JP3967095B2 - 半導体スイッチング装置及びゲートドライブ - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ターンオフ電流によりターンオフ動作がなされる半導体スイッチング装置、及びターンオフ電流を供給するゲートドライブに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＧＣＴ（Ｇａｔｅ Ｃｏｍｍｕｔａｔｅｄ Ｔｕｒｎ−ｏｆｆサイリスタ）を含むＧＴＯ（ゲートターンオフサイリスタ）等の半導体スイッチング素子は、素子のみでターンオフ動作をすることができない。そのため、このような半導体スイッチング素子で構成される半導体スイッチング装置は、ターンオフ電流を供給するゲートドライブを半導体スイッチング素子に接続し、このゲートドライブからのターンオフ電流により半導体スイッチング素子のターンオフ動作をさせるようにしている。
【０００３】
図９は半導体スイッチング素子及びゲートドライブからなる上記従来の半導体スイッチング装置の一例を示すブロック図である。
【０００４】
図において、１０１は半導体スイッチング素子としてのＧＴＯ、１０２はゲートドライブ、１０２ａはＧＴＯ１０１をターンオンさせるターンオンパルス回路、１０２ｂはＧＴＯ１０１のオン状態を維持するオン維持回路、１０２ｃはＧＴＯ１０１をターンオフさせるターンオフ回路である。
【０００５】
図１０は図９に示した半導体スイッチング装置における半導体スイッチング素子とゲートドライブとの接続部分周辺を示す断面図で、ＡＢＢ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＡＧ社製のＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ−Ｃｏｍｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ ５ＳＨＹ ３５Ｌ４５０２のハード駆動ＧＴＯのゲートドライブとハード駆動ＧＴＯの接続構造断面を示す図である。
【０００６】
図において、１０１はＧＴＯ本体、１０１ａはＧＴＯ１０１のアノード電極、１０１ｂはＧＴＯ１０１のゲート電極、１０１ｃはＧＴＯ１０１のカソード電極、１０３ａはアノード電極１０１ａと接続されるアノード導体、１０３ｂはゲートドライブカソード電極１２３を介してカソード電極１０１ｃに接続されるカソード導体である。アノード導体１０３ａおよびカソード導体１０３ｂはＧＴＯ１０１の冷却を兼ねた導体でありＧＴＯ１０１と均一に圧接され、密着する必要がある。この圧接が不十分な場合はＧＴＯ１０１の内部エレメントが不均一な電流分布となり最悪はエレメント加熱による破壊が起こる。
【０００７】
１２１はゲートドライブ回路のＧＴＯ１０１への配線のための積層基板、１２１ａはゲートドライブ積層基板１２１のゲート層、１２１ｂはゲートドライブ積層基板１２１のカソード層、１２２は押え板、１２３はゲートドライブカソード電極である。
【０００８】
図１１は図１０に示した半導体スイッチング装置を構成するゲートドライブのゲートドライブカソード電極１２３を示す斜視図である。図に示すように、ゲートドライブカソード電極１２３は皿状の構造になっており、アルミを面整形することで形成される。このゲートドライブカソード電極１２３は、カソード電極に接続される接続面１２３ａ、接続面から延在する折曲部１２３ｂ、折曲部１２３ｂから張出した張出部１２３ｃとからなり、張出部１２３ｃには、ねじ１２６が止められる接続部としてのねじ止部１２３ｄが円周に沿って複数設けられている。
【０００９】
図１０に戻って、１２４はシャーシ、１２５は絶縁ブッシュ、１２６はねじ、１２７はスプリング、１２８はワッシャ、１２９ａはゲートスルーホールで、積層配線されたゲートドライブ積層基板ゲート層１２１ａの基板内層の電流をゲートドライブ積層基板１２１の表面へ変換するのに使用される。また、１２９ｂはカソードスルーホールで、積層配線されたゲートドライブ積層基板カソード層１２１ｂの基板内層の電流をゲートドライブ積層基板１２１の裏面へ変換するのに使用される。
【００１０】
ゲートドライブ１０２とＧＴＯ１０１との接続は、押え板１２２、ＧＴＯゲート電極１０１ｂ、ゲートドライブ積層基板１２１、ゲートドライブカソード電極１２３、シャーシ１２４の順に並べ、さらに、押え板１２２上に絶縁ブッシュ１２５、スプリング１２７、ワッシャ１２８を配置し、これらをねじ１２６で止めることで接続される。この絶縁ブッシュ１２５は、カソード電位になるねじ１２６とゲート電位になる押え板１２２（ＧＴＯゲート電極１０１ｂ、ゲートドライブ積層基板１２１）との絶縁を図る目的で必要である。
【００１１】
このような、いわゆるハード駆動ＧＴＯでは、普通のＧＴＯの駆動と比較して、より大きく、はるかに急峻な電流をターンオフＧＴＯのゲートに印加してメイン電流を制御する必要があるため、ＧＴＯとゲートドライブのターンオン及びターンオフ電流路のインダクタンス成分とインピーダンス成分とを極小にするようにした積層基板による配線が一般に用いられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体スイッチング装置は上記のように、ゲートドライブカソード電極が皿状の構造となっており、面整形するのに高度なプレス加工技術や、絞り加工技術が必要であった。そのため、安価で安定したゲートドライブカソード電極を提供することが困難であった。
【００１３】
また、大電流制御を行う場合には導電率や放熱特性のより優れた材質のものを用いるのが好ましく、材質として銅を用いるのが好ましいが、銅はアルミに比べプレス加工や絞り加工が劣るため従来の半導体スイッチング装置には適用しにくいという問題点があった。
【００１４】
また、従来のゲートドライブカソード電極では、図１２に示すように、ゲートドライブカソード電極の周上に発生する応力はＧＴＯのカソードと接触する面（接続面）に集中され、その結果、ゲートドライブカソード電極の接続面にひずみが生じる。ひずみを持ったまま接続面をＧＴＯのカソード電極面に圧接すると素子内部エレメントが不均一に圧接される危険性があるといった問題点があった。
【００１５】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、簡単な切り欠き（スリット）を施すことで、ゲートドライブカソード電極に生じるひずみの発生を防止することが可能な半導体スイッチング装置及びゲートドライブを提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる半導体スイッチング装置は、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、上記接続面から上記ゲート電極側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記ゲート電極に対向するように上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極、並びに上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとを備え、上記ゲートドライブにより上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流が供給される半導体スイッチング装置であって、上記ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたものである。
【００１７】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにしてもよい。
【００１８】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の２つおきに設けるようにしてもよい。
【００１９】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にしてもよい。
【００２０】
また、本発明にかかるゲートドライブは、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子の上記カソード電極に接続される接続面、上記接続面から一方の側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記折曲部から他方の側に折り曲げられ上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極と、上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極とを備え、上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流を供給するゲートドライブであって、上記カソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたものである。
【００２１】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにしてもよい。
【００２２】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の２つおきに設けるようにしてもよい。
【００２３】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にしてもよい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
実施の形態１.
図１はこの実施の形態１の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極（カード電極接続用電極）を示す斜視図である。図２は図１に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。
【００２５】
なお、この実施の形態１の半導体スイッチング装置（ゲートドライブを含む）は、ゲートドライブのゲートドライブカソード電極を除いて図９、１０に示したもの等従来の半導体スイッチング装置（ゲートドライブを含む）と同様である。
【００２６】
すなわち、半導体スイッチング装置は、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、カソード電極に接続されるカソード電極接続用電極及びゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとで構成され、ゲートドライブによりゲート電極とカソード電極との間にターンオフ電流が供給されるようになっている。
【００２７】
図において、１はゲートドライブカソード電極、１ａはＧＴＯ等の半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、１ｂは接続面１ａから一方の側（ゲートドライブと半導体スイッチング素子との接続時にはゲート電極側）に折り曲げられて延在する折曲部、１ｃは折曲部１ｂから先の折り曲げと反対側に折り曲げられて延在する張出部（ゲートドライブと半導体スイッチング素子との接続時には、ゲート電極に対向するように折曲部１ｂから張出した張出部）である。
【００２８】
２は接続面１ａと折曲部１ｂとの隣接部から張出部１ｃの縁部にまで延在形成された切り欠き（スリット）である。切り欠き２は、ゲートドライブカソード電極の加工後に張出部１ｃにおいて重複する箇所ができないよう、縁部（円周の外側）にいくに従って切り欠きの幅が大きくなるように形成するのが好ましい。また、切り欠きの先端部（中心側の端部）が接続面１ａにかかるように、より好適にはゲートドライブカソード電極の板厚分を考慮して接続面１ａの縁部より少し内側になるように形成するとよい。
【００２９】
３は他の電極と接続される複数の接続部であり、この接続部３は張出部１ｃの周方向に沿って設けられている。なお、ここでは、接続部３は、ねじ締め付け用穴である。また、切り欠き２は、この接続部３である各穴と穴との間に形成すればよい。
【００３０】
また、図２における一点鎖線及び点線は各々折り曲げる箇所を示すもので、図２では、一点鎖線は谷折り部分、点線は山折り部分の箇所である。
【００３１】
ゲートドライブカソード電極の加工時には、まず、アルミや銅でできた円板状のものを用意し、切り欠き２及び接続部３を形成する。ゲートドライブカソード電極１の材質は、非磁性体で導電率の高いもの、大電流制御を行う場合には導電率や放熱特性のより優れた材質のものを用いればよい。この実施の形態１では、特にプレス加工や絞り加工が劣っていても整形が可能なので、銅等安価な材質のものを用いることができる。なお、アルミ等加工しやすいものを用いてもよい。
【００３２】
切り欠き形成時のカット箇所はねじ締め付け用穴３と穴３の中間を１個以上飛ばしながらカットする。なお、カットの角度は折り曲げ加工時に曲げた壁面どおしが接触しない角度にし、略二等辺三角形の形状にカットすればよい。
【００３３】
このように切り欠き２を形成した後、谷折り部分、及び山折り部分で折り曲げることにより図１に示すようなゲートドライブカソード電極１を形成することができる。
【００３４】
このゲートドライブカソード電極の整形時（折り曲げ時）には、予め切り欠き２が形成されていることより、ゲートドライブカソード電極１の中心方向への応力集中を防止することができる。その結果、カソード電極との接続面１ａにひずみが生じるのを防止することができる。
【００３５】
また、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路は張出部１ｃ、折曲部１ｂによって構成されるが、ゲートドライブカソード電極１（張出部１ｃ）が接続部３（ねじ止部分）で最も強く接続されるので、カットした切り欠き２により電流路が減少することはほとんどないと見てよい。
【００３６】
この実施の形態１では、ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、接続面と折曲部との隣接部から張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けているので、接続面にひずみが生じるのを防止することができ、カソード電極接続用電極をカソード電極及びカソード導体に対して均一に圧接することができる。よって、ひずみの心配をしながら半導体スイッチング素子を圧接する危険性をなくすことができる。
【００３７】
また、ゲートドライブと半導体スイッチング素子との電流路を阻害することなく容易にほしい精度で面加工ができるカソード電極接続用電極を得ることができる。
【００３８】
また、アルミに比べプレス加工や絞り加工が劣る銅でも整形が可能なので、ゲートドライブカソード電極の材質に銅等安価な材質のものを用いることができる。
【００３９】
実施の形態２.
実施の形態１では、中心側の一端から縁部側の他端に延在する切り欠きの幅が縁側にいくにつれて広くなっているが、この実施の形態２は、接続面と折曲部との隣接部、折曲部と張出部との隣接部、及び張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにしたものである。
【００４０】
図３はこの実施の形態２の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。図４は図３に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。なお、ゲートドライブカソード電極の切り欠きの形状を除いては実施の形態１と同様である。
【００４１】
２ａは接続面１ａと折曲部１ｂとの隣接部から張出部１ｃの縁部にまで延在形成された切り欠き（スリット）である。ここで、中心側の一端から折曲部１ｂと張出部１ｃとの隣接部を介して張出部１ｃの縁部側の他端に延在する切り欠き２ａの幅が略同一になるように形成する。すなわち、折曲部１ｂ、張出部１ｃでの切り欠きの占める面積ができるだけ小さくなるように形成する。
【００４２】
また、切り欠きの先端部（中心側の端部）が接続面１ａにかかるように、より好適にはゲートドライブカソード電極の板厚分を考慮して接続面１ａの縁部より少し内側になるように形成するとよい。
【００４３】
また、ゲートドライブカソード電極の整形は、実施の形態１と同様にすればよいが、切り欠きの形状を上記のようなものとするため、折曲部１ｂと張出部１ｃとの境界部までは中心から離れるに従って幅が大きくなるよう略二等辺三角形の形状に形成し、境界部から張出部１ｃの端部（縁部）にかけては、中心から離れるに従って幅が小さくなるよう略逆二等辺三角形の形状に、すなわち菱形の形状にカットすればよい。
【００４４】
この実施の形態では、接続面と折曲部との隣接部、折曲部と張出部との隣接部、及び張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにし、切り欠きの閉める面積が小さくなるようにしているので、実施の形態１の効果に加えて、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路の減少を実施の形態１のものより少なくすることができ、理想的なゲートドライブカソード電極を有する半導体スイッチング装置を提供することができる。
【００４５】
実施の形態３.
実施の形態１では、切り欠きが各接続部間に設けられているが、この実施の形態３では、切り欠きを少なくとも接続部の２つおきに設けるようにしたものである。
【００４６】
図５はこの実施の形態３の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。図６は図５に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。なお、ゲートドライブカソード電極の切り欠きの形成個数を除いては実施の形態１と同様である。
【００４７】
２ｂは接続面１ａと折曲部１ｂとの隣接部から張出部１ｃの縁部にまで延在形成された切り欠き（スリット）で、少なくとも接続部３の２つおきに形成されるようになっている。なお、切り欠き２ｂの形状は実施の形態１と同様である。
【００４８】
また、ゲートドライブカソード電極の整形は、実施の形態１と同様にすればよいが、切り欠き形成時のカット箇所はねじ締め付け用穴３と穴３の中間を２個以上飛ばしながらカットするようにする。
【００４９】
この実施の形態１では接続部の２つおきに切り欠きを設けるようにしているが、３つ以上おきに切り欠きを設けるようにしてもよい。
【００５０】
この実施の形態では、切り欠きを少なくとも接続部の２つおきに設けるようにしているので、実施の形態１のものに比し切り欠きを少なくできカットする箇所が少なくてすむので、実施の形態１のものに比べて容易にゲートドライブカソード電極を形成することができ、安価なゲートドライブ装置を提供できる。
【００５１】
実施の形態４.
実施の形態２では、切り欠きが各接続部間に設けられているが、この実施の形態４では、切り欠きを少なくとも接続部の２つおきに設けるようにしたものである。
【００５２】
図７はこの実施の形態３の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。図８は図７に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。なお、ゲートドライブカソード電極の切り欠きの形成個数を除いては実施の形態２と同様である。
【００５３】
２ｃは接続面１ａと折曲部１ｂとの隣接部から張出部１ｃの縁部にまで延在形成された切り欠き（スリット）で、少なくとも接続部３の２つおきに形成されるようになっている。なお、切り欠き２ｃの形状は実施の形態２と同様である。
【００５４】
また、ゲートドライブカソード電極の整形は、実施の形態２と同様にすればよいが、切り欠き形成時のカット箇所はねじ締め付け用穴と穴の中間を２個以上飛ばしながらカットするようにする。
【００５５】
この実施の形態２では接続部の２つおきに切り欠きを設けるようにしているが、３つ以上おきに切り欠きを設けるようにしてもよい。
【００５６】
この実施の形態では、切り欠きを少なくとも接続部の２つおきに設けるようにしているので、実施の形態２のものに比し切り欠きを少なくできカットする箇所が少なくてすむので、実施の形態２のものに比べて容易にゲートドライブカソード電極を形成することができ、安価なゲートドライブ装置を提供できる。
【００５７】
【発明の効果】
本発明にかかる半導体スイッチング装置は、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、上記接続面から上記ゲート電極側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記ゲート電極に対向するように上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極、並びに上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとを備え、上記ゲートドライブにより上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流が供給される半導体スイッチング装置であって、上記ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けているので、接続面にひずみが生じるのを防止することができ、カソード電極接続用電極をカソード電極又はカソード導体に対して均一に圧接することができる。
【００５８】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅を略同一にした場合には、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路の減少を少なくすることができる。
【００５９】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の２つおきに設けた場合には、安価な半導体スイッチング装置を提供することができる。
【００６０】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にした場合には、安価な半導体スイッチング装置を提供することができる。
【００６１】
また、本発明にかかるゲートドライブは、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子の上記カソード電極に接続される接続面、上記接続面から一方の側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記折曲部から他方の側に折り曲げられ上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極と、上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極とを備え、上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流を供給するゲートドライブであって、上記カソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けているので、接続面にひずみが生じるのを防止することができ、カソード電極接続用電極をカソード電極又はカソード導体に対して均一に圧接することができる。
【００６２】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅を略同一にした場合には、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路の減少を少なくすることができる。
【００６３】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の２つおきに設けた場合には、安価なゲートドライブを提供することができる。
【００６４】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にした場合には、安価なゲートドライブを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図２】 図１に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図３】 本発明の実施の形態２の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図４】 図３に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図５】 本発明の実施の形態３の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図６】 図５に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図７】 本発明の実施の形態４の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図８】 図７に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図９】 従来の半導体スイッチング装置の一例を示すブロック図である。
【図１０】 図９に示した半導体スイッチング装置における半導体スイッチング素子とゲートドライブとの接続部分周辺を示す断面図である。
【図１１】 図１０に示した半導体スイッチング装置のゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図１２】 ゲートドライブカソード電極の周上に発生する応力を示す図である。
【符号の説明】
１ ゲートドライブカソード電極
１ａ 接続面 １ｂ 折曲部
１ｃ 張出部
２、２ａ、２ｂ、２ｃ 切り欠き
１０１ ＧＴＯ １０１ａ ＧＴＯアノード
１０１ｂ ＧＴＯゲート １０１ｃ ＧＴＯカソード
１０２ ゲートドライブ １０２ａ ターンオンパルス回路
１０２ｂ オン維持回路 １０２ｃ ターンオフ回路
１０３ａ アノード導体 １０３ｂ カソード導体
１２１ ゲートドライブ積層基板
１２１ａ ゲートドライブ積層基板ゲート層
１２１ｂ ゲートドライブ積層基板カソード層
１２２ 押え版 １２３ ゲートドライブカソード電極
１２４ シャーシ １２５ 絶縁ブッシュ
１２６ ねじ １２７ スプリング
１２８ ワッシャ １２９ａ ゲートスルーホール
１２９ｂ カソードスルーホール
【発明の属する技術分野】
本発明は、ターンオフ電流によりターンオフ動作がなされる半導体スイッチング装置、及びターンオフ電流を供給するゲートドライブに関する。
【０００２】
【従来の技術】
ＧＣＴ（Ｇａｔｅ Ｃｏｍｍｕｔａｔｅｄ Ｔｕｒｎ−ｏｆｆサイリスタ）を含むＧＴＯ（ゲートターンオフサイリスタ）等の半導体スイッチング素子は、素子のみでターンオフ動作をすることができない。そのため、このような半導体スイッチング素子で構成される半導体スイッチング装置は、ターンオフ電流を供給するゲートドライブを半導体スイッチング素子に接続し、このゲートドライブからのターンオフ電流により半導体スイッチング素子のターンオフ動作をさせるようにしている。
【０００３】
図９は半導体スイッチング素子及びゲートドライブからなる上記従来の半導体スイッチング装置の一例を示すブロック図である。
【０００４】
図において、１０１は半導体スイッチング素子としてのＧＴＯ、１０２はゲートドライブ、１０２ａはＧＴＯ１０１をターンオンさせるターンオンパルス回路、１０２ｂはＧＴＯ１０１のオン状態を維持するオン維持回路、１０２ｃはＧＴＯ１０１をターンオフさせるターンオフ回路である。
【０００５】
図１０は図９に示した半導体スイッチング装置における半導体スイッチング素子とゲートドライブとの接続部分周辺を示す断面図で、ＡＢＢ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒｓ ＡＧ社製のＩｎｔｅｇｒａｔｅｄ Ｇａｔｅ−Ｃｏｍｍｕｔａｔｅｄ Ｔｈｙｒｉｓｔｏｒ ５ＳＨＹ ３５Ｌ４５０２のハード駆動ＧＴＯのゲートドライブとハード駆動ＧＴＯの接続構造断面を示す図である。
【０００６】
図において、１０１はＧＴＯ本体、１０１ａはＧＴＯ１０１のアノード電極、１０１ｂはＧＴＯ１０１のゲート電極、１０１ｃはＧＴＯ１０１のカソード電極、１０３ａはアノード電極１０１ａと接続されるアノード導体、１０３ｂはゲートドライブカソード電極１２３を介してカソード電極１０１ｃに接続されるカソード導体である。アノード導体１０３ａおよびカソード導体１０３ｂはＧＴＯ１０１の冷却を兼ねた導体でありＧＴＯ１０１と均一に圧接され、密着する必要がある。この圧接が不十分な場合はＧＴＯ１０１の内部エレメントが不均一な電流分布となり最悪はエレメント加熱による破壊が起こる。
【０００７】
１２１はゲートドライブ回路のＧＴＯ１０１への配線のための積層基板、１２１ａはゲートドライブ積層基板１２１のゲート層、１２１ｂはゲートドライブ積層基板１２１のカソード層、１２２は押え板、１２３はゲートドライブカソード電極である。
【０００８】
図１１は図１０に示した半導体スイッチング装置を構成するゲートドライブのゲートドライブカソード電極１２３を示す斜視図である。図に示すように、ゲートドライブカソード電極１２３は皿状の構造になっており、アルミを面整形することで形成される。このゲートドライブカソード電極１２３は、カソード電極に接続される接続面１２３ａ、接続面から延在する折曲部１２３ｂ、折曲部１２３ｂから張出した張出部１２３ｃとからなり、張出部１２３ｃには、ねじ１２６が止められる接続部としてのねじ止部１２３ｄが円周に沿って複数設けられている。
【０００９】
図１０に戻って、１２４はシャーシ、１２５は絶縁ブッシュ、１２６はねじ、１２７はスプリング、１２８はワッシャ、１２９ａはゲートスルーホールで、積層配線されたゲートドライブ積層基板ゲート層１２１ａの基板内層の電流をゲートドライブ積層基板１２１の表面へ変換するのに使用される。また、１２９ｂはカソードスルーホールで、積層配線されたゲートドライブ積層基板カソード層１２１ｂの基板内層の電流をゲートドライブ積層基板１２１の裏面へ変換するのに使用される。
【００１０】
ゲートドライブ１０２とＧＴＯ１０１との接続は、押え板１２２、ＧＴＯゲート電極１０１ｂ、ゲートドライブ積層基板１２１、ゲートドライブカソード電極１２３、シャーシ１２４の順に並べ、さらに、押え板１２２上に絶縁ブッシュ１２５、スプリング１２７、ワッシャ１２８を配置し、これらをねじ１２６で止めることで接続される。この絶縁ブッシュ１２５は、カソード電位になるねじ１２６とゲート電位になる押え板１２２（ＧＴＯゲート電極１０１ｂ、ゲートドライブ積層基板１２１）との絶縁を図る目的で必要である。
【００１１】
このような、いわゆるハード駆動ＧＴＯでは、普通のＧＴＯの駆動と比較して、より大きく、はるかに急峻な電流をターンオフＧＴＯのゲートに印加してメイン電流を制御する必要があるため、ＧＴＯとゲートドライブのターンオン及びターンオフ電流路のインダクタンス成分とインピーダンス成分とを極小にするようにした積層基板による配線が一般に用いられている。
【００１２】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体スイッチング装置は上記のように、ゲートドライブカソード電極が皿状の構造となっており、面整形するのに高度なプレス加工技術や、絞り加工技術が必要であった。そのため、安価で安定したゲートドライブカソード電極を提供することが困難であった。
【００１３】
また、大電流制御を行う場合には導電率や放熱特性のより優れた材質のものを用いるのが好ましく、材質として銅を用いるのが好ましいが、銅はアルミに比べプレス加工や絞り加工が劣るため従来の半導体スイッチング装置には適用しにくいという問題点があった。
【００１４】
また、従来のゲートドライブカソード電極では、図１２に示すように、ゲートドライブカソード電極の周上に発生する応力はＧＴＯのカソードと接触する面（接続面）に集中され、その結果、ゲートドライブカソード電極の接続面にひずみが生じる。ひずみを持ったまま接続面をＧＴＯのカソード電極面に圧接すると素子内部エレメントが不均一に圧接される危険性があるといった問題点があった。
【００１５】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、簡単な切り欠き（スリット）を施すことで、ゲートドライブカソード電極に生じるひずみの発生を防止することが可能な半導体スイッチング装置及びゲートドライブを提供するものである。
【００１６】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる半導体スイッチング装置は、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、上記接続面から上記ゲート電極側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記ゲート電極に対向するように上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極、並びに上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとを備え、上記ゲートドライブにより上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流が供給される半導体スイッチング装置であって、上記ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたものである。
【００１７】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにしてもよい。
【００１８】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の２つおきに設けるようにしてもよい。
【００１９】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にしてもよい。
【００２０】
また、本発明にかかるゲートドライブは、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子の上記カソード電極に接続される接続面、上記接続面から一方の側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記折曲部から他方の側に折り曲げられ上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極と、上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極とを備え、上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流を供給するゲートドライブであって、上記カソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたものである。
【００２１】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにしてもよい。
【００２２】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の２つおきに設けるようにしてもよい。
【００２３】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にしてもよい。
【００２４】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
実施の形態１.
図１はこの実施の形態１の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極（カード電極接続用電極）を示す斜視図である。図２は図１に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。
【００２５】
なお、この実施の形態１の半導体スイッチング装置（ゲートドライブを含む）は、ゲートドライブのゲートドライブカソード電極を除いて図９、１０に示したもの等従来の半導体スイッチング装置（ゲートドライブを含む）と同様である。
【００２６】
すなわち、半導体スイッチング装置は、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、カソード電極に接続されるカソード電極接続用電極及びゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとで構成され、ゲートドライブによりゲート電極とカソード電極との間にターンオフ電流が供給されるようになっている。
【００２７】
図において、１はゲートドライブカソード電極、１ａはＧＴＯ等の半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、１ｂは接続面１ａから一方の側（ゲートドライブと半導体スイッチング素子との接続時にはゲート電極側）に折り曲げられて延在する折曲部、１ｃは折曲部１ｂから先の折り曲げと反対側に折り曲げられて延在する張出部（ゲートドライブと半導体スイッチング素子との接続時には、ゲート電極に対向するように折曲部１ｂから張出した張出部）である。
【００２８】
２は接続面１ａと折曲部１ｂとの隣接部から張出部１ｃの縁部にまで延在形成された切り欠き（スリット）である。切り欠き２は、ゲートドライブカソード電極の加工後に張出部１ｃにおいて重複する箇所ができないよう、縁部（円周の外側）にいくに従って切り欠きの幅が大きくなるように形成するのが好ましい。また、切り欠きの先端部（中心側の端部）が接続面１ａにかかるように、より好適にはゲートドライブカソード電極の板厚分を考慮して接続面１ａの縁部より少し内側になるように形成するとよい。
【００２９】
３は他の電極と接続される複数の接続部であり、この接続部３は張出部１ｃの周方向に沿って設けられている。なお、ここでは、接続部３は、ねじ締め付け用穴である。また、切り欠き２は、この接続部３である各穴と穴との間に形成すればよい。
【００３０】
また、図２における一点鎖線及び点線は各々折り曲げる箇所を示すもので、図２では、一点鎖線は谷折り部分、点線は山折り部分の箇所である。
【００３１】
ゲートドライブカソード電極の加工時には、まず、アルミや銅でできた円板状のものを用意し、切り欠き２及び接続部３を形成する。ゲートドライブカソード電極１の材質は、非磁性体で導電率の高いもの、大電流制御を行う場合には導電率や放熱特性のより優れた材質のものを用いればよい。この実施の形態１では、特にプレス加工や絞り加工が劣っていても整形が可能なので、銅等安価な材質のものを用いることができる。なお、アルミ等加工しやすいものを用いてもよい。
【００３２】
切り欠き形成時のカット箇所はねじ締め付け用穴３と穴３の中間を１個以上飛ばしながらカットする。なお、カットの角度は折り曲げ加工時に曲げた壁面どおしが接触しない角度にし、略二等辺三角形の形状にカットすればよい。
【００３３】
このように切り欠き２を形成した後、谷折り部分、及び山折り部分で折り曲げることにより図１に示すようなゲートドライブカソード電極１を形成することができる。
【００３４】
このゲートドライブカソード電極の整形時（折り曲げ時）には、予め切り欠き２が形成されていることより、ゲートドライブカソード電極１の中心方向への応力集中を防止することができる。その結果、カソード電極との接続面１ａにひずみが生じるのを防止することができる。
【００３５】
また、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路は張出部１ｃ、折曲部１ｂによって構成されるが、ゲートドライブカソード電極１（張出部１ｃ）が接続部３（ねじ止部分）で最も強く接続されるので、カットした切り欠き２により電流路が減少することはほとんどないと見てよい。
【００３６】
この実施の形態１では、ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、接続面と折曲部との隣接部から張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けているので、接続面にひずみが生じるのを防止することができ、カソード電極接続用電極をカソード電極及びカソード導体に対して均一に圧接することができる。よって、ひずみの心配をしながら半導体スイッチング素子を圧接する危険性をなくすことができる。
【００３７】
また、ゲートドライブと半導体スイッチング素子との電流路を阻害することなく容易にほしい精度で面加工ができるカソード電極接続用電極を得ることができる。
【００３８】
また、アルミに比べプレス加工や絞り加工が劣る銅でも整形が可能なので、ゲートドライブカソード電極の材質に銅等安価な材質のものを用いることができる。
【００３９】
実施の形態２.
実施の形態１では、中心側の一端から縁部側の他端に延在する切り欠きの幅が縁側にいくにつれて広くなっているが、この実施の形態２は、接続面と折曲部との隣接部、折曲部と張出部との隣接部、及び張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにしたものである。
【００４０】
図３はこの実施の形態２の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。図４は図３に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。なお、ゲートドライブカソード電極の切り欠きの形状を除いては実施の形態１と同様である。
【００４１】
２ａは接続面１ａと折曲部１ｂとの隣接部から張出部１ｃの縁部にまで延在形成された切り欠き（スリット）である。ここで、中心側の一端から折曲部１ｂと張出部１ｃとの隣接部を介して張出部１ｃの縁部側の他端に延在する切り欠き２ａの幅が略同一になるように形成する。すなわち、折曲部１ｂ、張出部１ｃでの切り欠きの占める面積ができるだけ小さくなるように形成する。
【００４２】
また、切り欠きの先端部（中心側の端部）が接続面１ａにかかるように、より好適にはゲートドライブカソード電極の板厚分を考慮して接続面１ａの縁部より少し内側になるように形成するとよい。
【００４３】
また、ゲートドライブカソード電極の整形は、実施の形態１と同様にすればよいが、切り欠きの形状を上記のようなものとするため、折曲部１ｂと張出部１ｃとの境界部までは中心から離れるに従って幅が大きくなるよう略二等辺三角形の形状に形成し、境界部から張出部１ｃの端部（縁部）にかけては、中心から離れるに従って幅が小さくなるよう略逆二等辺三角形の形状に、すなわち菱形の形状にカットすればよい。
【００４４】
この実施の形態では、接続面と折曲部との隣接部、折曲部と張出部との隣接部、及び張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにし、切り欠きの閉める面積が小さくなるようにしているので、実施の形態１の効果に加えて、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路の減少を実施の形態１のものより少なくすることができ、理想的なゲートドライブカソード電極を有する半導体スイッチング装置を提供することができる。
【００４５】
実施の形態３.
実施の形態１では、切り欠きが各接続部間に設けられているが、この実施の形態３では、切り欠きを少なくとも接続部の２つおきに設けるようにしたものである。
【００４６】
図５はこの実施の形態３の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。図６は図５に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。なお、ゲートドライブカソード電極の切り欠きの形成個数を除いては実施の形態１と同様である。
【００４７】
２ｂは接続面１ａと折曲部１ｂとの隣接部から張出部１ｃの縁部にまで延在形成された切り欠き（スリット）で、少なくとも接続部３の２つおきに形成されるようになっている。なお、切り欠き２ｂの形状は実施の形態１と同様である。
【００４８】
また、ゲートドライブカソード電極の整形は、実施の形態１と同様にすればよいが、切り欠き形成時のカット箇所はねじ締め付け用穴３と穴３の中間を２個以上飛ばしながらカットするようにする。
【００４９】
この実施の形態１では接続部の２つおきに切り欠きを設けるようにしているが、３つ以上おきに切り欠きを設けるようにしてもよい。
【００５０】
この実施の形態では、切り欠きを少なくとも接続部の２つおきに設けるようにしているので、実施の形態１のものに比し切り欠きを少なくできカットする箇所が少なくてすむので、実施の形態１のものに比べて容易にゲートドライブカソード電極を形成することができ、安価なゲートドライブ装置を提供できる。
【００５１】
実施の形態４.
実施の形態２では、切り欠きが各接続部間に設けられているが、この実施の形態４では、切り欠きを少なくとも接続部の２つおきに設けるようにしたものである。
【００５２】
図７はこの実施の形態３の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。図８は図７に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。なお、ゲートドライブカソード電極の切り欠きの形成個数を除いては実施の形態２と同様である。
【００５３】
２ｃは接続面１ａと折曲部１ｂとの隣接部から張出部１ｃの縁部にまで延在形成された切り欠き（スリット）で、少なくとも接続部３の２つおきに形成されるようになっている。なお、切り欠き２ｃの形状は実施の形態２と同様である。
【００５４】
また、ゲートドライブカソード電極の整形は、実施の形態２と同様にすればよいが、切り欠き形成時のカット箇所はねじ締め付け用穴と穴の中間を２個以上飛ばしながらカットするようにする。
【００５５】
この実施の形態２では接続部の２つおきに切り欠きを設けるようにしているが、３つ以上おきに切り欠きを設けるようにしてもよい。
【００５６】
この実施の形態では、切り欠きを少なくとも接続部の２つおきに設けるようにしているので、実施の形態２のものに比し切り欠きを少なくできカットする箇所が少なくてすむので、実施の形態２のものに比べて容易にゲートドライブカソード電極を形成することができ、安価なゲートドライブ装置を提供できる。
【００５７】
【発明の効果】
本発明にかかる半導体スイッチング装置は、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、上記接続面から上記ゲート電極側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記ゲート電極に対向するように上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極、並びに上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとを備え、上記ゲートドライブにより上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流が供給される半導体スイッチング装置であって、上記ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けているので、接続面にひずみが生じるのを防止することができ、カソード電極接続用電極をカソード電極又はカソード導体に対して均一に圧接することができる。
【００５８】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅を略同一にした場合には、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路の減少を少なくすることができる。
【００５９】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の２つおきに設けた場合には、安価な半導体スイッチング装置を提供することができる。
【００６０】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にした場合には、安価な半導体スイッチング装置を提供することができる。
【００６１】
また、本発明にかかるゲートドライブは、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子の上記カソード電極に接続される接続面、上記接続面から一方の側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記折曲部から他方の側に折り曲げられ上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極と、上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極とを備え、上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流を供給するゲートドライブであって、上記カソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けているので、接続面にひずみが生じるのを防止することができ、カソード電極接続用電極をカソード電極又はカソード導体に対して均一に圧接することができる。
【００６２】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅を略同一にした場合には、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路の減少を少なくすることができる。
【００６３】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の２つおきに設けた場合には、安価なゲートドライブを提供することができる。
【００６４】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にした場合には、安価なゲートドライブを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 本発明の実施の形態１の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図２】 図１に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図３】 本発明の実施の形態２の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図４】 図３に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図５】 本発明の実施の形態３の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図６】 図５に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図７】 本発明の実施の形態４の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図８】 図７に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図９】 従来の半導体スイッチング装置の一例を示すブロック図である。
【図１０】 図９に示した半導体スイッチング装置における半導体スイッチング素子とゲートドライブとの接続部分周辺を示す断面図である。
【図１１】 図１０に示した半導体スイッチング装置のゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図１２】 ゲートドライブカソード電極の周上に発生する応力を示す図である。
【符号の説明】
１ ゲートドライブカソード電極
１ａ 接続面 １ｂ 折曲部
１ｃ 張出部
２、２ａ、２ｂ、２ｃ 切り欠き
１０１ ＧＴＯ １０１ａ ＧＴＯアノード
１０１ｂ ＧＴＯゲート １０１ｃ ＧＴＯカソード
１０２ ゲートドライブ １０２ａ ターンオンパルス回路
１０２ｂ オン維持回路 １０２ｃ ターンオフ回路
１０３ａ アノード導体 １０３ｂ カソード導体
１２１ ゲートドライブ積層基板
１２１ａ ゲートドライブ積層基板ゲート層
１２１ｂ ゲートドライブ積層基板カソード層
１２２ 押え版 １２３ ゲートドライブカソード電極
１２４ シャーシ １２５ 絶縁ブッシュ
１２６ ねじ １２７ スプリング
１２８ ワッシャ １２９ａ ゲートスルーホール
１２９ｂ カソードスルーホール
Claims (8)
- 一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、上記接続面から上記ゲート電極側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記ゲート電極に対向するように上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極、並びに上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとを備え、上記ゲートドライブにより上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流が供給される半導体スイッチング装置であって、
上記ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたことを特徴とする半導体スイッチング装置。 - 接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一であることを特徴とする請求項１記載の半導体スイッチング装置。
- 他の電極と接続される複数の接続部が張出部の縁に沿って設けられており、切り欠きが少なくとも上記接続部の２つおきに設けられていることを特徴とする請求項１記載の半導体スイッチング装置。
- カソード電極接続用電極の材質が銅であることを特徴とする請求項１記載の半導体スイッチング装置。
- 一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子の上記カソード電極に接続される接続面、上記接続面から一方の側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記折曲部から他方の側に折り曲げられ上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極と、上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極とを備え、上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流を供給するゲートドライブであって、
上記カソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたことを特徴とするゲートドライブ。 - 接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一であることを特徴とする請求項５記載のゲートドライブ。
- 他の電極と接続される複数の接続部が張出部の縁に沿って設けられており、切り欠きが少なくとも上記接続部の２つおきに設けられていることを特徴とする請求項５記載のゲートドライブ。
- カソード電極接続用電極の材質が銅であることを特徴とする請求項５記載のゲートドライブ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
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Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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| JP2001176793A JP3967095B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 半導体スイッチング装置及びゲートドライブ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002368208A JP2002368208A (ja) | 2002-12-20 |
| JP3967095B2 true JP3967095B2 (ja) | 2007-08-29 |
Family
ID=19017728
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001176793A Expired - Lifetime JP3967095B2 (ja) | 2001-06-12 | 2001-06-12 | 半導体スイッチング装置及びゲートドライブ |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3967095B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN106373948B (zh) * | 2016-09-14 | 2019-03-05 | 无锡同方微电子有限公司 | 一种集成门极可关断晶闸管驱动电路板场效应管排布结构 |
-
2001
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
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| RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421 Effective date: 20040126 |
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| A711 | Notification of change in applicant |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A712 Effective date: 20040315 |
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| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050218 |
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| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070529 |
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| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070530 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Ref document number: 3967095 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100608 Year of fee payment: 3 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110608 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608 Year of fee payment: 5 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120608 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130608 Year of fee payment: 6 |
|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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|
| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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| R250 | Receipt of annual fees |
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