JP3981998B2 - 純粋なアルキルアルキルアセトアセテートの製造方法 - Google Patents

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    • C07ORGANIC CHEMISTRY
    • C07CACYCLIC OR CARBOCYCLIC COMPOUNDS
    • C07C67/00Preparation of carboxylic acid esters
    • C07C67/48Separation; Purification; Stabilisation; Use of additives
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Description

【0001】
本発明は、一般式
【0002】
【化4】
Figure 0003981998
【0003】
〔式中、R1はC1−C10アルキル基、R2はC1−C4アルキル基である。〕
の純粋なアルキルアルキルアセトアセテートを、不純物として、一般式
【0004】
【化5】
Figure 0003981998
【0005】
〔式中、R1およびR2は上述した意味を有する。〕
のアルキルアルケニルアセトアセテートおよび(または)さらなる副生物を含むアルキルアルキルアセトアセテートから製造する方法に関する。
【0006】
アルキルアルキルアセトアセテートは、医薬品を製造するための重要な中間体である。 たとえば、メチルヘキシルアセトアセテートは、テトラヒドロリプスタチンを製造するための重要な中間体である(Helv. Chim. Acta, Vol 70, (1987), 196-200)。
【0007】
たとえば、ヘキサナルおよびメチルアセトアセテートから出発するメチルヘキシルアセトアセテートの製造方法は知られている。 この方法においては、ヘキサナルおよびメチルアセトアセテートを、たとえば古典的なクネフェナーゲル(Knoevenagel)反応(たとえば、Organikum, 1976, p. 571 を参照)により反応させてメチルヘキセニルアセトアセテートを得、それから水素および水素化触媒の存在下に水素化し、最終生成物を得る(DE-A 20 60 443)。
【0008】
しかしながら、このような方法には、メチルヘキシルアセトアセテートが、除去の困難なメチルヘキセニルアセトアセテートにより汚染されるという不利益がある。
【0009】
本発明の目的は、それゆえ、高純度を達成する、アルキルアルキルアセトアセテートの簡単な精製方法を可能にすることである。
【0010】
この目的は、請求項1の精製方法により達成することができる。
【0011】
本発明に従うときは、一般式
【0012】
【化6】
Figure 0003981998
【0013】
〔式中、R1およびR2は上述した意味を有する。〕
のアルキルアルキルアセトアセテートは、一般式
【0014】
【化7】
Figure 0003981998
【0015】
〔式中、R1およびR2は上述した意味を有する。〕
のアルキルアルケニルアセトアセテートおよび(または)さらなる副生物により汚染されているアルキルアルキルアセトアセテートを、一般式
【0016】
【化8】
Figure 0003981998
【0017】
〔式中、R2は上述した意味を有する。〕
のエステルとともに、強塩基の存在下に中間体に転化し、それを分離除去することにより精製される。
【0018】
アルキルアルケニルアセトアセテートの中間体への転化は、それ自体(たとえば、Organikum, 1976, p. 632を参照)知られているミヒャエル(Michael)反応により行なわれる。 得られた中間体は、好ましくは、一般式
【0019】
【化9】
Figure 0003981998
【0020】
の化合物である。
【0021】
基R1はC1−C10アルキル基であり、たとえば、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、t−ブチル基、i−ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基、ノニル基またはデシル基のようなものである。 好ましくは、R1はブチル基またはヘキシル基である。 基R2 はC1−C4 アルキル基であり、メチル基、エチル基、プロピル基、i−プロピル基、ブチル基、t−ブチル基またはi−ブチル基のようなものであり、好ましくはメチル基である。
【0022】
一般式III のエステル、たとえばメチルアセトアセテートのようなものは、市場で入手可能な化合物である。
【0023】
強塩基として、アルカリ金属アルコキシドが使用できる。 アルカリ金属アルコキシドとして、ナトリウムまたはカリウムのメトキシド、エトキシド、プロポキドまたはブトキシドが使用できる。 好ましくは、エステルに相当するアルカリ金属アルコキシドを使用する。 強塩基は、pKa が8を超えるものが好ましい。
【0024】
好ましくは、強塩基は、生成物中に存在する不純物(アルキルアルケニルアセトアセテート)と等モル量を使用する。
【0025】
アルキルアルケニルアセトアセテート(式II)の、一般式III のエステルとの反応は、50〜150℃の温度において、好ましくは80〜110℃の温度において、好都合に行なわれる。
【0026】
1〜5時間の通常の反応時間の後、一般式IVの化合物またはその脱カルボキシル化した誘導体が得られる。
【0027】
それから、一般式IVの中間体化合物を、蒸留により除去することが好ましい。
【0028】
蒸留は、減圧下に行なうことが好ましい。
【0029】
この手順により、0.4%未満のアルキルアルケニルアセトアセテートで汚染されただけの、純粋なアルキルアルキルアセトアセテートが得られる。
【0030】
【実施例】
〔実施例1〕
メチル−2−ヘキシルアセトアセテートの製造
ピペリジン触媒を用いたメチルアセトアセテート(193.5g)とヘキサナル(151.8g)との縮合により得た反応混合物を、オートクレーブ中で、50℃において、水素およびPd/C触媒とともに水素化した。 水素化を終了しPd/C触媒を濾過により除去した後、二相混合物を15mbarの圧力および70℃の温度において濃縮した。 残渣(262g)は、なおメチル−2−ヘキセニルアセトアセテート1.2%を含んでいた。 この残渣にメチルアセトアセテート(3.14g)およびナトリウムメトキサイド(5.4mol溶液1.46g)を加え、この混合物を90℃において5時間加熱した。 この処理の終了時に、メチル−2−ヘキセニルアセトアセテート0.39%が、なお検出された。 続いて、粗生成物を高真空(3−4mbar)下に、薄膜蒸発機で蒸留した。 メチル−2−ヘキシルアセトアセテート留出物(240.9g)は、含有量97.8%で、なおメチル−2−ヘキセニルアセトアセテート0.26%を含んでいた。
【0031】
〔実施例2〕
メチル−2−ブチルアセトアセテートの製造
ピペリジン触媒を用いたメチルアセトアセテート(1.65mol)とブチルアルデヒド(1.5mol)との縮合により得た反応混合物を、オートクレーブ中で、50℃において、水素およびPd/C触媒とともに水素化した。 水素化を終了しPd/C触媒を濾過により除去した後、二相混合物を15mbarの圧力および70℃の温度において濃縮した。 残渣(246.33g)は、なおメチル−2−ブテニルアセトアセテート2.16%およびメチルアセトアセテート5.0%を含んでいた。 これにナトリウムメトキサイド(5.4mol溶液5.32g)を加え、この混合物を90℃において約4時間加熱した。 この処理の終了時に、メチル−2−ブテニルアセトアセテート0.16%が、なお検出された。 続いて、粗生成物を高真空(3−4mbar)下に、薄膜蒸発機で蒸留した。 メチル−2−ブチルアセトアセテート留出物(217.93g)は含有量94.4%で、それに含まれるメチル−2−ブテニルアセトアセテートは0.1%未満であった。
【0032】
ブタノール基準の収率が72%で純度が99.8%の生成物を得ることができた。 1回の蒸留分離の後、メチル−2−ブテニルアセトアセテート含有率は0.1%未満であった。

Claims (4)


  1. Figure 0003981998
    〔式中、R1はC1−C10アルキル基、R2はC1−C4アルキル基である。〕
    の純粋なアルキルアルキルアセトアセテートを、一般式
    Figure 0003981998
    〔式中、R1およびR2は上述した意味を有する。〕
    のアルキルアルケニルアセトアセテートおよび(または)さらなる副生物を含むアルキルアルキルアセトアセテートから製造する方法であって、式IIのアルキルアルケニルアセトアセテートエステルを、一般式
    Figure 0003981998
    〔式中、R2は上述した意味を有する。〕
    のエステルとともに、強塩基の存在下に中間体に転化し、それを分離除去することを特徴とする製造方法。
  2. 使用する強塩基がアルカリ金属アルコキシドであることを特徴とする請求項1の製造方法。
  3. 使用する一般式III のエステルがメチルアセトアセテートであることを特徴とする、請求項1または2の製造方法。
  4. アルキルアルケニルアセトアセテート(式II)の、一般式IIIのエステルとの反応を、50〜150℃の温度において行なうことを特徴とする、請求項1ないし3のいずれかの製造方法。
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