JP3531182B2 - ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体 - Google Patents
ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体Info
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- JP3531182B2 JP3531182B2 JP19631093A JP19631093A JP3531182B2 JP 3531182 B2 JP3531182 B2 JP 3531182B2 JP 19631093 A JP19631093 A JP 19631093A JP 19631093 A JP19631093 A JP 19631093A JP 3531182 B2 JP3531182 B2 JP 3531182B2
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Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電気光学的液晶表示材料
として有用な、ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導
体である新規化合物に関する。
として有用な、ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導
体である新規化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶表示素子は、時計、電卓をはじめと
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等が知
られているが、このうち現在最もよく用いられているの
はＴＮ型及びＳＴＮ型である。また駆動方式としても従
来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般
的になり、更に単純マトリックス方式、最近ではアクテ
ィブマトリックス方式が実用化されている。これらのう
ち、アクティブマトリックス方式によると、最も高画質
の表示が可能であり、視野角が広く、高精細化、カラー
化が容易で、動画表示も可能であるので、今後の液晶表
示方式の主流になると考えられている。
して、各種測定機器、自動車用パネル、ワープロ、電子
手帳、プリンター、コンピューター、テレビ等に用いら
れるようになっている。液晶表示方式としては、その代
表的なものにＴＮ（捩れネマチック）型、ＳＴＮ（超捩
れネマチック）型、ＤＳ（動的光散乱）型、ＧＨ（ゲス
ト・ホスト）型あるいはＦＬＣ（強誘電性液晶）等が知
られているが、このうち現在最もよく用いられているの
はＴＮ型及びＳＴＮ型である。また駆動方式としても従
来のスタティック駆動からマルチプレックス駆動が一般
的になり、更に単純マトリックス方式、最近ではアクテ
ィブマトリックス方式が実用化されている。これらのう
ち、アクティブマトリックス方式によると、最も高画質
の表示が可能であり、視野角が広く、高精細化、カラー
化が容易で、動画表示も可能であるので、今後の液晶表
示方式の主流になると考えられている。
【０００３】このアクティブマトリックス表示方式に用
いられる液晶材料としては、通常の液晶表示と同様に、
種々の特性が要求されているが、特に、（１）比抵抗が
高く、電圧の保持率に優れること、（２）しきい値電圧
（Ｖth）が低いこと、（３）液晶相の温度範囲が広いこ
と等が重要である。
いられる液晶材料としては、通常の液晶表示と同様に、
種々の特性が要求されているが、特に、（１）比抵抗が
高く、電圧の保持率に優れること、（２）しきい値電圧
（Ｖth）が低いこと、（３）液晶相の温度範囲が広いこ
と等が重要である。
【０００４】通常、液晶表示におけるしきい値電圧は式
（１）
（１）
【０００５】
【数１】
【０００６】（式中、ｋは比例定数を、Ｋは弾性定数
を、Δεは誘電率異方性をそれぞれ表わす。）で表わさ
れるが、この式からわかるように、しきい値電圧を低く
するためには液晶材料の弾性定数を小さくするか、ある
いは誘電率異方性を大きくする必要がある。
を、Δεは誘電率異方性をそれぞれ表わす。）で表わさ
れるが、この式からわかるように、しきい値電圧を低く
するためには液晶材料の弾性定数を小さくするか、ある
いは誘電率異方性を大きくする必要がある。
【０００７】ところが、誘電率異方性の大きい液晶化合
物は、シアノ基等の極性の強い基を有するものが多く、
添加によって液晶材料の比抵抗値や電圧保持率を低下さ
せてしまう。そのため、液晶組成物のしきい値電圧を低
下させる目的には、弾性定数の小さい液晶材料が必要で
あった。
物は、シアノ基等の極性の強い基を有するものが多く、
添加によって液晶材料の比抵抗値や電圧保持率を低下さ
せてしまう。そのため、液晶組成物のしきい値電圧を低
下させる目的には、弾性定数の小さい液晶材料が必要で
あった。
【０００８】しかしながら、弾性定数の小さい２環性の
化合物は、添加によって組成物の液晶相の上限温度を大
幅に低下させてしまうものがほとんどである。一方、液
晶組成物の液晶相の温度範囲を特に高温域に広げるため
には、３環性あるいは４環性の、液晶相の上限温度の高
い化合物を添加する必要がある。しかしながら、このよ
うな化合物は弾性定数の大きいものが多く、液晶組成物
のしきい値電圧を上昇させてしまう傾向があった。その
ため、温度範囲が高温域まで広く、且つしきい値電圧の
低い液晶組成物を得ることはかなり困難であった。
化合物は、添加によって組成物の液晶相の上限温度を大
幅に低下させてしまうものがほとんどである。一方、液
晶組成物の液晶相の温度範囲を特に高温域に広げるため
には、３環性あるいは４環性の、液晶相の上限温度の高
い化合物を添加する必要がある。しかしながら、このよ
うな化合物は弾性定数の大きいものが多く、液晶組成物
のしきい値電圧を上昇させてしまう傾向があった。その
ため、温度範囲が高温域まで広く、且つしきい値電圧の
低い液晶組成物を得ることはかなり困難であった。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】本発明が解決しようと
する課題は、以上の目的に応じ、液晶組成物の液晶相の
上限温度を低下させることなく、しきい値電圧を低下さ
せる化合物を提供し、またその化合物を含有し、液晶相
の温度範囲が広く、且つしきい値電圧の低い液晶組成物
を提供することにある。
する課題は、以上の目的に応じ、液晶組成物の液晶相の
上限温度を低下させることなく、しきい値電圧を低下さ
せる化合物を提供し、またその化合物を含有し、液晶相
の温度範囲が広く、且つしきい値電圧の低い液晶組成物
を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記課題を解
決するために、一般式（Ｉ）
決するために、一般式（Ｉ）
【００１１】
【化２】
【００１２】（式中、ｍ及びｎはそれぞれ独立的に０〜
５の整数を表わし、Ｚ1及びＺ2はそれぞれ独立的に、単
結合又は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わすが、少なくとも一方は
単結合を表わし、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキ
シレン基又は１，４−フェニレン基を表わし、Ｘ及びＹ
はそれぞれ独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わ
し、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表
わされるジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体を提
供する。
５の整数を表わし、Ｚ1及びＺ2はそれぞれ独立的に、単
結合又は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わすが、少なくとも一方は
単結合を表わし、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキ
シレン基又は１，４−フェニレン基を表わし、Ｘ及びＹ
はそれぞれ独立的に、水素原子又はフッ素原子を表わ
し、シクロヘキサン環はトランス配置を表わす。）で表
わされるジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体を提
供する。
【００１３】この一般式（Ｉ）において、Ｚ1及びＺ2が
共に−ＣＨ2ＣＨ2−である化合物は、液晶組成物の応答
性を悪くする傾向があるので、少なくとも一方は単結合
であることが好ましい。また、これらＺ1、Ｚ2及び環Ａ
の選択により、一般式（Ｉ）の化合物の中心骨格として
は数種の構造が得られるが、以下の一般式（Ｉａ）〜
（Ｉｄ）の化合物が好ましく、この中でも特に一般式
（Ｉａ）の化合物が好ましい。
共に−ＣＨ2ＣＨ2−である化合物は、液晶組成物の応答
性を悪くする傾向があるので、少なくとも一方は単結合
であることが好ましい。また、これらＺ1、Ｚ2及び環Ａ
の選択により、一般式（Ｉ）の化合物の中心骨格として
は数種の構造が得られるが、以下の一般式（Ｉａ）〜
（Ｉｄ）の化合物が好ましく、この中でも特に一般式
（Ｉａ）の化合物が好ましい。
【００１４】
【化３】
【００１５】（式中、ｍ、ｎ、Ｘ及びＹは一般式（Ｉ）
におけると同じ意味を表わす。）また、一般式（Ｉ）に
おいて、Ｘ及びＹが共に水素原子である化合物は液晶性
に優れ、共にフッ素原子である化合物は、しきい値電圧
を低減させる効果においてより優れる傾向がある。本発
明の化合物としては、良好な液晶性を示すことと、しき
い値電圧が低いことの両者の特性をある程度併せ持つ化
合物がより好ましいので、Ｘ及びＹのうちの少なくとも
一方はフッ素原子であることがより好ましい。
におけると同じ意味を表わす。）また、一般式（Ｉ）に
おいて、Ｘ及びＹが共に水素原子である化合物は液晶性
に優れ、共にフッ素原子である化合物は、しきい値電圧
を低減させる効果においてより優れる傾向がある。本発
明の化合物としては、良好な液晶性を示すことと、しき
い値電圧が低いことの両者の特性をある程度併せ持つ化
合物がより好ましいので、Ｘ及びＹのうちの少なくとも
一方はフッ素原子であることがより好ましい。
【００１６】本発明の一般式（Ｉ）で表わされる化合物
は、対応する一般式（ＩＩ）
は、対応する一般式（ＩＩ）
【００１７】
【化４】
【００１８】（式中、ｍ、ｎ、Ｚ1、Ｚ2、環Ａ、Ｘ及び
Ｙは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表
わされるオキソアルキルシクロヘキサン誘導体を、ジエ
チルアミノ三フッ化硫黄（ＤＡＳＴ）等のフッ素化剤で
フッ素化することにより容易に得ることができる。
Ｙは一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表
わされるオキソアルキルシクロヘキサン誘導体を、ジエ
チルアミノ三フッ化硫黄（ＤＡＳＴ）等のフッ素化剤で
フッ素化することにより容易に得ることができる。
【００１９】この一般式（ＩＩ）の化合物は、一般式
（ＩＩＩ）
（ＩＩＩ）
【００２０】
【化５】
【００２１】（式中、Ｚ1、Ｚ2、環Ａ、Ｘ及びＹは一般
式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わされる
シクロヘキサノン誘導体から、そのｍ及びｎに応じて、
例えば、以下のようにして製造することができる。
式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）で表わされる
シクロヘキサノン誘導体から、そのｍ及びｎに応じて、
例えば、以下のようにして製造することができる。
【００２２】
【化６】
【００２３】（式中、Ｚ1、Ｚ2、環Ａ、Ｘ及びＹは一般
式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）まず、一般式
（ＩＩＩ）の化合物に、式（ＩＶ）のウィッティヒ反応
剤を反応させ、酸処理後、更に塩基によりシクロヘキサ
ン環をトランス配置に異性化させることにより、一般式
（ＩＩ）においてｍ＝ｎ＝０であるシクロヘキサンカル
バルデヒド誘導体を製造できる。
式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）まず、一般式
（ＩＩＩ）の化合物に、式（ＩＶ）のウィッティヒ反応
剤を反応させ、酸処理後、更に塩基によりシクロヘキサ
ン環をトランス配置に異性化させることにより、一般式
（ＩＩ）においてｍ＝ｎ＝０であるシクロヘキサンカル
バルデヒド誘導体を製造できる。
【００２４】
【化７】
【００２５】（式中、ｍ、Ｚ1、Ｚ2、環Ａ、Ｘ及びＹは
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）上記の一
般式（ＩＩ）においてｍ＝ｎ＝０である化合物に、前述
の式（ＩＶ）のウィッティヒ反応剤を必要に応じて繰り
返し反応させることによって、一般式（ＩＩ）におい
て、ｍ≧１且つｎ＝０の化合物を製造できる。
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）上記の一
般式（ＩＩ）においてｍ＝ｎ＝０である化合物に、前述
の式（ＩＶ）のウィッティヒ反応剤を必要に応じて繰り
返し反応させることによって、一般式（ＩＩ）におい
て、ｍ≧１且つｎ＝０の化合物を製造できる。
【００２６】
【化８】
【００２７】（式中、Ｚ1、Ｚ2、環Ａ、Ｘ及びＹは一般
式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、ｍは２〜５の整
数を表わす。）また、一般式（ＩＩ）においてｍ≧１且
つｎ＝０である化合物は、一般式（ＩＩＩ）の化合物に
一般式（Ｖ）のウィッティヒ反応剤を反応させ、水素添
加した後、酸処理を行っても得ることができる。
式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、ｍは２〜５の整
数を表わす。）また、一般式（ＩＩ）においてｍ≧１且
つｎ＝０である化合物は、一般式（ＩＩＩ）の化合物に
一般式（Ｖ）のウィッティヒ反応剤を反応させ、水素添
加した後、酸処理を行っても得ることができる。
【００２８】
【化９】
【００２９】（式中、Ｚ1、Ｚ2、環Ａ、Ｘ及びＹは一般
式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、ＭはＭｇＣｌ、
ＭｇＢｒ、ＭｇＩ又はＬｉを表わし、ｍ及びｎはそれぞ
れ独立的に、１〜５の整数を表わす。）次に一般式（Ｉ
Ｉ）においてｍ≧１且つｎ＝０である化合物に、一般式
（ＶＩ）のアルキル金属反応剤を反応させて一般式（Ｖ
ＩＩ）のアルコール体とし、次いでクロロクロム酸ピリ
ジニウム（ＰＣＣ）等の酸化剤で酸化することにより、
一般式（ＩＩ）のオキソアルキルシクロヘキサン誘導体
を製造することができる。
式（Ｉ）におけると同じ意味を表わし、ＭはＭｇＣｌ、
ＭｇＢｒ、ＭｇＩ又はＬｉを表わし、ｍ及びｎはそれぞ
れ独立的に、１〜５の整数を表わす。）次に一般式（Ｉ
Ｉ）においてｍ≧１且つｎ＝０である化合物に、一般式
（ＶＩ）のアルキル金属反応剤を反応させて一般式（Ｖ
ＩＩ）のアルコール体とし、次いでクロロクロム酸ピリ
ジニウム（ＰＣＣ）等の酸化剤で酸化することにより、
一般式（ＩＩ）のオキソアルキルシクロヘキサン誘導体
を製造することができる。
【００３０】
【化１０】
【００３１】更に、一般式（ＶＩＩ）のアルコール体
は、一般式（ＶＩＩＩ）の有機金属化合物と一般式（Ｉ
Ｘ）のアルデヒドとを反応させることによっても得るこ
とができる。
は、一般式（ＶＩＩＩ）の有機金属化合物と一般式（Ｉ
Ｘ）のアルデヒドとを反応させることによっても得るこ
とができる。
【００３２】
【化１１】
【００３３】（式中、ｍ、Ｚ1、Ｚ2、環Ａ、Ｘ及びＹは
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）また、特
に一般式（ＩＩ）において、ｎ＝１であるオキソアルキ
ルシクロヘキサン誘導体は、一般式（Ｘ）で表わされる
アルケニルシクロヘキサン誘導体を、ｍ−クロロ過安息
香酸（ｍＣＰＢＡ）等の過酸でエポキシ化し、次いで水
素化アルミニウムリチウム（ＬＡＨ）等で還元するか、
あるいは一般式（Ｘ）の化合物を、直接水和した後、Ｐ
ＣＣ等の酸化剤で酸化することにより得ることもでき
る。
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）また、特
に一般式（ＩＩ）において、ｎ＝１であるオキソアルキ
ルシクロヘキサン誘導体は、一般式（Ｘ）で表わされる
アルケニルシクロヘキサン誘導体を、ｍ−クロロ過安息
香酸（ｍＣＰＢＡ）等の過酸でエポキシ化し、次いで水
素化アルミニウムリチウム（ＬＡＨ）等で還元するか、
あるいは一般式（Ｘ）の化合物を、直接水和した後、Ｐ
ＣＣ等の酸化剤で酸化することにより得ることもでき
る。
【００３４】
【化１２】
【００３５】（式中、ｍ、Ｚ1、Ｚ2、環Ａ、Ｘ及びＹは
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）また、特
に一般式（ＩＩ）において、ｍ≧１且つｎ＝０であるオ
キソアルキルシクロヘキサン誘導体は、一般式（ＸＩ）
のアルケニルシクロヘキサン誘導体をヒドロホウ素化
し、アルコール変換した後、酸化することによっても得
ることができる。
一般式（Ｉ）におけると同じ意味を表わす。）また、特
に一般式（ＩＩ）において、ｍ≧１且つｎ＝０であるオ
キソアルキルシクロヘキサン誘導体は、一般式（ＸＩ）
のアルケニルシクロヘキサン誘導体をヒドロホウ素化
し、アルコール変換した後、酸化することによっても得
ることができる。
【００３６】中間体として用いた一般式（ＩＩＩ）のシ
クロヘキサノン誘導体は、そのＺ1、Ｚ2及び環Ａに応じ
て、例えば以下のようにして製造できる。
クロヘキサノン誘導体は、そのＺ1、Ｚ2及び環Ａに応じ
て、例えば以下のようにして製造できる。
【００３７】イ） 環Ａがトランス−１，４−シクロヘ
キシレン基、Ｚ1及びＺ2が共に単結合である一般式（Ｉ
ＩＩａ）の化合物の場合
キシレン基、Ｚ1及びＺ2が共に単結合である一般式（Ｉ
ＩＩａ）の化合物の場合
【００３８】
【化１３】
【００３９】一般式（ＸＩＩ）のブロモベンゼン誘導体
をグリニヤール反応剤とし、これを式（ＸＩＩＩ）のビ
シクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノアセタールと
反応させて、シクロヘキサノール誘導体を得る。これを
脱水してシクロヘキセン誘導体とし、必要に応じて再度
アセタール化を行った後、水素添加する。得られる化合
物はシクロヘキサン環のシス、トランス配置による異性
体混合物であるが、再結晶等により、トランス体を分離
することができる。また、シス体を強塩基によりトラン
ス体に異性化することも可能である。得られるトランス
体を脱アセタールすることにより、一般式（ＩＩＩａ）
の化合物を得ることができる。
をグリニヤール反応剤とし、これを式（ＸＩＩＩ）のビ
シクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノアセタールと
反応させて、シクロヘキサノール誘導体を得る。これを
脱水してシクロヘキセン誘導体とし、必要に応じて再度
アセタール化を行った後、水素添加する。得られる化合
物はシクロヘキサン環のシス、トランス配置による異性
体混合物であるが、再結晶等により、トランス体を分離
することができる。また、シス体を強塩基によりトラン
ス体に異性化することも可能である。得られるトランス
体を脱アセタールすることにより、一般式（ＩＩＩａ）
の化合物を得ることができる。
【００４０】ロ） 環Ａがトランス−１，４−シクロヘ
キシレン基、Ｚ1が単結合、Ｚ2が−ＣＨ2ＣＨ2−である
一般式（ＩＩＩｂ）の化合物の場合
キシレン基、Ｚ1が単結合、Ｚ2が−ＣＨ2ＣＨ2−である
一般式（ＩＩＩｂ）の化合物の場合
【００４１】
【化１４】
【００４２】前述のイ）において、式（ＸＩＩＩ）のビ
シクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノアセタールに
代えて、式（ＸＩＶ）
シクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノアセタールに
代えて、式（ＸＩＶ）
【００４３】
【化１５】
【００４４】のシクロヘキサンエタナール誘導体を用い
る以外はイ）と同様にして、一般式（ＩＩＩｂ）の化合
物を得ることができる。ここで式（ＸＩＶ）の化合物
は、式（ＸＩＩＩ）のビシクロヘキサン−４，４’−ジ
オンのモノアセタールに、前述の式（ＩＶ）のウィッテ
ィヒ反応剤を２回繰り返して反応させることにより得る
ことができる。
る以外はイ）と同様にして、一般式（ＩＩＩｂ）の化合
物を得ることができる。ここで式（ＸＩＶ）の化合物
は、式（ＸＩＩＩ）のビシクロヘキサン−４，４’−ジ
オンのモノアセタールに、前述の式（ＩＶ）のウィッテ
ィヒ反応剤を２回繰り返して反応させることにより得る
ことができる。
【００４５】ハ） 環Ａがトランス−１，４−シクロヘ
キシレン基、Ｚ1が−ＣＨ2ＣＨ2−、Ｚ2が単結合である
一般式（ＩＩＩｃ）の化合物の場合
キシレン基、Ｚ1が−ＣＨ2ＣＨ2−、Ｚ2が単結合である
一般式（ＩＩＩｃ）の化合物の場合
【００４６】
【化１６】
【００４７】前述のイ）において、式（ＸＩＩＩ）のビ
シクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノアセタールに
代えて、式（ＸＶ）
シクロヘキサン−４，４’−ジオンのモノアセタールに
代えて、式（ＸＶ）
【００４８】
【化１７】
【００４９】のシクロヘキサノン誘導体を用いる以外は
イ）と同様にして、一般式（ＩＩＩｃ）の化合物を得る
ことができる。ここで式（ＸＶ）の化合物は、４−メト
キシフェニル酢酸の酸クロリドを、塩化アルミニウム等
のルイス酸存在下にフェノールと反応させ、カルボニル
基を還元し、必用に応じて脱メチル化を行った後、ベン
ゼン環を水素添加し、次いで得られたシクロヘキサノー
ル誘導体を酸化してシクロヘキサノン誘導体とし、次い
でモノアセタール化することにより得ることができる。
イ）と同様にして、一般式（ＩＩＩｃ）の化合物を得る
ことができる。ここで式（ＸＶ）の化合物は、４−メト
キシフェニル酢酸の酸クロリドを、塩化アルミニウム等
のルイス酸存在下にフェノールと反応させ、カルボニル
基を還元し、必用に応じて脱メチル化を行った後、ベン
ゼン環を水素添加し、次いで得られたシクロヘキサノー
ル誘導体を酸化してシクロヘキサノン誘導体とし、次い
でモノアセタール化することにより得ることができる。
【００５０】ニ） 環Ａが１，４−フェニレン基、Ｚ1
及びＺ2が共に単結合である一般式（ＩＩＩｄ）の化合
物の場合
及びＺ2が共に単結合である一般式（ＩＩＩｄ）の化合
物の場合
【００５１】
【化１８】
【００５２】一般式（ＸＩＩ）の化合物から調製される
グリニヤール反応剤を、パラジウム触媒あるいはニッケ
ル触媒の存在下に、一般式（ＸＶＩ）
グリニヤール反応剤を、パラジウム触媒あるいはニッケ
ル触媒の存在下に、一般式（ＸＶＩ）
【００５３】
【化１９】
【００５４】（式中、Ｈａｌは沃素原子又は臭素原子を
表わす。）の化合物と反応させ、次いで脱アセタール化
することにより、一般式（ＩＩＩｄ）の化合物を得るこ
とができる。
表わす。）の化合物と反応させ、次いで脱アセタール化
することにより、一般式（ＩＩＩｄ）の化合物を得るこ
とができる。
【００５５】他の一般式（ＩＩ）の化合物も、上記の製
造方法に準じて得ることができる。斯くして製造される
一般式（Ｉ）で表わされる化合物の代表的なものの例を
下記第１表に掲げる。
造方法に準じて得ることができる。斯くして製造される
一般式（Ｉ）で表わされる化合物の代表的なものの例を
下記第１表に掲げる。
【００５６】
【表１】
【００５７】（表中、Ｃｒは結晶相を、Ｎはネマチック
相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ表わす。）本発明に
係わる一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、他のネマチ
ック液晶化合物との混合物の状態で、特にＴＮ型あるい
はＳＴＮ型といった電界効果型表示セルの材料として、
組成物のしきい値電圧を低下する目的に使用することが
できるが、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構
成成分として特に適している。
相を、Ｉは等方性液体相をそれぞれ表わす。）本発明に
係わる一般式（Ｉ）で表わされる化合物は、他のネマチ
ック液晶化合物との混合物の状態で、特にＴＮ型あるい
はＳＴＮ型といった電界効果型表示セルの材料として、
組成物のしきい値電圧を低下する目的に使用することが
できるが、アクティブマトリックス駆動用液晶材料の構
成成分として特に適している。
【００５８】このように、一般式（Ｉ）で表わされる化
合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化
合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息
香酸４−置換フェニルエステル、４−置換シクロヘキサ
ンカルボン酸４−置換フェニルエステル、４−置換シク
ロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリルエステ
ル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）
安息香酸４−置換フェニルエステル、４−（４−置換シ
クロヘキシル）安息香酸４−置換フェニルエステル、４
−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロ
ヘキシルエステル、４，４’−置換ビフェニル、１−
（４−置換フェニル）−４−置換シクロヘキサン、４，
４”−置換ターフェニル、１−（４’−置換ビフェニリ
ル）−４−置換シクロヘキサン、１−（４−置換シクロ
ヘキシル）−４−（４−置換フェニル）シクロヘキサ
ン、１−（４−置換フェニル）−２−（４−置換フェニ
ル）エタン、１−（４−置換フェニル）−２−（４−置
換シクロヘキシル）エタン、１−（４−置換シクロヘキ
シル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、１−
（４−置換フェニル）−２−［４−（４−置換シクロヘ
キシル）シクロヘキシル］エタン、１−［４−（４−置
換フェニル）シクロヘキシル］−２−（４−置換シクロ
ヘキシル）エタン、１−（４’−置換ビフェニリル）−
２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、１−［４−
（４−置換シクロヘキシル）フェニル］−２−（４−置
換フェニル）エタン、１−（４−置換フェニル）−２−
（４−置換フェニル）エチン、１−［４−（４−置換シ
クロヘキシル）フェニル］−２−（４−置換フェニル）
エチン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジ
ン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミ
ジン等を挙げることができる。
合物と混合して使用することのできるネマチック液晶化
合物の好ましい代表例としては、例えば、４−置換安息
香酸４−置換フェニルエステル、４−置換シクロヘキサ
ンカルボン酸４−置換フェニルエステル、４−置換シク
ロヘキサンカルボン酸４’−置換ビフェニリルエステ
ル、４−（４−置換シクロヘキサンカルボニルオキシ）
安息香酸４−置換フェニルエステル、４−（４−置換シ
クロヘキシル）安息香酸４−置換フェニルエステル、４
−（４−置換シクロヘキシル）安息香酸４−置換シクロ
ヘキシルエステル、４，４’−置換ビフェニル、１−
（４−置換フェニル）−４−置換シクロヘキサン、４，
４”−置換ターフェニル、１−（４’−置換ビフェニリ
ル）−４−置換シクロヘキサン、１−（４−置換シクロ
ヘキシル）−４−（４−置換フェニル）シクロヘキサ
ン、１−（４−置換フェニル）−２−（４−置換フェニ
ル）エタン、１−（４−置換フェニル）−２−（４−置
換シクロヘキシル）エタン、１−（４−置換シクロヘキ
シル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、１−
（４−置換フェニル）−２−［４−（４−置換シクロヘ
キシル）シクロヘキシル］エタン、１−［４−（４−置
換フェニル）シクロヘキシル］−２−（４−置換シクロ
ヘキシル）エタン、１−（４’−置換ビフェニリル）−
２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、１−［４−
（４−置換シクロヘキシル）フェニル］−２−（４−置
換フェニル）エタン、１−（４−置換フェニル）−２−
（４−置換フェニル）エチン、１−［４−（４−置換シ
クロヘキシル）フェニル］−２−（４−置換フェニル）
エチン、２−（４−置換フェニル）−５−置換ピリミジ
ン、２−（４’−置換ビフェニリル）−５−置換ピリミ
ジン等を挙げることができる。
【００５９】特にアクティブマトリックス用としては、
４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換フェニル）
−４−置換シクロヘキサン、４，４”−置換ターフェニ
ル、１−（４’−置換ビフェニリル）−４−置換シクロ
ヘキサン、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−（４
−置換フェニル）シクロヘキサン、１−（４−置換フェ
ニル）−２−（４−置換フェニル）エタン、１−（４−
置換フェニル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタ
ン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換
シクロヘキシル）エタン、１−（４−置換フェニル）−
２−［４−（４−置換シクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］エタン、１−［４−（４−置換フェニル）シクロヘ
キシル］−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、１
−（４’−置換ビフェニリル）−２−（４−置換シクロ
ヘキシル）エタン、１−［４−（４−置換シクロヘキシ
ル）フェニル］−２−（４−置換フェニル）エタン、１
−（４−置換フェニル）−２−（４−置換フェニル）エ
チン、１−［４−（４−置換シクロヘキシル）フェニ
ル］−２−（４−置換フェニル）エチン等が好ましい。
４，４’−置換ビフェニル、１−（４−置換フェニル）
−４−置換シクロヘキサン、４，４”−置換ターフェニ
ル、１−（４’−置換ビフェニリル）−４−置換シクロ
ヘキサン、１−（４−置換シクロヘキシル）−４−（４
−置換フェニル）シクロヘキサン、１−（４−置換フェ
ニル）−２−（４−置換フェニル）エタン、１−（４−
置換フェニル）−２−（４−置換シクロヘキシル）エタ
ン、１−（４−置換シクロヘキシル）−２−（４−置換
シクロヘキシル）エタン、１−（４−置換フェニル）−
２−［４−（４−置換シクロヘキシル）シクロヘキシ
ル］エタン、１−［４−（４−置換フェニル）シクロヘ
キシル］−２−（４−置換シクロヘキシル）エタン、１
−（４’−置換ビフェニリル）−２−（４−置換シクロ
ヘキシル）エタン、１−［４−（４−置換シクロヘキシ
ル）フェニル］−２−（４−置換フェニル）エタン、１
−（４−置換フェニル）−２−（４−置換フェニル）エ
チン、１−［４−（４−置換シクロヘキシル）フェニ
ル］−２−（４−置換フェニル）エチン等が好ましい。
【００６０】本発明の一般式（Ｉ）の化合物の効果は後
述の実施例にも示したが、例えば、以下の例からも明ら
かである。ネマチック液晶材料として現在汎用されてい
るフェニルシクロヘキサン系の母体液晶（Ａ）
述の実施例にも示したが、例えば、以下の例からも明ら
かである。ネマチック液晶材料として現在汎用されてい
るフェニルシクロヘキサン系の母体液晶（Ａ）
【００６１】
【化２０】
【００６２】（式中、シクロヘキサン環はトランス配置
を表わし、「％」は「重量％」を意味する。）を調製し
た。この母体液晶（Ａ）は５４．５℃以下でネマチック
相を示し、誘電率異方性（Δε）は６．７、屈折率異方
性（Δｎ）は０．０９２であり、これを用いて作製した
ＴＮセルのしきい値電圧（Ｖth）は１．６０Ｖであっ
た。
を表わし、「％」は「重量％」を意味する。）を調製し
た。この母体液晶（Ａ）は５４．５℃以下でネマチック
相を示し、誘電率異方性（Δε）は６．７、屈折率異方
性（Δｎ）は０．０９２であり、これを用いて作製した
ＴＮセルのしきい値電圧（Ｖth）は１．６０Ｖであっ
た。
【００６３】この母体液晶（Ａ）８０重量％及び第１表
中の（Ｎｏ．１）の化合物２０重量％からなる液晶組成
物（Ｍ−１）を調製した。この組成物（Ｍ−１）のネマ
チック相の上限温度は５７．２℃と上昇した。Δεは
６．５、Δｎは０．０９０であった。この組成物を用い
て同様にしてＶthを測定したところ、ネマチック相の上
限温度が上昇し、Δεが減少しているにもかかわらず、
１．４５Ｖと母体液晶（Ａ）に比べて０．１５Ｖも低下
した。これは（Ｎｏ．１）の化合物の弾性定数（Ｋ）が
３環化合物としては低いことを示している。
中の（Ｎｏ．１）の化合物２０重量％からなる液晶組成
物（Ｍ−１）を調製した。この組成物（Ｍ−１）のネマ
チック相の上限温度は５７．２℃と上昇した。Δεは
６．５、Δｎは０．０９０であった。この組成物を用い
て同様にしてＶthを測定したところ、ネマチック相の上
限温度が上昇し、Δεが減少しているにもかかわらず、
１．４５Ｖと母体液晶（Ａ）に比べて０．１５Ｖも低下
した。これは（Ｎｏ．１）の化合物の弾性定数（Ｋ）が
３環化合物としては低いことを示している。
【００６４】これに対し、（Ｎｏ．１）の化合物に代え
て、（Ｎｏ．１）の化合物の類似構造を有し、これまで
同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−１）
て、（Ｎｏ．１）の化合物の類似構造を有し、これまで
同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−１）
【００６５】
【化２１】
【００６６】の化合物を用い、この式（Ｒ−１）の化合
物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−１）を調製した。このネマチック相の上
限温度は７２．５℃と（Ｍ−１）に比べて高くなり、Δ
εは６．３と（Ｍ−１）に比べてやや小さくなった。ま
た、Δｎは０．０９５と（Ｍ−１）とあまり変わらなか
った。しかしながら、同様にしてＶthを測定したとこ
ろ、Δεが（Ｍ−１）よりやや小さい程度であるにもか
かわらず、１．９１Ｖとかなり高くなった。これは式
（Ｒ−１）の化合物の弾性定数が、（Ｎｏ．１）の化合
物に比べて、かなり大きいことによると考えられる。
物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−１）を調製した。このネマチック相の上
限温度は７２．５℃と（Ｍ−１）に比べて高くなり、Δ
εは６．３と（Ｍ−１）に比べてやや小さくなった。ま
た、Δｎは０．０９５と（Ｍ−１）とあまり変わらなか
った。しかしながら、同様にしてＶthを測定したとこ
ろ、Δεが（Ｍ−１）よりやや小さい程度であるにもか
かわらず、１．９１Ｖとかなり高くなった。これは式
（Ｒ−１）の化合物の弾性定数が、（Ｎｏ．１）の化合
物に比べて、かなり大きいことによると考えられる。
【００６７】同様に（Ｎｏ．１）の化合物に代えて、末
端基が直鎖状アルキル基である式（Ｒ−２）
端基が直鎖状アルキル基である式（Ｒ−２）
【００６８】
【化２２】
【００６９】の化合物を用い、この式（Ｒ−２）の化合
物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−２）を調製した。このネマチック相の上
限温度は６５．３℃と（Ｍ−１）に比べてやや高くな
り、Δεは７．２と（Ｍ−１）に比べてかなり大きくな
った。また、Δｎは０．０９４であり、（Ｍ−１）とあ
まり変わらなかった。しかしながら、同様にしてＶthを
測定したところ、Δεが（Ｍ−１）よりかなり大きいに
もかかわらず、１．６７Ｖと上昇した。これは式（Ｒ−
２）の化合物の弾性定数もまた、（Ｎｏ．１）の化合物
に比べてかなり大きいことによると考えられる。
物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−２）を調製した。このネマチック相の上
限温度は６５．３℃と（Ｍ−１）に比べてやや高くな
り、Δεは７．２と（Ｍ−１）に比べてかなり大きくな
った。また、Δｎは０．０９４であり、（Ｍ−１）とあ
まり変わらなかった。しかしながら、同様にしてＶthを
測定したところ、Δεが（Ｍ−１）よりかなり大きいに
もかかわらず、１．６７Ｖと上昇した。これは式（Ｒ−
２）の化合物の弾性定数もまた、（Ｎｏ．１）の化合物
に比べてかなり大きいことによると考えられる。
【００７０】次に、この母体液晶（Ａ）８０重量％及び
第１表中の（Ｎｏ．６）の化合物２０重量％からなる液
晶組成物（Ｍ−３）を調製した。この（Ｍ−３）のネマ
チック相の上限温度は５９．５℃と上昇した。Δεは
５．８とかなり小さくなり、Δｎは０．０９１と大きな
変化はなかった。この組成物を用いて同様にしてＶthを
測定したところ、ネマチック相の上限温度が上昇し、Δ
εが減少しているにもかかわらず、１．５０Ｖとかなり
低下した。これは（Ｎｏ．６）の化合物の弾性定数が３
環化合物としては低いことを示している。
第１表中の（Ｎｏ．６）の化合物２０重量％からなる液
晶組成物（Ｍ−３）を調製した。この（Ｍ−３）のネマ
チック相の上限温度は５９．５℃と上昇した。Δεは
５．８とかなり小さくなり、Δｎは０．０９１と大きな
変化はなかった。この組成物を用いて同様にしてＶthを
測定したところ、ネマチック相の上限温度が上昇し、Δ
εが減少しているにもかかわらず、１．５０Ｖとかなり
低下した。これは（Ｎｏ．６）の化合物の弾性定数が３
環化合物としては低いことを示している。
【００７１】次に、母体液晶（Ａ）８０重量％及び第１
表中の（Ｎｏ．３）の化合物２０重量％からなる液晶組
成物（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）のネマチッ
ク相の上限温度は５８．７℃と母体液晶（Ａ）に比べて
上昇し、Δεは６．９、Δｎは０．０９０であった。こ
の組成物を用いて同様にしてＶthを測定したところ、ネ
マチック相の上限温度が上昇したにもかかわらず、１．
５４Ｖと低下した。
表中の（Ｎｏ．３）の化合物２０重量％からなる液晶組
成物（Ｍ−２）を調製した。この（Ｍ−２）のネマチッ
ク相の上限温度は５８．７℃と母体液晶（Ａ）に比べて
上昇し、Δεは６．９、Δｎは０．０９０であった。こ
の組成物を用いて同様にしてＶthを測定したところ、ネ
マチック相の上限温度が上昇したにもかかわらず、１．
５４Ｖと低下した。
【００７２】これに対し、（Ｎｏ．３）の化合物に代え
て、（Ｎｏ．３）の化合物の類似構造を有し、これまで
同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−３）
て、（Ｎｏ．３）の化合物の類似構造を有し、これまで
同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−３）
【００７３】
【化２３】
【００７４】の化合物を用い、この式（Ｒ−３）の化合
物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−３）を調製した。このネマチック相の上
限温度は６４．８℃と、（Ｍ−２）及び（Ｍ−３）に比
べてやや高くなり、Δεは７．０、Δｎは０．０９３で
あった。しかしながら、同様にしてＶthを測定したとこ
ろ、Δεが（Ｍ−２）及び（Ｍ−３）よりかなり大きい
にもかかわらず、１．６０Ｖと変化はなかった。これは
式（Ｒ−３）の化合物の弾性定数が、（Ｎｏ．６）の化
合物に比べて、かなり大きいことによると考えられる。
物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−３）を調製した。このネマチック相の上
限温度は６４．８℃と、（Ｍ−２）及び（Ｍ−３）に比
べてやや高くなり、Δεは７．０、Δｎは０．０９３で
あった。しかしながら、同様にしてＶthを測定したとこ
ろ、Δεが（Ｍ−２）及び（Ｍ−３）よりかなり大きい
にもかかわらず、１．６０Ｖと変化はなかった。これは
式（Ｒ−３）の化合物の弾性定数が、（Ｎｏ．６）の化
合物に比べて、かなり大きいことによると考えられる。
【００７５】次に、同じ母体液晶（Ａ）８０重量％及び
第１表中の（Ｎｏ．５）の化合物２０重量％からなる液
晶組成物（Ｍ−４）を調製した。この（Ｍ−４）のネマ
チック相の上限温度は５２．４℃と母体液晶（Ａ）に比
べて少し低下し、Δεは６．８、Δｎは０．０９０であ
った。この組成物を用いて同様にしてＶthを測定したと
ころ、Δεがほとんど大きくなっていないにもかかわら
ず、１．３８Ｖと母体液晶（Ａ）より０．２２Ｖも低下
した。
第１表中の（Ｎｏ．５）の化合物２０重量％からなる液
晶組成物（Ｍ−４）を調製した。この（Ｍ−４）のネマ
チック相の上限温度は５２．４℃と母体液晶（Ａ）に比
べて少し低下し、Δεは６．８、Δｎは０．０９０であ
った。この組成物を用いて同様にしてＶthを測定したと
ころ、Δεがほとんど大きくなっていないにもかかわら
ず、１．３８Ｖと母体液晶（Ａ）より０．２２Ｖも低下
した。
【００７６】これに対し、（Ｎｏ．５）の化合物に代え
て、（Ｎｏ．５）の化合物の類似構造を有し、これまで
同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−４）
て、（Ｎｏ．５）の化合物の類似構造を有し、これまで
同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−４）
【００７７】
【化２４】
【００７８】の化合物を用い、この式（Ｒ−４）の化合
物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−４）を調製した。このネマチック相の上
限温度は５９．５℃と（Ｍ−４）に比べてやや高くな
り、Δεは７．３、Δｎは０．０９１であった。しかし
ながら、同様にしてＶthを測定したところ、Δεが（Ｍ
−４）よりかなり大きいにもかかわらず、１．５３Ｖと
（Ｍ−４）と較べると低減効果は小さかった。これは式
（Ｒ−４）の化合物の弾性定数が、（Ｎｏ．５）の化合
物に比べて、かなり大きいことによると考えられる。
物２０重量％及び母体液晶（Ａ）８０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−４）を調製した。このネマチック相の上
限温度は５９．５℃と（Ｍ−４）に比べてやや高くな
り、Δεは７．３、Δｎは０．０９１であった。しかし
ながら、同様にしてＶthを測定したところ、Δεが（Ｍ
−４）よりかなり大きいにもかかわらず、１．５３Ｖと
（Ｍ−４）と較べると低減効果は小さかった。これは式
（Ｒ−４）の化合物の弾性定数が、（Ｎｏ．５）の化合
物に比べて、かなり大きいことによると考えられる。
【００７９】以上の結果から、一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物は汎用のネマチック液晶に添加することによ
り、しきい値電圧を上昇させることなく、むしろ低下さ
せる優れた効果を有することが理解できる。
る化合物は汎用のネマチック液晶に添加することによ
り、しきい値電圧を上昇させることなく、むしろ低下さ
せる優れた効果を有することが理解できる。
【００８０】次に、特にアクティブマトリックス駆動用
として好適な母体液晶（Ｂ）
として好適な母体液晶（Ｂ）
【００８１】
【化２５】
【００８２】（式中、シクロヘキサン環はトランス配置
を表わし、「％」は「重量％」を意味する。）を調製し
た。この母体液晶（Ｂ）は１１６．７℃以下でネマチッ
ク相を示し、誘電率異方性（Δε）は４．７、屈折率異
方性（Δｎ）は０．０９０であり、これを用いて作製し
たＴＮセルのしきい値電圧（Ｖth）は２．４３Ｖであっ
た。
を表わし、「％」は「重量％」を意味する。）を調製し
た。この母体液晶（Ｂ）は１１６．７℃以下でネマチッ
ク相を示し、誘電率異方性（Δε）は４．７、屈折率異
方性（Δｎ）は０．０９０であり、これを用いて作製し
たＴＮセルのしきい値電圧（Ｖth）は２．４３Ｖであっ
た。
【００８３】この母体液晶（Ｂ）７０重量％及び第１表
中の（Ｎｏ．１）の化合物３０重量％からなる液晶組成
物（Ｍ−５）を調製した。この（Ｍ−５）のネマチック
相の上限温度は１０８．１℃とわずかに低下し、Δεは
４．５であった。しかしながら、この組成物を用いて同
様にしてＶthを測定したところ、Δεが減少しているに
もかかわらず、２．２３Ｖと母体液晶（Ｂ）に比べて
０．２Ｖも低下した。
中の（Ｎｏ．１）の化合物３０重量％からなる液晶組成
物（Ｍ−５）を調製した。この（Ｍ−５）のネマチック
相の上限温度は１０８．１℃とわずかに低下し、Δεは
４．５であった。しかしながら、この組成物を用いて同
様にしてＶthを測定したところ、Δεが減少しているに
もかかわらず、２．２３Ｖと母体液晶（Ｂ）に比べて
０．２Ｖも低下した。
【００８４】これに対し、（Ｎｏ．１）の化合物に代え
て、（Ｎｏ．１）の化合物の類似構造を有し、これまで
同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−２）
て、（Ｎｏ．１）の化合物の類似構造を有し、これまで
同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−２）
【００８５】
【化２６】
【００８６】の化合物を用い、この式（Ｒ−２）の化合
物３０重量％及び母体液晶（Ｂ）７０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−５）を調製した。この組成物のネマチッ
ク相の上限温度は１１９．４℃と僅かに上昇し、Δεは
５．６であった。しかしながら、同様にしてＶthを測定
したところ、Δεが大きくなったにもかかわらず２．３
５Ｖとその低減効果は（Ｍ−５）と比較してかなり小さ
かった。
物３０重量％及び母体液晶（Ｂ）７０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−５）を調製した。この組成物のネマチッ
ク相の上限温度は１１９．４℃と僅かに上昇し、Δεは
５．６であった。しかしながら、同様にしてＶthを測定
したところ、Δεが大きくなったにもかかわらず２．３
５Ｖとその低減効果は（Ｍ−５）と比較してかなり小さ
かった。
【００８７】次に、この母体液晶（Ｂ）７０重量％及び
第１表中の（Ｎｏ．３）の化合物３０重量％からなる液
晶組成物（Ｍ−６）を調製した。この（Ｍ−６）のネマ
チック相の上限温度は１１１．０℃とわずかに低くな
り、Δεは４．９であった。しかしながら、この組成物
を用いて同様にしてＶthを測定したところ、Δεが変化
していないにもかかわらず、２．１９Ｖと母体液晶
（Ｂ）に比べて０．２４Ｖも低下した。
第１表中の（Ｎｏ．３）の化合物３０重量％からなる液
晶組成物（Ｍ−６）を調製した。この（Ｍ−６）のネマ
チック相の上限温度は１１１．０℃とわずかに低くな
り、Δεは４．９であった。しかしながら、この組成物
を用いて同様にしてＶthを測定したところ、Δεが変化
していないにもかかわらず、２．１９Ｖと母体液晶
（Ｂ）に比べて０．２４Ｖも低下した。
【００８８】また、（Ｎｏ．３）の化合物に代えて、
（Ｎｏ．３）の化合物の類似構造を有し、これまで同様
の目的に用いられてきた式（Ｒ−３）
（Ｎｏ．３）の化合物の類似構造を有し、これまで同様
の目的に用いられてきた式（Ｒ−３）
【００８９】
【化２７】
【００９０】の化合物を用い、この式（Ｒ−３）の化合
物３０重量％及び母体液晶（Ｂ）７０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−６）を調製した。ネマチック相の上限温
度は１１７．２℃と（Ｍ−６）よりやや上昇し、Δεは
５．４であった。しかしながら、同様にしてＶthを測定
したところ、２．３３Ｖと（Ｍ−６）より０．１４Ｖ上
昇した。
物３０重量％及び母体液晶（Ｂ）７０重量％からなる液
晶組成物（Ｎ−６）を調製した。ネマチック相の上限温
度は１１７．２℃と（Ｍ−６）よりやや上昇し、Δεは
５．４であった。しかしながら、同様にしてＶthを測定
したところ、２．３３Ｖと（Ｍ−６）より０．１４Ｖ上
昇した。
【００９１】以上のように、一般式（Ｉ）の化合物は、
液晶組成物のネマチック相の上限温度を低下させること
なく、しきい値電圧を低減させる効果を有することが明
らかである。
液晶組成物のネマチック相の上限温度を低下させること
なく、しきい値電圧を低減させる効果を有することが明
らかである。
【００９２】
【実施例】以下に本発明の実施例を示し、本発明を更に
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
説明する。しかしながら、本発明はこれらの実施例に限
定されるものではない。
【００９３】なお、相転移温度の測定は温度調節ステー
ジを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を
併用して行った。また、化合物の構造は核磁気共鳴スペ
クトル（1Ｈ−ＮＭＲ）、赤外吸収スペクトル（Ｉ
Ｒ）、質量スペクトル（ＭＳ）等により確認した。ＩＲ
における（ＫＢｒ）は錠剤成形による測定を表わす。Ｎ
ＭＲにおけるＣＤＣｌ3は溶媒を表わし、ｔは３重線、
ｍは多重線を表わす。また、Ｊはカップリング定数を表
わし、ＭＳにおけるＭ+は親ピークを表わす。なお、組
成物における「％」は「重量％」を意味する。
ジを備えた偏光顕微鏡及び示差走査熱量計（ＤＳＣ）を
併用して行った。また、化合物の構造は核磁気共鳴スペ
クトル（1Ｈ−ＮＭＲ）、赤外吸収スペクトル（Ｉ
Ｒ）、質量スペクトル（ＭＳ）等により確認した。ＩＲ
における（ＫＢｒ）は錠剤成形による測定を表わす。Ｎ
ＭＲにおけるＣＤＣｌ3は溶媒を表わし、ｔは３重線、
ｍは多重線を表わす。また、Ｊはカップリング定数を表
わし、ＭＳにおけるＭ+は親ピークを表わす。なお、組
成物における「％」は「重量％」を意味する。
【００９４】（実施例１） ３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジフルオ
ロプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼ
ン（Ｎｏ．１の化合物）の合成
［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジフルオ
ロプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼ
ン（Ｎｏ．１の化合物）の合成
【００９５】
【化２８】
【００９６】（１−ａ） ２−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］エタナール（一般式（ＩＩ）の
化合物）の合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム９４．５
ｇを、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２８０ｍｌに懸濁
し、−５℃に冷却した。これにｔ−ブトキシカリウム３
５．７ｇを加え、室温で１時間攪拌してウィッティヒ反
応剤を調製した。これに、トランス−４−［トランス−
４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］
シクロヘキサンカルバルデヒド６５ｇのＴＨＦ２００ｍ
ｌ溶液を−５℃で５分間で滴下した。室温で５時間攪拌
した後、反応液を水にあけ、ヘキサンを加え、有機層を
分離した。トリフェニルホスフィンオキシドの沈澱を濾
別し、水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９）を
用いて精製して、２−［トランス−４−［トランス−４
−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキシル］エタナールの白色結晶５９ｇを得た。こ
こで原料として用いたトランス−４−［トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサンカルバルデヒドは、［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンから上記と同様にして合成し、次いで異性化させ
ることにより得た。
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］エタナール（一般式（ＩＩ）の
化合物）の合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム９４．５
ｇを、テトラヒドロフラン（ＴＨＦ）２８０ｍｌに懸濁
し、−５℃に冷却した。これにｔ−ブトキシカリウム３
５．７ｇを加え、室温で１時間攪拌してウィッティヒ反
応剤を調製した。これに、トランス−４−［トランス−
４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］
シクロヘキサンカルバルデヒド６５ｇのＴＨＦ２００ｍ
ｌ溶液を−５℃で５分間で滴下した。室温で５時間攪拌
した後、反応液を水にあけ、ヘキサンを加え、有機層を
分離した。トリフェニルホスフィンオキシドの沈澱を濾
別し、水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥し
た。溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９）を
用いて精製して、２−［トランス−４−［トランス−４
−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキシル］エタナールの白色結晶５９ｇを得た。こ
こで原料として用いたトランス−４−［トランス−４−
（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シク
ロヘキサンカルバルデヒドは、［トランス−４−（３，
４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキ
サノンから上記と同様にして合成し、次いで異性化させ
ることにより得た。
【００９７】（１−ｂ） １−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパン−２−オールの合成 上記（１−ａ）で得られた２−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］エタナール８．７ｇを、テトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに溶解した。０℃で臭
化メチルマグネシウム（０．９５ＭＴＨＦ溶液）３３ｍ
ｌを１０分間で滴下した。０℃で１時間攪拌した後、室
温に戻し、水、稀塩酸を加え、反応生成物を酢酸エチル
で抽出した。有機層を水で洗滌し、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル
＝４）を用いて精製して、１−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパン−２−オール５．４ｇ
を得た。
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパン−２−オールの合成 上記（１−ａ）で得られた２−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］エタナール８．７ｇを、テトラ
ヒドロフラン（ＴＨＦ）５０ｍｌに溶解した。０℃で臭
化メチルマグネシウム（０．９５ＭＴＨＦ溶液）３３ｍ
ｌを１０分間で滴下した。０℃で１時間攪拌した後、室
温に戻し、水、稀塩酸を加え、反応生成物を酢酸エチル
で抽出した。有機層を水で洗滌し、無水硫酸ナトリウム
で乾燥した。溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル
＝４）を用いて精製して、１−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパン−２−オール５．４ｇ
を得た。
【００９８】（１−ｃ） １−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパン−２−オンの合成 クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）６．４ｇとシリ
カゲル６．４ｇの混合物をジクロロメタン６０ｍｌに懸
濁させた。これに上記（１−ｂ）で得られた１−［トラ
ンス−４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］プロパン−２
−オール６．９５ｇをジクロロメタン１４ｍｌに溶解さ
せ一度に加えた。３時間攪拌した後、トルエン６０ｍｌ
を加えセライトろ過した。溶媒を溜去して、得られた粗
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサ
ン／酢酸エチル９／１）を用いて精製して、１−［トラ
ンス−４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］プロパン−２
−オンの白色結晶６．５ｇを得た。 （１−ｄ） ３，４−ジフルオロ−１−［トランス−４
−［トランス−４−（２，２−ジフルオロプロピル）シ
クロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンの合成 上記（１−ｃ）で得られた１−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパン−２−オン８．０ｇを
ＴＨＦ４０ｍｌに溶解した。これにジエチルアミノ三フ
ッ化硫黄（ＤＡＳＴ）７．７ｇを加えて１０時間加熱還
流した。室温に冷却した後、更にＤＡＳＴ５．０ｇを加
えて１０時間加熱還流した。室温に冷却し、反応物を飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液中に注ぎ、有機層を分離
し、更に水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで乾燥した
後、溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝９／１）
を用いて精製して、３，４−ジフルオロ−１−［トラン
ス−４−［トランス−４−（２，２−ジフルオロプロピ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンの白色
結晶３．１ｇを得た。 相転移温度：融点７６℃（Ｃ→Ｎ）、９０℃（Ｎ−Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６０５，１５１５，１４９５，１４
５０，１３８５，１２８０，１２３０，１２００，１１
７０，１１１０，９２０，８６５，８１０，７９０，７
６５ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．０（ｍ，２４Ｈ），２．４
（ｍ，１Ｈ），６．８〜７．２（ｍ，３Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３５６（Ｍ+）
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパン−２−オンの合成 クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）６．４ｇとシリ
カゲル６．４ｇの混合物をジクロロメタン６０ｍｌに懸
濁させた。これに上記（１−ｂ）で得られた１−［トラ
ンス−４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］プロパン−２
−オール６．９５ｇをジクロロメタン１４ｍｌに溶解さ
せ一度に加えた。３時間攪拌した後、トルエン６０ｍｌ
を加えセライトろ過した。溶媒を溜去して、得られた粗
生成物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサ
ン／酢酸エチル９／１）を用いて精製して、１−［トラ
ンス−４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェ
ニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］プロパン−２
−オンの白色結晶６．５ｇを得た。 （１−ｄ） ３，４−ジフルオロ−１−［トランス−４
−［トランス−４−（２，２−ジフルオロプロピル）シ
クロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンの合成 上記（１−ｃ）で得られた１−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］プロパン−２−オン８．０ｇを
ＴＨＦ４０ｍｌに溶解した。これにジエチルアミノ三フ
ッ化硫黄（ＤＡＳＴ）７．７ｇを加えて１０時間加熱還
流した。室温に冷却した後、更にＤＡＳＴ５．０ｇを加
えて１０時間加熱還流した。室温に冷却し、反応物を飽
和炭酸水素ナトリウム水溶液中に注ぎ、有機層を分離
し、更に水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで乾燥した
後、溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラ
ムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝９／１）
を用いて精製して、３，４−ジフルオロ−１−［トラン
ス−４−［トランス−４−（２，２−ジフルオロプロピ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンの白色
結晶３．１ｇを得た。 相転移温度：融点７６℃（Ｃ→Ｎ）、９０℃（Ｎ−Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６０５，１５１５，１４９５，１４
５０，１３８５，１２８０，１２３０，１２００，１１
７０，１１１０，９２０，８６５，８１０，７９０，７
６５ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．０（ｍ，２４Ｈ），２．４
（ｍ，１Ｈ），６．８〜７．２（ｍ，３Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３５６（Ｍ+）
【００９９】（実施例２） ３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（１，１−ジフルオ
ロエチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
（Ｎｏ．２の化合物）の合成
［トランス−４−［トランス−４−（１，１−ジフルオ
ロエチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
（Ｎｏ．２の化合物）の合成
【０１００】
【化２９】
【０１０１】実施例１で得られたトランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサンカルバルデヒドから、実施例１と
同様にして３，４−ジフルオロ−１−［トランス−４−
［トランス−４−（１，１−ジフルオロエチル）シクロ
ヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンを得た。 相転移温度：融点７２℃（Ｃ→Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６０５，１５１５，１２７５，１２
３０，１２１５，１１２０，９１５，８９５，８６０，
８３０，７７５ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．０（ｍ，２２Ｈ），２．４
（ｍ，１Ｈ），６．８〜７．２（ｍ，３Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３４２（Ｍ+）
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサンカルバルデヒドから、実施例１と
同様にして３，４−ジフルオロ−１−［トランス−４−
［トランス−４−（１，１−ジフルオロエチル）シクロ
ヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンを得た。 相転移温度：融点７２℃（Ｃ→Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６０５，１５１５，１２７５，１２
３０，１２１５，１１２０，９１５，８９５，８６０，
８３０，７７５ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．０（ｍ，２２Ｈ），２．４
（ｍ，１Ｈ），６．８〜７．２（ｍ，３Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３４２（Ｍ+）
【０１０２】（実施例３） ３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジフルオ
ロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
（Ｎｏ．３の化合物）の合成
［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジフルオ
ロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
（Ｎｏ．３の化合物）の合成
【０１０３】
【化３０】
【０１０４】実施例１で得られた２−［トランス−４−
［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シク
ロヘキシル］シクロヘキシル］エタナールを用い、臭化
メチルマグネシウムに代えて臭化エチルマグネシウムを
用いた以外は実施例１と同様にして、３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２−
ジフルオロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］
ベンゼンを得た。 相転移温度：融点８８℃（Ｃ→Ｎ）、９９℃（Ｎ−Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６１０，１５２０，１５１５，１４
６５，１４５０，１２９０，１２０５，１１１５，９４
５，７６５ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．５（ｍ，２７Ｈ），６．８〜
７．２（ｍ，３Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３７０（Ｍ+）
［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シク
ロヘキシル］シクロヘキシル］エタナールを用い、臭化
メチルマグネシウムに代えて臭化エチルマグネシウムを
用いた以外は実施例１と同様にして、３，４−ジフルオ
ロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２−
ジフルオロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］
ベンゼンを得た。 相転移温度：融点８８℃（Ｃ→Ｎ）、９９℃（Ｎ−Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６１０，１５２０，１５１５，１４
６５，１４５０，１２９０，１２０５，１１１５，９４
５，７６５ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．５（ｍ，２７Ｈ），６．８〜
７．２（ｍ，３Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３７０（Ｍ+）
【０１０５】（参考例） ３，４，５−トリフルオロ−
１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロエチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベン
ゼン（Ｎｏ．４の化合物）の合成
１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロエチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベン
ゼン（Ｎｏ．４の化合物）の合成
【０１０６】
【化３１】
【０１０７】（４−ａ） トランス−４−［トランス−
４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサンカルバルデヒドの合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム３５．４
ｇをＴＨＦ８０ｍｌに懸濁し−５℃に冷却した。これに
ｔ−ブトキシカリウム１１．６ｇを加え、室温で１時間
攪拌してウィッティヒ反応剤を調製した。これに、４−
［トランス−４−（３，４，５−トリフルオロフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン２４．７ｇのＴ
ＨＦ２５ｍｌ溶液を−５℃で５分間で滴下した。室温で
５時間攪拌した後、反応液を水にあけ、ヘキサンを加
え、有機層を分離した。トリフェニルホスフィンオキシ
ドの沈澱を濾別し、水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。溶媒を溜去して、得られた粗生成物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エ
チル＝９）を用いて精製して、４−［トランス−４−
（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンカルバルデヒドの白色結晶２１．８
ｇを得た。得られたジアステレオマー混合物をエタノー
ル１００ｍｌに溶解し、２０％水酸化ナトリウム水溶液
２ｍｌを加え室温で３時間攪拌した。水を加え、１Ｎ塩
酸で中和した後、反応生成物を酢酸エチルで抽出し、抽
出液を水洗した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶
媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９）を用いて
精製し、更にヘキサンから再結晶させて精製して、トラ
ンス−４−［トランス−４−（３，４，５−トリフルオ
ロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサンカルバル
デヒドの白色結晶１３．２ｇを得た。
４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキサンカルバルデヒドの合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム３５．４
ｇをＴＨＦ８０ｍｌに懸濁し−５℃に冷却した。これに
ｔ−ブトキシカリウム１１．６ｇを加え、室温で１時間
攪拌してウィッティヒ反応剤を調製した。これに、４−
［トランス−４−（３，４，５−トリフルオロフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキサノン２４．７ｇのＴ
ＨＦ２５ｍｌ溶液を−５℃で５分間で滴下した。室温で
５時間攪拌した後、反応液を水にあけ、ヘキサンを加
え、有機層を分離した。トリフェニルホスフィンオキシ
ドの沈澱を濾別し、水で洗浄した後、無水硫酸ナトリウ
ムで乾燥した。溶媒を溜去して、得られた粗生成物をシ
リカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エ
チル＝９）を用いて精製して、４−［トランス−４−
（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンカルバルデヒドの白色結晶２１．８
ｇを得た。得られたジアステレオマー混合物をエタノー
ル１００ｍｌに溶解し、２０％水酸化ナトリウム水溶液
２ｍｌを加え室温で３時間攪拌した。水を加え、１Ｎ塩
酸で中和した後、反応生成物を酢酸エチルで抽出し、抽
出液を水洗した後、無水硫酸ナトリウムで乾燥した。溶
媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝９）を用いて
精製し、更にヘキサンから再結晶させて精製して、トラ
ンス−４−［トランス−４−（３，４，５−トリフルオ
ロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキサンカルバル
デヒドの白色結晶１３．２ｇを得た。
【０１０８】（４−ｂ） ２−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シク
ロヘキシル］シクロヘキシル］エタナール（一般式（Ｉ
Ｉ）の化合物）の合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム１８．１
ｇをＴＨＦ５０ｍｌに懸濁し−５℃に冷却した。これに
ｔ−ブトキシカリウム６．９ｇを加え、室温で１時間攪
拌してウィッティヒ反応剤を調製した。これに、上記
（４−ａ）で得られたトランス−４−［トランス−４−
（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンカルバルデヒド１３．２ｇのＴＨＦ
２０ｍｌ溶液を−５℃で５分間で滴下した。室温で３時
間攪拌した後、反応液を水にあけ、ヘキサンを加え、有
機層を分離した。トリフェニルホスフィンオキシドの沈
澱を濾別し、水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した。溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝
９）を用いて精製して、２−［トランス−４−［トラン
ス−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロ
ヘキシル］シクロヘキシル］エタナールの白色結晶１
０．４ｇを得た。
ンス−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シク
ロヘキシル］シクロヘキシル］エタナール（一般式（Ｉ
Ｉ）の化合物）の合成 塩化メトキシメチルトリフェニルホスホニウム１８．１
ｇをＴＨＦ５０ｍｌに懸濁し−５℃に冷却した。これに
ｔ−ブトキシカリウム６．９ｇを加え、室温で１時間攪
拌してウィッティヒ反応剤を調製した。これに、上記
（４−ａ）で得られたトランス−４−［トランス−４−
（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロヘキシ
ル］シクロヘキサンカルバルデヒド１３．２ｇのＴＨＦ
２０ｍｌ溶液を−５℃で５分間で滴下した。室温で３時
間攪拌した後、反応液を水にあけ、ヘキサンを加え、有
機層を分離した。トリフェニルホスフィンオキシドの沈
澱を濾別し、水で洗滌した後、無水硫酸ナトリウムで乾
燥した。溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲル
カラムクロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝
９）を用いて精製して、２−［トランス−４−［トラン
ス−４−（３，４，５−トリフルオロフェニル）シクロ
ヘキシル］シクロヘキシル］エタナールの白色結晶１
０．４ｇを得た。
【０１０９】（４−ｃ） ３，４，５−トリフルオロ−
１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロエチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベン
ゼンの合成 ２−［トランス−４−［トランス−４−（３，４，５−
トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］エタナール２．０ｇを、ＴＨＦ４０ｍｌに溶解し
た。これにＤＡＳＴ１．９ｇを加え、１０時間加熱還流
した。室温に冷却した後、更にＤＡＳＴ１．０ｇを加え
１０時間加熱還流した。室温に冷却し、反応物を飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液中に注ぎ、有機層を分離し、更
に水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶
媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝９／１）を用い
て精製して、３，４，５−トリフルオロ−１−［トラン
ス−４−［トランス−４−（２，２−ジフルオロエチ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンの白色
結晶０．７ｇを得た。 相転移温度：融点５１℃（Ｃ→Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６２０，１６１０，１５３０，１４
５５，１４４５，１３４５，１２３０，１１２５，１０
３５，１００５，８５０，９５５ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．０（ｍ，２１Ｈ），２．４
（ｍ，１Ｈ），５．５（ｔ，Ｊ＝４６Ｈｚ，１Ｈ）６．
７〜６．９（ｍ，２Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３６０（Ｍ+）
１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジフ
ルオロエチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベン
ゼンの合成 ２−［トランス−４−［トランス−４−（３，４，５−
トリフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］エタナール２．０ｇを、ＴＨＦ４０ｍｌに溶解し
た。これにＤＡＳＴ１．９ｇを加え、１０時間加熱還流
した。室温に冷却した後、更にＤＡＳＴ１．０ｇを加え
１０時間加熱還流した。室温に冷却し、反応物を飽和炭
酸水素ナトリウム水溶液中に注ぎ、有機層を分離し、更
に水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで乾燥した後、溶
媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカゲルカラムクロ
マトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝９／１）を用い
て精製して、３，４，５−トリフルオロ−１−［トラン
ス−４−［トランス−４−（２，２−ジフルオロエチ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼンの白色
結晶０．７ｇを得た。 相転移温度：融点５１℃（Ｃ→Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６２０，１６１０，１５３０，１４
５５，１４４５，１３４５，１２３０，１１２５，１０
３５，１００５，８５０，９５５ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．０（ｍ，２１Ｈ），２．４
（ｍ，１Ｈ），５．５（ｔ，Ｊ＝４６Ｈｚ，１Ｈ）６．
７〜６．９（ｍ，２Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３６０（Ｍ+）
【０１１０】（実施例５） ３，４，５−トリフルオロ
−１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジ
フルオロプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］
ベンゼン（Ｎｏ．５の化合物）の合成
−１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２−ジ
フルオロプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］
ベンゼン（Ｎｏ．５の化合物）の合成
【０１１１】
【化３２】
【０１１２】上記（４−ｂ）で得られた２−［トランス
−４−［トランス−４−（３，４，５−トリフルオロフ
ェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］エタナール
を用いて実施例１と同様にして、３，４，５−トリフル
オロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２
−ジフルオロプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］ベンゼンを得た。 相転移温度：融点９４℃（Ｃ→Ｉ）、７３℃（Ｎ−Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６３０，１６１０，１５３０，１４
５０，１３４５，１２４０，１２２５，１１７５，１１
３０，１０３５，９４０，８５０，７９０ｃｍ-1ＮＭ
Ｒ：δ＝１．０〜２．０（ｍ，２４Ｈ），２．４（ｍ，
１Ｈ），６．７〜６．９（ｍ，２Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３７４（Ｍ+）
−４−［トランス−４−（３，４，５−トリフルオロフ
ェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］エタナール
を用いて実施例１と同様にして、３，４，５−トリフル
オロ−１−［トランス−４−［トランス−４−（２，２
−ジフルオロプロピル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］ベンゼンを得た。 相転移温度：融点９４℃（Ｃ→Ｉ）、７３℃（Ｎ−Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６３０，１６１０，１５３０，１４
５０，１３４５，１２４０，１２２５，１１７５，１１
３０，１０３５，９４０，８５０，７９０ｃｍ-1ＮＭ
Ｒ：δ＝１．０〜２．０（ｍ，２４Ｈ），２．４（ｍ，
１Ｈ），６．７〜６．９（ｍ，２Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３７４（Ｍ+）
【０１１３】（実施例６） ３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（３，３−ジフルオ
ロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
（Ｎｏ．６の化合物）の合成
［トランス−４−［トランス−４−（３，３−ジフルオ
ロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
（Ｎｏ．６の化合物）の合成
【０１１４】
【化３３】
【０１１５】（６−ａ） ４−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］−１，２−エポキシブタンの合
成 トランス−４−（３−ブテニル）−１−［トランス−４
−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキサン２０ｇを、ジクロロメタン６０ｍｌに溶解
した。室温でｍ−クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）１
５．６ｇをジクロロメタン６０ｍｌに溶解して６０分間
で滴下した。室温で２時間、更に溶媒還流下に１時間攪
拌した後、０℃に冷却し、亜硫酸水素ナトリウムと炭酸
水素ナトリウムの混合水溶液を加え、過剰の過酸化物を
分解し、有機層を水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで
乾燥した後、溶媒を溜去し、ヘキサンに溶解してｍ−ク
ロロ過安息香酸を濾過して除去した。シリカゲルカラム
クロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）
を用いて精製して、４−［トランス−４−［トランス−
４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］
シクロヘキシル］−１，２−エポキシブタンの白色結晶
２０．３ｇを得た。
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］−１，２−エポキシブタンの合
成 トランス−４−（３−ブテニル）−１−［トランス−４
−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シ
クロヘキサン２０ｇを、ジクロロメタン６０ｍｌに溶解
した。室温でｍ−クロロ過安息香酸（ｍＣＰＢＡ）１
５．６ｇをジクロロメタン６０ｍｌに溶解して６０分間
で滴下した。室温で２時間、更に溶媒還流下に１時間攪
拌した後、０℃に冷却し、亜硫酸水素ナトリウムと炭酸
水素ナトリウムの混合水溶液を加え、過剰の過酸化物を
分解し、有機層を水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで
乾燥した後、溶媒を溜去し、ヘキサンに溶解してｍ−ク
ロロ過安息香酸を濾過して除去した。シリカゲルカラム
クロマトグラフィー（ヘキサン／酢酸エチル＝４／１）
を用いて精製して、４−［トランス−４−［トランス−
４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］
シクロヘキシル］−１，２−エポキシブタンの白色結晶
２０．３ｇを得た。
【０１１６】（６−ｂ） ４−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］ブタン−２−オールの合成 水素化アルミニウムリチウム（ＬＡＨ）２．２ｇをＴＨ
Ｆ３０ｍｌ中に懸濁した。これに上記（６−ａ）で得ら
れた４−［トランス−４−［トランス−４−（３，４−
ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］−１，２−エポキシブタン２０ｇをＴＨＦ６０ｍｌ
に溶解して、室温で６０分間で滴下した。更に１時間攪
拌した後、塩化アンモニウム水溶液を加えて、過剰の水
素化物を分解し、稀塩酸を加えて、無機物を沈澱させ
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜
去して得られた粗生成物をエタノールで再結晶して、４
−［トランス−４−［トランス−４−（３，４−ジフル
オロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ブタ
ン−２−オールの白色結晶１９．４ｇを得た。
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］ブタン−２−オールの合成 水素化アルミニウムリチウム（ＬＡＨ）２．２ｇをＴＨ
Ｆ３０ｍｌ中に懸濁した。これに上記（６−ａ）で得ら
れた４−［トランス−４−［トランス−４−（３，４−
ジフルオロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシ
ル］−１，２−エポキシブタン２０ｇをＴＨＦ６０ｍｌ
に溶解して、室温で６０分間で滴下した。更に１時間攪
拌した後、塩化アンモニウム水溶液を加えて、過剰の水
素化物を分解し、稀塩酸を加えて、無機物を沈澱させ
た。有機層を無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を溜
去して得られた粗生成物をエタノールで再結晶して、４
−［トランス−４−［トランス−４−（３，４−ジフル
オロフェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ブタ
ン−２−オールの白色結晶１９．４ｇを得た。
【０１１７】（６−ｃ） ４−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］ブタン−２−オンの合成 クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）６．４ｇとシリ
カゲル６．４ｇの混合物を、ジクロロメタン６０ｍｌに
懸濁させた。これに上記（６−ｂ）で得られた４−［ト
ランス−４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロフ
ェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ブタン−２
−オール６．９５ｇのジクロロメタン１４ｍｌ溶液を一
度に加えた。３時間攪拌した後、トルエン６０ｍｌを加
えてセライトろ過した。溶媒を溜去して得られた粗生成
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／
酢酸エチル９／１）を用いて精製して、４−［トランス
−４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ブタン−２−オ
ンの白色結晶６．５ｇを得た。
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］ブタン−２−オンの合成 クロロクロム酸ピリジニウム（ＰＣＣ）６．４ｇとシリ
カゲル６．４ｇの混合物を、ジクロロメタン６０ｍｌに
懸濁させた。これに上記（６−ｂ）で得られた４−［ト
ランス−４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロフ
ェニル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ブタン−２
−オール６．９５ｇのジクロロメタン１４ｍｌ溶液を一
度に加えた。３時間攪拌した後、トルエン６０ｍｌを加
えてセライトろ過した。溶媒を溜去して得られた粗生成
物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／
酢酸エチル９／１）を用いて精製して、４−［トランス
−４−［トランス−４−（３，４−ジフルオロフェニ
ル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ブタン−２−オ
ンの白色結晶６．５ｇを得た。
【０１１８】（６−ｄ） ３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（３，３−ジフルオ
ロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
の合成 上記（６−ｃ）で得られた４−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］ブタン−２−オン６．５ｇをＴ
ＨＦに溶解した。これにＤＡＳＴ６．０１ｇを加え１０
時間加熱還流した。室温に冷却した後、更にＤＡＳＴ
４．０ｇを加え１０時間加熱還流した。室温に冷却し、
反応物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液中に注ぎ、有機
層を分離し、更に水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで
乾燥した後、溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝
９／１）を用いて精製して、３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（３，３−ジフルオ
ロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
の白色結晶３．８ｇを得た。 相転移温度：融点６５℃（Ｃ→Ｎ）、１０２℃（Ｎ−
Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６０５，１５１５，１４４５，１３
９０、１２８５，１２７０、１２１０、１１８５、１１
３５、１１２０，９００，８６０，８１０ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．５（ｍ，２７Ｈ），６．８〜
７．２（ｍ，３Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３７０（Ｍ+）
［トランス−４−［トランス−４−（３，３−ジフルオ
ロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
の合成 上記（６−ｃ）で得られた４−［トランス−４−［トラ
ンス−４−（３，４−ジフルオロフェニル）シクロヘキ
シル］シクロヘキシル］ブタン−２−オン６．５ｇをＴ
ＨＦに溶解した。これにＤＡＳＴ６．０１ｇを加え１０
時間加熱還流した。室温に冷却した後、更にＤＡＳＴ
４．０ｇを加え１０時間加熱還流した。室温に冷却し、
反応物を飽和炭酸水素ナトリウム水溶液中に注ぎ、有機
層を分離し、更に水で洗滌した。無水硫酸ナトリウムで
乾燥した後、溶媒を溜去し、得られた粗生成物をシリカ
ゲルカラムクロマトグラフィー（ヘキサン／トルエン＝
９／１）を用いて精製して、３，４−ジフルオロ−１−
［トランス−４−［トランス−４−（３，３−ジフルオ
ロブチル）シクロヘキシル］シクロヘキシル］ベンゼン
の白色結晶３．８ｇを得た。 相転移温度：融点６５℃（Ｃ→Ｎ）、１０２℃（Ｎ−
Ｉ） ＩＲ（ＫＢｒ）：１６０５，１５１５，１４４５，１３
９０、１２８５，１２７０、１２１０、１１８５、１１
３５、１１２０，９００，８６０，８１０ｃｍ-1 ＮＭＲ：δ＝１．０〜２．５（ｍ，２７Ｈ），６．８〜
７．２（ｍ，３Ｈ） ＭＳ：ｍ／ｅ＝３７０（Ｍ+）
【０１１９】（実施例７） 液晶組成物の調製（１）
以下の組成からなるフェニルシクロヘキサン系の母体液
晶（Ａ）
晶（Ａ）
【０１２０】
【化３４】
【０１２１】（式中、シクロヘキサン環はトランス配置
を表わす。）を調製した。この母体液晶（Ａ）は５４．
５℃以下でネマチック（Ｎ）相を示した。その物性値及
びこれを用いて作製したＴＮセルのしきい値電圧
（Ｖth）は以下の通りであった。
を表わす。）を調製した。この母体液晶（Ａ）は５４．
５℃以下でネマチック（Ｎ）相を示した。その物性値及
びこれを用いて作製したＴＮセルのしきい値電圧
（Ｖth）は以下の通りであった。
【０１２２】誘電率異方性（Δε） ６．７
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９２
しきい値電圧（Ｖth） １．６０Ｖ
この母体液晶（Ａ）８０％及び実施例１の（Ｎｏ．１）
の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製し
た。この組成物（Ｍ−１）のＮ相の上限温度（ＴN-I）
及びその物性値は以下の通りであった。
の化合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−１）を調製し
た。この組成物（Ｍ−１）のＮ相の上限温度（ＴN-I）
及びその物性値は以下の通りであった。
【０１２３】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ５７．２℃
誘電率異方性（Δε） ６．５
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９０
しきい値電圧（Ｖth） １．４５Ｖ
このことから、（Ｎｏ．１）の化合物は、組成物のＮ相
の上限温度を上昇させるとともに、しきい値電圧を低減
させる効果を併せ持っていることが明らかである。
の上限温度を上昇させるとともに、しきい値電圧を低減
させる効果を併せ持っていることが明らかである。
【０１２４】（比較例１）実施例７において、（Ｎｏ．
１）の化合物に代えて、末端基が直鎖状アルキル基であ
り、これまで同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−１）
１）の化合物に代えて、末端基が直鎖状アルキル基であ
り、これまで同様の目的に用いられてきた式（Ｒ−１）
【０１２５】
【化３５】
【０１２６】の化合物用い、この式（Ｒ−１）の化合物
２０％及び母体液晶（Ａ）８０％からなる液晶組成物
（Ｎ−１）を調製した。この組成物（Ｎ−１）のＮ相の
上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであっ
た。
２０％及び母体液晶（Ａ）８０％からなる液晶組成物
（Ｎ−１）を調製した。この組成物（Ｎ−１）のＮ相の
上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであっ
た。
【０１２７】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ７２．５℃
誘電率異方性（Δε） ６．３
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９５
しきい値電圧（Ｖth） １．９１Ｖ
このように、Ｎ相の上限温度は組成物（Ｍ−１）に比べ
て少し高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も組成物（Ｍ
−１）に比べるとかなり高い値であった。（Ｎ−１）の
誘電率異方性（Δε）は（Ｍ−１）よりやや小さい程度
なので、（１）式から式（Ｒ−１）の化合物の弾性定数
は、（Ｎｏ．１）の化合物に比べるとかなり大きいと考
えられる。
て少し高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も組成物（Ｍ
−１）に比べるとかなり高い値であった。（Ｎ−１）の
誘電率異方性（Δε）は（Ｍ−１）よりやや小さい程度
なので、（１）式から式（Ｒ−１）の化合物の弾性定数
は、（Ｎｏ．１）の化合物に比べるとかなり大きいと考
えられる。
【０１２８】（比較例２）実施例７において、（Ｎｏ．
１）の化合物に代えて、末端基が直鎖状アルキル基であ
る式（Ｒ−２）
１）の化合物に代えて、末端基が直鎖状アルキル基であ
る式（Ｒ−２）
【０１２９】
【化３６】
【０１３０】の化合物を用い、この式（Ｒ−２）の化合
物２０％及び母体液晶（Ａ）８０％からなる液晶組成物
（Ｎ−２）を調製した。この組成物（Ｎ−２）のＮ相の
上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであっ
た。
物２０％及び母体液晶（Ａ）８０％からなる液晶組成物
（Ｎ−２）を調製した。この組成物（Ｎ−２）のＮ相の
上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであっ
た。
【０１３１】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ６５．３℃
誘電率異方性（Δε） ７．２
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９４
しきい値電圧（Ｖth） １．６７Ｖ
このように、Ｎ相の上限温度は（Ｍ−１）に比べて少し
高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も組成物（Ｍ−１）
に比べるとかなり高い値であった。（Ｎ−２）の誘電率
異方性（Δε）は組成物（Ｍ−１）より大きいので、
（１）式から式（Ｒ−２）の化合物の弾性定数もまた、
（Ｎｏ．１）の化合物に比べるとかなり大きいと考えら
れる。
高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も組成物（Ｍ−１）
に比べるとかなり高い値であった。（Ｎ−２）の誘電率
異方性（Δε）は組成物（Ｍ−１）より大きいので、
（１）式から式（Ｒ−２）の化合物の弾性定数もまた、
（Ｎｏ．１）の化合物に比べるとかなり大きいと考えら
れる。
【０１３２】（実施例８） 液晶組成物の調製（２）
母体液晶（Ａ）８０％及び実施例３の（Ｎｏ．３）の化
合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。
この（Ｍ−２）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物
性値は以下の通りであった。
合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−２）を調製した。
この（Ｍ−２）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物
性値は以下の通りであった。
【０１３３】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ５８．７℃
誘電率異方性（Δε） ６．９
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９０
しきい値電圧（Ｖth） １．５４Ｖ
このように、Ｎ相の上限温度は上昇し、しかもしきい値
電圧は低下した。誘電率異方性（Δε）はあまり変化が
ないため、前述の（１）式から、（Ｎｏ．３）の化合物
の弾性定数（Ｋ）もかなり小さいと考えられる。
電圧は低下した。誘電率異方性（Δε）はあまり変化が
ないため、前述の（１）式から、（Ｎｏ．３）の化合物
の弾性定数（Ｋ）もかなり小さいと考えられる。
【０１３４】（実施例９） 液晶組成物の調製（３）
母体液晶（Ａ）８０％及び実施例６の（Ｎｏ．６）の化
合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−３）を調製した。
この（Ｍ−３）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物
性値は以下の通りであった。
合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−３）を調製した。
この（Ｍ−３）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物
性値は以下の通りであった。
【０１３５】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ５９．５℃
誘電率異方性（Δε） ５．８
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９１
しきい値電圧（Ｖth） １．５０Ｖ
このように、Ｎ相の上限温度が上昇し、しかもしきい値
電圧は低下した。組成物（Ｍ−３）の誘電率異方性（Δ
ε）は小さいため、前述の（１）式から、（Ｎｏ．６）
の化合物の弾性定数（Ｋ）もかなり小さいと考えられ
る。
電圧は低下した。組成物（Ｍ−３）の誘電率異方性（Δ
ε）は小さいため、前述の（１）式から、（Ｎｏ．６）
の化合物の弾性定数（Ｋ）もかなり小さいと考えられ
る。
【０１３６】また、この組成物を低温で長時間放置した
が、析出等は全く観察されなかった。従って、（Ｎｏ．
６）の化合物は従来の液晶化合物との相溶性にも優れて
いることがわかる。
が、析出等は全く観察されなかった。従って、（Ｎｏ．
６）の化合物は従来の液晶化合物との相溶性にも優れて
いることがわかる。
【０１３７】（比較例３）実施例９において（Ｎｏ．
６）の化合物に代えて、末端基が直鎖状アルキル基であ
る式（Ｒ−３）
６）の化合物に代えて、末端基が直鎖状アルキル基であ
る式（Ｒ−３）
【０１３８】
【化３７】
【０１３９】の化合物２０％及び母体液晶（Ａ）８０％
からなる液晶組成物（Ｎ−３）を調製した。この（Ｎ−
３）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下
の通りであった。
からなる液晶組成物（Ｎ−３）を調製した。この（Ｎ−
３）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下
の通りであった。
【０１４０】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ６４．８℃
誘電率異方性（Δε） ７．０
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９３
しきい値電圧（Ｖth） １．６０Ｖ
このように、Ｎ相の上限温度は（Ｍ−２）、（Ｍ−３）
に比べて少し高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も（Ｍ
−２）、（Ｍ−３）に比べるとかなり高く、しきい値電
圧を低下させる効果は認められなかった。組成物（Ｎ−
３）の誘電率異方性（Δε）は組成物（Ｍ−２）、（Ｍ
−３）よりかなり大きいので、（１）式から式（Ｒ−
３）の化合物の弾性定数は、（Ｎｏ．３）、（Ｎｏ．
６）の化合物に比べるとかなり大きいと考えられる。
に比べて少し高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も（Ｍ
−２）、（Ｍ−３）に比べるとかなり高く、しきい値電
圧を低下させる効果は認められなかった。組成物（Ｎ−
３）の誘電率異方性（Δε）は組成物（Ｍ−２）、（Ｍ
−３）よりかなり大きいので、（１）式から式（Ｒ−
３）の化合物の弾性定数は、（Ｎｏ．３）、（Ｎｏ．
６）の化合物に比べるとかなり大きいと考えられる。
【０１４１】（実施例１０） 液晶組成物の調製（４）
母体液晶（Ａ）８０％及び実施例５の（Ｎｏ．５）の化
合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−４）を調製した。
この（Ｍ−４）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物
性値は以下の通りであった。
合物２０％からなる液晶組成物（Ｍ−４）を調製した。
この（Ｍ−４）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物
性値は以下の通りであった。
【０１４２】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ５２．４℃
誘電率異方性（Δε） ６．８
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９０
しきい値電圧（Ｖth） １．３８Ｖ
このように、Ｎ相の上限温度はほとんど変化がなく、し
きい値電圧は大幅に低下した。組成物（Ｍ−４）の誘電
率異方性（Δε）はほとんど大きくなっていないため、
前述の（１）式から考えて、（Ｎｏ．５）の化合物の弾
性定数（Ｋ）は相当小さいと考えられる。
きい値電圧は大幅に低下した。組成物（Ｍ−４）の誘電
率異方性（Δε）はほとんど大きくなっていないため、
前述の（１）式から考えて、（Ｎｏ．５）の化合物の弾
性定数（Ｋ）は相当小さいと考えられる。
【０１４３】また、この組成物を低温で長時間放置した
が、析出等は全く観察されなかった。従って、（Ｎｏ．
５）の化合物は従来の液晶化合物との相溶性にも優れて
いることがわかる。
が、析出等は全く観察されなかった。従って、（Ｎｏ．
５）の化合物は従来の液晶化合物との相溶性にも優れて
いることがわかる。
【０１４４】（比較例４）実施例１０において（Ｎｏ．
５）の化合物に代えて、末端基が直鎖状アルキル基であ
る式（Ｒ−４）
５）の化合物に代えて、末端基が直鎖状アルキル基であ
る式（Ｒ−４）
【０１４５】
【化３８】
【０１４６】の化合物を用い、この式（Ｒ−４）の化合
物２０％及び母体液晶（Ａ）８０％からなる液晶組成物
（Ｎ−４）を調製した。この組成物（Ｎ−４）のＮ相の
上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであっ
た。
物２０％及び母体液晶（Ａ）８０％からなる液晶組成物
（Ｎ−４）を調製した。この組成物（Ｎ−４）のＮ相の
上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであっ
た。
【０１４７】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） ５９．５℃
誘電率異方性（Δε） ７．３
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９１
しきい値電圧（Ｖth） １．５３Ｖ
このように、Ｎ相の上限温度は組成物（Ｍ−４）に比べ
て少し高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も（Ｍ−４）
に比べるとかなり高い。組成物（Ｎ−４）の誘電率異方
性（Δε）は（Ｍ−４）よりかなり大きいので、（１）
式から式（Ｒ−４）の化合物の弾性定数は、（Ｎｏ．
５）の化合物に比べるとかなり大きいと考えられる。
て少し高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も（Ｍ−４）
に比べるとかなり高い。組成物（Ｎ−４）の誘電率異方
性（Δε）は（Ｍ−４）よりかなり大きいので、（１）
式から式（Ｒ−４）の化合物の弾性定数は、（Ｎｏ．
５）の化合物に比べるとかなり大きいと考えられる。
【０１４８】（実施例１１） 液晶組成物の調製（５）
特にアクティブマトリックス駆動用として好適な母体液
晶（Ｂ）
晶（Ｂ）
【０１４９】
【化３９】
【０１５０】（式中、シクロヘキサン環はトランス配置
を表わす。）を調製した。この母体液晶（Ｂ）は１１
６．７℃以下でネマチック相を示した。その物性値及び
これを用いて作製したＴＮセルのしきい値電圧（Ｖth）
は以下の通りであった。
を表わす。）を調製した。この母体液晶（Ｂ）は１１
６．７℃以下でネマチック相を示した。その物性値及び
これを用いて作製したＴＮセルのしきい値電圧（Ｖth）
は以下の通りであった。
【０１５１】誘電率異方性（Δε） ４．７
屈折率異方性（Δｎ） ０．０９０
しきい値電圧（Ｖth） ２．４３Ｖ
この母体液晶（Ｂ）７０％及び実施例１の（Ｎｏ．１）
の化合物３０％からなる液晶組成物（Ｍ−５）を調製し
た。この（Ｍ−５）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びそ
の物性値は以下の通りであった。
の化合物３０％からなる液晶組成物（Ｍ−５）を調製し
た。この（Ｍ−５）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びそ
の物性値は以下の通りであった。
【０１５２】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） １０８．１
℃ 誘電率異方性（Δε） ４．５ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８４ しきい値電圧（Ｖth） ２．２３Ｖ このことから、（Ｎｏ．１）の化合物は母体液晶（Ｂ）
に添加することにより、Ｎ相の上限温度をほとんど低下
させずにしきい値電圧を低減できることが明らかであ
る。
℃ 誘電率異方性（Δε） ４．５ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８４ しきい値電圧（Ｖth） ２．２３Ｖ このことから、（Ｎｏ．１）の化合物は母体液晶（Ｂ）
に添加することにより、Ｎ相の上限温度をほとんど低下
させずにしきい値電圧を低減できることが明らかであ
る。
【０１５３】（比較例５）実施例１１において、（Ｎ
ｏ．１）の化合物に代えて、前述の式（Ｒ−２）
ｏ．１）の化合物に代えて、前述の式（Ｒ−２）
【０１５４】
【化４０】
【０１５５】の化合物を用い、この式（Ｒ−２）の化合
物３０％及び母体液晶（Ｂ）７０％からなる液晶組成物
（Ｎ−５）を調製した。この組成物（Ｎ−５）のＮ相の
上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであっ
た。
物３０％及び母体液晶（Ｂ）７０％からなる液晶組成物
（Ｎ−５）を調製した。この組成物（Ｎ−５）のＮ相の
上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下の通りであっ
た。
【０１５６】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） １１９．４
℃ 誘電率異方性（Δε） ５．６ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６ しきい値電圧（Ｖth） ２．３５Ｖ このように、Ｎ相の上限温度は組成物（Ｍ−５）に比べ
て少し高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も（Ｍ−５）
に比べるとかなり高い。組成物（Ｎ−５）の誘電率異方
性（Δε）は（Ｍ−５）より大きいので、（１）式から
式（Ｒ−２）の化合物の弾性定数もまた、（Ｎｏ．１）
の化合物に比べるとかなり大きいと考えられる。
℃ 誘電率異方性（Δε） ５．６ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６ しきい値電圧（Ｖth） ２．３５Ｖ このように、Ｎ相の上限温度は組成物（Ｍ−５）に比べ
て少し高いものの、しきい値電圧（Ｖth）も（Ｍ−５）
に比べるとかなり高い。組成物（Ｎ−５）の誘電率異方
性（Δε）は（Ｍ−５）より大きいので、（１）式から
式（Ｒ−２）の化合物の弾性定数もまた、（Ｎｏ．１）
の化合物に比べるとかなり大きいと考えられる。
【０１５７】（実施例１２） 液晶組成物の調製（６）
母体液晶（Ｂ）７０％及び（Ｎｏ．３）の化合物３０％
からなる液晶組成物（Ｍ−６）を調製した。この（Ｍ−
６）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下
の通りであった。
からなる液晶組成物（Ｍ−６）を調製した。この（Ｍ−
６）のＮ相の上限温度（ＴN-I）及びその物性値は以下
の通りであった。
【０１５８】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） １１１．０
℃ 誘電率異方性（Δε） ４．９ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６ しきい値電圧（Ｖth） ２．１９Ｖ このことから、（Ｎｏ．３）の化合物は組成物のＮ相の
上限温度をわずかに低下させるものの、しきい値電圧を
非常に効果的に低減できることが明らかである。
℃ 誘電率異方性（Δε） ４．９ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６ しきい値電圧（Ｖth） ２．１９Ｖ このことから、（Ｎｏ．３）の化合物は組成物のＮ相の
上限温度をわずかに低下させるものの、しきい値電圧を
非常に効果的に低減できることが明らかである。
【０１５９】（比較例６）実施例１２において、（Ｎ
ｏ．３）の化合物に代えて、前述の式（Ｒ−３）
ｏ．３）の化合物に代えて、前述の式（Ｒ−３）
【０１６０】
【化４１】
【０１６１】の化合物を用い、この式（Ｒ−３）の化合
物３０％及び母体液晶（Ｂ）７０％からなる液晶組成物
（Ｎ−６）を調製した。この（Ｎ−６）のＮ相の上限温
度（Ｔ N-I）及びその物性値は以下の通りであった。
物３０％及び母体液晶（Ｂ）７０％からなる液晶組成物
（Ｎ−６）を調製した。この（Ｎ−６）のＮ相の上限温
度（Ｔ N-I）及びその物性値は以下の通りであった。
【０１６２】Ｎ相の上限温度（ＴN-I） １１７．２
℃ 誘電率異方性（Δε） ５．４ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６ しきい値電圧（Ｖth） ２．３３Ｖ このようにＮ相の上限温度は（Ｍ−６）に比べて少し高
いものの、しきい値電圧（Ｖth）も（Ｍ−６）に比べる
とかなり高い。
℃ 誘電率異方性（Δε） ５．４ 屈折率異方性（Δｎ） ０．０８６ しきい値電圧（Ｖth） ２．３３Ｖ このようにＮ相の上限温度は（Ｍ−６）に比べて少し高
いものの、しきい値電圧（Ｖth）も（Ｍ−６）に比べる
とかなり高い。
【０１６３】
【発明の効果】本発明に係わる一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物は、ネマチック相の上限温度が比較的高く、現
在汎用されているネマチック液晶材料との相溶性に優れ
ている。しかも、この化合物は、添加によって液晶組成
物のネマチック相の上限温度をほとんど低下させること
なく、しきい値電圧を大きく低下させる効果を有する。
しかも、分子内にシアノ基やエステル基など極性の強い
基が存在せず、熱、光、水等に対し、化学的にも極めて
安定である。従って、添加によって高い比抵抗と電圧保
持率を有する液晶組成物を容易に調製することができ、
特にアクティブマトリックス駆動用液晶材料として有用
である。
る化合物は、ネマチック相の上限温度が比較的高く、現
在汎用されているネマチック液晶材料との相溶性に優れ
ている。しかも、この化合物は、添加によって液晶組成
物のネマチック相の上限温度をほとんど低下させること
なく、しきい値電圧を大きく低下させる効果を有する。
しかも、分子内にシアノ基やエステル基など極性の強い
基が存在せず、熱、光、水等に対し、化学的にも極めて
安定である。従って、添加によって高い比抵抗と電圧保
持率を有する液晶組成物を容易に調製することができ、
特にアクティブマトリックス駆動用液晶材料として有用
である。
フロントページの続き
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07C 25/18 - 25/22
C09K 19/30
ＣＡ（ＳＴＮ)
ＲＥＧＩＳＴＲＹ（ＳＴＮ)
Claims (5)
- 【請求項１】 一般式（Ｉ） 【化１】 （式中、、ｍは０〜５の整数を表わし、ｎは１〜５の整
数を表わし、Ｚ1及びＺ2はそれぞれ独立的に、単結合又
は−ＣＨ2ＣＨ2−を表わすが、少なくとも一方は単結合
を表わし、環Ａはトランス−１，４−シクロヘキシレン
基又は１，４−フェニレン基を表わし、Ｘ及びＹはそれ
ぞれ独立的に水素原子又はフッ素原子を表わす。）で表
わされる化合物。 - 【請求項２】 Ｚ1及びＺ2が共に単結合を表わす請求項
１記載の化合物。 - 【請求項３】 環Ａがトランス−１，４−シクロヘキシ
レン基を表わす請求項２記載の化合物。 - 【請求項４】 Ｘ及びＹの少なくとも一方がフッ素原子
を表わす請求項３記載の化合物。 - 【請求項５】 請求項１記載の一般式（Ｉ）で表わされ
る化合物を含有する液晶組成物。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP19631093A JP3531182B2 (ja) | 1992-10-06 | 1993-08-06 | ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体 |
Applications Claiming Priority (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26732392 | 1992-10-06 | ||
| JP29134992 | 1992-10-29 | ||
| JP4-267323 | 1992-10-29 | ||
| JP4-291349 | 1992-10-29 | ||
| JP19631093A JP3531182B2 (ja) | 1992-10-06 | 1993-08-06 | ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06192142A JPH06192142A (ja) | 1994-07-12 |
| JP3531182B2 true JP3531182B2 (ja) | 2004-05-24 |
Family
ID=27327224
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP19631093A Expired - Fee Related JP3531182B2 (ja) | 1992-10-06 | 1993-08-06 | ジフルオロアルキルシクロヘキサン誘導体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3531182B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20160035173A (ko) | 2014-09-22 | 2016-03-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 액정 화합물, 이를 포함하는 액정 조성물 및 이를 포함하는 액정 디스플레이 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4113310A1 (de) | 1990-04-27 | 1991-10-31 | Merck Patent Gmbh | Phenylcyclohexane und fluessigkristallines medium |
-
1993
- 1993-08-06 JP JP19631093A patent/JP3531182B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE4113310A1 (de) | 1990-04-27 | 1991-10-31 | Merck Patent Gmbh | Phenylcyclohexane und fluessigkristallines medium |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH06192142A (ja) | 1994-07-12 |
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