TW395007B - A method of forming capacitor of semiconductor device and semiconductor capacitor formed thereby - Google Patents

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經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 -— ---—-—一—一. — B 7 五、發明説明（i ~ — 發明 本發明係關於一種形成半導體裝置之電容器之方法及 藉此形成之半導體電容器，特別係關於一種形成半導體裝 置之電谷益之方法及藉此形成之半導體電容器，其中氧化 物膜之凹』方法及清潔係，，原位，，進行及然後進行半球开）晶 粒（HSG)製程。 j|Jl·技術之銳日q 通常半導體裝置之電容器用作記憶裝置而儲存資訊電 荷。此種電容器之電容係與有效電容器電極面積成正比及 與二電極間距成反比。因此需要加大有效面積。 此處電容器表面積通常係經由使用半球形晶粒法加大 ，藉此電谷器下電極材料層表面亦即多晶矽膜成形為半球 第1至4圖為剖面圖顯示習知形成半導體裝置之電容器 之方法。 首先第1圖顯示接觸孔形成於絕緣層12上方及氧化物 膜14循序形成於半導體基材10上方。此外側壁間隔層丨石成 形於絕緣層12及氧化物膜14側壁。 然後多晶矽膜18作為電容器之下電極材料層成形於含 有側壁間隔層16及接觸孔之半導體基材上因而形成預定圖 樣。 此外第2圖顯示進行加大表面積之HSG製程而將多晶 矽膜18表面成形為半球形。 然後第3圖顯示與多晶矽膜18下方暴露出之氧化物膜 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS M4規格（2丨0X 297公犮） 4 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局員工消费合作社印製 Λ7 、發明説明（2) 14經凹割供形成圖樣。 第4圖顯示前述於半導體基材1〇上方之凹割氧化物膜 14經清潔。 習知半導體電容器成形製程中，氧化物膜14之凹割製 程及其清潔製程係於供加大多晶矽膜〗8表面積之HSG製程 後進行。 但此處藉HSG製程形成之半球形多晶矽膜丨8表面受到 氧化物膜14之凹割及清潔製程期間使用之化學品等破壞。 如則述半球形多晶石夕膜18表面破壞導致電容器下電極 之多晶石夕膜18表面積縮小因而使電容減小。 因此如前述電容器之電容受構成電容器之下電極材料 層多晶矽膜表面破壞而下降因而導致半導體裝置之可靠度 降低。 發明概述 本發明係針對一種形成半導體電容器之方法及藉此形 成之半導體電容器供藉由提供待成形為電容器之下電極材 料之表面積穩定加大而增加電容器之電容及改良半導體裝 置之可靠度。 為了達成根據本發明之目的之此等及其他優點，該形 成半導體電容器之方法包含τ列步驟：a)开多成絕緣層附 有一層氧化物膜循序置於其上成形有圖樣之半導體基材上 ，及去除絕緣層之預定部份因而形成接觸孔；b)於含該 接觸孔之半導體基材之氧化物膜上形成電容器之下電極材 料層；C)去除下電極材料層因而暴露氧化物膜之某個 本纸張尺度適用中ϋϋ家標準（CNS ) A4規格（训一7公- 「！. 丨：C'—裝------訂-----；線---- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 B7

份；d)凹割經由去除下電極材料層暴露出之氧化物膜；e )请潔經由凹割氧化物膜暴露出之含下電極材料層下表面 及表面；及f)進行半球形晶粒（HSG)製程俾加大含有經 凹割氧化物膜暴露出之下電極材料層下表面之表面積。 該方法又包含一種介於前述a)步驟與b)步驟間於包 含接觸孔及絕緣層侧壁上形成侧壁間隔層之步驟。 該方法又包含一種於清潔其表面藉前述半球形晶粒法 加大之下電極材料層後，於下電極材料層上形成一張絕緣 膜之步驟。 氧化物膜下方之某些膜較佳為中間絕緣層，氧化物膜 較佳為高溫氧化物（Ητο )膜。 氧化物膜成形為1,〇〇〇至2,〇〇〇埃厚度》 較佳甲間絕緣層為硼磷矽酸鹽玻璃（bpsg )膜，下 電極材料層較佳為多晶矽膜。 多晶石夕膜成形為7,000至12,000埃厚度及較佳多晶矽 膜為不定形多晶梦膜。 乳化物膜之凹割及清潔製程係經由使用含不同種化學 品之浴”原位”進行。 凹割及清潔製程係經由使用含HF及NH4F混合之化學 抑之第一洛處理，使用sc_丨化學品之第二浴處理及使用HF 化學品第三浴處理循序進行。 第一浴處理係於20至30。(：溫度進行90至120秒，第二 洽處理係於60至8〇°C溫度進行300至600秒，及第三浴處理 係於20至3〇°c溫度進行6〇至180秒》 本纸乐尺度適用中_家標準（CNS ) Λ4規格（21gχ別公慶） -ml .1- · i — I,----「1 裝--- (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 、«τ_ 線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Α7 ^^___________B?____ 五、發明説明（4 ) 側壁間隔層成形為氮化物膜。 半球形晶粒製程之執行方式為播種製程及退火製程係 循序進行。 播種製程及退火製程係於一個加工腔室内側，，原位，，進 行。 播種製程係以550至57CTC溫度使用ΙΟ·2至ΙΟ-4托耳壓 力進行45至55分鐘。 播種製程係經由以每分鐘8〇至140立方厘米速率供給 ⑴仏氣體至預先供給之He (氦氣）。 播種製程之進行使He (氦氣）與siH4氣體之混合比 維持於1至1.5比1。 退火製程係於550至570Ϊ：使用1〇_7至1〇·9托耳壓力進 行50至60分鐘。 其表面積藉HSG製程加大之下電極材料層係使用sc] 化學品清潔。 根據本發明之一種形成半導體裝置之電容器之方法包 3下列步驟· a )形成多層，其包含—層中間絕緣層及一 張氧化物職序疊於时預定圖樣之半導體基材上，及去 除前述多層之某個部份…以氮化物膜於包括接觸孔之 多層側壁形成一層側壁間隔層；c)形成一張不定形多晶 石夕膜作為電容器之下電極材料層於具有側壁間隔層及接觸 :匕之半導體基材上；d)去除部份不定形多晶矽臈因而暴 路出氧化物膜之某個部份；e)凹割經由去除不定形多晶 石夕膜暴露出之氧化物膜；f)清潔包含藉凹割氧化 LIL---裝----- (請先閱讀背面之注意事碩再填寫本頁) ---'玎---------------

五、發明説明（5 )

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出之不定形夕曰曰石夕膜下表面之表面；g)進行則G製程 因此加大藉凹割氧化物膜暴露出之含不定形多晶梦膜下表 面之表面積，h)清潔其表面積藉HSG製程加大之不定形 多晶石夕膜；及υ於不定形多晶石夕膜上形成絕緣膜。 凹割及清潔製程係經由，，原位，，進行使用混合HF及 NH4F之化學品之第_洛處理，使用心之第二浴處理， 及使用HF化學品之第三浴處理進行。 第一浴處理係於20至3代溫度進行90至120秒，第二 I處理係祕至听溫度進行则至6_，及第三浴_ 係於20至3〇C溫度進行60至180秒。 上方明之半導體電容器，其中該位於中間絕緣層 上方之電4之下電極材料層下表面係成形為半球形。 下電極材料層較佳為不定形多晶_ 係成形為7,0〇〇至12，_埃厚度。 电㈣科層 需瞭解前文細節說明僅供舉例說明之用且 請專利之本發明提供進一步解說。 〜 .圖式之簡單銳aq 附圖中： 方法第=圖為剖面圖顯示習知形成半導體裝置電容器 罢！1 至13圖為剖面圖顯示根據本發明之形成半導體 置之電各器之方法之具體例。 輕隹爲:遭_^丨之謀纟m辦日g 現在參照本發明之較佳具體例做詳細說明，其範例舉 請 先 閱 背 dr 之 注

I 裝 訂 中 之 裝 '線 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 Λ7 B7 五'發明説明（6) 例說明於附圖。 第5至13圖為根據本發明之形成半導體裝置電容器之 方法之具體例之剖面圖。 首先第5圖顯示絕緣層22及氧化物膜24循序成形於其 上成形有圖樣之半導體基材2〇上。 本發明中右干絕緣膜及氧化物膜24係成形於半導體基 材20上，其中氧化物膜係位於頂上。 此處絕緣層22成形為硼磷矽酸鹽玻璃（bpsG )膜， 此乃中間絕緣層。 此外氧化物膜24成形為厚1,〇〇〇埃至2,0〇〇埃之高溫氧 化物膜’本具體例中，高溫氧化物膜成形為1，5〇〇埃厚度 〇 此外第6及7圖顯示接觸孔係經由去除絕緣層22及氧化 物膜24之某個部份形成。 此處接觸孔隙經由使用光阻25藉微影術製程進行。 通過附有接觸孔之某個部份其中形成電晶體之源極電 極及電容器之儲存電極，亦即其下電極材料層。 然後第8圖顯示側壁間隔層26成形於絕緣層22及氧化 物膜24之側壁上包括藉進行回蝕刻處理形成的接觸孔。 此處本發明之侧壁間隔層26係使用氮化物膜形成。 此外第9圖顯示多晶矽膜28係成形於含接觸孔及半導 體基材20上方之氧化物膜24上。 此處多晶矽膜28係成形為下電極材料層，亦即本發明 之電容器之儲存電極。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 9 , 裝----->—訂-----':'m (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央襟準局員工消費合作社印製 A 7 ----—_____ B7 五、發明説明（7 ) ------ 此處本發明之多晶石夕膜28係成形為不定形多晶石夕膜及 其厚度相對於氧化物膜24之表面為7,0〇〇埃至12 〇〇〇 具體例中，乡晶矽膜28係成形為厚9，_埃之不定形 矽膜層。 第10至11圖顯示多晶石夕膜28使用光阻29進行微影術去 除故暴露出氧化物膜24。 然後第12圖顯示藉去除多晶矽膜28暴露出之氧化物膜 24絰凹割’及藉凹割氧化物膜暴露出之多晶矽膜μ經清潔 氧化物膜24之凹割及清潔藉凹割暴露出之多晶矽膜28 係使用含不同種化學品之浴，，原位，，進行。 氧化物臈24之凹割與清潔屬於”原位，，處理包含使用 HF及NHJ混合化學品之第一浴處理，使用sc_〖化學品之 第二浴處理，及使用HF化學品之第三浴處理。 第一浴處理係於20¾至3〇t溫度進行90至120秒，及 於具體例中係於25°C溫度進行1〇〇秒。 第二浴處理係於60至80°C溫度進行3〇〇至600秒，而於 具體例辛係於70t溫度進行500秒。 第二浴處理係於20至30。(：溫度進行60至180秒，及於 具體例中係於25°C溫度進行120秒。 氧化物膜24之凹割及清潔製程中，氧化物膜24被凹割 達500埃至1,〇〇〇埃。 第13圖顯示多晶矽膜28表.面藉進行HSG製程成形為半 球形故多晶矽膜28之表面積加大。 ! 1 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨Οχ 297公潑)' -Γ0~- -- ΙΓ1Ι :I-裝---------訂------S 球 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 B7 五、發明説明（8 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本發明之HSG製程中，播種製程及退火製程係循序進 行，及又前述製程係於加工腔室内”原位，，進行。 播種製程係使用1〇-2托耳至1〇-4托耳壓力於55crc至 570°C溫度進行45分鐘至55分鐘，其進行方式為每分鐘供 給80至140立方厘米Sia{至已經供給的He (氦氣）。 播種製程之進行方式係使氦氣與幻迅之混合率維持為 1至1.5比1。 具體例中，播種製程係以1〇_3托耳壓力於56〇t：溫度 進行50分鐘，及SiH4氣體係以每分鐘1，200立方厘米之速 率供給故氦氣與8出4氣體混合率維持為1.2比1。 此外退火製程係以丨〇-7至1〇-9托耳壓力於55〇1至57〇 °C溫度進行5G至6G分鐘，於具體财其係使用心托耳麼 力於560 C溫度進行55分鐘。 於常見加工腔室於，，原位，，進行之HSG製程中，換言之 ’播種製程及退火製程，氣體供給及愿力控制可於腔室内 進行，業界人士容易瞭解該腔室為共用加工腔室。 於本發明之HSG製程後，表面積加大之多晶石夕膜叫吏 用SC-1化學品清潔。 本發明中於清潔製程完成後，氮化物膜（未顯示出） 成形於多晶矽膜28上。 多晶石夕膜28成形為電容器之下電極材料層，氧化物膜 24之凹割及清潔製程係，，原位”進行，然後進行_製程俾 加大多晶矽膜28之表面積。 如此根據本發明，客a 5々描〇 〇 & - - ^多曰日矽獏28表面，電容器之下電極 請 先 閱 讀 背 Λ 之 注 意 事 項 再 奢 裝 訂 A7 A7 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 五、發明説明（9 ) ' 料層穩疋成形為半球形而增加電容器之電容。 換5之，根據本發明，多晶矽膜28之表面藉氧化物膜 24之凹割穩定化’可防止多晶梦膜之半球形表面破壞。 如此藉由多晶矽膜28之表面積穩定化而加大電容器電 容。 後文敘述本發明之具體例。 首先絕緣層22亦即中間絕緣層之BPSG膜成形於其上 成开）有圖樣之半導體基材2〇上。 此處於接觸孔成形過程可減小中間絕緣層BpS(3膜之 階高度差異。 然後厚1，500埃之氧化物膜24之層形成於絕緣層“上 作為HTO。 然後絕緣層2 2及氧化物膜2 4之某個部份藉進行微影術 去除。 此處電晶體之源極電極及電容器之儲存電極係於前述 某區彼此連通。 然後進行回蝕刻處理而於包括接觸孔之絕緣層22及氧 化物臈24侧壁上形成側壁間隔層26。 然後侧壁間隔層26係使用氮化物膜形成，意圖防止於 隨後多晶矽膜28亦即電容器下電極材料層之蝕刻過程之對 正失敗及防止半導體裝置之組成元件短路。 此外多晶石夕膜28亦即電容器之下電極層形成於半導體 基材20上附有接觸孔及侧壁間隔層26成形於其上。 此處多晶梦膜28成形為厚9,0〇〇埃之不定形多a 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0:< 297公藶） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .-gr裝-----^^1訂------「寐----------

• ml UK -1«1 i i Λ7 Β7 五、發明説明（1 ο 24 此處進行微影術而暴露出多晶㈣2 8下方 之氧化物膜 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 此外於藉微影術暴露之氧化物膜24進行凹割，然後清 潔藉凹割氧化物膜24暴露之多晶㈣28之下表面。 本發明之氧化物膜2 4之凹割與清潔製程係使用含不同 種化學品之浴，’原位，，進行三次，第一浴處理係使用HF及 NH4F化學品於25°c溫度進行100秒。 第二浴處理係使用SC]化學品於7(rc溫度進行5〇〇秒 〇 第二浴處理使用之SC·!為半導體裝置製法之標準化 學品’其概略包含νη4〇η，ΗΛ，及h2〇其係以某種比例 混合。 第三浴處理係使用HF化學品於25七溫度進行120秒。 本發明之氧化物膜24之凹割進行至氧化物膜厚度高達 1,000 埃。 如此低牴多晶矽膜28之下表面，換言之，多晶矽膜28 與氧化物膜24之介面，以電容器之下電極材料層填補。 然後多晶矽膜28之表面積加大之HSG製程經進行而將 多晶梦膜28表面成形為半球形。 本發明中其氧化物膜24凹割製備之多晶石夕膜28之下表 面係成形為半球形。 然後由播種製程及退火製程組成之HSG製程係於同一 加工腔室内”原位”進行。 此處播種製程之進行係為了扭曲不定形多晶石夕膜28之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公费）

TT . .·Λ1裝 I—tT-----'',)線 (請先閣讀背面之注意事項再填寫本頁) Λ7 Β7 經濟部中央楼準局員工消費合作社印製 五、發明説明（11 ) 結構’其係使用10_3托耳壓力於560。(：溫度下進行50分鐘 〇 播種製程係經由以每分鐘1，200立方厘米速率供給 SiA氣體至已經供給之He (氦氣）進行，而混合比維持 為 He : SiH4=l ,2 : 1。 前述氣體由加工腔室排放後，使用1〇-8托耳壓力於56〇 Cim度退火製程55分鐘而使表面遷移。 然後經由將含多晶石夕膜28之表面成形為半球形而加大 表面積。 然後於使用SC-1化學品之清潔處理後，氮化物膜（ 未顯示出）形成於頂面上。 如此於凹割氧化物膜24及清潔處理後，HSG處理供加 大多晶矽膜28之表面積因而防止多晶矽膜28之半球形表面 破壞。 換5之，根據本發明，多晶石夕膜28亦即電容器下電極 之表面積獲得安全保障俾加大電容器電容。 因此根據本發明經由如前述加大電容器下電極材料層 之表面積可獲得電容器之最大電容及改良藉此製造之半導 體裝置之可靠度。 又復雖然已經詳細說明本發明之細節，但須瞭解可未 背離如隨附之申請專利範圍界定之本發明之精髓及範圍做 出多種變化、取代及修改。 本纸蘇尺度適用尹國國家操準（CNS ) Α4規格（2】〇Χ297公雄） (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁)

----：--^----I me— M fut n_^— —m 訂 — ------- Λ7 B7 五 '發明説明（12) 元件標號對照 10 半導體基材 12 絕緣層 14 氧化物膜 16 側壁間隔層 18 多晶碎膜 20 半導體基材 22 絕緣層 24 氧化物膜 25 光阻 26 侧壁間隔層 28 多晶矽膜 1— ^^^^1 ^^^^1 —^^^1 ^1 ^mf ml 14CH fm 一 *7 n^i ^im 11^1 mfl ml i~ ' T .- 0¾ 、\''口 (請先閔讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210\297公釐） T5

Claims (1)

1. 申請專利範圍 ~ 1. -種形成半導體裝置之電容器之方法包含下列步驟： a)形成絕緣層附有一層氧化物膜循序置於其上 成形有圖樣之半導體基材上，及去除絕緣層之預定部 份因而形成接觸孔； 七）於含該接觸孔之半導體基材之氧化物膜上形 成電容器之下電極材料層； c) 去除下電極材料層因而暴露氧化物膜之某個 部份； d) 凹龍由錢下電極材料層暴露出之氧化物 膜； 〇清潔經由凹割氧化物膜暴露出之含下電極材 料層下表面及表面；及 f)進行半球形晶粒（HSG)製程俾加大含有經 凹割氧化物膜暴露出之下電極材料層下表面之表面積 ，其又包-含一種介於前述a 觸孔及絕緣層側壁上形成 2.如申請專利範圍第1項之方法 )步驟與b)步驟間於包含接 侧壁間隔層之步驟。 申請專利範圍第旧之方法，其又包含—種於清潔其 面藉前.述半球形晶粒法加大之下電極材料層後，於下 電極材料層上形成一張絕緣膜之步驟。 其中該氧化物膜為高溫 5:如申請專利範園第1項之方法 六、申請專利範圍 氧化物。 >如申請專利範圍第1項 為1，_至2，_埃厚度。、’其中該氧化物膜係成形 7. 如申請專利範圍第4項之方 磷矽酸鹽玻璃膜。 、〜間絕緣層為堋 8. 如申請專利範圍第1箱 多晶石夕膜。㉟之方法，其中該下電極材料層為 定 '如”專利範圍第8項之方法，其中該多晶 形多晶矽膜。 ^ 頁 1〇·如申請專利範圍第8之方法，其中該多初膜係成形於 7,000至 12,000埃厚度。 ' 11_如申請專利範圍第1項 甘士 # 方法，其中乳化物騰之.凹割及 訂 清潔製程係經由使用—含不同種化學品之浴，，原位，，進行 η.如中請專利龍如項之m中凹割及清潔製程 係經由使用含HF及NH4F混合之化學品之第—浴處理， 使用SC-1化學品之第二浴處理及使用HF化學品第三浴 •處理循序進行。 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 13·如申請專利範圍第12項之方法，其中該第一浴處理係 於20至30°C溫度進行90至120秒。 14. 如申请專利範圍第12項之方法，其中該第二浴處理係 於60至80°C溫度進行300至600秒。 15. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該第三浴處理係於 20至30°C溫度進行60至180秒。 17

   申請專利範圍 ABCD 經濟部中央榡準局員工消費合作社印製 16.如申凊專利範圍第2項 取决, 方法，其中該側壁間隔層係成 形為氮化物膜。 =申請專利範圍第旧之方法，其料球形晶粒製程之 執行方式㈣鄕程錢域來_序進行。 ' 18·如申請專利範圍第17項 甘士城 . 方法，其中播種製程及退火 製程係於一個加工腔室内侧，，原位，，進行。 19.如中請專利範圍第17項之方法，其中播種製程係以550 至57(TC溫度使綠2至1()_4把耳壓力進行45至55分鐘 〇 2〇·如Μ專利級第17項之方法，其中播種製程係經由 ^ ^ # 80 J. 140 ϋ. ^ ^ ^ ^ siH4-^ ^ J. H it, 供給之He (氦氣）。 21. 如申請專職圍第17項之方法，其巾製程之進行 使He (氦氣）與SiH4氣體之混合比維持於丨至^比卜 22. 如申請專利範圍第17項之方法，其中退火製程係於55〇 至570 C使用10 7至1〇-9托耳壓力進行5〇至6〇分鐘。 23. 如申明專利範圍第3項之方法，其表面積藉製程加 大之下電極材料層係使用sc_丨化學品清潔。 24_.—種形成半導體裝置之電容器之方法包含下列步驟： a )形成多層，其包含一層中間絕緣層及一張氧 化物膜循序疊於附有預定圖樣之半導體基材上，及去 除前述多層之某個部份； b)以氮化物膜於包括接觸孔之多層側壁形成一 .層側壁間隔層； 本紙張尺度適财國國家標準(^iTT^F(7r〇X297^* ) -----裝-----„-I訂------「〆 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 18 申請專利範ΐ Α8 Β8 C8 D8 C)形成一張不定形多晶矽膜作為電容器之 玉材料層於具有侧壁間隔層及接觸孔之半導體基材上 甘d)去除部份不定形多晶矽膜因而暴露出氧化物 联之某個部份； 〇凹割經由去除不定形多晶矽膜暴露 物膜； 山心乳化 f) 清潔包含藉凹割氧化物腠暴露出之不定 晶矽祺下表面之表面； g) 進行HSG製程因此加大藉瓜割氧化物膜暴露 出之含不定形多晶矽膜下表面之表面積； h) 清潔其表面積藉hsg.製程加大之不定形多曰曰 矽骐；及 Ba . :—「1 -裝-- (請先鬩讀背面之注意事項再填寫本頁j 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 ο於不疋形多晶石夕膜上形成絕緣膜。 25·"請專利範㈣_之方法，其切肢清潔製程 係經由”原位”進行使用混合取及·/之化學品之第一 洛處理’使用SCM之第二浴處理，及使用晒匕學品之 弟三浴處理進行》 2 6.如申請專利範圍第2 5項之方法，其中第一浴處理係於加 ^〇t溫度進行9〇至12〇秒，第二浴處理係於的至啊 度進行300至6〇〇秒，及第三浴處理係於2〇至3〇。匸溫 ...度進行60至18〇秒。 27.二半導體電容器，其中該位於中間絕緣層上方之電 谷器之下電極材料層下表面係成形為球形。

   ¥ A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 28. 如申請專利範圍第27項之半導體電容’，其中該下電 極材料層為不定形多晶矽膜。 29. 如，請專利範圍第27項之半導體電容器，其中該下電 極材料層係成形為7,000至12,000埃厚度。 ~<n Hi !.- I m· ~ - - - - -I 1--.1 —in I I Γ· I n (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標率局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） 20