JPH07179374A - フルオロビフェニル誘導体の製造方法 - Google Patents
フルオロビフェニル誘導体の製造方法Info
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- JPH07179374A JPH07179374A JP5322047A JP32204793A JPH07179374A JP H07179374 A JPH07179374 A JP H07179374A JP 5322047 A JP5322047 A JP 5322047A JP 32204793 A JP32204793 A JP 32204793A JP H07179374 A JPH07179374 A JP H07179374A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
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- Y02P20/52—Improvements relating to the production of bulk chemicals using catalysts, e.g. selective catalysts
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- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Liquid Crystal Substances (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【構成】 一般式（Ｉ）
【化１】
（Ｒ：Ｃ１〜１６のアルキル、Ｃ２〜１６のアルケニル
又はＣ２〜１６のアルコキシアルキル、Ｊ及びＫ：−Ｃ
Ｈ2ＣＨ2−又は単結合、ｎ：０又は１、Ｘ及びＹ：Ｈ又
はＦ、Ｚ：Ｆ、ＣＦ3、ＯＣＦ3又はＯＣＦ2Ｈ）で表わ
される化合物の製造方法。 【効果】 この製造方法を用いて、一般式（Ｉ）の化合
物を容易に且つ高収率に製造することができる。この一
般式（Ｉ）の化合物は誘電率異方性が大きく、しきい値
電圧を低下効果が大きく、高い電圧保持率を得ることも
可能である。従って、本発明の製造方法は、ワープロや
ノートパソコン、液晶テレビなど低電圧駆動を重視する
アクティブマトリックス駆動用の液晶材料の製造方法と
して極めて有用である。
又はＣ２〜１６のアルコキシアルキル、Ｊ及びＫ：−Ｃ
Ｈ2ＣＨ2−又は単結合、ｎ：０又は１、Ｘ及びＹ：Ｈ又
はＦ、Ｚ：Ｆ、ＣＦ3、ＯＣＦ3又はＯＣＦ2Ｈ）で表わ
される化合物の製造方法。 【効果】 この製造方法を用いて、一般式（Ｉ）の化合
物を容易に且つ高収率に製造することができる。この一
般式（Ｉ）の化合物は誘電率異方性が大きく、しきい値
電圧を低下効果が大きく、高い電圧保持率を得ることも
可能である。従って、本発明の製造方法は、ワープロや
ノートパソコン、液晶テレビなど低電圧駆動を重視する
アクティブマトリックス駆動用の液晶材料の製造方法と
して極めて有用である。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的表示材料とし
て有用な、新規なフルオロビフェニル誘導体である液晶
性化合物の製造方法、その製造方法によって得られる新
規なフルオロビフェニル誘導体に関し、更にその化合物
を含有する液晶組成物に関する。
て有用な、新規なフルオロビフェニル誘導体である液晶
性化合物の製造方法、その製造方法によって得られる新
規なフルオロビフェニル誘導体に関し、更にその化合物
を含有する液晶組成物に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、最近では、ワープロ、コンピュータ端末ディスプ
レイ等、情報表示素子として用いられ、電子装置と人と
のインターフェースとして重要なものとなっている。
して、最近では、ワープロ、コンピュータ端末ディスプ
レイ等、情報表示素子として用いられ、電子装置と人と
のインターフェースとして重要なものとなっている。
【０００３】液晶を用いた表示方式は、（１）電界効果
（ＦＥＭ）型、（２）動的散乱（ＤＳＭ）型、及び
（３）熱効果（ＴＥＭ）型の３つに大別される。このう
ち、現在までのところ実用化されているのは、電界効果
型に基づく表示方式である。電界効果型には、ねじれネ
マチック（ＴＮ）型、超ねじれネマチック（ＳＴＮ）
型、ゲスト−ホスト（ＧＨ）型、電界制御複屈折（ＥＣ
Ｂ）型、コレステリック−ネマチック相転移（ＣＮ−Ｐ
Ｔ）型、表面安定化強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）型等が
あるが、現在のところ、ＴＮ型及びＳＴＮ型が主流であ
る。また、表示容量の増加要求に対応するため、駆動方
式においても、従来のスタティック駆動からマルチプレ
ックス駆動、単純マトリックス駆動が実用化されてき
た。これらの駆動方式を用いてもＴＮ型では大容量化は
困難であったが、ＳＴＮ型を改良することより、ある程
度までは容量の増加が可能であった。
（ＦＥＭ）型、（２）動的散乱（ＤＳＭ）型、及び
（３）熱効果（ＴＥＭ）型の３つに大別される。このう
ち、現在までのところ実用化されているのは、電界効果
型に基づく表示方式である。電界効果型には、ねじれネ
マチック（ＴＮ）型、超ねじれネマチック（ＳＴＮ）
型、ゲスト−ホスト（ＧＨ）型、電界制御複屈折（ＥＣ
Ｂ）型、コレステリック−ネマチック相転移（ＣＮ−Ｐ
Ｔ）型、表面安定化強誘電性液晶（ＳＳＦＬＣ）型等が
あるが、現在のところ、ＴＮ型及びＳＴＮ型が主流であ
る。また、表示容量の増加要求に対応するため、駆動方
式においても、従来のスタティック駆動からマルチプレ
ックス駆動、単純マトリックス駆動が実用化されてき
た。これらの駆動方式を用いてもＴＮ型では大容量化は
困難であったが、ＳＴＮ型を改良することより、ある程
度までは容量の増加が可能であった。
【０００４】しかし、このＳＴＮ型も近年の大表示容量
要求に対してはもはや限界となった。そこで、表示画素
ごとに、しきい特性をもつ非線形素子を用いたＭＩＭ
（Metal Insurator Metal）方式、能動素子を用いたＴ
ＦＴ（Thin Film Transistor）方式等のアクティブマト
リックス方式が開発され、これによるとＣＲＴに匹敵す
る大容量化や高精細化が可能であるので、液晶テレビや
高精細ディスプレイとして実用化され、現在急速に発展
しつつある。
要求に対してはもはや限界となった。そこで、表示画素
ごとに、しきい特性をもつ非線形素子を用いたＭＩＭ
（Metal Insurator Metal）方式、能動素子を用いたＴ
ＦＴ（Thin Film Transistor）方式等のアクティブマト
リックス方式が開発され、これによるとＣＲＴに匹敵す
る大容量化や高精細化が可能であるので、液晶テレビや
高精細ディスプレイとして実用化され、現在急速に発展
しつつある。
【０００５】これらの液晶表示方式に用いられる液晶材
料には、各々の表示方式の特徴に応じて種々の特性が要
求されているが、低電圧駆動が可能であることと、広い
温度範囲で駆動が可能であることは共通して重要な特性
である。更に、アクティブマトリックス方式には、高い
電圧保持率が要求される。
料には、各々の表示方式の特徴に応じて種々の特性が要
求されているが、低電圧駆動が可能であることと、広い
温度範囲で駆動が可能であることは共通して重要な特性
である。更に、アクティブマトリックス方式には、高い
電圧保持率が要求される。
【０００６】低電圧駆動を可能とするためには、低いし
きい値電圧（Ｖth）を示す化合物あるいは、添加により
組成物のしきい値電圧を低下させる化合物が必要であ
る。しきい値電圧の比較的低い化合物としては、誘電率
異方性（Δε）が大きいシアノ基を有する化合物が知ら
れているが、そのような化合物では、アクティブマトリ
ックス駆動方式において、高い電圧保持率を得ることは
困難である。そこで、シアノ基が存在せず、且つしきい
値電圧を低下させる化合物が必要である。
きい値電圧（Ｖth）を示す化合物あるいは、添加により
組成物のしきい値電圧を低下させる化合物が必要であ
る。しきい値電圧の比較的低い化合物としては、誘電率
異方性（Δε）が大きいシアノ基を有する化合物が知ら
れているが、そのような化合物では、アクティブマトリ
ックス駆動方式において、高い電圧保持率を得ることは
困難である。そこで、シアノ基が存在せず、且つしきい
値電圧を低下させる化合物が必要である。
【０００７】現在、シアノ基は存在しないが誘電率異方
性が大きく、且つしきい値電圧の低減が可能であって、
アクティブマトリックス駆動にも使用可能な化合物とし
ては、例えば、式（Ａ）
性が大きく、且つしきい値電圧の低減が可能であって、
アクティブマトリックス駆動にも使用可能な化合物とし
ては、例えば、式（Ａ）
【０００８】
【化５】
【０００９】で表わされる、３，４，５−トリフルオロ
ベンゼン誘導体が知られている。（特開平２−２３３６
２６号公報に記載）しかしながら、上記の式（Ａ）の化
合物は、アクティブマトリックス用組成物に混合するこ
とにより、そのしきい値電圧をある程度改善はできる
が、決して充分とはいえず、現在要求されているしきい
値電圧の低減化には対応できていないのが現状である。
ベンゼン誘導体が知られている。（特開平２−２３３６
２６号公報に記載）しかしながら、上記の式（Ａ）の化
合物は、アクティブマトリックス用組成物に混合するこ
とにより、そのしきい値電圧をある程度改善はできる
が、決して充分とはいえず、現在要求されているしきい
値電圧の低減化には対応できていないのが現状である。
【００１０】最近、４−置換−２，６，３’，４’，
５’−ペンタフルオロビフェニル骨格を有する式（Ｂ）
５’−ペンタフルオロビフェニル骨格を有する式（Ｂ）
【００１１】
【化６】
【００１２】の化合物が、非常に大きな誘電率異方性を
示すことが報告されている。（第１４回国際液晶学会、
Ａ−Ｐ３２）また、本発明者らは、一般式（Ｃ）
示すことが報告されている。（第１４回国際液晶学会、
Ａ−Ｐ３２）また、本発明者らは、一般式（Ｃ）
【００１３】
【化７】
【００１４】（式中、Ｒは炭素原子数１から６のアルキ
ル基、炭素原子数２から１６のアルケニル基又は炭素原
子数２から１６のアルコキシアルキル基を表わし、Ｊ及
びＫはそれぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を
表わし、ｎは０又は１を表わし、シクロヘキサン環はト
ランス配置を表わす。）の化合物を短工程で容易に製造
する方法を報告するとともに、この一般式（Ｃ）の化合
物が、やはり大きな誘電率異方性を有し、しきい値電圧
低減効果が大きいことを示した。（特願平５−４６９４
０号）しかしながら、この方法によると、製造中間体と
して、
ル基、炭素原子数２から１６のアルケニル基又は炭素原
子数２から１６のアルコキシアルキル基を表わし、Ｊ及
びＫはそれぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を
表わし、ｎは０又は１を表わし、シクロヘキサン環はト
ランス配置を表わす。）の化合物を短工程で容易に製造
する方法を報告するとともに、この一般式（Ｃ）の化合
物が、やはり大きな誘電率異方性を有し、しきい値電圧
低減効果が大きいことを示した。（特願平５−４６９４
０号）しかしながら、この方法によると、製造中間体と
して、
【００１５】
【化８】
【００１６】で表わされる４−ブロモ−２，６，３’，
４’，５’−ペンタフルオロビフェニルを用いるため、
フッ素原子の位置はビフェニル環の特定の位置に限定さ
れてしまう。従って、その目的によって、例えばフッ素
置換数の少ない化合物や、あるいは４’位がフッ素原子
の代わりにトリフルオロメチル基やトリフルオロメトキ
シ基であるような化合物を必要としても、それらを得る
ことはできなかった。
４’，５’−ペンタフルオロビフェニルを用いるため、
フッ素原子の位置はビフェニル環の特定の位置に限定さ
れてしまう。従って、その目的によって、例えばフッ素
置換数の少ない化合物や、あるいは４’位がフッ素原子
の代わりにトリフルオロメチル基やトリフルオロメトキ
シ基であるような化合物を必要としても、それらを得る
ことはできなかった。
【００１７】更に一般式（Ｃ）の化合物を製造するうえ
においても、特にＫが単結合を表わす場合に、そのビフ
ェニル環に直結するシクロヘキサン環はシス体からトラ
ンス体に異性化しにくいという問題点があった。そのた
め、最終工程における精製に手間がかかり、収率が制限
されていた。
においても、特にＫが単結合を表わす場合に、そのビフ
ェニル環に直結するシクロヘキサン環はシス体からトラ
ンス体に異性化しにくいという問題点があった。そのた
め、最終工程における精製に手間がかかり、収率が制限
されていた。
【００１８】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、アクティブマトリックス用液晶組成物に混
合した際に、しきい値電圧を効果的に低下させることの
できるフルオロビフェニル誘導体類の製造方法であっ
て、応用範囲が広く、有利な製造方法を提供することに
ある。
する課題は、アクティブマトリックス用液晶組成物に混
合した際に、しきい値電圧を効果的に低下させることの
できるフルオロビフェニル誘導体類の製造方法であっ
て、応用範囲が広く、有利な製造方法を提供することに
ある。
【００１９】更に、その製造方法により得られる新規な
液晶性化合物、及びその液晶性化合物を含有し、特に低
電圧駆動が可能なアクティブマトリックス駆動に適した
液晶組成物を提供することにある。
液晶性化合物、及びその液晶性化合物を含有し、特に低
電圧駆動が可能なアクティブマトリックス駆動に適した
液晶組成物を提供することにある。
【００２０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、一般式（ＩＩ）
決するために、一般式（ＩＩ）
【００２１】
【化９】
【００２２】（式中、Ｒは炭素原子数１から１６の直鎖
状アルキル基、炭素原子数２から１６のアルケニル基又
は炭素原子数２から１６のアルコキシアルキル基を表わ
し、Ｊ及びＫはそれぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又は
単結合を表わし、ｎは０又は１を表わし、シクロヘキサ
ン環はトランス配置を表わす。）で表わされる化合物と
一般式（ＩＩＩ）
状アルキル基、炭素原子数２から１６のアルケニル基又
は炭素原子数２から１６のアルコキシアルキル基を表わ
し、Ｊ及びＫはそれぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又は
単結合を表わし、ｎは０又は１を表わし、シクロヘキサ
ン環はトランス配置を表わす。）で表わされる化合物と
一般式（ＩＩＩ）
【００２３】
【化１０】
【００２４】（式中、ＭはＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ
又はＬｉを表わし、Ｘ及びＹはそれぞれ独立的に水素又
はフッ素原子を表わし、Ｚはフッ素原子、トリフルオロ
メチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメト
キシ基を表わす。）で表わされる化合物とを、触媒の存
在下に反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）
又はＬｉを表わし、Ｘ及びＹはそれぞれ独立的に水素又
はフッ素原子を表わし、Ｚはフッ素原子、トリフルオロ
メチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメト
キシ基を表わす。）で表わされる化合物とを、触媒の存
在下に反応させることを特徴とする一般式（Ｉ）
【００２５】
【化１１】
【００２６】（式中、Ｒは炭素原子数１から１６のアル
キル基、炭素原子数２から１６のアルケニル基又は炭素
原子数２から１６のアルコキシアルキル基を表わし、Ｊ
及びＫはそれぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合
を表わし、ｎは０又は１を表わし、Ｘ及びＹはそれぞれ
独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わし、Ｚはフッ
素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ
基又はジフルオロメトキシ基を表わし、シクロヘキサン
環はトランス配置を表わす。）で表わされる化合物の製
造方法を提供する。
キル基、炭素原子数２から１６のアルケニル基又は炭素
原子数２から１６のアルコキシアルキル基を表わし、Ｊ
及びＫはそれぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合
を表わし、ｎは０又は１を表わし、Ｘ及びＹはそれぞれ
独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わし、Ｚはフッ
素原子、トリフルオロメチル基、トリフルオロメトキシ
基又はジフルオロメトキシ基を表わし、シクロヘキサン
環はトランス配置を表わす。）で表わされる化合物の製
造方法を提供する。
【００２７】通常、本発明の製造方法において、反応は
調製した一般式（ＩＩＩ）の化合物の溶液を一般式（Ｉ
Ｉ）の化合物の溶液に滴下して行うが、一般式（ＩＩ）
の化合物の溶液中にあらかじめ触媒を加えておくことが
好ましい。
調製した一般式（ＩＩＩ）の化合物の溶液を一般式（Ｉ
Ｉ）の化合物の溶液に滴下して行うが、一般式（ＩＩ）
の化合物の溶液中にあらかじめ触媒を加えておくことが
好ましい。
【００２８】反応触媒としては、例えば、Ｎｉ錯体やＰ
ｄ錯体等を用いることができるが、ジクロロビス（トリ
フェニルフォスフィン）ニッケル（ＩＩ）、トランス−
クロロ（フェニル）ビス（トリフェニルフォスフィン）
ニッケル（ＩＩ）、ジ−μ−ブロモ−ビス（アリル）ニ
ッケル（ＩＩ）、ビス（シクロペンタジエニル）ニッケ
ル（ＩＩ）、アリル（シクロペンタジエニル）ニッケル
（ＩＩ）、クロロ（シクロペンタジエニル）（トリフェ
ニルフォスフィン）ニッケル（ＩＩ）、ジクロロ［１，
２−ビス（ジフェニルフォスフィノ）エタン］ニッケル
（ＩＩ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルフォス
フィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）等のＮｉ（ＩＩ）
錯体が好ましく、特にジクロロ［１，２−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、ジクロロ
［１，３−ビス（ジフェニルフォスフィノ）プロパン］
ニッケル（ＩＩ）が好ましい。
ｄ錯体等を用いることができるが、ジクロロビス（トリ
フェニルフォスフィン）ニッケル（ＩＩ）、トランス−
クロロ（フェニル）ビス（トリフェニルフォスフィン）
ニッケル（ＩＩ）、ジ−μ−ブロモ−ビス（アリル）ニ
ッケル（ＩＩ）、ビス（シクロペンタジエニル）ニッケ
ル（ＩＩ）、アリル（シクロペンタジエニル）ニッケル
（ＩＩ）、クロロ（シクロペンタジエニル）（トリフェ
ニルフォスフィン）ニッケル（ＩＩ）、ジクロロ［１，
２−ビス（ジフェニルフォスフィノ）エタン］ニッケル
（ＩＩ）、ジクロロ［１，３−ビス（ジフェニルフォス
フィノ）プロパン］ニッケル（ＩＩ）等のＮｉ（ＩＩ）
錯体が好ましく、特にジクロロ［１，２−ビス（ジフェ
ニルホスフィノ）エタン］ニッケル（ＩＩ）、ジクロロ
［１，３−ビス（ジフェニルフォスフィノ）プロパン］
ニッケル（ＩＩ）が好ましい。
【００２９】また、本発明の製造方法において、反応は
通常溶媒中で行われるが、溶媒としてはテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）、エチルエーテルあるいはジオキサン等
のエーテル系溶媒が望ましい。本発明の製造方法におけ
る反応剤に、不活性な炭化水素系溶媒も混合して用いる
ことが可能である。
通常溶媒中で行われるが、溶媒としてはテトラヒドロフ
ラン（ＴＨＦ）、エチルエーテルあるいはジオキサン等
のエーテル系溶媒が望ましい。本発明の製造方法におけ
る反応剤に、不活性な炭化水素系溶媒も混合して用いる
ことが可能である。
【００３０】反応は室温あるいは加熱下に行われるが、
室温付近では進行が遅い場合が多く、またあまり高温で
は反応の選択性がなくなり、あるいは反応の急激な進行
による危険が増加するので、４０℃〜１００℃で溶媒の
還流温度以下で行うことが好ましい。
室温付近では進行が遅い場合が多く、またあまり高温で
は反応の選択性がなくなり、あるいは反応の急激な進行
による危険が増加するので、４０℃〜１００℃で溶媒の
還流温度以下で行うことが好ましい。
【００３１】原料として用いる、一般式（ＩＩ）で表わ
される化合物はＫの意味するところに従い、例えば、以
下の製造工程に従って製造することができる。 （イ）一般式（ＩＩ）において、Ｋ＝単結合の化合物の
場合
される化合物はＫの意味するところに従い、例えば、以
下の製造工程に従って製造することができる。 （イ）一般式（ＩＩ）において、Ｋ＝単結合の化合物の
場合
【００３２】
【化１２】
【００３３】（式中、Ｒ、Ｊ、ｎは前述の意味を表わ
し、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。） 第１工程：１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンを
マグネシウムと反応させグリニヤール試剤とし、一般式
（ＩＶａ）で表わされるシクロヘキサノン誘導体と反応
させ、得られたシクロヘキサノール誘導体を酸触媒の存
在下、脱水することにより、一般式（Ｖａ）で表わされ
る３，５−ジフルオロベンゼン誘導体を得る。 第２工程：一般式（Ｖａ）の化合物をパラジウム炭素等
の触媒の存在下に水素添加し、得られたシス−トランス
混合物を、ｔ−ブトキシカリウム等の強塩基の存在下に
トランス体に異性化させることにより、一般式（ＶＩ
ａ）の化合物を得る。 第３工程：一般式（ＶＩａ）の化合物をｎ−ブチルリチ
ウム等のアルキルリチウムでリチオ化した後、ヨウ素と
反応させることにより、一般式（Ｉ）において、Ｋが単
結合である一般式（ＩＩａ）の化合物を得る。 （ロ）一般式（ＩＩ）において、Ｋ＝−ＣＨ2ＣＨ2−の
化合物の場合
し、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。） 第１工程：１−ブロモ−３，５−ジフルオロベンゼンを
マグネシウムと反応させグリニヤール試剤とし、一般式
（ＩＶａ）で表わされるシクロヘキサノン誘導体と反応
させ、得られたシクロヘキサノール誘導体を酸触媒の存
在下、脱水することにより、一般式（Ｖａ）で表わされ
る３，５−ジフルオロベンゼン誘導体を得る。 第２工程：一般式（Ｖａ）の化合物をパラジウム炭素等
の触媒の存在下に水素添加し、得られたシス−トランス
混合物を、ｔ−ブトキシカリウム等の強塩基の存在下に
トランス体に異性化させることにより、一般式（ＶＩ
ａ）の化合物を得る。 第３工程：一般式（ＶＩａ）の化合物をｎ−ブチルリチ
ウム等のアルキルリチウムでリチオ化した後、ヨウ素と
反応させることにより、一般式（Ｉ）において、Ｋが単
結合である一般式（ＩＩａ）の化合物を得る。 （ロ）一般式（ＩＩ）において、Ｋ＝−ＣＨ2ＣＨ2−の
化合物の場合
【００３４】
【化１３】
【００３５】（式中、Ｒ、Ｊ、ｎは前述の意味を表わ
し、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）上記
（イ）の製造方法において、一般式（ＩＶａ）のシクロ
ヘキサノン誘導体に代えて、一般式（ＩＶｂ）で表わさ
れるシクロヘキサンエタナール誘導体を用いることによ
り、（イ）と同様にして製造できる。但し、前記（イ）
の第２工程における異性化は必要でない。
し、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）上記
（イ）の製造方法において、一般式（ＩＶａ）のシクロ
ヘキサノン誘導体に代えて、一般式（ＩＶｂ）で表わさ
れるシクロヘキサンエタナール誘導体を用いることによ
り、（イ）と同様にして製造できる。但し、前記（イ）
の第２工程における異性化は必要でない。
【００３６】ここで、本発明の製造方法を用いて製造さ
れる一般式（Ｉ）で表わされる化合物の代表的なものの
例とその収率を第１表に示す。
れる一般式（Ｉ）で表わされる化合物の代表的なものの
例とその収率を第１表に示す。
【００３７】
【表１】
【００３８】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック
相を、Ｉは等方性液体相を表わし、相転移温度は数字の
左側と右側の相との間の転移温度を表わし、例えば、Ｃ
ｒ１５１ Ｎは結晶相とネマチック相の転移温度が１５
１℃であることを表わす。）本発明者らの先の発明（特
願平５−４６９４０号）による製造方法では、例えば以
下に示す工程
相を、Ｉは等方性液体相を表わし、相転移温度は数字の
左側と右側の相との間の転移温度を表わし、例えば、Ｃ
ｒ１５１ Ｎは結晶相とネマチック相の転移温度が１５
１℃であることを表わす。）本発明者らの先の発明（特
願平５−４６９４０号）による製造方法では、例えば以
下に示す工程
【００３９】
【化１４】
【００４０】において、シス体からトランス体への異性
化が比較的困難なので、収率は３０％程度と低い。しか
しながら、本発明の製造方法によれば、中間体におい
て、トランス体への異性化が容易であるうえに、上記第
１表から明らかなように、最終工程の収率も非常に高く
なっている。
化が比較的困難なので、収率は３０％程度と低い。しか
しながら、本発明の製造方法によれば、中間体におい
て、トランス体への異性化が容易であるうえに、上記第
１表から明らかなように、最終工程の収率も非常に高く
なっている。
【００４１】また、本発明はこの製造方法によって得ら
れる新規な一般式（Ｉ’）
れる新規な一般式（Ｉ’）
【００４２】
【化１５】
【００４３】（式中、Ｒ’は炭素原子数１から１６のア
ルキル基又は炭素原子数２から１６のアルケニル基を表
わし、Ｊ及びＫはそれぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又
は単結合を表わし、ｎは０又は１を表わし、Ｘ及びＹは
それぞれ独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わし、
Ｚ’はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ
基を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わ
す。）で表わされる新規液晶性化合物、及びそれを含有
し、特に低電圧駆動が可能なアクティブマトリックス駆
動に適した液晶組成物をも提供する。
ルキル基又は炭素原子数２から１６のアルケニル基を表
わし、Ｊ及びＫはそれぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又
は単結合を表わし、ｎは０又は１を表わし、Ｘ及びＹは
それぞれ独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わし、
Ｚ’はトリフルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ
基を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置を表わ
す。）で表わされる新規液晶性化合物、及びそれを含有
し、特に低電圧駆動が可能なアクティブマトリックス駆
動に適した液晶組成物をも提供する。
【００４４】本発明に係わる一般式（Ｉ’）の化合物を
含有する液晶組成物は、後述の実施例にも示したが、以
下に示すように優れた特徴を有する。粘性が低く、高速
応答性に優れたアクティブマトリックス用組成物である
液晶組成物（ａ）
含有する液晶組成物は、後述の実施例にも示したが、以
下に示すように優れた特徴を有する。粘性が低く、高速
応答性に優れたアクティブマトリックス用組成物である
液晶組成物（ａ）
【００４５】
【化１６】
【００４６】のＴN-I（ネマチック相上限温度）は１１
６℃であり、誘電異方性は＋４．８である。また、この
組成物をセル厚４．５μｍのＴＮセルに封入して液晶表
示素子を作製し、そのしきい値電圧を測定したところ、
１．８８Ｖであった。
６℃であり、誘電異方性は＋４．８である。また、この
組成物をセル厚４．５μｍのＴＮセルに封入して液晶表
示素子を作製し、そのしきい値電圧を測定したところ、
１．８８Ｖであった。
【００４７】次に、この液晶組成物（ａ）７０重量％及
び第１表中の（Ｎｏ．４）
び第１表中の（Ｎｏ．４）
【００４８】
【化１７】
【００４９】の化合物３０重量％からなる液晶組成物を
調製したところ、ＴN-Iは１０６．０℃とやや低下した
が、誘電異方性は＋６．６と大きくなり、同様にして液
晶表示素子を作製し、しきい値電圧を測定したところ、
１．６１Ｖと大きく低下した。また、この液晶組成物の
比抵抗値は１０12Ωｃｍ以上であり、電圧保持率も９９
％と高いものであった。
調製したところ、ＴN-Iは１０６．０℃とやや低下した
が、誘電異方性は＋６．６と大きくなり、同様にして液
晶表示素子を作製し、しきい値電圧を測定したところ、
１．６１Ｖと大きく低下した。また、この液晶組成物の
比抵抗値は１０12Ωｃｍ以上であり、電圧保持率も９９
％と高いものであった。
【００５０】また、比較のために、トリフルオロメトキ
シ基を有する式（Ｄ）
シ基を有する式（Ｄ）
【００５１】
【化１８】
【００５２】の化合物３０重量％及び液晶組成物（ａ）
７０重量％からなる液晶組成物を調製したところ、Ｔ
N-Iは１２５．７℃と上昇し、誘電率異方性は＋５．５
とやや大きくなった。しかしながら、同様にして液晶表
示素子を作製し、しきい値電圧を測定したところ、１．
９５Ｖと上昇してしまった。
７０重量％からなる液晶組成物を調製したところ、Ｔ
N-Iは１２５．７℃と上昇し、誘電率異方性は＋５．５
とやや大きくなった。しかしながら、同様にして液晶表
示素子を作製し、しきい値電圧を測定したところ、１．
９５Ｖと上昇してしまった。
【００５３】このように、本発明に係わる一般式
（Ｉ’）の化合物を用いることにより、しきい値電圧の
低いアクティブマトリックス用液晶組成物を、容易に調
製できることが理解できる。
（Ｉ’）の化合物を用いることにより、しきい値電圧の
低いアクティブマトリックス用液晶組成物を、容易に調
製できることが理解できる。
【００５４】さて、このように本発明に係わる一般式
（Ｉ’）で表わされる化合物と混合することにより、液
晶組成物として使用することのできるネマチック液晶化
合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息
香酸４−置換フェニルエステル、４−置換シクロヘキサ
ンカルボン酸４−置換フェニルエステル、４−置換シク
ロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリルエステ
ル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）
安息香酸４−置換フェニルエステル、４−（４−置換シ
クロヘキシル）安息香酸４−置換フェニルエステル、４
−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロ
ヘキシルエステル、４，４’−置換ビフェニル、１−
（４−置換フェニル）−４−置換シクロヘキサン、４，
４”−置換ターフェニル、１−（４’−置換ビフェニリ
ル）−４−置換シクロヘキサン、１−（４−置換シクロ
ヘキシル）−４−（４−置換フェニル）シクロヘキサ
ン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、
２−（４−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン、
１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シク
ロヘキシル）エタン、１−（４−置換シクロヘキシル）
−２−（４−置換フェニル）エタン、１−［４−（４−
置換シクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−（４−置
換フェニル）エタン、１−［４−（４−置換フェニル）
シクロヘキシル］−２−（４−置換シクロヘキシル）エ
タン、１−（４−置換フェニル）−２−（４−置換フェ
ニル）エチン、１−［４−（４−置換シクロヘキシ
ル）］−２−（４−置換フェニル）エチン等を挙げるこ
とができる。
（Ｉ’）で表わされる化合物と混合することにより、液
晶組成物として使用することのできるネマチック液晶化
合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息
香酸４−置換フェニルエステル、４−置換シクロヘキサ
ンカルボン酸４−置換フェニルエステル、４−置換シク
ロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリルエステ
ル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）
安息香酸４−置換フェニルエステル、４−（４−置換シ
クロヘキシル）安息香酸４−置換フェニルエステル、４
−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロ
ヘキシルエステル、４，４’−置換ビフェニル、１−
（４−置換フェニル）−４−置換シクロヘキサン、４，
４”−置換ターフェニル、１−（４’−置換ビフェニリ
ル）−４−置換シクロヘキサン、１−（４−置換シクロ
ヘキシル）−４−（４−置換フェニル）シクロヘキサ
ン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジン、
２−（４−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミジン、
１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換シク
ロヘキシル）エタン、１−（４−置換シクロヘキシル）
−２−（４−置換フェニル）エタン、１−［４−（４−
置換シクロヘキシル）シクロヘキシル］−２−（４−置
換フェニル）エタン、１−［４−（４−置換フェニル）
シクロヘキシル］−２−（４−置換シクロヘキシル）エ
タン、１−（４−置換フェニル）−２−（４−置換フェ
ニル）エチン、１−［４−（４−置換シクロヘキシ
ル）］−２−（４−置換フェニル）エチン等を挙げるこ
とができる。
【００５５】特に、アクティブマトリックス用として
は、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換フェニ
ル）−４−置換シクロヘキサン、４，４”−置換ターフ
ェニル、１−（４’−置換ビフェニリル）−４−置換シ
クロヘキサン、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−
（４−置換フェニル）シクロヘキサン、１−（４−置換
シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エ
タン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置
換フェニル）エタン、１−［４−（４−置換シクロヘキ
シル）シクロヘキシル］−２−（４−置換フェニル）エ
タン、１−［４−（４−置換フェニル）シクロヘキシ
ル］−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、１−
（４−置換フェニル）−２−（４−置換フェニル）エチ
ン、１−［４−（４−置換シクロヘキシル）］−２−
（４−置換フェニル）エチン等が好ましい。
は、４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換フェニ
ル）−４−置換シクロヘキサン、４，４”−置換ターフ
ェニル、１−（４’−置換ビフェニリル）−４−置換シ
クロヘキサン、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−
（４−置換フェニル）シクロヘキサン、１−（４−置換
シクロヘキシル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エ
タン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置
換フェニル）エタン、１−［４−（４−置換シクロヘキ
シル）シクロヘキシル］−２−（４−置換フェニル）エ
タン、１−［４−（４−置換フェニル）シクロヘキシ
ル］−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、１−
（４−置換フェニル）−２−（４−置換フェニル）エチ
ン、１−［４−（４−置換シクロヘキシル）］−２−
（４−置換フェニル）エチン等が好ましい。
【００５６】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【００５７】（実施例１） ２，６，３’，４’，５’
−ペンタフルオロ−４−［トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ビフェ
ニルの合成 （１） １−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキセン−１−イル］−３，５−ジフル
オロベンゼンの合成
−ペンタフルオロ−４−［トランス−４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ビフェ
ニルの合成 （１） １−［４−（トランス−４−プロピルシクロヘ
キシル）シクロヘキセン−１−イル］−３，５−ジフル
オロベンゼンの合成
【００５８】
【化１９】
【００５９】マグネシウム２．２ｇをＴＨＦ１０ｍｌに
懸濁し、３，５−ジフルオロ−１−ブロモベンゼン１
５．９ｇのＴＨＦ７０ｍｌ溶液をＴＨＦが穏やかに還流
を続ける速度で滴下した。滴下終了後、更に１時間室温
で攪拌した。この溶液に、４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサノン１５．２ｇのＴＨ
Ｆ７０ｍｌ溶液を室温で３０分間で滴下し、更に室温で
１時間攪拌した。１０％塩酸を弱酸性になるまで加え、
反応生成物をトルエン１５０ｍｌで抽出し、有機層を飽
和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を留去した。得られた油状物をトルエン１００ｍｌに溶
解し、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物１．５ｇを加
え、３時間加熱還流させた。室温まで放冷し、飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去して、１−
［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シク
ロヘキセン−１−イル］−３，５−ジフルオロベンゼン
１８．８ｇを得た。
懸濁し、３，５−ジフルオロ−１−ブロモベンゼン１
５．９ｇのＴＨＦ７０ｍｌ溶液をＴＨＦが穏やかに還流
を続ける速度で滴下した。滴下終了後、更に１時間室温
で攪拌した。この溶液に、４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）シクロヘキサノン１５．２ｇのＴＨ
Ｆ７０ｍｌ溶液を室温で３０分間で滴下し、更に室温で
１時間攪拌した。１０％塩酸を弱酸性になるまで加え、
反応生成物をトルエン１５０ｍｌで抽出し、有機層を飽
和食塩水で洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を留去した。得られた油状物をトルエン１００ｍｌに溶
解し、ｐ−トルエンスルホン酸１水和物１．５ｇを加
え、３時間加熱還流させた。室温まで放冷し、飽和炭酸
水素ナトリウム水溶液、水、飽和食塩水で順次洗浄し、
無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒を溜去して、１−
［４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シク
ロヘキセン−１−イル］−３，５−ジフルオロベンゼン
１８．８ｇを得た。
【００６０】（２） １−［トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−
３，５−ジフルオロベンゼンの合成
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−
３，５−ジフルオロベンゼンの合成
【００６１】
【化２０】
【００６２】上記（１）で得た１−［４−（トランス−
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキセン−１−イ
ル］−３，５−ジフルオロベンゼン１８．８ｇを酢酸エ
チル２００ｍｌに溶解し、５％パラジウム炭素２ｇを加
え、水素圧３気圧で、３時間反応させた。触媒を濾別
し、溶媒を溜去したシス体とトランス体の混合物（シス
／トランス比：１／３）１９．０ｇを得た。これをＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド８５ｍｌに溶解し、ｔ−ブト
キシカリウム６．２ｇを加え、室温で３時間攪拌してト
ランス体に異性化した。水１００ｍｌを加え、反応生成
物をヘキサン１００ｍｌで抽出し、有機相を水、飽和食
塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶
媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘ
キサン）を用いて精製して、１−［トランス−４−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］−３，５−ジフルオロベンゼン１３．１ｇを得た。
４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキセン−１−イ
ル］−３，５−ジフルオロベンゼン１８．８ｇを酢酸エ
チル２００ｍｌに溶解し、５％パラジウム炭素２ｇを加
え、水素圧３気圧で、３時間反応させた。触媒を濾別
し、溶媒を溜去したシス体とトランス体の混合物（シス
／トランス比：１／３）１９．０ｇを得た。これをＮ，
Ｎ−ジメチルホルムアミド８５ｍｌに溶解し、ｔ−ブト
キシカリウム６．２ｇを加え、室温で３時間攪拌してト
ランス体に異性化した。水１００ｍｌを加え、反応生成
物をヘキサン１００ｍｌで抽出し、有機相を水、飽和食
塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶
媒を溜去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘ
キサン）を用いて精製して、１−［トランス−４−（ト
ランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］−３，５−ジフルオロベンゼン１３．１ｇを得た。
【００６３】（３） １−［トランス−４−（トランス
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−
３，５−ジフルオロ−４−ヨードベンゼンの合成
−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−
３，５−ジフルオロ−４−ヨードベンゼンの合成
【００６４】
【化２１】
【００６５】上記（２）で得た１−［トランス−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］−３，５−ジフルオロベンゼン５．０ｇをＴＨＦ
２５ｍｌに溶解し、−５５℃に冷却し、−５０℃以下を
保つ速度でｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６８
ｍｏｌ／ｌ）１１ｍｌを滴下した。次に、ヨウ素４．８
ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を−５０℃以下を保つ速度で滴
下し、更に−５０℃以下で３０分間攪拌した。水２０ｍ
ｌを加えて室温に戻し、反応生成物をヘキサン１００ｍ
ｌで抽出した。有機相を１０％亜硫酸ナトリウム水溶
液、水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウム
で乾燥し、溶媒を溜去した後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、１−［ト
ランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル］−３，５−ジフルオロ−４−ヨー
ドベンゼン６．５ｇを得た。
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］−３，５−ジフルオロベンゼン５．０ｇをＴＨＦ
２５ｍｌに溶解し、−５５℃に冷却し、−５０℃以下を
保つ速度でｎ−ブチルリチウムヘキサン溶液（１．６８
ｍｏｌ／ｌ）１１ｍｌを滴下した。次に、ヨウ素４．８
ｇのＴＨＦ５０ｍｌ溶液を−５０℃以下を保つ速度で滴
下し、更に−５０℃以下で３０分間攪拌した。水２０ｍ
ｌを加えて室温に戻し、反応生成物をヘキサン１００ｍ
ｌで抽出した。有機相を１０％亜硫酸ナトリウム水溶
液、水、飽和食塩水で順次洗浄し、無水硫酸ナトリウム
で乾燥し、溶媒を溜去した後、シリカゲルカラムクロマ
トグラフィー（ヘキサン）を用いて精製して、１−［ト
ランス−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）シクロヘキシル］−３，５−ジフルオロ−４−ヨー
ドベンゼン６．５ｇを得た。
【００６６】（４） ２，６，３’，４’，５’−ペン
タフルオロ−４−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ビフェニルの
合成
タフルオロ−４−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］ビフェニルの
合成
【００６７】
【化２２】
【００６８】マグネシウム０．６ｇをＴＨＦ５ｍｌに懸
濁し、３，４，５−トリフルオロ−１−ブロモベンゼン
４．６ｇのＴＨＦ３０ｍｌ溶液を、ＴＨＦが穏やかに還
流を続ける速度で滴下した。滴下終了後、更に１時間室
温で攪拌した。過剰のマグネシウムを濾別し、前述の
（３）で得た１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−３，５−ジ
フルオロ−４−ヨードベンゼン６．５ｇ及びジクロロ
［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッ
ケル（ＩＩ）０．１ｇのＴＨＦ３５ｍｌ溶液に３０分で
滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた後、室温
まで放冷した。１０％塩酸５０ｍｌを加え、反応生成物
をヘキサン１００ｍｌで抽出し、抽出液を水、飽和食塩
水で順次洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を溜去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ヘキサン）を用いて精製して、２，６，３’，４’，
５’−ペンタフルオロ−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）ビフェニルの白色結晶７．２ｇを得
た。更にエタノールから再結晶させて精製し、その相転
移温度を測定したところ、融点は１５１℃であり、１５
１℃から２３４℃でネマチック相を示した。
濁し、３，４，５−トリフルオロ−１−ブロモベンゼン
４．６ｇのＴＨＦ３０ｍｌ溶液を、ＴＨＦが穏やかに還
流を続ける速度で滴下した。滴下終了後、更に１時間室
温で攪拌した。過剰のマグネシウムを濾別し、前述の
（３）で得た１−［トランス−４−（トランス−４−プ
ロピルシクロヘキシル）シクロヘキシル］−３，５−ジ
フルオロ−４−ヨードベンゼン６．５ｇ及びジクロロ
［１，２−ビス（ジフェニルホスフィノ）エタン］ニッ
ケル（ＩＩ）０．１ｇのＴＨＦ３５ｍｌ溶液に３０分で
滴下した。滴下終了後、６時間加熱還流させた後、室温
まで放冷した。１０％塩酸５０ｍｌを加え、反応生成物
をヘキサン１００ｍｌで抽出し、抽出液を水、飽和食塩
水で順次洗浄した。無水硫酸ナトリウムで乾燥し、溶媒
を溜去した後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー
（ヘキサン）を用いて精製して、２，６，３’，４’，
５’−ペンタフルオロ−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）ビフェニルの白色結晶７．２ｇを得
た。更にエタノールから再結晶させて精製し、その相転
移温度を測定したところ、融点は１５１℃であり、１５
１℃から２３４℃でネマチック相を示した。
【００６９】（実施例２） ２，６，３’，４’，５’
−ペンタフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）ビフェニルの合成
−ペンタフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）ビフェニルの合成
【００７０】
【化２３】
【００７１】実施例１において、１−［トランス−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］−３，５−ジフルオロ−４−ヨードベンゼンに代
えて、１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−３，５−ジフルオロ−４−ヨードベンゼンを用いた以
外は実施例１と同様にして、２，６，３’，４’，５’
−ペンタフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）ビフェニルを得た。その相転移温度等は第
１表にまとめて示した。
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］−３，５−ジフルオロ−４−ヨードベンゼンに代
えて、１−（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）
−３，５−ジフルオロ−４−ヨードベンゼンを用いた以
外は実施例１と同様にして、２，６，３’，４’，５’
−ペンタフルオロ−４−（トランス−４−プロピルシク
ロヘキシル）ビフェニルを得た。その相転移温度等は第
１表にまとめて示した。
【００７２】（実施例３）２，６，３’，４’，５’−
ペンタフルオロ−４−［２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチル］ビフェニルの合成
ペンタフルオロ−４−［２−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）エチル］ビフェニルの合成
【００７３】
【化２４】
【００７４】実施例１において、１−［トランス−４−
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］−３，５−ジフルオロ−４−ヨードベンゼンに代
えて、１−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−ヨードベン
ゼンを用いた以外は実施例１と同様にして、２，６，
３’，４’，５’−ペンタフルオロ−４−［２−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］ビフェニ
ルを得た。その相転移温度等は第１表にまとめて示し
た。
（トランス−４−プロピルシクロヘキシル）シクロヘキ
シル］−３，５−ジフルオロ−４−ヨードベンゼンに代
えて、１−［２−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）エチル］−３，５−ジフルオロ−４−ヨードベン
ゼンを用いた以外は実施例１と同様にして、２，６，
３’，４’，５’−ペンタフルオロ−４−［２−（トラ
ンス−４−プロピルシクロヘキシル）エチル］ビフェニ
ルを得た。その相転移温度等は第１表にまとめて示し
た。
【００７５】（実施例４） ２，６−ジフルオロ−４’
−トリフルオロメトキシ−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）ビフェニルの合成
−トリフルオロメトキシ−４−（トランス−４−プロピ
ルシクロヘキシル）ビフェニルの合成
【００７６】
【化２５】
【００７７】実施例２において、３，４，５−トリフル
オロ−１−ブロモベンゼンに代えて、１−ブロモ−４−
トリフルオロメトキシベンゼンを用いた以外は実施例２
と同様にして、２，６−ジフルオロ−４’−トリフルオ
ロメトキシ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ビフェニルを得た。その相転移温度等は第１表に
まとめて示した。
オロ−１−ブロモベンゼンに代えて、１−ブロモ−４−
トリフルオロメトキシベンゼンを用いた以外は実施例２
と同様にして、２，６−ジフルオロ−４’−トリフルオ
ロメトキシ−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキ
シル）ビフェニルを得た。その相転移温度等は第１表に
まとめて示した。
【００７８】（実施例５） ２，６−ジフルオロ−４’
−トリフルオロメチル−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）ビフェニルの合成
−トリフルオロメチル−４−（トランス−４−プロピル
シクロヘキシル）ビフェニルの合成
【００７９】
【化２６】
【００８０】実施例２において、３，４，５−トリフル
オロ−１−ブロモベンゼンに代えて、１−ブロモ−４−
トリフルオロメチルベンゼンを用いた以外は実施例２と
同様にして、２，６−ジフルオロ−４’−トリフルオロ
メチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニルを得た。その相転移温度等は第１表にま
とめて示した。
オロ−１−ブロモベンゼンに代えて、１−ブロモ−４−
トリフルオロメチルベンゼンを用いた以外は実施例２と
同様にして、２，６−ジフルオロ−４’−トリフルオロ
メチル−４−（トランス−４−プロピルシクロヘキシ
ル）ビフェニルを得た。その相転移温度等は第１表にま
とめて示した。
【００８１】（実施例６） 液晶組成物の調製 低粘性で、高速応答性に優れたアクティブマトリックス
用液晶組成物（ａ）
用液晶組成物（ａ）
【００８２】
【化２７】
【００８３】を調製した。この組成物（ａ）のＴN-Iと
誘電異方性（Δε）及びセル厚４．５ｍのＴＮセルに封
入して作製した液晶素子の２０℃におけるしきい値電圧
（Ｖth）を測定したところ以下の通りであった。
誘電異方性（Δε）及びセル厚４．５ｍのＴＮセルに封
入して作製した液晶素子の２０℃におけるしきい値電圧
（Ｖth）を測定したところ以下の通りであった。
【００８４】ＴN-I： １１６℃ Δε： ＋４．８ Ｖth： １．８８Ｖ この組成物（ａ）７０重量％及び実施例４（第１表中の
Ｎｏ．４）
Ｎｏ．４）
【００８５】
【化２８】
【００８６】の化合物３０重量％からなる液晶組成物を
調製し、同様にしてそのＴN-I、Δε及びＶthを測定し
たところ以下の通りであった。 ＴN-I： １０６．０℃ Δε： ＋６．６ Ｖth： １．６１Ｖ 従って、（Ｎｏ．４）の化合物を添加することにより、
誘電率異方性を増大し、ネマチック相の上限温度は若干
低下するものの、そのしきい値電圧が大きく低下した液
晶組成物が得られることが理解できる。また、この組成
物の比抵抗値は１０12Ωｃｍ以上であり、電圧保持率も
９９％と高いものであった。
調製し、同様にしてそのＴN-I、Δε及びＶthを測定し
たところ以下の通りであった。 ＴN-I： １０６．０℃ Δε： ＋６．６ Ｖth： １．６１Ｖ 従って、（Ｎｏ．４）の化合物を添加することにより、
誘電率異方性を増大し、ネマチック相の上限温度は若干
低下するものの、そのしきい値電圧が大きく低下した液
晶組成物が得られることが理解できる。また、この組成
物の比抵抗値は１０12Ωｃｍ以上であり、電圧保持率も
９９％と高いものであった。
【００８７】（比較例）トリフルオロメトキシ基を有す
る式（Ｄ）
る式（Ｄ）
【００８８】
【化２９】
【００８９】の化合物３０重量％及び液晶組成物（ａ）
７０重量％からなる液晶組成物を調製し、同様にしてそ
のＴN-I、Δε及びＶthを測定したところ以下の通りで
あった。
７０重量％からなる液晶組成物を調製し、同様にしてそ
のＴN-I、Δε及びＶthを測定したところ以下の通りで
あった。
【００９０】ＴN-I： １２５．７℃ Δε： ＋５．５ Ｖth： １．９５Ｖ 従って、式（Ｄ）の化合物はネマチック相上限温度を上
昇させることはできるが、しきい値電圧を低下させるこ
とはできないことが理解できる。
昇させることはできるが、しきい値電圧を低下させるこ
とはできないことが理解できる。
【００９１】
【発明の効果】本発明の製造方法は、一般式（Ｉ）で表
わされる化合物を容易に且つ高収率で製造することがで
きる。一般式（Ｉ）の化合物は誘電率異方性が大きく、
それを含有する液晶組成物のしきい値電圧を効果的に低
下させることができる。また、シアノ基が存在しないの
で、高い電圧保持率を得ることも可能であり、アクティ
ブマトリックス駆動用液晶材料として極めて優れてい
る。従って、本発明の製造方法は、ワープロやノートパ
ソコン、液晶テレビなど低電圧駆動を重視する液晶表示
に有用な液晶材料の製造方法として極めて有用である。
わされる化合物を容易に且つ高収率で製造することがで
きる。一般式（Ｉ）の化合物は誘電率異方性が大きく、
それを含有する液晶組成物のしきい値電圧を効果的に低
下させることができる。また、シアノ基が存在しないの
で、高い電圧保持率を得ることも可能であり、アクティ
ブマトリックス駆動用液晶材料として極めて優れてい
る。従って、本発明の製造方法は、ワープロやノートパ
ソコン、液晶テレビなど低電圧駆動を重視する液晶表示
に有用な液晶材料の製造方法として極めて有用である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｃ０９Ｋ 19/30 9279−4Ｈ Ｇ０２Ｆ 1/13 ５００ // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
Claims (4)
- 【請求項１】 一般式（ＩＩ） 【化１】 （式中、Ｒは炭素原子数１から１６のアルキル基、炭素
原子数２から１６のアルケニル基又は炭素原子数２から
１６のアルコキシアルキル基を表わし、Ｊ及びＫはそれ
ぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表わし、ｎ
は０又は１を表わし、シクロヘキサン環はトランス配置
を表わす。）で表わされる化合物と、一般式（ＩＩＩ） 【化２】 （式中、ＭはＭｇＢｒ、ＭｇＣｌ、ＭｇＩ又はＬｉを表
わし、Ｘ及びＹはそれぞれ独立的に、水素原子又はフッ
素原子を表わし、Ｚはフッ素原子、トリフルオロメチル
基、トリフルオロメトキシ基又はジフルオロメトキシ基
を表わす。）で表わされる化合物とを、触媒の存在下に
反応させることを特徴とする一般式（Ｉ） 【化３】 （式中、Ｒは炭素原子数１から１６のアルキル基、炭素
原子数２から１６のアルケニル基又は炭素原子数２から
１６のアルコキシアルキル基を表わし、Ｊ及びＫはそれ
ぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表わし、ｎ
は０又は１を表わし、Ｘ及びＹはそれぞれ独立的に、水
素原子又はフッ素原子を表わし、Ｚはフッ素原子、トリ
フルオロメチル基、トリフルオロメトキシ基又はジフル
オロメトキシ基を表わし、シクロヘキサン環はトランス
配置を表わす。）で表わされる化合物の製造方法。 - 【請求項２】 触媒としてニッケル（ＩＩ）錯体を用い
ることを特徴とする請求項１記載の製造方法。 - 【請求項３】 一般式（Ｉ’） 【化４】 （式中、Ｒ’は炭素原子数１から１６のアルキル基又は
炭素原子数２から１６のアルケニル基を表わし、Ｊ及び
Ｋはそれぞれ独立的に、−ＣＨ2ＣＨ2−又は単結合を表
わし、ｎは０又は１を表わし、Ｘ及びＹはそれぞれ独立
的に、水素原子又はフッ素原子を表わし、Ｚ’はトリフ
ルオロメチル基又はトリフルオロメトキシ基を表わし、
シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表わさ
れる化合物。 - 【請求項４】 請求項３記載の一般式（Ｉ’）で表わさ
れる化合物を含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5322047A JPH07179374A (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | フルオロビフェニル誘導体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5322047A JPH07179374A (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | フルオロビフェニル誘導体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH07179374A true JPH07179374A (ja) | 1995-07-18 |
Family
ID=18139332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5322047A Pending JPH07179374A (ja) | 1993-12-21 | 1993-12-21 | フルオロビフェニル誘導体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH07179374A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0739876A3 (de) * | 1995-04-27 | 1997-09-03 | Merck Patent Gmbh | Fluorierte Biphenylcyclohexane und flüssigkristallines Medium |
| CN105038812A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-11-11 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 液晶组合物 |
-
1993
- 1993-12-21 JP JP5322047A patent/JPH07179374A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0739876A3 (de) * | 1995-04-27 | 1997-09-03 | Merck Patent Gmbh | Fluorierte Biphenylcyclohexane und flüssigkristallines Medium |
| CN105038812A (zh) * | 2015-07-13 | 2015-11-11 | 石家庄诚志永华显示材料有限公司 | 液晶组合物 |
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