JP3988300B2 - 電子部品のバンプ電極形成方法および電子部品 - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
この発明は、電子部品のバンプ電極形成方法およびこの方法によって有利に形成され得るバンプ電極を備える電子部品に関するもので、特に、下地金属層、その上に電気めっきにより形成されるめっき層およびその上に形成される半田バンプ部を備えるバンプ電極における、めっき層の形成方法の改良に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】
図７には、この発明にとって興味ある電子部品１が示されている。
【０００３】
電子部品１は、相対向する２つの主面２および３ならびにこれら主面２および３間を連結する４つの側面４、５、６および７を有する、直方体状をなす電子部品本体８を備えている。図７は、電子部品１の外観を斜視図で示すものであるが、この電子部品１の実装面側を上方に向けた状態で図示している。この実装面すなわち主面２上には、複数の、たとえば１２個のバンプ電極９が形成されている。このようなバンプ電極９を介しての接続を適用して電子部品１を適宜の配線基板上に実装するようにすれば、実装の高密度化を図ることができる。
【０００４】
図８には、バンプ電極９の詳細な構造例が拡大されて断面図で示されている。
【０００５】
バンプ電極９は、電子部品本体８の外表面すなわち主面２上に形成された下地金属層１０と、その上に電気めっきによりそれぞれ形成された第１および第２のめっき層１１および１２と、その上に形成された半田バンプ部１３とを備えている。
【０００６】
下地金属層１０は、電子部品本体８の内部に形成されたビアホール接続部１４に電気的に接続されていて、ビアホール接続部１４は、電子部品本体８の内部に設けられた内部電極等の電気的要素（図示せず。）に電気的に接続されている。下地金属層１０は、たとえば銀からなり、焼付けまたはスパッタリングによって形成される。
【０００７】
第１のめっき層１１は、たとえばニッケルからなり、第２のめっき層１２は、たとえば錫または半田からなる。第１のめっき層１１は、バリア層として機能するもので、下地金属層１０を構成するたとえば銀のような金属が第２のめっき層１２あるいは半田バンプ部１３へと拡散することを防止する。第２のめっき層１２は、半田に対する親和性を高め、半田バンプ部１３の形成を容易にするように機能する。
【０００８】
半田バンプ部１３は、たとえば、半田ボールをリフローにより第２のめっき層１２上に付与することによって形成されたり、溶融半田中にディップすることによって形成されたり、印刷により形成されたりすることができる。半田バンプ部１３は、実質的に球状に突出した形態を有しているが、この半田バンプ部１３の径は、下地金属層１０の径に実質的に左右される。
【０００９】
上述した第１および第２のめっき層１１および１２をそれぞれ形成するための電気めっき工程は、これを多数の電子部品１について能率的に進めるため、図示しないが、通常、複数の電子部品本体８を複数の導電性メディアとともにバレル内に装填した状態で実施される。導電性メディアとしては、たとえば、金属ボール、より具体的には、スチールボールが用いられる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
前述したように、高密度実装を可能とするためにバンプ電極９が採用されている。したがって、この高密度実装を実現するためには、バンプ電極９の径を小さくしなければならない。バンプ電極９の径は、前述したように、下地金属層１０の径に実質的に左右されるため、バンプ電極９の径を小さくするためには、下地金属層１０の径も小さくしなければならない。そのため、下地金属層１０の径は、通常、１．０ｍｍ以下、たとえば０．５ｍｍ程度とされる。
【００１１】
しかしながら、前述したように、バレルを用いる電気めっきを適用して、下地金属層１０上に第１のめっき層１１を形成しようとしたり、第１のめっき層１１上に第２のめっき層１２を形成しようとしたりする場合、これら第１および第２のめっき層１１および１２の各々について、所望の析出厚みを得るのに比較的長時間必要とするという問題に遭遇する。これは、下地金属層１０の径が小さくなればなるほど、導電性メディアと下地金属層１０または第１のめっき層１１との間での接触頻度がより低くなるためである。また、導電性メディアとして用いられる金属ボールは、たとえば０．８ｍｍ程度の径を有しているが、この金属ボールの径が、下地金属層１０または第１のめっき層１１の径に比較して大きいことも、上述した接触頻度を低下させる原因となっている。
【００１２】
そこで、この発明の目的は、上述したような問題を解決し得る電子部品のバンプ電極形成方法およびこの方法によって有利に形成され得るバンプ電極を備える電子部品を提供しようとすることである。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
この発明は、まず、電子部品本体の外表面上に、下地金属層、その上に電気めっきにより形成されためっき層およびその上に形成された半田バンプ部を含むバンプ電極を形成している、電子部品における上述したバンプ電極を形成するための方法に向けられるものであって、上述した技術的課題を解決するため、次のような構成を備えることを特徴としている。
【００１４】
すなわち、この発明に係る電子部品のバンプ電極形成方法は、下地金属層とともに、この下地金属層に電気的に接続されかつ下地金属層より大きい面積を有する外部電極を、外表面上に形成している、電子部品本体を用意する工程と、複数の導電性メディアおよび複数の電子部品本体をバレル内に装填した状態で電気めっきを実施することによって、下地金属層上にめっき層を形成する工程と、このめっき層上に、半田バンプを形成する工程とを備えることを特徴としている。
【００１５】
この発明は、また、上述したような方法によって形成されたバンプ電極を備える、電子部品にも向けられる。
【００１６】
この電子部品は、下地金属層、その上に電気めっきにより形成されるめっき層およびその上に形成される半田バンプ部を含むバンプ電極と、下地金属層に電気的に接続されかつ下地金属層より大きい面積を有する外部電極との双方を、外表面上に形成している、電子部品本体を備えている。
【００１７】
なお、上述した電子部品に備える外部電極は、電子部品の完成段階では、削り取るなどして除去されてもよい。そのため、前述のこの発明に係る方法によって形成されたバンプ電極を備える電子部品は、このように外部電極を備えないものも含むものと理解しなければならない。
【００１８】
この発明において、電子部品本体は、典型的には、相対向する２つの主面およびこれら２つの主面間を連結する４つの側面を有する、直方体状をなしている。この場合、下地金属層は、一方の主面上に形成され、かつ、外部電極は、側面上に形成されることが好ましい。
【００１９】
また、より好ましくは、側面上に形成される外部電極は、側面の交差する角の部分に形成される。
【００２０】
この発明は、また、次のような構成を備えることによって、積層コンデンサとして機能する電子部品に対して有利に適用されることができる。
【００２１】
すなわち、この電子部品では、バンプ電極は、第１および第２のバンプ電極を備え、外部電極は、第１および第２の外部電極を備えている。また、電子部品本体は、その主面の延びる方向に延びながら積層される複数の誘電体層と、特定の誘電体層を介して互いに対向する少なくとも１対の第１および第２の内部電極と、第２の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で第１の内部電極と第１のバンプ電極とを電気的に接続するように特定の誘電体層を貫通する第１のビアホール接続部と、第１の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で第２の内部電極と第２のバンプ電極とを電気的に接続するように特定の誘電体層を貫通する第２のビアホール接続部とを備えている。そして、第１の内部電極は、第１の外部電極に電気的に接続され、かつ、第２の内部電極は、第２の外部電極に電気的に接続されている。
【００２２】
【発明の実施の形態】
図１ないし図６は、この発明の一実施形態を説明するためのものである。ここで、図１は、この実施形態に係る電子部品２１の外観を示す斜視図であり、図２は、電子部品２１の内部構造を、垂直方向の断面をもって示す正面図であり、図３は、電子部品２１の内部構造を、第１の水平方向の断面をもって示す平面図であり、図４は、電子部品２１の内部構造を、第１の断面とは異なる第２の水平方向の断面をもって示す平面図である。図５は、図８に相当する図である。図６は、電子部品２１の製造の途中において与えられる形態を示す斜視図である。
【００２３】
電子部品２１は、相対向する２つの主面２２および２３とこれら２つの主面２２および２３間を連結する４つの側面２４、２５、２６および２７とを有する、直方体状をなす電子部品本体２８を備えている。
【００２４】
図１および図２では、電子部品２１の実装面側を上方へ向けた状態で図示されている。すなわち、一方の主面２２側が実装面側とされる。このような主面２２上には、複数のバンプ電極２９および３０が分布するように形成されている。これらバンプ電極２９および３０は、後述する説明から明らかになるように、第１のバンプ電極２９と第２のバンプ電極３０とに分類され、第１のバンプ電極２９と第２のバンプ電極３０とは交互に並ぶように配置されている。
【００２５】
電子部品２１は、積層コンデンサを構成するもので、その電子部品本体２８は、主面２２および２３の延びる方向に延びながら積層される、たとえばセラミック誘電体からなる複数の誘電体層３１と、複数のコンデンサユニットを形成するように特定の誘電体層３１を介して互いに対向する複数対の第１および第２の内部電極３２および３３を有している。
【００２６】
図３に、第１の内部電極３２が図示されていることからわかるように、図３は、第１の内部電極３２が通る断面を示し、また、図４に、第２の内部電極３３が図示されていることからわかるように、図４は、第２の内部電極３３が通る断面を示している。なお、図３および図４において、内部電極３２および３３は、ハッチングを施すことによって、各々の形成領域をより明確に理解できるようにされている。
【００２７】
電子部品本体２８の内部には、第１の内部電極３２と第１のバンプ電極２９とを電気的に接続するように特定の誘電体層３１を貫通して延びる第１のビアホール接続部３４が設けられる。また、第１のビアホール接続部３４に隣り合いながら、第２の内部電極３３と第２のバンプ電極３０とを電気的に接続するように特定の誘電体層３１を貫通して延びる第２のビアホール接続部３５が設けられている。
【００２８】
この実施形態では、より大きな静電容量が得られるようにするため、それぞれ複数の第１および第２の内部電極３２および３３が、誘電体層３１の積層方向に交互に配置され、それによって、第１の内部電極３２と第２の内部電極３３との対向する部分の数が複数とされ、複数のコンデンサユニットを形成するようにされている。そして、これら複数のコンデンサユニットも、上述した第１および第２のビアホール接続部３４および３５によって並列接続される。
【００２９】
より詳細には、第１のビアホール接続部３４は、第２の内部電極３３を貫通しながら複数の第１の内部電極３２を互いに電気的に接続するように延び、かつ、第２のビアホール接続部３５は、第１の内部電極３２を貫通しながら複数の第２の内部電極３３を互いに電気的に接続するように延びている。
【００３０】
また、第２の内部電極３３は、第１のビアホール接続部３４が貫通する部分の周囲にギャップ３６を形成していて、それによって、第１のビアホール接続部３４は、第２の内部電極３３に対して電気的に絶縁された状態とされている。また、第１の内部電極３２は、第２のビアホール接続部３５が貫通する部分の周囲にギャップ３７を形成していて、それによって、第２のビアホール接続部３５は、第１の内部電極３２に対して電気的に絶縁された状態とされている。
【００３１】
前述したバンプ電極２９および３０は、図８に示したバンプ電極９と実質的に同様の構造を有している。また、第１および第２のバンプ電極２９および３０は、互いに実質的に同じ構造を有している。以下には、第１のバンプ電極２９の構造について、図５を参照しながら説明する。
【００３２】
バンプ電極２９は、電子部品本体２８の外表面すなわち一方の主面２２上に形成された下地金属層３８と、その上に電気めっきによりそれぞれ形成された第１および第２のめっき層３９および４０と、その上に形成された半田バンプ部４１とを備えている。これら下地金属層３８、第１および第２のめっき層３９および４０、ならびに半田バンプ部４１の各々の形態、材料および形成方法については、特に断らない限り、図８に示した下地金属層１０、第１および第２のめっき層１１および１２ならびに半田バンプ部１３の場合と実質的に同様であるので、前述した説明を援用する。
【００３３】
この実施形態では、電子部品本体２８の外表面上には、上述したバンプ電極２９および３０に加えて、複数の、たとえば４つの外部電極４２および４３が形成されている。これら外部電極４２および４３は、電子部品本体２８の側面２４〜２７の交差する角の部分に位置されている。外部電極４２および４３の形成には、たとえば焼付けやスパッタリングが適用される。
【００３４】
外部電極４２および４３は、後述する説明から明らかになるように、第１の外部電極４２と第２の外部電極４３とに分類される。また、この実施形態では、２つの第１の外部電極４２および２つの第２の外部電極４３は、それぞれ、対角線方向に対向するように配置されている。
【００３５】
図３によく示されているように、第１の内部電極３２は、第１の外部電極４２に電気的に接続されている。したがって、第１の外部電極４２は、第１の内部電極３２および第１のビアホール接続部３４を介して、第１のバンプ電極２９の下地金属層３８に電気的に接続された状態となっている。
【００３６】
また、図４によく示されているように、第２の内部電極３３は、第２の外部電極４３に電気的に接続されている。したがって、第２の外部電極４３は、第２の内部電極３３および第２のビアホール接続部３５を介して、第２のバンプ電極３０の下地金属層３８に電気的に接続された状態となっている。
【００３７】
また、外部電極４２および４３は、それぞれ、下地金属層３８より大きい面積を有している。
【００３８】
この発明では、バンプ電極２９および３０の形成方法、より特定的には、下地金属層３８上への第１のめっき層３９および第１のめっき層３９上への第２のめっき層４０の各形成方法に特徴がある。
【００３９】
これらめっき層３９および４０を順次形成するにあたって、まず、図６に示すような形態を有する電子部品本体２８が用意される。この電子部品本体２８は、下地金属層３８とともに外部電極４２および４３を外表面上に形成している。
【００４０】
次いで、このような複数の電子部品本体２８は、図示しないが、複数のたとえば金属ボール、より具体的には、スチールボールのような導電性メディアとともに、回転するバレル内に装填され、この状態で電気めっきが実施され、たとえばニッケルからなる第１のめっき層３９が下地金属層３８上に形成される。
【００４１】
次に、同様に、回転するバレル内に装填した状態での電気めっきが実施され、第１のめっき層３９上に、たとえば錫または半田からなる第２のめっき層４０が形成される。
【００４２】
上述した第１および第２のめっき層３９および４０の形成のための各電気めっき工程において、下地金属層３８または第１のめっき層３９にめっき電流が流れる機会は、導電性メディアが下地金属層３８または第１のめっき層３９に接触することによってもたらされるばかりでなく、外部電極４２または４３に導電性メディアが接触することによってももたらされる。また、外部電極４２および４３の各々の面積は、下地金属層３８の面積または第１のめっき層３９の面積よりも大きいので、導電性メディアが下地金属層３８または第１のめっき層３９および外部電極４２または４３に接触する頻度は、外部電極４２および４３が形成されていない場合に比べて、大幅に高くなる。
【００４３】
このようなことから、第１のめっき層３９および第２のめっき層４０をそれぞれ形成するにあたって、所望の析出厚みを得るために必要とする電気めっき処理時間を大幅に短縮することができる。このめっき処理時間の短縮に関して、外部電極４２および４３の各々の面積が大きくなればなるほど、めっき処理時間をより短縮できることが実験で確認されている。
【００４４】
外部電極４２および４３のそれぞれの面積は、前述したように、下地金属層３８の面積より大きいとされたが、これらの面積間の比較は、それぞれの面積の合計についての比較であると理解しなければならない。そのため、外部電極４２および４３のそれぞれの数を多くすれば、外部電極４２および４３の個々のものの面積をより小さくすることも可能である。
【００４５】
上述のようにして、第２のめっき層４０が形成された後、この第２のめっき層４０上には、半田バンプ部４１がリフロー、ディップまたは印刷等の方法により形成され、図１に示すようなバンプ電極２９および３０を備える電子部品２１が完成される。
【００４６】
なお、図１に示すように、電子部品２１が完成されたとき、外部電極４２および４３の各々上には、第１のめっき層３９と同等のめっき層および第２のめっき層４０と同等のめっき層が形成されていることになる。このような外部電極４２および４３は、電子部品２１の実装に際して、通常、障害となるものではないが、必要な場合には、これらを除去するようにしてもよい。
【００４７】
図示の実施形態では、外部電極４２および４３は、電子部品本体２８の側面２４〜２７の交差する角の部分に形成されている。このような外部電極４２および４３の形成位置は、導電性メディアが外部電極４２および４３に接触する頻度を高めるのに効果的である。また、このように外部電極４２および４３を側面２４〜２７の交差する角の部分に形成すれば、たとえばバンプ電極２９および３０との不所望な干渉を避けたり、実装状態において、この電子部品２１の周囲に配置される他の電気的要素との干渉を避けたりすることが容易になる。
【００４８】
なお、このような外部電極は、電子部品本体２８の側面２４〜２７の各中央部に形成されても、あるいは、バンプ電極２９および３０が形成された主面２２におけるバンプ電極２９および３０とは干渉しない位置に形成されたり、あるいは、他方の主面２３上に形成されたりしてもよい。たとえば、他方の主面２３上に外部電極が形成される場合、より大きな面積の外部電極を形成することが容易となり、前述したような導電性メディアとの接触頻度を高めるのに効果的であるとともに、このような外部電極によって電子部品２１のシールド効果を働かせることも可能になる。
【００４９】
また、図示の実施形態では、バンプ電極２９および３０は、下地金属層３８、第１のめっき層３９、第２のめっき層４０および半田バンプ部４１をもって構成されたが、この発明は、第１および第２のめっき層３９および４０のうちのいずれか一方しか形成されないものにも適用することができる。
【００５０】
また、この発明は、図示した電子部品２１のように、積層コンデンサを構成するものに限らず、バンプ電極を形成するものであれば、他の機能を有する電子部品にも等しく適用することができる。
【００５１】
【発明の効果】
以上のように、この発明によれば、電子部品本体の外表面上に、下地金属層、その上に電気めっきにより形成されためっき層およびその上に形成された半田バンプ部を備えるバンプ電極を形成している、電子部品において、上述のバンプ電極に備える下地金属層上にめっき層を形成するため、複数の電子部品本体を複数の導電性メディアとともにバレル内に装填した状態で電気めっきを実施するに際して、電子部品本体として、下地金属層とともに、この下地金属層に電気的に接続されかつ下地金属層より大きい面積を有する外部電極を、外表面上に形成しているものが用意されるので、電気めっき工程において、導電性メディアは、下地金属層だけでなく、外部電極にも接触させることができ、下地金属層にめっき電流が流れる機会を増やすことができる。そのため、めっき層において所望の析出厚みを得るための時間を短縮することができ、めっき層を形成するための工程の能率を上げることができる。
【００５２】
この発明において、電子部品本体が、相対向する２つの主面およびこれら２つの主面間を連結する４つの側面を有する、直方体状をなしていて、下地金属層が、一方の主面上に形成され、かつ、外部電極が、側面上に形成されていると、バンプ電極に対して、またはこの電子部品の実装状態において周囲に位置する他の電気的要素に対して、外部電極が不所望な干渉を及ぼさないようにすることが容易である。
【００５３】
また、外部電極が、電子部品本体の側面の交差する角の部分に形成されていると、電気めっき工程において、導電性メディアとの接触頻度をより高めるのに効果的である。
【００５４】
また、この発明に係る電子部品において、バンプ電極が、第１および第２のバンプ電極を備え、外部電極が、第１および第２の外部電極を備え、電子部品本体が、主面の延びる方向に延びながら、積層される複数の誘電体層と、特定の誘電体層を介して互いに対向する少なくとも１対の第１および第２の内部電極と、第２の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で第１の内部電極と第１のバンプ電極とを電気的に接続するように特定の誘電体層を貫通する第１のビアホール接続部と、第１の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で第２の内部電極と第２のバンプ電極とを電気的に接続するように特定の誘電体層を貫通する第２のビアホール接続部とを備え、第１の内部電極が、第１の外部電極に電気的に接続され、かつ、第２の内部電極が、第２の外部電極に電気的に接続されている、そのような構造が採用されると、この発明に係る電子部品は、積層コンデンサを構成することができ、また、各内部電極内での電流を、各内部電極に接続されまたは各内部電極を貫通するビアホール接続部の周囲で種々の方向へ向けることができ、それによって磁束を効果的に相殺することができるとともに、電流路長を短くすることができるので、電子部品の等価直列インダクタンスを小さくすることができる。
【００５５】
のみならず、第１および第２のバンプ電極が、ともに、電子部品本体の一方の主面上に形成されるようにすれば、第１のビアホール接続部を流れる電流と第２のビアホール接続部を流れる電流とを互いに異なる方向へ向けることができ、そのため、これらビアホール接続部を流れる電流によって誘起される磁束も効果的に相殺することができ、この点においても、等価直列インダクタンスを低減することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】この発明の一実施形態による電子部品２１の外観を示す斜視図である。
【図２】図１に示した電子部品２１の内部構造を、垂直方向の断面をもって示す正面図である。
【図３】図１に示した電子部品２１の内部構造を、第１の内部電極３２が通る断面をもって示す平面図である。
【図４】図１に示した電子部品２１の内部構造を、第２の内部電極３３が通る断面をもって示す平面図である。
【図５】図１に示したバンプ電極２９およびそれに関連する構成の詳細を拡大して示す断面図である。
【図６】図１に示した電子部品２１の製造の途中において与えられる形態を示す斜視図である。
【図７】この発明にとって興味ある電子部品１の外観を示す斜視図である。
【図８】図７に示したバンプ電極９およびそれに関連する構成の詳細を拡大して示す断面図である。
【符号の説明】
２１ 電子部品
２２, ２３ 主面
２４〜２７ 側面
２８ 電子部品本体
２９ 第１のバンプ電極
３０ 第２のバンプ電極
３１ 誘電体層
３２ 第１の内部電極
３３ 第２の内部電極
３４ 第１のビアホール接続部
３５ 第２のビアホール接続部
３６, ３７ ギャップ
３８ 下地金属層
３９ 第１のめっき層
４０ 第２のめっき層
４１ 半田バンプ部
４２ 第１の外部電極
４３ 第２の外部電極

Claims (8)

1. 電子部品本体の外表面上に、下地金属層、その上に電気めっきにより形成されためっき層およびその上に形成された半田バンプ部を含むバンプ電極を形成している、電子部品における前記バンプ電極を形成するための方法であって、
   前記下地金属層とともに、前記下地金属層に電気的に接続されかつ前記下地金属層より大きい面積を有する外部電極を、外表面上に形成している、電子部品本体を用意する工程と、
   複数の導電性メディアおよび複数の前記電子部品本体をバレル内に装填した状態で電気めっきを実施することによって、前記下地金属層上に前記めっき層を形成する工程と、
   前記めっき層上に、半田バンプ部を形成する工程と
   を備える、電子部品のバンプ電極形成方法。
2. 前記電子部品本体として、相対向する２つの主面および前記２つの主面間を連結する４つの側面を有する、直方体状をなしていて、前記下地金属層が、一方の前記主面上に形成され、かつ、前記外部電極が、前記側面上に形成されているものが用意される、請求項１に記載の電子部品のバンプ電極形成方法。
3. 前記電子部品本体として、前記外部電極が、前記側面の交差する角の部分に形成されているものが用意される、請求項２に記載の電子部品のバンプ電極形成方法。
4. 請求項１ないし３のいずれかに記載の方法によって形成されたバンプ電極を備える、電子部品。
5. 下地金属層、その上に電気めっきにより形成されるめっき層およびその上に形成される半田バンプ部を含むバンプ電極と、前記下地金属層に電気的に接続されかつ前記下地金属層より大きい面積を有する外部電極との双方を、外表面上に形成している、電子部品本体を備える、電子部品。
6. 前記電子部品本体は、相対向する２つの主面および前記２つの主面間を連結する４つの側面を有する、直方体状をなしていて、前記バンプ電極は、一方の前記主面上に形成され、かつ、前記外部電極は、前記側面上に形成されている、請求項５に記載の電子部品。
7. 前記外部電極は、前記側面の交差する角の部分に形成されている、請求項６に記載の電子部品。
8. 前記バンプ電極は、第１および第２のバンプ電極を備え、
   前記外部電極は、第１および第２の外部電極を備え、
   前記電子部品本体は、
   前記主面の延びる方向に延びながら積層される複数の誘電体層と、
   特定の前記誘電体層を介して互いに対向する少なくとも１対の第１および第２の内部電極と、
   前記第２の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で前記第１の内部電極と前記第１のバンプ電極とを電気的に接続するように特定の前記誘電体層を貫通する第１のビアホール接続部と、
   前記第１の内部電極に対して電気的に絶縁された状態で前記第２の内部電極と前記第２のバンプ電極とを電気的に接続するように特定の前記誘電体層を貫通する第２のビアホール接続部と
   を備え、
   前記第１の内部電極は、前記第１の外部電極に電気的に接続され、かつ、
   前記第２の内部電極は、前記第２の外部電極に電気的に接続されている、
   請求項６または７に記載の電子部品。

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