JP4006589B2 - Ｇｍ−９５物質の製法 - Google Patents

Description

技 術 分 野
本発明は制癌活性を有するＧＭ−９５物質の製法及びその製造中間体に関する。
背 景 技 術
制癌活性を有するＧＭ−９５物質については、国際公開ＷＯ００／２４７４７号公報に、培養物から単離したことが記載されている。その構造は連続した７個のオキサゾール環とチアゾリン環から成る大環状化合物であるが、これまでのところＧＭ−９５物質を含め、連続したヘテロ５員環から成る大環状化合物に関する化学的な製造方法は知られていない。
発 明 の 開 示
本発明の目的は、ＧＭ−９５物質の製法及びその製造中間体を提供することにある。
即ち、本発明は、（ａ）下記一般式［ＩＩ］で表わされる環状化合物

（式中、Ｒ^１は同一または相異なって低級アルキル基を示し、Ｒ^２はチオール基の保護基を示す。）
のアセタール保護基（Ｒ^１）を脱保護して生成せしめたホルミル基とアミド基を分子内閉環反応によりオキサゾール環を形成させ、
（ｂ）得られる下記一般式［ＩＩＩ］

（式中、Ｒ^２は前記に同じ。）
で表される環状化合物のチオールの保護基（Ｒ^２）を脱保護して生成せしめたチオール基とアミド基との分子内閉環反応によりチアゾリン環を形成せしめることを特徴とする一般式［Ｉ］

で表わされるＧＭ−９５物質の製法に係る。更に、ＧＭ−９５物質の製造中間体として有用な、上記一般式［ＩＩ］及び［ＩＩＩ］で表される環状化合物に係る。
具体的には、本発明は以下の発明を提供する。
項１： 一般式［ＩＩＩ］で表される環状化合物のチオールの保護基（Ｒ^２）を脱保護して生成せしめたチオール基とアミド基との分子内閉環反応によりチアゾリン環を形成せしめることを特徴とする一般式［Ｉ］で表わされるＧＭ−９５物質の製法。
項２： （ａ）一般式［ＩＩ］で表わされる環状化合物のアセタール保護基（Ｒ^１）を脱保護して生成せしめたホルミル基とアミド基を分子内閉環反応によりオキサゾール環を形成させ、
（ｂ）得られる一般式［ＩＩＩ］で表される環状化合物のチオールの保護基（Ｒ^２）を脱保護して生成せしめたチオール基とアミド基との分子内閉環反応によりチアゾリン環を形成せしめることを特徴とする一般式［Ｉ］で表わされるＧＭ−９５物質の製法。
項３： 一般式［ＩＩ］で表わされる環状化合物。
項４： 一般式［ＩＩＩ］で表される環状化合物。
項５： （ａ）一般式［ＩＶ−ａ］で表わされるアセタール誘導体

（式中、Ｒ^１は前記に同じ。Ｒ^３はカルボキシル基の保護基を示す。）
と、一般式［Ｖ−ａ］で表わされるチオール誘導体

（式中、Ｒ^２は前記に同じ。Ｒ^４はアミノ基の保護基を示す。）
とを脱水縮合させ、
（ｂ）得られる一般式［ＶＩ］

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は前記に同じ。）
で表されるアミド誘導体のアミノ基の保護基（Ｒ^４）及びカルボキシル基の保護基（Ｒ^３）を脱保護させた後、分子内で環化せしめることを特徴とする一般式［ＩＩ］で表わされる環状化合物の製法。
項６： 一般式［ＩＶ−ｂ］で表わされるアセタール誘導体

（式中、Ｒ^１は前記に同じ。Ｒ^５はアミノ基の保護基を示す。）
と、一般式［Ｖ−ｂ］で表わされるチオール誘導体

（式中、Ｒ^２は前記に同じ。Ｒ^６はカルボキシル基の保護基を示す。）
とを脱水縮合させ、
（ｂ）得られる一般式［ＶＩＩ］

（式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^５及びＲ^６は前記に同じ。）
で表されるアミド誘導体のアミノ基の保護基（Ｒ^５）及びカルボキシル基の保護基（Ｒ^６）を脱保護させた後、分子内で環化せしめることを特徴とする一般式［ＩＩ］で表わされる環状化合物の製法。
本発明に係るＧＭ−９５の製造方法のスキームを下記に示す。

本発明において、Ｒ^１で表される低級アルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｔ−ブチル基、ｓ−ブチル基等の炭素数１〜６の直鎖又は分枝状の低級アルキル基が挙げられ、好ましくはメチル基、エチル基であり、より好ましくはメチル基である。
Ｒ^２で表されるチオール基の保護基としては、グリーン（Ｇｒｅｅｎｅ）著「プロテクティブ グループス イン オルガニック シンセシス（Ｐｒｏｔｅｃｔｉｖｅ Ｇｒｏｕｐｓ ｉｎ Ｏｒｇａｎｉｃ Ｓｙｎｔｈｅｓｉｓ）、１９８１年発行」記載の保護基が挙げられ、例えば、ベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、４−メチルベンジル基、３，４−ジメチルベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アセトキシベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基等の無置換又は置換ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリチル基、ｔ−ブチル基、アセチル基、ベンゾイル基等が挙げられ、好ましくはベンジル基、ｐ−メトキシベンジル基、４−メチルベンジル基、３，４−ジメチルベンジル基、ｐ−ヒドロキシベンジル基、ｐ−アセトキシベンジル基、ｐ−ニトロベンジル基等の無置換又は置換ベンジル基、ジフェニルメチル基、トリチル基、ｔ−ブチル基であり、より好ましくはベンジル基、トリチル基、ｔ−ブチル基である。
本発明において、Ｒ^３またはＲ^６で表されるカルボキシル基の保護基としては、上記グリーン著「プロテクティブ グループス イン オルガニック シンセシス」記載の保護基が挙げられ、例えば、メチル基、エチル基、プロピル基、ｎ−ブチル基、イソブチル基、ｓ−ブチル基、ｔ−ブチル基等の炭素数１〜６の直鎖状又は分枝状の低級アルキル基、アリル基、ベンジル基、ジフェニルメチル基等が挙げられ、好ましくはＲ^３またはＲ^６共にメチル基、エチル基である。
Ｒ^４またはＲ^５で表されるアミノ基の保護基としても、上記グリーン著「プロテクティブ グループス イン オルガニック シンセシス」記載の保護基が挙げられ、例えば、メトキシカルボニル基、９−フルオレニルメトキシカルボニル基、シクロプロピルメトキシカルボニル基、ジイソプロピルメトキシカルボニル基、２−フラニルメトキシカルボニル基、イソブトキシカルボニル基、ｔ−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基、ホルミル基等が挙げられ、好ましくはＲ^４またはＲ^５共にｔ−ブトキシカルボニル基、ベンジルオキシカルボニル基である。
化合物［ＩＩ］から化合物［Ｉ］（ＧＭ−９５物質）の製造工程
（ａ）化合物［ＩＩ］から化合物［ＩＩＩ］の製造
本工程は、一般式［ＩＩ］で表わされる環状化合物のアセタール保護基（Ｒ^１）を脱保護し、生成したホルミル基とアミド基を分子内閉環反応によりオキサゾール環を形成させる工程である。
ｉ）上記反応中、アセタール保護基（Ｒ^１）の脱保護に際しては、適当な溶媒中、酸の存在下で行われる。溶媒としては、反応に関与しないものであれば何れでもよく、例えば、テトラヒドロフラン、ジオキサン、酢酸エチル等が挙げられる。これら溶媒は、単一または混合溶媒でもよい。使用する酸としては、例えば、トリフルオロ酢酸、蟻酸等の有機酸、または塩化水素、硫酸等の鉱酸が挙げられる。また、使用される酸を溶媒としてそのまま使用することも可能である。酸の使用量は、一般式［ＩＩ］で表される化合物１モルに対し、１００〜２０００モル量であり、好ましくは、５００〜１０００モル量である。反応温度は、室温〜１００℃程度であり、好ましくは４０〜８０℃程度である。反応時間は、１〜４８時間程度であり、好ましくは１０〜３０時間程度である。
ｉｉ）次に、上記脱保護で生成せしめたホルミル基とアミド基を分子内閉環反応によりオキサゾール環を形成せしめるには、適当な溶媒中、ホルミル基とアミド基の間で脱水反応させる必要がある。使用される溶媒としては、反応に関与しないものであれば何れでもよく、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等が挙げられる。これら溶媒は、単一または混合溶媒でもよい。脱水反応に使用される脱水剤としては、例えば３価のリン／ハロゲン／有機３級アミンの組み合わせが挙げられ、好ましくはトリフェニルホスフィン／ヨウ素／トリエチルアミンの組み合わせである。それらの使用割合は、一般式［ＩＩ］の化合物のアセタール保護基を脱保護した化合物１モルに対して、３価のリンを１〜５モル量、ハロゲンを１〜５モル量、有機３級アミンを２〜１０モル量使用する。具体的には、一般式［ＩＩ］の化合物のアセタール保護基を脱保護した化合物１モルに対して、トリフェニルホスフィンを１〜５モル量、ヨウ素を１〜５モル量、トリエチルアミンを２〜１０モル量使用する。
添加する順序としては、３価のリンとハロゲンの混合物に一般式［ＩＩ］の化合物のアセタール保護基を脱保護した化合物と有機３級アミンを添加するのが好ましい。反応温度は、０〜１００℃程度、好ましくは２０〜５０℃程度である。反応時間は、１〜３６時間程度であり、好ましくは１２〜２４時間程度である。
本反応によって得られる一般式［ＩＩＩ］で表される化合物は、単離又は単離されることなく次の反応工程に使用することができる。単離する場合は、通常の精製手段、例えば、抽出、濃縮、結晶化、カラムクロマト等の操作で精製することができる。
（ｂ）化合物［ＩＩＩ］から化合物［Ｉ］の製造
本工程は、一般式［ＩＩＩ］で表される環状化合物のチオールの保護基（Ｒ^２）を脱保護して生成せしめたチオール基とアミド基との分子内閉環反応によりチアゾリン環を形成せしめる工程である。
（ａ）で得られた一般式［ＩＩＩ］で表される環状化合物を用いて、適当な溶媒中、強酸性条件下で反応を行うことにより、チオール基の保護基（Ｒ^２）の脱保護と分子内閉環反応が同時に進行し、一般式［Ｉ］で表されるＧＭ−９５物質が生成される。溶媒としては、反応に関与しないものであれば何れでもよく、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等が挙げられ、好ましくはジクロロメタンである。これら溶媒は、単一または混合溶媒でもよい。強酸性条件の設定において使用される酸としては、例えば、四塩化チタン、トリフルオロ酢酸／アニソール、フッ化水素酸／アニソール、塩化水素／酢酸、ＨＦ等が挙げられ、好ましくは四塩化チタンである。酸の使用量は、一般式［ＩＩＩ］で表される化合物１モルに対し、１〜１００モル量であり、好ましくは、３０〜６０モル量である。反応温度は、０〜１００℃程度であり、好ましくは２０〜４０℃である。反応時間は、１〜５日間であり、好ましくは２〜４日間である。
本反応によって得られる一般式［Ｉ］で表されるＧＭ−９５物質は、通常の精製手段、例えば、抽出、濃縮、結晶化、カラムクロマト等の操作で精製することができる。
化合物［ＩＶ−ａ］と化合物［Ｖ−ａ］からの化合物［ＩＩ］の製造工程
（ａ）化合物［ＩＶ−ａ］と化合物［Ｖ−ａ］からの化合物［ＶＩ］の製造
本工程は、一般式［ＩＶ−ａ］で表わされるアセタール誘導体と、一般式［Ｖ−ａ］で表わされるチオール誘導体とを、適当な溶媒中、分子間で脱水縮合させる工程である。
上記分子間で脱水縮合反応に用いる溶媒としては、反応に関与しないものであれば何れでもよく、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド等が挙げられ、好ましくはジメチルホルムアミドである。これら溶媒は単独或いは混合溶媒として使用することができる。使用する脱水縮合剤としては、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、水溶性カルボジイミド、シアノ燐酸ジエチル、ジフェニル燐酸アジド、トリフェニルホスフィン／ジエチルアゾジカルボキシレート等が挙げられ、好ましくは水溶性カルボジイミドである。水溶性カルボジイミドとしては、１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩が好ましい。反応に際しては、一般式［ＩＶ−ａ］で表される化合物１モルに対し、一般式［Ｖ−ａ］で表される化合物を０．８〜１．２モル量、脱水縮合剤を１〜２モル量、好ましくは１．０〜１．３モル量使用することができる。更に、反応促進と副反応の抑制のため、１−ヒドロキシベンズトリアゾール１水和物を加えるのが好ましく、その使用割合は一般式［ＩＶ−ａ］で表される化合物１モルに対し１〜１．５モル量程度である。反応温度は、０℃〜１００℃程度であり、好ましくは１０〜３０℃程度である。反応時間は、６〜３０時間程度であり、好ましくは８〜２４時間程度である。
本反応によって得られる一般式［ＶＩ］で表される化合物は、単離又は単離されることなく次の反応工程に使用することができる。単離する場合は、通常の精製手段、例えば、抽出、濃縮、結晶化、カラムクロマト等の操作で精製することができる。
（ｂ）化合物［ＶＩ］から化合物［ＩＩ］の製法
本工程は、化合物［ＶＩ］のアミド誘導体のカルボキシル基及びアミノ基の保護基（Ｒ^３及びＲ^４）を脱保護させた後、アミノ基とカルボキシル基との分子内脱水縮合により分子内で環化せしめる工程である。
ｉ）上記反応中、一般式［ＶＩ］で表されるアミド誘導体のカルボキシル基の保護基（Ｒ^３）又はアミノ基の保護基（Ｒ^４）の脱保護は、以下の通り行われる。
一般式［ＶＩ］で表されるアミド誘導体のアミノ基の保護基（Ｒ^４）の脱保護に際しては、適当な溶媒中、酸の存在下で行われる。溶媒としては、反応に関与しなければ何れでもよく、例えば、ジクロロメタン、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等が挙げられ、好ましくはジクロロメタン、メタノールである。これらは単独でも混合溶媒でもよい。使用する酸としては、例えば塩化水素、硫酸等の鉱酸、トリフルオロ酢酸、蟻酸等の有機酸が挙げられ、好ましくは塩化水素である。
該工程においては、Ｒ^４とＲ^１間において、Ｒ^４が選択的に脱保護されるように各基を選択することが望ましい。Ｒ^４とＲ^１の好ましい組み合わせとしては、Ｒ^４がｔ−ブトキシカルボニル基であってＲ^１がメチル基である。
本工程においては、Ｒ^１の脱保護を防ぐために、無水下で行う。酸の使用量は、基質１モルに対し、１〜１０モル量であり、好ましくは４〜６モル量である。反応温度は、０〜８０℃程度であり、好ましくは２０〜５０℃程度である。反応時間は、１〜２４時間程度であり、好ましくは８〜１８時間程度である。
一般式［ＶＩ］で表されるアミド誘導体のカルボキシル基の保護基（Ｒ^３）の脱保護に際しては、適当な溶媒中、塩基の存在下で行われる。溶媒としては、反応に関与しなければ何れでもよく、例えば、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等が挙げられ、好ましくはメタノールである。これら溶媒は、単独でも混合溶媒でもよい。使用する塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。塩基の使用量は、基質１モルに対し、１〜１０モル量であり、好ましくは２〜６モル量である。反応温度は、０〜８０℃程度であり、好ましくは２０〜５０℃程度である。反応時間は、１〜２４時間程度であり、好ましくは４〜１８時間程度である。
該工程においては、Ｒ^２とＲ^３間において、Ｒ^３が選択的に脱保護されるように各基を選択することが望ましい。Ｒ^２とＲ^３の好ましい組み合わせとしては、Ｒ^２がトリチル基でＲ^３がメチル基またはエチル基がよい。
上記酸処理及び塩基処理の順序は、いずれが先でもよいが、好ましくは、酸処理した後塩基処理を行うのがよい。
ｉｉ）上記脱保護後、適当な溶媒中、分子内脱水縮合反応することにより、一般式［ＩＩ］で表される環状化合物を得ることができる。溶媒としては、反応に関与しないものであれば何れでもよく、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等を挙げられ、好ましくはジメチルホルムアミドであり、該溶媒は単独又は混合溶媒として使用することができる。脱水縮合剤としては、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、水溶性カルボジイミド、シアノ燐酸ジエチル、ジフェニル燐酸アジド、トリフェニルホスフィン／ジエチルアゾジカルボキシレート等が挙げられ、好ましくはジフェニル燐酸アジドである。この際、分子間での反応を抑えるため、化合物［ＶＩ］のカルボキシル基及びアミノ基の保護基を脱保護した化合物の濃度を高度希釈して反応する方が好ましい。化合物［ＶＩ］のカルボキシル基及びアミノ基の保護基を脱保護した化合物の反応濃度としては１〜１００ｍＭで、好ましくは２〜２０ｍＭである。また、化合物［ＶＩ］のカルボキシ基及びアミノ基の保護基を脱保護した化合物１モルに対し、脱水縮合剤を０．８〜３モル量、好ましくは１〜２モル量使用することができる。
反応促進と副反応の抑制のために、１−ヒドロキシベンズトリアゾール１水和物、４−ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミンを共存させることが好ましい。その使用割合としては、化合物［ＶＩ］のカルボキシル基及びアミノ基の保護基を脱保護した化合物１モルに対し、１−ヒドロキシベンズトリアゾール１水和物を１〜１．５モル量、４−ジメチルアミノピリジンを１〜１．５モル量、トリエチルアミンを１〜２モル量である。反応温度は、１０〜６０℃程度であり、好ましくは２５〜３５℃程度である。反応時間は、１〜６日間程度であり、好ましくは２〜４日間程度である。
本反応によって得られる一般式［ＩＩ］で表される環状化合物は、必要であれば、通常の精製手段、例えば、抽出、濃縮、結晶化、カラムクロマト等の操作で精製することができる。
化合物［ＩＶ−ｂ］と化合物［Ｖ−ｂ］からの化合物［ＩＩ］の製造工程
（ａ）化合物［ＩＶ−ｂ］と化合物［Ｖ−ｂ］からの化合物［ＶＩＩ］の製造
本工程は、一般式［ＩＶ−ｂ］で表わされるアセタール誘導体と、一般式［Ｖ−ｂ］で表わされるチオール誘導体とを、適当な溶媒中、分子間で脱水縮合させる工程である。
上記分子間で脱水縮合反応に用いる溶媒としては、反応に関与しないものであれば何れでもよく、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジメチルホルムアミド等が挙げられ、好ましくはジメチルホルムアミドであり、これら溶媒は単独或いは混合溶媒として使用することができる。使用する脱水縮合剤としては、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、水溶性カルボジイミド、シアノ燐酸ジエチル、ジフェニル燐酸アジド、トリフェニルホスフィン／ジエチルアゾジカルボキシレート等が挙げられ、好ましくは水溶性カルボジイミドである。水溶性カルボジイミドとしては、１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩が好ましい。反応に際しては、一般式［ＩＶ−ｂ］で表される化合物１モルに対し、一般式［Ｖ−ｂ］で表される化合物を０．８〜１．２モル量、脱水縮合剤を１〜２モル量、好ましくは１．０〜１．３モル量使用することができる。反応促進と副反応の抑制のため、１−ヒドロキシベンズトリアゾール１水和物を加えるのが好ましく、その使用割合は一般式［ＩＶ−ｂ］で表される化合物１モルに対し１〜１．５モル量程度である。反応温度は、０〜１００℃程度であり、好ましくは１０〜３０℃程度である。反応時間は、４〜３０時間程度であり、好ましくは８〜２４時間程度である。
本反応によって得られる一般式［ＶＩＩ］で表される化合物は、単離又は単離されることなく次の反応工程に使用することができる。単離する場合は、通常の精製手段、例えば、抽出、濃縮、結晶化、カラムクロマト等の操作で精製することができる。
（ｂ）化合物［ＶＩＩ］から化合物［ＩＩ］の製法
本工程は、一般式［ＶＩＩ］のアミド誘導体のアミノ基及びカルボキシル基の保護基（Ｒ^５及びＲ^６）を脱保護させた後、アミノ基とカルボキシル基との分子内脱水縮合により分子内で環化せしめる工程である。
ｉ）上記反応中、一般式［ＶＩＩ］で表されるアミド誘導体のカルボキシル基及びアミノ基の保護基（Ｒ^６及びＲ^５）を脱保護に際しては、一般式［ＶＩ］で表されるアミド誘導体のカルボキシル基の保護基（Ｒ^３）又はアミノ基の保護基（Ｒ^４）の脱保護と同様に行うことができる。
具体的には、一般式［ＶＩＩ］で表されるアミド誘導体のアミノ基の保護基（Ｒ^５）の脱保護に際しては、適当な溶媒中、酸の存在下で行われる。溶媒としては、反応に関与しなければ何れでもよく、例えば、ジクロロメタン、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等が挙げられ、好ましくはジクロロメタン、メタノールである。これらは単独でも混合溶媒でもよい。使用する酸としては、例えば塩化水素、硫酸等の鉱酸、トリフルオロ酢酸、蟻酸等の有機酸が挙げられ、好ましくは塩化水素である。
該工程においては、Ｒ^５とＲ^１間において、Ｒ^５が選択的に脱保護されるように各基を選択することが望ましい。Ｒ^５とＲ^１の好ましい組み合わせとしては、Ｒ^５がｔ−ブトキシカルボニル基であってＲ^１がメチル基である。
本工程においては、Ｒ^１の脱保護を防ぐために、無水下で行う。
酸の使用量は、基質１モルに対し、１〜１０モル量であり、好ましくは４〜６モル量である。反応温度は、０〜８０℃程度であり、好ましくは２０〜５０℃程度である。反応時間は、１〜２４時間程度であり、好ましくは８〜１８時間程度である。
一般式［ＶＩＩ］で表されるアミド誘導体のカルボキシル基の保護基（Ｒ^６）の脱保護に際しては、適当な溶媒中、塩基の存在下で行われる。溶媒としては、反応に関与しなければ何れでもよく、例えば、メタノール、エタノール、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等が挙げられ、好ましくはメタノールである。これら溶媒は、単独でも混合溶媒でもよい。使用する塩基としては、例えば水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。塩基の使用量は、基質１モルに対し、１〜１０モル量であり、好ましくは２〜６モル量である。反応温度は、０〜８０℃程度であり、好ましくは２０〜５０℃程度である。反応時間は、１〜２４時間程度であり、好ましくは４〜２０時間程度である。
該工程においては、Ｒ^２とＲ^６間において、Ｒ^６が選択的に脱保護されるように各基を選択することが望ましい。Ｒ^２とＲ^６の好ましい組み合わせとしては、Ｒ^２がトリチル基でＲ^６がメチル基またはエチル基がよい。
上記酸処理及び塩基処理の順序は、いずれが先でもよいが、好ましくは、酸処理した後塩基処理を行うのがよい。
ｉｉ）上記脱保護後、適当な溶媒中、分子内で脱水縮合反応することにより、一般式［ＩＩ］で表される環状化合物を得ることができる。分子内での脱水縮合反応は上述の反応（［ＶＩ］から［ＩＩ］の製造）を利用することができる。
具体的には、溶媒としては、反応に関与しないものであれば何れでもよく、例えば、クロロホルム、ジクロロメタン、酢酸エチル、テトラヒドロフラン、ジメチルホルムアミド等を挙げられ、好ましくはジメチルホルムアミドであり、該溶媒は単独又は混合溶媒として使用することができる。脱水縮合剤としては、例えば、ジシクロヘキシルカルボジイミド、水溶性カルボジイミド、シアノ燐酸ジエチル、ジフェニル燐酸アジド、トリフェニルホスフィン／ジエチルアゾジカルボキシレート等が挙げられ、好ましくはジフェニル燐酸アジドである。この際、分子間での反応を抑えるため、化合物［ＶＩＩ］のカルボキシル基及びアミノ基の保護基を脱保護した化合物の濃度を高度希釈して反応する方が好ましい。化合物［ＶＩＩ］のカルボキシル基及びアミノ基の保護基を脱保護した化合物の反応濃度としては１〜１００ｍＭで、好ましくは２〜２０ｍＭである。また、化合物［ＶＩＩ］のカルボキシ基及びアミノ基の保護基を脱保護した化合物１モルに対し、脱水縮合剤を０．８〜３モル量、好ましくは１〜２モル量使用することができる。
反応促進と副反応の抑制のために、１−ヒドロキシベンズトリアゾール１水和物、４−ジメチルアミノピリジン、トリエチルアミンを共存させることが好ましい。その使用割合としては、化合物［ＶＩＩ］のカルボキシ基及びアミノ基の保護基を脱保護した化合物１モルに対し、１−ヒドロキシベンズトリアゾール１水和物を１〜１．５モル量、４−ジメチルアミノピリジンを１〜１．５モル量、トリエチルアミンを１〜２モル量である。
反応温度は、１０〜６０℃程度であり、好ましくは２５〜３５℃程度である。反応時間は、１〜６日間程度であり、好ましくは２〜４日間程度である。
本反応によって得られる一般式［ＩＩ］で表される環状化合物は、必要であれば、通常の精製手段、例えば、抽出、濃縮、結晶化、カラムクロマト等の操作で精製することができる。
原料である一般式［ＩＶ−ａ］、［ＩＶ−ｂ］、［Ｖ−ａ］または［Ｖ−ｂ］で表わされるトリオキサゾール誘導体の合成は、公知化合物であるか、例えば、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５８，１５７５（１９９３）、同誌，５８，３６０４（１９９３）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３３，６２６７（１９９２）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３５，２４７７（１９９４）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，５１，７３２１（１９９５）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１５，８４４９（１９９３）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．２７，１６３（１９８６）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４３，１６２４（１９７８）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３８，３３１（１９９７）等の文献記載の方法に準じて合成することができる。
更に、本発明においては、原料として使用する化合物の不斉炭素により、反応工程毎に光学異性体又はジアステレオ異性体が存在する場合があるが、それらの何れにおいても、更にはそれらの混合物の形でも本発明に包含され、本発明反応工程に使用することができる。
例えば、本発明のスキームにおいて化合物［Ｖ−ａ］または［Ｖ−ｂ］中の＊で示される不斉炭素の立体配置がＲ型であれば、化合物［Ｉ］中のチアゾリン環中の＊で示される不斉炭素のそれもＲ型であり、化合物［Ｖ−ａ］または［Ｖ−ｂ］中の＊で示される不斉炭素の立体配置がＳ型であれば、化合物［Ｉ］中のチアゾリン環中の＊で示される不斉炭素のそれもＳ型である。また、化合物［Ｖ−ａ］または［Ｖ−ｂ］中の＊で示される不斉炭素の立体配置がＲＳ型であれば、化合物［Ｉ］中のチアゾリン環中の＊で示される不斉炭素のそれもＲＳ型であり、必要であれば、光学分割することができる。
発明を実施するための最良の形態
以下、本発明をより詳しく説明するため実施例を挙げるが、本発明は之等に限定されない。
以下、本発明を参考例、実施例を挙げて更に詳細に説明するが、これら実施例は本発明の範囲を限定するものではない。
参考例１ ２−｛２−［２−（１−アミノ−２，２−ジメトキシエチル）−１，３−オキサゾール−４−イル］−１，３−オキサゾール−４−イル｝−１，３−オキサゾール−４−カルボン酸メチル（化合物１）の合成（［ＩＶ−ａ］）

Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５８，１５７５（１９９３）、同誌，５８，３６０４（１９９３）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３３，６２６７（１９９２）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３５，２４７７（１９９４）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，５１，７３２１（１９９５）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１５，８４４９（１９９３）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．２７，１６３（１９８６）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４３，１６２４（１９７８）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３８，３３１（１９９７）等の文献記載の方法に準じて合成し、標記化合物を白色固体として３．９０ｇ（収率：９２．０％）得た。物性値を下記に示す。
ｍｐ；１８６〜１８８℃
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）；δ ８．４３（ｓ，１Ｈ），８．３４（ｓ，１Ｈ），８．３２（ｓ，１Ｈ），４．６２（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，１Ｈ），４．２９（ｄ，Ｊ＝５．７Ｈｚ，１Ｈ），３．９５（ｓ，３Ｈ），３．４８（ｓ，３Ｈ），３．４３（ｓ，３Ｈ），１．７２（ｂｒｓ，２Ｈ）
ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ＦＡＢ−ＭＳ ｍ／ｚ＝３６５［Ｍ＋Ｈ］^＋。
参考例２ ２−｛２−［２−（１−ｔ−ブトキシカルボニルアミノ−２−トリフェニルメチルチオエチル）−５−メチル−１，３−オキサゾール−４−イル］−５−メチル−１，３−オキサゾール−４−イル｝−１，３−オキサゾール−４−カルボン酸（化合物２）の合成（［Ｖ−ａ］）

Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５８，１５７５（１９９３）、同誌，５８，３６０４（１９９３）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３３，６２６７（１９９２）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３５，２４７７（１９９４）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ，５１，７３２１（１９９５）、Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１５，８４４９（１９９３）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．２７，１６３（１９８６）、Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，４３，１６２４（１９７８）、Ｔｅｔｒａｈｅｄｒｏｎ Ｌｅｔｔ．，３８，３３１（１９９７）等の文献記載の方法に準じて合成し、標記化合物を得た。物性値を下記に示す。
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）；δ ９．４５−８．７５（ｂｒｓ，１Ｈ），８．３７（ｓ，１Ｈ），７．４８−７．１５（ｍ，１５Ｈ），５．４３−５．２５（ｍ，１Ｈ），４．９５−４．７７（ｍ，１Ｈ），２．７９（ｓ，３Ｈ），２．８８−２．６０（ｍ，２Ｈ），２．６８（ｓ，３Ｈ），１．４３（ｓ，９Ｈ）
ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ＦＡＢ−ＭＳ ｍ／ｚ＝７１５［Ｍ＋Ｎａ］^＋。
実施例１ 下記化合物３の合成

参考例２で得られた化合物２の２．５ｇ（３．５ｍｍｏｌ）を脱水ジメチルホルムアミド３０ｍｌに溶解し、氷冷下１−ヒドロキシベンズトリアゾール１水和物５９０ｍｇ（３．８５ｍｍｏｌ）、１−（３−ジメチルアミノプロピル）−３−エチルカルボジイミド塩酸塩８００ｍｇ（４．１７ｍｍｏｌ）、参考例１で得られた化合物１の１．３４ｇ（３．６８ｍｍｏｌ）の脱水ジメチルホルムアミド溶液４０ｍｌを加え、室温下１５時間撹拌した。反応液を減圧下溶媒留去して得られた残留物を酢酸エチルで希釈し、有機層を１規定塩酸、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾去し、減圧下溶媒留去して得られた残留物にエーテルを加え析出した固体を濾取し、標記化合物を白色固体として３．４４ｇ（収率：９４．６％）得た。
ｍｐ；１４２〜１４３℃
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＣＤＣｌ_３）；δ ８．４２（ｓ，１Ｈ），８．３５（ｓ，１Ｈ），８．３２（ｓ，１Ｈ），８．２８（ｓ，１Ｈ），７．７７（ｄ，Ｊ＝８．９Ｈｚ，１Ｈ），７．４３−７．１７（ｍ，１５Ｈ），５．６９（ｄｄ，Ｊ＝８．９，４．６Ｈｚ，１Ｈ），５．３０−５．１０，（ｍ，１Ｈ），４．９０（ｄ，Ｊ＝４．６Ｈｚ，１Ｈ），４．９３−４．７５（ｍ，１Ｈ），３．９５（ｓ，３Ｈ），３．４９，３．４９（ｓ，ｓ，ｅａｃｈ ３Ｈ），２．８０（ｓ，３Ｈ），２．８５−２．６５（ｍ，２Ｈ），２．７１（ｓ，３Ｈ），１．４３（ｓ，９Ｈ）
ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ＦＡＢ−ＭＳ ｍ／ｚ＝１０６１［Ｍ＋Ｎａ］^＋。
実施例２ 下記化合物４の合成

実施例１で得られた化合物３の３．３３ｇ（３．２ｍｍｏｌ）を脱水ジクロロメタン２０ｍｌ、脱水メタノール２０ｍｌに溶解し、氷冷下４規定塩化水素−酢酸エチル溶液４．０ｍｌ（１６．０ｍｍｏｌ）を加え、室温下１４時間、３５℃にて２時間撹拌した。減圧下溶媒留去して得られた残留物にエーテルを加え析出した固体を濾取し、標記化合物を白色固体として３．０１ｇ（収率：９６．４％）得た。
ｍｐ；１６３〜１６５℃
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）；δ ９．０９（ｓ，１Ｈ），９．０３（ｓ，１Ｈ），９．０１（ｓ，１Ｈ），８．８４（ｓ，１Ｈ），９．１５−８．７５（ｍ，４Ｈ），７．４５−７．１５（ｍ，１５Ｈ），５．５５−４．３７（ｍ，１Ｈ），５．１１（ｄ，Ｊ＝６．６Ｈｚ，１Ｈ），４．２３−４．０８，（ｍ，１Ｈ），３．８５（ｓ，３Ｈ），３．３９，３．３８（ｓ，ｓ，ｅａｃｈ ３Ｈ），２．８２（ｓ，３Ｈ），３．０−２．６０（ｍ，２Ｈ），２．７２（ｓ，３Ｈ）
ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ＦＡＢ−ＭＳ ｍ／ｚ＝９３９［Ｍ＋Ｈ］^＋。
実施例３ 下記化合物５の合成

実施例２で得られた化合物４の２．９３ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をメタノール４０ｍｌに溶解し、氷冷下１規定水酸化ナトリウム水溶液９．０ｍｌ（９．０ｍｍｏｌ）を加え、室温下３時間、４５℃にて２時間、６０℃にて１時間撹拌した。反応液を室温まで冷却した後、減圧下溶媒留去して得られた残留物に水５０ｍｌ及び１規定塩酸９．０ｍｌを加えて析出した固体を濾取し、水、エーテルで洗浄し減圧下乾燥することで標記化合物を白色固体として２．０４ｇ（収率：７３．５％）得た。
ｍｐ；１７１〜１７４℃
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）；δ ９．０５（ｓ，１Ｈ），９．０２（ｓ，１Ｈ），８．８６（ｓ，１Ｈ），８．８２（ｓ，１Ｈ），８．９５−８．８０（ｍ，１Ｈ），７．４５−７．１５（ｍ，１５Ｈ），５．４７（ｄｄ，Ｊ＝８．６，６．９Ｈｚ，１Ｈ），５．１２（ｄ，Ｊ＝６．９Ｈｚ，１Ｈ），３．７８−３．６５，（ｍ，１Ｈ），３．３９，３．３８（ｓ，ｓ，ｅａｃｈ ３Ｈ），２．８０（ｓ，３Ｈ），２．９０−２．５０（ｍ，２Ｈ），２．６６（ｓ，３Ｈ）
ｎｅｇａｔｉｖｅ ｉｏｎ ＦＡＢ−ＭＳ ｍ／ｚ＝９２３［Ｍ−Ｈ］⁻。
実施例４ 下記化合物６の合成（［ＩＩ］）

１−ヒドロキシベンズトリアゾール１水和物３５４ｍｇ（２．３１ｍｍｏｌ）を脱水ジメチルホルムアミド６００ｍｌに溶解し、氷冷下、ジフェニル燐酸アジド６３６ｍｇ（２．３１ｍｍｏｌ）の脱水ジメチルホルムアミド溶液１０ｍｌ、４−ジメチルアミノピリジン３０８ｍｇ（２．５２ｍｍｏｌ）、トリエチルアミン３１９ｍｇ（３．１５ｍｍｏｌ）の脱水ジメチルホルムアミド溶液１０ｍｌを加え、同温にて実施例３で得られた化合物５の１．９４ｇ（２．１０ｍｍｏｌ）の脱水ジメチルホルムアミド溶液５０ｍｌを１５時間かけて滴下した。得られた反応液（化合物５の濃度：３．１ｍＭ）を室温にて更に３日間撹拌した後、減圧下溶媒留去し、得られた残留物をクロロホルムで希釈し、１規定塩酸、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾去し、減圧下溶媒留去して得られた残留物を中圧シリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー（メタノール：クロロホルム＝１：５０〜１：２０）にて精製し、標記化合物を２種のジアステレオマーの混合物として白色固体１．５６ｇ（収率：８１．９％）を得た。
ｍｐ；２５３〜２５６℃（ｄｅｃｏｍｐｏｓｅｄ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）；δ ９．１４，９．１３，９．１０，９．０７，９．０２，８．９７，８．９４，８．９１（ｓ，ｔｏｔａｌ ４Ｈ），８．４６−８．１８（ｍ，２Ｈ），７．４２−７．１３（ｍ，１５Ｈ），５．６０−５．４０（ｍ，２Ｈ），４．８０−４．７０（ｍ，１Ｈ），３．４６，３．４４，３．３６，３．３０（ｓ，ｔｏｔａｌ ６Ｈ），２．７７，２．７６，２．７３，２．７１（ｓ，ｔｏｔａｌ ６Ｈ），２．８８−２．５０（ｍ，２Ｈ）
ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ＦＡＢ−ＭＳ ｍ／ｚ＝９０７［Ｍ＋Ｈ］^＋。
実施例５ 下記化合物７の合成（［ＩＩＩ］）

実施例４で得られた化合物６の９０７ｍｇ（１．０ｍｍｏｌ）を蟻酸５０ｍｌに溶解し、５０℃にて２０時間、６０℃にて６時間撹拌した。得られた反応液を室温まで冷却した後、減圧下溶媒留去して得られた残留物に飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水を加えて析出した固体を濾取し水、エーテルで洗浄し減圧下乾燥することで白色固体７６０ｍｇ（収率：８８．３％）を得た。次に、トリフェニルホスフィン９２３ｍｇ（３．５２ｍｍｏｌ）の脱水ジクロロメタン６０ｍｌ溶液に室温下、よう素８９３ｍｇ（３．５２ｍｍｏｌ）を加え１５分間撹拌した後、該溶液に上述の白色固体７６０ｍｇ（０．８８ｍｍｏｌ）とトリエチルアミン７２０ｍｇ（７．１２ｍｍｏｌ）の脱水塩化メチレン溶液７０ｍｌを滴下し、同温にて２０時間撹拌した。得られた反応液をクロロホルムで希釈し、１規定塩酸、水、飽和炭酸水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水にて洗浄し、無水硫酸ナトリウムにて乾燥した。乾燥剤を濾去し、減圧下溶媒留去して得られた残留物を中圧シリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー（メタノール：クロロホルム＝１：２０〜１：３）にて精製し、標記化合物を白色固体として２３４ｍｇ（収率：３１．５％）得た。
ｍｐ；２４６〜２４８℃
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）；δ ９．１１（ｓ，１Ｈ），９．０５（ｓ，１Ｈ），８．９８（ｓ，１Ｈ），８．９６（ｓ，１Ｈ），８．９６（ｓ，１Ｈ），８．３２−８．１５（ｍ，１Ｈ），７．４０−７．１２（ｍ，１５Ｈ），５．５５−５．４２（ｍ，１Ｈ），３．０５−２．８８（ｍ，１Ｈ），２．７３（ｓ，３Ｈ），２．７０−２．４０（ｍ，３Ｈ），２．６８（ｓ，３Ｈ）
ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ＦＡＢ−ＭＳ ｍ／ｚ＝８６５［Ｍ＋Ｎａ］^＋。
実施例６ 下記化合物８の合成（［Ｉ］ＧＭ−９５物質）

実施例５で得られた化合物７の４２ｍｇ（０．０５０ｍｍｏｌ）を脱水ジクロロメタン２５ｍｌに溶解し、室温にて四塩化チタン４７４ｍｇ（２．５０ｍｍｏｌ）を加え、同温にて３日間撹拌した。反応液を減圧下溶媒留去して得られた残留物を中圧シリカゲルフラッシュカラムクロマトグラフィー（メタノール：クロロホルム＝１：１０〜１：４）にて精製し、標記化合物を白色固体として１０ｍｇ（収率：３４．３％）得た。
ｍｐ；２５７〜２６０℃（ｄｅｃｏｍｐｏｓｅｄ）
^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）；δ ９．０５（ｓ，１Ｈ），９．０４（ｓ，１Ｈ），９．００（ｓ，２Ｈ），８．９１（ｓ，１Ｈ），６．１１−５．９８（ｍ，１Ｈ），４．２３−４．１０（ｍ，１Ｈ），３．７２−３．５８（ｍ，１Ｈ），２．７４（ｓ，３Ｈ），２．６９（ｓ，３Ｈ）
ｐｏｓｉｔｉｖｅ ｉｏｎ ＦＡＢ−ＭＳ ｍ／ｚ＝６０５［Ｍ＋Ｎａ］^＋。
参考例３ 化合物８の構造決定
（１）ＧＭ−９５物質結晶の単離、精製
国際公開ＷＯ００／２４７４７号記載のＧＭ−９５物質生産菌を用いて、同様の培養条件にて培養して得たＧＭ−９５物質を含むメタノール抽出物約１００ｇを、内径６０ｍｍ×５００ｍｍのカラム管に充填したシリカゲルカラムクロマトグラフィーにかけ、メタノール：塩化メチレン＝１：９の移動相を４０ｍｌ／分の速度で流した。ＧＭ−９５物質を含むフラクションは国際公開ＷＯ００／２４７４７号記載の方法で検出した。この操作を４回実施して得たフラクション濃縮残さを酢酸エチルで処理することにより不溶物７５９ｍｇを得た。得られた不溶物を内径５０ｍｍ×５００ｍｍのカラム管に充填したシリカゲルカラムクロマトグラフィーにかけ、メタノール：塩化メチレン＝１：９〜１：５の移動相を４０ｍｌ／分の速度で流した。上述の検出条件でＧＭ−９５物質の単一フラクションを集めて濃縮し、得られた残さを酢酸エチルで処理し、粉末状のＧＭ−９５物質の結晶として１１７ｍｇ得た。得られたＧＭ−９５物質結晶の物理化学的性質は、融点を除き、国際公開ＷＯ００／２４７４７号に記載されたＧＭ−９５蒸発乾固物の物理化学的性質に一致した。本精製条件で得られたＧＭ−９５物質結晶の融点は２３５℃以上（分解）であった。
上記精製により得られたＧＭ−９５物質結晶を標品として、本発明により得られた化合物８の同定に利用した。
（２）化合物８の構造決定
実施例６で得られた化合物８と上記（１）で得られたＧＭ−９５物質結晶の^１Ｈ−ＮＭＲ（ＤＭＳＯ−ｄ_６）を比較した（図１参照）。更に、高速液体クロマトグラフィー（ＨＰＬＣ）による保持時間（Ｒｔ）及びＵＶスペクトル分析の比較を行った（図２及び図３参照）。ＨＰＬＣの分析条件は、国際公開ＷＯ００／２４７４７号記載の方法に準じて設定した。即ち、
カラム：ＰＥＧＡＳＩＬ ＯＤＳ（内径４．６ｍｍ×２５０ｍｍ（株）センシュー科学製）
移動相：アセトニトリル／トリフルオロ酢酸／水（７０：０．１：３０ ｖ／ｖ／ｖ）
流速：１ｍｌ／分
検出：２５４ｎｍ
として測定した。
これらの結果（紫外吸収スペクトルの一致、核磁気共鳴スペクトルの一致、高速液体クロマトグラフィーにおける保持時間の一致）及び実施例６に示したＭａｓｓスペクトルの結果より、化合物８がＧＭ−９５物質と同一の構造を有することが判明した。
産業上の利用の可能性
本発明の製法によれば、制癌活性を有するＧＭ−９５物質を化学的に合成することができる。
また、一般式［ＩＩ］及び［ＩＩＩ］で表される化合物は、制癌活性を有するＧＭ−９５物質を化学的に合成するための製造中間体として有用である。
【図面の簡単な説明】
図１は、参考例３に記載の国際公開ＷＯ００／２４７４７号記載のＧＭ−９５物質生産菌を用いて得られたＧＭ−９５（天然品）と本発明の実施例６で得られたＧＭ−９５（合成品）の^１Ｈ−ＮＭＲスペクトル図である。
図２は、参考例３に記載の国際公開ＷＯ００／２４７４７号記載のＧＭ−９５物質生産菌を用いて得られたＧＭ−９５（天然品）と本発明の実施例６で得られたＧＭ−９５（合成品）の紫外吸収スペクトル図である。
図３は、参考例３に記載の国際公開ＷＯ００／２４７４７号記載のＧＭ−９５物質生産菌を用いて得られたＧＭ−９５（天然品）と本発明の実施例６で得られたＧＭ−９５（合成品）のＨＰＬＣスペクトル図である。

Claims (6)

1. 下記一般式［ＩＩＩ］
   

   

   （式中、Ｒ^２はチオール基の保護基を示す。）
   で表される環状化合物のチオールの保護基（Ｒ^２）を脱保護して生成せしめたチオール基とアミド基との分子内閉環反応によりチアゾリン環を形成せしめることを特徴とする一般式［Ｉ］
   

   

   で表わされるＧＭ−９５物質の製法。
2. （ａ）下記一般式［ＩＩ］で表わされる環状化合物
   

   

   （式中、Ｒ^１は同一または相異なって低級アルキル基を示し、Ｒ^２はチオール基の保護基を示す。）
   のアセタール保護基（Ｒ^１）を脱保護して生成せしめたホルミル基とアミド基を分子内閉環反応によりオキサゾール環を形成させ、
   （ｂ）得られる下記一般式［ＩＩＩ］
   

   

   （式中、Ｒ^２は前記に同じ。）
   で表される環状化合物のチオールの保護基（Ｒ^２）を脱保護して生成せしめたチオール基とアミド基との分子内閉環反応によりチアゾリン環を形成せしめることを特徴とする一般式［Ｉ］
   

   

   で表わされるＧＭ−９５物質の製法。
3. 一般式［ＩＩ］
   

   

   （式中、Ｒ ^１ は同一または相異なって低級アルキル基を示し、Ｒ ^２ はチオール基の保護基を示す。）
   で表わされる環状化合物。
4. 一般式［ＩＩＩ］
   

   

   （式中、Ｒ ^２ はチオール基の保護基を示す。）
   で表される環状化合物。
5. （ａ）下記一般式［ＩＶ−ａ］で表わされるアセタール誘導体
   

   

   （式中、Ｒ ^１ は同一または相異なって低級アルキル基を示す。Ｒ^３はカルボキシル基の保護基を示す。）
   と、一般式［Ｖ−ａ］で表わされるチオール誘導体
   

   

   （式中、Ｒ ^２ はチオール基の保護基を示す。Ｒ^４はアミノ基の保護基を示す。）
   とを脱水縮合させ、
   （ｂ）得られる下記一般式［ＶＩ］
   

   

   （式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^３及びＲ^４は前記に同じ。）
   で表されるアミド誘導体のアミノ基の保護基（Ｒ^４）及びカルボキシル基の保護基（Ｒ^３）を脱保護させた後、分子内で環化せしめることを特徴とする一般式［ＩＩ］
   

   

   （式中、Ｒ^１及びＲ^２は前記に同じ。）
   で表わされる環状化合物の製法。
6. 一般式［ＩＶ−ｂ］で表わされるアセタール誘導体
   

   

   （式中、Ｒ ^１ は同一または相異なって低級アルキル基を示す。Ｒ^５はアミノ基の保護基を示す。）
   と、一般式［Ｖ−ｂ］で表わされるチオール誘導体
   

   

   （式中、Ｒ ^２ はチオール基の保護基を示す。Ｒ^６はカルボキシル基の保護基を示す。）
   とを脱水縮合させ、
   （ｂ）得られる下記一般式［ＶＩＩ］
   

   

   （式中、Ｒ^１、Ｒ^２、Ｒ^５及びＲ^６は前記に同じ。）
   で表されるアミド誘導体のアミノ基の保護基（Ｒ^５）及びカルボキシル基の保護基（Ｒ^６）を脱保護させた後、分子内で環化せしめることを特徴とする一般式［ＩＩ］
   

   

   （式中、Ｒ^１及びＲ^２は前記に同じ。）
   で表わされる環状化合物の製法。

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