JP3982850B2 - ビニレン化合物及び液晶媒質 - Google Patents

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は下記一般式Iの新規なビニレン化合物に関する:
【0002】
【化6】
Figure 0003982850
但しこの式において
R は、置換されていないか、CN又はCF3 によりモノ置換されているか、又はハロゲンにより少なくともモノ置換されている1ないし15個の炭素原子を有するアルケニル残基であり、その際これらの残基において1つ以上のCH2 基はそれぞれ互いに独立に−O−、−S−、
【0003】
【化7】
Figure 0003982850
−CO−、−CO−O−、−O−CO−又は−O−CO−O−により酸素原子同士が互いに直接結合しない態様で置き換えられていてもよく、
1
a)トランス−1,4−シクロヘキシレン基であって、このものの非隣接の1つ以上のCH2 基は−O−及び/又は−S−により置き換えられていてもよく、又は
b)1,4−フェニレン基であって、このものの1つ又は2つのCH基はNにより置き換えられていてもよく、或いは
c)1,4−シクロヘキセニレン、1,4−ビシクロ[2・2・2]オクチレン、ピペリジン−1,4−ジイル、ナフタレン−2,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル及び1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイルよりなる群からの残基であり、その際上記のa)及びb)の残基はCN又は弗素によって1重又
は多重に置換されていることができ、
1 は−CO−O−、−O−CO−、−CH2 O−、−OCH2 −、−CH2 CH2 −、−CH=CH−、−C≡C−又は単結合であり、
X はCN、OCN、NCS、Cl、F又は1ないし7個の炭素原子を有するハロゲン化されたアルキル又はアルケニルであって、その中の1つ以上のCH2 基は−O−によって置き換えられていてもよく、
m は0又は1であり、そして
1 及びL2 はそれぞれ互いに独立にH又はFである。
【0004】
本発明は更に、これらの化合物を種々の液晶媒質の成分として使用する方法、並びに本発明に従う液晶媒質を含む種々の電気光学的ディスプレー要素にも関する。
【0005】
式Iの化合物は種々の液晶媒質、中でもねじれセルの原理、ゲスト/ホスト効果、整列相の変形の効果、又は動的散乱の効果に基づく種々のデイスプレーのための液晶媒質の成分として使用することができる。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、種々の液晶媒質の成分として好適でかつ同時に、特に比較的低い粘度と比較的高い誘電異方性とを有する安定な新規な液晶性又はメソーゲン性の化合物を見出すことであった。
【0007】
類似の下記式
【0008】
【化8】
Figure 0003982850
の化合物は米国特許US 5,358,662及び国際特許WO 94/20443から既に公知である。
【0009】
【課題を解決するための手段】
本発明者等は、前記式Iの化合物が種々の液晶媒質の成分として著しく適していることを見出した。中でも、それらは比較的低い粘度を有する。それらは広いメソ相と光学的及び誘電的異方性についての種々の有利な値を有する安定な液晶媒質を得るのに用いることができる。加えて、それらの媒質は非常に良好な低温特性を有する。
【0010】
しかしながら、そのような高いΔεの化合物の非常に異なった適用対象を考えた場合に、更にそれぞれの適用対象に厳密に合致した諸性質を有する入手可能な化合物を手に入れることが望ましかった。
【0011】
また式Iの化合物を提供することによって、まったく一般的に、多様な実用に関連する観点から種々の液晶混合物の調製に適した液晶物質の範囲も著しく拡大される。
【0012】
式Iの各化合物は広い用途範囲を有する。各置換基の選択に依存してこれらの化合物は、液晶物質が主としてそれらから構成されるような基礎物質として用いることができるが、また式Iの化合物に他の化合物種からの種々の液晶基礎物質を添加して、例えばそのような誘電体の誘電異方性及び/又は光学異方性を修飾し、及び/又はその閾値電圧を最適化させ、及び/又はその粘度を最適化させることもできる。
【0013】
純粋な状態においてこの式Iの各化合物は無色であり、そして電気光学的用途に好都合な温度範囲において液晶性のメソ相を形成する。それらは化学的、熱的及び対光的に安定である。
【0014】
従って本発明は式Iの化合物を提供し、そしてそれらを種々の液晶媒質の成分として使用することを提供する。本発明は更に、式Iの化合物を少なくとも1種以上含む種々の液晶媒質、及びそのような媒質を含む液晶ディスプレー要素、中でも電気光学的ディスプレー要素を提供する。
【0015】
【発明の実施の態様】
式Iの化合物において、Rは好ましくは直鎖状のアルケニル残基であり、そしてA1 は好ましくはPhe又はCyc、或いはChe、Pyr又はDioである。Phe等の略記号および後出のPydは表1に示す基である。
【0016】
【表1】
Figure 0003982850
Pheは好ましくは非置換か、1又は2個の弗素原子で置換された基である。
【0017】
1 が、Fによりモノ置換又はジ置換されているか又はCNによりモノ置換されている1,4−フェニレンを表すような式I及び全ての従属式の化合物も好ましい。中でもそれらは2−フルオロ−1,4−フェニレン、3−フルオロ−1,4−フェニレン及び3,5−ジフルオロ−1,4−フェニレン並びに2−シアノ−1,4−フェニレン及び3−シアノ−1,4−フェニレンである。
【0018】
1 は好ましくは単結合、−CO−O−、−O−CO−又は−CH2 CH2 −であり、そして2番目には好ましくは−CH2 O−又は−OCH2 −である。
【0019】
アルケニル残基Rは直鎖状であってもよく、又は分岐鎖状であってもよい。それは好ましくは直鎖状であり、そして2ないし10個の炭素原子を有する。これは中でも、ビニル、プロパ−1−又は同−2−エニル、ブタ−1−、同−2−又は同−3−エニル、ペンタ−1−、同−2−、同−3−又は同−4−エニル、ヘキサ−1−、同−2−、同−3−、同−4−又は同−5−エニル、ヘプタ−1−、同−2−、同−3−、同−4−、同−5−又は同−6−エニル、オクタ−1−、同−2−、同−3−、同−4−、同−5−、同−6−又は同−7−エニル、ノナ−1−、同−2−、同−3−、同−4−、同−5−、同−6−、同−7−又は同−8−エニル或いはデカ−1−、同−2−、同−3−、同−4−、同−5−、同−6−、同−7−、同−8−又は同−9−エニルである。
【0020】
もしRがアルケニル残基であって、CN又はCF3 によってモノ置換されている場合にはこの残基は好ましくは直鎖状であり、そしてそのCN又はCF3 による置換はω位置であるのがよい。
【0021】
もしRがアルケニル残基であって、ハロゲンによって少なくともモノ置換されている場合にはこの残基は好ましくは直鎖状であり、そしてハロゲンは好ましくはF又はClである。多重置換の場合にはハロゲンは好ましくはFである。その結果得られる残基もパー弗素化された残基を含む。モノ置換の場合にはその弗素又は塩素の置換基はいかなる所望の位置にあってもよいが、好ましくはω位置にあるのがよい。
【0022】
種々の重合反応にとって好ましいウィング基Rを有する式Iの化合物はそれ自身液晶性重合物を製造するのに適している。
【0023】
分岐鎖状のウィング基Rを含む式Iの化合物は通常的な液晶基礎物質の中への良好な溶解度のために、ときに重要であることがあるが、特にそれらが光学的に活性であるときは、なかでもキラルドープ剤として重要である。この型のスメクチック化合物は強誘電体材料の成分として適している。この種の分岐基は一般に1つよりも多い連鎖分岐点を含まない。
【0024】
A 相を有する式Iの化合物は、例えば熱的にアドレスされるディスプレーに適している。
【0025】
種々の重縮合反応にとって好ましいウィング基Rを有する式Iの化合物はそれ自身液晶性重縮合物を製造するのに適している。
【0026】
式Iはこれらの化合物のラセミ体と、及びそれらの光学的異性体並びにその混合物とのを両者を包含する。
【0027】
式I及び各従属式のこれらの化合物の中で好ましい化合物は、その中に存在する残基の少なくとも1つが上述した好ましい定義の1つを有するものである。
【0028】
式Iの化合物の中で好ましい立体異性体はCyc及びピペリジンの環がトランス−1,4−ジ置換されているものである。Pyd、Pyr及び/又はDioの1つ以上の基を含む上述した各式の化合物はいずれも2つの2,5−位置異性体を包含する。
【0029】
若干の特に非常に好ましい比較的小さな群の化合物は下記の従属式I1ないしI3のそれら(L1,L2=H又はF、R’=H、エチル、メチル又はプロピル、n=0−3)である:
【0030】
【化9】
Figure 0003982850
式I1及びI2においてL1 及びL2 の少なくとも一方が弗素である化合物が好ましい。特に、式IにおいてL1 =L2 =Fである化合物が好ましい。
【0031】
アルケニル残基は好ましくは(CH2n −CH=CH−R’の基であって、この式においてnが0ないし3であり、そしてR’がH又は1ないし5個の炭素原子を有するアルキル、好ましくはCH3 又はC25 であるものである。
【0032】
Xは好ましくはF、OCF3 、又は1ないし3個の炭素原子を有するハロゲン化されたアルキル、アルコキシ又はアルケニルである。「ハロゲン化された」は好ましくは「弗素化された」を意味する。
【0033】
Xは中でも、F、Cl、CHF2 、OCF3 、OCHF2 、CH=CF2 、CF=CHF、CCl=CClF、CH=CHCl、CH=CH−CF3 、OCH=CF2 、OCF=CF2 、OCF=CHF、OCH=CH−CF3 、OCH2 CF3 、C24 H、C25 、OC24 H、OC25 及び(CH2n CF3 、O(CH2n CF3 、(CH2n CH2 F、(CH2n CF2 H、O(CH2n CHF2 、O(CH2n CH=CF2 、O(CH2n CF=CF2 、C37 、OC37 においてnが1ないし5の基である。
【0034】
本発明の特に好ましい態様は、NがOでRがH、CH3 又はC25 である式I1および式I2の化合物である。
【0035】
式Iの各化合物は文献〔例えばシュツットガルトのGeorg−Thieme−Verlag刊行の、Houben−Weylの“Methoden derOrganischen Chemie”のような標準的著作〕に記載されているように公知の方法により、そのような反応に適した公知の反応条件のもとで作られる。
【0036】
これらの反応において、公知の種々の変法も用いることができるが、これについてはここでは詳細には記述しない。
【0037】
本発明に従う各化合物は、例えば下記の各反応式に従ってベンゼン誘導体を反応させることにより作ることができる:
反応式1
【0038】
【化10】
Figure 0003982850
反応式2
【0039】
【化11】
Figure 0003982850
反応式3
【0040】
【化12】
Figure 0003982850
反応式4
【0041】
【化13】
Figure 0003982850
本発明はまた、この型の媒質を含む電気光学的な種々のディスプレー(中でも面平行な2枚の支持プレートを有して枠とともにセルを構成し、このセルの中に、それら支持プレートの上の個々のピクセルセルをスイッチするための一体化された非線形素子と、正の誘電異方性及び高い比抵抗を有するネマチック液晶混合物とを有するSTNデイスプレー又はMLCディスプレー)及びこれらの媒質を電気光学的な諸目的のために使用する方法にも関する。
【0042】
本発明に従う液晶混合物は利用できるパラメータ範囲を大きく拡げるのを可能にする。
【0043】
透明点、低温度における粘度、熱及び紫外線に対する安定性及び誘電異方性の到達可能な種々の組み合わせは、従来技術によるこれまでの材料を大きく超えている。
【0044】
高い透明点、低温度におけるネマチック相及び高いΔεの値に対する要求はこれまで完全には満たされていなかった。例えばZLI−3119のような系は匹敵する透明点及び比較的好ましい粘度を有するけれども、それらは僅かに+3のΔε値しか有しない。
【0045】
他の若干の混合物系が匹敵する粘度及びΔεの値を有するけれども、それらは僅かに60℃の範囲の透明点しか持たない。
【0046】
本発明に従う液晶混合物は−20℃まで、そして好ましくは−30℃まで、特に好ましくは−40℃の低い温度までネマチック相を維持しながら80℃以上、好ましくは90℃以上、特に好ましくは100℃以上の透明点に達することを可能とし、同時に誘電異方性の値Δε≧6、好ましくはΔε≧8及び高い比抵抗値と組み合わせて、それにより優れたSTN及びMLCディスプレーを得ることを可能にする。これらの混合物は中でも低い作動電圧によって特徴づけられる。それらのTN閾値は2.0ボルト以下、好ましくは1.5ボルト以下、特に好ましくは1.3Vよりも低い。
【0047】
本発明に従う混合物の各成分を適当に選ぶことによって、他の有利な諸性質を維持しながら比較的高い閾値電圧において高い透明点(例えば110℃以上)を実現し、又は比較的低い閾値電圧において低い透明点を実現することも可能であることは自明である。同様に、粘度が適当にわずか上昇したときに比較的大きなΔε値、また従って比較的低い閾値電圧の混合物を得ることが可能である。本発明に従うMLCディスプレーは好ましくはGooch及びTarryの第1透過極小〔C.H. Gooch 及び H.A. Tarry:“Eelectron. Lett.”10,2−4(1974)、C.H.Gooch 及び H.A. Tarry:“Appl. Phys.”第8巻、1575−1584(1975)〕において作動するが、この場合に、例えば特性曲線の勾配の高いことやコントラストの角度依存性の低いことのような特に好ましい電気光学的諸性質(ドイツ特許DE−C 3022818)に加えて、類似のディスプレーにおけると同じ閾値電圧において、その第2極小における低い誘電異方性で充分である。これにより、本発明に従う混合物を用いた場合に、その第1極小においてシアノ化合物を含む混合物の場合よりも実質的により高い比抵抗値を実現することが可能である。当業者は個々の成分及びそれらの重量割合を適当に選ぶことによって、簡単な通常的方法を用いてMLCデイスプレーの或る予め定められた層厚さについて必要な複屈折値を確立することができる。
【0048】
20℃における粘度は好ましくは<60mPa・sであり、中でも好ましくは<50mPa・sである。そのネマチック相の範囲は好ましくは少なくとも90℃、特に少なくとも100℃である。この範囲は好ましくは少なくとも−20℃から+80℃までに及ぶ。
【0049】
容量保持率〔Capacity holding ratio〕(HR)の測定〔S. Matsumoto等:“Liquid Crystals”,1320(1989)、K. Niwa等:1984年6月のサンフランシスコにおける“Proc. SID Conference”、304頁(1984)、G, Weber等:“Liquid Crystals”、1381(1989)〕は、本発明に従う式Iの化合物を含む混合物が、式Iの化合物の代わりに下記式
【0050】
【化14】
Figure 0003982850
のシアノフェニルシクロヘキサン又は下記式
【0051】
【化15】
Figure 0003982850
のエステルを含む類似の混合物よりも温度上昇とともに著しく低いHRの低下を有することを示した。
【0052】
本発明に従う混合物の紫外線安定性も著しく良好であり、すなわちそれらは紫外線暴露のもとでHRの著しく僅かな下降しか示さない。
【0053】
本発明に従う媒質は、好ましくは複数種(好ましくは2種以上)の式Iの化合物に基づき、すなわちこれらの化合物の割合は5−95%、好ましくは10−60%であり、そして20−50%の範囲が特に好ましい。
【0054】
本発明に従う媒質において用いることのできる式IないしXI、及びそれらの各従属式の個々の化合物は公知であるか、又は公知の化合物と同様にして作ることができる。
【0055】
好ましい具体例のいくつかを以下にあげる:
○媒質が追加的に、下記一般式IIないしVIよりなる群から選ばれる1つ以上の化合物を含む:
【0056】
【化16】
Figure 0003982850
但しこれらの式において個々の残基は下記の定義を有する:
0 は、それぞれ9個までの炭素原子を有するn−アルキル、オキサアルキル、フルオロアルキル又はアルケニルを表わし、
0 はF、Cl又は1ないし6個の炭素原子を有するアルキル、アルケニル又はアルコキシを表わし、
1 及びY2 はそれぞれ独立にH又はFを表わし、そして
r は0又は1である。
【0057】
式IVの化合物は好ましくは
【0058】
【化17】
Figure 0003982850
である。
○媒質が追加的に、下記式の1つ以上の化合物を含む:
【0059】
【化18】
Figure 0003982850
○媒質が追加的に、下記一般式VIIないしXIIよりなる群から選ばれた1つ以上の化合物を含む:
【0060】
【化19】
Figure 0003982850
但しこれらの式においてR0 、X0 、Y1 及びY2 は、それぞれ互いに独立に、請求項2にあげた意味を有し、好ましくはF、Cl、CF3 、OCF3 、OCHF2 又はそれぞれ6個までの炭素原子を有するアルキル、オキサアルキル、フルオロアルキル又はアルケニルを表わす。
○式IないしVIの化合物の割合は、合計して全混合物の少なくとも50重量%である。
○全混合物の中の式Iの各化合物の割合は5ないし50重量%である。
○全混合物の中の式IIないしVIの各化合物の割合は30ないし70重量%である。
○下記式、すなわち
【0061】
【化20】
Figure 0003982850
の基は好ましくは
【0062】
【化21】
Figure 0003982850
である。
○その媒質は式II、III、IV、V又はVIの化合物を含み、
○R0 は2ないし7個の炭素原子を有する直鎖状のアルキル基又はアルケニル基であり、
○その媒質は本質的に、式IないしVIの化合物よりなり、
○その媒質は更に、好ましくは下記の一般式XIIIないしXVIよりなる群から選ばれる化合物を含む:
【0063】
【化22】
Figure 0003982850
但しこれらの式においてR0 及びX0 は上に定義した通りであり、そしてそれらの1,4−フェニレン環はCN、塩素又は弗素によって置換されていることができる。それらの1,4−フェニレン環は好ましくは弗素原子によりモノ置換又はポリ置換されている。
○I/(II+III+IV+V+VI)の重量比は好ましくは1/10ないし10/1である。
○媒質は本質的に一般式IないしXIIよりなる群から選ばれる種々の化合物を含む。
【0064】
本発明者等は、通常の種々の液晶物質と混合され、但し特別には上記式II、III、IV、V及び/又はVIの1つ以上の化合物と混合された式Iの化合物の比較的低い割合でさえもその閾値電圧の重大な低下、及び複屈折の低い値をもたらし、その際同時に低いスメクチック/ネマチック転位温度を有する広いネマチック相が観測され、その結果として貯蔵安定性が改善されることを見出した。式IないしVIの化合物は無色であり、安定であって、相互に、及び他の液晶物質と容易に混和することができる。
【0065】
ここで「アルキル」の語は、1ないし7個の炭素原子を有する直鎖状及び分岐鎖状のアルキル基、なかでもメチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル及びヘプチルの直鎖状基を包含する。一般に2ないし5個の炭素原子を有する基が好ましい。
【0066】
「アルケニル」の語は、2ないし7個の炭素原子を有する直鎖状及び分岐鎖状のアルケニル基、なかでも直鎖状の基を包含する。アルケニル基は中でもC2 −C7 の1E−アルケニル、C4 −C7 の3E−アルケニル、C5 −C7 の4−アルケニル、C6 −C7 の5−アルケニル及びC7 の6−アルケニルであり、中でもC2 −C7 の1E−アルケニル、C4 −C7 の3E−アルケニル及びC5 −C7 の4−アルケニルである。好ましいアルケニル基の例は、ビニル、1E−プロペニル、1E−ブテニル、1E−ペンテニル、1E−ヘキセニル、1E−ヘプテニル、3−ブテニル、3E−ペンテニル、3E−ヘキセニル、3E−ヘプテニル、4−ペンテニル、4Z−ヘキセニル、4E−ヘキセニル、4Z−ヘプテニル、5−ヘキセニル、6−ヘプテニル等である。一般に5個までの炭素原子を有する基が好ましい。
【0067】
「フルオロアルキル」の語は好ましくは末端弗素原子を有する直鎖状基、すなわちフルオロメチル、2−フルオロエチル、3−フルオロプロピル、4−フルオロブチル、5−フルオロペンチル、6−フルオロヘキシル及び7−フルオロヘプチルを包含する。しかしながら他の位置の弗素も除外されない。
【0068】
「オキサアルキル」の語は好ましくは、式Cn2n+1−O−(CH2m においてn及びmがそれぞれ互いに独立に1ないし6であるような直鎖状基を包含する。nは好ましくは1であり、そしてmは好ましくは1ないし6である。
【0069】
0 及びX0 の定義を適当に選ぶことによって、応答時間、閾値電圧、透過特性曲線の勾配等を所望のように修飾することができる。例えば1E−アルケニル基、3E−アルケニル基、2E−アルケニルオキシ基等は一般に、アルキル基やアルコキシ基に比して短い応答時間、改善されたネマチック傾向、及び弾性定数k33(曲げ)とk11(スプレイ)との比較的高い比率を与える。4−アルケニル基、3−アルケニル基等は一般に、アルキル基やアルコキシ基と比較して低い閾値電圧及び低いk33/k11の値を与える。
【0070】
−CH2 CH2 −の基は一般に、単純な共有結合に比して高いk33/k11の値をもたらす。k33/k11の比較的高い値は、例えば90o ツイストを有するTNセル(灰色色調を得るための)において、より平坦な透過特性曲線を、そしてSTN、SBE及びOMIセルにおいて、より急勾配の透過特性曲線(より大きなマルチプレックス能)を与え、またその逆は逆となる。
【0071】
式I+II+III+IV+V+VIの各化合物の最適比率は所望の性質、式I、II、III、IV、V及び/又はVIの各成分の選択、及び存在する他の成分の選択に大きく依存する。上に示した範囲内での好適な比率はそれぞれの場合ごとに容易に決定することができる。
【0072】
本発明に従う混合物の中の式IないしXIIの化合物の総量は重大ではない。従って各混合物は種々の性質を再滴加させる目的で1つ以上の追加的成分を含むことができる。しかしながら、応答時間及び域値電圧について観測される効果は一般に、式IないしXIIの化合物の総合濃度が高ければ高いほど大きい。
【0073】
特に好ましい具体例の1つにおいて、本発明に従う媒質は式IIないしVIにおいて(好ましくはII及び/又はIIIにおいて)Xo がOCF3 、OCHF2 、F、OCH=CF2 、OCF=CF2 又はOCF2 −CF2 Hである化合物を含む。式Iの化合物との好ましい相乗効果が特に有利な諸性質に導く。
【0074】
本発明は好ましくは、正の誘電異方性を有する極性の化合物の混合物に基づく液晶媒質を提供するが、これは式Iの1つ以上の化合物及び、それに加えて、式IIないしVIの1つ以上の化合物、及び式VIIないしXIIの1つ以上の化合物をも含むことを特徴とするものである。このような媒質は特に種々のMLCディスプレーに適している。
【0075】
本発明に従う媒質は追加的に、−1.5から+1.5までの誘電異方性を有する下記一般式I’の1つ以上の化合物よりなる成分Aを含むことができる:
【0076】
【化23】
Figure 0003982850
但しこの式において
1 及びR2 はそれぞれ互いに独立に、9個までの炭素原子を有するn−アルキル、ω−フルオロアルキル又はn−アルケニルであり、
各環 A1 、A2 及びA3 はそれぞれ互いに独立に、1,4−フェニレン、2−又は3−フルオロ−1,4−フェニレン、trans −1,4−シクロヘキシレン又は1,4−シクロヘキセニレンであり、
1 及びZ2 はそれぞれ互いに独立に、−CH2 CH2 −、−C≡C−、−CO−O−、−O−CO−又は単結合であり、そして
y は0、1又は2である。
【0077】
成分Aは好ましくは下記式II1ないしII7よりなる群から選ばれる1つ以上の化合物を含む:
【0078】
【化24】
Figure 0003982850
但しこれらの式においてR1 及びR2 は式I’についてあげた意味を有する。
【0079】
好ましくは成分Aは追加的に下記式II8ないしII20よりなる群から選ばれる1つ以上の化合物を含む:
【0080】
【化25】
Figure 0003982850
【0081】
【化26】
Figure 0003982850
但しこれらの式においてR1 及びR2 は式I’についてあげた意味を有し、そして式II8ないしII17においてその1,4−フェニレン基はそれぞれ互いに独立に弗素により1重又は多重に置換されていることができる。
【0082】
加えて、成分Aは好ましくは追加的に、下記式II21ないしII25よりなる群から選ばれる1つ以上の化合物を含む:
【0083】
【化27】
Figure 0003982850
但しこれらの式においてR1 及びR2 は式I’についてあげた意味を有し、そして式II21ないしII25においてその1,4−フェニレン基はそれぞれ互いに独立に弗素により1重又は多重に置換されていることができる。
【0084】
最後に、成分Aが下記式II26及びII27よりなる群から選ばれた1つ以上の化合物を含むような混合物が好ましい:
【0085】
【化28】
Figure 0003982850
但しこれらの式においてCr2r+1 は7個までの炭素原子を有する直鎖状のアルキル基である。
【0086】
或る場合には下記式
【0087】
【化29】
Figure 0003982850
〔但しこの式においてR1 及びR2 は式I’においてあげた意味を有し、そしてZo は単結合、−CH2 CH2 −、
【0088】
【化30】
Figure 0003982850
又は
【0089】
【化31】
Figure 0003982850
である〕
の化合物を添加してスメクチック相を抑えるのが、これは比抵抗を低下させるけれども、有利であることが示されている。適用に最適である種々のパラメータの組み合わせを得るために、当業者はこれらの化合物を添加できるかどうか、またどのような量で添加できるかを容易に確かめることができる。15%よりも少なく、中でも5ないし10%の量で用いるのが通常的である。
【0090】
更に、下記式III’及びIV’よりなる群から選ばれる1つ以上の化合物を含む液晶混合物が好ましい:
【0091】
【化32】
Figure 0003982850
但しこれらの式においてR1 及びR2 は式I’についてあげた意味を有する。
【0092】
正の誘電異方性を有するそれら極性化合物の性質や量はそれ自身重要ではない。当業者は簡単な日常的な試験で、公知であって多くの場合に市販でも入手できる広い範囲の化合物から好適な物質を選ぶことができる。本発明に従う各媒質は好ましくは下記式I”の1つ以上の化合物を含む:
【0093】
【化33】
Figure 0003982850
但しこの式においてZ1'、X2'及びyは式I’についてあげた意味を有し、Q1 及びQ2 はそれぞれ互いに独立に1,4−フェニレン、trans −1,4−シクロヘキシレン又は3−フルオロ−1,4−フェニレンであるか、又はQ1 とQ2 との残基の一方が択一的に trans−1,3−ジオキサン−2,5−ジイル、ピリミジン−2,5−ジイル、ピリジン−2,5−ジイル又は1,4−シクロヘキセニレンであり、Ro はそれぞれ9個までの炭素原子を有するn−アルキル、n−アルケニル、n−アルコキシ又はn−オキサアルキルであり、YはH又はFであり、そしてX’はCN、ハロゲン、CF3 、OCF3 又はOCHF2 である。
【0094】
もう一つの具体例において、STN又はTNのための本発明に従う媒質は、式I”においてX’がCNである化合物に基づく。式I”の他の化合物(X’≠CN)のより少ない、又はより多い割合も好適であることを理解すべきである。MLCの用途には、本発明に従う媒質は好ましくは式I”のニトリル化合物を僅かに約10%までしか含まない(但し好ましくは式I”の化合物を含まず、その代わりに式I’においてX=ハロゲン、CF3 、OCF3 又はOCHF2 である化合物を含む)。これらの媒質は式IIないしXIIの化合物に基づくのが好ましい。
【0095】
本発明に従うMLC又はSTNディスプレーの、偏光板、電極基板及び表面処理された各電極を含む構造は、そのようなディスプレーに通常的である構造に相当する。本明細書において「通常的な構造」は非常に広く、そしてMLCディスプレーの全ての変形形態及び修飾形態を含み、また中でもポリ−SiのTFT又はMIMに基づくマトリックスディスプレー要素をも包含する。
【0096】
しかしながら、本発明に従うディスプレーの、これまで通常的であったねじれネマチックセルに基づくそれらとの重大な差異は、その液晶層のそれら液晶パラメータの選択にある。
【0097】
本発明に従い用いることのできる液晶混合物は公知の態様で調製することができる。一般に、少ない量で用いられる各成分の所望量を主要成分をなす諸成分の中に有利には高められた温度において溶解する。また例えばアセトン、クロロホルム又はメタノールのような有機溶剤の中の各成分の溶液を混合し、そしてこの混合の後で再びその溶剤を、例えば蒸留によって除去することも可能である。
【0098】
それら誘電体はまた、当業者に知られ、そして文献に記述されている他の種々の添加剤を含むこともできる。例えば、0−15%の多色性染料又はキラルドープ剤を添加することができる。
【0099】
Cは液晶相を、Sはスメクチック相を、ScはスメクチックC相を、Nはネマチック相を、そしてIは等方性相を表わす。
【0100】
10は10%透過(プレートの面に対して垂直に見た)についての電圧を表わす。tonは、V10の値の2.5倍に相当する作動電圧におけるスイッチオン時間を、そしてtoff はスイッチオフ時間を表わす。Δnは光学異方性の値を、そしてno は屈折率を表わす。Δεは誘電異方性の値〔Δε=ε‖−ε⊥であり、その際ε‖は分子の長手軸に平行な方向の誘電常数を、そしてε⊥はこれに対して直角な方向の誘電常数を表わす〕である。各電気光学的データは特に他に言及しない限り20℃で第1極小において(すなわちd・Δnの値が0.5において)TNセルで測定した。各光学的データは特に他に言及しない限り20℃において測定した。
【0101】
本願明細書及び以下の諸例において各液晶化合物の構造は頭文字略記号により示してあるが、これの化学構造式への翻訳は以下にあげる表A及び表Bに従って行われる。Cn2n+1及びCm2m+1の全ての基はそれぞれn個及びm個の炭素原子を有する直鎖状アルキル基である。表Aには親構造についての頭文字略記号のみがあげられている。若干の場合には、親構造についての頭文字略記号に続いてハイフンで隔てて各構成員R1 、R2 、L1 及びL2 についての記号があげられている。
【0102】
【表2】
Figure 0003982850
下記の表A及び表Bにあげた化合物は本発明に従う混合物において好ましい化合物である。
表 A
【0103】
【表3】
Figure 0003982850
【0104】
【表4】
Figure 0003982850
【0105】
【表5】
Figure 0003982850
表 B
【0106】
【表6】
Figure 0003982850
【0107】
【表7】
Figure 0003982850
【0108】
【表8】
Figure 0003982850
【0109】
【実施例】
以下にあげる諸例は、本発明に制限を加えることなくこれを説明するためのものである。以上及び以下において%は重量基準である。全ての温度は℃であげてある。m.p.は融点を、そしてc.p.は透明点を表わす。加えて、Kは結晶状態を、Nはネマチック相を、Sはスメクチック相を、そしてIは等方性相を表わす。これらの記号の間にはさまれたデータは転移温度である。Δnは光学的異方性の値(589nm、20℃)を表わし、そして粘度(mm2 /秒)は20℃において測定した。
【0110】
「通常のように後処理する」は下記の意味を有する。すなわち、所望の場合に水を加え、抽出をジクロロメタン、ジエチルエーテル、メチルtertブチルエーテル又はトルエンにより実施し、各相を分離し、その有機相を乾燥して蒸発させ、そしてその生成物を減圧のもとに蒸留により、又は結晶化及び/又はクロマトグラフィーによって精製する。下記の略記号を用いた:
BuLi :ブチルリチウム
DAST :ジエチルアミノ硫黄トリフルオライド
DCC :ジシクロヘキシルカルボジイミド
DDQ :ジクロロジシアノベンゾキノン
DIBALH :ジイソブチルリチウムハイドライド
KOT :カリウム tert-ブタノレート
THF :テトラヒトロフラン
pTsOH :p−トルエンスルホン酸
TMEDA :テトラメチルエチレンジアミン
例 1
【0111】
【化34】
Figure 0003982850
段階1.1
【0112】
【化35】
Figure 0003982850
0.15モルのマグネシウムを窒素雰囲気のもとに50mlのTHFの中に入れ、そして100mlのTHFの中の0.15モルの3,4,5−トリフルオロブロモベンゼンを加える。この混合物を室温において1時間攪拌し、そしてその反応溶液に100mlのTHFの中の0.15モルの1,4−シクロヘキサンジオンエチレンケタールよりなる溶液を滴加する。この混合物を室温において1時間攪拌し、次いで飽和塩化アンモニウム溶液を加える。最後に、この混合物を通常のように後処理する。
【0113】
この反応生成物を、トルエン中のp−トルエンスルホン酸の沸騰からの加熱のもとに水分離器の中で脱水する。この反応生成物を次にPd/C触媒の上で水素化する。
段階1.2
【0114】
【化36】
Figure 0003982850
段階1.1からの生成物をTHFの中に溶解し、そして蟻酸の存在のもとに還流において2時間沸騰させる。水を加えた後、この混合物を通常のように後処理する。
段階1.3
【0115】
【化37】
Figure 0003982850
窒素雰囲気のもとに、2.93モルのメトキシメチルトリメチルトリフェニルホスホニウムクロライドと2.93モルの段階1.2からの4−(3,4,5−トリフルオロフェニル)シクロヘキサノンとを4リットルのTHFの中に溶解し、そして室温において攪拌しながら2.93モルのカリウム tert-ブチレートを加える。この混合物を2時間攪拌し、水及び希塩酸を加え、そしてその混合物を通常のように後処理する。
段階1.4
【0116】
【化38】
Figure 0003982850
50.4ミリモルの上記C、1gの10%HCl、20mlのTHF及び50.4ミリモルのアセトアルデヒドを室温において0.75時間攪拌する。水及びメチル tert-ブチルエーテルを加え、そしてその混合物を通常のように後処理する。
段階1.5
【0117】
【化39】
Figure 0003982850
最初の仕込みとして0.04モルの上記D、0.04モルの4−(trans −4−エテニルシクロヘキシル)メチルトリホスホニウムイオダイド及び1140mlのTHFを取り、そして0.4モルのカリウム tert-ブチレートを少しづつ加え、その間、反応温度は35℃を超えないようにする。この混合物を1夜室温において攪拌し、希塩酸を加え、そしてその混合物を通常のように後処理する。粗生成物をキシレンに溶解し、沃素を加え、そしてその混合物を還流において15時間沸騰させる。この反応混合物を冷却させ、亜硫酸水素ナトリウム水溶液を加え、そしてその混合物を水で洗浄して真空のもとに濃縮する。その残渣をエタノールから再結晶させる。
【0118】
K89N(87.1)I:Δ=0.076、Δε=7.09
下記式
【0119】
【化40】
Figure 0003982850
の下記の各化合物が同様にして作られる:
【0120】
【表9】
Figure 0003982850
【0121】
【表10】
Figure 0003982850
【0122】
【表11】
Figure 0003982850
【0123】
【表12】
Figure 0003982850
【0124】
【表13】
Figure 0003982850
【0125】
【表14】
Figure 0003982850
【0126】
【表15】
Figure 0003982850
【0127】
【表16】
Figure 0003982850
【0128】
【表17】
Figure 0003982850
【0129】
【表18】
Figure 0003982850
混合物例
例 1
【0130】
【表19】
Figure 0003982850
例 2
【0131】
【表20】
Figure 0003982850
例 3
【0132】
【表21】
Figure 0003982850
例 4
【0133】
【表22】
Figure 0003982850
例 5
【0134】
【表23】
Figure 0003982850
例 6
【0135】
【表24】
Figure 0003982850
例 7
【0136】
【表25】
Figure 0003982850
例 8
【0137】
【表26】
Figure 0003982850
例 9
【0138】
【表27】
Figure 0003982850
例 10
次の組成から成るSTN混合物
【0139】
【表28】
Figure 0003982850
例 11
次の組成から成るSTN混合物
【0140】
【表29】
Figure 0003982850

Claims (11)

  1. 正の誘電異方性を有する極性の化合物の混合物に基づく液晶媒質において、
    (1)下記式Iのビニレン化合物の1種以上と、
    Figure 0003982850
    (但し、この式においてRは、置換されていないか、CN又はCF3によりモノ置換されているか、又はハロゲンにより少なくともモノ置換されているないし15個の炭素原子を有するアルケニル残基であり、その際これらの残基において1つ以上のCH2基はそれぞれ互いに独立に−O−、−S−、
    Figure 0003982850
    −CO−、−CO−O−、−O−CO−又は−O−CO−O−により酸素原子同士が互いに直接結合しない態様で置き換えられていてもよく、A1はa)トランス−1,4−シクロヘキシレン基であって、このものの非隣接の1つ以上のCH2基は−O−及び/又は−S−により置き換えられていてもよく、又はb)1,4−フェニレン基であって、このものの1つ又は2つのCH基はNにより置き換えられていてもよく、或いはc)1,4−シクロヘキセニレン、1,4−ビシクロ[2・2・2]オクチレン、ピペリジン−1,4−ジイル、ナフタレン−2,6−ジイル、デカヒドロナフタレン−2,6−ジイル及び1,2,3,4−テトラヒドロナフタレン−2,6−ジイルよりなる群からの残基であり、その際上記のa)及びb)の残基はCN又は弗素によって1重又は多重に置換されていることができ、Z1は−CO−O−、−O−CO−、−CH2O−、−OCH2−、−CH2CH2−、−CH=CH−、−C≡C−又は単結合であり、XはCN、OCN、NCS、Cl、F又は1ないし7個の炭素原子を有するハロゲン化されたアルキル又はアルケニルであって、その中の1つ以上のCH2基は−O−によって置き換えられていてもよく、L1及びL2Fであり、そしてmは0又は1である。)
    (2)追加的に、下記の一般式IIないしVIよりなる群から選ばれた1つ以上の化合物と、
    Figure 0003982850
    (これらの式IIないしVIにおいて、R 0 はそれぞれ9個までの炭素原子を有するn−アルキル、オキサアルキル、フルオロアルキル又はアルケニルであり、X 0 はF、Cl、又は1ないし6個の炭素原子を有するハロゲン化されたアルキル、アルケニル又はアルコキシであり、Y 1 及びY 2 はそれぞれ独立にH又はFであり、そしてrは0又は1である。)
    を含むことを特徴とする液晶媒質。
  2. 下記式I1の化合物の1種以上を含む請求項1に記載の液晶媒質。
    Figure 0003982850
    (但し、この式において
    R’はH又は1ないし5個の炭素原子を有するn−アルキルであり、
    nは0〜3であり、そして
    X、L1及びL2は請求項1にあげた意味を有する。)
  3. Rが(CH2n−CH=CH−R’においてnが0〜3である残基であり、そしてR’がH又は1ないし5個の炭素原子を有するn−アルキルである請求項1に記載の液晶媒質。
  4. XがCN、F、Cl、CHF2、OCF3、OCHF2、OCH2CF3、OC25、OCF2CHFCF3、OCHFCHF2又はOCHFCF3である、請求項1ないし3のいずれかに記載の液晶媒質
  5. Xが弗素である請求項1ないし4のいずれかに記載の液晶媒質
  6. 下記式I3の化合物の1種以上を含む請求項1ないし5のいずれかに記載の液晶媒質。
    Figure 0003982850
    (但し、この式において
    R’はH又は1ないし5個の炭素原子を有するアルキルであり、そして
    nは0ないし3である。)
  7. 式IにおけるRが直鎖状のアルケニル残基であり、そしてXがF、CN、CHF2、OCH2CF3、OCF3、OCHF2、OCHFCF3、OC25、OCF2CHFCF3又はOCHFCHF2である請求項1〜6のいずれかに記載の液晶媒質。
  8. 全混合物中の式Iの化合物の1種以上の割合が5ないし50重量%である、請求項1ないし7のいずれかに記載の液晶媒質。
  9. 全混合物中の式IIないしVIの化合物の1以上の化合物の割合が30ないし70重量%である請求項1ないし8のいずれかに記載の液晶媒質。
  10. 請求項1〜9のいずれかに記載の液晶媒質を種々の電気光学的用途に使用する方法。
  11. 請求項1〜9のいずれかに記載の液晶媒質を有する電気光学的液晶ディスプレー。
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