KR20130124844A - 표시 장치 및 그 제조 방법 - Google Patents

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손정현
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Abstract

표시 기판, 상기 표시 기판과 대향하는 금속 봉지시트, 상기 표시 기판과 상기 금속 봉지시트 사이를 접합하는 실링재, 그리고 상기 금속 봉지시트 및 상기 실링재를 덮고 있으며 실리콘 함유 수지를 포함하는 코팅층을 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.

Description

표시 장치 및 그 제조 방법{DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME}
표시 장치 및 그 제조 방법에 관한 것이다.
현재 알려져 있는 표시 장치에는 액정 표시 장치(liquid crystal display: LCD), 플라스마 표시 장치(plasma display panel: PDP), 유기 발광 표시 장치(organic light emitting diode device: OLED device), 전계 효과 표시 장치(field effect display: FED), 전기 영동 표시 장치(electrophoretic display device) 등이 있다.
이러한 표시 장치는 일반적으로 박막 트랜지스터, 발광층 등을 포함하는 표시 기판과 상기 표시 기판을 덮고 있는 봉지 기판을 포함한다. 상기 봉지 기판은 예컨대 유리판 또는 금속 시트일 수 있으나, 상기 유리판은 외부 충격에 약하고 제조 원가가 높아 금속 시트가 유용하게 사용될 수 있다.
그러나 금속 시트는 공정 중 핀 홀(pin hole)과 같은 결점(defect)이 생성될 수 있고, 이러한 결점을 통해 외부로부터 산소 및 수분이 유입될 수 있다.
일 구현예는 금속 시트의 핀 홀과 같은 결점을 통해 산소 및 수분이 유입되는 것을 방지하여 수명 특성을 개선할 수 있는 표시 장치를 제공한다.
다른 구현예는 상기 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
일 구현예에 따르면, 표시 기판, 상기 표시 기판과 대향하는 금속 봉지시트, 상기 표시 기판과 상기 금속 봉지시트 사이를 접합하는 실링재, 그리고 상기 금속 봉지시트 및 상기 실링재를 덮고 있으며 실리콘 함유 수지를 포함하는 코팅층을 포함하는 표시 장치를 제공한다.
상기 실리콘 함유 수지는 폴리실세스퀴옥산, 폴리실라잔 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 코팅층은 상기 금속 봉지시트의 전면 및 상기 실링재의 측면을 덮을 수 있다.
상기 금속 봉지시트는 복수의 핀 홀을 가질 수 있고, 상기 복수의 핀 홀은 상기 실리콘 함유 수지로 채워질 수 있다.
상기 코팅층은 약 0.1 내지 5㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 금속 봉지시트의 적어도 일면에 위치한 배리어 층을 더 포함할 수 있다.
상기 배리어 층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 금속 봉지시트는 약 1㎛ 내지 1000㎛의 두께를 가질 수 있다.
상기 금속 봉지시트는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W), 이들의 합금 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 표시 장치는 상기 코팅층을 덮는 유기막을 더 포함할 수 있다.
상기 표시 기판은 베이스 기판, 상기 베이스 기판 위에 형성되어 있으며 서로 마주하는 한 쌍의 전극, 그리고 상기 한 쌍의 전극 사이에 개재되어 있는 유기 발광층을 포함할 수 있다.
다른 구현예에 따르면, 표시 기판과 금속 봉지시트를 실링재에 의해 접합하는 단계, 그리고 상기 금속 봉지시트와 상기 실링재를 덮으며 실리콘 함유 수지를 포함하는 코팅층을 형성하는 단계를 포함하는 표시 장치의 제조 방법을 제공한다.
상기 코팅층을 형성하는 단계는 상기 금속 봉지시트 및 상기 실링재에 실리콘 함유 수지 용액을 공급하는 단계, 그리고 상기 실리콘 함유 수지 용액을 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 실리콘 함유 수지 용액을 공급하는 단계는 스핀코팅, 스크린인쇄, 잉크젯, ODF(one drop filling) 또는 이들의 조합으로 수행할 수 있다.
상기 실리콘 함유 수지 용액을 경화하는 단계는 자연 경화, 열 경화, 광 경화, 플라즈마 경화, 가압가습 경화 또는 이들의 조합으로 수행할 수 있다.
상기 실리콘 함유 수지 용액은 폴리실세스퀴옥산 용액, 폴리실라잔 용액 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제조 방법은 상기 표시 기판과 상기 금속 봉지시트를 실링재에 의해 접합하는 단계 전에 상기 금속 봉지시트의 적어도 일면에 배리어 층을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
상기 배리어 층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
상기 제조 방법은 상기 코팅층을 형성하는 단계 후에 상기 코팅층을 덮는 유기막을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
금속 봉지시트의 결점을 통해 산소 및 수분이 유입되는 것을 방지하여 수명 특성을 개선할 수 있다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이고,
도 2는 금속 봉지시트의 핀 홀이 채워진 형태를 예시적으로 보여주는 개략도이고,
도 3은 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 개략도이고,
도 4는 다른 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 구현예에 대하여 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 구현예에 한정되지 않는다.
도면에서 여러 층 및 영역을 명확하게 표현하기 위하여 두께를 확대하여 나타내었다. 명세서 전체를 통하여 유사한 부분에 대해서는 동일한 도면 부호를 붙였다. 층, 막, 영역, 판 등의 부분이 다른 부분 "위에" 있다고 할 때, 이는 다른 부분 "바로 위에" 있는 경우 뿐만 아니라 그 중간에 또 다른 부분이 있는 경우도 포함한다. 반대로 어떤 부분이 다른 부분 "바로 위에" 있다고 할 때에는 중간에 다른 부분이 없는 것을 뜻한다.
이하 일 구현예에 따른 표시 장치에 대하여 설명한다. 여기서는 표시 장치의 일 예로서 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명한다.
도 1은 일 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 1을 참고하면, 일 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치는 표시 기판(100), 금속 봉지시트(200), 실링재(30) 및 코팅층(300)을 포함한다.
표시 기판(100)은 베이스 기판(110)과 표시부(120)를 포함한다.
베이스 기판(110)은 유리 기판, 고분자 기판일 수 있다.
표시부(120)는 베이스 기판(110) 위에 형성되어 있으며, 박막 트랜지스터(TFT)와 같은 능동 소자가 형성되어 있는 소자 영역과 발광층이 형성되어 있는 발광 영역을 포함한다. 소자 영역 및 표시 영역은 분리되어 위치할 수도 있고 중첩하게 위치할 수도 있다. 표시부(120)에 대해서는 후술한다.
금속 봉지시트(200)는 표시 기판(100)과 대향하게 위치하며, 예컨대 알루미늄(Al) 또는 알루미늄(Al) 합금과 같은 알루미늄(Al) 함유 금속으로 만들어질 수 있다.
금속 봉지시트(200)는 외부로부터 산소 및 수분이 유입되는 것을 방지하여 표시부(120)를 보호할 수 있다.
금속 봉지시트(200)는 예컨대 단일 층의 알루미늄 함유 금속 시트이거나 복수 층의 알루미늄 함유 금속 시트를 적층하여 사용할 수 있으며, 약 1um 내지 1000um 의 두께를 가질 수 있다. 상기 두께를 가짐으로써 외부로부터 산소 및 수분의 유입을 효과적으로 방지하면서도 지나치게 두꺼운 두께로 인해 공정 중 열에 의해 휘는 것을 방지할 수 있다.
실링재(30)는 표시 기판(100)과 금속 봉지시트(200) 사이를 접합하고 있으며, 예컨대 표시 기판(100)의 가장자리를 따라 배치될 수 있다. 실링재(30)는 예컨대 에폭시 수지, 아크릴계 수지와 같은 열 경화성 및/또는 광 경화성 수지로 만들어질 수 있다.
코팅층(300)은 금속 봉지시트(200)와 실링재(30)를 덮고 있으며, 바람직하게는 금속 봉지시트(200)의 전면(entire surface)과 실링재(30)의 측면을 실질적으로 완전히 덮을 수 있다.
코팅층(300)은 후술하는 바와 같이 용액을 사용하여 형성되므로 금속 봉지시트(200) 내에 존재하는 핀 홀(pin hole) 및 크랙(crack)과 같은 결함(defect)을 채울 수 있다.
도 2는 금속 봉지시트의 핀 홀이 채워진 형태를 예시적으로 보여주는 개략도이다.
도 2를 참고하면, 금속 봉지시트(200)는 공정 중에 불가피하게 생성되는 복수의 핀 홀(10)을 가질 수 있다. 이러한 핀 홀(10)은 외부의 산소 및 수분이 유입되는 통로를 제공하여 표시부(120)를 열화시킬 수 있다.
본 구현예에서는 복수의 핀 홀(10)을 가지는 금속 봉지시트(200) 위에 용액 형태로 코팅층(300)을 형성함으로써 핀 홀(10)을 채울 수 있고 이로부터 외부로부터 산소 및 수분이 유입되는 통로를 차단할 수 있다.
따라서 금속 봉지시트(200) 내에 존재하는 핀 홀과 같은 결함을 통해 외부로부터 산소 및 수분이 유입되어 표시부(120)로 전달되는 것을 차단할 수 있어 상부 전면의 봉지 효과를 높일 수 있다. 또한 금속 봉지시트(200)가 산소 및 수분에 의해 부식되는 것 또한 방지할 수 있다.
뿐만 아니라 코팅층(300)은 상술한 바와 같이 금속 봉지시트(200)의 전면뿐만 아니라 실링재(30)의 측면까지 실질적으로 완전히 덮고 있으므로, 실링재(30)와 표시 기판(100) 사이 및 실링재(30)와 금속 봉지시트(200) 사이의 접합 부분을 통해 유입될 수 있는 산소 및 수분 또한 차단함으로써 측면의 봉지 효과를 높일 수 있다.
코팅층(300)은 실리콘 함유 수지로 만들어질 수 있다. 실리콘 함유 수지는 예컨대 폴리실세스퀴옥산(polysilsesquioxane), 폴리실라잔(polysilazane), 이들의 유도체 또는 이들의 조합을 포함할 수 있다.
폴리실세스퀴옥산 및 이들의 유도체는 예컨대 광 활성기를 측쇄로 가지는 사다리 구조의 폴리실세스퀴옥산, 유무기 하이브리드 그라프트 폴리실세스퀴옥산, 폴리플루오로계실세스퀴옥산, 폴리실세스퀴옥산 공중합체 또는 이들의 조합일 수 있다.
폴리실라잔 및 이들의 유도체는 예컨대 퍼하이드로폴리실라잔을 들 수 있다.
폴리실세스퀴옥산, 폴리실라잔 및 이들의 유도체는 소수성 및 절연성 수지로, 외부로부터 수분이 유입되는 것을 효과적으로 차단할 수 있을 뿐만 아니라 모듈 공정 및 구동시 발생할 수 있는 쇼트를 효과적으로 방지할 수 있다.
코팅층(300)은 약 0.1 내지 5㎛의 두께를 가질 수 있다. 코팅층(300)이 상기 범위의 두께를 가짐으로써 금속 봉지시트(200)의 전면 및 실링재(30)의 측면에 균일하게 코팅되면서도 지나치게 두꺼운 두께로 인해 코팅층(300)의 표면에 크랙이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
코팅층(300) 위에는 코팅층(300)을 덮는 유기막(도시하지 않음)이 더 형성될 수 있다. 유기막은 예컨대 열 경화형 수지 조성물 및/또는 광 경화형 수지 조성물로 만들어질 수 있다.
상기 열 경화형 수지 조성물은 열 경화형 수지, 열 경화제, 경화촉진제, 커플링제, 산화방지제 및 용매를 포함할 수 있다.
상기 열 경화형 수지는 예를 들면 에폭시 수지를 들 수 있다. 에폭시 수지는 비스페놀계, 오르쏘 크레졸 노볼락(ortho-Cresol novolac)계, 다관능 에폭시, 아민계 에폭시, 복소환 함유 에폭시, 치환형 에폭시, 나프톨계 에폭시를 예시할 수 있으며, 구체적으로, 비스페놀 A형 에폭시 수지, 비스페놀 F형 에폭시 수지, 수소화 비스페놀형 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지, 방향족 에폭시 수지, 노볼락형, 디시클로펜타디엔형 에폭시 수지 등을 들 수 있으며, 이들 에폭시기를 가지는 화합물은 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 에폭시 수지로는 현재 시판되고 있는 제품으로서는 비스페놀계로서는 대일본 잉크화학의 에피클론 830-S, 에피클론 EXA-830CRP, 에피클론 EXA 850-S, 에피클론 EXA-850CRP, 에피클론 EXA-835LV, 유카 쉘에폭시 주식회사의 에피코트 807, 에피코트 815, 에피코트 825, 에피코트827, 에피코트 828, 에피코트 834, 체피코트 1001, 에피코트 1004, 에피코트 1007, 에피코트 1009, 다우케미컬사의 DER-330, DER-301, DER-361, 국도화학의 YD-128, YDF-170등이 있고, 오르쏘 크레졸 노볼락계로서는 국도화학의 YDCN-500-1P, YDCN-500-4P, YDCN-500-5P, YDCN-500-7P, YDCN-500-80P, YDCN-500-90P, 일본화약주식회사의 EOCN-102S, EOCN-103S, EOCN-104S, EOCN-1012, EOCN-1025, EOCN-1027 등이 있고, 다관능 에폭시 수지로서는 유카쉘 에폭시 주식회사 Epon 1031S, 시바스페샬리티케미칼주식회사의 아랄디이토 0163, 나가섭씨온도화성 주식회사의 데타콜 EX-611, 데타콜 EX-614, 데타콜 EX-614B, 데타콜 EX-622, 데타콜 EX-512, 데타콜EX-521, 데타콜 EX-421, 데타콜 EX-411, 데타콜 EX-321 등이 있으며, 아민계 에폭시 수지로서는 유카쉘에폭시주식회사 에피코트 604, 독도화학주식회사의 YH-434, 미쓰비시가스화학 주식회사의 TETRAD-X, TETRAD-C, 스미토모화학주식회사의 ELM-120 등이 있고, 복소환 함유 에폭시수지로는 시바스페샬리티케미칼주식회사의 PT-810, 치환형 에폭시로는 UCC사의 ERL-4234, ERL-4299, ERL-4221, ERL-4206, 나프톨계 에폭시로는 대일본 잉크화학의 에피클론 HP-4032, 에피클론 HP-4032D, 에피클론 HP-4700, 에피클론 4701등을 들 수 있고, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 우수한 필름 도막특성을 얻기 위해서 페녹시 수지를 적용할 수 있으며 JER사의 에피코토 1256 및 인켐사의 PKHH, 도토카세이의 YP-70 등의 고분자량의 수지를 적용할 수 있다.
상기 열 경화제는 통상적으로 에폭시 수지를 열경화하기 위해서 사용할 수 있는 것이면 사용가능하고 특별히 한정되지는 않는다. 구체적인 예로서는 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, N-아미노에틸피페라진, 디아미노디페닐메탄, 아디핀산디히드라지드 등의 폴리아민계 경화제; 무수프탈산, 테트라히드로무수프탈산, 헥사히드로무수프탈산, 메틸테트라히드로무수프탈산, 메틸헥사히드로무수프탈산, 무수메틸나딕산 등의 산무수물 경화제; 페놀노볼락형 경화제; 트리옥산트리틸렌메르캅탄 등의 폴리메르캅탄 경화제; 벤질디메틸아민, 2,4,6-트리스(디메틸아미노메틸)페놀 등의 제3 아민화합물; 2-메틸이미다졸, 2-에틸-4-메틸이미다졸, 1-벤질-2-메틸이미다졸 등의이미다졸 화합물 등을 사용할 수 있다. 또한, 그 외 고체 분산형의 잠재성 경화제나 마이크로 캡슐에 봉입한 잠재성 경화제 등도 사용 가능하다.
아민계 경화제를 사용하는 경우, 바람직하게는 아민계 경화제는 지방족 아민, 변형된 지방족 아민, 방향족아민, 제2급 아민 또는 제3급 아민 등을 이용하며, 예를 들어, 벤질디메틸아민, 트리에탄올아민, 트리에틸렌 테트라민, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌아민, 디메틸아미노에탄올, 트리(디메틸아미노메틸)페놀 등을 사용할 수 있고, 말단기에 -OH, -COOH, -SO3H, -CONH2, -CONHR(R은 알킬기를 나타낸다), -CN(CN)NH2, -SO3NH2, -SO3NHR(R은 알킬기를 나타낸다) 또는 -SH를 갖는 경화제를 이용할 수 있다. 상기 R은 C1-C10 알킬기로서, 탄소수 1-10의 직쇄 또는 분지쇄 포화 탄화수소기를 의미하며, 바람직하게는 C1-C4 직쇄 또는 분지쇄 알킬기이며, 구체적으로 메틸, 에틸, n-프로필, 이소프로필, 이소부틸, n-부틸 및 t-부틸 등일 수 있다.
이미다졸계 경화제를 이용하는 경우, 이미디졸, 이소이미디졸, 2-메틸 이미디졸, 2-에틸-4-메틸이미디졸, 2,4-디메틸이미디졸, 부틸이미디졸, 2-헵타데센일-4-메틸이미디졸, 2-메틸이미디졸, 2-운데센일이미디졸,1-비닐-2-메틸이미디졸,2-n-헵타데실이미디졸, 2-운데실이미디졸, 2-헵타데실이미디졸, 2-페닐이미디졸, 1-벤질-2-메틸이미디졸, 1-프로필-2-메틸이미디졸, 1-시아노에틸-2-메틸이미디졸, 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미디졸, 1-시아노에틸-2-운데실이미디졸, 1-시아노에틸 -2-페닐이미디졸, 1-구아나미노에틸-2-메틸이미디졸, 이미디졸과 메틸이미디졸의 부가생성물,이미디졸과 트리멜리트산의 부가생성물, 2-n-헵타데실-4-메틸이미디졸, 페닐이미디졸, 벤질이미디졸, 2-메틸-4,5-디페닐이미디졸, 2,3,5-트리페닐이미디졸, 2-스티릴이미디졸, 1-(도데실 벤질)-2-메틸이미디졸, 2-(2-히드록실-4-t-부틸페닐)-4,5-디페닐이미디졸, 2-(2-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미디졸,2-(3-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미디졸, 2-(p-디메틸-아미노페닐)-4,5-디페닐이미디졸, 2-(2-히드록시페닐)-4,5-디페닐이미디졸, 디(4,5-디페닐-2-이미디졸)-벤젠-1,4, 2-나프틸-4,5-디페닐이미디졸, 1-벤질-2-메틸이미디졸 및 2-p-메톡시스티릴이미디졸 등을 이용할 수 있다.
산무수물 경화제는 예컨대 프탈릭 무수물, 말레익 무수물, 트리멜리틱 무수물, 파이로멜리틱 무수물, 헥사하이드로프탈릭 무수물, 테트라하이드로프탈릭 무수물, 메틸나딕 무수물, 나딕 무수물, 글루타릭 무수물, 메틸헥사하이드로프탈릭 무수물, 메틸테트라하이드로프탈릭 무수물 또는 5-(2,5-디옥소테트라히드롤)-3-메틸-3-사이클로헥센-1,2-디카르복실산 무수물을 포함할 수 있다.
상기 경화촉진제로서는 4급 암모늄염, 4급 설포늄염, 각종 금속염, 이미다졸, 3급 아민 등을 사용할 수 있다. 구체적인 예로는 4급 암모늄염으로서는 테트라 메틸 암모늄 브로마이드, 테트라부틸암모늄브로마이드, 4급 설포늄염으로서는 테트라 페닐 포스포늄 브로마이드, 테트라부틸포스포늄브로마이드, 금속염으로서는 옥틸산아연, 옥틸산 주석 등이 있으며, 이미다졸로서는 1-벤질-2-메틸 이미다졸, 1-벤질-2-페닐 이미다졸, 2-에틸-4-메틸 이미다졸 등, 3급 아민으로서는 벤질 디메틸 아민 등을 들 수 있다.
보론계 경화촉진제로는 페닐보로닉산(phenyl boronic acid), 4-메틸페닐보로닉산(4-methylphenylboronic acid), 4-메톡시페닐보로닉산(4-methoxyphenyl boronic acid), 4-트리플루오로메톡시페닐보로닉산(4-trifluoromethoxyphenyl boronic acid), 4-터트-부톡시페닐보로닉산(4-tert-butoxyphenyl boronic acid), 3-플루오로-4-메톡시페닐보로닉산(3-fluoro-4-methoxyphenyl boronic acid), 피리딘-트리페닐보란(pyridinetriphenylborane),2-에틸-4-메틸 이미다졸륨 테트라페닐보레이트 (2-ethyl-4-methyl imidazoliumtetraphenylborate), 1,8-디아자바이시클로[5.4.0]언데센-7-테트라페닐보레이트 (1,8-diazabicyclo[5.4.0]undecene-7-tetraphenylborate), 1,5-디아자바이시클로[4.3.0]노넨-5-테트라페닐보레이트(1,5-diazabicyclo[4.3.0]nonene-5-tetraphenylborate), 리튬트리페닐(n-부틸)보레이트(lithium triphenyl (n-butyl)borate) 등이 있으며, 이미다졸계 경화촉진제로는 2-메틸이미다졸(2-methylimidazole), 2-언데실이미다졸(2-undecylimidazole), 2-헵타데실이미다졸(2-heptadecylimidazole), 2-에틸-4-메틸이미다졸(2-ethyl-4-methylimidazole), 2-페닐이미다졸(2-phenylimidazole), 2-페닐-4-메틸이미다졸(2-phenyl-4-methylimidazole),1-벤질-2-페닐이미다졸(1-benzyl-2-phenylimidazole), 1,2-디메틸이미다졸(1,2-dimethylimidazole), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(1-cyanoethyl-2-methylimidazole), 1-시아노에틸-2-에틸-4-메틸이미다졸(1-cyanoethyl-2-ethyl-4-methylimid azole), 1-시아노에틸-2-언데실이미다졸(1-cyanoethyl-2-undecylimidazole), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸(1-cyanoethyl-2-phenylimidazole), 1-시아노에틸-2-언데실이미다졸륨트리멜리테이트(1-cyanoethyl-2-undecylimidazolium-trimellitate), 1-시아노에틸-2-페닐이미다졸륨트리멜리테이트(1-cyanoethyl-2-phenylimidazolium-trimellitate), 2,4-디아미노-6[2'-메틸이미다조일-(1')-에틸-s-트리아진(2,4-diamino-6-[2'-methylimidazoly-(1')]-ethyl-s-triazine), 2,4-디아미노-6-[2'-언데실이미다조일-(1')]-에틸-s-트리아진(2,4-diamino-6-[2'-undecylimidazoly-(1')]-ethyl-s-triazine), 2,4-디아미노-6-[2'-에틸-4'-메틸이미다조일-(1')]-에틸-s-트리아진(2,4-diamino-6-[2'-ethyl-4'-methylimidazoly-(1')]-ethyl-striazine), 2,4-디아미노-6-[2'-메틸이미다졸리-(1')]-에틸-s-트리아진 이소시아누릭산 유도체 디하이드레이트(2,4-diamino-6-[2'-methylimidazoly-(1')]-ethyl-s-triazine isocyanuric acid adduct dihydrate), 2-페닐이미다졸이소시아누릭산 유도체(2-phenylimidazole isocyanuric acid adduct), 2-메틸이미다졸 이소시아누릭산유도체 디하이드레이트(2-methylimidazole isocyanuric acid adduct dihydrate), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole), 2-페닐-4-메틸-5-히드록시메틸이미다졸(2-phenyl-4-methyl-5-hydroxymethylimidazole), 2,3-디히드로-1H-피롤로[1,2-a]벤지미다졸(2,3-dihyro-1H-pyrrolo[1,2-a]benzimidazole), 4,4'-메틸렌 비스(2-에틸-5-메틸이미다졸(4,4'-methylene bis(2-ethyl-5-methylimidazole), 2-메틸이미다졸린(2-methylimidazoline), 2-페닐이미다졸린(2-phenylimidazoline), 2,4-디아미노-6-비닐-1,3,5-트리아진(2,4-diamino-6-vinyl-1,3,5-triazine), 2,4-디아미노-6-비닐-1,3,5-트리아진이소시아누릭 산유도체(2,4-diamino-6-vinyl-1,3,5-triazine isocyanuric acid adduct), 2,4-디아미노-6-메타아트릴로일록시에틸-1,3,5-트리아진이소시아누릭산 유도체 (2,4-diamino-6-methacryloyloxylethyl-1,3,5-triazineisocyanuric acid adduct), 1-(2-시아노에틸)-2-에틸-4-메틸이미다졸(1-(2-cyanoethyl)-2-ethyl-4-methylimidazole), 1-시아노에틸-2-메틸이미다졸(1-cyanoethyl-2-methylimidazole), 1-(2-시아노에틸)2-페닐-4,5-디(시아노에톡시메틸)이미다졸(1-(2-cyanoethyl)2-phenyl-4,5-di-(cyanoethoxymethyl)imidazole), 1-아세틸-2-페닐히드라진(1-acetyl-2-phenylhydrazine), 2-에틸-4-메틸이미다졸린(2-ethyl-4-methyl imidazoline),2-벤질-4-메틸디이미다졸린(2-benzyl-4-methyl dimidazoline), 2-에틸이미자롤린(2-ethyl imidazoline), 2-페닐이미다졸(2-pheny imidazole), 2-페닐-4,5-디히드록시메틸이미다졸(2-phenyl-4,5-dihydroxymethylimidazole), 멜라민(melamine), 디시안디아마이드(dicyandiamide) 등을 들 수 있으며, 이것들은 단독으로 또는 2종류 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
상기 커플링제로서는 실란 커플링제, 티타네이트계 커플링제, 알루미네이트계 커플링제, 실리콘 화합물 등이 있으며, 이들 커플링제는 단독 또는 혼합하여 사용 할 수 있다. 커플링제를 포함할 경우 수지 조성물의 접착성을 향상시키고, 점도를 감소시키는 효과가 있으며, 상기 열경화성 수지 조성물 중 열경화성 수지 100 중량부 대비 약 0.001 내지 약 5 중량부, 바람직하게는 약 0.01 내지 약 3　중량부로 포함되는 것이 좋다.
실란 커플링제는 조성물 내의 실리카와 같은 무기물질의 표면과 수지들간의 접착력을 증진시키기 위한 접착증진제의 기능을 한다. 상기 실란 커플링제로서는 통상적으로 에폭시 함유실란 또는 머캡토 함유 실란인 것을 사용할 수 있으며, 에폭시가 함유된 것으로 2-(3,4 에폭시 사이클로 헥실)-에틸트리메톡시실란, 3-글리시독시트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란, 3-글리시독시프로필트리에톡시실란이 있고, 아민기가 함유된 것으로 N-2(아미노에틸)3-아미토프로필메틸디메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리메톡시실란, N-2(아미노에틸)3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-트리에톡시실리-N-(1,3-디메틸뷰틸리덴)프로필아민, N-페닐-3-아미노프로필트리메톡시실란이 있으며, 머켑토가 함유된 것으로 3-머켑토프로필메틸디메톡시실란, 3-머켑토프로필트리에톡시실란, 이소시아네이트가 함유된 3-이소시아네이트프로필트리에톡시실란을 예시할 수 있으며, 단독 또는 2종 이상을 병용하여 사용할 수 있다.
상기 산화방지제는 열경화성 수지 조성물의 열경화시의 산화 열화를 방지함으로써, 경화물의 내열 안정성을 한층 향상시키기 위한 것이다. 상기 산화방지제로서는 페놀계, 유황계, 인계산화 방지제 등을 사용할 수 있다. 구체적인 예로서는, 디부틸 히드록시 톨루엔, 2,6-디-테트라-부틸-p-크레졸(이하 BHT라고 함) 등의 페놀계 산화 방지제, 메르캅토 프로피온산 유도체 등의 유황계 산화방지제, 트리페닐포스파이트, 9,10-디히드로-9-옥사-10-포스파페난쓰렌-10-옥사이드(이하, HCA)등의 인계 산화 방지제 등을 들 수 있으며, 상기 산화방화방지제는 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있으며, 상기 열경화성 수지 조성물 중 열경화성 수지 100 중량부 대비 약 0.001 내지 약 5 중량부, 바람직하게는 약 0.01 내지 약 0.5 중량부로 포함되는 것이 좋다.
상기 광 경화형 수지 조성물은 광 경화형 수지, 광 개시제, 커플링제, 스페이서, 광산발생제, 라디칼개시제 및 용매를 포함할 수 있다.
상기 광 경화형 수지는 예컨대 에폭시 수지일 수 있으며, 방향족 에폭시 수지, 지환식 에폭시 수지 또는 이들의 혼합물을 사용할 수 있다. 상기 방향족 에폭시 수지로는 비페닐형, 비스페놀 A형, 비스페놀 F형, 페놀 노볼락형, 다이사이클로펜타다이엔형, 에폭시 수지 등을 사용할 수 있으며, 이들의　혼합물로도 사용이 가능하다.
상기 광 개시제로는 상기 에폭시 수지를 광에 의해 경화시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다. 상기 광개시제의 구체적인 예로는 방향족 디아조늄염, 방향족 설포늄염, 방향족 요오드 알루미늄염, 방향족 설포늄 알루미늄염, 메탈로센 화합물 및 철 어레인계 화합물을 들 수 있다. 바람직하게는 방향족 설포늄염을 사용할 수 있는데, 이의 구체적인 예로는 방향족 설포늄 헥사플루오로 포스페이트화합물, 방향족 설포늄 헥사플루오로 안티모네이트 화합물 등을 들 수 있다.
상기 커플링제는 실란계 또는 티탄계 커플링제, 실리콘 화합물을 단독 또는 혼합하여 사용할 수 있다. 바람직하게는, 한 분자 내에 알콕시실란과 디글리시딜에테르를 함유하고 있는 실란 커플링제가 좋다.
상기 스페이서로는 경화 후 패널의 두께를 일정하게 유지시켜줄 수 있는 것이라면 특별히 한정되지 않으며, 패널의 두께를 약 5 내지 약 50 um, 바람직하게는 약 5 내지 약 25 um로 유지할 수 있는 것이 좋다. 스페이서의 모양은 구형, 통나무형 등이 있으며, 스페이서의 모양 역시 패널의 두께를 일정하게 유지시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않는다.
상기 광산발생제로는 노광에 의해 루이스산 또는 브론스테드산을 생성시킬 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않으며, 유기술폰산 등의 황화염계 화합물, 오니움염 등의 오니움계 화합물을 사용할 수 있다. 바람직하게는, 프탈이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디니트로벤질토실레이트, n-데실디술폰, 나프틸이미도트리플루오로메탄술포네이트, 디페닐요도염, 헥사플루오로포스페이트, 디페닐요도염, 헥사플루오로아르세네이트, 디페닐요도염, 헥사플루오로안티모네이트, 디페닐파라메톡시페닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라톨루에닐설포늄 트리플레이트, 디페닐파라이소부틸페닐설포늄 트리플레이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 아르세네이트, 트리페닐설포늄 헥사플루오로 안티모네이트, 트리페닐설포늄 트리플레이트, 디부틸나프틸설포늄 트리플레이트 및 이들의 혼합물을 사용할 수 있다.
상기 라디칼 개시제는 광산발생제와 함께 사용될 수 있는 것으로서, 상기 경화형 수지 조성물에 사용되는 라디칼 중합 개시제는 UV 광선과 같은 전자기 에너지선에 의해 분해됨으로써 라디칼을 생성하는 라디칼 광중합 개시제이거나, 또는 열에 의해 분해되어 라디칼을 생성하는 열 분해성 라디칼 중합개시제일 수 있다. 라디칼 광중합 개시제로는, 2-하이드록시-2-메틸프로피오페논 및 1-하이드록시시클로헥실 페닐 케톤과 같은 아세토페논 유도체; 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)페닐포스핀 옥사이드와 같은 아실포스핀 옥사이드 유도체; 및 벤조인 메틸 에테르 및 벤조인 에틸 에테르와 같은 벤조인 에테르 유도체 등의 타입 I 알파 절단 개시제(alpha cleavage initiator)가 포함된다. 상업적으로 입수가능한 라디칼 광개시제로서 대표적인 것은 Ciba Speciality Chemical 제품인 IRGACURE 651, IRGACURE 184, IRGACURE 907, DAROCUR 1173 및 IRGACURE 819를 예로 들 수 있다. 타입 II 광개시제를 사용할 수도 있으며, 벤조페논, 이소프로필티오크산톤, 및 안트로퀴논과같은 화합물을 예로 들 수 있다. 이러한 기본 화합물의 여러 가지 치환 유도체를 사용할 수도 있다. 열적으로 분해가능한 라디칼 중합 개시제로는, 1,1,3,3-테트라메틸부틸퍼옥시-2-에틸-헥사노에이트, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로헥산, 1,1-비스(t-부틸퍼옥시)시클로-도데칸, 디-t-부틸퍼옥시이소프탈레이트, t-부틸퍼옥시벤조에이트, 디큐밀퍼옥사이드, t-부틸큐밀퍼옥사이드, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)헥산, 2,5-디메틸-2,5-디(t-부틸퍼옥시)-3-헥신 및 큐멘 하이드로퍼옥사이드와 같은 과산화물이 포함된다. 라디칼 중합 개시제의 양은 유효량이며, 예를 들면, 광경화성 수지 조성물 중 광경화성 수지 100 중량부 대비 약 0.01 내지 약 5 중량부 범위이다.
이하 상기 유기 발광 표시 장치의 표시부(120)에 대하여 도 3을 도 1과 함께 참고하여 설명한다.
도 3은 도 1의 A 부분을 확대하여 도시한 개략도이다.
도 3을 참고하면, 베이스 기판(110) 위에 버퍼층(115)이 형성되어 있고, 버퍼층(115) 위에 채널 영역(154a), 소스 영역(154b) 및 드레인 영역(154c)을 포함하는 반도체 층(154), 게이트 절연막(140), 게이트 전극(124), 중간층(180), 소스 전극(173), 드레인 전극(175) 및 패시베이션 막(180)이 차례로 적층되어 있다.
패시베이션 막(180) 위에 하부 전극(22), 발광층(24) 및 상부 전극(26)이 차례로 적층되어 있고 이들은 하나의 발광 소자(L1)를 형성한다.
표시 기판(100)과 금속 봉지시트(200) 사이에는 유기, 무기 또는 유무기 충진재가 채워져 있을 수 있다.
이하 상술한 유기 발광 장치의 제조 방법에 대하여 도 1을 참고하여 설명한다.
일 구현예에 따른 유기 발광 장치의 제조 방법은 표시 기판과 금속 봉지시트를 실링재에 의해 접합하는 단계, 그리고 상기 금속 봉지시트와 상기 실링재를 덮으며 실리콘 함유 수지를 포함하는 코팅층을 형성하는 단계를 포함한다.
표시 기판과 금속 봉지시트를 실링재에 의해 접합하는 단계는 표시 기판(100)의 가장자리를 따라 실링재(30)를 적용하고 그 위에 금속 봉지시트(200)을 덮은 후, 실링재(30)를 광 및/또는 열에 의해 경화할 수 있다.
코팅층(300)을 형성하는 단계는 금속 봉지시트(200) 및 실링재(30)에 실리콘 함유 수지 용액을 공급하는 단계, 그리고 상기 실리콘 함유 수지 용액을 경화하는 단계를 포함할 수 있다.
상기 실리콘 함유 수지 용액은 예컨대 폴리실세스퀴옥산 용액, 폴리실라잔 용액 또는 이들의 조합을 포함할 수 있으며, 경화개시제, 커플링제를 포함한 각종 첨가제 및 용매를 더 포함할 수 있다.
상기 실리콘 함유 수지 용액을 공급하는 단계는 예컨대 스핀코팅, 스크린인쇄, 잉크젯, ODF(one drop filling) 또는 이들의 조합으로 수행할 수 있다.
상기 실리콘 함유 수지 용액을 경화하는 단계는 예컨대 자연 경화, 열 경화, 광 경화, 플라즈마 경화, 가압가습 경화 또는 이들의 조합으로 수행할 수 있다.
이와 같이 코팅층(300)은 한 번의 용액 공정으로 금속 봉지시트(200)의 전면 및 실링재(30)의 측면을 동시에 덮을 수 있어서 추가 공정 없이 전면 및 측면으로 유입될 수 있는 산소 및 수분을 차단할 수 있다. 따라서 공정을 단순화하면서 밀봉 효과를 높일 수 있다.
선택적으로, 코팅층(300) 위에 유기막(도시하지 않음)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있으며, 이 경우 코팅층(300) 위에 유기 용액을 상기 나열된 방법 중 적어도 하나의 방법으로 적용할 수 있다.
이하 다른 구현예에 따른 표시 장치에 대하여 도 4를 참고하여 설명한다.
도 4는 다른 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치를 도시한 단면도이다.
도 4를 참고하면, 본 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전술한 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치와 마찬가지로, 표시 기판(100), 금속 봉지시트(200), 실링재(30) 및 코팅층(300)을 포함한다.
그러나 본 구현예에서는 금속 봉지시트(200)의 양면에 배리어 층(210a, 210b)이 형성되어 있다. 여기서는 배리어 층(210a, 210b)이 금속 봉지시트(200)의 양면에 형성된 것을 예시적으로 보였지만, 이에 한정되지 않고 금속 봉지시트(200)의 적어도 일면에 형성될 수 있다.
배리어 층(210a, 210b)은 예컨대 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 또는 이들의 조합으로 만들어질 수 있으며, 약 1㎛ 내지 1000㎛의 두께를 가질 수 있다.
배리어 층(210a, 210b)은 금속 봉지시트(200)의 구김 및/또는 휨을 방지하는 동시에 후면에서 오는 충격의 완화할 수 있고 쇼트를 방지할 수 있다.
본 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치는 전술한 구현예에 따른 유기 발광 표시 장치와 동일한 방법으로 제조될 수 있으나, 표시 기판(100)과 금속 봉지시트(200)를 실링재(30)에 의해 접합하는 단계 전에 금속 봉지시트(200)의 적어도 일면에 배리어 층(210a, 210b)을 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.
배리어 층(210a, 210b)은 예컨대 필름 형태의 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET)를 금속 봉지시트(200)의 일면 또는 양면에 라미네이팅할 수도 있고, 금속 봉지시트(200) 위에 용액 형태로 코팅하여 형성할 수도 있다.
이하 실시예를 통해서 본 발명을 보다 상세하게 설명한다. 다만 하기의 실시예는 단지 설명의 목적을 위한 것이며 본 발명의 범위를 제한하는 것은 아니다.
시험예 1
핀 홀을 가지는 알루미늄 기판을 준비한 후, 그 위에 퍼하이드로폴리실라잔(perhydropolysilazane) 용액을 스핀 코팅으로 도포한 후 경화하여 1.5㎛ 두께의 코팅층을 포함하는 샘플을 준비하였다.
시험예 2
1.5㎛ 두께의 코팅층 대신 2㎛ 두께의 코팅층을 포함하는 것을 제외하고는 시험예 1과 동일한 방법으로 샘플을 준비하였다.
비교시험예 1
핀 홀을 가지는 알루미늄 기판을 준비하였다.
평가 1
시험예 1 및 2와 비교시험예 1에 따른 샘플의 수분투과도를 측정하였다.
수분투과도는 AQUATRAN(MOCON사 제조)을 이용하여 ASTM F-1249법으로 측정하였다.
그 결과는 표 1과 같다.
수분투과도(g/m2)
시험예 1 5.1x10-3
시험예 2 3.2x10-3
비교시험예 1 0.8
표 1을 참고하면, 시험예 1 및 2에 따른 샘플은 비교시험예 1에 따른 샘플과 비교하여 수분투과도가 현저하게 낮아지는 것을 확인할 수 있다. 이로부터 폴리실라잔 코팅층은 수분 투과 차단 효과가 높은 것을 알 수 있다.
유기발광표시장치의 제조
실시예 1
유리 기판 위에 ITO 애노드를 스퍼터링으로 형성한 후 패터닝하고, 발광층으로 Alq3 (tris 8-hydroxyquinoline_ aluminum)에 쿠마린 6(coumarin 6)을 1중량% 도핑하여 공증착하였다. 이어서 그 위에 Al 캐소드를 증착하여 유기 발광 소자를 형성하였다.
이어서 디스펜서를 사용하여 상기 유리 기판의 가장 자리를 따라 실링재를 적용하였다. 이어서 실링재가 적용된 상기 유리 기판 위에 알루미늄 봉지 시트를 합착한 후 고체 레이저를 사용하여 실링재를 경화하였다.
이어서 알루미늄 봉지 시트 위에 퍼하이드로폴리실라잔 용액을 스핀 코팅으로 도포하여 폴리실라잔 용액이 알루미늄 봉지 시트 및 실링재를 전체적으로 덮도록 하였다.
이어서 상기 도포된 폴리실라잔 용액을 100℃에서 2시간 동안 경화하여 약 1.5㎛ 두께의 코팅층을 형성하고 유기 발광 표시 장치를 제조하였다.
실시예 2
약 2㎛ 두께의 코팅층을 형성한 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 표시 장치를 제조하였다.
비교예 1
코팅층을 형성하지 않은 것을 제외하고는 실시예 1과 동일한 방법으로 유기 발광 표시 장치를 제조하였다.
평가 2
실시예 1, 2와 비교예 1에 따른 유기 발광 표시 장치를 85℃ 온도, 85% 습도 환경에 방치하고 시간 경과에 따라 전면부와 측면부에서 표시 얼룩(암점)이 발생하는데 소요되는 시간을 측정하였다.
그 결과는 표 2와 같다.
전면부(front view)(hr) 측면부(side view)(hr)
실시예 1 1530 1810
실시예 2 1730 1890
비교예 1 640 1260
표 2를 참고하면, 실시예 1 및 2에 따른 유기 발광 표시 장치는 1500시간 이상 동안 전면부 및 측면부에서 표시 얼룩이 시인되지 않은 반면, 비교예 1에 따른 유기 발광 표시 장치는 전면부 및 측면부 모두에서 표시 얼룩이 시인되는 시간이 현저하게 짧은 것을 확인할 수 있다. 이로부터 코팅층을 형성함으로써 봉지 효과가 현저하게 높아지는 것을 확인할 수 있다.
상기에서는 표시 장치의 일 예로서 유기 발광 표시 장치에 대하여 설명하였지만, 본 발명은 이에 한정되지 않고 봉지 기판이 적용되는 모든 표시 장치에 동일하게 적용할 수 있음은 당연하다.
이상에서 본 발명의 바람직한 실시예들에 대하여 상세하게 설명하였지만 본 발명의 권리 범위는 이에 한정되는 것은 아니고 다음의 청구 범위에서 정의하고 있는 본 발명의 기본 개념을 이용한 당업자의 여러 변형 및 개량 형태 또한 본 발명의 권리 범위에 속하는 것이다.
22: 하부 전극 24: 발광층
26: 상부 전극 30: 실링재
100: 표시 기판 110: 베이스 기판
115: 버퍼층 120: 표시부
124: 게이트 전극
140: 게이트 절연막 154: 반도체 층
160: 중간층 173: 소스 전극
175: 드레인 전극 180: 패시베이션 막
200: 금속 봉지시트 300: 코팅층

Claims (19)

  1. 표시 기판,
    상기 표시 기판과 대향하는 금속 봉지시트,
    상기 표시 기판과 상기 금속 봉지시트 사이를 접합하는 실링재, 그리고
    상기 금속 봉지시트 및 상기 실링재를 덮고 있으며 실리콘 함유 수지를 포함하는 코팅층
    을 포함하는 표시 장치.
  2. 제1항에서,
    상기 실리콘 함유 수지는 폴리실세스퀴옥산, 폴리실라잔 또는 이들의 조합을 포함하는 표시 장치.
  3. 제1항에서,
    상기 코팅층은 상기 금속 봉지시트의 전면 및 상기 실링재의 측면을 덮고 있는 표시 장치.
  4. 제1항에서,
    상기 금속 봉지시트는 복수의 핀 홀을 가지고,
    상기 복수의 핀 홀은 상기 실리콘 함유 수지로 채워져 있는
    표시 장치.
  5. 제1항에서,
    상기 코팅층은 0.1㎛ 내지 5㎛의 두께를 가지는 표시 장치.
  6. 제1항에서,
    상기 금속 봉지시트의 적어도 일면에 위치한 배리어 층을 더 포함하는 표시 장치.
  7. 제6항에서,
    상기 배리어 층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 또는 이들의 조합을 포함하는 표시 장치.
  8. 제1항에서,
    상기 금속 봉지시트는 1㎛ 내지 1000㎛의 두께를 가지는 표시 장치.
  9. 제1항에서,
    상기 금속 봉지시트는 알루미늄(Al), 구리(Cu), 텅스텐(W), 이들의 합금 또는 이들의 조합을 포함하는 표시 장치.
  10. 제1항에서,
    상기 코팅층을 덮는 유기막을 더 포함하는 표시 장치.
  11. 제1항에서,
    상기 표시 기판은
    베이스 기판,
    상기 베이스 기판 위에 형성되어 있으며 서로 마주하는 한 쌍의 전극, 그리고
    상기 한 쌍의 전극 사이에 개재되어 있는 유기 발광층
    을 포함하는 표시 장치.
  12. 표시 기판과 금속 봉지시트를 실링재에 의해 접합하는 단계, 그리고
    상기 금속 봉지시트와 상기 실링재를 덮으며 실리콘 함유 수지를 포함하는 코팅층을 형성하는 단계
    를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  13. 제12항에서,
    상기 코팅층을 형성하는 단계는
    상기 금속 봉지시트 및 상기 실링재에 실리콘 함유 수지 용액을 공급하는 단계, 그리고
    상기 실리콘 함유 수지 용액을 경화하는 단계
    를 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  14. 제13항에서,
    상기 실리콘 함유 수지 용액을 공급하는 단계는 스핀코팅, 스크린인쇄, 잉크젯, ODF(one drop filling) 또는 이들의 조합으로 수행하는 표시 장치의 제조 방법.
  15. 제13항에서,
    상기 실리콘 함유 수지 용액을 경화하는 단계는
    자연 경화, 열 경화, 광 경화, 플라즈마 경화, 가압가습 경화 또는 이들의 조합으로 수행하는 표시 장치의 제조 방법.
  16. 제12항에서,
    상기 실리콘 함유 수지 용액은 폴리실세스퀴옥산 용액, 폴리실라잔 용액 또는 이들의 조합을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  17. 제12항에서,
    상기 표시 기판과 상기 금속 봉지시트를 실링재에 의해 접합하는 단계 전에 상기 금속 봉지시트의 적어도 일면에 배리어 층을 형성하는 단계를 더 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  18. 제17항에서,
    상기 배리어 층은 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET), 폴리카보네이트(PC), 폴리이미드(PI), 폴리프로필렌(PP), 폴리에틸렌(PE), 폴리에테르술폰(PES), 폴리에틸렌나프탈레이트(PEN) 또는 이들의 조합을 포함하는 표시 장치의 제조 방법.
  19. 제12항에서,
    상기 코팅층을 형성하는 단계 후에
    상기 코팅층을 덮는 유기막을 형성하는 단계를 더 포함하는
    표시 장치의 제조 방법.


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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112795265A (zh) * 2020-12-29 2021-05-14 中国建筑材料科学研究总院有限公司 一种液体密封组合物及其制备方法和应用

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017009725A (ja) * 2015-06-19 2017-01-12 ソニー株式会社 表示装置
KR101733397B1 (ko) 2015-11-26 2017-05-10 주식회사 상보 배리어 필름 제조방법 및 배리어 필름
CN109742103B (zh) 2019-01-02 2021-05-11 京东方科技集团股份有限公司 一种显示面板及显示装置
NO347925B1 (en) * 2021-07-07 2024-05-13 Nanize As Polysilazane compositions

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5811177A (en) * 1995-11-30 1998-09-22 Motorola, Inc. Passivation of electroluminescent organic devices
AU2006350626B2 (en) * 2006-11-06 2013-09-19 Agency For Science, Technology And Research Nanoparticulate encapsulation barrier stack
DE102009035640A1 (de) * 2009-07-31 2011-02-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zur Herstellung eines Bauteils mit mindestens einem organischen Material und Bauteil mit mindestens einem organischen Material
KR100986571B1 (ko) * 2010-02-04 2010-10-07 엘지이노텍 주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
TWI463717B (zh) * 2011-07-29 2014-12-01 Au Optronics Corp 有機發光元件及其製造方法及使用其之照明裝置

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112795265A (zh) * 2020-12-29 2021-05-14 中国建筑材料科学研究总院有限公司 一种液体密封组合物及其制备方法和应用
CN112795265B (zh) * 2020-12-29 2022-07-12 中国建筑材料科学研究总院有限公司 一种液体密封组合物及其制备方法和应用

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