JP4001445B2 - フォトレジスト共重合体、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法、及び、半導体素子。 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、フォトレジスト架橋剤及びこれを利用したフォトレジスト共重合体の製造方法に関し、より詳しくは通常のフォトレジスト用重合体合成において各単量体間の重合率を著しく向上させることができるフォトレジスト架橋剤と、これを用いて製造されたフォトレジスト共重合体及びその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパターンの形成方法、及び、半導体素子に関する。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造の微細回路形成工程では、より高感度を達成するため、最近は化学増幅性であるDUV(Deep Ultra Violet)フォトレジストが脚光を浴びており、その組成は、一般に、光酸発生剤(photoacid generator)と酸に敏感に反応する構造のマトリックス高分子を配合して製造される。
【0003】
このようなフォトレジストの作用機転は、光酸発生剤が光源から紫外線の光を受けることによって酸を発生させ、このように発生した酸によりマトリックス高分子化合物の主鎖又は側鎖が反応して分解されるか、架橋結合されながら高分子化合物の極性が大きく変わり、露光部位と非露光部位が現像液に対し相違する溶解度を有することになる。その結果、マスクの像が基板上にポジティブ画像又はネガティブ画像として残り得るようになる。
【0004】
一方、高分子化合物の主鎖又は側鎖が架橋結合される場合、高分子のみで相互間の架橋結合を誘発するのには限界があるので、各高分子間の架橋作用を促進することができる架橋剤を添加している。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
上記のような架橋剤は、フォトレジスト共重合体を構成する単量体間の結合を促進させることにより、フォトレジスト共重合体の重合収率を向上させる。例えば、架橋剤を用いない場合に重合に用いられた単量体が20gであれば、重合後得られる分子量6000程度の重合体の量は約4.8g程度で、収率は24%程度である。
【0006】
しかしながら、単量体の量を40gに増加させた場合、重合後に得られる重合体の量は約6g程度で、重合収率は15%程度に急減に低下してしまっていた。このため、フォトレジスト共重合体を大量生産するためのフォトレジスト架橋剤が望まれていた。
【0007】
本発明は、フォトレジスト共重合体の重合収率を画期的に向上させることができるフォトレジスト架橋剤を提供することを目的とする。また、本発明は、前記フォトレジスト架橋剤を含むフォトレジスト共重合体の製造方法、及びこれから製造されたフォトレジスト共重合体を提供することを目的とする。さらに、本発明は前記フォトレジスト架橋剤を利用して製造されたフォトレジスト組成物、及び、このフォトレジスト組成物を利用して製造された半導体素子を提供することを目的とする。
【0015】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決すべく、請求項1記載の発明のフォトレジスト共重合体は、
ポリ(無水マレイン酸/2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/5−ノルボルネン−2−カルボン酸/1,3−ブタンジオールジアクリレート)又は、ポリ(無水マレイン酸/2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/5−ノルボルネン−2−カルボン酸/1,4−ブタンジオールジアクリレート)でなる群から選択されることを特徴としている。
【0022】
請求項2記載の発明のフォトレジスト組成物は、
(i)請求項1記載のフォトレジスト共重合体と、
(ii)有機溶媒と、
を含むことを特徴としている。
【0023】
請求項3記載の発明は、請求項2記載のフォトレジスト組成物において、
(iii)光酸発生剤をさらに含むことを特徴としている。
【0024】
請求項4記載の発明は、請求項3記載のフォトレジスト組成物において、
前記光酸発生剤は、ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アルセネート、ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニル トリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、ジフェニルパラ−t−ブチルフェニル トリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロ ホスフェート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ アルセネート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ アンチモネート、トリフェニルスルホニウム トリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウム トリフレートでなる群から選択される1、又は2以上の化合物であることを特徴としている。
【0025】
請求項5記載の発明のフォトレジストパターンの形成方法は、
(a)請求項2から4のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を被エッチング層に塗布する段階と、
(b)露光装備を利用して前記結果物を露光する段階と、
(c)前記結果物を現像してフォトレジストパターンを得る段階と、
を含むことを特徴としている。
【0026】
請求項6記載の発明は、請求項5記載のフォトレジストパターンの形成方法において、
前記露光装備は、ArF光、KrF光、E−ビーム、X−レイ、EUV(Extremely Ultra Violet)及びDUV(Deep Ultra Violet)でなる群から選択された露光源を用いることを特徴としている。
【0027】
請求項7記載の発明は、請求項5または6記載のフォトレジストパターンの形成方法において、
前記(b)段階の前、及び/又は後でベーキング工程を行う段階をさらに含むことを特徴としている。
【0028】
請求項8記載の発明は、請求項7記載のフォトレジストパターンの形成方法において、
前記ベーキング工程は、50−200℃で行われることを特徴としている。
【0029】
請求項9記載の発明は、請求項5から8のいずれかに記載のフォトレジストパターンの形成方法において、
前記現像工程は、TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液を利用して行われることを特徴としている。
【0030】
請求項10記載の発明の半導体素子は、
請求項5から9のいずれかに記載のフォトレジストパターンの形成方法により製造されたことを特徴としている。
【0031】
従って、本発明に係るフォトレジスト架橋剤を利用すれば、フォトレジスト共重合体の収率を高めることができ、本発明のフォトレジスト共重合体を含むフォトレジスト組成物を利用して得たフォトレジストパターンで高密度の半導体素子を製造することができる。
【0032】
【発明の実施の形態】
前記の目的を達成するため、本発明は下記式(1)で示されることを特徴とするフォトレジスト架橋剤を提供する。
【化11】
前記式で、
R'及びR''は、それぞれ水素或いはメチルであり、
mは、1〜10中で選択される整数であり、
Rは、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたカルボン酸、及び、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアセタールでなる群から選択される。
【0033】
本発明の他の目的を達成するため、(a)二つ以上のフォトレジスト共単量体を有機溶媒に溶解する段階と、(b)前記結果物溶液に重合開始剤又は重合触媒を添加し、重合反応を誘導する段階を含むフォトレジスト共重合体の製造方法において、前記(a)段階で、前記式(1)で示されるフォトレジスト架橋剤をさらに添加する段階を追加して含むことを特徴とするフォトレジスト共重合体の製造方法を提供する。
【0034】
以下、具体的な実施例を挙げて本発明をより詳しく説明する。
数多い実験の結果、本発明者等は、前記式(1)で示される化合物がフォトレジスト共重合体を互いに架橋結合させることにより、重合体の合成収率を向上させるとの事実を見出した。
【0035】
前記式(1)で示される化合物は二つの二重結合を有しており、それぞれの二重結合がフォトレジスト単量体と結合しながら架橋をなし、フォトレジスト共重合体の重合収率を向上させる。
【0036】
本発明に係る前記式(1)で示される架橋単量体は、下記式(2)で示される1,3−ブタンジオール ジアクリレート、又は下記式(3)で示される1,4−ブタンジオール ジアクリレートであることがより好ましい。
【化12】
【化13】
【0037】
本発明に係るフォトレジスト共重合体は、通常のフォトレジスト共重合体の合成工程において、前記式(1)で示されるフォトレジスト架橋剤をさらに添加して製造することができる。
【0038】
例えば、下記式(4)で示される脂肪族環形オレフィン誘導体を二つ以上含むフォトレジスト共重合体を製造する場合には、下記式(4)で示される化合物中、二つ以上を有機溶媒に溶解し、本発明に係る式(1)で示されるフォトレジスト架橋剤をさらに添加した後、前記結果物溶液にラジカル重合開始剤、又は金属触媒等を添加し重合反応を誘導する。
【0039】
【化14】
前記式で、
k及びnは、それぞれ1又は2のいずれかの数であり、
pは、0〜5中で選択される整数であり、
R5及びR6は、それぞれ水素又はメチルであり、
R1、R2、R3及びR4は、それぞれ、水素、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたカルボン酸、又は、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアセタールである。
【0040】
この際、前記重合反応は、窒素又はアルゴン雰囲気下で、60〜130℃の温度、及び10.13Pa〜5.066×105Pa(パスカル)の圧力下で行われるのが好ましい。
【0041】
さらに、重合方法としては、バルク重合及び溶液重合等を利用することができ、重合溶媒としては、シクロヘキサノン、メチルエチルケトン、ベンゼン、トルエン、ジオキサン、テトラヒドロフラン、プロピレングリコール メチルエーテル アセテート、ジメチルホルムアミド等の単独溶媒、又はこれらの混合溶媒を用いることができる。また、重合開始剤としては、ベンゾイルパーオキサイド、2,2′−アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)、アセチルパーオキサイド、ラウリルパーオキサイド、t−ブチルパーアセテート、t−ブチルヒドロパーオキサイド、ジ−t−ブチルパーオキサイド等を用いることができる。
本発明に係る重合方法により得られた好ましいフォトレジスト共重合体は、下記式(5)で示される化合物である。
【0042】
【化15】
前記式で、
k及びnは、それぞれ1又は2であり、
mは、1〜10中のいずれかの整数であり、
pは、0〜5中のいずれかの整数であり、
R'、R''、R5及びR6は、水素或いはメチルであり、
Rは、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたカルボン酸、及び、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアセタールでなる群から選択されたものであり、
R1、R2、R3及びR4は、それぞれ、水素、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアルキル、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたエステル、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたケトン、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたカルボン酸、炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアセタール、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアルキル、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたエステル、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたケトン、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたカルボン酸、及び、一つ以上の水酸基(−OH)を含む炭素数1〜10の間の側鎖、或いは主鎖置換されたアセタールでなる群から選択されたものであり、a:b:cのmol%比率は、1−50:10−50:0.1−20である。
【0043】
前記式(5)で示されるフォトレジスト共重合体の分子量は、3,000〜100,000であることが好ましい。
【0044】
本発明に係るフォトレジスト共重合体は、性能面においては、フォトレジスト架橋剤が添加されない場合と大きな差がない。しかし、本発明に係るフォトレジスト架橋剤を用いる場合には、重合収率が一段と向上された。
【0045】
即ち、架橋剤を用いない場合に、重合に用いられた共単量体が20gの場合、重合後に得られる分子量6000程度の重合体量は約4.8g程度で収率が24%程度であるが、共単量体の量を40gに増加する場合、得られる重合体の量は約6g程度で、収率は15%程度に低下する。従って、大量生産には適しない。
【0046】
一方、本発明に係る架橋剤を用いて重合工程を行う場合には、重合に用いられた共単量体が20gの場合、重合後に得られる分子量12000程度の重合体量は約7g程度で、収率は35%程度である。また、用いられた共単量体の量が40gの場合、重合後得られる重合体の量は約14g程度で、収率が35%程度であり、重合に用いる共重合体の量による大きな変化がない。
また、この際、得られたフォトレジスト共重合体の分子量は12000程度であり、ポリ分散度(poly dispersity)は2.0程度であった。
【0047】
この結果から、本発明に係る架橋剤を利用して重合工程を行う場合に、より高い重合収率を得ることができるのでフォトレジスト共重合体の大量生産が可能である。
【0048】
本発明に係るフォトレジスト組成物は、(i)本発明に係るフォトレジスト共重合体を(ii)有機溶媒中に溶解して製造する。この際、有機溶媒にはシクロヘキサノン、メチル−3−メトキシプロピオネート、エチル−3−エトキシプロピオネート、プロピレングリコール メチルエーテル アセテート、シクロヘキサノン、2−メトキシエチルアセテート、2−ヘプタノン、イソブチルメチルケノン、又はその他の通常の有機溶媒を用いることができる。
【0049】
一方、化学増幅型フォトレジスト組成物を得ようとする場合には、(iii)光酸発生剤を追加して添加することができる。前記光酸発生剤は、例えば、硫化塩系又はオニウム塩系として、ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アルセネート、ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニル トリフレート、ジフェニルパラトルエニル トリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニル トリフレート、ジフェニルパラ−t−ブチルフェニル トリフレート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ ホスフェート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロ アルセネート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ アンチモネート、トリフェニルスルホニウム トリフレート、ジブチルナフチルスルホニウム トリフレートの中から一つ又は二つ以上を用いることができる。
【0050】
本発明に係り製造されたフォトレジスト組成物をシリコンウェーハにスピン塗布して薄膜を形成した後、70〜200℃より好ましくは80〜150℃のオーブン、又は熱板で1〜5分間ソフトベークし、遠紫外線露光装置又はエキシマレーザ露光装置を利用して露光した後、10〜200℃より好ましくは100〜200℃でホストベークを行う。この際、露光源としてはArF光、KrF光、E−ビーム、X−レイ、EUV(Extremely Ultra Violet)、DUV(Deep Ultra Violet)等を用いることもでき、露光エネルギーは1〜100mJ/cm2が好ましい。
【0051】
このように露光したウェーハを現像液、例えば2.38wt%(重量%)又は2.5wt%TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液に一定時間、好ましくは40秒間浸漬して現像することにより超微細パターンを得ることができる。
【0052】
【実施例】
以下、実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
【0053】
実施例1:ポリ(無水マレイン酸/2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/5−ノルボルネン−2−カルボン酸/1,3−ブタンジオール ジアクリレート)重合体の合成
先ず、(i)2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート0.1モルと、(ii)t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート0.85モルと、(iii)5−ノルボルネン−2−カルボン酸0.05モルと、(iv)前記式(2)で示される架橋剤1,3−ブタンジオール ジアクリレート0.1モルと、(v)無水マレイン酸1.0モルをテトラヒドロフランに溶解した。
前記結果物溶液に重合開始剤としてAIBN(アゾビスイソブチロニトリル) 6.16gを投入後、窒素或いはアルゴン雰囲気下で約67℃の温度で10時間の間反応させた。
このように生成された重合体をエチルエーテル或いはヘキサンで沈澱させて乾燥し、下記式(6)で示されるポリ(無水マレイン酸/2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/5−ノルボルネン−2−カルボン酸/1,3−ブタンジオール ジアクリレート)を得た(収率:35%)。
【化16】
前記式で、a1:a2:a3:b:cのモル分率は、0.405:0.048:0.024:0.476:0.047である。
【0054】
実施例2:ポリ(無水マレイン酸/2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/5−ノルボルネン−2−カルボン酸/1,4−ブタンジオール ジアクリレート)重合体の合成
1,3−ブタンジオール ジアクリレートの代わりに、前記式(4)で示される1,4−ブタンジオール ジアクリレート0.1モルを用いることを除いては、前記実施例1と同じ方法により、下記式(7)で示されるポリ(無水マレイン酸/2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/5−ノルボルネン−2−カルボン酸/1,4−ブタンジオール ジアクリレート)を得た。
【化17】
前記式で、a1:a2:a3:b:cのモル分率は、0.405:0.048:0.024:0.476:0.047である。
【0055】
実施例3
前記実施例1で得られたフォトレジスト共重合体3.57gをエチル−3−エトキシプロピオネート25gに溶解した後、光酸発生剤であるトリフェニルスルホニウムトリフレート、又はジブチルナフチルスルホニウムトリフレート0.02gを投入して攪拌した。次いで、0.10μm(マイクロメートル)フィルターで前記結果物溶液を濾過してフォトレジスト組成物を得た。
得られたフォトレジスト溶液をシリコンウェーハ上にスピン塗布した後、 110℃で90秒間ソフトベークした。次いで、ArFレーザ露光装備で0.1〜40mJ/cm2の露光エネルギーを照射した後、110℃で90秒間再びホストベークを行った。ホストベーク完了後、2.38wt%のTMAH水溶液で40秒間現像した結果、0.14μmのL/Sパターンが得られた(図1参照)。
【0056】
実施例4
実施例1で製造した重合体の代わりに実施例2で製造した重合体を用いることを除いては、前記実施例3と同じ方法によってフォトレジスト組成物を製造し、これを利用して、フォトレジストパターン(0.14μmのL/Sパターン)を得た(図2参照)
【0057】
なお、本発明の実施の形態、及び、上記各実施例においては、フォトレジスト架橋剤を用いたフォトレジスト用共重合体、又はフォトレジスト組成物を製造する一部の具体例を開示しているが、本発明がこれに限定されるものではなく、通常のフォトレジスト用共重合体又はフォトレジスト用組成物に対し、本発明に係る架橋剤を添加することも含むのは勿論である。
【0058】
【発明の効果】
本発明に係るフォトレジスト架橋剤を利用すれば、フォトレジスト共重合体の収率を高めることができ、本発明のフォトレジスト共重合体を含むフォトレジスト組成物を利用して得たフォトレジストパターンで高密度の半導体素子を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施例3において得られたフォトレジストパターンの写真を示す。
【図2】本発明の実施例4において得られたフォトレジストパターンの写真を示す。
Claims (10)
- ポリ(無水マレイン酸/2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/5−ノルボルネン−2−カルボン酸/1,3−ブタンジオールジアクリレート)又は、ポリ(無水マレイン酸/2−ヒドロキシエチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/t−ブチル−5−ノルボルネン−2−カルボキシレート/5−ノルボルネン−2−カルボン酸/1,4−ブタンジオールジアクリレート)でなる群から選択されるフォトレジスト共重合体。
- (i)請求項1記載のフォトレジスト共重合体と、
(ii)有機溶媒と、
を含むことを特徴とするフォトレジスト組成物。 - (iii)光酸発生剤をさらに含むことを特徴とする請求項2記載のフォトレジスト組成物。
- 前記光酸発生剤は、ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロホスフェート、ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アルセネート、ジフェニルヨウ素塩 ヘキサフルオロ アンチモネート、ジフェニルパラメトキシフェニルトリフレート、ジフェニルパラトルエニル トリフレート、ジフェニルパライソブチルフェニルトリフレート、ジフェニルパラ−t−ブチルフェニル トリフレート、トリフェニルスルホニウムヘキサフルオロ ホスフェート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ アルセネート、トリフェニルスルホニウム ヘキサフルオロ アンチモネート、トリフェニルスルホニウム トリフレート、及びジブチルナフチルスルホニウム トリフレートでなる群から選択される1、又は2以上の化合物であることを特徴とする請求項3記載のフォトレジスト組成物。
- (a)請求項2から4のいずれかに記載のフォトレジスト組成物を被エッチング層に塗布する段階と、
(b)露光装備を利用して前記結果物を露光する段階と、
(c)前記結果物を現像してフォトレジストパターンを得る段階と、
を含むことを特徴とするフォトレジストパターンの形成方法。 - 前記露光装備は、ArF光、KrF光、E−ビーム、X−レイ、EUV(Extremely Ultra Violet)及びDUV(Deep Ultra Violet)でなる群から選択された露光源を用いることを特徴とする請求項5記載のフォトレジストパターンの形成方法。
- 前記(b)段階の前、及び/又は後でベーキング工程を行う段階をさらに含むことを特徴とする請求項5または6記載のフォトレジストパターンの形成方法。
- 前記ベーキング工程は、50−200℃で行われることを特徴とする請求項7記載のフォトレジストパターンの形成方法。
- 前記現像工程は、TMAH(テトラメチルアンモニウムヒドロキシド)水溶液を利用して行われることを特徴とする請求項5から8のいずれかに記載のフォトレジストパターンの形成方法。
- 請求項5から9のいずれかに記載のフォトレジストパターンの形成方法により製造されたことを特徴とする半導体素子。
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