JPH0662462B2 - ジシクロヘキシルエチレン誘導体 - Google Patents
ジシクロヘキシルエチレン誘導体Info
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- JPH0662462B2 JPH0662462B2 JP1265131A JP26513189A JPH0662462B2 JP H0662462 B2 JPH0662462 B2 JP H0662462B2 JP 1265131 A JP1265131 A JP 1265131A JP 26513189 A JP26513189 A JP 26513189A JP H0662462 B2 JPH0662462 B2 JP H0662462B2
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- ethene
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- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C15/00—Cyclic hydrocarbons containing only six-membered aromatic rings as cyclic parts
- C07C15/20—Polycyclic condensed hydrocarbons
- C07C15/27—Polycyclic condensed hydrocarbons containing three rings
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C25/00—Compounds containing at least one halogen atom bound to a six-membered aromatic ring
- C07C25/24—Halogenated aromatic hydrocarbons with unsaturated side chains
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K19/00—Liquid crystal materials
- C09K19/04—Liquid crystal materials characterised by the chemical structure of the liquid crystal components, e.g. by a specific unit
- C09K19/06—Non-steroidal liquid crystal compounds
- C09K19/08—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings
- C09K19/30—Non-steroidal liquid crystal compounds containing at least two non-condensed rings containing saturated or unsaturated non-aromatic rings, e.g. cyclohexane rings
- C09K19/3001—Cyclohexane rings
- C09K19/3048—Cyclohexane rings in which at least two rings are linked by a carbon chain containing carbon to carbon double bonds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C07—ORGANIC CHEMISTRY
- C07C—ACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
- C07C2601/00—Systems containing only non-condensed rings
- C07C2601/12—Systems containing only non-condensed rings with a six-membered ring
- C07C2601/14—The ring being saturated
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- Organic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
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- Materials Engineering (AREA)
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Description
【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は、ジシクロヘキシルエチレン誘導体に関し、さ
らに詳しくは表示材料の一成分として好適な化合物であ
るジシクロヘキシルエチレン誘導体および該誘導体を含
有する液晶組成に関する。
らに詳しくは表示材料の一成分として好適な化合物であ
るジシクロヘキシルエチレン誘導体および該誘導体を含
有する液晶組成に関する。
近年、液晶表示素子は、パソコンやＯＡ機器などに新し
い表示システムとして導入されており、その重要性は急
激に増大している。これは、いくつかある液晶表示シス
テムの中でもスーパーツイストネマチック方式（ＳＴ
Ｎ）あるいはスーパーツイステッドバイリフリンジェン
スエフェクト（ＳＢＥ）方式、および薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリックス方式が用い
られるようになり、カラー化および大画面化の流れに沿
っているからである。これらの表示方式に用いられる液
晶材料には種々の特性、例えば表示素子を用いる温度に
液晶相を有すること、環境因子（水分、熱、空気、光、
電気等）に対して安定であること、無色であること、屈
折率の異方性量（Δｎ）が大きい（または小さい）こ
と、弾性定数比が大きい（または小さい）こと、誘電率
の異方性量（Δε）が大きいこと、粘度が低いこと、比
抵抗率が高くさらにその経時変化の小さいこと、ｄ／ｐ
（ｄ：セル厚，ｐ：ピッチ長）マージンが広いことなど
が要求される。
い表示システムとして導入されており、その重要性は急
激に増大している。これは、いくつかある液晶表示シス
テムの中でもスーパーツイストネマチック方式（ＳＴ
Ｎ）あるいはスーパーツイステッドバイリフリンジェン
スエフェクト（ＳＢＥ）方式、および薄膜トランジスタ
（ＴＦＴ）を用いたアクティブマトリックス方式が用い
られるようになり、カラー化および大画面化の流れに沿
っているからである。これらの表示方式に用いられる液
晶材料には種々の特性、例えば表示素子を用いる温度に
液晶相を有すること、環境因子（水分、熱、空気、光、
電気等）に対して安定であること、無色であること、屈
折率の異方性量（Δｎ）が大きい（または小さい）こ
と、弾性定数比が大きい（または小さい）こと、誘電率
の異方性量（Δε）が大きいこと、粘度が低いこと、比
抵抗率が高くさらにその経時変化の小さいこと、ｄ／ｐ
（ｄ：セル厚，ｐ：ピッチ長）マージンが広いことなど
が要求される。
しかし、現在、単一の化合物で表示素子を十分に駆動さ
せるものがなく、そのため実際に使用されている液晶材
料は、数種の液晶性化合物を混合した液晶組成物であ
る。したがって、液晶性化合物は他の液晶に対して溶解
性が良くなければならない。
せるものがなく、そのため実際に使用されている液晶材
料は、数種の液晶性化合物を混合した液晶組成物であ
る。したがって、液晶性化合物は他の液晶に対して溶解
性が良くなければならない。
本明細書において、液晶性化合物は液晶表示素子を駆動
させるための何らかの面に寄与する化合物のことであ
る。
させるための何らかの面に寄与する化合物のことであ
る。
本発明の類似化合物として （但し、ｎは３，４，５，６および７である。）が知ら
れている（特開昭６１−２１５３３６）。しかし、この
化合物は、粘度が高く、低温での相溶性が悪い。ＴＦＴ
向けの化合物としては比抵抗率およびその経時変化の面
から使用し難いなどの欠点を有している。
れている（特開昭６１−２１５３３６）。しかし、この
化合物は、粘度が高く、低温での相溶性が悪い。ＴＦＴ
向けの化合物としては比抵抗率およびその経時変化の面
から使用し難いなどの欠点を有している。
一方、分子内にフッ素を有する化合物で本発明に類似の
化合物として以下に示すものが知られている。
化合物として以下に示すものが知られている。
〔発明が解決しようとする課題〕 前述の液晶表示方式に限らずさまざまな液晶表示方式に
おいて、幅広い動作範囲、速い応答速度、低い駆動電圧
などが求められている。本発明の目的は、液晶相の動作
範囲が広く、低い粘度を有し、大きいΔεを有し、さら
に高安定性である液晶性化合物を提供することである。
おいて、幅広い動作範囲、速い応答速度、低い駆動電圧
などが求められている。本発明の目的は、液晶相の動作
範囲が広く、低い粘度を有し、大きいΔεを有し、さら
に高安定性である液晶性化合物を提供することである。
本発明は一般式 （式中、Ｒは炭素数１〜８のアルキル基を表し、Ｘは水
素原子またはフッ素原子を表し、ｍは１または２であ
り、ｎは０または１である。）で表されるジシクロヘキ
シルエチレン誘導体である。
素原子またはフッ素原子を表し、ｍは１または２であ
り、ｎは０または１である。）で表されるジシクロヘキ
シルエチレン誘導体である。
一般式〔Ｉ〕の中で好ましいものを列挙する。
（式中、ｌは２〜７である。） これらの化合物は、室温付近から百数十度まで幅広い液
晶相を示し、３環化合物としては極端に粘度が低く、正
のΔεを持つことがわかり液晶表示素子の材料として好
適なことがわかった。
晶相を示し、３環化合物としては極端に粘度が低く、正
のΔεを持つことがわかり液晶表示素子の材料として好
適なことがわかった。
また、これらの化合物のうち特に好ましいものを以下に
挙げる。
挙げる。
（式中、ｋは２〜５である。） 〔Ｉｂ〕および〔Ｉｄ〕式で表される化合物は、大きな
正のΔεを持つため液晶表示素子を低電圧で駆動させる
ことができる。さらに、〔Ｉba〕および〔Ｉda〕式で表
される化合物は、スメクチック相を呈し難く、ネマチッ
ク相を用いた液晶表示素子に好適である。例えば〔Ｉb
a〕式のｋが５である化合物は、スメクチック相を呈し
ない。
正のΔεを持つため液晶表示素子を低電圧で駆動させる
ことができる。さらに、〔Ｉba〕および〔Ｉda〕式で表
される化合物は、スメクチック相を呈し難く、ネマチッ
ク相を用いた液晶表示素子に好適である。例えば〔Ｉb
a〕式のｋが５である化合物は、スメクチック相を呈し
ない。
さらに、一般式〔Ｉ〕の中で以下のものも、また好まし
い。
い。
（式中、ｊは１〜５である。） これらの〔Ｉ〕式中、ｍが２である〔Ｉｅ〕、〔Ｉ
ｆ〕、〔Ｉｇ〕および〔Ｉｈ〕の化合物は、非常に高い
透明点を有するため、液晶表示素子の駆動温度範囲の上
限を上げることができるので有用な化合物である。
ｆ〕、〔Ｉｇ〕および〔Ｉｈ〕の化合物は、非常に高い
透明点を有するため、液晶表示素子の駆動温度範囲の上
限を上げることができるので有用な化合物である。
また、これらの化合物の中で特に好ましいものは、〔Ｉ
ｅ〕および〔Ｉｇ〕式で表わされる化合物で、これら
は、大きな正のΔεを持つため液晶表示素子を低電圧で
駆動させることができる。
ｅ〕および〔Ｉｇ〕式で表わされる化合物で、これら
は、大きな正のΔεを持つため液晶表示素子を低電圧で
駆動させることができる。
さらに、〔Ｉ〕式で表される化合物は、他の液晶性化合
物、例えばエステル系、シッフ系、エタン系、アセチレ
ン系、アゾキシ系、ビフェニル系、シクロヘキサン系、
シクロヘキセン系、ピリジン系、ピリミジン系、ジオキ
サン系、フッ素系等の既存の液晶性化合物との相溶性が
優れているので、それらの化合物または混合物と混合す
ることにより種々の用途に適した液晶材料とすることが
できる。また、環境因子（水分、熱、空気、光、電気
等）に対して非常に安定であり、本発明に類似の化合物
である （Ｒは、前記と同じ。）が環境因子に対して不安定であ
ることを考えると優れた化合物であることがわかる。
物、例えばエステル系、シッフ系、エタン系、アセチレ
ン系、アゾキシ系、ビフェニル系、シクロヘキサン系、
シクロヘキセン系、ピリジン系、ピリミジン系、ジオキ
サン系、フッ素系等の既存の液晶性化合物との相溶性が
優れているので、それらの化合物または混合物と混合す
ることにより種々の用途に適した液晶材料とすることが
できる。また、環境因子（水分、熱、空気、光、電気
等）に対して非常に安定であり、本発明に類似の化合物
である （Ｒは、前記と同じ。）が環境因子に対して不安定であ
ることを考えると優れた化合物であることがわかる。
さらに、〔Ｉ〕式で表わされる化合物は、その他の液晶
性化合物を合成するための原料としても適しており、例
えば下式の方法により〔II〕式の液晶性化合物が得られ
る。
性化合物を合成するための原料としても適しており、例
えば下式の方法により〔II〕式の液晶性化合物が得られ
る。
次に、本発明の化合物の製造法を示す。
（式中、Ｒ，Ｘ，ｍおよびｎは前記と同じ。） すなわち、ブロマイド（１）より調製されたGrignard試
薬に１，４−シクロヘキサンジオン−モノ−エチレンケ
タールを反応させ、その後、酸触媒（例えば、ｐ−トル
エンスルホン酸、硫酸水素カリウム、塩酸、硫酸など）
にて脱水してシクロヘキセン誘導体（２）を得る。これ
をＰｄ，Ｎｉ，Ｐｔ系などの触媒下、水素添加し、さら
に酸性水溶液で処理してシクロヘキサノン誘導体（３）
を得る。次に、メトキシメチルトリフェニルホスホニウ
ムクロライドを塩基（例えば、ｎ−ブチルリチウム，カ
リウム−ｔ−ブトキシドなど）で処理して得られたイリ
ドを化合物（３）と反応させさらに酸性水溶液中で処理
することによってアルデヒド誘導体（４）を得る。これ
に、ホスホニウム塩（５）を塩基（例えば、ｎ−ブチル
リチウム、カリウム−ｔ−ブトキシドなど）で処理して
得られたイリドを反応させジシクロヘキシルエチレン誘
導体〔Ｉ′〕を得る。〔Ｉ′〕は、シス体とトランス体
の混合物であり、その比はおよそシス：トランス９５：
５である。このシス体をトランス体へ変換して本発明の
化合物〔Ｉ〕を得る。すなわち、〔Ｉ′〕のエチレンを
ｍ−クロロ過安息香酸の如き過酸化物で酸化し、次にジ
ブロモトリフェニルホスホランで臭素化して、最後にＺ
ｎで還元することによって本発明の化合物であるジシク
ロヘキシルエチレン誘導体〔Ｉ〕が得られる。
薬に１，４−シクロヘキサンジオン−モノ−エチレンケ
タールを反応させ、その後、酸触媒（例えば、ｐ−トル
エンスルホン酸、硫酸水素カリウム、塩酸、硫酸など）
にて脱水してシクロヘキセン誘導体（２）を得る。これ
をＰｄ，Ｎｉ，Ｐｔ系などの触媒下、水素添加し、さら
に酸性水溶液で処理してシクロヘキサノン誘導体（３）
を得る。次に、メトキシメチルトリフェニルホスホニウ
ムクロライドを塩基（例えば、ｎ−ブチルリチウム，カ
リウム−ｔ−ブトキシドなど）で処理して得られたイリ
ドを化合物（３）と反応させさらに酸性水溶液中で処理
することによってアルデヒド誘導体（４）を得る。これ
に、ホスホニウム塩（５）を塩基（例えば、ｎ−ブチル
リチウム、カリウム−ｔ−ブトキシドなど）で処理して
得られたイリドを反応させジシクロヘキシルエチレン誘
導体〔Ｉ′〕を得る。〔Ｉ′〕は、シス体とトランス体
の混合物であり、その比はおよそシス：トランス９５：
５である。このシス体をトランス体へ変換して本発明の
化合物〔Ｉ〕を得る。すなわち、〔Ｉ′〕のエチレンを
ｍ−クロロ過安息香酸の如き過酸化物で酸化し、次にジ
ブロモトリフェニルホスホランで臭素化して、最後にＺ
ｎで還元することによって本発明の化合物であるジシク
ロヘキシルエチレン誘導体〔Ｉ〕が得られる。
本発明の液晶組成物は少なくとも２つの液晶性化合物を
含み、その少なくとも一方は前記〔Ｉ〕式にて表わされ
る液晶性化合物であることを特徴とする。
含み、その少なくとも一方は前記〔Ｉ〕式にて表わされ
る液晶性化合物であることを特徴とする。
本発明の液晶組成物の成分として〔Ｉ〕式で表わされる
化合物と混合して用いられる液晶性化合物には、次の
(i)〜(xxxiii)で表わされる既知の化合物群がある。
化合物と混合して用いられる液晶性化合物には、次の
(i)〜(xxxiii)で表わされる既知の化合物群がある。
(i)〜(xxxiii)式においてはＸは を示し、Ｙは−ＣＮ，−Ｆ，−ＣＦ３，−ＯＣＦ３，Ｒ
１またはＯＲ１を示し、Ｚは、−Ｈまたは−Ｆを示し、
ＲおよびＲ１は、アルキル基またはアルケニル基を示
す。
１またはＯＲ１を示し、Ｚは、−Ｈまたは−Ｆを示し、
ＲおよびＲ１は、アルキル基またはアルケニル基を示
す。
以下、実施例により本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
が、本発明はこれらの例に限定されるものではない。
また、各例中にて記号は次の通りとする。
ＣＮ点：結晶−ネマチック相転移点 ＣＳ点：結晶−スメクチック相転移点 ＳＮ点：スメクチック−ネマチック相転移点 ＮＩ点：ネマチック相−等方性液体相転移点 （実施例１） トランス−２−（トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−ペンチルシクロヘキシル）エテン（〔Ｉｂ〕式中、ｌ
が５のもの）の合成（No.1）(ｉ)３′，４′−ジフルオ
ロフェニルシクロヘキセン−４−オン−エチレンケター
ル（（２）式中、Ｘがフッ素原子でｎが０のもの）の合
成 マグネシウム８．０ｇとＴＨＦ３０mlの入った２三ツ
口フラスコに窒素気流下で、３，４−ジフルオロブロモ
ベンゼン６３．７ｇの２５０mlＴＨＦ溶液を５０℃に温
度を保ちながら滴下した。その後、１時間撹拌し、４０
℃に温度を保ちながら１，４−シクロヘキサンジオン−
モノ−エチレンケタール４６．９ｇの２００mlＴＨＦ溶
液を滴下した。そのまま、１０時間撹拌し、飽和塩化ア
ンモニウム水溶液５００mlを氷冷下で加え、さらにトル
エン５００mlを加えて抽出した。有機層を５００mlの水
で３回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し濃縮した。
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−ペンチルシクロヘキシル）エテン（〔Ｉｂ〕式中、ｌ
が５のもの）の合成（No.1）(ｉ)３′，４′−ジフルオ
ロフェニルシクロヘキセン−４−オン−エチレンケター
ル（（２）式中、Ｘがフッ素原子でｎが０のもの）の合
成 マグネシウム８．０ｇとＴＨＦ３０mlの入った２三ツ
口フラスコに窒素気流下で、３，４−ジフルオロブロモ
ベンゼン６３．７ｇの２５０mlＴＨＦ溶液を５０℃に温
度を保ちながら滴下した。その後、１時間撹拌し、４０
℃に温度を保ちながら１，４−シクロヘキサンジオン−
モノ−エチレンケタール４６．９ｇの２００mlＴＨＦ溶
液を滴下した。そのまま、１０時間撹拌し、飽和塩化ア
ンモニウム水溶液５００mlを氷冷下で加え、さらにトル
エン５００mlを加えて抽出した。有機層を５００mlの水
で３回洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥し濃縮した。
これに、ｐ−トルエンスルホン酸０．６ｇとトルエン２
００mlを加え、３時間還流した。この際、水抜き管を使
用し共沸して出る水を除去した。３０℃に冷却後、０．
１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２００mlとヘプタン２００
mlを加え、水層を除去した。２００mlの水で３回洗浄
し、硫酸ナトリウム上で乾燥し濃縮して８１．７ｇの粗
生成物を得た。ヘプタン溶媒にて再結晶し、５５．７ｇ
の目的物を得た。構造は、ＮＭＲにて確認した。（ii）
４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン
（（３）式中、Ｘがフッ素原子でｎが０のもの）の合成 ５％パラジウムカーボン８．４ｇ、(i)で得られた化合
物５５．７ｇおよび酢酸エチル２００mlの入った３００
mlナスフラスコを水素で置換した。２５℃で８時間撹拌
し５の水素を消費させた。触媒を除去後、濃縮してア
ルコール溶媒にて再結晶し５２．３ｇの白色結晶を得
た。
００mlを加え、３時間還流した。この際、水抜き管を使
用し共沸して出る水を除去した。３０℃に冷却後、０．
１Ｎ水酸化ナトリウム水溶液２００mlとヘプタン２００
mlを加え、水層を除去した。２００mlの水で３回洗浄
し、硫酸ナトリウム上で乾燥し濃縮して８１．７ｇの粗
生成物を得た。ヘプタン溶媒にて再結晶し、５５．７ｇ
の目的物を得た。構造は、ＮＭＲにて確認した。（ii）
４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキサノン
（（３）式中、Ｘがフッ素原子でｎが０のもの）の合成 ５％パラジウムカーボン８．４ｇ、(i)で得られた化合
物５５．７ｇおよび酢酸エチル２００mlの入った３００
mlナスフラスコを水素で置換した。２５℃で８時間撹拌
し５の水素を消費させた。触媒を除去後、濃縮してア
ルコール溶媒にて再結晶し５２．３ｇの白色結晶を得
た。
これをＴＨＦ６００mlに溶かし、２Ｎ塩酸１６５mlを加
え１時間還流した。放冷後、トルエン３００mlを加え抽
出し、０．５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３００ml、つづ
いて水３００mlで３回洗浄した。これを硫酸ナトリウム
上で乾燥して濃縮し４０．３ｇの粗生成物を得た。アル
コール溶媒にて再結晶し、乾燥後２４．０ｇの標題化合
物を得た。ｍｐ．は６１℃で、構造はＮＭＲにて確認し
た。
え１時間還流した。放冷後、トルエン３００mlを加え抽
出し、０．５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液３００ml、つづ
いて水３００mlで３回洗浄した。これを硫酸ナトリウム
上で乾燥して濃縮し４０．３ｇの粗生成物を得た。アル
コール溶媒にて再結晶し、乾燥後２４．０ｇの標題化合
物を得た。ｍｐ．は６１℃で、構造はＮＭＲにて確認し
た。
(iii)トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）
シクロヘキサンカルボキシアルデヒド（（４）式中、Ｘ
がフッ素原子でｎが０のもの）の合成 メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド５
７．２ｇとＴＨＦ１５０mlの入った１三ツ口フラスコ
を−１０℃まで冷却し、カリウム−ｔ−ブトキシド１
８．７ｇを添加した。０℃で１時間撹拌後、(ii)で得ら
れた化合物２３．４ｇの１００mlＴＨＦ溶液を滴下し
た。そのまま４時間撹拌し、水３００mlとトルエン３０
０mlを加え抽出した。これを水３００mlで２回洗浄を行
い硫酸ナトリウム上で乾燥し、濃縮後、ヘプタン５００
mlを加え、析出した結晶を濾別した。その濾液を濃縮
し、ヘプタン溶媒にてシリカゲルを充てんしたカラムを
通し、再び濃縮した。これに、２Ｎ塩酸１５０mlとＴＨ
Ｆ３００mlを加え、２時間還流した。放冷後、トルエン
３００mlを加え抽出して、０．５Ｎ水酸化ナトリウム水
溶液２００mlと３回の水２００mlで洗浄した。硫酸ナト
リウム上で乾燥し濃縮して２５．５ｇの粗生成物を得
た。蒸留して目的の化合物１６．５ｇを得た。構造はＮ
ＭＲにて確認した。
シクロヘキサンカルボキシアルデヒド（（４）式中、Ｘ
がフッ素原子でｎが０のもの）の合成 メトキシメチルトリフェニルホスホニウムクロライド５
７．２ｇとＴＨＦ１５０mlの入った１三ツ口フラスコ
を−１０℃まで冷却し、カリウム−ｔ−ブトキシド１
８．７ｇを添加した。０℃で１時間撹拌後、(ii)で得ら
れた化合物２３．４ｇの１００mlＴＨＦ溶液を滴下し
た。そのまま４時間撹拌し、水３００mlとトルエン３０
０mlを加え抽出した。これを水３００mlで２回洗浄を行
い硫酸ナトリウム上で乾燥し、濃縮後、ヘプタン５００
mlを加え、析出した結晶を濾別した。その濾液を濃縮
し、ヘプタン溶媒にてシリカゲルを充てんしたカラムを
通し、再び濃縮した。これに、２Ｎ塩酸１５０mlとＴＨ
Ｆ３００mlを加え、２時間還流した。放冷後、トルエン
３００mlを加え抽出して、０．５Ｎ水酸化ナトリウム水
溶液２００mlと３回の水２００mlで洗浄した。硫酸ナト
リウム上で乾燥し濃縮して２５．５ｇの粗生成物を得
た。蒸留して目的の化合物１６．５ｇを得た。構造はＮ
ＭＲにて確認した。
(iv) ２−｛トランス−４−（３，４，−ジフルオロフ
ェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−
ペンチルシクロヘキシル｝−エテン（〔Ｉ′〕式中、Ｘ
がフッ素原子で、Ｒがｎ−ペンチル基で、ｍが１で、ｎ
が０のもの）の合成 トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルメチルトリ
フェニルホスホニウムブロマイド１５．７ｇとＴＨＦ１
００mlの入った５００ml三ツ口フラスコを−５０℃に冷
却し、カリウム−ｔ−ブトキシド３．５ｇを添加した。
１時間，−５０℃で撹拌後、(iii)で得られた化合物
６．３ｇの５０mlＴＨＦ溶液を滴下して４時間撹拌しな
がら徐々に０℃まで温度を上げた。水１５０mlとトルエ
ン１５０mlを加え抽出し、さらに水２００mlで２回洗浄
後、硫酸ナトリウム上で乾燥して濃縮した。ヘプタン１
５０mlを加え、析出した結晶を濾別し、濃縮した濾液を
ヘプタン溶媒にてシリカゲルを充てんしたカラムを通
し、ヘプタン留去後５．５ｇの目的物を得た。シス体と
トランス体の比は９５：５であった。
ェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−
ペンチルシクロヘキシル｝−エテン（〔Ｉ′〕式中、Ｘ
がフッ素原子で、Ｒがｎ−ペンチル基で、ｍが１で、ｎ
が０のもの）の合成 トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルメチルトリ
フェニルホスホニウムブロマイド１５．７ｇとＴＨＦ１
００mlの入った５００ml三ツ口フラスコを−５０℃に冷
却し、カリウム−ｔ−ブトキシド３．５ｇを添加した。
１時間，−５０℃で撹拌後、(iii)で得られた化合物
６．３ｇの５０mlＴＨＦ溶液を滴下して４時間撹拌しな
がら徐々に０℃まで温度を上げた。水１５０mlとトルエ
ン１５０mlを加え抽出し、さらに水２００mlで２回洗浄
後、硫酸ナトリウム上で乾燥して濃縮した。ヘプタン１
５０mlを加え、析出した結晶を濾別し、濃縮した濾液を
ヘプタン溶媒にてシリカゲルを充てんしたカラムを通
し、ヘプタン留去後５．５ｇの目的物を得た。シス体と
トランス体の比は９５：５であった。
（ｖ） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジ
フルオロフェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス
−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）エテン（〔Ｉｂ〕
式中、ｌが５のもの）の合成 メタクロロ過安息香酸５．１ｇ、炭酸カリウム３．０ｇ
およびクロロホルム１０mlの入った１００ml三ツ口フラ
スコを１０℃に冷却し、(iv)で得られた化合物５．５ｇ
の２０mlクロロホルム溶液を滴下した。２時間撹拌後、
１０％のチオ硫酸ナトリウム水溶液３０mlを加え５分間
撹拌した。水層除去後、０．５Ｎ水酸化ナトリウム水溶
液３０mlと３回の水３０mlで洗浄し、硫酸ナトリウム上
で乾燥した。濃縮後、ヘプタン溶媒にてシリカゲルを充
てんしたカラムに通し、ヘプタンを留去して５．２ｇの
油状物質を得た。
フルオロフェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス
−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）エテン（〔Ｉｂ〕
式中、ｌが５のもの）の合成 メタクロロ過安息香酸５．１ｇ、炭酸カリウム３．０ｇ
およびクロロホルム１０mlの入った１００ml三ツ口フラ
スコを１０℃に冷却し、(iv)で得られた化合物５．５ｇ
の２０mlクロロホルム溶液を滴下した。２時間撹拌後、
１０％のチオ硫酸ナトリウム水溶液３０mlを加え５分間
撹拌した。水層除去後、０．５Ｎ水酸化ナトリウム水溶
液３０mlと３回の水３０mlで洗浄し、硫酸ナトリウム上
で乾燥した。濃縮後、ヘプタン溶媒にてシリカゲルを充
てんしたカラムに通し、ヘプタンを留去して５．２ｇの
油状物質を得た。
ジブロモトリフェニルホスホラン８．４ｇとベンゼン３
０mlの入った１００ml三ツ口フラスコに、上記の油状物
質５．２ｇの１５mlベンゼン溶液を加え６時間還流し
た。放冷後、トルエン溶媒にてシリカゲルを充てんした
カラムに通し、濃縮して７．２ｇの白色結晶を得た。ヘ
プタン溶媒にて再結晶し乾燥後３．４ｇの白色結晶を得
た。ｍｐ．は１５１℃であった。このもののＮＭＲスペ
クトルは を支持した。
０mlの入った１００ml三ツ口フラスコに、上記の油状物
質５．２ｇの１５mlベンゼン溶液を加え６時間還流し
た。放冷後、トルエン溶媒にてシリカゲルを充てんした
カラムに通し、濃縮して７．２ｇの白色結晶を得た。ヘ
プタン溶媒にて再結晶し乾燥後３．４ｇの白色結晶を得
た。ｍｐ．は１５１℃であった。このもののＮＭＲスペ
クトルは を支持した。
このブロモ体２．２ｇと酢酸２０mlの入った１００ml三
ツ口フラスコに亜鉛１．５ｇを加えた。温度が４５℃ま
で上昇した。２時間撹拌後、７０mlの水の入った３００
mlビーカーにこれを注ぎ、トルエン１００mlより抽出し
た。０．５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１００mlと３回の
水５０mlで洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥後、濃縮し
て２．０ｇの粗生成物を得た。ヘプタン溶媒にて再結晶
を行い乾燥して０．７ｇの目的物を得た。
ツ口フラスコに亜鉛１．５ｇを加えた。温度が４５℃ま
で上昇した。２時間撹拌後、７０mlの水の入った３００
mlビーカーにこれを注ぎ、トルエン１００mlより抽出し
た。０．５Ｎ水酸化ナトリウム水溶液１００mlと３回の
水５０mlで洗浄し、硫酸ナトリウム上で乾燥後、濃縮し
て２．０ｇの粗生成物を得た。ヘプタン溶媒にて再結晶
を行い乾燥して０．７ｇの目的物を得た。
ＣＮ点３１℃ ＮＩ点１３６℃ （実施例２）（〔Ｉ〕式でＸがフッ素原子、ｍが１、ｎ
が０のもの） 実施例１で使用したトランス−４−ｎ−ペンチルシクロ
ヘキシルメチルトリフェニルホスホニウムブロマイドを
適当なホスホニウム塩に代えて、実施例１に準ずる方法
で下記の化合物を得る。
が０のもの） 実施例１で使用したトランス−４−ｎ−ペンチルシクロ
ヘキシルメチルトリフェニルホスホニウムブロマイドを
適当なホスホニウム塩に代えて、実施例１に準ずる方法
で下記の化合物を得る。
トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−メ
チルシクロヘキシル）エテン（No.2） トランス−２−｛トランス−４−｛３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−エ
チルシクロヘキシル）エテン（No.3）ＣＮ；３６．９
℃、ＮＩ；９５．８℃ トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−プロピルシクロヘキシル）エテン（No.4）ＣＮ；４
１．１℃、ＮＩ；１３３．３℃ トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−ブチルシクロヘキシル）エテン（No.5）ＣＮ；２４．
２℃、ＮＩ；１３１．６℃ トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−ヘキシルシクロヘキシル）エテン（No.6） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−ヘプチルシクロヘキシル）エテン（No.7） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−オクチルシクロヘキシル）エテン（No.8） （実施例３）（〔Ｉ〕式でＸがフッ素原子、ｍが１、ｎ
が１のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチルブロマイ
ドに、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルトリ
フェニルホスホニウムブロマイドを適当なホスホニウム
塩に代えて、実施例１に準ずる方法で下記の化合物を得
る。
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−メ
チルシクロヘキシル）エテン（No.2） トランス−２−｛トランス−４−｛３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−エ
チルシクロヘキシル）エテン（No.3）ＣＮ；３６．９
℃、ＮＩ；９５．８℃ トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−プロピルシクロヘキシル）エテン（No.4）ＣＮ；４
１．１℃、ＮＩ；１３３．３℃ トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−ブチルシクロヘキシル）エテン（No.5）ＣＮ；２４．
２℃、ＮＩ；１３１．６℃ トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−ヘキシルシクロヘキシル）エテン（No.6） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−ヘプチルシクロヘキシル）エテン（No.7） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ
−オクチルシクロヘキシル）エテン（No.8） （実施例３）（〔Ｉ〕式でＸがフッ素原子、ｍが１、ｎ
が１のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチルブロマイ
ドに、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルトリ
フェニルホスホニウムブロマイドを適当なホスホニウム
塩に代えて、実施例１に準ずる方法で下記の化合物を得
る。
トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−メチルシクロヘキシル）エテン（No.9） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル）エテン（No.10）
ＣＮ；４９．０℃、ＮＩ；９０．０℃ トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）エテン（N
o.11） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）エテン（No.1
2） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）エテン（N
o.13） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）エテン（N
o.14） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）エテン（N
o.15） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−オクチルシクロヘキシル）エテン（N
o.16） （実施例４）（〔Ｉ〕式でＸが水素原子、ｍが１、ｎが
０のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を４−フルオロブロモベンゼンに、トランス−４−ｎ−
ペンチルシクロヘキシルトリフェニルホスホニウムブロ
マイドを適当なホスホニウム塩に代えて、実施例１に準
ずる方法で下記の化合物を得る。
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−メチルシクロヘキシル）エテン（No.9） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−エチルシクロヘキシル）エテン（No.10）
ＣＮ；４９．０℃、ＮＩ；９０．０℃ トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）エテン（N
o.11） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）エテン（No.1
2） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）エテン（N
o.13） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）エテン（N
o.14） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）エテン（N
o.15） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（ト
ランス−４−ｎ−オクチルシクロヘキシル）エテン（N
o.16） （実施例４）（〔Ｉ〕式でＸが水素原子、ｍが１、ｎが
０のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を４−フルオロブロモベンゼンに、トランス−４−ｎ−
ペンチルシクロヘキシルトリフェニルホスホニウムブロ
マイドを適当なホスホニウム塩に代えて、実施例１に準
ずる方法で下記の化合物を得る。
トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−メチルシ
クロヘキシル）エテン（No.17） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−エチルシ
クロヘキシル）エテン（No.18） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）エテン（No.19）ＣＮ；６４．４
℃、ＮＩ；１６７．５℃ トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−ブチ
ルシクロヘキシル）エテン（No.20）ＣＳ：５６．４
℃、ＳＮ；５９．１℃、ＮＩ；１６３．０℃ トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）エテン（No.21） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−ヘキ
シルシクロヘキシル）エテン（No.22） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−ヘプ
チルシクロヘキシル）エテン（No.23） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−オク
チルシクロヘキシル）エテン（No.24） （実施例５）（〔Ｉ〕式でＸが水素原子、ｍが１、ｎが
１のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を２−（４−フルオロフェニル）エチルブロマイドに、
トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルトリフェニ
ルホスホニウムブロマイドを適当なホスホニウム塩に代
えて、実施例１に準ずる方法で下記の化合物を得る。
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−メチルシ
クロヘキシル）エテン（No.17） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−エチルシ
クロヘキシル）エテン（No.18） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−プロ
ピルシクロヘキシル）エテン（No.19）ＣＮ；６４．４
℃、ＮＩ；１６７．５℃ トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−ブチ
ルシクロヘキシル）エテン（No.20）ＣＳ：５６．４
℃、ＳＮ；５９．１℃、ＮＩ；１６３．０℃ トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−ペン
チルシクロヘキシル）エテン（No.21） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−ヘキ
シルシクロヘキシル）エテン（No.22） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−ヘプ
チルシクロヘキシル）エテン（No.23） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−（トランス−４−ｎ−オク
チルシクロヘキシル）エテン（No.24） （実施例５）（〔Ｉ〕式でＸが水素原子、ｍが１、ｎが
１のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を２−（４−フルオロフェニル）エチルブロマイドに、
トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルトリフェニ
ルホスホニウムブロマイドを適当なホスホニウム塩に代
えて、実施例１に準ずる方法で下記の化合物を得る。
トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−メチルシクロヘキシル）エテン（No.25） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−エチルシクロヘキシル）エテン（No.26） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）エテン（No.27） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）エテン（No.28） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）エテン（No.29） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）エテン（No.30） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）エテン（No.31） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−オクチルシクロヘキシル）エテン（No.32） （実施例６）（〔Ｉ〕式でＸがフッ素原子、ｍが２、ｎ
が０のもの） 実施例１で使用したトランス−４−ｎ−ペンチルシクロ
ヘキシルメチルトリフェニルホスホニウムブロマイドを
適当なホスホニウム塩に代えて、実施例１に準ずる方法
で下記の化合物を得る。
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−メチルシクロヘキシル）エテン（No.25） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−エチルシクロヘキシル）エテン（No.26） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）エテン（No.27） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）エテン（No.28） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）エテン（No.29） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−ヘキシルシクロヘキシル）エテン（No.30） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−ヘプチルシクロヘキシル）エテン（No.31） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−（トランス
−４−ｎ−オクチルシクロヘキシル）エテン（No.32） （実施例６）（〔Ｉ〕式でＸがフッ素原子、ｍが２、ｎ
が０のもの） 実施例１で使用したトランス−４−ｎ−ペンチルシクロ
ヘキシルメチルトリフェニルホスホニウムブロマイドを
適当なホスホニウム塩に代えて、実施例１に準ずる方法
で下記の化合物を得る。
トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル｝エテン（No.33） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル｝エテン（No.34） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル｝エテン（No.35）ＣＳ：７０．５℃、ＳＮ；
１６８．４℃、ＮＩ＞３００℃ トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル｝エテン（No.36） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル｝エテン（No.37） （実施例７）（〔Ｉ〕式で、Ｘがフッ素原子、ｍが２、
ｎが１のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチルブロマイ
ドに、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルトリ
フェニルホスホニウムブロマイドを適当なホスホニウム
塩に代えて、実施例１に準ずる方法で下記の化合物を得
る。
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル｝エテン（No.33） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル｝エテン（No.34） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル｝エテン（No.35）ＣＳ：７０．５℃、ＳＮ；
１６８．４℃、ＮＩ＞３００℃ トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）シクロヘ
キシル｝エテン（No.36） トランス−２−｛トランス−４−（３，４−ジフルオロ
フェニル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−
（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル｝エテン（No.37） （実施例７）（〔Ｉ〕式で、Ｘがフッ素原子、ｍが２、
ｎが１のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を２−（３，４−ジフルオロフェニル）エチルブロマイ
ドに、トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルトリ
フェニルホスホニウムブロマイドを適当なホスホニウム
塩に代えて、実施例１に準ずる方法で下記の化合物を得
る。
トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−メチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル｝エテン（No.38） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル｝エテン（No.39） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル｝エテン（No.40） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル｝エテン（No.41） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル｝エテン（No.42） （実施例８）（〔Ｉ〕式で、Ｘが水素原子、ｍが２、ｎ
が０のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を４−フルオロブロモベンゼンに、トランス−４−ｎ−
ペンチルシクロヘキシルトリフェニルホスホニウムブロ
マイドを適当なホスホニウム塩に代えて、実施例１に準
ずる方法で下記の化合物を得る。
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−メチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル｝エテン（No.38） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−エチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル｝エテン（No.39） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル｝エテン（No.40） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル｝エテン（No.41） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（３，４−ジフ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル｝エテン（No.42） （実施例８）（〔Ｉ〕式で、Ｘが水素原子、ｍが２、ｎ
が０のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を４−フルオロブロモベンゼンに、トランス−４−ｎ−
ペンチルシクロヘキシルトリフェニルホスホニウムブロ
マイドを適当なホスホニウム塩に代えて、実施例１に準
ずる方法で下記の化合物を得る。
トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシル｝エテ
ン（No.43） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル｝エテ
ン（No.44） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル｝エテン（No.45） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル｝
エテン（No.46） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル｝エテン（No.47） （実施例９）（〔Ｉ〕式で、Ｘが水素原子、ｍが２、ｎ
が１のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を２−（４−フルオロフェニル）エチルブロマイドに、
トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルトリフェニ
ルホスホニウムブロマイドを適当なホスホニウム塩に代
えて、実施例１に準ずる方法で下記の化合物を得る。
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−メチルシクロヘキシル）シクロヘキシル｝エテ
ン（No.43） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル｝エテ
ン（No.44） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−ｎ−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル｝エテン（No.45） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）シクロヘキシル｝
エテン（No.46） トランス−２−｛トランス−４−（４−フルオロフェニ
ル）シクロヘキシル｝−１−｛トランス−４−（トラン
ス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル｝エテン（No.47） （実施例９）（〔Ｉ〕式で、Ｘが水素原子、ｍが２、ｎ
が１のもの） 実施例１で使用した３，４−ジフルオロブロモベンゼン
を２−（４−フルオロフェニル）エチルブロマイドに、
トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシルトリフェニ
ルホスホニウムブロマイドを適当なホスホニウム塩に代
えて、実施例１に準ずる方法で下記の化合物を得る。
トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛トランス
−４−（トランス−４−メチルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル｝エテン（No.48） トランス−２−〔トラン
ス−４−｛２−（４−フルオロフェニル）エチル｝シク
ロヘキシル〕−１−｛トランス−４−（トランス−４−
エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル｝エテン（No.4
9） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル｝エテン（No.50） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛トランス
−４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル｝エテン（No.51） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛トランス
−４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル｝エテン（No.52） （実施例１０） からなる液晶組成物ＡのＮＩ点は５２．３℃、Δεは１
０．７、Δｎは０．１１９、２０℃での粘度は２２ｃｐ
であった。この液晶組成物Ａ８５重量部に本発明の実施
例１に示した化合物１５重量部を加えた液晶組成物のＮ
Ｉ点は５９．１℃、Δεは９．７、Δｎは０．１１４、
２０℃での粘度は２０．６ｃｐであった。
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛トランス
−４−（トランス−４−メチルシクロヘキシル）シクロ
ヘキシル｝エテン（No.48） トランス−２−〔トラン
ス−４−｛２−（４−フルオロフェニル）エチル｝シク
ロヘキシル〕−１−｛トランス−４−（トランス−４−
エチルシクロヘキシル）シクロヘキシル｝エテン（No.4
9） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フ
ルオロフェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛ト
ランス−４−（トランス−４−ｎ−プロピルシクロヘキ
シル）シクロヘキシル｝エテン（No.50） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛トランス
−４−（トランス−４−ｎ−ブチルシクロヘキシル）シ
クロヘキシル｝エテン（No.51） トランス−２−〔トランス−４−｛２−（４−フルオロ
フェニル）エチル｝シクロヘキシル〕−１−｛トランス
−４−（トランス−４−ｎ−ペンチルシクロヘキシル）
シクロヘキシル｝エテン（No.52） （実施例１０） からなる液晶組成物ＡのＮＩ点は５２．３℃、Δεは１
０．７、Δｎは０．１１９、２０℃での粘度は２２ｃｐ
であった。この液晶組成物Ａ８５重量部に本発明の実施
例１に示した化合物１５重量部を加えた液晶組成物のＮ
Ｉ点は５９．１℃、Δεは９．７、Δｎは０．１１４、
２０℃での粘度は２０．６ｃｐであった。
比較例 前述の〔II〕、〔III〕および〔IV〕式で表わされる化
合物のＮＩ点と液晶組成物Ａにそれぞれを１５重量部加
えて得た３つの液晶組成物の粘度を実施例１０の結果と
ともに表に示す。
合物のＮＩ点と液晶組成物Ａにそれぞれを１５重量部加
えて得た３つの液晶組成物の粘度を実施例１０の結果と
ともに表に示す。
表からわかるように、本発明の化合物は他の類似化合物
と比較して、ＮＩ点が最も高く、粘度が最も低い化合物
であることがわかる。
と比較して、ＮＩ点が最も高く、粘度が最も低い化合物
であることがわかる。
本発明の化合物は、高いＮＩ点を有するため液晶表示素
子の動作範囲を広げることができ、また粘度が非常に低
いので液晶表示素子の応答速度を向上させることがで
き、また大きな正のΔεを持つので液晶表示素子の駆動
電圧を上げる必要がない。
子の動作範囲を広げることができ、また粘度が非常に低
いので液晶表示素子の応答速度を向上させることがで
き、また大きな正のΔεを持つので液晶表示素子の駆動
電圧を上げる必要がない。
さらに、環境因子に対して非常に安定であるので様々な
液晶表示素子（例えば、ＴＦＴによるアクティブマトリ
ックス方式）に用いることができる。
液晶表示素子（例えば、ＴＦＴによるアクティブマトリ
ックス方式）に用いることができる。
Claims (10)
- 【請求項１】一般式 （式中、Ｒは炭素数１〜８までの直鎖状のアルキル基を
表し、Ｘは水素原子またはフッ素原子を表し、ｍは１ま
たは２であり、ｎは０または１である。）で表わされる
ジシクロヘキシルエチレン誘導体。 - 【請求項２】式〔Ｉ〕において、Ｘがフッ素原子であ
り、ｍが１であり、ｎが０である請求項１記載のジシク
ロヘキシルエチレン誘導体。 - 【請求項３】式〔Ｉ〕において、Ｘが水素原子であり、
ｍが１であり、ｎが０である請求項１記載のジシクロヘ
キシルエチレン誘導体。 - 【請求項４】式〔Ｉ〕において、Ｘがフッ素原子であ
り、ｍおよびｎが１である請求項１記載のジシクロヘキ
シルエチレン誘導体。 - 【請求項５】式〔Ｉ〕において、Ｘが水素原子であり、
ｍおよびｎが１である請求項１記載のジシクロヘキシル
エチレン誘導体。 - 【請求項６】式〔Ｉ〕において、Ｘがフッ素原子であ
り、ｍが２であり、ｎが０である請求項１記載のジシク
ロヘキシルエチレン誘導体。 - 【請求項７】式〔Ｉ〕において、Ｘが水素原子であり、
ｍが２であり、ｎが０である請求項１記載のジシクロヘ
キシルエチレン誘導体。 - 【請求項８】式〔Ｉ〕において、Ｘがフッ素原子であ
り、ｍが２であり、ｎが１である請求項１記載のジシク
ロヘキシルエチレン誘導体。 - 【請求項９】式〔Ｉ〕において、Ｘが水素原子であり、
ｍが２であり、ｎが１である請求項１記載のジシクロヘ
キシルエチレン誘導体。 - 【請求項１０】少なくとも１種の構成成分が、請求項１
記載のジシクロヘキシルエチレン誘導体である液晶組成
物。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265131A JPH0662462B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ジシクロヘキシルエチレン誘導体 |
| US07/579,327 US5055220A (en) | 1989-10-13 | 1990-09-10 | Dicyclohexylethylene derivatives |
| KR1019900016165A KR0166067B1 (ko) | 1989-10-13 | 1990-10-12 | 디사이클로헥실에틸렌 유도체 |
| DE69008473T DE69008473T2 (de) | 1989-10-13 | 1990-10-12 | Dicyclohexylethylenderivate. |
| EP90311225A EP0422958B1 (en) | 1989-10-13 | 1990-10-12 | Dicyclohexylethylene derivatives |
| AT9090311225T ATE104939T1 (de) | 1989-10-13 | 1990-10-12 | Dicyclohexylethylenderivate. |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1265131A JPH0662462B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ジシクロヘキシルエチレン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03127748A JPH03127748A (ja) | 1991-05-30 |
| JPH0662462B2 true JPH0662462B2 (ja) | 1994-08-17 |
Family
ID=17413051
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1265131A Expired - Lifetime JPH0662462B2 (ja) | 1989-10-13 | 1989-10-13 | ジシクロヘキシルエチレン誘導体 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5055220A (ja) |
| EP (1) | EP0422958B1 (ja) |
| JP (1) | JPH0662462B2 (ja) |
| KR (1) | KR0166067B1 (ja) |
| AT (1) | ATE104939T1 (ja) |
| DE (1) | DE69008473T2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3134473B2 (ja) * | 1992-04-03 | 2001-02-13 | チッソ株式会社 | シス−１，４−置換２−ブテン誘導体 |
| JP2732335B2 (ja) * | 1992-05-28 | 1998-03-30 | チッソ株式会社 | 液晶組成物およびこの組成物を用いた液晶表示素子 |
| JP3326821B2 (ja) * | 1992-09-11 | 2002-09-24 | チッソ株式会社 | ２−フルオロベンゾニトリル誘導体 |
| US5641432A (en) * | 1993-03-10 | 1997-06-24 | Chisso Corporation | Dicyclohexylethylene derivative |
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| WO1997000233A1 (fr) * | 1995-06-15 | 1997-01-03 | Chisso Corporation | Composes presentant des groupes alcenylene a substitution alkyle et composition de cristaux liquides |
| KR20040078713A (ko) * | 2003-03-04 | 2004-09-13 | 삼성전자주식회사 | 시클로헥센 유도체, 이를 포함한 액정 조성물 및 이 액정조성물을 이용한 액정표시소자 |
| EP2295520A3 (de) * | 2003-05-21 | 2011-08-03 | Merck Patent GmbH | Flüssigkristallines Medium |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE3382646D1 (de) * | 1982-08-26 | 1993-01-28 | Merck Patent Gmbh | Cyclohexanderivate und ihre verwendung als komponenten fluessigkristalliner-dielektrika. |
| US4630896A (en) * | 1983-06-17 | 1986-12-23 | Hoffmann-La Roche Inc. | Benzonitriles |
| JPS61282328A (ja) * | 1985-06-10 | 1986-12-12 | Chisso Corp | シクロヘキサン誘導体 |
| WO1987005293A2 (fr) * | 1986-03-01 | 1987-09-11 | MERCK Patent Gesellschaft mit beschränkter Haftung | Derives de cyclohexane |
| US4820443A (en) * | 1987-02-06 | 1989-04-11 | Chisso Corporation | Cyclohexane derivative and liquid crystal composition containing the same |
| US4910350A (en) * | 1987-09-29 | 1990-03-20 | Dainippon Ink And Chemicals, Inc. | Fluorine-substituted cyclohexylcyclohexene derivative |
| JPH0684339B2 (ja) * | 1987-11-16 | 1994-10-26 | チッソ株式会社 | シクロヘキサン誘導体 |
| JPH01272537A (ja) * | 1988-04-21 | 1989-10-31 | Chisso Corp | シクロヘキサン誘導体 |
-
1989
- 1989-10-13 JP JP1265131A patent/JPH0662462B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1990
- 1990-09-10 US US07/579,327 patent/US5055220A/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-12 DE DE69008473T patent/DE69008473T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-12 KR KR1019900016165A patent/KR0166067B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1990-10-12 EP EP90311225A patent/EP0422958B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1990-10-12 AT AT9090311225T patent/ATE104939T1/de not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5055220A (en) | 1991-10-08 |
| EP0422958A1 (en) | 1991-04-17 |
| ATE104939T1 (de) | 1994-05-15 |
| DE69008473D1 (de) | 1994-06-01 |
| KR910007845A (ko) | 1991-05-30 |
| EP0422958B1 (en) | 1994-04-27 |
| DE69008473T2 (de) | 1994-08-25 |
| KR0166067B1 (ko) | 1999-03-20 |
| JPH03127748A (ja) | 1991-05-30 |
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