JP3947586B2 - エレクトロルミネセンス有機デバイスのパッシベーション方法 - Google Patents

エレクトロルミネセンス有機デバイスのパッシベーション方法 Download PDF

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Description

【0001】
【産業上の利用分野】
本発明は、有機デバイスに関し、さらに詳しくは、パッシベーション化エレクトロルミネセンス有機デバイスおよびパッシベーション方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
エレクトロルミネセンス有機デバイス、特に有機発光デバイス(LED)などは、効率的な電子注入電極および低動作電圧を確保するため、カソードにおいて仕事関数の低い金属の層を一般に利用する。しかし、低仕事関数金属は、酸素および湿気に対して反応しやすく、またその影響を受けやすく、この金属の酸化はデバイスの寿命を制限する。長期的な安定性および寿命を達成するために、気密封止が通常必要とされる。いくつかの種類の気密封止(hermic seal) が利用されているが、そのうち最も一般的なものは、金属などの非有機材料である。
【0003】
エレクトロルミネセンス有機デバイスの製造およびパッシベーション中に発生する別の問題点は、エレクトロルミネセンス有機デバイスの有機層が高温(すなわち、一般に約300°C以上)に耐えられないという事実に起因する。多くの場合、有機層の臨界温度に達することさえも、特に、比較的長い間高温が維持される場合には、有機材料を劣化させて、最終的なデバイスの信頼性および/または寿命を低下させることがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
いくつかの種類の気密封止が利用されるが、そのうち最も一般的なものが金属缶(metal can) である。しかし、金属缶は製造するのがきわめて高価で、組み立てるのに多大な労力を必要とする。さらに、金属缶は大きくて重いため、エレクトロルミネセンス有機デバイスの用途を著しく制限する。
【0005】
エレクトロルミネセンス有機デバイスを気密封止する最近の手段では、誘電体または金属などの非有機材料でデバイスをオーバコーティングして、気密封止を達成する。しかし、エレクトロルミネセンス有機デバイスは、誘電体および金属の被着中に通常必要とされる高温に対して極めて弱い。従って、低温条件を満たすためには、一般にPECVD方法によってセラミックまたは金属材料を被着させなければならない。この封止方法の大きな問題点は、PECVD被着中に、エレクトロルミネセンス有機デバイスに対する照射破損の可能性が高いことである。
【0006】
現在、エレクトロルミネセンス有機デバイスを気密封止する比較的安価で便利な方法を考案する必要がある。
【0007】
本発明の目的は、新規な改善されたパッシベーション化エレクトロルミネセンス有機デバイスおよびパッシベーション方法を提供することである。
【0008】
本発明の別の目的は、実施するのが比較的便利で安価な、エレクトロルミネセンス有機デバイスをパッシベーション化する新規な改善された方法を提供することである。
【0009】
【課題を解決するための手段】
上記の問題等は、支持基板上に配置されたエレクトロルミネセンス有機デバイスをパッシベーション化する方法において、少なくとも部分的に解決され、上記の目的等は実現され、この方法は、アレイを構成する個別のピクセルを安定金属でオーバコーティングあるいはキャッピングする段階と、キャッピングされたピクセルを有機材料のバッファ層でオーバコーティングする段階と、このバッファ層上に熱係数整合層(thermal coefficient matching layer)を被着させる段階と、熱係数整合層上に低浸透率非有機層を被着させる段階と、非有機層上に封止層を被着させて、LEDディスプレイ領域全体を封入する段階とによって構成される。
【0010】
好適な実施例では、ピクセルを安定金属でオーバコーティングまたはキャッピングすることは、インジウム(In)の層でキャッピングすることを含み、バッファ層は、有機ポリマ層または有機金属錯体層のうち一方を含み、熱係数整合層は、ゲッタリング材料として機能する活性金属であり、非有機層は、アルミニウム(Al)またはインジウム(In)などの安定金属のうち一つを含み、LEDの封止は、エポキシ封入体またはポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイルのうち一方で行われる。
【0011】
【実施例】
同様な参照文字は図面を通じて同様な部分を表している図面を参照して、図1ないし図3は本発明によるパッシベーション方法における段階を示す、有機LEDアレイの簡略断面図である。
【0012】
特に図1を参照して、基板10が示され、この基板10は、この特定の実施例では、ガラス,石英,透明な半導体材料など、光学的に透明な材料である。有機発光デバイス(LED)のピクセルのアレイ11は、一般にエレクトロルミネセンス有機LEDの各製造方法のいずれかにおいてアレイ11を基板10上に直接作成することによって、基板10上に配置される。特定の例として、アレイ11は、酸化インジウム錫(ITO:indium-tin-oxide)などの導電材料の透明層12と、その上に配置された有機エレクトロルミネセンス媒体などの活性有機媒体13と、低仕事関数金属の薄層を含む金属層からなるカソード14とを含む。前述のように、有機LEDのアレイと、特に低仕事関数金属の層は、周辺環境における酸素および湿気に弱く、そのため、信頼性およびしかるべき寿命を提供するためにはパッシベーション化しなければならない。
【0013】
本発明によるアレイ11のパッシベーションにおける第1および第2段階を図2に示す。第1段階として、アレイ11を構成する個別のピクセルは、インジウム(In)などの安定金属20の層でキャッピングまたはオーバコーティングされる。このキャッピングまたはオーバコーティングは、アレイ11を構成する個別ピクセルの初期保護コーティングとして機能する。
【0014】
次に、安定金属20の層によってキャッピングされたアレイ11は、一般にアレイ11の特性の少なくとも一部を封入系に整合させるように設計されたバッファ系でオーバコーティングされる。バッファ系は、以前のおよび/または以降に被着される層を整合するために特に選択された材料の一つまたはそれ以上の層を含むことができる。この特定の例では、バッファ系は、有機材料のバッファ層22を含み、この層22は、以降のプロセス工程および材料からアレイ11をさらに保護すべく一般に機能する。さらに、バッファ層22は、酸素および湿気に対する拡散障壁として機能する。一例として、バッファ層22は、有機ポリマまたは有機金属錯体のいずれでもよい。便宜的に利用できる典型的な有機ポリマには、パリレン(parylene)などがある。これらのポリマは、モノマーの熱蒸発中に形成できるので、便利である。溶媒は必要なく、そのためパッシベーション・プロセスには最小限しか、あるいは全く異物混入がなく、それによりアレイ11の信頼性および寿命は増加する。
【0015】
これらのポリマ(すなわち、パリレンなど)は、アレイ11の熱膨張係数(CTE)に近い、低いCTEを有し、そのため熱サイクル中にほとんどあるいは全く応力が生じない。また、これらのポリマはともに低い誘電率と、酸素および湿気に対する低い浸透率とを有する。一般に、バッファ層22の厚さは、利用される材料の種類と、残りの層の厚さとに依存する。ただし、バッファ層22がパリレンからなると仮定すると、約0.5〜2.0ミルの範囲の厚さを有する層は、所望の機能を実行するために十分な厚さであるべきである。
【0016】
有機ポリマではなく有機金属錯体を内蔵する例では、トリス(8−クイノリノラト)アルミニウム(Alq)(tris (8-quinolinolato)aluminum)などの層がアレイ11上に被着される。多くのエレクトロルミネセンス有機デバイスは活性層においてAlqを(エミッタおよび/または電子伝達材料として)利用するので、この材料はアレイ11に対して固有に整合でき、追加材料および装置を必要とせずに、バッファ層22をアレイ11に追加するのが便利である。当業者に理解されるように、エレクトロルミネセンス有機デバイスの特定のアレイの活性層で利用される他の材料は、バッファ層22で利用できる。また、バッファ層22は、特定の用途で必要ならば、異なる有機材料の一つまたはそれ以上のサブ層を含むことができる。
【0017】
本発明によるアレイ11のパッシベーションにおける第3および第4段階を図3に示す。バッファ層22は、バッファ系における第2層である熱係数整合層24によって被覆またはコーティングされる。パッシベーション・プロセスにおける次の段階で、熱係数整合層24は、概して図3に示されるように、低浸透率非有機層26でコーティングまたは被覆される。熱係数整合層24は、非有機層26のCTEを整合させるため、バッファ系に一般に含まれる。熱係数整合層24は、バッファ層22のCTEを部分的に整合させて、熱サイクルによる熱応力を低減するため、非有機層26よりも低いCTEを有する。
【0018】
熱係数整合層24および非有機層26の典型的な例を以下に示す。リチウム(Li)またはマグネシウム(Mg)などの活性金属は、熱係数整合層24として利用され、非有機層内にトラップされたガスを吸収するゲッタリング材料として機能する。若干異なる実施例では、二酸化シリコン(SiO2 )、もしくはリチウム(Li)またはマグネシウム(Mg)などの低仕事関数金属は、熱係数整合層24として用いられる。アルミニウム(Al)またはインジウム(In)のうち一つなどの安定金属は、非有機層26として用いられる。
【0019】
熱係数整合層24は、機能の組み合わせを提供するため、一つまたはそれ以上の上記または同様な材料のサブ層を含むことができることに理解されたい。また、熱係数整合層24および非有機層26の厚さは、一般に組み合わせると、約0.05〜10ミクロンの範囲であるが、所望の機能を実行するために十分な厚さであるべきである。複数のサブ層を利用する場合、全体的な厚さは一般に単一層の厚さにほぼ等しい。
【0020】
従って、インジウム(In)などの安定金属の初期オーバコーティング層20はアレイ11をプロセスの以降の工程から保護する働きをする。バッファ層22は拡散層として機能し、アレイ11を酸素および湿気から保護し、また以降の層のCTEを整合させるのを助ける。熱係数整合層24は、バッファ層22のCTEを非有機層26に整合させる働きをし、周辺酸素および湿気に対するゲッタリング材料を含む。また、各連続した層は、一般に、直前の層よりも低い浸透率を有し、そのため構造全体は、非有機材料の層で単純に封入された従来の構造に比べて、浸透に対する抵抗が良好である。
【0021】
アレイ11は、エポキシ封入体またはポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイルの層によって最終的に封止される。図4に示すのは、好適なパッシベーション化エレクトロルミネセンス有機デバイスの実施例であり、ここで有機LEDアレイ11は、エポキシ封入体28によって封止される。別の実施例における有機LEDアレイ11は、図5に示すように、ポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイル30で封止される。バッファ層22および全体を通じた熱係数整合のため、アレイ11は、封入工程や、完成品の熱サイクルによって、破損したり、劣化したりあるいは損なわれることがない。さらに、本発明は、従来の方法およびデバイスに比べて製造しやすいプロセスを含む。
【0022】
以上、本発明の特定の実施例について図説してきたが、更なる修正および改善は当業者に想起される。従って、本発明は図示の特定の形式に制限されず、特許請求の範囲は本発明の精神および範囲から逸脱しない一切の修正を網羅するものとする。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明によるパッシベーション方法における段階を示す、有機LEDアレイの簡略断面図である。
【図2】本発明によるパッシベーション方法における段階を示す、有機LEDアレイの簡略断面図である。
【図3】本発明によるパッシベーション方法における段階を示す、有機LEDアレイの簡略断面図である。
【図4】デバイスを封止するエポキシ封入体を示す、本発明による有機LEDデバイスの実施例である。
【図5】デバイスを封止するポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイルを示す、本発明による有機LEDデバイスの実施例である。
【符号の説明】
10 基板
11 アレイ
12 透明層
13 活性有機媒体
14 カソード
20 安定金属
22 バッファ層
24 熱係数整合層
26 低浸透率非有機層
28 エポキシ封入体
30 ポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイル

Claims (4)

  1. 有機デバイスをパッシベーション化する方法であって:
    複数のピクセルの各々が低い仕事関数の金属からなるカソードを含み、複数のピクセルを画定する支持基板上に有機デバイス(11)を設ける段階
    前記複数のピクセルの各々をインジウム(20)の層で個々にキャッピングする段階
    更なるプロセスステップ及び材料から複数のピクセルを保護するためのバッファ系(22,24)で前記有機デバイス(11)の複数の前記ピクセルをオーバーコーティングする段階と;を有し、前記バッファ系(22,24)が、前記ピクセルをそれぞれ個々にキャッピングした前記インジウムの層の上に配置された有機材料の層(22)を含み、
    前記バッファ系(22,24)上に低浸透率非有機層(26)を被着させる段階
    エポキシ封入体(28)又はポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイル(30)の1つの封止層で前記有機デバイス(11)を封止する段階
    を有するステップから構成されることを特徴とする方法。
  2. 有機デバイスをパッシベーション化する方法であって:
    複数のピクセルの各々が低い仕事関数の金属からなるカソードを含み、複数のピクセルを画定する支持基板上に有機LEDのアレイ(11)を設ける段階;
    前記複数のピクセルの各々をインジウム(20)の層で個々にオーバーコーティングする段階;
    前記複数のピクセルの各々の前記インジウム(20)の層を、有機ポリマまたは有機金属錯体のうち一方のバッファ層(22)でオーバーコーティングする段階;
    仕事関数の低い金属の層(24)を有機ポリマまたは有機金属錯体のうち一方のバッファ層(22)上に被着させる段階;
    アルミニウム又はインジウムの層のうちの少なくとも1つの低浸透率非有機層(26)を前記層(24)上に被着させる段階と、を有し、前記仕事関数の低い金属の層(24)がバッファ層(22)と低浸透率非有機層(26)との間の熱歪みを低減させ、
    エポキシ封入体(28)またはポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイル(30)の層の少なくとも一方で前記有機デバイスを封止する段階;
    と、を有することを特徴とする方法。
  3. パッシベーション化有機デバイスであって:
    複数のピクセルを画定する支持基板(10)上の有機デバイス(11)とを有し、複数のピクセルの各々が、仕事関数の低い金属からなるカソードを含み;
    前記複数のピクセルを個々にキャッピングする、インジウムのオーバーコーティング層(20)と;
    前記ピクセルを個々にキャッピングする前記インジウムの層をオーバーコーティングする有機材料の層(22)を含バッファ系(22,24)と;
    前記バッファ系上に配置された低浸透率非有機層(26)と;
    前記低浸透率非有機層(26)上に配置された封止層(28,30)と;
    を有することを特徴とするパッシベーション化有機デバイス。
  4. パッシベーション化有機デバイスであって:
    支持基板(10)上に配置され、複数のピクセルを画定する有機LEDのアレイ(11)とを有し、前記複数のピクセルの各々が、低い仕事関数の金属からなるカソードを含み;
    前記有機デバイス(11)の前記複数のピクセルの各々を個々にオーバーコーティングするインジウムの層(20)と;
    前記インジウムの層をオーバーコーティングする、有機ポリマまたは有機金属錯体のうち一方の層(22)と;
    前記有機ポリマまたは有機金属錯体のうち一方の層(22)上に配置された、低い仕事関数の金属の層(24)と;
    前記層(24)上に配置された、低浸透率非有機層(26)と;
    前記低浸透率非有機層(26)上に配置された、エポキシ封入体(28)またはポリマ・ラミネート・アルミニウム・フォイル(30)のうち少なくとも一方の封止層と;
    を有することを特徴とするパッシベーション化有機デバイス。
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Families Citing this family (216)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11510647A (ja) * 1996-05-28 1999-09-14 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 有機エレクトロルミネッセンスデバイス
US5952778A (en) * 1997-03-18 1999-09-14 International Business Machines Corporation Encapsulated organic light emitting device
JP3290375B2 (ja) * 1997-05-12 2002-06-10 松下電器産業株式会社 有機電界発光素子
US6069443A (en) * 1997-06-23 2000-05-30 Fed Corporation Passive matrix OLED display
WO1999003309A1 (en) * 1997-07-11 1999-01-21 Fed Corporation An electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same
US6016033A (en) * 1997-07-11 2000-01-18 Fed Corporation Electrode structure for high resolution organic light-emitting diode displays and method for making the same
US6224948B1 (en) 1997-09-29 2001-05-01 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition with low vapor pressure compounds
KR100249784B1 (ko) * 1997-11-20 2000-04-01 정선종 고분자복합막을이용한유기물혹은고분자전기발광소자의패키징방법
US6146225A (en) * 1998-07-30 2000-11-14 Agilent Technologies, Inc. Transparent, flexible permeability barrier for organic electroluminescent devices
US7126161B2 (en) 1998-10-13 2006-10-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having El layer and sealing material
EP0996176B8 (en) 1998-10-13 2005-10-19 Sony Deutschland GmbH Method of fabricating an active matrix light-emitting display device
JP2000195670A (ja) * 1998-10-20 2000-07-14 Rohm Co Ltd 有機el素子
US6274887B1 (en) 1998-11-02 2001-08-14 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method therefor
CA2353506A1 (en) 1998-11-02 2000-05-11 3M Innovative Properties Company Transparent conductive oxides for plastic flat panel displays
US7141821B1 (en) 1998-11-10 2006-11-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device having an impurity gradient in the impurity regions and method of manufacture
US7022556B1 (en) 1998-11-11 2006-04-04 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Exposure device, exposure method and method of manufacturing semiconductor device
US6277679B1 (en) 1998-11-25 2001-08-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing thin film transistor
US6207239B1 (en) 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition of conjugated polymer
US6207238B1 (en) * 1998-12-16 2001-03-27 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced chemical deposition for high and/or low index of refraction polymers
US6268695B1 (en) 1998-12-16 2001-07-31 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6228436B1 (en) 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making light emitting polymer composite material
US6217947B1 (en) 1998-12-16 2001-04-17 Battelle Memorial Institute Plasma enhanced polymer deposition onto fixtures
US6228434B1 (en) * 1998-12-16 2001-05-08 Battelle Memorial Institute Method of making a conformal coating of a microtextured surface
TW439308B (en) 1998-12-16 2001-06-07 Battelle Memorial Institute Environmental barrier material for organic light emitting device and method of making
US6274204B1 (en) 1998-12-16 2001-08-14 Battelle Memorial Institute Method of making non-linear optical polymer
US6960877B1 (en) * 1998-12-17 2005-11-01 Cambrdige Display Technology Limited Organic light-emitting devices including specific barrier layers
JP3817081B2 (ja) * 1999-01-29 2006-08-30 パイオニア株式会社 有機el素子の製造方法
US7697052B1 (en) 1999-02-17 2010-04-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electronic view finder utilizing an organic electroluminescence display
US6358570B1 (en) 1999-03-31 2002-03-19 Battelle Memorial Institute Vacuum deposition and curing of oligomers and resins
US6506461B2 (en) 1999-03-31 2003-01-14 Battelle Memorial Institute Methods for making polyurethanes as thin films
JP2000294369A (ja) 1999-04-05 2000-10-20 Chisso Corp 有機el素子
AU768085B2 (en) * 1999-04-28 2003-12-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Flexible organic electronic device with improved resistance to oxygen and moisture degradation
US6383664B2 (en) 1999-05-11 2002-05-07 The Dow Chemical Company Electroluminescent or photocell device having protective packaging
US7091605B2 (en) * 2001-09-21 2006-08-15 Eastman Kodak Company Highly moisture-sensitive electronic device element and method for fabrication
US6680487B1 (en) 1999-05-14 2004-01-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor comprising a TFT provided on a substrate having an insulating surface and method of fabricating the same
US8853696B1 (en) 1999-06-04 2014-10-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device and electronic device
TW527735B (en) * 1999-06-04 2003-04-11 Semiconductor Energy Lab Electro-optical device
US7288420B1 (en) 1999-06-04 2007-10-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method for manufacturing an electro-optical device
TW522453B (en) 1999-09-17 2003-03-01 Semiconductor Energy Lab Display device
JP3942770B2 (ja) * 1999-09-22 2007-07-11 株式会社半導体エネルギー研究所 El表示装置及び電子装置
TW480722B (en) * 1999-10-12 2002-03-21 Semiconductor Energy Lab Manufacturing method of electro-optical device
US7198832B2 (en) 1999-10-25 2007-04-03 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6548912B1 (en) 1999-10-25 2003-04-15 Battelle Memorial Institute Semicoductor passivation using barrier coatings
US6573652B1 (en) * 1999-10-25 2003-06-03 Battelle Memorial Institute Encapsulated display devices
US6866901B2 (en) 1999-10-25 2005-03-15 Vitex Systems, Inc. Method for edge sealing barrier films
US6413645B1 (en) * 2000-04-20 2002-07-02 Battelle Memorial Institute Ultrabarrier substrates
US6623861B2 (en) * 2001-04-16 2003-09-23 Battelle Memorial Institute Multilayer plastic substrates
US20100330748A1 (en) 1999-10-25 2010-12-30 Xi Chu Method of encapsulating an environmentally sensitive device
US6587086B1 (en) * 1999-10-26 2003-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Electro-optical device
JP4776769B2 (ja) 1999-11-09 2011-09-21 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置の作製方法
US6646287B1 (en) 1999-11-19 2003-11-11 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device with tapered gate and insulating film
JP3409762B2 (ja) 1999-12-16 2003-05-26 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7394153B2 (en) * 1999-12-17 2008-07-01 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of electronic devices
ATE241253T1 (de) * 1999-12-17 2003-06-15 Osram Opto Semiconductors Gmbh Kapselung für organische leds
US20010053559A1 (en) * 2000-01-25 2001-12-20 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of fabricating display device
TWI226205B (en) * 2000-03-27 2005-01-01 Semiconductor Energy Lab Self-light emitting device and method of manufacturing the same
US6492026B1 (en) 2000-04-20 2002-12-10 Battelle Memorial Institute Smoothing and barrier layers on high Tg substrates
JP2001307873A (ja) * 2000-04-21 2001-11-02 Toppan Printing Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス表示素子およびその製造方法
US6867539B1 (en) * 2000-07-12 2005-03-15 3M Innovative Properties Company Encapsulated organic electronic devices and method for making same
US6605826B2 (en) 2000-08-18 2003-08-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device and display device
SG125891A1 (en) * 2000-09-08 2006-10-30 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, method of manufacturing thesame, and thin film forming apparatus
JP2002184569A (ja) * 2000-10-03 2002-06-28 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置
US6924594B2 (en) * 2000-10-03 2005-08-02 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7495390B2 (en) * 2000-12-23 2009-02-24 Lg Display Co., Ltd. Electro-luminescence device with improved thermal conductivity
US7222981B2 (en) * 2001-02-15 2007-05-29 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. EL display device and electronic device
US6822391B2 (en) * 2001-02-21 2004-11-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, electronic equipment, and method of manufacturing thereof
TW493358B (en) * 2001-06-14 2002-07-01 Ritdisplay Corp Package method and apparatus of organic light-emitting diode display device
US6692326B2 (en) 2001-06-16 2004-02-17 Cld, Inc. Method of making organic electroluminescent display
US7294517B2 (en) * 2001-06-18 2007-11-13 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and method of fabricating the same
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
US6664730B2 (en) 2001-07-09 2003-12-16 Universal Display Corporation Electrode structure of el device
US7469558B2 (en) 2001-07-10 2008-12-30 Springworks, Llc As-deposited planar optical waveguides with low scattering loss and methods for their manufacture
TW564471B (en) 2001-07-16 2003-12-01 Semiconductor Energy Lab Semiconductor device and peeling off method and method of manufacturing semiconductor device
TW490868B (en) * 2001-08-10 2002-06-11 Ritdisplay Corp Method for forming a waterproof layer of organic light emitting device
US7351300B2 (en) 2001-08-22 2008-04-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and method of manufacturing semiconductor device
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
JP4019690B2 (ja) * 2001-11-02 2007-12-12 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置及びその製造方法並びに電子機器
US7404877B2 (en) 2001-11-09 2008-07-29 Springworks, Llc Low temperature zirconia based thermal barrier layer by PVD
US6589675B2 (en) * 2001-11-13 2003-07-08 Kuan-Chang Peng Organic electro-luminescence device
SG114514A1 (en) * 2001-11-28 2005-09-28 Univ Singapore Organic light emitting diode (oled)
JP4010394B2 (ja) * 2001-12-14 2007-11-21 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子
JP3865056B2 (ja) 2002-01-22 2007-01-10 セイコーエプソン株式会社 封止用基板の製造方法
US7378356B2 (en) 2002-03-16 2008-05-27 Springworks, Llc Biased pulse DC reactive sputtering of oxide films
US6884327B2 (en) 2002-03-16 2005-04-26 Tao Pan Mode size converter for a planar waveguide
US8808457B2 (en) 2002-04-15 2014-08-19 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
US8900366B2 (en) 2002-04-15 2014-12-02 Samsung Display Co., Ltd. Apparatus for depositing a multilayer coating on discrete sheets
JP2003323973A (ja) * 2002-04-26 2003-11-14 Sanyo Electric Co Ltd エレクトロルミネッセンス表示装置
TWI254591B (en) 2002-05-07 2006-05-01 Au Optronics Corp Organic electroluminescence device
KR100447499B1 (ko) * 2002-05-07 2004-09-07 주식회사 엘리아테크 유기 전계 발광 디스플레이 및 그의 제조방법
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7230271B2 (en) * 2002-06-11 2007-06-12 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device comprising film having hygroscopic property and transparency and manufacturing method thereof
TWI283914B (en) * 2002-07-25 2007-07-11 Toppoly Optoelectronics Corp Passivation structure
US6734625B2 (en) * 2002-07-30 2004-05-11 Xerox Corporation Organic light emitting device (OLED) with multiple capping layers passivation region on an electrode
KR20040013221A (ko) * 2002-08-05 2004-02-14 주식회사 래도 세그먼트 디스플레이 구조
US7993773B2 (en) 2002-08-09 2011-08-09 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US8236443B2 (en) 2002-08-09 2012-08-07 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
US8021778B2 (en) 2002-08-09 2011-09-20 Infinite Power Solutions, Inc. Electrochemical apparatus with barrier layer protected substrate
US20070264564A1 (en) 2006-03-16 2007-11-15 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film battery on an integrated circuit or circuit board and method thereof
US8445130B2 (en) 2002-08-09 2013-05-21 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8431264B2 (en) 2002-08-09 2013-04-30 Infinite Power Solutions, Inc. Hybrid thin-film battery
US8394522B2 (en) 2002-08-09 2013-03-12 Infinite Power Solutions, Inc. Robust metal film encapsulation
US8404376B2 (en) 2002-08-09 2013-03-26 Infinite Power Solutions, Inc. Metal film encapsulation
WO2004021532A1 (en) 2002-08-27 2004-03-11 Symmorphix, Inc. Optically coupling into highly uniform waveguides
KR100885843B1 (ko) * 2002-08-31 2009-02-27 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광 표시소자 및 그 제조방법
TWI236862B (en) * 2002-09-03 2005-07-21 Au Optronics Corp Package for OLED device
US20040048033A1 (en) * 2002-09-11 2004-03-11 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd. Oled devices with improved encapsulation
US7224116B2 (en) * 2002-09-11 2007-05-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of active electronic devices
US6887733B2 (en) * 2002-09-11 2005-05-03 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Method of fabricating electronic devices
US7193364B2 (en) * 2002-09-12 2007-03-20 Osram Opto Semiconductors (Malaysia) Sdn. Bhd Encapsulation for organic devices
TWI232693B (en) * 2002-10-24 2005-05-11 Toppoly Optoelectronics Corp Hygroscopic passivation structure of an organic electroluminescent display
US6869698B2 (en) * 2002-12-04 2005-03-22 Canon Kabushiki Kaisha Organic light-emitting device using paracyclophane
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
TW582186B (en) * 2003-01-29 2004-04-01 Au Optronics Corp Method of fabricating organic light emitting display with passivation structure
US7205662B2 (en) 2003-02-27 2007-04-17 Symmorphix, Inc. Dielectric barrier layer films
US7365442B2 (en) * 2003-03-31 2008-04-29 Osram Opto Semiconductors Gmbh Encapsulation of thin-film electronic devices
US6930861B2 (en) 2003-04-08 2005-08-16 Seagate Technology Llc Encapsulant for microactuator suspension
US7746600B2 (en) * 2003-04-08 2010-06-29 Seagate Technology Llc Encapsulant for a disc drive component
US20070042154A1 (en) * 2003-04-08 2007-02-22 Seagate Technology Llc Self-assembled monolayer enhanced DLC coatings
US7510913B2 (en) 2003-04-11 2009-03-31 Vitex Systems, Inc. Method of making an encapsulated plasma sensitive device
US7648925B2 (en) 2003-04-11 2010-01-19 Vitex Systems, Inc. Multilayer barrier stacks and methods of making multilayer barrier stacks
US7238628B2 (en) 2003-05-23 2007-07-03 Symmorphix, Inc. Energy conversion and storage films and devices by physical vapor deposition of titanium and titanium oxides and sub-oxides
US8728285B2 (en) 2003-05-23 2014-05-20 Demaray, Llc Transparent conductive oxides
US20040238846A1 (en) * 2003-05-30 2004-12-02 Georg Wittmann Organic electronic device
KR100544121B1 (ko) * 2003-07-19 2006-01-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광표시장치
JP4479381B2 (ja) * 2003-09-24 2010-06-09 セイコーエプソン株式会社 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器
JP2005123012A (ja) * 2003-10-16 2005-05-12 Pioneer Electronic Corp 有機エレクトロルミネセンス表示パネルとその製造方法
JP3794407B2 (ja) * 2003-11-17 2006-07-05 セイコーエプソン株式会社 マスク及びマスクの製造方法、表示装置の製造方法、有機el表示装置の製造方法、有機el装置、及び電子機器
US7495644B2 (en) * 2003-12-26 2009-02-24 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and method for manufacturing display device
KR100666550B1 (ko) * 2004-04-07 2007-01-09 삼성에스디아이 주식회사 평판표시장치 및 그의 제조방법
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
US7205717B2 (en) * 2004-06-24 2007-04-17 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive material
US7205718B2 (en) 2004-06-24 2007-04-17 Eastman Kodak Company OLED display having thermally conductive adhesive
US7342356B2 (en) * 2004-09-23 2008-03-11 3M Innovative Properties Company Organic electroluminescent device having protective structure with boron oxide layer and inorganic barrier layer
US20060063015A1 (en) * 2004-09-23 2006-03-23 3M Innovative Properties Company Protected polymeric film
JP4329740B2 (ja) * 2004-10-22 2009-09-09 セイコーエプソン株式会社 有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、及び有機エレクトロルミネッセンス装置
US7959769B2 (en) 2004-12-08 2011-06-14 Infinite Power Solutions, Inc. Deposition of LiCoO2
CN101931097B (zh) 2004-12-08 2012-11-21 希莫菲克斯公司 LiCoO2的沉积
US20060145599A1 (en) * 2005-01-04 2006-07-06 Reza Stegamat OLEDs with phosphors
JP4631683B2 (ja) 2005-01-17 2011-02-16 セイコーエプソン株式会社 発光装置、及び電子機器
JP2006222071A (ja) 2005-01-17 2006-08-24 Seiko Epson Corp 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
KR100770257B1 (ko) * 2005-03-21 2007-10-25 삼성에스디아이 주식회사 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
US20070020451A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings
US7767498B2 (en) 2005-08-25 2010-08-03 Vitex Systems, Inc. Encapsulated devices and method of making
JP4706394B2 (ja) * 2005-08-29 2011-06-22 株式会社豊田自動織機 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法
US7838133B2 (en) 2005-09-02 2010-11-23 Springworks, Llc Deposition of perovskite and other compound ceramic films for dielectric applications
JP4600254B2 (ja) 2005-11-22 2010-12-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4702009B2 (ja) 2005-11-22 2011-06-15 セイコーエプソン株式会社 発光装置および電子機器
JP4539547B2 (ja) 2005-12-08 2010-09-08 セイコーエプソン株式会社 発光装置、発光装置の製造方法、及び電子機器
US20070196673A1 (en) * 2006-02-17 2007-08-23 Seagate Technology Llc Lubricative and protective thin film
KR100751453B1 (ko) 2006-06-14 2007-08-23 삼성전자주식회사 표시장치와 이의 제조방법
US20080006819A1 (en) * 2006-06-19 2008-01-10 3M Innovative Properties Company Moisture barrier coatings for organic light emitting diode devices
TWI421607B (zh) * 2006-08-24 2014-01-01 Creator Technology Bv 可撓性裝置上的滲透阻障
US8088502B2 (en) 2006-09-20 2012-01-03 Battelle Memorial Institute Nanostructured thin film optical coatings
US8062708B2 (en) 2006-09-29 2011-11-22 Infinite Power Solutions, Inc. Masking of and material constraint for depositing battery layers on flexible substrates
US8197781B2 (en) 2006-11-07 2012-06-12 Infinite Power Solutions, Inc. Sputtering target of Li3PO4 and method for producing same
US9822454B2 (en) 2006-12-28 2017-11-21 3M Innovative Properties Company Nucleation layer for thin film metal layer formation
KR100796129B1 (ko) * 2007-01-30 2008-01-21 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법
KR101458899B1 (ko) * 2007-03-28 2014-11-10 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
JP2008251292A (ja) * 2007-03-29 2008-10-16 Fujifilm Corp 有機el発光装置
JP5208591B2 (ja) 2007-06-28 2013-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置、及び照明装置
KR20090042574A (ko) * 2007-10-26 2009-04-30 삼성전자주식회사 반도체 모듈 및 이를 구비하는 전자 장치
KR20100102180A (ko) 2007-12-21 2010-09-20 인피니트 파워 솔루션스, 인크. 전해질 막을 위한 표적을 스퍼터링하는 방법
KR100977704B1 (ko) * 2007-12-21 2010-08-24 주성엔지니어링(주) 표시소자 및 그 제조방법
US8268488B2 (en) 2007-12-21 2012-09-18 Infinite Power Solutions, Inc. Thin film electrolyte for thin film batteries
JP5705549B2 (ja) 2008-01-11 2015-04-22 インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド 薄膜電池および他のデバイスのための薄膜カプセル化
US8350519B2 (en) 2008-04-02 2013-01-08 Infinite Power Solutions, Inc Passive over/under voltage control and protection for energy storage devices associated with energy harvesting
US8592253B2 (en) * 2008-05-07 2013-11-26 The Trustees Of Princeton University Hybrid layers for use in coatings on electronic devices or other articles
US8350451B2 (en) 2008-06-05 2013-01-08 3M Innovative Properties Company Ultrathin transparent EMI shielding film comprising a polymer basecoat and crosslinked polymer transparent dielectric layer
US8906523B2 (en) 2008-08-11 2014-12-09 Infinite Power Solutions, Inc. Energy device with integral collector surface for electromagnetic energy harvesting and method thereof
EP2332127A4 (en) 2008-09-12 2011-11-09 Infinite Power Solutions Inc ENERGY DEVICE HAVING AN INTEGRATED CONDUCTIVE SURFACE FOR DATA COMMUNICATION VIA ELECTROMAGNETIC ENERGY AND ASSOCIATED METHOD
WO2010042594A1 (en) 2008-10-08 2010-04-15 Infinite Power Solutions, Inc. Environmentally-powered wireless sensor module
EP2178133B1 (en) 2008-10-16 2019-09-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Flexible Light-Emitting Device, Electronic Device, and Method for Manufacturing Flexible-Light Emitting Device
KR100970397B1 (ko) * 2008-12-17 2010-07-15 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 장치 및 이의 제조 방법
US9337446B2 (en) 2008-12-22 2016-05-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated RGB OLEDs having enhanced optical output
US9184410B2 (en) 2008-12-22 2015-11-10 Samsung Display Co., Ltd. Encapsulated white OLEDs having enhanced optical output
US8219408B2 (en) * 2008-12-29 2012-07-10 Motorola Mobility, Inc. Audio signal decoder and method for producing a scaled reconstructed audio signal
JP5471035B2 (ja) * 2009-05-26 2014-04-16 ソニー株式会社 表示装置、表示装置の製造方法、および電子機器
US8766269B2 (en) * 2009-07-02 2014-07-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, lighting device, and electronic device
EP2474056B1 (en) 2009-09-01 2016-05-04 Sapurast Research LLC Printed circuit board with integrated thin film battery
JP5163619B2 (ja) * 2009-09-25 2013-03-13 カシオ計算機株式会社 封止構造
KR101084230B1 (ko) * 2009-11-16 2011-11-16 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
US8590338B2 (en) 2009-12-31 2013-11-26 Samsung Mobile Display Co., Ltd. Evaporator with internal restriction
TWI589042B (zh) * 2010-01-20 2017-06-21 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置,撓性發光裝置,電子裝置,照明設備,以及發光裝置和撓性發光裝置的製造方法
US9000442B2 (en) * 2010-01-20 2015-04-07 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, flexible light-emitting device, electronic device, and method for manufacturing light-emitting device and flexible-light emitting device
JP5197666B2 (ja) * 2010-03-23 2013-05-15 株式会社東芝 有機発光装置、照明装置、表示装置及び有機発光装置の製造方法
JP2013528912A (ja) 2010-06-07 2013-07-11 インフィニット パワー ソリューションズ, インコーポレイテッド 再充電可能高密度電気化学素子
TWI641287B (zh) 2010-09-14 2018-11-11 半導體能源研究所股份有限公司 固態發光元件,發光裝置和照明裝置
JP5827104B2 (ja) 2010-11-19 2015-12-02 株式会社半導体エネルギー研究所 照明装置
TWI591871B (zh) 2010-12-16 2017-07-11 半導體能源研究所股份有限公司 發光裝置及照明裝置
US8735874B2 (en) 2011-02-14 2014-05-27 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and method for manufacturing the same
KR101922603B1 (ko) 2011-03-04 2018-11-27 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치, 조명 장치, 기판, 기판의 제작 방법
KR101234335B1 (ko) * 2011-11-08 2013-02-18 포항공과대학교 산학협력단 유기전자소자의 봉지방법, 봉지된 유기전자소자 및 봉합재
KR20130124844A (ko) * 2012-05-07 2013-11-15 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102079188B1 (ko) 2012-05-09 2020-02-19 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 발광 장치 및 전자 기기
KR101987683B1 (ko) * 2012-12-28 2019-06-11 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR102309244B1 (ko) 2013-02-20 2021-10-05 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR102133433B1 (ko) * 2013-05-24 2020-07-14 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치, 이를 포함하는 전자 기기, 및 유기 발광 표시 장치의 제조 방법
KR102047398B1 (ko) * 2013-06-28 2019-11-21 엘지디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR20150006727A (ko) * 2013-07-09 2015-01-19 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법
KR102093391B1 (ko) * 2013-07-12 2020-03-26 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
US9494792B2 (en) 2013-07-30 2016-11-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
US9287522B2 (en) 2013-07-30 2016-03-15 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
US9385342B2 (en) 2013-07-30 2016-07-05 Global Oled Technology Llc Local seal for encapsulation of electro-optical element on a flexible substrate
WO2015087192A1 (en) 2013-12-12 2015-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Peeling method and peeling apparatus
JP6404361B2 (ja) * 2014-11-28 2018-10-10 パイオニア株式会社 発光装置
TWI570983B (zh) * 2015-12-24 2017-02-11 群創光電股份有限公司 發光裝置及其製作方法
US11056673B2 (en) * 2016-09-30 2021-07-06 Pioneer Corporation Light emitting device
CN106711354A (zh) * 2016-12-02 2017-05-24 武汉华星光电技术有限公司 有机半导体器件的封装方法
CN110048017A (zh) * 2019-04-01 2019-07-23 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板和显示面板的封装方法
US11588137B2 (en) 2019-06-05 2023-02-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Functional panel, display device, input/output device, and data processing device
US11659758B2 (en) 2019-07-05 2023-05-23 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display unit, display module, and electronic device
JPWO2021009587A1 (ja) 2019-07-12 2021-01-21
JPWO2021069999A1 (ja) 2019-10-11 2021-04-15
DE102021119709A1 (de) * 2021-07-29 2023-02-02 OSRAM Opto Semiconductors Gesellschaft mit beschränkter Haftung Anordnung, verfahren zur montage eines optoelektronischen bauteils und optoelektronisches bauteil

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4317086A (en) * 1979-09-13 1982-02-23 Xerox Corporation Passivation and reflector structure for electroluminescent devices
US4720432A (en) * 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US5059861A (en) * 1990-07-26 1991-10-22 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent device with stabilizing cathode capping layer
DE69129907T2 (de) * 1990-11-30 1998-12-10 Idemitsu Kosan Co Organische elektroluminszente vorrichtung
US5652067A (en) * 1992-09-10 1997-07-29 Toppan Printing Co., Ltd. Organic electroluminescent device
JPH07169567A (ja) * 1993-12-16 1995-07-04 Idemitsu Kosan Co Ltd 有機el素子
US5587589A (en) * 1995-03-22 1996-12-24 Motorola Two dimensional organic light emitting diode array for high density information image manifestation apparatus
US5686360A (en) * 1995-11-30 1997-11-11 Motorola Passivation of organic devices

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