JP3328910B2 - 液晶媒体 - Google Patents
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Description
よび本媒体を含有するディスプレイに関する。
光学特性を左右することができるので、ディスプレイデ
バイス中の誘電体として主に使用されている。液晶に基
づく電気光学デバイスは当業者に極めてよく知られてお
り、種々の効果に基礎を置くことができる。この種のデ
バイスは、例えば、動的散乱効果を有するセル、DAP
[整列相の変形(deformation of aligned phases)]
セル、ゲスト/ホストセル、ねじれネマチック構造を有
するTNセル、STN[超ねじれネマチック(super−twiste
d nematic)]セル、SBE[超複屈折効果(super−biref
ringence effect)]セルおよびOMI[光学的モード干渉
(optical modeinterference)]セルである。最も一般
的なディスプレイデバイスはシャット−ヘルフリッヒ
(Schadt−Helfrich)効果に基づき、ねじれネマチック
構造を有するものである。
よび電磁放射線に対する良好な安定性を有していなけれ
ばならない。さらに、液晶材料は低粘度であり、かつセ
ル中において短いアドレス時間、低いしきい電圧および
高いコントラストを与えるべきである。さらに、液晶材
料は通常の動作温度、すなわち室温以上および以下ので
きるだけ広い範囲において適切なメソ相、例えば上述の
セル用のネマチックまたはコレステリックメソ相を有す
るべきである。液晶は複数の成分の混合物として一般に
使用されるので、それらの成分が互いに容易に混和でき
ることが重要である。導電性、誘電異方性および光学異
方性のようなさらに他の特性がセルの種類および用途分
野に応じた種々の要件を満たさねばならない。例えば、
ねじれネマチック構造を有するセル用の材料は正の誘電
異方性および低い導電性を有するべきである。
子を含んでいるマトリックス液晶ディスプレイ(MLCデ
ィスプレイ)に望ましい媒体は高い正の誘電異方性、広
いネマチック相、比較的低い複屈折性、非常に高い比抵
抗、比抵抗の良好なUVおよび温度安定性、および低い蒸
気圧を有しているものである。
る。個々の像点をそれぞれ切り替えるために使用するこ
とができる非線形素子の例はアクティブ素子(すなわ
ち、トランジスタ)である。そこで、これを「アクティ
ブマトリックス」と称し、2タイプ、すなわち 1.基板としてのシリコンウエハ上のMOS(金属酸化物半
導体)トランジスタ 2.基板としてのガラス板上の薄膜トランジスタ(TFT) に区別することができる。
部分ディスプレイのモジュール集成体でさえ結合部に問
題が生じるので、ディスプレイの大きさが制限される。
光学効果として通常使用される。二つの技術、すなわ
ち、例えばCdSeのような化合物半導体から成るTFTと多
結晶またはアモルファスシリコンに基づくTFTとに区別
される。後者の技術は猛烈な激しさで世界中で研究努力
されている。
内側に付け、他方のガラス板はその内側に透明な対向電
極を支持している。像点電極の大きさと比べてTFTは非
常に小さいので、像にほとんど悪影響を及ぼさない。こ
の技術は、各フィルター素子が切り替え可能な画像素子
と対向して位置するようにモザイク状の赤、緑および青
フィルターを配設するフルカラー可能な画像表示に拡げ
ることもできる。
セルとして通常作用し、背後から照明される。
非線形素子を有するいかなるマトリックスディスプレ
イ、すなわちアクティブマトリックスに加えてバリスタ
またはダイオード(MIM=金属−絶縁体−金属)等のパ
ッシブ素子を有するディスプレイも包含するものであ
る。
ケットテレビ受像機)に、またはコンピューター用(ラ
ップトップ)および自動車もしくは航空機構造における
高い情報量のディスプレイに適している。MLCディスプ
レイにおいては、コントラストの角度依存性および応答
時間に関する問題以外に、液晶混合物の不十分な比抵抗
のために種々の問題が生じる[トガシ(TOGASHI),S.、
セキグチ(SEKIGUCHI),K.、タナベ(TANABE),H.、ヤ
マモト(YAMAMOTO),E.、ソリマチ(SORIMACHI),K.、
タジマ(TAJIMA),E.、ワタナベ(WATANABE),H.、シミ
ズ(SHIMIZU),H.、Proc.Eurodisplay 84(1984年9
月):「二段ダイオードリングによって制御されるA210
〜288マトリックスLCD(A 210−288 Matrix LCD Contro
lled by Double Stage Diode Rings)」、141頁以降、
パリ;ストロマー(STROMER),M.、Proc.Eurodisplay 8
4(1984年9月):「テレビ用液晶ディスプレイのマト
リックスをアドレスするための薄膜トランジスタの設計
(Design of ThinFilm Transistors for Matrix Adress
ing[sic]of Television Liquid Crystal Display
s)」、145頁以降、パリ]。抵抗が低下するほど、MLC
ディスプレイのコントラストが劣化し、「残像消去」の
問題が生じうる。一般に、液晶混合物の比抵抗はMLCデ
ィスプレイの内面との相互作用のためにディスプレイの
生涯に亘って低下するので、容認できる運用寿命を得る
ために高い(初期)抵抗が非常に重要である。特に、低
電圧混合物の場合に、非常に高い比抵抗を達成すること
はこれまでのところ不可能であった。さらに、温度の上
昇につれておよび加熱および/またはUV露光後に比抵抗
ができるだけ上昇しないことが重要である。さらに、あ
る種の用途においては、高い複屈折性、低いしきい電
圧、「逆チルト」ドメインを避けるために比較的高い表
面チルト角、低い粘度、広いネマチックメソ相および良
好な低温安定性が必要である。しかしながら、従来技術
のMLCディスプレイはこれらの現下の要求を満たしてい
ない。
ば、≧70℃の透明点)を有し、かつ極限条件(例えば、
UV露光後)下に約98%の保持率値を望む場合に約1.8ボ
ルトのしきい電圧を有する液晶媒体を製造することはこ
れまで可能であった。
僅かしか有せず、同時に広い動作温度範囲、短い応答時
間および低いしきい電圧を伴う非常に高い比抵抗を有す
るMLCディスプレイをなお大いに必要としている。
以下の利点を促進する媒体が望ましい: − ネマチック相範囲の拡大(特に、低温に至るまで) − 極めて低い温度における切替え性(野外用途、自動
車、アビオニックス) − UV光に対する安定性の向上(より長い寿命)。
を保持しながらこれらの利点を得ることが不可能であ
る。
ックス性および/またはより低いしきい電圧および/ま
たはより広いネマチック相範囲(特に低温において)を
有する媒体が望ましい。このために、利用しうるパラメ
ーターの寛容度(透明点、スメクチック−ネマチック転
移点または融点、粘度、誘電値、弾性値)をさらに拡大
することが緊急に望まれる。
ほんの僅かしか有せず、同時に非常に高い比抵抗および
低いしきい電圧を有するのが好ましいこの種のMLC、TN
またはSTNディスプレイ用の媒体を提供することにあ
る。
この目的を達成することができることをここに見出し
た。
化合物の混合物を基礎とする液晶媒体であって、一般式
I (式中、Xはフッ素、塩素、CF3、OCF3またはOCHF2であ
り、環Aはトランス−1,4−シクロヘキシレンまたは1,4
−フェニレンであり、そしてRは、それぞれの場合に7
個までの炭素原子を有するアルキル、オキサアルキル、
フルオロアルキルまたはアルケニルである)の1種また
はそれ以上の化合物を含有することを特徴とする液晶媒
体に関する。
プレイ(特に、フレームと共にセルを形成する2枚の平
らな平行外板、前記外板上の個々の画素を切り替えるた
めの集積非線形素子、および前記セル中に設けられた、
正の誘電異方性および高い比抵抗のネマチック液晶混合
物を有するSTNまたはMLCディスプレイ)および電気光学
的目的にこれらの媒体を使用することにも関する。
の著しい拡大を容易にする。
る。これらの化合物は公知のニトリル等の高極性化合物
ではなくて、1、4部位で直接または2価の橋掛け部員
を介して互いに結合され、また2個の末端基に末端結合
されている2個、3個または4個の6員炭素環または複
素環を有する棒状構造の中位の極性の化合物である。こ
れらの末端基の一方は、例えばアルキル、アルコキシ、
オキサアルキル、ジオキサアルキル、アルケニル、フル
オロアルキルまたはフルオロアルケニル等の非極性基で
あり、他方の末端基は、例えばフッ素、塩素、ジフルオ
ロアルキル、より高度にフッ素化されたアルキル、アル
コキシ、アルケニル、アルケニルオキシまたはアルカノ
イルオキシ等のハロゲン化された中位の極性基である。
はフッ素でラテラルに置換されてもよいこの群の中位の
極性化合物の代表である。
定性および誘電異方性の達成可能な組合せは従来技術か
らの既存の物質よりはるかに優れている。
Δεの要件はこれまで不満足な程度にしか達成されなか
った。例えば、ZLI−3119等の系は同等の透明点および
比較的有利な粘度を有しているけれど、それらのΔεは
+3でしかない。
が、60℃の範囲の透明点しか有していない。
において≦600、好ましくは≦550mPa.S;−40℃において
≦1800、好ましくは≦1700mPa.s)、および≧3.5、好ま
しくは≧4.0の誘電異方性値、65゜以上、好ましくは70
゜以上の透明点および比抵抗の高い値を同時に達成する
ことを可能とする。このことは優れたSTNおよびMLCディ
スプレイを得ることができることを意味する。
ることによって、他の有利な特性を保持しながらより高
いしきい電圧でより高い透明点(例えば、90゜以上)を
達成し、またはより低いしきい電圧でより低い透明点を
達成することも可能となる。本発明のMLCディスプレイ
はグーチ(Gooch)およびタリー(Tarry)[C.H.グーチ
およびH.A.タリー、Electron.Lett.10、2〜4頁(1974
年);C.H.グーチおよびH.A.タリー、Appl.Phys.、8
巻、1575〜1584頁(1975年)]の第一の透過極小(firs
t transmission minumum)で操作するのが好ましい。例
えば、類似のディスプレイにおけると同様なしきい電圧
において特性の傾斜がきついことおよびコントラストの
低い角度依存性(ドイツ特許第30 22 818号)等の特に
好ましい電気光学特性以外に、この場合は第二の極小に
おけるより低い誘電異方性で十分である。この結果、本
発明の混合物を用いて、シアノ系化合物を含有する混合
物を使用するより著しく高い比抵抗を第一の極小におい
て達成することができる。当業者は通常の方法を単に用
いて個々の成分およびそれらの重量割合を適切に選択す
ることによってMLCディスプレイの予め特定した層厚さ
に必要な複屈折を生じさせることができる。
のが好ましい。
80゜であるのが好ましい。この範囲は少なくとも−30゜
から+85゜に及ぶのが好ましい。
[S.マツモト(Matsumoto)等、Liquid Crystals、5、
1320頁(1989年);K.ニワ(Niwa)等、SID会議録、サン
フランシスコ、1984年6月、304頁(1984年);G.ウェー
バー(Weber)等、Liquid Crystals、5、1381頁(1989
年]を測定することによって、式Iの化合物を含んでい
る本発明の混合物は、式Iの化合物を式 のシアノフェニルシクロヘキサン類と置き換えた類似混
合物より温度の上昇に伴うHRの低下が著しく小さいこと
が示された。本発明の混合物のUV安定性もかなり良好で
ある、すなわち、それらはUV露光に際し著しく小さいHR
の低下を示す。
ト、好ましくは1.4〜1.6ボルトの範囲である。
て極めて有利な弾性定数および非常に有利な粘度を特徴
とし、特にTFTディスプレイに使用する場合に従来の媒
体より顕著な利益を得る。
れ以上)の化合物を基礎とする、すなわち、これらの化
合物の割合が≧25%、好ましくは≧40%であるのが好ま
しい。
びそれらの下位式の個々の化合物は公知であるか、また
は公知化合物に準じて製造することができる。
キル、オキサアルキル、フルオロアルキルまたはアルケ
ニル、 Q:−C2H4−、−C4H8−または−CO−O−、 X:F、Cl、CF3、OCF3またはOCHF2、 Y:HまたはF A:トランス−1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−フェ
ニレン、 r:0または1) から成る群から選択される1種以上の化合物をさらに含
有する。
以上の化合物を含有する。
は−C2H4−、−CO−O−または−O−CO−である)から
成る群から選択される1種以上の化合物を含有する。
て式II〜IVに定義した通りである)から成る群から選択
される1種以上の化合物をさらに含有する。
くとも50重量%である。
ある。
%である。
る。
はアルケニルである。
る。
である。
合物から実質的に成る。
1種以上の化合物を含有する液晶材料と混合した式Iの
化合物の割合が低い場合でさえ、アドレス時間が顕著に
改善され、かつより低いしきい電圧が得られ、また同時
に広いネマチック相が低いスメクチック−ネマチック転
移温度で認められることを見出した。式I〜IVの化合物
は無色、安定でありかつ互いにおよび他の液晶材料と容
易に混和する。
種類の化合物を組合せることによって、本発明の化合物
は種々の要件に対し確実に改善される。以下の表は選択
した重要なパラメーターへの式Iの種々の化合物の影響
を示すものである。+符号の数が増えているのはますま
す強く影響を及ぼすことを示し、0は影響を及ぼさない
ことを示し、そして−は表示パラメーターが損なわれる
ことを示す。しかしながら、LC媒体を改善する場合に妥
協することが常に必要であるので、それらの濃度を適切
に選択すれば1つのパラメーターに関し「−」の化合物
でさえ混合物を開発するのに極めて重宝である。
である)の化合物を同時に含んでいる。
OCHF2であるのが好ましい。XおよびYの以下の組合せ
が特に好ましい。
にAがシクロヘキシレンであり、そしてXがOCHF2であ
る式Iの化合物とA(a)との組合せが特に好ましい。
同様に、A(b)とAがシクロヘキシレンであり、そし
てXがCF3である化合物Iとが有利である。
る直鎖および枝分れアルキル基、特に直鎖基であるメチ
ル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシルお
よびヘプチルを包含するものである。2〜5個の炭素原
子を有する基が一般に好ましい。
する直鎖および枝分れアルケニル基、特に直鎖基を包含
するものである。特に、アルケニル基はC2〜C7−1E−ア
ルケニル、C4〜C7−3E−アルケニル、C5〜C7−4−アル
ケニル、C6〜C7−5−アルケニルおよびC7−6−アルケ
ニルであり、特にC2〜C7−1E−アルケニル、C4〜C7−3E
−アルケニルおよびC5〜C7−4−アルケニルである。好
ましいアルケニル基の例はビニル、1E−プロペニル、1E
−ブテニル、1E−ペンテニル、1E−ヘキセニル、1E−ヘ
プテニル、3−ブテニル、3E−ペンテニル、3E−ヘキセ
ニル、3E−ヘプテニル、4−ペンテニル、4Z−ヘキセニ
ル、4E−ヘキセニル、4Z−ヘプテニル、5−ヘキセニ
ル、6−ヘプテニル等である。5個までの炭素原子を有
する基が一般に好ましい。
素を有する直鎖基、すなわちフルオロメチル、2−フル
オロエチル、3−フルオロプロピル、4−フルオロブチ
ル、5−フルオロペンチル、6−フルオロヘキシルおよ
び7−フルオロヘプチルを包含するものである。しかし
ながら、他の位置の弗素を排除するものではない。
2n+1−0−(CH2)m(式中、nおよびmは、それぞれ
互いに独立して1〜6であり、あるいはまたmは0であ
る)の直鎖基を包含するものである。nは1であるのが
好ましく、そしてmは1〜6であるのが好ましい。
って、アドレス時間、しきい電圧、透過特性の傾斜等を
望むように変更することができる。例えば、1E−アルケ
ニル基、3E−アルケニル基、2E−アルケニルオキシ基等
はアルキルおよびアルコキシ基と比較して一般に短いア
ドレス時間、改善されたネマチック傾向性および高い弾
性定数k33(曲げ)対k11(広がり)比を与えることにな
る。4−アルケニル基、3−アルケニル基等はアルキル
およびアルコキシ基と比較して一般に低いしきい電圧お
よび低いk33/k11値を与える。Z1またはZ2中の−CH2CH2
−基は単純な共有結合と比べて一般に高いk33/k11値を
与えることになる。高いk33/k11値は、例えば90゜ねじ
らせたTNセルにおける平坦な透過特性傾斜[グレイトー
ン(gray tone)を達成するため]およびSTN、SBEおよ
びOMIセルにおける鋭い透過特性傾斜(マルチプレック
ス性が大きい)を促進する、そして逆もまた同じであ
る。式IとII+III+IVの化合物の最適な混合比はどの
ような特性を所望するか、式I、II、IIIおよび/また
はIVの成分をどのように選択するか並びに存在させうる
他の成分をどのように選択するかによって実質的に決ま
る。上記範囲内の適切な混合比を場合次第で容易に決定
することができる。
要ではない。したがって、混合物は種々の特性を最適に
するために1種以上の他の成分を含みうる。しかしなが
ら、アドレス時間およびしきい電圧に対して認められる
効果は、式I〜XIIの化合物の全濃度が高い程一般に大
きい。
がCF3、OCF3またはOCHF2である式II、III、Vおよび/
またはVII(好ましくはIIおよび/またはIII)の化合物
を含んでいる。式Iの化合物との好ましい相乗効果によ
って、特に有利な特性を生じる。
好ましい式V〜VIIIから成る群から選択される化合物を
含んでいるのが好ましい。
般式I′: (式中、 R1およびR2は、それぞれ互いに独立して9個までの炭
素原子を有するn−アルキル、ω−フルオロアルキルま
たはn−アルケニルであり、 環A1、A2およびA3は、それぞれ互いに独立して1,4−
フェニレン、2−もしくは3−フルオロ−1,4−フェニ
レン、トランス−1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−シ
クロヘキセニレンであり、 Z1およびZ2は、それぞれ互いに独立して、−CH2CH
2−、−C≡C−、−CO−O−、−O−CO−または単結
合であり、そして mは0、1または2である) の1種以上の化合物から成る成分Aをさらに含んでいて
もよい。
ら成る群から選択される1種またはそれ以上の化合物を
含んでいるのが好ましい。
8〜II17における1,4−フェニレン基は、それぞれ互いに
独立して、弗素でモノまたはポリ置換されていてもよ
い)から成る群から選択される1種以上の化合物をさら
に含んでいるのが好ましい。
21〜II25における1,4−フェニレン基は、それぞれ互い
に独立して、弗素でモノまたはポリ置換されていてもよ
い)から成る群から選択される1種以上の化合物をなお
さらに含んでいるのが好ましい。
よびII27: (式中、CtH2t+1は7個までの炭素原子を有する直鎖ア
ルキル基である)から成る群から選択される1種以上の
化合物を含んでいるものである。
は単結合、−CH2CH2−、 または CH2CH2−である)の化合物を追加すると、比抵抗は低下
するかもしれないが、スメクチック相を抑制するのに有
利になることが判った。そのようにする場合、用途に対
するパラメーターの理想の組合わせを達成するために、
当業者はこれらの化合物をどのような量で添加しうるか
を容易に決定することができる。通常、15%未満、特に
5〜10%を使用する。
る)から成る群から選択される1種以上の化合物を含有
する液晶混合物も好ましい。
れ自体は重要ではない。当業者は簡単な通常の実験を使
用して広範な公知の、また多くの場合には市販の成分お
よび基材混合物から適切な材料を選択することができ
る。本発明の媒体は式I″ (式中、Z1、Z2およびmは式I′で定義した通りであ
り、Q1およびQ2は、それぞれ互いに独立して1,4−フェ
ニレン、トランス−1,4−シクロヘキシレンまたは3−
フルオロ−1,4−フェニレンであり、あるいはまた基Q1
およびQ2の一方はトランス−1,3−ジオキサン−2,5−ジ
イル、ピリミジン−2,5−ジイル、ピリジン−2,5−ジイ
ルまたは1,4−シクロヘキセニレンである)の1種以上
の化合物を含んでいるのが好ましい。
n−アルキル、n−アルケニル、n−アルコキシまたは
n−オキサアルキルであり、YはHまたはFであり、そ
してX′はCN、ハロゲン、CF3、OCF3またはOCHF2であ
る。
の媒体は、X′がCNである式I″の化合物を基礎とする
ものである。もちろん、式I″の他の化合物(X'≠CN)
をより少ないまたはより多い割合で含むこともできる。
MLC用としては、本発明の媒体は式I″のニトリル類を
約10%までしか含まないのが好ましい(しかし、式I″
のニトリル類を含まず、その代わりにX′がハロゲン、
CF3、OCF3またはOCHF2である式I′の化合物を含むのが
好ましい)。これらの媒体は式II〜XIIの化合物を基礎
とするのが好ましい。
本発明のSTNおよびMLCディスプレイの構造はこの種のデ
ィスプレイに関する普通の構造と一致する。普通の構造
と言う用語は、この場合広範に解釈され、MLCディスプ
レイの全ての派生要素および改良要素、特に、ポリ−Si
TFTまたはMIMに基づくマトリックスディスプレイ要素も
包含するものである。
ックセルに基づく従来の普通のディスプレイとの本質的
な相違は液晶層における液晶パラメーターの選択であ
る。
の方法で製造される。一般に、所望の量の少量成分を主
構成要素形成成分に高温で都合よく溶解する。有機溶
媒、例えばアセトン、クロロホルムまたはメタノールに
各成分の溶液を混合し、十分に混合後、例えば蒸留によ
って溶媒を再び除去することも可能である。
れている他の添加剤も含有することができる。例えば、
0〜15%の多色染料またはキラルドーピング剤を添加す
ることができる。Cは結晶相を、Sはスメクチック相
を、SBはスメクチックB相を、Nはネマチック相をそし
てIは等方性相を表わす。
に対する電圧を表わす。tonおよびtoffはそれぞれV10の
値の2.5倍に相当する動作電圧におけるスイッチオン時
間およびスイッチオフ時間を表わす。Δnは光学的異方
性を表わし、n0は屈折率を表わす。Δεは誘電異方性
[Δε=ε‖−ε⊥(但し、ε‖は分子長軸に平行な誘
電率を示し、およびε⊥はそれに垂直な誘電率を表わ
す)]を示す。電気光学的データは、別に特別に示さな
いかぎり20℃において第一の極小で(即ち、0.4μのd
・Δn値で)TNセル中で測定した。光学的データは、別
に特別に示さないかぎり20℃において測定した。
を限定するものではない。本願発明の液晶媒体は、これ
らの参考例において、例えば式IにおいてXがCF3であ
る化合物の少なくとも1つを本願発明で規定される式I
の化合物(XがOCF3)に置き換えることにより、容易に
得ることができる(例えば参考例40〜43、48、56、57、
60、69、88、94、99〜101、148、151〜153、156、166〜
169、190、191)。上記および下記において、温度は全
て℃表示である。パーセントは重量%である。
物の構造は頭字語によって示す。したがって、化学式へ
の変換は以下の表Aおよび表Bに従って行う。基CnH
2n+1およびCmH2m+1は全てそれぞれnまたはm個の炭素
原子を有する直鎖アルキル基である。表Bにおける符号
化は自明である。表Aにおいて、母構造に関する頭字語
だけを示す。それぞれの場合に、母構造の頭字語はハイ
フンで分けて、その後に置換基R1、R2、L1およびL2に関
する符号がつく。即ち、各例における記号を化学構造に
置き換えるにあたり、まず例外的、具体的な構造が記載
されている表Bを参照し、そこに記載のないものは表A
および表Aの前の置換基R1、R2、L1およびL2に関する表
を参照することにより、記号に対応する化学構造式を得
ることができる。
F、Cl、CF3、OCF3またはOCHF2である本発明の媒体に好
ましい成分である。
Claims (20)
- 【請求項1】正の誘電異方性を有する極性化合物の混合
物を基礎とする液晶媒体であって、一般式I (式中、XはOCF3であり、環Aはトランス−1,4−シク
ロヘキシレンまたは1,4−フェニレンであり、そしてR
は、それぞれの場合に7個までの炭素原子を有するアル
キル、オキサアルキル、フルオロアルキルまたはアルケ
ニルである)の1種またはそれ以上の化合物を含有する
ことを特徴とする液晶媒体。 但し a) 群A: から選択される2種またはそれ以上の化合物から成る5
〜65重量%の成分A、 b) 群B: から選択され、少なくとも式B1またはB5で表わされる化
合物1種を含む2種またはそれ以上の化合物から成る20
〜95重量%の成分B、および c) 170℃以上の透明点を有する1種またはそれ以上
の化合物から成る0〜40重量%の成分C (但し、R、Xは一般式Iにおける意味であり、YはF
である。R′、X′およびY′は、それぞれ互いに独立
して以下の意味である: R′はそれぞれの場合に7個までの炭素原子を有するア
ルキル、オキサアルキル、ハロアルキルまたはアルケニ
ルであり、 X′はF、Cl、CHF2、CF3、OCHF2またはOCF3であり、そ
して Y′はH、FまたはClである) から本質的に成ることを特徴とする液晶媒体を除く。 - 【請求項2】液晶媒体中の式Iの化合物の濃度が25重量
%以上であることを特徴とする請求項1記載の媒体。 - 【請求項3】液晶媒体中の式Iの化合物の濃度が40重量
%以上であることを特徴とする請求項1または2記載の
媒体。 - 【請求項4】液晶媒体中の式Iの化合物の濃度が10〜50
重量%であることを特徴とする請求項1記載の媒体。 - 【請求項5】グーチおよびタリーの第一の透過極小にお
いてd・Δnが4μmのTNセルの媒体のしきい電圧が1.
8ボルト以下であることを特徴とする請求項1ないし4
の少なくとも1項記載の媒体。 - 【請求項6】前記しきい電圧が1.6ボルト以下であるこ
とを特徴とする請求項5記載の媒体。 - 【請求項7】前記しきい電圧が1.4〜1.6ボルトであるこ
とを特徴とする請求項5記載の媒体。 - 【請求項8】請求項1中で示される式I中のRが2〜7
個の炭素原子を有する直鎖アルケニルである化合物を1
種またはそれ以上含むことを特徴とする請求項1〜7の
少なくとも1項記載の媒体。 - 【請求項9】請求項1中に示される式I中のRがC2−C7
−1E−アルケニル、C4−C7−3E−アルケニルまたはC5−
C7−4−アルケニルである化合物を1種またはそれ以上
含むことを特徴とする請求項8記載の媒体。 - 【請求項10】請求項1中に示される式I中のRがビニ
ル、1E−プロペニル、1E−ブテニル、1E−ペンテニル、
1E−ヘキセニル、1E−ヘプテニル、3−ブテニル、3E−
ペンテニル、3E−ヘキセニル、3E−ヘプテニル、4−ペ
ンテニル、4Z−ヘキセニル、4E−ヘキセニルまたは4Z−
ヘプテニルであることを特徴とする請求項8または9記
載の媒体。 - 【請求項11】一般式II、IIIおよびIV: (式中、それぞれの基は以下の意味を有する: R:それぞれの場合に7個までの炭素原子を有するアルキ
ル、オキサアルキル、フルオロアルキルまたはアルケニ
ル; Q:−C2H4−、−C4H8−または−CO−O−、 X:F、Cl、CF3、OCF3またはOCHF2、 Y:HまたはF、 A:トランス−1,4−シクロヘキシレンまたは1,4−フェニ
レン、 r:0または1) から成る群から選択される1種またはそれ以上の化合物
をさらに含有することを特徴とする請求項1〜10の少な
くとも1項記載の媒体。 - 【請求項12】媒体が、式中のRが2〜7の炭素原子を
有する直鎖アルケニルである式II、IIIおよびIVの群か
ら選ばれる1種またはそれ以上の化合物を含むことを特
徴とする請求項11記載の媒体。 - 【請求項13】請求項1中で示される式I中のRが、ビ
ニル、1E−プロペニル、1E−ブテニル、1E−ペンテニ
ル、1E−ヘキセニル、1E−ヘプテニル、3−ブテニル、
3E−ペンテニル、3E−ヘキセニル、3E−ヘプテニル、4
−ペンテニル、4Z−ヘキセニル、4E−ヘキセニルまたは
4Z−ヘプテニルである化合物を1種またはそれ以上含む
ことを特徴とする請求項11または12記載の媒体。 - 【請求項14】一般式V〜VI: (式中、Rは請求項11に定義した通りであり、Zは−C2
H4−、−CO−O−または−O−CO−である)から成る群
から選択される1種またはそれ以上の化合物をさらに含
有することを特徴とする請求項1〜13の少なくとも1項
記載の媒体。 - 【請求項15】一般式VII〜XII: (式中、R、r、XおよびYは、それぞれ互いに独立し
て請求項11に定義した通りである)から成る群から選択
される1種またはそれ以上の化合物をさらに含有するこ
とを特徴とする請求項1〜14の少なくとも1項記載の媒
体。 - 【請求項16】全混合物中の式I〜IVの化合物の割合が
合せて少なくとも50重量%であることを特徴とする請求
項11記載の媒体。 - 【請求項17】全混合物中の式II〜IVの化合物の割合が
30〜70重量%であることを特徴とする請求項11〜15の少
なくとも1項記載の媒体。 - 【請求項18】一般式I〜XIIから成る群から選択され
る化合物から実質的になることを特徴とする請求項1〜
15の少なくとも1項記載の媒体。 - 【請求項19】請求項1記載の液晶媒体を使用する電気
光学的デバイス。 - 【請求項20】請求項1記載の液晶媒体を含有する電気
光学的液晶ディスプレイ。
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