JP3957886B2 - 半導体素子のキャパシタ製造方法及びこれによって製造される半導体キャパシタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は半導体素子キャパシタ製造方法及びこれによって製造される半導体キャパシタに関するもので、より詳しくは酸化膜のアンダーカット及び洗浄工程をインシチュ(In−situ)で遂行した後、へミスぺリカルグレーン工程(Hemi Spherical Grain Process:以下HSG工程とする)を遂行する半導体素子のキャパシタ製造方法及びこれによって製造される半導体キャパシタに関するものである。
【0002】
【従来の技術】
一般に半導体素子の構成要素の中でキャパシタはそれぞれの情報に対する電荷を蓄積する記憶素子に利用される。キャパシタの容量は、その表面積に比例するので最近の半導体素子のキャパシタはその表面積を増加させるためにいくつかの方法を製造工程に適用している。
【0003】
ここで、キャパシタの表面積は主にキャパシタに製造されるストリッジ電極、即ち、下部電極物質層であるポリシリコン膜を半球型に形成するHSG工程を遂行してその表面積を増加させる。
【0004】
図1〜図4は従来の半導体素子のキャパシタ製造方法の各過程における半導体素子のキャパシタを表す。
先ず、図1に示すようにパターンが形成された半導体基板10上に絶縁膜12及び酸化膜14を順次的に形成させてコンタクトホールを形成する。次に、コンタクトホールに形成される絶縁膜12及び酸化膜14の側壁にサイドウォールスペーサー16を形成する。次に、サイドウォールスペーサー16が形成されたコンタクトホールを含む半導体基板10の上部にキャパシタの下部電極物質層であるポリシリコン膜18を所定のパターンで形成する。
【0005】
さらに、図2に示すようにポリシリコン膜18の表面積を増加させるHSG工程を遂行してポリシリコン膜18の表面を半球型に形成する。次に、図3に示すように所定のパターンが形成されるようにポリシリコン膜18を除去させた領域に露出される下部膜である酸化膜14をアンダーカットさせる工程を遂行する。次に、図4に示すように酸化膜14がアンダーカットされた半導体基板10を洗浄する。
【0006】
上述の構成からなる従来の半導体素子のキャパシタの製造では、ポリシリコン膜18の表面積を増加させるHSG工程を遂行した後、酸化膜14のアンダーカット及び洗浄工程を遂行する。そして酸化膜14のアンダーカット及び洗浄工程の遂行時利用される薬品等の影響によってHSG工程の遂行で形成させた半球型のポリシリコン膜18の表面は破壊される。このような半球型に形成したポリシリコン膜18の表面の破壊は、キャパシタで形成される下部電極であるポリシリコン膜18の表面積を減少させるのでキャパシタの容量を低下させる原因として作用する。
【0007】
従って、従来の半導体素子のキャパシタ製造時、キャパシタに形成される下部電極物質層であるポリシリコン膜の表面積の破壊によるキャパシタの容量の低下により半導体素子の信頼性が低下するという問題があった。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の目的は、キャパシタに形成される下部電極物質層の表面積を安定して確保し、キャパシタの容量を増加させることで、半導体素子の信頼性を向上させるための半導体素子のキャパシタ製造方法及びこれによって製造される半導体キャパシタを提供することにある。
【0009】
【発明を解決するための手段】
本発明の請求項1記載の半導体素子のキャパシタ製造方法は、パターンが形成された半導体基板上に酸化膜を最上層に含む所定の絶縁膜を順次的に形成した後、コンタクトホールが形成されるように所定の絶縁膜を除去する段階と、コンタクトホールを含む半導体基板の酸化膜上にキャパシタの下部電極物質層を形成する段階と、酸化膜の所定の領域が露出するように下部電極物質層を除去する段階と、下部電極物質層の除去で露出する酸化膜をアンダーカットする段階と、アンダーカットによって露出する下部電極物質層の下部表面を含む表面を洗浄する段階と、アンダーカットによって露出する下部電極物質層の下部表面を含む表面積が増加するようにへミスぺリカルグレーン工程(Hemi Spherical Grain Process)を遂行する段階とを含む。
【0010】
本発明の請求項2記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、コンタクトホールが形成されるように所定の絶縁膜を除去する段階とその上部に下部電極物質層を形成する段階の前に、コンタクトホールを形成させる所定の絶縁膜の側壁にサイドウォールスペーサー(side wall spacer)を形成する段階をさらに備える。
本発明の請求項3記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、へミスぺリカルグレーン工程の遂行で表面積が増加された下部電極物質層を洗浄した後、下部電極物質層上に絶縁膜を形成させる段階をさらに備える。
【0011】
本発明の請求項4記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、酸化膜の下部の所定の膜は、層間絶縁膜である。
本発明の請求項5記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、酸化膜は、熱酸化膜(High Temperature Oxide)である。
本発明の請求項6記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、酸化膜は、1,000Å〜2,000Åの厚さで形成する。
【0012】
本発明の請求項7記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、層間絶縁膜は、BPSG膜である。
【0013】
本発明の請求項8記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、下部電極物質層は、ポリシリコン膜である。
本発明の請求項9記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、ポリシリコン膜は、アモルファスポリシリコン膜(Amorphous Poly Silicon Fim)である。
本発明の請求項10記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、ポリシリコン膜は、7,000Å〜12,000Åの厚さに形成する。
【0014】
本発明の請求項11記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、アンダーカット工程及び洗浄工程は、お互い異なる薬品が収容されるバスを利用してインシチュ(In‐situ)で遂行する。
本発明の請求項12記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、アンダーカット及び洗浄は、HF及びNH4Fが混合された薬品を利用した第1バス工程、SC−1薬品を利用した第2バス工程及びHF薬品を利用した第3バス工程を順次に遂行する。
本発明の請求項13記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、第1バス工程は、20℃〜30℃の温度で90秒〜120秒の時間で工程を遂行する。
【0015】
本発明の請求項14記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、第2バス工程は、60℃〜80℃の温度で300秒〜600秒の時間で工程を遂行する。
本発明の請求項15記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、第3バス工程は、20℃〜30℃の温度で60秒〜180秒の時間で工程を遂行する。
本発明の請求項16記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、サイドウォールスペーサーは、窒化膜で形成する。
【0016】
本発明の請求項17記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、へミスぺリカルグレーン工程は、シーディング工程(Seeding Process)及びアニール工程(Anneal Process)を順次に遂行する。
本発明の請求項18記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、シーティング工程及びアニール工程は、同一チャンバー内でインシチュ(In−situ)で遂行する。
本発明の請求項19記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、シーディング工程は、550℃〜570℃の温度及び10-2Torr〜10-4Torrの圧力で45分〜55分の時間で遂行する。
【0017】
本発明の請求項20記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、シーディング工程は、既に供給されたHeガスに1分当り80cc〜140ccのSiH4ガスを供給しながら遂行する。
本発明の請求項21記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、シーディング工程は、Heガス及びSiH4ガスが1〜1.5:1の混合比を維持するように遂行する。
【0018】
本発明の請求項22記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、アニール工程は、550℃〜570℃の温度及び10-7Torr〜10-9Torrの圧力で50分〜60分の時間で遂行する。
本発明の請求項23記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、へミスぺリカルグレーン工程の遂行において、表面積が増加した下部電極物質層の洗浄は、SC−1薬品を利用して工程を遂行する。
【0019】
本発明の請求項24記載の半導体素子のキャパシタ製造方法は、パターンが既に形成された半導体基板上に層間絶縁膜及び酸化膜が順次に積層される多層膜を形成した後、コンタクトホールが形成されるように所定の領域の多層膜を除去する段階と、コンタクトホールを形成する多層膜の側壁に窒化膜でなるサイドウォールスペーサーを形成する段階と、サイドウォールスペーサーが形成されたコンタクトホールを含む半導体基板上にキャパシタの下部電極物質層であるアモルファスポリシリコン膜を形成する段階と、酸化膜の所定の領域が露出されるようにアモルファスポリシリコン膜を除去する段階と、アモルファスポリシリコン膜の除去で露出する酸化膜をアンダーカットする段階と、アンダーカットによって露出するアモルファスポリシリコン膜の下部表面を含む表面を洗浄する段階と、酸化膜のアンダーカットによって露出するアモルファスポリシリコン膜の下部表面を含む表面積が増加するようにヘミスペリカルグレーン工程を遂行する段階と、ヘミスペリカルグレーン工程の遂行で表面積が増加されたアモルファスポリシリコン膜を洗浄する段階と、アモルファスポリシリコン膜上に絶縁膜を形成する段階とを含む。
【0020】
本発明の請求項25記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、アンダーカット及び洗浄は、お互い他の薬品が収容されるバスを利用してHF及びNH4Fが混合された薬品を利用した第1バス工程、SC−1薬品を利用した第2バス工程及びHF薬品を利用した第3バス工程をインシチュで遂行する。
【0021】
本発明の請求項26記載の半導体素子のキャパシタ製造方法によると、第1バス工程は、20℃〜30℃の温度で90秒〜120秒の時間で工程を遂行し、第2バス工程は60℃〜80℃の温度で300秒〜600秒の時間で工程を遂行し、第3バス工程は20℃〜30℃の温度で60秒〜180秒の時間で工程を遂行する。
【0022】
本発明の請求項27記載の半導体キャパシタによると、請求項1〜26のいずれか一項に記載の方法により製造され、前記下部電極物質層の下部表面を含む表面が半球型で形成される。
本発明の請求項28記載の半導体キャパシタにによると、下部電極物質層は、アモルファスポリシリコン膜である。
本発明の請求項29記載の半導体キャパシタによると、下部電極物質層はその厚さが7,000Å〜12,000Åである。
【0023】
【発明の実施の形態】
以下、図面に基づき本発明の一実施例を詳細に説明する。
図5〜図13に、本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造方法の各過程における半導体素子のキャパシタを示す。
先ず、図5に、パターンが形成された半導体基板20上に絶縁膜22及び酸化膜24を順次的に形成した状態を示すように、半導体基板20上に酸化膜24を最上層に含む所定の絶縁膜が形成されるようにする。
ここで、絶縁膜22を層間絶縁膜であるBPSG膜で形成することができる。
【0024】
また、酸化膜24は熱酸化膜を1,000Å〜2,000Åの厚さに形成することができ、本実施例では1,500Åの厚さに熱酸化膜を形成する。
そして、図6及び図7は絶縁膜22及び酸化膜24の所定の領域を除去してコンタクトホールを形成した状態を示す。ここで、コンタクトホールはフォトレジスト25を利用した写真エッチング工程を遂行して形成する。コンタクトホールが形成される所定の領域は半導体素子でトランジスターのソース電極とキャパシタのストリッジ電極、即ち下部電極物質層が連結される領域である。
【0025】
続いて、図8は、スペースエッチバック工程(Space Etch Back Process)の遂行でコンタクトホールに形成された絶縁膜22及び酸化膜24の両側の壁にサイドウォールスペーサー26が形成された状態を示す。ここで、サイドウォールスペーサー26は窒化膜を利用して形成することができる。
【0026】
そして、図9は、サイドウォールスペーサー26が形成されたコンタクトホールを含む半導体基板20の酸化膜24上にポリシリコン膜28を形成した状態を示す。ここで、ポリシリコン膜28はキャパシタのストリッジ電極である下部電極物質層で形成される。ポリシリコン膜28はアモルファスポリシリコン膜を形成させることができ、その厚さは酸化膜24の表面を基準に7,000Å〜12,000Åの厚さに形成することができる。本実施例ではポリシリコン膜28を9,000Åの厚さのアモルファスポリシリコン膜で形成する。
【0027】
続いて、図10〜図11は酸化膜24が露出するようにフォトレジスト29を利用した写真エッチング工程の遂行でポリシリコン膜28を除去させた状態を示す。
続いて、図12はポリシリコン膜28の除去で露出した酸化膜24をアンダーカットさせた後、酸化膜のアンダーカットによって露出されるポリシリコン膜28を洗浄した状態を示す。ここで、酸化膜24のアンダーカットとアンダーカットによって露出されるポリシリコン膜28の洗浄工程をお互い異なる薬品が収容されるバスを利用してインシチュで遂行する。
【0028】
このようなインシチュで遂行される酸化膜24のアンダーカット及び洗浄工程は、HF及びNH4Fが混合された薬品を利用した第1バス工程、SC−1薬品を利用した第2バス工程及びHF薬品を利用した第3バス工程をインシチュで遂行することができる。そして、第1バス工程は20℃〜30℃の温度で90秒〜120秒の時間で工程を遂行することができ、実施例では25℃の温度で100秒の時間で工程を遂行する。また、第2バス工程は60℃〜80℃の温度で300秒〜600秒の時間で工程を遂行することができ、実施例では70℃の温度で500秒の時間で工程を遂行する。第3バス工程は20℃〜30℃の温度で60秒〜180秒の時間で工程を遂行することができ、実施例では25℃の温度で120秒の時間で工程を遂行する。このような酸化膜24のアンダーカット及び洗浄工程の遂行では、酸化膜24は500Å〜1,000Åがアンダーカットされるように遂行する。
【0029】
続いて、図13は、ポリシリコン膜28の表面積が増加するようにHSG工程を遂行して、ポリシリコン膜28の表面を半球型に形成した状態を示す。ここで、ポリシリコン膜28の表面を半球型で形成させるHSG工程はシーディング工程及びアニール工程を順次的に遂行することができ、またシーディング工程及びアニール工程は、同一チャンバー内でインシチュで遂行することができる。シーディング工程は550℃〜570℃の温度及び10-2Torr〜10-4Torrの圧力で45分〜55分の時間で遂行し、既に供給されたHeガスに1分当り80cc〜140ccのSiH4ガスを供給しながら遂行することができる。即ち、シーディング工程は、Heガス及びSiH4ガスが1〜1.5:1の混合比を維持するように遂行することができる。そして、本実施例ではシーディング工程を560℃の温度及び10-3Torrの圧力で50分の時間で遂行し、Heガス及びSiH4ガスが1.2:1の混合比を維持することができるようにSiH4ガスを1分当り1,200ccで供給する。
【0030】
また、アニール工程は550℃〜570℃の温度及び10-7Torr〜10-9Torrの圧力で50分〜60分の時間で遂行することができ、本実施例では560℃の温度及び10-8Torrの圧力で55分の時間で工程を遂行する。
【0031】
そして、同一チャンバーでインシチュで遂行されるHSG工程即ち、シーディング工程及びアニール工程でのガスの供給及び圧力の調節は本発明の技術を理解する者であれば容易に同一チャンバーを操作して調節することができる。
【0032】
続いて、HSG工程の遂行後、SC−1薬品を利用して表面積が増加したポリシリコン膜28を洗浄する工程を遂行する。そして、洗浄が行われたポリシリコン膜28上に窒化膜(図示しない)を形成させる。
【0033】
上述の構成によりキャパシタの下部電極物質層をポリシリコン膜28で形成させ、酸化膜24のアンダーカット及び洗浄工程をインシチュで遂行した後、ポリシリコン膜28の表面積を増加させるHSG工程を遂行するため、キャパシタの下部電極物質層であるポリシリコン膜28の表面に形成させる半球型の表面積を安定して確保することができキャパシタの容量を増加させることができる。即ち、酸化膜24のアンダーカットで下部のポリシリコン膜28の表面を確保することができるだけではなく、ポリシリコン膜28に形成される半球型の表面が破壊されることを防止することができるので、ポリシリコン膜28の表面積の安定的な確保を通じてキャパシタの容量を向上させることができる。
【0034】
前述した構成で行われる本実施例に対する作用及び効果に対して説明する。
先ず、本発明はパターンが形成された半導体基板20上に絶縁膜22即ち、層間絶縁膜であるBPSG膜を形成させ、層間絶縁膜であるBPSG膜はコンタクトホールの形成時、その段差を減少させる。
そして、絶縁膜22上に1,500Åの厚さの熱酸化膜でなる酸化膜24を形成させる。
【0035】
続いて、写真エッチング工程を遂行して所定の領域の絶縁膜22及び酸化膜24を除去させる。ここで、所定の領域とは、前述したようにトランジスターのソース電極とキャパシタのストリッジ電極が連結される領域である。
【0036】
続いて、コンタクトホールに形成された絶縁膜22及び酸化膜24の両側の壁の間にサイドウォールスペーサー26を形成させるスペースエッチパック工程を遂行する。ここで、サイドウォールスペーサー26は窒化膜を利用して形成することで、後続されるポリシリコン膜28、即ちキャパシタの下部電極物質層のエッチング時、整列不良を防止し、半導体素子を構成する要素がお互いショートすることを防止するために形成する。
そして、サイドウォールスペーサー26が形成されたコンタクトホールを含む半導体基板20上にキャパシタの下部電極物質層であるポリシリコン膜28を形成させる。ここで、ポリシリコン膜28はアモルファスポリシリコン膜を9,000Åの厚さで形成する。
【0037】
続いて、ポリシリコン膜28の下部の酸化膜24が露出するように写真エッチング工程を遂行する。
そして、写真エッチング工程の遂行で露出される酸化膜24のアンダーカット及び酸化膜24のアンダーカットで露出されるポリシリコン膜28の下部表面を含む表面を洗浄させる工程を遂行する。
【0038】
酸化膜24のアンダーカット及び洗浄工程は、お互い他の薬品を収容するバスを利用して3回にわたってインシチュで遂行されるもので、先ず、HF及びNH4Fが混合された薬品を利用して25℃の温度で100秒の時間で第1バス工程を遂行する。そして、SC−1薬品を利用して70℃の温度で500秒の時間で第2バス工程を遂行する。ここで、第2バス工程に利用されるSC−1薬品は半導体素子の製造に利用される標準薬品で、主にNH4OH、H2O2及びH2Oを所定の比率で混合させた薬品である。そして、HF薬品を利用して25℃の温度で120秒の時間で第3バス工程を遂行する。
【0039】
この酸化膜24のアンダーカットは、酸化膜24が最大1,000Åアンダーカットされるように遂行する。これによって、酸化膜24と接触するポリシリコン膜28の表面即ち、ポリシリコン膜28の下部の表面までキャパシタの下部電極物質層で確保することができる。
【0040】
続いて、ポリシリコン膜28の表面積を増加させるHSG工程を遂行してポリシリコン膜28の表面を半球型に形成させる。ここで、酸化膜24のアンダーカット時、確保したポリシリコン膜28の下部の表面まで半球型で形成させることができる。
【0041】
同一チャンバー内でインシチュで遂行されるシーディング工程及びアニール工程で行われるHSG工程を遂行する。
ここで、シーディング工程は非晶質であるポリシリコン膜28の構造を変形させるために遂行されるもので、560℃の温度及び10-3Torrの圧力で50分の時間で工程を遂行する。また、シーディング工程は、既に供給されたHeガスに1分当り1,200ccのSiH4ガスを供給して工程を遂行するもので、He:SiH4が1.2:1の混合比を維持しながら工程を遂行する。
継続して、同一チャンバー内でガスを排気させた後、560℃の温度及び10-8Torrの圧力で55分の時間でアニール工程を遂行してシーディング工程の遂行でその表面積の構造をマイグレーション(Migration)させる。
このようなHSG工程の遂行で、下部の表面を含むポリシリコン膜28の表面を半球型に形成してその表面積を増加させる。
【0042】
そして、SC−1薬品を利用した洗浄工程を遂行した後、その上部に窒化膜(図示しない)を形成する。
【0043】
上述の構成によると、酸化膜24をアンダーカット及び洗浄工程を遂行した後、ポリシリコン膜28の表面積を向上させるHSG工程を遂行することで、半球型のポリシリコン膜28の表面が破壊されることを防止することができる。即ち、キャパシタの容量を増加させるためにキャパシタの下部電極に形成させるポリシリコン膜28の表面積を本発明の工程の遂行で安定して確保することができる。
【0044】
また、ポリシリコン膜28の下部の表面を確保することができキャパシタの容量を極大化させることができる。これによって本発明はキャパシタの下部電極物質層に形成されるポリシリコン膜28の表面積を安定して増加させることができる。
【0045】
【発明の効果】
従って、本発明によるとキャパシタの下部電極物質層の表面積を安定して増加させることでキャパシタの容量を極大化させ、半導体素子の信頼性が向上する効果がある。
【0046】
【図面の簡単な説明】
【図1】従来の半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図2】従来の半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図3】従来の半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図4】従来の半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図5】本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図6】本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図7】本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図8】本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図9】本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図10】本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図11】本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図12】本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【図13】 本発明の実施例による半導体素子のキャパシタ製造過程における半導体素子のキャパシタを示す断面図である。
【符号の説明】
10、20 半導体基板
12、22 絶縁膜
14、24 酸化膜
16、26 サイドウォールスペーサー
18、28 ポリシリコン膜
25、29 フォトレジスト
Claims (29)
- 半導体基板上に酸化膜を最上層に含む所定の絶縁膜を順次的に形成した後、コンタクトホールが形成されるように前記所定の絶縁膜を除去する段階と、
前記コンタクトホールを含む半導体基板の酸化膜上にキャパシタの下部電極物質層を形成する段階と、
前記酸化膜の所定の領域が露出するように前記下部電極物質層を除去する段階と、
前記下部電極物質層の除去で露出する酸化膜をアンダーカットする段階と、
前記アンダーカットによって露出する前記下部電極物質層の下部表面を含む表面を洗浄する段階と、
前記アンダーカットによって露出する前記下部電極物質層の下部表面を含む表面積が増加するようにへミスぺリカルグレーン工程を遂行する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタ製造方法。 - 前記コンタクトホールが形成されるように前記所定の絶縁膜を除去する段階とその上部に前記下部電極物質層を形成する段階の前に、前記コンタクトホールを形成させる所定の絶縁膜の側壁にサイドウォールスペーサーを形成する段階をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記へミスぺリカルグレーン工程の遂行で表面積が増加した下部電極物質層を洗浄した後、前記下部電極物質層上に絶縁膜を形成させる段階をさらに備えることを特徴とする請求項1記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記酸化膜の下部の所定の膜は、層間絶縁膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記酸化膜は、熱酸化膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記酸化膜は、1,000Å〜2,000Åの厚さで形成することを特徴とする請求項1記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記層間絶縁膜は、BPSG膜であることを特徴とする請求項4記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記下部電極物質層は、ポリシリコン膜であることを特徴とする請求項1記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記ポリシリコン膜は、アモルファスポリシリコン膜であることを特徴とする請求項8記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記ポリシリコン膜は、7,000Å〜12,000Åの厚さに形成することを特徴とする請求項8記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記アンダーカット工程及び前記洗浄工程は、お互い異なる薬品が収容されるバスを利用してインシチュで遂行することを特徴とする請求項1記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記アンダーカット及び前記洗浄は、HF及びNH4Fが混合された薬品を利用した第1バス工程、NH 4 OH、H 2 O 2 及びH 2 OからなるSC−1薬品を利用した第2バス工程及びHF薬品を利用した第3バス工程を順次に遂行することを特徴とする請求項11記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記第1バス工程は、20℃〜30℃の温度で90秒〜120秒の時間で工程を遂行することを特徴とする請求項12記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記第2バス工程は、60℃〜80℃の温度で300秒〜600秒の時間で工程を遂行することを特徴とする請求項12記載の半導体素子キャパシタ製造方法。
- 前記第3バス工程は、20℃〜30℃の温度で60秒〜180秒の時間で工程を遂行することを特徴とする請求項12記載の半導体素子キャパシタ製造方法。
- 前記サイドウォールスペーサーは、窒化膜で形成することを特徴とする請求項2記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記へミスぺリカルグレーン工程は、シーディング工程及びアニール工程を順次に遂行することを特徴とする請求項1記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記シーティング工程及びアニール工程は、同一チャンバー内でインシチュで遂行することを特徴とする請求項17記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記シーディング工程は、550℃〜570℃の温度及び10-2Torr〜10-4Torrの圧力で45分〜55分の時間で遂行することを特徴とする請求項17記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記シーディング工程は、既に供給されたHeガスに1分当り80cc〜140ccのSiH4ガスを供給しながら遂行することを特徴とする請求項17記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記シーディング工程は、Heガス及びSiH4ガスが1〜1.5:1の混合比を維持するように遂行することを特徴とする請求項17記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記アニール工程は、550℃〜570℃の温度及び10-7Torr〜10-9Torrの圧力で50分〜60分の時間で遂行することを特徴とする請求項17記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記へミスぺリカルグレーン工程の遂行において、表面積が増加した下部電極物質層の洗浄は、NH 4 OH、H 2 O 2 及びH 2 OからなるSC−1薬品を利用して工程を遂行することを特徴とする請求項3記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 半導体基板上に層間絶縁膜及び酸化膜が順次に積層される多層膜を形成した後、コンタクトホールが形成されるように所定の領域の前記多層膜を除去する段階と、
前記コンタクトホールを形成する多層膜の側壁に窒化膜でなるサイドウォールスペーサーを形成する段階と、
前記サイドウォールスペーサーが形成されたコンタクトホールを含む半導体基板上にキャパシタの下部電極物質層であるアモファスポリシリコン膜を形成する段階と、
前記酸化膜の所定の領域が露出されるように前記アモファスポリシリコン膜を除去する段階と、
前記アモファスポリシリコン膜の除去で露出する酸化膜をアンダーカットする段階と、
前記アンダーカットによって露出する前記アモファスポリシリコン膜の下部表面を含む表面を洗浄する段階と、
前記酸化膜のアンダーカットによって露出するアモファスポリシリコン膜の下部表面を含む表面積が増加するようにへミスぺリカルグレーン工程を遂行する段階と、
前記へミスぺリカルグレーン工程の遂行で表面積が増加されたアモファスポリシリコン膜を洗浄する段階と、
前記アモファスポリシリコン膜上に絶縁膜を形成する段階と、
を含むことを特徴とする半導体素子のキャパシタ製造方法。 - 前記アンダーカット及び前記洗浄は、お互い他の薬品が収容されるバスを利用してHF及びNH4Fが混合された薬品を利用した第1バス工程、NH 4 OH、H 2 O 2 及びH 2 OからなるSC−1薬品を利用した第2バス工程及びHF薬品を利用した第3バス工程をインシチュで遂行することを特徴とする請求項24記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 前記第1バス工程は、20℃〜30℃の温度で90秒〜120秒の時間で工程を遂行し、前記第2バス工程は60℃〜80℃の温度で300秒〜600秒の時間で工程を遂行し、前記第3バス工程は20℃〜30℃の温度で60秒〜180秒の時間で工程を遂行することを特徴とする請求項25記載の半導体素子のキャパシタ製造方法。
- 請求項1〜26のいずれか一項に記載の方法により製造され、前記下部電極物質層の下部表面を含む表面が半球型で形成されることを特徴とする半導体キャパシタ。
- 前記下部電極物質層は、アモルファスポリシリコン膜であることを特徴とする請求項27記載の半導体キャパシタ。
- 前記下部電極物質層はその厚さが7,000Å〜12,000Åであることを特徴とする請求項27記載の半導体キャパシタ。
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