JPH08157396A - (2−シクロヘキシル)プロピルベンゼン誘導体 - Google Patents

(2−シクロヘキシル)プロピルベンゼン誘導体

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JPH08157396A
JPH08157396A JP30483894A JP30483894A JPH08157396A JP H08157396 A JPH08157396 A JP H08157396A JP 30483894 A JP30483894 A JP 30483894A JP 30483894 A JP30483894 A JP 30483894A JP H08157396 A JPH08157396 A JP H08157396A
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貞夫 竹原
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晴義 高津
Masashi Osawa
政志 大澤
Kiyobumi Takeuchi
清文 竹内
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Abstract

(57)【要約】 【構成】 一般式(I) 【化1】 (R1:C1〜12のアルキル、n:0、1、2、X1
2、X3:H原子、F原子、Y:H原子、F原子、Cl
原子、−CN、−R2、−OR2、−OCN、−CF3
−OCF3、−OCF2H、−OCH2CF3、R2:C1
〜12のアルキル、C2〜12のアルケニル)で表わさ
れる化合物、中間体である一般式(II) 【化2】 (R1:C1〜12のアルキル、n:0、1、2)で表
わされる化合物及び一般式(I)の化合物を含有する液
晶組成物。 【効果】 この化合物は液晶性に優れ、工業的にも容易
に製造でき、化学的にも極めて安定である。しかも、母
体液晶に添加することにより電気光学的特性を損なうこ
となく、融点が低く結晶が析出しがたい特徴を有する。
従って、実用的液晶表示用材料として有用である。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的液晶表示用、
特にネマチック液晶表示用材料として有用な(2−シク
ロヘキシル)プロピルベンゼン誘導体である新規液晶性
化合物及びその製造中間体に関し、更にそれを含有する
液晶組成物に関する。
【0002】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにTN(捩れネマチック)型、STN(超捩
れネマチック)型、DS(動的光散乱)型、GH(ゲス
ト・ホスト)型あるいはFLC(強誘電性液晶)等があ
り、また駆動方式としても従来のスタティック駆動から
マルチプレックス駆動が一般的になり、更に単純マトリ
ックス方式、最近ではアクティブマトリックス方式が実
用化されている。これらの表示方式、駆動方式に応じ
て、液晶材料としても種々の特性が要求されているが、
(1)温度範囲が広いこと、及び(2)粘性が小さいこ
とはすべての方式に共通して重要な要求特性である。こ
のうち(1)には(1a)ネマチック相上限温度(T
N-I)が高いこと、及び(1b)融点が低く、結晶化あ
るいは析出等の相分離を生じ難いことが含まれる。
【0003】現在までのところ、こうした要求特性を単
独で満たす液晶化合物は知られておらず、多種の液晶化
合物の混合物として用いられているのが実情である。こ
れまで開発されてきた液晶化合物は多岐に及ぶが、上記
(1)、(2)の条件を比較的満足できる3環性の化合
物として、4−(2−フェニルエチル)ビシクロヘキサ
ン(CCEP)骨格を有する化合物が比較的よく用いら
れている。
【0004】このCCEP骨格を有する化合物は、T
N-Iが比較的高く、その粘性も3環性化合物としては比
較的小さいといった特長を有する。しかしながら、その
低温特性に関しては、他の液晶化合物と比較して特に優
れていたわけではなかった。
【0005】液晶材料の融点を降下させるためには、多
数の化合物を混合し、液晶組成物の構成成分数を多くす
ることが効果的であり、例えばCCEP骨格の特性を有
しながら、その成分数を増加するために、末端アルキル
基の炭素原子数を変化させた同族体を用いる方法が使わ
れている。しかしながら、同族体はその炭素原子数の違
いによりそのTN-Iや粘性が互いに異なるうえに、同族
体のみの混合だけでは、低温において結晶の析出をしに
くくすることは、極めて困難であるのが実状である。ま
た、低粘性の2環性液晶化合物として、2−シクロヘキ
シルエチルベンゼン(CEP)骨格を有する化合物もよ
く用いられているが、相溶性の点ではこれまた決して充
分満足できるものではない。更に4環性高温液晶として
用いられる4−(2−フェニルエチル)ターシクロヘキ
サン(CCCEP)骨格を有する化合物においても同様
の性質を示す傾向にあった。
【0006】従って、CCEP骨格(あるいはCEP、
CCCEP骨格)を有する液晶化合物と同等の特性を有
しながらその融点が低下するか、あるいは低温でも結晶
化し難く、他の液晶化合物の相溶性が改善された液晶性
化合物が望まれていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、以上の目的に応じるため、(2−シクロヘ
キシル)プロピルベンゼン誘導体である液晶性化合物を
提供し、更にこれを用いて低粘性で液晶温度範囲が広
い、特に低温で析出、相分離等が生じにくい液晶組成物
を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、一般式(I)
【0009】
【化3】
【0010】(式中、R1は炭素原子数1〜12のアル
キル基を表わし、nは0、1又は2の整数を表わし、X
1、X2及びX3はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素
原子を表わし、Yは水素原子、フッ素原子、塩素原子、
シアノ基、−R2、−OR2、−OCN、−CF3、−O
CF3、−OCF2H又は−OCH2CF3を表わし、R2
は炭素原子数1〜12のアルキル基又は炭素原子数2〜
12のアルケニル基を表わし、シクロヘキサン環はトラ
ンス配置である。)で表わされる(2−シクロヘキシ
ル)プロピルベンゼン誘導体を提供する。
【0011】本発明に係わる一般式(I)の化合物のう
ち、X3が水素原子であることが好ましく、このとき、
Yはフッ素原子、塩素原子、−R2、−CF3、−OCF
3、−OCF2H又は−OCH2CF3を表わすことが好ま
しく、フッ素原子、炭素原子数1〜12のアルキル基又
は−OCF3を表わすことが更に好ましい。
【0012】また、X1及びX2が共に水素原子であるこ
とが好ましく、X1、X2及びYのうち、少なくとも2個
がフッ素原子であることが同様に好ましい。更に、nが
1であることが好ましく、また、R1が炭素原子数1〜
7の直鎖状アルキル基であることが好ましい。
【0013】一般式(I)はそのR1、n、X1、X2
3及びYの選択により多数の化合物を含みうるわけで
あるが、その中でも以下に記載する一般式(Ia)〜
(Im)
【0014】
【化4】
【0015】
【化5】
【0016】(式中、Raは炭素原子数1〜7の直鎖状
アルキル基を表わす。)で表わされる化合物が好まし
く、一般式(Ia)、(Ib)、(Ic)及び(Id)
が特に好ましい。
【0017】一般式(I)の化合物はそのR1、n、
1、X2、X3及びY、特にYに応じて以下のようにし
て製造することができる。なお、以下に示す製造方法に
おいて、R2は一般式(I)におけると同じ意味を表わ
す。 イ) 一般式(I)において、Y=水素原子、フッ素原
子、R2、−OR2、−CF3、−OCF3、−OCH2
3の場合 Yが上記の場合、これらの基はグリニヤール反応剤ある
いはフェニルリチウム反応剤に対して不活性であるの
で、一般式(III)
【0018】
【化6】
【0019】(式中、X1、X2及びX3は一般式(I)
におけると同じ意味を表わし、Y1は水素原子、フッ素
原子、R2、−OR2、−CF3、−OCF3又は−OCH
2CF3を表わし、MはMgBr、MgI又はLi原子を
表わす。)で表わされる有機金属反応剤を直接、一般式
(II)
【0020】
【化7】
【0021】(式中、R1及びnは一般式(I)におけ
ると同じ意味を表わす。)で表わされるアルデヒド誘導
体と反応させることにより得ることができる。
【0022】
【化8】
【0023】即ち、一般式(II)及び一般式(II
I)の化合物を反応させ、酸触媒存在下に脱水させた後
に、接触還元により水素添加することにより得ることが
できる。
【0024】あるいは有機金属反応剤として、上記製造
方法において、一般式(III)に換えて一般式(II
I’)
【0025】
【化9】
【0026】(式中、X1、X2及びX3は一般式(I)
におけると同じ意味を表わし、Y1及びMは一般式(I
II)におけると同じ意味を表わす。)を用い、一般式
(II)のアルデヒド誘導体に換えて、一般式(I
I’)
【0027】
【化10】
【0028】(式中、R1及びnは一般式(I)におけ
ると同じ意味を表わす。)で表わされるアセチルシクロ
ヘキサン誘導体を用いることによっても、一般式(I)
において、Y=水素原子、フッ素原子、R2、−OR2
−CF3、−OCF3、−OCH 2CF3の化合物を得るこ
とができる。しかしながら、後者の方法では脱水及び水
素添加の工程においてシクロヘキサン環が一部異性化す
るので、前者の方法がより好ましい。 ロ) 一般式(I)において、Y=−OR2、−OCH2
CF3の場合
【0029】
【化11】
【0030】(式中、R1、n、X1、X2及びX3は一般
式(I)におけると同じ意味を表わし、Yは−OR2
−OCH2CF3を表わす。) イ)において、一般式(III)あるいは一般式(II
I’)において、Y1=−OCH3である化合物を用い、
同様にして一般式(I)において、Yが−OCH3であ
る化合物を得ることができる。これを脱メチル化(ヨウ
化トリメチルシリル、三臭化ホウ素、塩化アルミニウ
ム、臭化水素酸等を用いることができる。)して、一般
式(Ioh)のフェノール誘導体を得る。この一般式
(Ioh)を塩基存在下に、R2WあるいはWCH2CF
3(式中、Wは臭素原子、ヨウ素原子又はp−トルエン
スルホニル基等の脱離基を表わす。)と反応させること
により、一般式(I)において、Y=−OR2及び−O
CH2CF3の化合物を得ることができる。
【0031】あるいは、一般式(Ioh)のフェノール
誘導体は、後述の一般式(Inh)のアニリン誘導体
を、硫酸水溶液中で亜硝酸ナトリウムと反応させてジア
ゾニウム塩とし、これを分解することによっても得るこ
とができる。 ハ) 一般式(I)において、Y=−OCF2Hの場合
【0032】
【化12】
【0033】(式中、R1、n、X1、X2及びX3は一般
式(I)におけると同じ意味を表わす。) ロ)で得た一般式(Ioh)を蟻酸エステルとし、これ
を三フッ化ジメチルアミノ硫黄(DAST)等によりフ
ッ素化することにより得ることができる。 ニ) 一般式(I)において、Y=−CNの場合
【0034】
【化13】
【0035】(式中、R1、n、X1、X2及びX3は一般
式(I)におけると同じ意味を表わす。) 一般式(I)において、Yが水素原子である一般式(I
h)の化合物を、ルイス酸存在下にシュウ酸クロリドと
反応させて酸クロリドとし、次いでアンモニアと反応さ
せることにより一般式(Iam)のアミド誘導体が得ら
れる。これを塩化チオニル等で脱水することにより、一
般式(I)において、Y=−CNの化合物を得ることが
できる。
【0036】
【化14】
【0037】(式中、R1、n、X1、X2及びX3は一般
式(I)におけると同じ意味を表わす。) あるいはこの中間体である酸クロリドは、一般式(I
h)の化合物をアセチル化した後、アルカリ水溶液中、
臭素で酸化して一般式(Ica)のカルボン酸誘導体と
し、次いで塩化チオニル等の塩素化剤と反応させても得
ることができる。
【0038】
【化15】
【0039】(式中、R1、n、X1、X2及びX3は一般
式(I)におけると同じ意味を表わす。) あるいは一般式(Ih)の化合物を、ヨウ素及び過ヨウ
素酸により直接ヨウ素化し、次いでシアン化銅(I)と反
応させることによっても、一般式(I)において、Y=
−CNの化合物を得ることができる。 ホ) 一般式(I)において、Y=Clの場合
【0040】
【化16】
【0041】(式中、R1、n、X1、X2及びX3は一般
式(I)におけると同じ意味を表わす。) 塩素の活性度が低い場合にはイ)と同様にして得ること
もできる。しかしながら、より一般的には、前記の一般
式(Iam)のアミド誘導体をアルカリ水溶液中で臭素
と反応させることにより、一般式(Inh)のアニリン
誘導体を得て、これを塩酸存在下に亜硝酸ナトリウムと
反応させてジアゾニウム塩とし、更にこれを塩化銅(I)
により分解することにより、一般式(I)において、Y
=Clの化合物を得ることができる。 ヘ) 一般式(I)において、Y=−OCNの場合
【0042】
【化17】
【0043】(式中、R1、n、X1、X2及びX3は一般
式(I)におけると同じ意味を表わす。) 前記の一般式(Ioh)のフェノール誘導体を、トリエ
チルアミン等の塩基性物質存在下に臭化シアンと反応さ
せることにより、一般式(I)において、Y=−OCN
の化合物を得ることができる。
【0044】上記の各製造工程において、X1及びX2
少なくとも一方がフッ素原子である場合に、イ)の工程
では、対応する一般式(II)の化合物が入手しにくい
場合がある。あるいはニ)の工程では、Yで表わされる
置換基を必ずしも望みの位置に選択的に導入しにくい場
合もある。こうした場合には、下記の製造方法によって
得ることができる。
【0045】
【化18】
【0046】(式中、R1、n、X1、X2及びX3は一般
式(I)におけると同じ意味を表わす。) 前記の一般式(Ih)をブチルリチウム等でリチオ化し
て、一般式(Ili)のフェニルリチウム誘導体とし、
ここで例えば一般式(I)において、Yがアルキル基の
場合、これを直接アルキル化すればよい。
【0047】また、例えば、一般式(Ih)の化合物を
二酸化炭素と反応させることにより、一般式(Ica)
のカルボン酸誘導体を得て、これから前述と同様の方法
により、一般式(I)において、Y=CNの化合物を得
ることができる。
【0048】ここで中間体として用いられた一般式(I
I)のアルデヒド誘導体は新規な化合物であり、前述の
一般式(II’)のアセチルシクロヘキサン誘導体に一
般式(IV)
【0049】
【化19】
【0050】のウィッティヒ反応剤を反応させ、次いで
加水分解することにより得ることができ、本発明はこの
化合物をも提供するものである。斯くして製造された一
般式(I)で表わされる化合物の代表的なものの例を第
1表に掲げる。
【0051】
【表1】
【0052】(表中、Cは結晶相を、Sはスメクチック
相を、Nはネマチック相を、Iは等方性液体相をそれぞ
れ表わす。) 第1表中の(No.1)の化合物と、対応するCCEP
骨格を有し(No.1)の化合物と類似構造を有する式
(R−1)
【0053】
【化20】
【0054】の化合物の相転移温度は以下の通りであ
る。 C 24.0℃ S 49.5℃ N 115.0℃ I (Cは結晶相を、Sはスメクチック相を、Nはネマチッ
ク相を、Iは等方性液体相を表わす。) 上記の式(R−1)の化合物及び本発明の(No.1)
の化合物を比較すると、(No.1)の化合物は連結基
のエチレン基にメチル分岐基を導入したにもかかわら
ず、そのネマチック相上限温度(TN-I)はわずか約1
4℃しか低下していなかった。
【0055】また、液晶化合物の連結基中にメチル分岐
基を導入して、その転移温度を比較した例を以下に示
す。式(A−1)及び式(A−2)
【0056】
【化21】
【0057】で表わされるスチルベン誘導体の相転移温
度は以下の通りである。 式(A−1) C 80.0℃ S 80.5℃ N 126.0℃ I 式(A−2) C 209.0℃ (N 189.0℃) I (C、S、N及びIは上記におけると同じ意味を表わ
し、()はモノトロピックな相であることを表わす。) 一方、式(A−1)及び式(A−2)にメチル基を導入
した式(B−1)及び式(B−2)
【0058】
【化22】
【0059】の化合物の相転移温度は以下の通りであ
る。 式(B−1) C1 40.0℃ C2 72.0℃ N 82.0℃ I 式(B−2) C 106.0℃ N 121.0℃ I (C、N、及びIは上記におけると同じ意味を表わし、
1及びC2はそれぞれ異なる結晶相を表わす。) これらの化合物を比較すると、メチル分岐基の導入され
た式(B−1)及び式(B−2)のTN-Iは30℃以上
も低下している。
【0060】従って、本発明の第1表中の(No.1)
の化合物が高いTN-Iを保っていることは驚くべきこと
であるといえる。また、この(No.1)の化合物にお
けるメチル分岐基が、式(R−1)の化合物のエチレン
結合のどちらの炭素原子に結合しているかは非常に重要
であって、例えば(No.1)の化合物と類似構造を有
するが、そのメチル分岐基の位置が逆である式(R−
2)
【0061】
【化23】
【0062】の化合物は室温で油状であって、全く液晶
性を示さない。(外挿によるTN-Iは約−60℃であっ
た。)これらの事実は本発明者らがはじめて明らかにし
たことであって、これまでは予想がつかなかったことで
ある。
【0063】第1表中の(No.1)の化合物の融点は
47℃と、式(R−1)の24℃と比較してかなり高く
なっている。このことは、他の液晶化合物との相溶性や
液晶組成物における析出や相分離のうえで決して有利で
はないように考えられるが、実際には(No.1)の化
合物の相溶性は式(R−1)よりかなり優れており、析
出や相分離の生じにくい組成物をより容易に調製するこ
とが可能である。
【0064】一般式(I)の化合物の効果は、例えば以
下の例からも明らかである。アクティブマトリックス駆
動用として好適な低粘性ホスト液晶(H)
【0065】
【化24】
【0066】(式中、シクロヘキサン環はトランス配置
を表わし、「%」は「重量%」を表わす。)のネマチッ
ク相上限温度(TN-I)は116.7℃であり、これを
用いて作製したセル厚6μmのTNセルのしきい値電圧
(Vth)は2.14Vであった。
【0067】このホスト液晶(H)70重量%及び第1
表中の(No.1)の化合物30重量%からなる液晶組
成物(M−1)を調製したところ、TN-Iは111℃で
あり、ホスト液晶(H)と比較して、その低下はわずか
であった。
【0068】また、この(M−1)を0℃で保存したと
ころ1カ月以上経過しても結晶の析出や相分離は観察で
きなかった。更に−50℃に冷却放置して固化させた
後、昇温させてその融解する温度を測定したところ、−
12℃であった。
【0069】更に(M−1)を用いて同様にしてセルを
作製し、Vthを測定したところ、2.15Vであり、ホ
スト液晶(H)と比較して、ほとんど変化していない。
これに対し、ホスト液晶(H)70重量%及び(No.
1)の化合物と類似構造を有する式(R−1)の化合物
30重量%からなる比較用の液晶組成物(MR−1)を
調製した。(MR−1)のTN-Iは116.0℃であ
り、(M−1)と比較してわずかではあるが高くなっ
た。しかしながら、この(MR−1)を0℃で放置した
ところ、4日目で結晶の一部析出が観察された。
【0070】更に−50℃で放置して固化させた後、そ
の融解する温度を測定したところ−6℃であり、(M−
1)より高くなった。しかも、完全には融けずに結晶が
残った。更に同様にして(MR−1)のVthを測定した
ところ、2.14Vであり、(M−1)と比較してほと
んど変化がなかった。
【0071】以上から、本発明の化合物が従来の液晶化
合物との相溶性に優れ、液晶組成物とした場合に結晶の
析出や相分離を生じ難くし、融点を低くして低温域への
温度拡大に有用であることが理解できる。
【0072】従って、一般式(I)の化合物は、他のネ
マチック液晶化合物との混合物の状態で、特にTN型あ
るいはSTN型といった電界効果型表示セルの材料とし
て、好適に使用することができる。
【0073】特に、一般式(I)におけるYの選択によ
っては、分子内に強い極性基を持たないことが可能であ
り、この場合には大きい比抵抗と高い電圧保持率を得る
ことが容易である。
【0074】従って、アクティブマトリックス駆動用液
晶材料の構成成分として使用が可能であり、特にアクテ
ィブマトリックス駆動用液晶材料においては、その融点
を低下させ低温に放置しても結晶の析出を生じ難くする
ことが比較的困難であるため、本発明の一般式(I)の
化合物は特に有用である。本発明はこのように一般式
(I)で表わされる化合物の少なくとも1種類をその構
成成分として含有する液晶組成物をも提供するものであ
る。
【0075】この組成物中において、一般式(I)で表
わされる化合物と混合して使用することのできるネマチ
ック液晶化合物の好ましい代表例としては、例えば、4
−置換安息香酸4−置換フェニル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4−置換フェニル、4−置換シクロヘキ
サンカルボン酸4’−置換ビフェニリル、4−(4−置
換シクロヘキサンカルボニルオキシ)安息香酸4−置換
フェニル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息香酸4
−置換フェニル、4−(4−置換シクロヘキシル)安息
香酸4−置換シクロヘキシル、4,4’−置換ビフェニ
ル、1−(4−置換シクロヘキシル)−4−置換ベンゼ
ン、4,4’−置換ビシクロヘキサン、1−[2−(4
−置換シクロヘキシル)エチル]−4−置換ベンゼン、
1−(4−置換シクロヘキシル)−2−(4−置換シク
ロヘキシル)エタン、4,4”−置換ターフェニル、4
−(4−置換シクロヘキシル)−4’−置換ビフェニ
ル、4−[2−(4−置換シクロヘキシル)エチル]−
4’−置換ビフェニル、4−(4−置換フェニル)−
4’−置換ビシクロヘキサン、4−[2−(4−置換シ
クロヘキシル)エチル]−4’−置換ビフェニル、4−
[2−(4−置換シクロヘキシル)エチル]シクロヘキ
シル−4’−置換ベンゼン、4−[2−(4−置換フェ
ニル)エチル]−4’−置換ビシクロヘキサン、1−
(4−置換フェニルエチニル)−4−置換ベンゼン、1
−(4−置換フェニルエチニル)−4−(4−置換シク
ロヘキシル)ベンゼン、2−(4−置換フェニル)−5
−置換ピリミジン、2−(4’−置換ビフェニリル)−
5−置換ピリミジン及び上記各化合物においてベンゼン
環が側方置換基を有する化合物等を挙げることができ
る。
【0076】このうちアクティブマトリックス駆動用と
しては4,4’−置換ビフェニル、1−(4−置換シク
ロヘキシル)−4−置換ベンゼン、4,4’−置換ビシ
クロヘキサン、1−[2−(4−置換シクロヘキシル)
エチル]−4−置換ベンゼン、1−(4−置換シクロヘ
キシル)−2−(4−置換シクロヘキシル)エタン、
4,4”−置換ターフェニル、4−(4−置換シクロヘ
キシル)−4’−置換ビフェニル、4−[2−(4−置
換シクロヘキシル)エチル]−4’−置換ビフェニル、
4−(4−置換フェニル)−4’−置換ビシクロヘキサ
ン、4−[2−(4−置換シクロヘキシル)エチル]−
4’−置換ビフェニル、4−[2−(4−置換シクロヘ
キシル)エチル]シクロヘキシル−4’−置換ベンゼ
ン、4−[2−(4−置換フェニル)エチル]−4’−
置換ビシクロヘキサン、1−(4−置換フェニルエチニ
ル)−4−置換ベンゼン、1−(4−置換フェニルエチ
ニル)−4−(4−置換シクロヘキシル)ベンゼン及び
上記においてベンゼン環がフッ素置換されている化合物
が適している。
【0077】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【0078】なお、化合物の構造は、核磁気共鳴スペク
トル(NMR)、質量スペクトル(MS)及び赤外吸収
スペクトル(IR)等により確認した。また、相転移温
度の測定はホットステージを備えた偏光顕微鏡及び示差
走査熱量計(DSC)を併用して行った。組成物におけ
る「%」は「重量%」を表わす。 (参考例1) トランス−4’−プロピルビシクロヘ
キサン−トランス−4−カルバルデヒドの合成
【0079】
【化25】
【0080】塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニ
ウム288gをTHF700mlに懸濁させた。これを
氷冷し、t−ブトキシカリウム110gをゆっくり添加
し、0℃で1時間攪拌した。反応終了後、4−(トラン
ス−4−プロピルシクロヘキシル)シクロヘキサノン1
55gをテトラヒドロフラン(THF)700mlに溶
解し、同温度で4時間で滴下した。更に30分間攪拌し
た後、水30mlを加えた。水層を分液除去し、有機層
を濃縮し、ヘキサン1500mlを加え、不溶物を濾別
した。沈澱はヘキサンで洗滌した。濾液を集め、メタノ
ール/水の混合溶媒で洗滌した後、濃縮した。得られた
油状の粗生成物をTHF500mlに溶解し、10%塩
酸500mlを加え、1時間加熱攪拌した。反応終了
後、放冷した後、酢酸エチル500mlで抽出し、水で
洗滌した後、溶媒を溜去した。得られた油状物をエタノ
ール800mlに溶解し、10%水酸化ナトリウム水溶
液80mlを加え、1時間攪拌した。反応終了後、水8
00mlを加え、析出した沈澱を濾過した。沈澱は水1
600ml、次いでメタノール800mlで洗浄し、さ
ら減圧下に乾燥してトランス−4’−プロピルビシクロ
ヘキサン−トランス−4−カルバルデヒドの白色結晶1
57gを得た。 (参考例2) トランス−4−アセチル−4’−プロ
ピルビシクロヘキサンの合成
【0081】
【化26】
【0082】(2−a) トランス−4−(1−ヒド
ロキシエチル)−4’−プロピルビシクロヘキサンの合
成 参考例1で得たトランス−4’−プロピルビシクロヘキ
サン−トランス−4−カルバルデヒド18.0gをTH
F80mlに溶解し、5℃に冷却した。
【0083】これに臭化メチルマグネシウム(0.95
molTHF溶液)100mlを30分間で滴下した。
5℃で1時間攪拌した後、室温に戻し水を加え、更に希
塩酸で中和した。酢酸エチルで抽出し、有機層を併せ
て、水、次いで飽和食塩水で洗滌した。無水硫酸ナトリ
ウムで脱水後、溶媒を溜去してトランス−4−(1−ヒ
ドロキシエチル)−4’−プロピルビシクロヘキサン1
9.1gを得た。 (2−b) トランス−4−アセチル−4’−プロピ
ルビシクロヘキサンの合成 クロロクロム酸ピリジニウム(PCC)25gをジクロ
ロメタン100ml中に懸濁させ、これに上記(2−
a)で得たトランス−4−(1−ヒドロキシエチル)−
4’−プロピルビシクロヘキサン19.1gのジクロロ
メタン80ml溶液を室温で滴下した。更に3時間攪拌
した後、デカンテーションにより不溶物を除去した。溶
媒を溜去して得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー(ジクロロメタン)を用いて精製して、
トランス−4−アセチル−4’−プロピルビシクロヘキ
サン19.2gを得た。 (実施例1) 2−(トランス−4’−プロピルビシ
クロヘキサン−トランス−4−イル)プロパナール(一
般式(II)の化合物)の合成
【0084】
【化27】
【0085】参考例2で得たトランス−4−アセチル−
4’−プロピルビシクロヘキサン17.2gを、参考例
1と同様にして塩化メトキシメチルトリフェニルホスホ
ニウムから調製したウィッティヒ反応剤と反応させて、
次いで加水分解して、2−(トランス−4’−プロピル
ビシクロヘキサン−トランス−4−イル)プロパナール
21.9gを得た。 (実施例2) トランス−4−[1−メチル−2−
(3,4−ジフルオロ)フェニル]エチル−トランス−
4’−プロピルビシクロヘキサン(第1表中の(No.
1)の化合物)の合成
【0086】
【化28】
【0087】(2−A) トランス−4−[1−メチ
ル−2−(3,4−ジフルオロ)フェニル]エテニル−
トランス−4’−プロピルビシクロヘキサンの合成 マグネシウム1.3gをTHF5mlに懸濁させた。こ
れに1−ブロモ−3,4−ジフルオロベンゼン9.5g
のTHF40ml溶液を穏やかな還流が持続する速度で
滴下し、更に室温で1時間攪拌してグリニヤール反応剤
を調製した。これを0℃に冷却し、実施例1で得た2−
(トランス−4’−プロピルビシクロヘキサン−トラン
ス−4−イル)プロパナール10gのTHF10ml溶
液を30分間で滴下した。0℃で1時間攪拌した後、水
を加え、室温に戻し、希塩酸を加えて中和した。トルエ
ンで抽出し、有機層を併せて水次いで飽和食塩水で脱水
した。溶媒を溜去して得られた粗生成物を再度トルエン
100mlに溶解し、p−トルエンスルホン酸2水塩
2.2gを加え、3時間還流下に加熱攪拌させた。反応
終了後、室温まで放冷した後、炭酸水素ナトリウム水溶
液、水、次いで飽和食塩水で洗滌し、無水硫酸ナトリウ
ムで脱水した。溶媒を溜去して得られた粗生成物をシリ
カゲルカラムクロマトグラフィー(ヘキサン)を用いて
精製して、トランス−4−[1−メチル−2−(3,4
−ジフルオロ)フェニル]エテニル−トランス−4’−
プロピルビシクロヘキサン8.6gを得た。 (2−B) トランス−4−[1−メチル−2−
(3,4−ジフルオロ)フェニル]エチル−トランス−
4’−プロピルビシクロヘキサンの合成 (2−A)で得たトランス−4−[1−メチル−2−
(3,4−ジフルオロ)フェニル]エテニル−トランス
−4’−プロピルビシクロヘキサン8.6gを酢酸エチ
ル100mlに溶解し、パラジウム炭素1.0gを加
え、水素雰囲気下で6時間攪拌した。反応終了後、触媒
を濾別し、溶媒を溜去し、更にエタノールから再結晶し
てトランス−4−[1−メチル−2−(3,4−ジフル
オロ)フェニル]エチル−トランス−4’−プロピルビ
シクロヘキサンの白色結晶4.2gを得た。この化合物
の融点は48℃であり、73℃までスメクチック(S)
相を示し、101℃までネマチック(N)相を示し、そ
れ以上の温度で等方性液体(I)相となった。
【0088】同様にして以下の化合物を得た。 トランス−4−[1−メチル−2−(3,4−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4’−メチルビシク
ロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4’−エチルビシク
ロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4’−ブチルビシク
ロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシ
クロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4,5−トリ
フルオロ)フェニル]エチル−トランス−4’−メチル
ビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4,5−トリ
フルオロ)フェニル]エチル−トランス−4’−エチル
ビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4,5−トリ
フルオロ)フェニル]エチル−トランス−4’−プロピ
ルビシクロヘキサン(第1表中(No.3)の化合物)
相転移温度は第1表に示した。
【0089】トランス−4−[1−メチル−2−(3,
4,5−トリフルオロ)フェニル]エチル−トランス−
4’−ブチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4,5−トリ
フルオロ)フェニル]エチル−トランス−4’−ペンチ
ルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−フルオロ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−メチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−フルオロ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−エチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−フルオロ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシクロヘ
キサン(第1表中(No.2)の化合物)相転移温度は
第1表に示した。
【0090】トランス−4−[1−メチル−2−(4−
フルオロ)フェニル]エチル−トランス−4’−ブチル
ビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−フルオロ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4’−メチルビシク
ロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4’−エチルビシク
ロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシ
クロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4’−ブチルビシク
ロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシ
クロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−トリフルオロ
メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’−メチル
ビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−トリフルオロ
メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’−エチル
ビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−トリフルオロ
メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’−プロピ
ルビシクロヘキサン(第1表中(No.4)の化合物)
相転移温度は第1表に示した。
【0091】トランス−4−[1−メチル−2−(4−
トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス−
4’−ブチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−トリフルオロ
メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’−ペンチ
ルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス
−4’−メチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス
−4’−エチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス
−4’−プロピルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス
−4’−ブチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス
−4’−ペンチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−ト
ランス−4’−メチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−ト
ランス−4’−エチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−ト
ランス−4’−プロピルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−ト
ランス−4’−ブチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−ト
ランス−4’−ペンチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−トリフルオロ
メチル)フェニル]エチル−トランス−4’−プロピル
ビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメチル)フェニル]エチル−トランス−
4’−プロピルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメチル)フェニル]エチル−トラ
ンス−4’−プロピルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−クロロ)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−メチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−クロロ)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−エチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−クロロ)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−クロロ)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−ブチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−クロロ)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−メチル
ビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−エチル
ビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−プロピ
ルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−ブチル
ビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−ペンチ
ルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−
メチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−
エチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−
プロピルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−
ブチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−クロロ)フェニル]エチル−トランス−4’−
ペンチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−メチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−メチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−メチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−エチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−メチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシクロヘキ
サン(第1表中(No.5)の化合物)相転移温度は第
1表に示した。
【0092】トランス−4−[1−メチル−2−(4−
メチル)フェニル]エチル−トランス−4’−ブチルビ
シクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−メチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−メチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−エチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−ブチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−プロピル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−メチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−プロピル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−エチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−プロピル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−プロピル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−ブチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−プロピル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ブチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−メチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ブチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−エチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ブチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ブチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−ブチルビシクロヘキサ
ン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ブチル)フェ
ニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ペンチル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−メチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ペンチル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−エチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ペンチル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ペンチル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−ブチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−ペンチル)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−メトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−メチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−メトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−エチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−メトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−メトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−ブチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−メトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−メチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−エチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−プロピルビシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−ブチルビシクロヘキ
サン トランス−4−[1−メチル−2−(4−エトキシ)フ
ェニル]エチル−トランス−4’−ペンチルビシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−メチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−エチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−プロピルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−ブチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−ペンチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−エトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−メチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−エトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−エチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−エトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−プロピルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−エトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−ブチルビシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(2,3−ジフルオ
ロ−4−エトキシ)フェニル]エチル−トランス−4’
−ペンチルビシクロヘキサン 3,4−ジフルオロ−1−[2−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,4−ジフルオロ−1−[2−(トランス−4−ブチ
ルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,4−ジフルオロ−1−[2−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−フルオロ−1−[2−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−フルオロ−1−[2−(トランス−4−ブチルシク
ロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−フルオロ−1−[2−(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−フルオロ−1−[2−(トランス−4−ヘプチルシ
クロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,4,5−トリフルオロ−1−[2−(トランス−4
−プロピルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,4,5−トリフルオロ−1−[2−(トランス−4
−ブチルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,4,5−トリフルオロ−1−[2−(トランス−4
−ペンチルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,4,5−トリフルオロ−1−[2−(トランス−4
−ヘプチルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,5−ジフルオロ−1−[2−(トランス−4−プロ
ピルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,5−ジフルオロ−1−[2−(トランス−4−ブチ
ルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,5−ジフルオロ−1−[2−(トランス−4−ペン
チルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3,5−ジフルオロ−1−[2−(トランス−4−ヘプ
チルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−トリフルオロメトキシ−1−[2−(トランス−4
−プロピルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−トリフルオロメトキシ−1−[2−(トランス−4
−ブチルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−トリフルオロメトキシ−1−[2−(トランス−4
−ペンチルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−トリフルオロメトキシ−1−[2−(トランス−4
−ヘプチルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシ−1−[2−
(トランス−4−プロピルシクロヘキシル)プロピル]
ベンゼン 3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシ−1−[2−
(トランス−4−ブチルシクロヘキシル)プロピル]ベ
ンゼン 3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシ−1−[2−
(トランス−4−ペンチルシクロヘキシル)プロピル]
ベンゼン 3−フルオロ−4−トリフルオロメトキシ−1−[2−
(トランス−4−ヘプチルシクロヘキシル)プロピル]
ベンゼン 4−トリフルオロメチル−1−[2−(トランス−4−
プロピルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−トリフルオロメチル−1−[2−(トランス−4−
ブチルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−トリフルオロメチル−1−[2−(トランス−4−
ペンチルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−トリフルオロメチル−1−[2−(トランス−4−
ヘプチルシクロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−メトキシ−1−[2−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−メトキシ−1−[2−(トランス−4−ブチルシク
ロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−メトキシ−1−[2−(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−メトキシ−1−[2−(トランス−4−ヘプチルシ
クロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−エトキシ−1−[2−(トランス−4−プロピルシ
クロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−エトキシ−1−[2−(トランス−4−ブチルシク
ロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−エトキシ−1−[2−(トランス−4−ペンチルシ
クロヘキシル)プロピル]ベンゼン 4−エトキシ−1−[2−(トランス−4−ヘプチルシ
クロヘキシル)プロピル]ベンゼン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4”−エチルターシ
クロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4”−プロピルター
シクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4”−ブチルターシ
クロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4−ジフルオ
ロ)フェニル]エチル−トランス−4”−ペンチルター
シクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4,5−トリ
フルオロ)フェニル]エチル−トランス−4”−エチル
ターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4,5−トリ
フルオロ)フェニル]エチル−トランス−4”−プロピ
ルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4,5−トリ
フルオロ)フェニル]エチル−トランス−4”−ブチル
ターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,4,5−トリ
フルオロ)フェニル]エチル−トランス−4”−ペンチ
ルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−フルオロ)フ
ェニル]エチル−トランス−4”−エチルターシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−フルオロ)フ
ェニル]エチル−トランス−4”−プロピルターシクロ
ヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−フルオロ)フ
ェニル]エチル−トランス−4”−ブチルターシクロヘ
キサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−フルオロ)フ
ェニル]エチル−トランス−4”−ペンチルターシクロ
ヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−トリフルオロ
メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4”−エチル
ターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−トリフルオロ
メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4”−プロピ
ルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−トリフルオロ
メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4”−ブチル
ターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(4−トリフルオロ
メトキシ)フェニル]エチル−トランス−4”−ペンチ
ルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス
−4”−エチルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス
−4”−プロピルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス
−4”−ブチルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3−フルオロ−4
−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−トランス
−4”−ペンチルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−ト
ランス−4”−エチルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−ト
ランス−4”−プロピルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−ト
ランス−4”−ブチルターシクロヘキサン トランス−4−[1−メチル−2−(3,5−ジフルオ
ロ−4−トリフルオロメトキシ)フェニル]エチル−ト
ランス−4”−ペンチルターシクロヘキサン (実施例3) 液晶組成物の調製 特にアクティブマトリックス駆動用として好適なホスト
液晶(H)
【0093】
【化29】
【0094】(式中、シクロヘキサン環はトランス配置
を表わす。)を調製した。このホスト液晶(H)は11
6.7℃以下でネマチック相を示し、その融点は11℃
であった。その物性値及びこれを用いて作製したセル厚
6μmのTNセルのしきい値電圧(Vth)は以下の通り
であった。
【0095】 誘電率異方性(Δε) 4.8 屈折率異方性(Δn) 0.090 しきい値電圧(Vth) 2.14V このホスト液晶(H)70重量%及び第1表中の(N
o.1)の化合物30重量%とからなる液晶組成物(M
−1)を調製した。この(M−1)のN相の上限温度
(TN-I)及びその物性値は以下の通りとなった。
【0096】 N相の上限温度(TN-I) 111.0℃ 誘電率異方性(Δε) 4.7 屈折率異方性(Δn) 0.084 しきい値電圧(Vth) 2.15V 従って、TN-Iは若干低下しているものの、しきい値電
圧(Vth)や他の物性にはほとんど変化がないことが明
らかである。
【0097】更に、この(M−1)を0℃で保存したと
ころ、1カ月以上経過しても結晶の析出や相分離は観察
できなかった。また、−50℃に冷却放置したところ固
化したが、昇温時、−12℃で完全に融解した。 (比較例1)ホスト液晶(H)70重量%及び(No.
1)の化合物と類似構造を有し、CCEP骨格を有する
式(R−1)
【0098】
【化30】
【0099】の化合物30重量%からなる比較用の液晶
組成物(MR−1)を調製した。この(MR−1)のN
相の上限温度(TN-I)及び同様にして測定した物性値
は以下の通りであった。
【0100】 N相の上限温度(TN-I) 116.0℃ 誘電率異方性(Δε) 5.1 屈折率異方性(Δn) 0.086 しきい値電圧(Vth) 2.14V 従って、TN-Iは(M−1)と比較してわずかに高くな
っているものの、しきい値電圧等の特性はやはりほとん
ど変化していない。
【0101】しかしながら、この(MR−1)を0℃で
放置したところ、4日目に結晶が析出してしまった。更
に、上記と同様に−50℃で冷却放置して固化させた
後、その融解する温度を測定したところ−6℃であり、
本発明の化合物を含有する(M−1)より高くなってし
まった。しかも、完全には融けずに結晶が残った。
【0102】以上のように、本発明の一般式(I)の化
合物は対応するCCEP骨格を有する化合物と比較し
て、他の液晶化合物あるいは組成物との相溶性に優れ、
組成物の電気光学的特性をほとんど変えることなく、特
に低温でも結晶の析出や相分離の生じにくい液晶組成物
を得ることが可能であることが理解できる。 (比較例2) トランス−4−[2−(3,4−ジフ
ルオロフェニル)プロピル]−トランス−4’−プロピ
ルビシクロヘキサンの合成 実施例2で得た、第1表中の(No.1)の化合物と類
似構造を有するが、(No.1)の化合物におけるメチ
ル分岐基の位置が逆である式(R−2)
【0103】
【化31】
【0104】の化合物を以下のようにして合成した。 (2−i) トランス−4’−プロピルビシクロヘキ
サン−トランス−4−エタナールの合成 参考例1で得たトランス−4’−プロピルビシクロヘキ
サン−トランス−4−カルバルデヒドに塩化メトキシメ
チルトリフェニルホスホニウムから調製したウィッティ
ヒ反応剤を再度反応させて、トランス−4’−プロピル
ビシクロヘキサン−トランス−4−エタナールを得た。 (2−ii) トランス−4−(2−オキソプロピ
ル)−トランス−4’−プロピルビシクロヘキサンの合
成 上記(2−i)で得たトランス−4’−プロピルビシク
ロヘキサン−トランス−4−エタナールに、参考例2と
同様にして臭化メチルマグネシウムを反応させ、ついで
PCC酸化することにより、トランス−4−(2−オキ
ソプロピル)−トランス−4’−プロピルビシクロヘキ
サンを得た。 (2−iii) トランス−4−[2−(3,4−ジ
フルオロフェニル)プロピル]−トランス−4’−プロ
ピルビシクロヘキサンの合成 上記(2−ii)で得たトランス−4−(2−オキソプ
ロピル)−トランス−4’−プロピルビシクロヘキサン
に、実施例2と同様にして1−ブロモ−3,4−ジフル
オロベンゼンから調製したグリニヤール反応剤を反応さ
せ、次いで脱水、接触還元することにより、式(R−
2)のトランス−4−[2−(3,4−ジフルオロフェ
ニル)プロピル]−トランス−4’−プロピルビシクロ
ヘキサンを得た。
【0105】上記で得た(R−2)の化合物は室温で油
状であり、液晶性は示さなかった。次に、(R−2)の
化合物85重量%及びホスト液晶(H)15%からなる
液晶組成物(M−3)を調製したところ、そのTN-I
90℃に低下してしまった。また、これから外挿すると
式(R−2)の化合物のTN-Iは約−60℃と非常に低
いものであることが考えられる。
【0106】以上のことから、連結基へのメチル分岐基
の導入は、その位置の選択が非常に重要であって、本発
明の一般式(I)の化合物のように、メチル分岐基は、
エチレン基のシクロヘキシレン基に近い側の炭素原子に
導入する必要があることが明らかである。
【0107】
【発明の効果】本発明の一般式(I)で表わされる化合
物は、実施例に示したように、市販の入手容易な化合物
から工業的にも容易に製造することができる。しかも、
本発明一般式(I)の化合物を含有する液晶組成物は、
本発明と類似構造を有する(2−シクロヘキシル)エチ
ルベンゼン骨格を有する化合物を含有する液晶組成物と
比較すると、電気光学的特性はほぼ等しいにもかかわら
ず、低温でも結晶が析出し難いという特徴を有するた
め、電気光学的液晶表示用、特にネマチック液晶表示用
材料として非常に有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 FI 技術表示箇所 C07C 261/02 9451−4H C09K 19/02 9279−4H 19/30 9279−4H

Claims (10)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一般式(I) 【化1】 (式中、R1は炭素原子数1〜12のアルキル基を表わ
    し、nは0、1又は2の整数を表わし、X1、X2及びX
    3はそれぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表わ
    し、Yは水素原子、フッ素原子、塩素原子、シアノ基、
    −R2、−OR2、−OCN、−CF3、−OCF3、−O
    CF2H又は−OCH2CF3を表わし、R2は炭素原子数
    1〜12のアルキル基又は炭素原子数2〜12のアルケ
    ニル基を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置であ
    る。)で表わされる化合物。
  2. 【請求項2】 X3が水素原子であることを特徴とする
    請求項1記載の一般式(I)で表わされる化合物。
  3. 【請求項3】 Yはフッ素原子、塩素原子、−R2、−
    CF3、−OCF3、−OCF2H又は−OCH2CF3
    表わすことを特徴とする請求項2記載の一般式(I)で
    表わされる化合物。
  4. 【請求項4】 Yはフッ素原子、炭素原子数1〜12の
    アルキル基又は−OCF3を表わすことを特徴とする請
    求項3記載の一般式(I)で表わされる化合物。
  5. 【請求項5】 X1及びX2が共に水素原子であることを
    特徴とする請求項4記載の一般式(I)で表わされる化
    合物。
  6. 【請求項6】 X1、X2及びYのうち、少なくとも2個
    がフッ素原子であることを特徴とする請求項4記載の一
    般式(I)で表わされる化合物。
  7. 【請求項7】 nが1であることを特徴とする請求項5
    又は6記載の一般式(I)で表わされる化合物。
  8. 【請求項8】 R1が炭素原子数1〜7の直鎖状アルキ
    ル基であることを特徴とする請求項7記載の一般式
    (I)で表わされる化合物。
  9. 【請求項9】 一般式(II) 【化2】 (式中、R1は炭素原子数1〜12のアルキル基を表わ
    し、nは0、1又は2の整数を表わす。)で表わされる
    化合物。
  10. 【請求項10】 請求項1乃至8記載の一般式(I)で
    表わされる化合物を含有することを特徴とする液晶組成
    物。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2003040814A (ja) * 2001-07-31 2003-02-13 Dainippon Ink & Chem Inc 連結基として1,2−プロパンジイル基を有する新規液晶性化合物とそれを含有する液晶組成物
JP2003064005A (ja) * 2001-08-27 2003-03-05 Dainippon Ink & Chem Inc 連結基として1,2−プロパンジイル基を有する新規液晶性化合物とそれを含有する液晶組成物

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