JP3954561B2 - 半導体集積回路の多層化電源ラインおよびそのレイアウト方法 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 261
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 261
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims description 84
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 claims description 8
- 239000012212 insulator Substances 0.000 claims description 6
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 claims description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000002452 interceptive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
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- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H05K7/00—Constructional details common to different types of electric apparatus
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- H05K7/10—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets
- H05K7/1092—Plug-in assemblages of components, e.g. IC sockets with built-in components, e.g. intelligent sockets
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
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- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/5222—Capacitive arrangements or effects of, or between wiring layers
- H01L23/5223—Capacitor integral with wiring layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
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- H01L23/522—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames including external interconnections consisting of a multilayer structure of conductive and insulating layers inseparably formed on the semiconductor body
- H01L23/528—Geometry or layout of the interconnection structure
- H01L23/5286—Arrangements of power or ground buses
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/118—Masterslice integrated circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/30—Technical effects
- H01L2924/301—Electrical effects
- H01L2924/3011—Impedance
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- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Geometry (AREA)
- Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
- Design And Manufacture Of Integrated Circuits (AREA)
Description
12 トップメタル
14 セカンドメタル
16 キャパシタメタル
18、20 スルーホール
Claims (12)
- 半導体集積回路の内部回路に電源を供給する多層化電源ラインにおいて、該多層化電源ラインは、
前記電源に配線される配線用メタルである第1のメタル層と、
第1のメタル層より下に位置する第2のメタル層と、
第1のメタル層と第2のメタル層との間に位置する第3のメタル層とを含み、
これらの各メタル層の間の隙間部分に絶縁体を埋め込んだMIMキャパシタ構造で構成され、
第2のメタル層は、第1のメタル層と電気的に接続され、
かつ第3のメタル層は、第1のメタル層と電気的に接続されることを特徴とする多層化電源ライン。 - 請求項1に記載の多層化電源ラインにおいて、第2のメタル層と第3のメタル層とが同電位となることを特徴とする多層化電源ライン。
- 請求項2に記載の多層化電源ラインにおいて、第1のメタル層は、外部電源の電源電位が供給され、該外部電源の電源電位が第2のメタル層および第3のメタル層にも供給されることを特徴とする多層化電源ライン。
- 請求項2に記載の多層化電源ラインにおいて、第1のメタル層は、接地電位が供給され、該接地電位が第2のメタル層および第3のメタル層にも供給されることを特徴とする多層化電源ライン。
- 半導体集積回路の内部回路に電源を供給する多層化電源ラインにおいて、該多層化電源ラインは、
前記電源に配線される配線用メタルである第1のメタル層と、第1のメタル層より下に位置する第2のメタル層と、第1のメタル層と第2のメタル層との間に位置する第3のメタル層とを含んで、これらの各メタル層の間の隙間部分に絶縁体を埋め込んだMIMキャパシタ構造で構成される、第1のラインおよび第2のラインを含み、
第1のメタル層は、外部電源の電源電位が供給される第1のトップメタルと、接地電位が供給される第2のトップメタルとを含み、
第1および第2のトップメタルは、第1のラインおよび第2のラインを横断するように交互に配置され、
第1のラインでは、第2のメタル層は、第2のトップメタルと電気的に接続される第1のセカンドメタルを含み、また、第3のメタル層は、第1のトップメタルと電気的に接続される第1のキャパシタメタルを含み、さらに、第2のトップメタルおよび第1のセカンドメタルで構成されて平行平板コンデンサとして機能するキャパシタと、第1のセカンドメタルおよび第1のキャパシタメタルで構成されて平行平板コンデンサとして機能するキャパシタとを有し、
第2のラインでは、第2のメタル層は、第1のトップメタルと電気的に接続される第2のセカンドメタルを含み、また、第3のメタル層は、第2のトップメタルと電気的に接続される第2のキャパシタメタルを含み、さらに、第1のトップメタルおよび第2のセカンドメタルで構成されて平行平板コンデンサとして機能するキャパシタと、第2のセカンドメタルおよび第2のキャパシタメタルで構成されて平行平板コンデンサとして機能するキャパシタとを有することを特徴とする多層化電源ライン。 - 請求項5に記載の多層化電源ラインにおいて、該多層化電源ラインは、
第1のメタル層において、隣り合う第1のトップメタルと第2のトップメタルとの間に生じた寄生容量で構成されたキャパシタを有することを特徴とする多層化電源ライン。 - 半導体集積回路の内部回路に電源を供給する多層化電源ラインのレイアウト方法において、該レイアウト方法は、
前記電源に配線される配線用メタルである第1のメタル層を、第2のメタル層より上に配置し、
第3のメタル層を第1のメタル層と第2のメタル層との間に配置し、
これらの各メタル層の間の隙間部分に絶縁体を埋め込んで前記多層化電源ラインをMIMキャパシタ構造にして構成し、
第2のメタル層を第1のメタル層と電気的に接続し、
かつ第3のメタル層を第1のメタル層と電気的に接続することを特徴とする多層化電源ラインのレイアウト方法。 - 請求項7に記載のレイアウト方法において、該レイアウト方法は、第2のメタル層と第3のメタル層とを同電位にすることを特徴とするレイアウト方法。
- 請求項8に記載のレイアウト方法において、該レイアウト方法は、第1のメタル層には、外部電源の電源電位を供給し、該外部電源の電源電位を、第2のメタル層および第3のメタル層にも供給することを特徴とするレイアウト方法。
- 請求項8に記載のレイアウト方法において、該レイアウト方法は、第1のメタル層には、接地電位を供給し、該接地電位を、第2のメタル層および第3のメタル層にも供給することを特徴とするレイアウト方法。
- 半導体集積回路の内部回路に電源を供給する多層化電源ラインのレイアウト方法において、該レイアウト方法は、
第1のラインと第2のラインとで前記多層化電源ラインを構成し、
前記電源に配線される配線用メタルである第1のメタル層を、第2のメタル層より上に配置し、
第3のメタル層を第1のメタル層と第2のメタル層との間に配置し、
これらの各メタル層の間の隙間部分に絶縁体を埋め込んで第1のラインおよび第2のラインをMIMキャパシタ構造にしにして構成し、
第1のメタル層には、外部電源の電源電位が供給される第1のトップメタルと、接地電位が供給される第2のトップメタルとを、第1のラインおよび第2のラインを横断するように交互に配置し、
第1のラインに対して、第2のメタル層には、第1のメタル層の第2のトップメタルと電気的に接続される第1のセカンドメタルを配置し、また、第3のメタル層には、第1のメタル層の第1のトップメタルと電気的に接続される第1のキャパシタメタルを配置し、さらに、第2のトップメタルおよび第1のセカンドメタルで構成されて平行平板コンデンサとして機能するキャパシタと、第1のセカンドメタルおよび第1のキャパシタメタルで構成されて平行平板コンデンサとして機能するキャパシタとを構成し、
第2のラインに対して、第2のメタル層には、第1のメタル層の第1のトップメタルと電気的に接続される第2のセカンドメタルを配置し、また、第3のメタル層には、第1のメタル層の第2のトップメタルと電気的に接続される第2のキャパシタメタルを配置し、さらに、第1のトップメタルおよび第2のセカンドメタルで構成されて平行平板コンデンサとして機能するキャパシタと、第2のセカンドメタルおよび第2のキャパシタメタルで構成されて平行平板コンデンサとして機能するキャパシタとを構成することを特徴とするレイアウト方法。 - 請求項11に記載のレイアウト方法において、該レイアウト方法は、
第1のメタル層には、隣り合う第1のトップメタルと第2のトップメタルとの間に生じた寄生容量を用いてキャパシタを構成することを特徴とするレイアウト方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003397724A JP3954561B2 (ja) | 2003-11-27 | 2003-11-27 | 半導体集積回路の多層化電源ラインおよびそのレイアウト方法 |
US10/812,962 US7292455B2 (en) | 2003-11-27 | 2004-03-31 | Multilayered power supply line for semiconductor integrated circuit and layout method thereof |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003397724A JP3954561B2 (ja) | 2003-11-27 | 2003-11-27 | 半導体集積回路の多層化電源ラインおよびそのレイアウト方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2005159145A JP2005159145A (ja) | 2005-06-16 |
JP3954561B2 true JP3954561B2 (ja) | 2007-08-08 |
Family
ID=34616544
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003397724A Expired - Fee Related JP3954561B2 (ja) | 2003-11-27 | 2003-11-27 | 半導体集積回路の多層化電源ラインおよびそのレイアウト方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7292455B2 (ja) |
JP (1) | JP3954561B2 (ja) |
Families Citing this family (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7237218B2 (en) * | 2004-08-26 | 2007-06-26 | Lsi Corporation | Optimizing dynamic power characteristics of an integrated circuit chip |
CN108886020B (zh) * | 2016-03-28 | 2022-09-09 | 株式会社索思未来 | 半导体集成电路装置 |
CN112541320B (zh) * | 2020-12-07 | 2023-06-20 | 深圳英集芯科技股份有限公司 | 一种功率器件版图中金属连线的设计方法 |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH09246476A (ja) | 1996-03-14 | 1997-09-19 | Oki Electric Ind Co Ltd | 半導体集積回路の電源線及びそのレイアウト方法 |
US6181200B1 (en) * | 1999-04-09 | 2001-01-30 | Integra Technologies, Inc. | Radio frequency power device |
JP3542517B2 (ja) | 1999-04-27 | 2004-07-14 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置 |
US6690570B2 (en) * | 2000-09-14 | 2004-02-10 | California Institute Of Technology | Highly efficient capacitor structures with enhanced matching properties |
US6653681B2 (en) * | 2000-12-30 | 2003-11-25 | Texas Instruments Incorporated | Additional capacitance for MIM capacitors with no additional processing |
JP3977053B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2007-09-19 | 富士通株式会社 | 容量素子及びその製造方法 |
JP2004327619A (ja) * | 2003-04-23 | 2004-11-18 | Toshiba Corp | 半導体集積回路装置及びその製造方法 |
US7009832B1 (en) * | 2005-03-14 | 2006-03-07 | Broadcom Corporation | High density metal-to-metal maze capacitor with optimized capacitance matching |
-
2003
- 2003-11-27 JP JP2003397724A patent/JP3954561B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-03-31 US US10/812,962 patent/US7292455B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US7292455B2 (en) | 2007-11-06 |
US20050115740A1 (en) | 2005-06-02 |
JP2005159145A (ja) | 2005-06-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051121 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20051206 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060203 |
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TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20070403 |
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A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20070426 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111 |
|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313531 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100511 Year of fee payment: 3 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110511 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120511 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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|
S531 | Written request for registration of change of domicile |
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|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
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LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |