JP4706394B2 - 有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法 - Google Patents

Description

本発明は、封止膜を備えた有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法に関する。

一般に、有機エレクトロルミネッセンス素子（以下、エレクトロルミネッセンスを適宜ＥＬと記載する。）は、ガラス基板上にＩＴＯ（インジウム錫酸化物）で構成される透明電極（陽極）が形成され、透明電極（陽極）上には、発光層を含む有機ＥＬ層及び陰極が順次積層されている。そして、有機ＥＬ層は、大気中の水分、酸素等によってダメージを与えられるため、従来、大気中の水分、酸素等から有機ＥＬ層を保護する方法として、陰極形成後に、有機ＥＬ層及び陰極の露出部分を覆うように封止膜を形成する方法が提案されている。（例えば、特許文献１参照。）
また、特許文献２には、光遮断性の良好な保護膜が陰極上に形成されたうえで、保護膜上に紫外線硬化樹脂からなる封止膜が形成された有機ＥＬ素子が開示されている。そして、特許文献２では、封止膜を硬化させる際に照射する紫外線を保護膜によって遮断して、紫外線が有機ＥＬ層にまで到達することを回避する。
特開２００２−２２２６９１号公報 特開平９−７１７７１号公報

しかし、特許文献１及び特許文献２では、有機ＥＬ素子に陰極表面から突出する異物が存在している場合の不都合について何ら考慮していない。例えば、図５に示すように蒸着法によって封止膜１００を陰極１０１上に形成する場合、陰極１０１の表面から突出する異物１０２が存在すると、異物１０２によって陰極１０１の表面に陰となる部分ができる。ここで、「陰」とは、異物を陰極１０１の表面へ投影させることでできる陰のことを意味する。そして、その陰となる部分には封止膜１００が形成され難いため、陰極１０１の表面から突出した異物１０２が存在している状態で封止膜１００を形成すると、異物１０２の陰となる部分に対応する箇所に水分・酸素等が入り込む経路（図５に模式的に矢印で図示）が形成される。したがって、有機ＥＬ素子に陰極１０１の表面から突出する異物１０２が存在していると、水分・酸素等が有機ＥＬ層１０３へと入り込むことがあった。

また、陰極表面から封止膜の表面までの距離が、陰極表面から異物の頂点までの距離の数倍となるような膜厚の厚い封止膜を形成すれば、水分・酸素等が入り込む経路が発生することは少ない。しかし、このような膜厚の厚い封止膜を形成すると、封止膜を形成するために要する時間が長くなるため、生産効率が低下するという問題がある。

本発明は、前記従来の問題に鑑みてなされたものであって、その目的は酸素・水分等が有機ＥＬ層に到達することを抑制する有機ＥＬ素子を製造できる有機ＥＬ素子の製造方法を提供することにある。

前記の目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、第１電極が形成された基板を準備する基板準備工程と、前記基板準備工程の後に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程の後に第２電極を形成する第２電極形成工程と、前記第２電極を覆うように第１封止膜を形成する第１封止膜形成工程と、前記第１封止膜形成工程の後に前記第１封止膜をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の後に、エッチングされた前記第１封止膜上に第２封止膜を形成する第２封止膜形成工程とを備える。ここで、「封止膜」とは少なくとも水分（水蒸気）及び酸素の透過を抑制する機能のある膜を意味する。

第２電極の表面から突出する異物が存在すると、異物によって第２電極の表面に陰となる部分が生じ、その陰によって第１封止膜形成時に隙間ができる場合がある。この発明では、第１封止膜形成後に第１封止膜をエッチングすることで、第１封止膜の表面部分を除去し第１封止膜を平坦な膜とする。そして、第２封止膜形成工程では、平坦となった第１封止膜上に第２封止膜を形成するため、第２封止膜は、第１封止膜形成時にできた隙間を埋めるとともに、連続する膜として形成される。第２封止膜が連続する膜となれば、第２封止膜には、水分・酸素等が入り込む経路が存在しなくなるため、水分・酸素等が有機ＥＬ層に到達することを抑制できる。したがって、第２電極の表面から異物が突出していても、水分・酸素等が有機ＥＬ層に到達することを抑制できる有機ＥＬ素子を製造することができる。

請求項２に記載の発明は、請求項１に記載の発明において、前記第１封止膜形成工程、前記エッチング工程及び前記第２封止膜形成工程は、同一チャンバー内で実施される。
この発明では、第１封止膜形成工程、エッチング工程及び第２封止膜形成工程を別々のチャンバー内で行なう場合に比較して、それぞれの工程毎にチャンバーを変更する必要がないため、効率よく有機ＥＬ素子を製造することができる。

請求項３に記載の発明は、請求項１又は請求項２に記載の発明において、前記第１封止膜及び前記第２封止膜は、同一材料で形成される。
この発明では、第１封止膜及び第２封止膜は、同一材料で形成されるため、第１封止膜形成工程と第２封止膜形成工程とで、有機ＥＬ素子の製造環境を変えることや、蒸着させる材料を替える必要はない。したがって、複数層の封止膜を形成する作業を簡略化することができる。

請求項４に記載の発明は、請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明において、少なくとも前記第１封止膜は、ＣＶＤ法により形成される。
第１封止膜を塗布によって形成すると、第１封止膜を形成する際の塗布液が有機ＥＬ層と接触して有機ＥＬ層がダメージを受けることもあるため好ましくない。この発明では、ＣＶＤ法によって第１封止膜を形成するため、第１封止膜形成時に有機ＥＬ層がダメージを受けるというような悪影響が生じることはない。したがって、第１封止膜よりも外側に形成する封止膜を例えば塗布によって形成しても有機ＥＬ層に悪影響が及ぶことはない。

本発明によれば、第２電極の表面から突出する異物が存在していても、水分・酸素等が有機ＥＬ層に到達することを抑制できる有機ＥＬ素子を製造することができる。

以下、本発明を例えば、バックライトに使用する有機ＥＬ素子に具体化した一実施の形態を図１〜図３に従って説明する。図１（ａ）は有機ＥＬ素子の模式断面図、（ｂ）は異物が存在する部分の模式断面図である。

図１（ａ）に示すように、有機ＥＬ素子１は、基板としてのガラス基板１０の表面に第１電極（陽極）１１、有機ＥＬ層１２、第２電極（陰極）１３が順に積層されている。そして、第１電極１１、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３の外面を覆うように第１封止膜１４が形成されており、さらに、第１封止膜１４の外面を覆うように第２封止膜１５が形成されている。即ち、有機ＥＬ素子１は、ガラス基板１０上に第１電極１１、有機ＥＬ層１２、第２電極１３が順次積層され、かつ第２電極１３の外側に第１封止膜１４及び第２封止膜１５が積層された構成となっている。なお、「第１電極１１、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３の外面」とは、ガラス基板１０の表面に第１電極（陽極）１１、有機ＥＬ層１２、第２電極（陰極）１３を順に積層させた状態において、外側に露出している第１電極（陽極）１１、有機ＥＬ層１２、第２電極（陰極）１３の面のことである。また、有機ＥＬ素子１には、第１電極１１、有機ＥＬ層１２、第２電極１３を形成（成膜）する際に発生した異物１６が存在している。なお、異物１６は、第２電極１３の表面１７から外側へ向かって突出しており、異物１６の大きさは、個々によって異なるが、通常成膜される封止膜の厚さと同じ程度（２ミクロン程度）である。有機ＥＬ素子１は有機ＥＬ層１２の発光がガラス基板１０側から取り出される（出射される）所謂ボトムエミッション型の有機ＥＬ素子を構成する。

第１電極１１はＩＴＯ（インジウム錫酸化物）膜で形成された透明電極からなる。ここで、「透明」とは可視光透過性であることを意味する。有機ＥＬ層１２には公知の構成のものが使用され、例えば、第１電極１１側から順に、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の３層あるいは正孔注入層、正孔輸送層、発光層及び電子輸送層の４層で構成されている。第２電極１３は金属（例えば、アルミニウム）で形成されている。

第１封止膜１４は、少なくとも水分（水蒸気）及び酸素の透過を抑制する機能を有し、この実施形態では材料として窒化ケイ素が使用されている。第１封止膜１４は、異物１６が存在することによって異物１６に対応する部分で不連続な層となっている。詳述すれば、第１封止膜１４の膜厚は、異物１６が存在しない箇所では均一となっているが、図１（ｂ）に示すように、異物１６が存在する箇所では、第１封止膜１４の膜厚が異物１６から離れるにつれて徐々に厚くなっている。また、第１封止膜１４は、異物１６上にも積層している。第１封止膜１４の表面１８，１９には、エッチング処理が施されており、第１封止膜１４の表面１８，１９は平坦となっている。そして、第１封止膜１４の表面１８，１９が平坦にされているため、第２電極１３の表面１７から異物１６上に積層されている第１封止膜１４の表面１８までの距離Ｋ１は、異物が存在しない部分における第２電極１３の表面１７から第１封止膜１４の表面１９までの距離Ｋ２と等しくなる。また、第２電極１３の表面１７から第１封止膜１４の表面１９までの距離Ｋ２が、第２電極１３の表面１７から異物１６の頂点Ｐまでの距離Ｋ３より長くなるように第１封止膜１４は形成されている。第１封止膜１４は、蒸着により形成可能な材料からなる蒸着膜で構成されている。ここで、「蒸着膜」とは、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法、イオンビーム法、ＣＶＤ法等の真空状態あるいは減圧下で薄膜を形成する方法で形成された膜を意味する。

第２封止膜１５は、少なくとも水分（水蒸気）及び酸素の透過を抑制する機能を有し、この実施形態では、酸化ケイ素で構成されている。第２封止膜１５は、塗布法によって第１封止膜１４上に形成されており、第２封止膜１５は、第１封止膜１４を形成した際に生じた隙間を埋めるとともに、連続する層として構成されている。そして、第２電極１３の表面１７から第２封止膜１５の表面２０までの距離Ｋ４は、第２電極１３の表面１７から第１封止膜１４の表面１９までの距離Ｋ２の２倍となっている。

次に前記のように構成された有機ＥＬ素子１の製造方法を説明する。有機ＥＬ素子１の製造は、図２のフローチャートに示す手順で行なわれる。
まず、基板準備工程としてのステップＳ１の第１電極形成工程で、ガラス基板１０上にＩＴＯ膜からなる第１電極１１を形成する。そして、ステップＳ２の基板洗浄工程で、ガラス基板１０及び第１電極１１の洗浄が行なわれる。この基板洗浄工程においては、第１電極１１の表面に付着している有機物や比較的大きな塵埃が除去される。さらに、ＵＶ洗浄やプラズマ処理等が行なわれ、洗浄では除去できなかった小さな塵埃や有機物等の除去が行なわれる。

次に、ステップＳ３の有機ＥＬ層形成工程で、有機ＥＬ層１２が形成（成膜）される。有機ＥＬ層１２は例えば蒸着法で形成され、有機ＥＬ層１２を構成する各層は、蒸着により順次形成される。

次に、ステップＳ４の第２電極形成工程で、第２電極１３が形成される。第２電極１３は、例えばＡｌの蒸着により形成される。第２電極形成工程Ｓ４終了後、第２電極１３形成後の有機ＥＬ素子１は、第２電極１３の形成が行われたチャンバー内から図示しないＣＶＤ装置のチャンバー内へと移送される。そして、このチャンバー内では、後述する第１封止膜形成工程Ｓ５及びエッチング工程Ｓ６が実施される。

図３に示すように、ステップＳ５の第１封止膜形成工程で、ＣＶＤ法によって第２電極１３上に第１封止膜１４が形成される。このとき、第１封止膜１４の膜厚が異物１６の大きさより大きい膜厚となるように、第２電極１３上に材料を蒸着させる。第１封止膜形成工程Ｓ５で第１封止膜１４を形成すると、異物１６上に積層されている第１封止膜１４には、オーバーハングする部分が発生する。ここで、第２電極１３上に付着している異物１６の大きさは、個々で相違するため、第１封止膜１４及び第２封止膜１５の膜厚によっては、第１封止膜１４及び第２封止膜１５を形成したとしても有機ＥＬ素子１にいくつかダークスポットが発生することもある。そこで、本実施形態では、有機ＥＬ素子１に発生するダークスポットの数が、製品として出荷することのできる許容数より少なくなるように、第１封止膜１４及び第２封止膜１５の膜厚を設定している。第１封止膜１４の膜厚としては、例えば、第１封止膜形成工程Ｓ５で異物１６の大きさの２倍（より具体的には、４ミクロン程度）となるように形成すれば、有機ＥＬ素子１に発生するダークスポットの数は許容数より少なくなる。本実施形態では、予め設定された膜厚となるように第１封止膜形成工程Ｓ５で第１封止膜１４を形成すれば所望の品質を満足する有機ＥＬ素子１が得られるため、有機ＥＬ素子１を製造する度に異物１６の大きさを観察することは行っていない。

その後、ステップＳ６のエッチング工程でドライエッチングを実施して、図４に示すように第１封止膜形成工程Ｓ５で形成された第１封止膜１４の表面部分を除去する。ここで、「エッチング」とは、膜の特定の部分を除去することを意味する。具体的なエッチング工程の説明としては、まず、三フッ化窒素からなるエッチングガス（クリーニングガス）をチャンバーの側方からチャンバー内へ供給する。そして、チャンバー内においてエッチングガスをガラス基板１０の一端側から他端側へと流れるように（図４に模式的に矢印で図示）供給しつつエッチングすることで、第１封止膜形成工程で形成された第１封止膜１４の表面部分が除去される。したがって、エッチング工程終了後の第１封止膜１４は、その表面が平坦になる。なお、チャンバー内にはエッチングガスが常時供給されつつ、供給されたエッチングガスは図示しないポンプによってチャンバーの外へ排気されるため、チャンバー内にエッチングガスが充満することはなく、エッチング工程Ｓ６時のチャンバー内の圧力は、所定の圧力に設定される。エッチング工程Ｓ６では、第１封止膜形成工程Ｓ５で異物１６上に積層された第１封止膜１４の一部が、エッチング工程Ｓ６終了後も異物１６上に残るような条件で第１封止膜１４をエッチングしている。そして、エッチング工程Ｓ６終了後の有機ＥＬ素子１は、エッチング工程Ｓ６を行なったチャンバー内から、後述する第２封止膜形成工程Ｓ７を行なうチャンバー内へと移送される。

そして、ステップＳ７の第２封止膜形成工程で、表面が平坦となった第１封止膜１４上に塗布法によって第２封止膜１５が形成される。具体的には、まずポリシラザンを例えばキシレンに溶解することで塗布液とし、その塗布液を第２電極１３上に塗布した後、酸化処理を行なって酸化ケイ素とすることで第２封止膜１５は形成される。

次に、前記のように構成された有機ＥＬ素子１の作用を説明する。
第１電極１１、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３により構成される部分のうち、特に有機ＥＬ層１２は水分及び酸素の存在下で劣化し、ダークスポットやダークエリアが発生する。そこで、第１電極１１、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３の外面を水分や酸素の透過を抑制する封止膜で覆って、有機ＥＬ層１２が劣化することを抑制している。

ところが、第２電極１３の表面１７から異物１６が突出している状態で第２電極１３上に第１封止膜１４を形成すると、異物１６の陰になる部分における第１封止膜１４の膜厚は、異物１６が存在しない部分の膜厚に比較して薄く形成される。そのため、例えば、図３に示すように、第１封止膜形成工程Ｓ５で、第１封止膜１４の膜厚が、異物１６の大きさの２倍となるように第１封止膜１４を形成した場合には、異物１６の陰となる部分に対応する箇所に隙間が生じる。ここで、「異物の陰」とは、異物１６を第２電極１３の表面１７へ投影させることでできる陰のことを意味する。しかし、第１封止膜形成工程Ｓ５の後にエッチング工程Ｓ６を実施することで、図４に示すように、第１封止膜１４の表面が平坦になる。エッチング工程Ｓ６終了後の第２封止膜形成工程Ｓ７では、塗布液を第１封止膜１４上に塗布する際、第１封止膜形成工程Ｓ５終了時に生じていた隙間に塗布液が流れ込む。そして、第２封止膜形成工程Ｓ７で形成される第２封止膜１５は、第１封止膜形成工程Ｓ５終了時に生じていた隙間を埋めるとともに連続する層となる。したがって、図１（ｂ）に示すように第２封止膜１５には、水分・酸素等が入り込む経路が発生することはない。本発明では、有機ＥＬ素子１に第２電極１３の表面１７から突出する異物１６が存在していても、第１封止膜１４及び第２封止膜１５によって、水分や酸素の透過抑制機能を発揮することができる。

この実施の形態では以下の効果を有する。
（１） 第２電極１３の表面１７からは異物が突出しており、第１封止膜１４は異物１６に対応する部分が不連続な層になるとともに、第１封止膜１４上に形成された第２封止膜１５は連続する層となっている。そして、第１封止膜１４には、エッチング処理が施されている。

したがって、第２封止膜１５には水分・酸素等が入り込む経路が存在しないため、第１封止膜１４に欠陥があっても、大気中の水分や酸素等が有機ＥＬ層１２に到達するのが抑制され、有機ＥＬ素子１の寿命を長くすることができる。

（２） 第１封止膜形成工程Ｓ５の後に第１封止膜１４をエッチングするエッチング工程Ｓ６と、エッチング工程Ｓ６の後に第２封止膜１５を形成する第２封止膜形成工程Ｓ７とが行なわれる。

したがって、第２封止膜形成工程Ｓ７では第２封止膜１５を連続する層として形成することができるため、第２電極１３の表面１７から異物１６が突出していても、水分・酸素等が有機ＥＬ層１２に到達することを抑制できる有機ＥＬ素子１を製造することができる。

（３） 第１封止膜形成工程Ｓ５とエッチング工程Ｓ６とは、同一チャンバー内で実施される。
したがって、第１封止膜形成工程Ｓ５及びエッチング工程Ｓ６を別々のチャンバー内で行なう場合に比較して、チャンバーを変更する必要がないため、効率よく有機ＥＬ素子１を製造することができる。

（４） 第１封止膜形成工程Ｓ５では、第１封止膜１４をＣＶＤ法によって形成する。
したがって、第１封止膜形成時に有機ＥＬ層１２がダメージを受けるというような悪影響が生じない。

（５） 第２封止膜形成工程Ｓ７では、第２封止膜１５を塗布法によって形成する。
したがって、第１封止膜形成工程終了時に生じていた隙間を第２封止膜１５によって埋めることができるため、水分・酸素等が有機ＥＬ層１２に到達することをより抑制することができる。

（６） エッチング工程Ｓ６では、エッチングガスがガラス基板１０の一端側から他端側へと流れるように供給しつつ第１封止膜１４をエッチングする。
したがって、第１封止膜１４をエッチングする際に、エッチングガスが第１封止膜形成工程Ｓ５終了時に生じた隙間に入り込むことは少ないため、隙間部分に対応する第１封止膜１４が除去されることなく、第１封止膜１４の表面を除去することができる。第１封止膜形成工程Ｓ５終了時に生じた隙間がエッチング工程Ｓ６を行なう際に拡大することは、回避される。

（７） エッチング工程Ｓ６では、第１封止膜形成工程Ｓ５で異物１６上に積層された第１封止膜１４が、エッチング工程Ｓ６終了後も異物１６上に残るような条件で、第１封止膜１４をエッチングしている。

したがって、異物１６上に積層された第１封止膜１４を全て除去するようにエッチングした場合の第１封止膜１４の膜厚に比べて、エッチング工程Ｓ６後の第１封止膜１４の膜厚を厚くすることができる。第１封止膜１４の膜厚が厚くなれば、水分・酸素等が有機ＥＬ層１２にまで及ぶことをより抑制することができる。

実施の形態は前記に限定されるものではなく、例えば、次のように具体化してもよい。
○ 第２封止膜１５を塗布法で形成する代わりに、蒸着法で形成してもよい。そして、蒸着法のうち、例えば、ＣＶＤ法で第２封止膜１５を形成するようにすれば、エッチング工程Ｓ６の後にチャンバーを変更して第２封止膜形成工程Ｓ７を実施しなくとも、同一チャンバー内で、第１封止膜形成工程Ｓ５、エッチング工程Ｓ６及び第２封止膜形成工程Ｓ７を実施することができる。このようにすれば、第１封止膜形成工程Ｓ５、エッチング工程Ｓ６及び第２封止膜形成工程Ｓ７を別々のチャンバー内で行う場合に対して、それぞれの工程に移行する際、チャンバーを変更することがないため効率よく有機ＥＬ素子１を製造することができる。

○ 第２封止膜１５を蒸着法で形成する場合には、第２封止膜１５を第１封止膜１４と同一の材料である窒化ケイ素で形成してもよい。第１封止膜１４と第２封止膜１５とを同一の材料で形成すれば、第１封止膜形成工程Ｓ５と第２封止膜形成工程Ｓ７とで、有機ＥＬ素子の製造環境を変えることや、蒸着させる材料を替える必要はない。したがって、第１封止膜１４と第２封止膜１５とを形成する作業を簡略化することができる。

○ 第１封止膜１４と第２封止膜１５の２層構成ではなく複数層の構成としてもよい。例えば、第１封止膜１４及び第２封止膜１５を形成した後に、第３封止膜形成工程を実施して、第３封止膜を第２封止膜１５上に形成してもよい。

また、第２電極１３上に下層封止膜を形成し、第１封止膜１４を下層封止膜の外側に形成してもよい。この場合、下層封止膜及び第１封止膜１４には水分・酸素等が入り込む経路が生じているが、下層封止膜の外側に形成された第１封止膜１４をエッチングしてエッチング後に第２封止膜１５を形成すれば、第２封止膜１５は、連続する層となる。

○ 複数層で構成される封止膜の膜として金属膜を設けてもよい。金属膜は第１電極１１、第２電極１３とを短絡させない状態で設ける必要があり、例えば、第１封止膜１４より外側に設けるのが好ましい。金属膜はセラミック膜に比較して同じ厚さにおいてピンホールが発生し難く、外力に対する耐衝撃性も高いため、より水分・酸素が有機ＥＬ層１２に到達することを抑制できる。

○ 塗布液の材料としてはポリシラザンに限らず、例えば、ブチルゴム、エポキシ樹脂等を使用してもよい。
○ 蒸着膜の材料は、窒化ケイ素でなくてもよい。例えば、酸化ケイ素、酸窒化ケイ素、ダイヤモンドライクカーボンのような材料を用いて蒸着膜を形成してもよい。

○ 有機ＥＬ素子１は、バックライト用に限らず、他の照明装置やディスプレイ装置の発光源として使用してもよい。
○ エッチング工程Ｓ６で実施するエッチングは、ドライエッチングでなくてもよい。例えば、エッチング工程で第１封止膜１４をウェットエッチングして、第１封止膜１４の表面部分を除去してもよい。

○ 第１封止膜１４は、第２電極１３の表面１７から第１封止膜１４の表面１９までの距離Ｋ２が、第２電極１３の表面１７から異物１６の頂点Ｐまでの距離Ｋ３より長ければよいため、距離Ｋ２の長さについてはとくに限定されない。例えば、第２電極１３の表面１７から第１封止膜１４の表面１９までの距離Ｋ２が、第２電極１３の表面１７から異物１６の頂点Ｐまでの距離Ｋ３の２倍となるように第１封止膜１４を形成してもよい。

○ 基板は、ガラス基板１０でなくともよい。例えば、ガラス基板１０に代えて樹脂製で透明なフレキシブル基板を使用してもよい。
○ 有機ＥＬ層１２の発光の取り出し方向を基板側とするボトムエミッション型に限らず、基板と反対側から光を取り出すトップエミッション型としてもよい。その場合、有機ＥＬ層１２を挟んで基板と反対側に配置される第２電極１３を透明とする必要があるため、第２電極１３をＩＴＯ膜からなる透明電極（陽極）とし第１電極１１を陰極として有機ＥＬ素子１を構成してもよい。

○ 第１電極形成工程Ｓ１から第２封止膜形成工程Ｓ７までを一貫して行なわなくてもよい。例えば、基板準備工程としてガラス基板１０上に第１電極１１が形成された市販品を準備した後に、基板洗浄工程Ｓ２から第２封止膜形成工程Ｓ７までを一貫して行なうようにしてもよい。また、第１電極形成工程Ｓ１をある工場で実施した後に有機ＥＬ素子１を移送して、基板洗浄工程Ｓ２から第２封止膜形成工程Ｓ７までを一貫して他の工場で行なうような作業工程を採用してもよい。

○ 異物１６は、第２電極１３の表面１７から突出していればよいため、第２電極１３上に付着しているものに限定されない。例えば、異物１６が第１電極１１や有機ＥＬ層１２に付着している場合であっても、異物１６が第２電極１３の表面１７から突出する大きさであると、第１封止膜１４を第２電極１３上に形成する際、隙間ができる場合がある。なお、異物１６が第１電極１１に付着した状態で、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３を形成すると、異物１６上に有機ＥＬ層１２及び第２電極１３の材料からなる層が積層する。この場合、異物１６とは、有機ＥＬ層１２及び第２電極１３の材料からなる層を含んだ全体を指す。

○ エッチング工程Ｓ６では、異物１６上に積層された第１封止膜１４のうち、オーバーハングしている部分の一部を除去するようにしてもよい。このようにすれば、異物１６上に積層された第１封止膜１４がオーバーハングすることでできる陰をエッチング工程Ｓ６で減少させた後に、第２封止膜形成工程Ｓ７で第２封止膜１５を形成することができる。したがって、第２封止膜１５に隙間ができることをより抑制することができる。

以下の技術的思想は前記実施形態から把握できる。
第１電極が形成された基板を準備する基板準備工程と、前記基板準備工程の後に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程の後に第２電極を形成する第２電極形成工程と、前記第２電極を覆うように下層封止膜を形成する下層封止膜形成工程と、前記下層封止膜の外側に第１封止膜を形成する第１封止膜形成工程と、前記第１封止膜形成工程の後に前記第１封止膜をエッチングするエッチング工程と、前記エッチング工程の後に前記第１封止膜上に第２封止膜を形成する第２封止膜形成工程とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

（ａ）は、一実施の形態の有機ＥＬ素子の模式断面図、（ｂ）は、異物が存在する部分の模式断面図。 製造プロセスを示すフローチャート。 第１封止膜形成工程時の部分模式断面図。 エッチング工程時の部分模式断面図。 従来技術の異物の作用を説明する模式断面図。

符号の説明

１…有機ＥＬ素子、１０…ガラス基板、１１…第１電極、１２…有機ＥＬ層、１３…第２電極、１４…第１封止膜、１５…第２封止膜、１６…異物、１７，１８，１９，２０…表面。

Claims (4)

1. 第１電極が形成された基板を準備する基板準備工程と、
   前記基板準備工程の後に有機エレクトロルミネッセンス層を形成する有機エレクトロルミネッセンス層形成工程と、
   前記有機エレクトロルミネッセンス層形成工程の後に第２電極を形成する第２電極形成工程と、
   前記第２電極を覆うように第１封止膜を形成する第１封止膜形成工程と、
   前記第１封止膜形成工程の後に前記第１封止膜をエッチングするエッチング工程と、
   前記エッチング工程の後に、エッチングされた前記第１封止膜上に第２封止膜を形成する第２封止膜形成工程とを備える有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
2. 前記第１封止膜形成工程、前記エッチング工程及び前記第２封止膜形成工程は、同一チャンバー内で実施される請求項１に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
3. 前記第１封止膜及び前記第２封止膜は、同一材料で形成される請求項１又は請求項２に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。
4. 少なくとも前記第１封止膜は、ＣＶＤ法により形成される請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法。

Images