、ロータリーエバポレーターでテ
トラヒドロフランを留去し、反応生成物を沈殿させた。
得られた固体を分離し、これをジクロロメタン１００ｍ
ｌに溶解し、溶解しなかった固形分はろ過して除去し
た。その後反応生成物のジクロロメタン溶液に、ｎ−ヘ
キサン５００ｍｌを加えて反応生成物を再結晶させた。
反応生成物を分離し、真空乾燥して、２−オキソ−１−
インダノンオキシム９．６ｇを得た。

【０１４２】合成例２ 反応フラスコ内で、ｏ−メチルヒドロキシアンモニウム
３．３ｇをエタノール１００ｍｌに溶解し、酢酸ナトリ
ウム５．６ｇを加えて攪拌したのち、式（ｉ）の化合物
３．２ｇを加えて５時間室温で攪拌した。その後蒸留水
５００ｍｌを加えて、反応生成物を再結晶させた。反応
生成物を分離し、真空乾燥して、２−メトキシイミノ−
１−インダノンオキシム３．３ｇを得た。

【０１４３】実施例１ 反応フラスコ内で、式（ii）の化合物１．９ｇをテトラ
フドロフラン５０ｍｌに溶解し、１−プロパンスルホニ
ルクロライド２．９ｇを加えて攪拌したのち、トリエチ
ルアミン３．０ｇを滴下して１５分室温で攪拌した。そ
の後蒸留水２００ｍｌを加えて、反応生成物を再結晶さ
せた。反応生成物を分離し、真空乾燥して、２−メトキ
シイミノ−１−インダノンオキシム−１−プロパンスル
ホネート２．７ｇを得た。この化合物を（Ａ−１）とす
る。

【０１４４】実施例２ 窒素置換した乾燥フラスコ内で、式（ii）の化合物１．
９ｇをテトラフドロフラン５０ｍｌに溶解し、１０−カ
ンファースルホニルクロライド５．０ｇを加えて攪拌し
たのち、トリエチルアミン３．０ｇを滴下して１５分室
温で攪拌した。その後蒸留水２００ｍｌを加えて、反応
生成物を再結晶させた。反応生成物を分離し、真空乾燥
して、２−メトキシイミノ−１−インダノンオキシム−
１０−カンファースルホネート１．３ｇを得た。この化
合物を（Ａ−２）とする。

【０１４５】合成例３ 反応フラスコ内で、ｏ−メチルヒドロキシアンモニウム
２．３４ｇをメタノール１２０ｍｌに溶解し、その溶液
に酢酸ナトリウム５．９０ｇを加えて攪拌した。その
後、２−ヒドロキシイミノヘキサノン１２．３ｇを加え
て、反応混合物を室温で１時間攪拌した後、濾過により
不溶物を取り除き、酢酸エチルとｎ−ヘキサンを１：２
の比で混合した溶媒を展開溶媒として、シリカゲルカラ
ムを用いて精製して、２−メトキシイミノ−１−シクロ
ヘキサノンオキシムの白色結晶３．１０ｇを得た。

【０１４６】実施例３ 窒素置換した乾燥フラスコ内で、式（iii）の化合物
１．００ｇをテトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解した。
この溶液に１−プロパンスルホニルクロライド１．８２
ｇを加えて攪拌したのち、トリエチルアミン１．９４ｇ
を滴下し、反応混合物を室温で１０分間攪拌した。その
後、反応液に蒸留水を注ぎ、反応を停止した。ついでジ
クロロメタンで抽出を行い、有機層を、飽和炭酸水素ナ
トリウム水溶液、５重量％シュウ酸水溶液及び蒸留水で
洗浄した。続いて、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、ロ
ータリーエバポレーターを用いて濃縮し、酢酸エチルと
ｎ−ヘキサンを１：３の比で混合した溶媒を展開溶媒と
して、シリカゲルカラムを用いて精製後、真空乾燥し、
２−メトキシイミノ−１−シクロヘキサノンオキシム−
１−プロパンスルホネート１．０２ｇを得た。この化合
物を（Ａ−３）とする。

【０１４７】実施例４ 窒素置換した乾燥フラスコ内で、ニオキシム５．６９ｇ
を乾燥ピリジン５０ｍｌに溶解してこれを０℃に冷却
し、１−プロパンスルホニルクロライド６．１３ｇを加
え、同温度で３．５時間攪拌した。ついで、ピバロイル
クロライド６．０３ｇを加え、反応温度を徐々に２５℃
まで上昇させながら更に２時間攪拌を続けた。その後、
反応混合物をよく冷却した蒸留水７００ｇ中に投入し
て、得られた固体を分離し蒸留水でよく洗浄した。ここ
で得られた粗生成物をテトラヒドロフラン２００ｍｌに
溶解後、２０００ｍｌの蒸留水に滴下して生成物を凝固
させることを３度繰り返し、得られた固体を真空乾燥し
て、２−t−ブチルカルボニルオキシイミノ−１−シク
ロヘキサノンオキシム−１−プロパンスルホネート１
１．６ｇを得た。この化合物を（Ａ−４）とする。

【０１４８】実施例５ 窒素置換した乾燥フラスコ内で、ニオキシム５．６９ｇ
を乾燥ピリジン５０ｍｌに溶解してこれを０℃に冷却
し、１−ブタンスルホニルクロライド６．７４ｇを加
え、同温度で３．０時間攪拌した。その後、反応混合物
をよく冷却した蒸留水７００ｍｌ中に投入して、ジクロ
ロメタン２００ｍｌで３回抽出した。有機層を合わせ、
５重量％シュウ酸水溶液１５０ｍｌ、飽和炭酸水素ナト
リウム水溶液１００ｍｌ、飽和食塩水２００ｍｌの順で
洗浄した。有機層を無水硫酸マグネシウム１５ｇで乾燥
し、ロータリーエバポレータで減圧濃縮後真空乾燥して
１０．６ｇのオイル状の粗生成物を得た。この粗生成物
１．３１ｇと２，３−ジヒドロピラン０．５０４ｇをジ
クロロメタン３０ｍｌに溶解し、２５℃でｐ−トルエン
スルホン酸一水和物０．４２ｇを加え同温度で１２時間
攪拌を続けた。反応混合物をジクロロメタン１５０ｍｌ
で希釈し、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液５０ｍｌ、飽
和食塩水７０ｍｌの順で洗浄した。有機層を無水硫酸マ
グネシウム５ｇで乾燥し、ロータリーエバポレーターで
減圧濃縮後、得られた粗生成物をシリカゲルカラムを用
いて精製後、真空乾燥して、２−（２’−テトラヒドロ
ピラニル）オキシイミノ−１−シクロヘキサノンオキシ
ム−１−ブタンスルホネートの白色固体１．０２ｇを得
た。この化合物を（Ａ−５）とする。

【０１４９】実施例６ 窒素置換した乾燥フラスコ内で、ジメチルグリオキシム
４．６４ｇを乾燥ピリジン５０ｍｌに溶解してこれを０
℃に冷却し、１−プロパンスルホニルクロライド６．１
３ｇを加え、同温度で５２時間攪拌した。ついで、ピバ
ロイルクロライド７．３２ｇを加え、同温度で更に６０
時間攪拌を続けた。その後、反応混合物をよく冷却した
蒸留水７００ｍｌ中に投入し、得られた固体を分離して
蒸留水でよく洗浄した。ここで得られた粗生成物をシリ
カゲルカラムを用いて精製後、真空乾燥して、３−t−
ブチルカルボニルオキシイミノ−２−ブタノンオキシム
−１−プロパンスルホネートの白色固体２．８５ｇを得
た。この化合物を（Ａ−６）とする。

【０１５０】得られた化合物（Ａ−１）〜（Ａ−６）の
質量分析を、下記の条件で行った。得られたスペクトル
を図１〜６に示す。 装置 ：日本電子株式会社製ＪＭＳ−ＡＸ５０５Ｗ型質量分析計 エミッター電流：５ｍＡ（使用ガス：Ｘｅ） 加速電圧 ：３．０ｋＶ 10N MULTI ：１．３ イオン化法 ：高速原子衝撃法（ＦＡＢ） 検出イオン ：カチオン（＋） 測定質量範囲 ：２０〜１５００ｍ／ｚ スキャン ：３０ｓｅｃ 分解能 ：１５００ マトリックス ：３−ニトロベンジルアルコール

【０１５１】酸発生剤（Ａ−１）〜（Ａ−６）の¹Ｈ−
ＮＭＲ分析を、下記の条件で行った。得られたスペクト
ルを図７〜１２に示す。 装置 ：日本電子株式会社製ＪＮＭ−ＥＸ２７０ 測定溶媒 ：ＣＤＣl_３

【０１５２】実施例７〜２５、比較例１〜３ 表１、表２（但し、部は重量に基づく）に示す各成分を
混合して均一溶液としたのち、孔径０．２μｍのメンブ
ランフィルターでろ過して、組成物溶液を調製した。次
いで、各組成物溶液を、シリコンウエハー上に回転塗布
したのち、表３、表４に示す温度と時間にてＰＢを行っ
て、膜厚０．５μｍのレジスト被膜または膜厚０．１μ
ｍ（但し、Ｆ_２エキシマレーザーで露光する場合）のレ
ジスト被膜を形成した。このレジスト被膜に、ＫｒＦエ
キシマレーザー照射装置（商品名ＮＳＲ−２００５ Ｅ
Ｘ８Ａ、（株）ニコン製）を用い、ＫｒＦエキシマレー
ザー（波長２４８ｎｍ）をマスクパターンを介し露光量
を変えて露光した。また一部の実施例では、ＫｒＦエキ
シマレーザーに替えて、簡易型の電子線直描装置（５０
ＫｅＶ）（商品名ＨＬ７００Ｄ−Ｍ（電流密度４．５
Ａ）、（株）日立製作所製）を用い、電子線をマスクパ
ターンを介し露光量を変えて露光するか、あるいは簡易
型のＦ_２エキシマレーザー照射装置（Ｅｘｉｔｅｃｈ社
製）を用い、Ｆ_２エキシマレーザーをマスクパターンを
介し露光量を変えて露光した。露光後、表３、表４に示
す温度と時間にてＰＥＢを行った。次いで、２．３８重
量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液を現
像液として用い、２３℃で６０秒間現像したのち、水で
３０秒間洗浄し、乾燥して、レジストパターンを形成し
た。各実施例および比較例の評価結果を、表５、表６に
示す。但し、Ｆ_２エキシマレーザーで露光した場合は、
レジスト皮膜の膜厚が極めて薄いため、感度および解像
度のみを示した。

【０１５３】ここで、各レジストの評価は、下記の要領
で実施した。感度： シリコンウエハー上に形成したレジスト被膜に露
光量を変えて露光したのち、直ちに露光後ベークを行
い、次いでアルカリ現像したのち、水洗し、乾燥して、
レジストパターンを形成したとき、線幅０．２５μｍの
ライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）を１対
１の線幅に形成する露光量を最適露光量とし、この最適
露光量を感度とした。解像度： 最適露光量で露光したときに解像されるレジス
トパターンの最小寸法（μｍ）を解像度とした。

【０１５４】パターン形状：シリコンウエハー上に形成
した線幅０．２５μｍのライン・アンド・スペースパタ
ーン（１Ｌ１Ｓ）の方形状断面の下辺の寸法Ｌa と上辺
の寸法Ｌb とを、走査型電子顕微鏡を用いて測定して、 ０．８５≦Ｌb ／Ｌa ≦１ を満足するものを、パターン形状が「良」であるとし、
この条件を満たさないものを、パターン形状が「不可」
であるとした。

【０１５５】裾引き：最適露光量で露光してシリコンウ
エハー上に形成した線幅０．２５μｍのライン・アンド
・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）のパターン形状が
「良」となる組成物について、窒化シリコン基板を用い
て同様にしてレジストパターンを形成し、得られた線幅
０．２５μｍのライン・アンド・スペースパターン（１
Ｌ１Ｓ）の方形状断面を走査型電子顕微鏡を用いて観察
した。図１３にこのような観察で見られる典型的な断面
形状を示す。各例で実際に観察された断面形状において
図１３に示すＬｃとＬｄを測定し、 Ｌｃ／Ｌｄ＜０．０５ を満足するものを、裾引きが「良」とし、この条件を満
たさないものを、裾引きが「不可」であると評価した。

【０１５６】ナノエッジラフネス：設計線幅０．２５μ
ｍのライン・アンド・スペースパターン（１Ｌ１Ｓ）の
ラインパターンを走査型電子顕微鏡にて観察した。図１
４に観察される典型的な形状の一例を示す。図１４にお
いて（イ）はレジストパターンの平面図、（ロ）はレジ
ストパターンの側面図であり、凹凸は実際より誇張され
ている。各例において観察された形状について、該ライ
ンパターンの横側面に沿って生じた凹凸の最も著しい箇
所における線幅と設計線幅０．２５μｍとの差ΔＣＤを
測定して、下記基準で評価した。 ΔＣＤが０．０１μｍ未満：良好 ΔＣＤが０．０１μｍ以上：不良

【０１５７】各実施例および比較例で用いた各成分は、
下記の通りである。 〔I〕ポジ型感放射線性樹脂組成物他の酸発生剤（ａ） ａ-1：トリフェニルスルホニウムノナフルオロ−ｎ−ブ
タンスルホネート ａ-2：ビス（４−t −ブチルフェニル）ヨードニウム１
０−カンファースルホネート ａ-3：ビス（４−t −ブチルフェニル）ヨードニウムノ
ナフルオロ−ｎ−ブタンスルホネート ａ-4：ビス（シクロヘキシルスルフォニル）ジアゾメタ
ン ａ-5：ビス（１，４―ジオキサスピロ［４．５］デカン
−７―スルホニル）ジアゾメタン ａ-6：ビス（ｔ―ブチルスルホニル）ジアゾメタン ａ-7：Ｎ−（トリフルオロメタンスルホニルオキシ）ビ
シクロ[２．２．１]ヘプト−５−エン−２，３−ジカル
ボキシイミド

【０１５８】樹脂（Ｂ） Ｂ-1：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール
性水酸基の水素原子の３４モル％が１−エトキシエチル
基で置換された樹脂（Ｍｗ＝９，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝
１．９） Ｂ-２：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノー
ル性水酸基の水素原子の２５モル％が１−エトキシエチ
ル基で置換され、８モル％がｔ−ブトキシカルボニル基
で置換された樹脂（Ｍｗ＝１０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝
１．１）

【０１５９】Ｂ-３：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）
中のフェノール性水酸基の水素原子の２３モル％が１−
エトキシエチル基で置換され、１０モル％がｔ−ブチル
基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１２，０００、Ｍｗ／Ｍｎ
＝１．２） Ｂ-４：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノー
ル性水酸基の水素原子の３０モル％が１−シクロヘキシ
ルオキシエチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝１８，００
０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９） Ｂ-５：ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン／ｐ−ｔ−
ブトキシスチレン共重合体（共重合モル比＝７２：５：
２３、Ｍｗ＝１６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．７）

【０１６０】Ｂ-６：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）
中のフェノール性水酸基の水素原子の２６モル％がｔ−
ブトキシカルボニル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝９，０
００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．９） Ｂ-７：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノー
ル性水酸基の水素原子の２５モル％がｔ−ブトキシカル
ボニルメチル基で置換された樹脂（Ｍｗ＝２５，００
０、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．２） Ｂ-8：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）中のフェノール
性水酸基の水素原子の３２モル％がｔ−ブチル基で置換
された樹脂（Ｍｗ＝１５，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝１．
７）

【０１６１】Ｂ-9：ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン
／アクリル酸ｔ−ブチル共重合体（共重合モル比＝６
０：２０：２０、Ｍｗ＝１２，５００、Ｍｗ／Ｍｎ＝
１．８） Ｂ-10：ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ｔ−ブトキシス
チレン／２，５−ジメチル−２，５−ヘキサンジオール
ジアクリレート共重合体（共重合モル比＝７２：２５：
３、Ｍｗ＝３０，０００、Ｍｗ／Ｍｎ＝４．３） Ｂ-11：ｐ−ヒドロキシスチレン／ｐ−ｔ−ブトキシス
チレン／アクリル酸ｔ−ブチル共重合体（共重合モル比
＝７０：１５：１５、Ｍｗ＝１６，０００、Ｍｗ／Ｍｎ
＝１．９）

【０１６２】溶解制御剤 Ｅ-1：ジフェノール酸 Ｅ-2：２−ヒドロキシベンゾフェノン酸拡散制御剤 Ｆ-1：ｎ−ドデシルジメチルアミン Ｆ-2：トリ−ｎ−ヘキシルアミン Ｆ-3：２−ベンジルピリジン Ｆ-4：２−フェニルベンズイミダゾール Ｆ-5：トリエタノールアミン Ｆ-6：トリ−ｎ−オクチルアミン溶剤 Ｓ-1：乳酸エチル Ｓ-2：エトキシプロピオン酸エチル Ｓ-3：プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテ
ート Ｓ-4：２−ヘプタノン

【０１６３】〔II〕ネガ型感放射線性樹脂組成物他の酸発生剤（ａ） 〔I〕ポジ型感放射線性樹脂組成物に用いた化合物と同
様のものを用いた。アルカリ可溶樹脂（Ｃ） Ｃ-1：ポリ（ｐ−ヒドロキシスチレン）（Ｍｗ＝７，５
００） Ｃ-2：ｐ−ヒドロキシスチレン／スチレン共重合体（共
重合モル比＝８０：２０、Ｍｗ＝４，０００）架橋剤（Ｄ） Ｄ-1：ジメトキシメチルウレア（商品名MX２９０、三和
ケミカル（株）製） Ｄ-2：テトラメトキシメチルグリコールウリル（商品名
ＣＹＭＥＬ１１７４、三井サイアナミッド（株）製）酸拡散制御剤 〔I〕ポジ型感放射線性樹脂組成物に用いた化合物と同
様のものを用いた。溶剤 〔I〕ポジ型感放射線性樹脂組成物に用いた化合物と同
様のものを用いた。

【０１６４】

【表１】

【０１６５】

【表２】

【０１６６】

【表３】

【０１６７】

【表４】

【０１６８】

【表５】

【０１６９】

【表６】

【０１７０】

【発明の効果】本発明のスルホニル構造を有する化合物
は、活性放射線、例えばＫｒＦエキシマレーザー、Ａｒ
ＦエキシマレーザーあるいはＦ_２エキシマレーザー、Ｅ
ＵＶに代表される遠紫外線、あるいは電子線等に感応す
る酸発生剤として、優れた熱安定性を有している。ま
た、これを感放射線性酸発生剤として用いた、ポジ型感
放射線性樹脂組成物、及びネガ型感放射線性樹脂組成物
からは、高感度であり、かつ表面ならびに側壁の平滑性
に優れたレジストパターンが得られる。 したがって、
本発明の感放射線性樹脂組成物は、今後ますます微細化
が進行すると予想される半導体デバイス製造用の化学増
幅型レジストとして極めて有用である。

【０１７１】

【図面の簡単な説明】

【図１】実施例１で得たスルホニル構造を有する化合物
の質量分析の測定結果を示す図である。

【図２】実施例２で得たスルホニル構造を有する化合物
の質量分析の測定結果を示す図である。

【図３】実施例３で得たスルホニル構造を有する化合物
の質量分析の測定結果を示す図である。

【図４】実施例４で得たスルホニル構造を有する化合物
の質量分析の測定結果を示す図である。

【図５】実施例５で得たスルホニル構造を有する化合物
の質量分析の測定結果を示す図である。

【図６】実施例６で得たスルホニル構造を有する化合物
の質量分析の測定結果を示す図である。

【図７】実施例１で得たスルホニル構造を有する化合物
の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析の測定結果を示す図である。

【図８】実施例２で得たスルホニル構造を有する化合物
の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析の測定結果を示す図である。

【図９】実施例３で得たスルホニル構造を有する化合物
の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析の測定結果を示す図である。

【図１０】実施例４で得たスルホニル構造を有する化合
物の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析の測定結果を示す図である。

【図１１】実施例５で得たスルホニル構造を有する化合
物の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析の測定結果を示す図である。

【図１２】実施例６で得たスルホニル構造を有する化合
物の ¹Ｈ−ＮＭＲ分析の測定結果を示す図である。

【図１３】裾引きの評価要領を説明する図である。

【図１４】ナノエッジラフネスの評価要領を説明する図
である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 江幡 敏 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 王 勇 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 (72)発明者 下川 努 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 Ｆターム(参考） 2H025 AB16 AC03 AC08 AD01 AD03 BE00 BE10 BG00 CB42 CC17 FA17 4H006 AA01 AA03 AB99

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 ［式中、Ｒ^１およびＲ^２は、独立に、水素原子、炭素原
   子数１〜２０の置換若しくは非置換のアルキル基、炭素
   原子数３〜２０の置換若しくは非置換の脂環族基、炭素
   原子数１〜２０のアルケニル基、置換若しくは非置換の
   アリール基、又は置換若しくは非置換のヘテロアリール
   基を示し、Ｒ³は、−Ｒ’基、−ＯＲ’基、−ＳＲ’基
   または−Ｎ（Ｒ’）_２基を示し、Ｙは酸素原子、硫黄原
   子、＝Ｎ−Ｒ’基、＝Ｎ−ＯＲ’基、＝Ｎ−ＯＣ
   （Ｒ’）_２基、＝Ｎ−Ｎ（Ｒ’）_２基、＝Ｃ（Ｒ’）_２
   基、＝Ｎ−ＯＣＯ−Ｒ’基、＝Ｎ−ＯＣＯ−ＯＲ’基、
   ＝Ｎ−ＯＣＯ−ＳＲ’基、＝Ｎ−ＯＣＯ−Ｎ（Ｒ’）_２
   基、＝Ｎ−ＯＳＯ_２−ＯＲ’基、＝Ｎ−ＯＳＯ_２−Ｓ
   Ｒ’基または＝Ｎ−ＯＳＯ_２−Ｎ（Ｒ’）_２基を示す。
   （ここでＲ’は、水素原子、炭素原子数１〜２０の置換
   若しくは非置換のアルキル基、炭素原子数３〜２０の置
   換若しくは非置換の脂環族基、炭素原子数１〜２０のア
   ルケニル基、置換若しくは非置換のアリール基、又は置
   換若しくは非置換のヘテロアリール基を示す。ただし、
   同一の窒素原子または炭素原子に結合した２つのＲ’
   は、相互に結合してヘテロ原子を含んでも良い環を形成
   しても良い。）ただし、Ｒ^１、Ｒ^２およびＲ^３の少なく
   とも２つが互いに結合して下記式(２−１)、(２−２)お
   よび（２−３） 【化２】 に示すように環状構造を形成していてもよく、Ｒ^１、Ｒ
   ^２、またはＲ^３は下記式(３−１)、(３−２)または（３
   −３） 【化３】 【化４】 【化５】 （式中、Ｒ^１’、Ｒ^２’、またはＲ^３’は、別々の分子
   に属する２個Ｒ^１、Ｒ^２、またはＲ^３から各１個の原子
   または基が解離して残基が結合して形成された形である
   ２価の基である。）に示すように、Ｒ^１’、Ｒ^２’、ま
   たはＲ^３’となって、これらを介して二量体を形成して
   いてもよい。］で表されるスルホニル構造を有する化合
   物。
2. 【請求項２】 請求項１に記載の一般式（１）で表され
   る化合物を含有する感放射線性酸発生剤。
3. 【請求項３】 （Ａ）請求項１記載の一般式（１）で表
   される化合物を含有する感放射線性酸発生剤、及び
   （Ｂ）酸解離性基で保護されたアルカリ不溶性またはア
   ルカリ難溶性樹脂であって、該酸解離性基が解離したと
   きにアルカリ可溶性となる樹脂を含有してなる化学増幅
   型のポジ型感放射線性樹脂組成物。
4. 【請求項４】 （Ａ）請求項１記載の一般式（１）で表
   される化合物を含有する感放射線性酸発生剤、（Ｃ）ア
   ルカリ可溶性樹脂、および（Ｄ）酸の存在下で前記アル
   カリ可溶性樹脂を架橋し得る化合物を含有してなる化学
   増幅型のネガ型感放射線性樹脂組成物。