JP3967095B2 - 半導体スイッチング装置及びゲートドライブ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ターンオフ電流によりターンオフ動作がなされる半導体スイッチング装置、及びターンオフ電流を供給するゲートドライブに関する。
【0002】
【従来の技術】
GCT(Gate Commutated Turn−offサイリスタ)を含むGTO(ゲートターンオフサイリスタ)等の半導体スイッチング素子は、素子のみでターンオフ動作をすることができない。そのため、このような半導体スイッチング素子で構成される半導体スイッチング装置は、ターンオフ電流を供給するゲートドライブを半導体スイッチング素子に接続し、このゲートドライブからのターンオフ電流により半導体スイッチング素子のターンオフ動作をさせるようにしている。
【0003】
図9は半導体スイッチング素子及びゲートドライブからなる上記従来の半導体スイッチング装置の一例を示すブロック図である。
【0004】
図において、101は半導体スイッチング素子としてのGTO、102はゲートドライブ、102aはGTO101をターンオンさせるターンオンパルス回路、102bはGTO101のオン状態を維持するオン維持回路、102cはGTO101をターンオフさせるターンオフ回路である。
【0005】
図10は図9に示した半導体スイッチング装置における半導体スイッチング素子とゲートドライブとの接続部分周辺を示す断面図で、ABB Semiconductors AG社製のIntegrated Gate−Commutated Thyristor 5SHY 35L4502のハード駆動GTOのゲートドライブとハード駆動GTOの接続構造断面を示す図である。
【0006】
図において、101はGTO本体、101aはGTO101のアノード電極、101bはGTO101のゲート電極、101cはGTO101のカソード電極、103aはアノード電極101aと接続されるアノード導体、103bはゲートドライブカソード電極123を介してカソード電極101cに接続されるカソード導体である。アノード導体103aおよびカソード導体103bはGTO101の冷却を兼ねた導体でありGTO101と均一に圧接され、密着する必要がある。この圧接が不十分な場合はGTO101の内部エレメントが不均一な電流分布となり最悪はエレメント加熱による破壊が起こる。
【0007】
121はゲートドライブ回路のGTO101への配線のための積層基板、121aはゲートドライブ積層基板121のゲート層、121bはゲートドライブ積層基板121のカソード層、122は押え板、123はゲートドライブカソード電極である。
【0008】
図11は図10に示した半導体スイッチング装置を構成するゲートドライブのゲートドライブカソード電極123を示す斜視図である。図に示すように、ゲートドライブカソード電極123は皿状の構造になっており、アルミを面整形することで形成される。このゲートドライブカソード電極123は、カソード電極に接続される接続面123a、接続面から延在する折曲部123b、折曲部123bから張出した張出部123cとからなり、張出部123cには、ねじ126が止められる接続部としてのねじ止部123dが円周に沿って複数設けられている。
【0009】
図10に戻って、124はシャーシ、125は絶縁ブッシュ、126はねじ、127はスプリング、128はワッシャ、129aはゲートスルーホールで、積層配線されたゲートドライブ積層基板ゲート層121aの基板内層の電流をゲートドライブ積層基板121の表面へ変換するのに使用される。また、129bはカソードスルーホールで、積層配線されたゲートドライブ積層基板カソード層121bの基板内層の電流をゲートドライブ積層基板121の裏面へ変換するのに使用される。
【0010】
ゲートドライブ102とGTO101との接続は、押え板122、GTOゲート電極101b、ゲートドライブ積層基板121、ゲートドライブカソード電極123、シャーシ124の順に並べ、さらに、押え板122上に絶縁ブッシュ125、スプリング127、ワッシャ128を配置し、これらをねじ126で止めることで接続される。この絶縁ブッシュ125は、カソード電位になるねじ126とゲート電位になる押え板122(GTOゲート電極101b、ゲートドライブ積層基板121)との絶縁を図る目的で必要である。
【0011】
このような、いわゆるハード駆動GTOでは、普通のGTOの駆動と比較して、より大きく、はるかに急峻な電流をターンオフGTOのゲートに印加してメイン電流を制御する必要があるため、GTOとゲートドライブのターンオン及びターンオフ電流路のインダクタンス成分とインピーダンス成分とを極小にするようにした積層基板による配線が一般に用いられている。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
従来の半導体スイッチング装置は上記のように、ゲートドライブカソード電極が皿状の構造となっており、面整形するのに高度なプレス加工技術や、絞り加工技術が必要であった。そのため、安価で安定したゲートドライブカソード電極を提供することが困難であった。
【0013】
また、大電流制御を行う場合には導電率や放熱特性のより優れた材質のものを用いるのが好ましく、材質として銅を用いるのが好ましいが、銅はアルミに比べプレス加工や絞り加工が劣るため従来の半導体スイッチング装置には適用しにくいという問題点があった。
【0014】
また、従来のゲートドライブカソード電極では、図12に示すように、ゲートドライブカソード電極の周上に発生する応力はGTOのカソードと接触する面(接続面)に集中され、その結果、ゲートドライブカソード電極の接続面にひずみが生じる。ひずみを持ったまま接続面をGTOのカソード電極面に圧接すると素子内部エレメントが不均一に圧接される危険性があるといった問題点があった。
【0015】
本発明は上記のような課題を解決するためになされたものであり、簡単な切り欠き(スリット)を施すことで、ゲートドライブカソード電極に生じるひずみの発生を防止することが可能な半導体スイッチング装置及びゲートドライブを提供するものである。
【0016】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる半導体スイッチング装置は、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、上記接続面から上記ゲート電極側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記ゲート電極に対向するように上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極、並びに上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとを備え、上記ゲートドライブにより上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流が供給される半導体スイッチング装置であって、上記ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたものである。
【0017】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにしてもよい。
【0018】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の2つおきに設けるようにしてもよい。
【0019】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にしてもよい。
【0020】
また、本発明にかかるゲートドライブは、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子の上記カソード電極に接続される接続面、上記接続面から一方の側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記折曲部から他方の側に折り曲げられ上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極と、上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極とを備え、上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流を供給するゲートドライブであって、上記カソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたものである。
【0021】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにしてもよい。
【0022】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の2つおきに設けるようにしてもよい。
【0023】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にしてもよい。
【0024】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態を図に基づいて説明する。
実施の形態1.
図1はこの実施の形態1の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極(カード電極接続用電極)を示す斜視図である。図2は図1に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。
【0025】
なお、この実施の形態1の半導体スイッチング装置(ゲートドライブを含む)は、ゲートドライブのゲートドライブカソード電極を除いて図9、10に示したもの等従来の半導体スイッチング装置(ゲートドライブを含む)と同様である。
【0026】
すなわち、半導体スイッチング装置は、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、カソード電極に接続されるカソード電極接続用電極及びゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとで構成され、ゲートドライブによりゲート電極とカソード電極との間にターンオフ電流が供給されるようになっている。
【0027】
図において、1はゲートドライブカソード電極、1aはGTO等の半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、1bは接続面1aから一方の側(ゲートドライブと半導体スイッチング素子との接続時にはゲート電極側)に折り曲げられて延在する折曲部、1cは折曲部1bから先の折り曲げと反対側に折り曲げられて延在する張出部(ゲートドライブと半導体スイッチング素子との接続時には、ゲート電極に対向するように折曲部1bから張出した張出部)である。
【0028】
2は接続面1aと折曲部1bとの隣接部から張出部1cの縁部にまで延在形成された切り欠き(スリット)である。切り欠き2は、ゲートドライブカソード電極の加工後に張出部1cにおいて重複する箇所ができないよう、縁部(円周の外側)にいくに従って切り欠きの幅が大きくなるように形成するのが好ましい。また、切り欠きの先端部(中心側の端部)が接続面1aにかかるように、より好適にはゲートドライブカソード電極の板厚分を考慮して接続面1aの縁部より少し内側になるように形成するとよい。
【0029】
3は他の電極と接続される複数の接続部であり、この接続部3は張出部1cの周方向に沿って設けられている。なお、ここでは、接続部3は、ねじ締め付け用穴である。また、切り欠き2は、この接続部3である各穴と穴との間に形成すればよい。
【0030】
また、図2における一点鎖線及び点線は各々折り曲げる箇所を示すもので、図2では、一点鎖線は谷折り部分、点線は山折り部分の箇所である。
【0031】
ゲートドライブカソード電極の加工時には、まず、アルミや銅でできた円板状のものを用意し、切り欠き2及び接続部3を形成する。ゲートドライブカソード電極1の材質は、非磁性体で導電率の高いもの、大電流制御を行う場合には導電率や放熱特性のより優れた材質のものを用いればよい。この実施の形態1では、特にプレス加工や絞り加工が劣っていても整形が可能なので、銅等安価な材質のものを用いることができる。なお、アルミ等加工しやすいものを用いてもよい。
【0032】
切り欠き形成時のカット箇所はねじ締め付け用穴3と穴3の中間を1個以上飛ばしながらカットする。なお、カットの角度は折り曲げ加工時に曲げた壁面どおしが接触しない角度にし、略二等辺三角形の形状にカットすればよい。
【0033】
このように切り欠き2を形成した後、谷折り部分、及び山折り部分で折り曲げることにより図1に示すようなゲートドライブカソード電極1を形成することができる。
【0034】
このゲートドライブカソード電極の整形時(折り曲げ時)には、予め切り欠き2が形成されていることより、ゲートドライブカソード電極1の中心方向への応力集中を防止することができる。その結果、カソード電極との接続面1aにひずみが生じるのを防止することができる。
【0035】
また、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路は張出部1c、折曲部1bによって構成されるが、ゲートドライブカソード電極1(張出部1c)が接続部3(ねじ止部分)で最も強く接続されるので、カットした切り欠き2により電流路が減少することはほとんどないと見てよい。
【0036】
この実施の形態1では、ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、接続面と折曲部との隣接部から張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けているので、接続面にひずみが生じるのを防止することができ、カソード電極接続用電極をカソード電極及びカソード導体に対して均一に圧接することができる。よって、ひずみの心配をしながら半導体スイッチング素子を圧接する危険性をなくすことができる。
【0037】
また、ゲートドライブと半導体スイッチング素子との電流路を阻害することなく容易にほしい精度で面加工ができるカソード電極接続用電極を得ることができる。
【0038】
また、アルミに比べプレス加工や絞り加工が劣る銅でも整形が可能なので、ゲートドライブカソード電極の材質に銅等安価な材質のものを用いることができる。
【0039】
実施の形態2.
実施の形態1では、中心側の一端から縁部側の他端に延在する切り欠きの幅が縁側にいくにつれて広くなっているが、この実施の形態2は、接続面と折曲部との隣接部、折曲部と張出部との隣接部、及び張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにしたものである。
【0040】
図3はこの実施の形態2の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。図4は図3に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。なお、ゲートドライブカソード電極の切り欠きの形状を除いては実施の形態1と同様である。
【0041】
2aは接続面1aと折曲部1bとの隣接部から張出部1cの縁部にまで延在形成された切り欠き(スリット)である。ここで、中心側の一端から折曲部1bと張出部1cとの隣接部を介して張出部1cの縁部側の他端に延在する切り欠き2aの幅が略同一になるように形成する。すなわち、折曲部1b、張出部1cでの切り欠きの占める面積ができるだけ小さくなるように形成する。
【0042】
また、切り欠きの先端部(中心側の端部)が接続面1aにかかるように、より好適にはゲートドライブカソード電極の板厚分を考慮して接続面1aの縁部より少し内側になるように形成するとよい。
【0043】
また、ゲートドライブカソード電極の整形は、実施の形態1と同様にすればよいが、切り欠きの形状を上記のようなものとするため、折曲部1bと張出部1cとの境界部までは中心から離れるに従って幅が大きくなるよう略二等辺三角形の形状に形成し、境界部から張出部1cの端部(縁部)にかけては、中心から離れるに従って幅が小さくなるよう略逆二等辺三角形の形状に、すなわち菱形の形状にカットすればよい。
【0044】
この実施の形態では、接続面と折曲部との隣接部、折曲部と張出部との隣接部、及び張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一になるようにし、切り欠きの閉める面積が小さくなるようにしているので、実施の形態1の効果に加えて、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路の減少を実施の形態1のものより少なくすることができ、理想的なゲートドライブカソード電極を有する半導体スイッチング装置を提供することができる。
【0045】
実施の形態3.
実施の形態1では、切り欠きが各接続部間に設けられているが、この実施の形態3では、切り欠きを少なくとも接続部の2つおきに設けるようにしたものである。
【0046】
図5はこの実施の形態3の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。図6は図5に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。なお、ゲートドライブカソード電極の切り欠きの形成個数を除いては実施の形態1と同様である。
【0047】
2bは接続面1aと折曲部1bとの隣接部から張出部1cの縁部にまで延在形成された切り欠き(スリット)で、少なくとも接続部3の2つおきに形成されるようになっている。なお、切り欠き2bの形状は実施の形態1と同様である。
【0048】
また、ゲートドライブカソード電極の整形は、実施の形態1と同様にすればよいが、切り欠き形成時のカット箇所はねじ締め付け用穴3と穴3の中間を2個以上飛ばしながらカットするようにする。
【0049】
この実施の形態1では接続部の2つおきに切り欠きを設けるようにしているが、3つ以上おきに切り欠きを設けるようにしてもよい。
【0050】
この実施の形態では、切り欠きを少なくとも接続部の2つおきに設けるようにしているので、実施の形態1のものに比し切り欠きを少なくできカットする箇所が少なくてすむので、実施の形態1のものに比べて容易にゲートドライブカソード電極を形成することができ、安価なゲートドライブ装置を提供できる。
【0051】
実施の形態4.
実施の形態2では、切り欠きが各接続部間に設けられているが、この実施の形態4では、切り欠きを少なくとも接続部の2つおきに設けるようにしたものである。
【0052】
図7はこの実施の形態3の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。図8は図7に示したゲートドライブカソード電極の展開図で、ゲートドライブカソード電極の加工前の形状を示す図である。なお、ゲートドライブカソード電極の切り欠きの形成個数を除いては実施の形態2と同様である。
【0053】
2cは接続面1aと折曲部1bとの隣接部から張出部1cの縁部にまで延在形成された切り欠き(スリット)で、少なくとも接続部3の2つおきに形成されるようになっている。なお、切り欠き2cの形状は実施の形態2と同様である。
【0054】
また、ゲートドライブカソード電極の整形は、実施の形態2と同様にすればよいが、切り欠き形成時のカット箇所はねじ締め付け用穴と穴の中間を2個以上飛ばしながらカットするようにする。
【0055】
この実施の形態2では接続部の2つおきに切り欠きを設けるようにしているが、3つ以上おきに切り欠きを設けるようにしてもよい。
【0056】
この実施の形態では、切り欠きを少なくとも接続部の2つおきに設けるようにしているので、実施の形態2のものに比し切り欠きを少なくできカットする箇所が少なくてすむので、実施の形態2のものに比べて容易にゲートドライブカソード電極を形成することができ、安価なゲートドライブ装置を提供できる。
【0057】
【発明の効果】
本発明にかかる半導体スイッチング装置は、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、上記接続面から上記ゲート電極側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記ゲート電極に対向するように上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極、並びに上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとを備え、上記ゲートドライブにより上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流が供給される半導体スイッチング装置であって、上記ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けているので、接続面にひずみが生じるのを防止することができ、カソード電極接続用電極をカソード電極又はカソード導体に対して均一に圧接することができる。
【0058】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅を略同一にした場合には、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路の減少を少なくすることができる。
【0059】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の2つおきに設けた場合には、安価な半導体スイッチング装置を提供することができる。
【0060】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にした場合には、安価な半導体スイッチング装置を提供することができる。
【0061】
また、本発明にかかるゲートドライブは、一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子の上記カソード電極に接続される接続面、上記接続面から一方の側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記折曲部から他方の側に折り曲げられ上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極と、上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極とを備え、上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流を供給するゲートドライブであって、上記カソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けているので、接続面にひずみが生じるのを防止することができ、カソード電極接続用電極をカソード電極又はカソード導体に対して均一に圧接することができる。
【0062】
また、接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅を略同一にした場合には、ゲートドライブから半導体スイッチング素子に流れる電流の電流路の減少を少なくすることができる。
【0063】
また、他の電極と接続される複数の接続部を張出部の縁に沿って設け、切り欠きを少なくとも上記接続部の2つおきに設けた場合には、安価なゲートドライブを提供することができる。
【0064】
さらに、カソード電極接続用電極の材質を銅にした場合には、安価なゲートドライブを提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施の形態1の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図2】 図1に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図3】 本発明の実施の形態2の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図4】 図3に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図5】 本発明の実施の形態3の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図6】 図5に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図7】 本発明の実施の形態4の半導体スイッチング装置のゲートドライブにおけるゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図8】 図7に示したゲートドライブカソード電極の展開図である。
【図9】 従来の半導体スイッチング装置の一例を示すブロック図である。
【図10】 図9に示した半導体スイッチング装置における半導体スイッチング素子とゲートドライブとの接続部分周辺を示す断面図である。
【図11】 図10に示した半導体スイッチング装置のゲートドライブカソード電極を示す斜視図である。
【図12】 ゲートドライブカソード電極の周上に発生する応力を示す図である。
【符号の説明】
1 ゲートドライブカソード電極
1a 接続面 1b 折曲部
1c 張出部
2、2a、2b、2c 切り欠き
101 GTO 101a GTOアノード
101b GTOゲート 101c GTOカソード
102 ゲートドライブ 102a ターンオンパルス回路
102b オン維持回路 102c ターンオフ回路
103a アノード導体 103b カソード導体
121 ゲートドライブ積層基板
121a ゲートドライブ積層基板ゲート層
121b ゲートドライブ積層基板カソード層
122 押え版 123 ゲートドライブカソード電極
124 シャーシ 125 絶縁ブッシュ
126 ねじ 127 スプリング
128 ワッシャ 129a ゲートスルーホール
129b カソードスルーホール
Claims (8)
- 一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子と、上記半導体スイッチング素子のカソード電極に接続される接続面、上記接続面から上記ゲート電極側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記ゲート電極に対向するように上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極、並びに上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極が設けられたゲートドライブとを備え、上記ゲートドライブにより上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流が供給される半導体スイッチング装置であって、
上記ゲートドライブのカソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたことを特徴とする半導体スイッチング装置。 - 接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一であることを特徴とする請求項1記載の半導体スイッチング装置。
- 他の電極と接続される複数の接続部が張出部の縁に沿って設けられており、切り欠きが少なくとも上記接続部の2つおきに設けられていることを特徴とする請求項1記載の半導体スイッチング装置。
- カソード電極接続用電極の材質が銅であることを特徴とする請求項1記載の半導体スイッチング装置。
- 一端にアノード電極、他端にカソード電極、側面に延在形成されたゲート電極が各々設けられた円盤状の半導体スイッチング素子の上記カソード電極に接続される接続面、上記接続面から一方の側に折り曲げられて延在する折曲部、及び上記折曲部から他方の側に折り曲げられ上記折曲部から張出した張出部を有してなるカソード電極接続用電極と、上記ゲート電極に接続されるゲート電極接続用電極とを備え、上記ゲート電極と上記カソード電極との間にターンオフ電流を供給するゲートドライブであって、
上記カソード電極接続用電極に、上記接続面と上記折曲部との隣接部から上記張出部の縁部まで延在する切り欠きを設けたことを特徴とするゲートドライブ。 - 接続面と折曲部との隣接部、上記折曲部と張出部との隣接部、及び上記張出部の縁部での切り欠きの幅が略同一であることを特徴とする請求項5記載のゲートドライブ。
- 他の電極と接続される複数の接続部が張出部の縁に沿って設けられており、切り欠きが少なくとも上記接続部の2つおきに設けられていることを特徴とする請求項5記載のゲートドライブ。
- カソード電極接続用電極の材質が銅であることを特徴とする請求項5記載のゲートドライブ。
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