JP3892931B2 - 2個のビニル基を有する光学活性ホスフィン誘導体、それをモノマーとするポリマー、及びそれらの遷移金属錯体 - Google Patents

2個のビニル基を有する光学活性ホスフィン誘導体、それをモノマーとするポリマー、及びそれらの遷移金属錯体 Download PDF

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Description

【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、ホスフィン誘導体、それをポリマー形成モノマーの基として構造単位を有するポリマー、それらのロジウムのような遷移金属との遷移金属錯体にも関する。また、本発明は、不斉ヒドロホルミル化反応における有用な触媒として利用できるこれら遷移金属錯体の存在下にて光学活性体を得る方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
従来より、多くの遷移金属錯体が有機合成反応の触媒として使用されており、特に、貴金属錯体は安定で取り扱いが容易であるため、高価であるに関わらず広く利用されている。これらの貴金属錯体などの遷移金属錯体を触媒とする多くの合成の研究がなされており、これまでの手段では不可能とされていた不斉反応を含む有機合成反応を可能にした数多くの報告がなされている。
【0003】
このような不斉触媒に用いられる光学活性な配位子には種々のタイプのものがあるが、遷移金属−ホスフィン錯体を用いる不斉ヒドロホルミル化反応に注目してみると、その中で最も優れた不斉認識を持つものの一つに2-ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2'-イルオキシ(1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン(以下、単に「BINAPHOS」という)配位子がある。そしてこのBINAPHOSを配位子とするRh錯体は不斉炭素−炭素結合生成反応であるオレフィンへのヒドロホルミル化反応を行っている報告例がある(特開平6−263,776号公報、特開平6−316,560号公報)。
【0004】
しかしながら、高価な触媒は回収できないか、又は常に望ましくない損失を伴う複雑な分離法によってのみ回収することができる。さらに、これらの触媒は、回収された均一な触媒の再利用は不可能であるか及び/又は不経済である。このため、容易に分離及び再利用でき、繰り返しの使用で、その活性及び特に選択性が大きく保持される触媒が求められてきた。
【0005】
合成キラル高分子は、ラセミ体の分離用媒体、不斉合成用試薬、触媒などへの応用が広く研究されており、これらキラル高分子のもつ種々の機能の中で不斉識別に関する研究は最近進展がめざましい分野である。特に立体選択的有機反応への応用では、高分子により構築される特異な反応場を用いる点で一般の均一系反応とは異なる方法となりうる。
【0006】
高分子試薬または高分子触媒を有機合成に用いた場合、生成物の分離が容易になる、試薬あるいは触媒の再使用が可能となるといった点で工業化プロセスの改良できる利点がある。
【0007】
例えば、光学活性なアミノ酸に4-ビニルベンゼンスルホニルクロリドを反応させ、キラルモノマーとした後、スチレンとジビニルベンゼンを用いて高分子化しキラルポリマーとし、
【0008】
【化13】
Figure 0003892931
【0009】
この高分子配位子とジボランを反応し、高分子担持キラルオキサボロリジノンとし、これをルイス酸触媒として用いシクロペンタジエンとメタクロレインのディールス- アルダー反応を行っている報告例がある(S. Itsuno ら、Tetrahedron: Asymmetry 1995 年、6 巻、2547頁)。
【0010】
また、マンガン−サレン錯体を高分子化し、
【0011】
【化14】
Figure 0003892931
【0012】
オレフィン類の不斉エポキシ化反応に用いた報告例がある(S. Sivaramら、Tetrahedron:Asymmetry 1995年、6 巻、2105頁)。
【0013】
さらに、光学活性2-p-スチリル-4,5- ビス[ (ジベンゾホスホリル)メチル]1,3-ジオキソランとスチレンとから共重合しキラルポリマーとし、
【0014】
【化15】
Figure 0003892931
【0015】
この高分子配位子に塩化白金を配位させ、塩化スズ存在下スチレンのヒドロホルミル化反応を行っている報告例がある(J. K. Stilleら、J. Org. Chem.,1986年、51巻、4189頁)。
【0016】
しかし、いずれも、触媒活性が充分ではなかったり、モノマーを用いて反応したときよりも不斉収率が低くなったりして工業化するには至っていない。
【0017】
【発明が解決しようとする課題】
上述したように、不斉合成反応の触媒として、触媒活性、不斉収率などの点で満足する結果を示す高分子担持配位子が望まれていた。本発明は、これらの要望を満足せしめることを課題とするものである。
【0018】
【課題を解決するための手段】
ビフェニル骨格の2' 位にジアリールホスフィノ基を有し、2位がホスファイトでホスファイト部には6位と6' 位にビニル基を有するナフチル骨格を持つモノマーを合成し、スチレン誘導体とジビニルベンゼン誘導体との共重合体とした。この高分子配位子は、不斉触媒反応に用いられる配位子として優れたものであることを見いだし、本発明を完成するに至った。
【0019】
すなわち、本発明は、下記一般式(I)
【0020】
【化16】
Figure 0003892931
【0021】
(式中、Arは置換基を有していても良いフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基であり;R1, R2は互いに独立して、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であり;R3は、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であるか;あるいはR2とR3が一緒になって炭化水素環を形成していても良く;炭化水素環には、置換基として、低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、ハロゲン化低級アルキル基、ベンジルオキシ基、ビニル基を有していても良い。)
で表される 2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビフェニレン-2- イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体を提供することである。
【0022】
また、下記一般式(III)
【0023】
【化17】
Figure 0003892931
【0024】
(式中、R1, R2, R3, Arは、前記と同義であり;k は2〜100の整数である。)
で示される 2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビフェニレン-2- イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体の構造単位を有するオリゴマー或いはポリマーを提供することである。
【0025】
また、本発明は一般式(I)の化合物並びに一般式(III)のポリマーに、遷移金属化合物を作用させることにより得られる遷移金属錯体を提供することである。
【0026】
さらに、本発明の別の目的は当該遷移金属錯体の存在下、下記一般式(A)
【0027】
【化18】
Figure 0003892931
【0028】
(式中、R5は炭素数1乃至8のアルキル基、置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基、アセトキシ基などである。)
で表わされるオレフィン化合物を不斉ヒドロホルミル化させることを特徴とする下記一般式(B)
【0029】
【化19】
Figure 0003892931
【0030】
(式中、R5は前記と同義である)で表わされる光学活性α−メチルアルデヒド化合物の製造方法を提供することである。
【0031】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明の化合物(I)において、Arは置換基を有していても良いフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基である。ここで置換基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、イソブチルなどの炭素数1乃至4の低級アルキル基、フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基を例示することができる。好ましい具体例としてのArは、フェニル、4-トリル、4-メトキシフェニル、3,5-キシリル、ナフチルなどが挙げられる。
【0032】
R1, R2は、水素原子、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、イソブチルなどの炭素数1乃至4の低級アルキル基、フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基を例示することができる。
【0033】
R3は、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、イソブチルなどの炭素数1乃至4の低級アルキル基、フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基またはベンジルオキシ基を例示することができる。
【0034】
R2とR3とで一緒になって炭化水素環を形成する例としては、炭化水素環を形成し、置換基を有していても良いベンゼン環またはシクロヘキサン環が例示できる。ここで置換基としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、イソブチルなどの炭素数1乃至4の低級アルキル基、フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数1乃至4の低級アルコキシ基、トリフルオロメチル、トリクロロメチルなどのハロゲン化低級アルキル基、ベンジルオキシ基またはビニル基を例示することができる。
【0035】
本発明の化合物(I)は、例えば、次の反応式によって示される方法により製造される。なお、この反応式は、(I)中、Arがフェニル、R1が水素原子、R2とR3とで炭化水素環を形成しベンゼン環のものを例に取り示してある。
【0036】
【化20】
Figure 0003892931
【0037】
光学活性なビナフトール(VII) を出発原料に、文献(M. Vondenhof and J. Mattay , Tetrahedron Lett., 1990 年、31巻、 985-988頁、 L. Kurz, G. Lee, D. Morgans, Jr., M. J. Waldyke and T. Ward, Tetrahedron Lett., 1990年、31巻、6321-6324 頁 )および文献(Y. Uozumi, A. Tanahashi, S.-Y. Lee, and T. Hayashi, J. Org. Chem., 1993 年、58巻、1945-1948 頁)に記載の方法で、ビナフトール(VII) を、無水トリフルオロメタンスルホン酸(Tf2 O)、ピリジンを用い、塩化メチレン中で反応させて、2,2'- ビス(トリフロロメタンスルホニルオキシ)-1,1'-ビナフチル(VIII)に誘導した後、これに触媒量のPd−ホスフィン錯体の存在下に、ジフェニルホスフィンオキシド(Ph2 PHO)を反応せしめて 2'-ジフェニルホスフィニル- 2-トリフロロメタンスルホニルオキシ-1,1'-ビナフチル (IX) を合成した。トリクロシラン(HSiCl3 )で還元し2'- ジフェニルホスフィノ- 2-トリフロロメタンスルホニルオキシ-1,1'-ビナフチル (X)とした後、水酸化リチウム(LiOH)で加水分解して 2'-ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル (XI) とした。
【0038】
【化21】
Figure 0003892931
【0039】
光学活性なビナフトール(VII) を、無水酢酸中、臭素と反応させ6,6'- ジブロモ-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチル(XII) とした。これをtert- ブチルジメチルシリルオキシトルフラート(TBDMSOTf)、2,6−ルチジンを用い水酸基を保護し6,6'- ジブロモ-2,2'-ビス(tert- ブチルジメチルシリルオキシ)-1,1'-ビナフチル (XIII) とし、sec−ブチルリチウム(sec−BuLi)でアニオン化した後、ジメチルホルムアミド(DMF)を作用させて6,6'- ジホルミル-2,2'-ビス(tert- ブチルジメチルシリルオキシ)-1,1'-ビナフチル(XIV) とした。トリフェニルメチルホスホニウムブロミド(Ph3 + CH3 Br- )及びt−ブトキシカリウム(t−BuOK)を反応させ6,6'- ジビニル-2,2'-ビス(tert- ブチルジメチルシリルオキシ)-1,1'-ビナフチル(XV)とした。テトラブチルアンモニウムフルオリド(TBAF)で脱シリル化し6,6'- ジビニル-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルとした後、三塩化リンと加熱することにより6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジオキシクロロホスフィン(XVI) を得た。6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジオキシクロロホスフィン(XVI) と2'- ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル (XI) とをトリエチルアミン(NEt3 )存在下反応して2'- ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン(XVII)が得られる。
【0040】
更に、化合物(I)中、Arがフェニル、R1が水素原子、R2とR3とで炭化水素環を形成しベンゼン環のもので、6位にビニル基を有するものの製造を、例に示す。
【0041】
【化22】
Figure 0003892931
【0042】
光学活性なビナフトール(VII) を出発原料に、文献(M. Vondenhof and J. Mattay , Tetrahedron Lett., 1990年、31巻、 985-988頁、 L. Kurz, G. Lee, D. Morgans, Jr., M. J. Waldyke and T. Ward, Tetrahedron Lett., 1990 年、31巻、6321-6324 頁 )および文献(Y. Uozumi, A. Tanahashi, S.-Y. Lee, and T. Hayashi, J. Org. Chem., 1993 年、 58 巻、1945-1948 頁)に記載の方法で、ビナフトール(VII) を無水トリフロロメタンスルホン酸(Tf2 O)、ピリジンを用い、塩化メチレン中で反応させて、2,2'- ビス(トリフロロメタンスルホニルオキシ)-1,1'-ビナフチル(VIII)に誘導した後、これに触媒量のPd−ホスフィン錯体の存在下に、ジフェニルホスフィンオキシド(Ph2 PHO)を反応せしめて 2'-ジフェニルホスフィニル- 2-トリフロロメタンスルホニルオキシ-1,1'-ビナフチル (IX) を合成することが出来る。水酸化リチウム(LiOH)で加水分解して 2'-ジフェニルホスフィニル- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル (XVIII)とし、ジオキサン中臭素化すると2'- ジフェニルホスフィニル- 2-ヒドロキシ- 6-ブロモ-1,1'-ビナフチル (XIX)が得られる。トリクロロシラン(HSiCl3 )で還元して2'- ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ- 6-ブロモ-1,1'-ビナフチル (XX) とした後、文献(Y. Miyaura, A. Suzuki, J. C. S. Chem. Commun., 1979 年、866 頁)の方法でPd触媒を用いて2-ビニル-5,5- ジメチル-1, 3-ジオキサ-2- ボリナンを反応させて2'- ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ- 6-ビニル-1,1'-ビナフチル (XXI)とする。
【0043】
最後に、2'- ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ- 6-ビニル-1,1'-ビナフチル (XXI)と上記で得た6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジオキシクロロホスフィン(XVI) とを反応することにより、目的物である2'- ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン (XXII) が得られる。
【0044】
上記方法は、 Ar がフェニル、R1は水素、R2とR3とで炭化水素環を形成しベンゼン環及びArがフェニル、R1は水素、R2とR3とで炭化水素環を形成しベンゼン環のもので、6位にビニル基を有するもの以外の(I)の化合物を得るためにも同様に利用できるものである。
【0045】
このようにして得られる本発明の化合物(I)は、配位子として遷移金属と共に錯体を形成する。この錯体を形成する金属としては、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、コバルト、ニッケルなどが挙げられ、形成される錯体としては、例えば以下のものが挙げられる。なお、以下に示す遷移金属錯体の式中において、Lは本発明化合物(I)、codは1,5-シクロオクタジエンを、nbdはノルボナジエンを、Phはフェニルを、Acはアセチルを、OAcはアセトキシを、acacはアセチルアセトナートをそれぞれ示す。また、Lは本発明化合物(I)の典型例として、(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ[(S)-6,6'- ジビニル- 1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィンを示す。
【0046】
ロジウム錯体:
ロジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるロジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
RhCl3, RhBr3, RhI3, [Rh(cod)Cl]2, [Rh(cod)Br]2, [Rh(cod)I]2, [Rh(nbd)Cl]2, [Rh(nbd)Br]2, [Rh(nbd)I]2, [Rh(cod)(OAc)]2, [Rh(nbd)(OAc)]2, Rh(cod)(acac), Rh(nbd)(acac), Rh(CO)2(acac), [Rh(CO)2Cl]2, [Rh(CO)2Br]2, [Rh(CO)2I]2, [Rh(cod)2]BF4, [Rh(cod)2]ClO4, [Rh(cod)2]PF6, [Rh(cod)2]BPh4, [Rh(nbd)2]BF4, [Rh(nbd)2]ClO4, [Rh(nbd)2]PF6, [Rh(nbd)2]BPh4,
【0047】
具体的にロジウム錯体を製造するには、文献(N. Sakai, S. Mano, K. Nozaki, H. Takaya, J Am. Chem. Soc., 1993年、115 巻、7033頁)に記載の方法に従って、例えば、ジカルボニルアセチルアセトナートロジウム(Rh(CO)2(acac) )と本発明の(I)とを反応せしめれば良い。得られるロジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
【0048】
Rh(acac)(L)
Rh(cod)Cl(L)
Rh(nbd)Cl(L)
Rh(cod)Br(L)
Rh(nbd)Br(L)
Rh(cod)(L)
Rh(nbd)(L)
Rh(OAc) (L)
RhH(CO)(L)
[Rh(cod)(L)]ClO4
[Rh(cod)(L)]BF4
[Rh(cod)(L)]PF6
[Rh(nbd)(L)]ClO4
[Rh(nbd)(L)]BF4
[Rh(nbd)(L)]PF6
【0049】
パラジウム錯体:
パラジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるパラジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
PdCl3, PdBr3, PdI3, [(π-allyl)PdCl]2, [( π-allyl)PdBr]2, [( π-allyl)PdI]2, [(π-mathallyl)PdCl]2, [( π-methallyl)PdBr]2, [( π-methallyl)PdI]2, PCl2(CH3CN)2, PdBr2(CH3CN)2, PdI2(CH3CN)2, PCl2(C6H5CN)2, PdBr2(C6H5CN)2, PdI2(C6H5CN)2, PdCl2(cod), PdBr2(cod), PdI2(cod), PdCl2(nbd), PdBr2(nbd), PdI2(nbd), Pd(OAc)2, Pd(acac)2
【0050】
パラジウム錯体は、文献(Y. Uozumi and T. Hayashi, J. Am.Chem. Soc.,1991 年, 113 巻, 9887頁.)に記載の方法に従って、 Lとπ- アリールパラジウムクロリド([(π-allyl)PdCl]2 )を反応させることにより調製できる。パラジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【0051】
PdCl2(L)
( π-allyl)Pd(L)
[Pd (L)]ClO4
[Pd(L)]PF6
[Pd(L)]BF4
【0052】
白金錯体:
白金錯体の形成のために錯体前駆体として用いられる白金化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
PtCl3, PtBr3, PtI3, PtCl2(cod), PtBr2(cod), PtI2(cod), PtCl2(nbd), PtBr2(nbd), PtI2(nbd), Pt(acac)2 ,K2PtCl4, PtCl2(CH3CN)2, PtBr2(CH3CN)2, PtI2(CH3CN)2, PtCl2(PhCN)2, PtBr2(PhCN)2, PtI2(PhCN)2
【0053】
白金錯体は、文献(G. Consiglio, S. S. A. Nefkens, A. Borer, Organometallics, 1991年、10巻、2046頁)に記載の方法に従って、ジベンゾニトリルジクロル白金(PtCl2(PhCN)2)と(I)とをベンゼン中加熱撹拌することにより調製することができ、必要に応じてはルイス酸(SnCl2 など)を加えてもよい。白金錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【0054】
PtCl2(L)
PtCl2(SnCl2)(L)
PtCl(SnCl3)(L)
【0055】
イリジウム錯体:
イリジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるイリジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
IrCl3, IrBr3, IrI3, [Ir(cod)Cl]2, [Ir(cod)Br]2, [Ir(cod)I]2, [Ir(nbd)Cl]2, [Ir(nbd)Br]2, [Ir(nbd)I]2, [Ir(cod)(OAc)]2, [Ir(nbd)(OAc)]2, Ir(cod)(acac), Ir(nbd)(acac), Ir(CO)2(acac), [Ir(CO)2Cl]2, [Ir(CO)2Br]2, [Ir(CO)2I]2, [Ir(cod)2]BF4, [Ir(cod)2]ClO4, [Ir(cod)2]PF6, [Ir(cod)2]BPh4, [Ir(nbd)2]BF4, [Ir(nbd)2]ClO4, [Ir(nbd)2]PF6, [Ir(nbd)2]BPh4
【0056】
イリジウム錯体は、文献(K. Mashima,T. Akutagawa, X. Zhang, T. Taketomi, H. Kumobayashi, S. Akutagawa, J. Organomet. Chem., 1992 年、428 巻、213 頁) に記載の方法に従って、 Lと[(1,5−シクロオクタジエン)(アセトニトリル)イリジウム]テトラフルオロホウ酸塩([Ir(cod)(CH3CN)2]BF4)とを、テトラヒドロフラン中にて撹拌化することにより調製できる。イリジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【0057】
[Ir(cod)(L)]ClO4
[Ir(cod)(L)]PF6
[Ir(cod)(L)]BF4
[Ir(nbd)(L)]ClO4
[Ir(nbd)(L)]PF6
[Ir(nbd)(L)]BF4
Ir(cod)(L)Cl
Ir(nbd)(L)Cl
Ir(cod)(L)Br
Ir(nbd)(L)Br
Ir(cod)(L)
Ir(nbd)(L)
Ir(OAc)(L)
【0058】
本発明は、さらに本発明の化合物(I)を重合し下記一般式(III)
【0059】
【化23】
Figure 0003892931
【0060】
(式中、R1, R2, R3, Arは、前記と同義であり;k は2〜100の整数である。)
で示される 2'-ジアリールホスフィノ-1,1'-ビフェニレン- 2-イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体の構造単位を有するオリゴマーあるいはポリマーよりなる。
【0061】
特に好適なポリマーは、下記一般式(III)、(IV)、(V)
【0062】
【化24】
Figure 0003892931
【0063】
(式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり; R4 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシル基又はハロゲン原子であり;R6は水素原子、メチル基であり;k は2〜100の整数であり; l及びm は0〜1000の整数であり;(k+l+m)=10〜1000の範囲である。)
で示される化合物の構造単位を有するポリマーよりなる。
【0064】
ポリマーを形成するモノマーは、化合物(III)と好適にはスチレン誘導体(IV)、ジビニルベンゼン誘導体(V)よりなる群から選ばれる。
本発明のスチレン誘導体モノマー(IV)において、 R4 は水素原子、メチル、エチル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチルなどの炭素数1乃至4の低級アルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、ブトキシなどの炭素数1乃至4の低級アルコキシル基、フッ素、クロル、ブロムなどのハロゲン原子が挙げられる。
【0065】
本発明のポリマー(III)は、公知の重合法を用い製造することができる。重合反応は、溶液重合、懸濁重合等を用いることができる。
この重合反応は、ホスフィン誘導体(I)とスチレン誘導体及び/又はジビニルベンゼン誘導体とを、ポリビニルアルコール水溶液、クロロホルムなどのハロゲン化炭化水素、トルエンなどのハイドロカボーンに、懸濁又は溶解し、窒素又はアルゴンなどの不活性気体下で反応容器に仕込み、これにラジカル開始剤としとしては2,2'- アゾビス(2,4- ジメチルバレロニトリル)、アゾビスイソブチロニトリルなどのアゾ化合物もしくは過酸化物を加え、常圧で60〜100 ℃の温度で1時間〜2日間反応させることにより行われる。
【0066】
本発明のポリマーでの、化合物(III)、(IV)、(V)の混合割合はk, l, mのモル比で表わされ、k:l:m=2〜100:0〜1000:0〜1000である。好ましい混合割合としては、k:l:m=1〜100:100〜:0〜1000まで用いることができる。本発明のポリマーでの、化合物(III)、(IV)、(V)の重合度はk, l, mで表わされ、(k+l+m)=10〜1000の範囲である。
【0067】
このようにして得られる本発明のポリマー(III)は、配位子として遷移金属と共に錯体を形成する。この錯体を形成する金属としては、ロジウム、イリジウム、パラジウム、白金、コバルト、ニッケルなどが挙げられ、形成される錯体としては、例えば以下のものが挙げられる。なお、以下に示す、遷移金属錯体の式中において、Lは本発明化合物(III)のモノマー、codは1,5-シクロオクタジエンを、nbdはノルボナジエンを、Phはフェニルを、Acはアセチルを、OAcはアセトキシを、acacはアセチルアセトナートをそれぞれ示す。また、Lは本発明化合物(III)の典型例として、(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ[(S)-6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィン モノマーを示す。更に、kは2〜100の整数である。
【0068】
ロジウム錯体:
ロジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるロジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
RhCl3, RhBr3, RhI3, [Rh(cod)Cl]2, [Rh(cod)Br]2, [Rh(cod)I]2, [Rh(nbd)Cl]2, [Rh(nbd)Br]2, [Rh(nbd)I]2, [Rh(cod)(OAc)]2, [Rh(nbd)(OAc)]2, Rh(cod)(acac), Rh(nbd)(acac), Rh(CO)2(acac), [Rh(CO)2Cl]2, [Rh(CO)2Br]2, [Rh(CO)2I]2, [Rh(cod)2]BF4, [Rh(cod)2]ClO4, [Rh(cod)2]PF6, [Rh(cod)2]BPh4, [Rh(nbd)2]BF4, [Rh(nbd)2]ClO4, [Rh(nbd)2]PF6, [Rh(nbd)2]BPh4
【0069】
具体的にロジウム錯体を製造するには、文献(N. Sakai, S. Mano, K. Nozaki, H. Takaya, J Am. Chem. Soc., 1993年、115 巻、7033頁)に記載の方法に従って、例えばジカルボニルアセチルアセトナートロジウム(Rh(CO)2(acac) )と本発明の(III)とを反応せしめれば良い。得られるロジウム錯体の具体例としては、例えば以下のものを挙げることができる。
【0070】
[Rh(acac)] K (L)
[Rh(cod)Cl] K (L)
[Rh(nbd)Cl] K (L)
[Rh(cod)Br] K (L)
[Rh(nbd)Br] K (L)
[Rh(cod)] K (L)
[Rh(nbd)] K (L)
[Rh(OAc)] K (L)
[RhH(CO)2] K (L)
[Rh K (cod) K (L)](ClO4)K
[Rh K (cod) K (L)](BF4) K
[Rh K (cod) K (L)](PF6) K
[Rh K (nbd) K (L)](ClO4)K
[Rh K (nbd) K (L)](BF4) K
[Rh K (nbd) K (L)](PF6) K
【0071】
パラジウム錯体:
パラジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるパラジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
PdCl3, PdBr3, PdI3, [(π-allyl)PdCl]2, [( π- allyl)PdBr]2, [(π-allyl)PdI]2, [(π-mathallyl)PdCl]2, [( π-methallyl)PdBr]2, [( π-methallyl)PdI]2, PCl2(CH3CN)2, PdBr2(CH3CN)2, PdI2(CH3CN)2, PCl2(C6H5CN)2, PdBr2(C6H5CN)2, PdI2(C6H5CN)2, PdCl2(cod), PdBr2(cod), PdI2(cod), PdCl2(nbd), PdBr2(nbd), PdI2(nbd), Pd(OAc)2, Pd(acac)2
【0072】
パラジウム錯体は、文献(Y. Uozumi and T. Hayashi, J. Am.Chem. Soc.,1991 年, 113 巻, 9887頁.)に記載の方法に従って、 Lとπ- アリルパラジウムクロリド([(π-allyl)PdCl]2 )を反応させることにより調製できる。パラジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【0073】
(PdCl2) K (L)
[(π-allyl)Pd] K (L)
[Pd K (L)](ClO4) K
[Pd K (L)](PF6) K
[Pd K (L)](BF4) K
【0074】
白金錯体:
白金錯体の形成のために錯体前駆体として用いられる白金化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
PtCl3, PtBr3, PtI3, PtCl2(cod), PtBr2(cod), PtI2(cod), PtCl2(nbd), PtBr2(nbd), PtI2(nbd), Pt(acac)2 ,K2PtCl4, PtCl2(CH3CN)2, PtBr2(CH3CN)2, PtI2(CH3CN)2, PtCl2(PhCN)2, PtBr2(PhCN)2, PtI2(PhCN)2
【0075】
白金錯体は、文献(G. Consiglio, S. S. A. Nefkens, A. Borer, Organometallics, 1991年、10巻、2046頁)に記載の方法に従って、ジベンゾニトリルジクロル白金(PtCl2(PhCN)2)と(III)とをベンゼン中加熱撹拌することにより調製することができ、必要に応じてはルイス酸(SnCl2 など)を加えてもよい。白金錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【0076】
[PtCl2] k (L)
[PtCl2(SnCl2)]k (L)
[PtCl(SnCl3)] k (L)
【0077】
イリジウム錯体:
イリジウム錯体の形成のために錯体前駆体として用いられるイリジウム化合物としては、例えば以下のものを挙げることができる。
IrCl3, IrBr3, IrI3, [Ir(cod)Cl]2, [Ir(cod)Br]2, [Ir(cod)I]2, [Ir(nbd)Cl]2, [Ir(nbd)Br]2, [Ir(nbd)I]2, [Ir(cod)(OAc)]2, [Ir(nbd)(OAc)]2, Ir(cod)(acac), Ir(nbd)(acac), Ir(CO)2(acac), [Ir(CO)2Cl]2, [Ir(CO)2Br]2, [Ir(CO)2I]2, [Ir(cod)2]BF4, [Ir(cod)2]ClO4, [Ir(cod)2]PF6, [Ir(cod)2]BPh4, [Ir(nbd)2]BF4, [Ir(nbd)2]ClO4, [Ir(nbd)2]PF6, [Ir(nbd)2]BPh4
【0078】
イリジウム錯体は、文献(K. Mashima,T. Akutagawa, X. Zhang, T. Taketomi, H. Kumobayashi, S. Akutagawa, J. Organomet. Chem., 1992 年、428 巻、213 頁) に記載の方法に従って、 Lと[(1,5−オクタジエン)(アセトニトリル)イリジウム]テトラフルオロホウ酸塩([Ir(cod)(CH3CN)2]BF4)とを、テトラヒドロフラン中にて撹拌化することにより調製できる。イリジウム錯体の具体例として、例えば以下のものを挙げることができる。
【0079】
[Ir k (cod) k (L)](ClO4)k
[Ir k (cod) k (L)](PF6) k
[Ir k (cod) k (L)](BF4) k
[Ir k (nbd) k (L)](ClO4)k
[Ir k (nbd) k (L)](PF6) k
[Ir k (nbd) k (L)](BF4) k
[Ir(cod)] k (L)Cl k
[Ir(nbd)] k (L)Cl k
[Ir(cod)] k (L)Br k
[Ir(nbd)] k (L)Br k
[Ir(cod)] k (L)
[Ir(nbd)] k (L)
[Ir(OAc)] k (L)
【0080】
上記のようにして、本発明の(I)あるいは(III)の構造単位からなるポリマー、または(III)、(IV)、(V)の構造単位からなるポリマーと遷移金属化合物から得られた遷移金属錯体は、不斉合成用触媒として利用することができ、例えば、下に示すオレフィン化合物(A)を一酸化炭素、水素圧力下に反応させて、光学活性α- メチルアルデヒド化合物(B)を製造する方法(ヒドロホルミル化反応)の触媒として用いることができる。
【0081】
【化25】
Figure 0003892931
【0082】
(式中、R5は炭素数1乃至8のアルキル基、置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基、アセトキシ基などを示す。)
【0083】
即ち、上記反応においては、ホスフィン誘導体(I)及びオリゴマー或いはポマー(III)の(R),(S)−体(S),(R)−体のもののいずれか一方を選択し、これを配位子とした遷移金属錯体を触媒として用いることにより、光学活性体を合成することができ、所望する絶対配置の目的物を得ることができる。
【0084】
上記反応の出発原料であるオレフィン化合物(A)の基R5の具体例としては、メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、n−ブチル、t−ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチルなどのアルキル基、フェニル、2−,3−もしくは4−メトキシフェニル、2−,3−もしくは4−クロロフェニル、2−,3−もしくは4−フルオロフェニル、2−,3−もしくは4−トリフルオロメチルフェニル、2−,3−もしくは4−トリルなどの置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基、アセトキシ基、フタロイル基などが挙げられる。
【0085】
一方、反応に使用される溶媒としては、ベンゼン、トルエン、キシレン、テトラヒドロフラン、塩化メチレン、1,2−ジクロロエタン、アセトンなどを用いることができる。
【0086】
上記反応において、用いられる触媒の量は、基質に対して、(II)、(VI)、あるいは(VI)、(IV)、(V)の構造単位からなる遷移金属化合物において、0.01乃至10mol%程度であり、好ましくは0.05乃至5mol%程度である。
【0087】
更に反応は、通常、10〜100℃程度の温度、好ましくは、20〜50℃程度の温度で、10分から30時間程度で、2〜120気圧程度の一酸化炭素、水素圧で反応させることにより、終了するが、これらの条件は使用される反応物質などの量により適宜変更しうる。
【0088】
反応後、本発明の(VI)、あるいは(VI)、(IV)、(V)の構造単位からなるポリマーの遷移金属化合物は、簡単な方法、例えば遠心分離、濾過によって、反応物から、実際上完全に分離することができ、この際回収した触媒は、再利用することができる。
【0089】
【実施例】
以下に実施例を挙げ、本発明を詳細に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。
なお、各実施例における物性の測定に用いた装置は次の通りである。
1H NMR JEOL JMN-EX-270 (270 MHz)
31P NMR JEOL JMN-EX-270 (109 MHz)
旋光度 日本分光 DIP-360
GLC 島津製作所 GC-15A
MASS 島津製作所 QP-1000
【0090】
【実施例1】
(R)-2'- ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ- [(S)-6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィンの合成
【0091】
(1) (R)-2,2'-ビス[ トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチルの合成
(R)-ビナフトール 36.2 g (127 mmol)、ピリジン 25.2 g (319 mmol)を塩化メチレン 181 ml に溶かし、0 ℃に冷却する。そこへ、無水トリフルオロメタンスルホン酸 76.5 ml (271 mmol) を滴下し、その後室温で18時間撹拌する。反応混合物に2N塩酸200 mlを加えて洗浄する。有機層を水、食塩水で洗った後、溶媒を留去すると 69.3 g の粗生成物が得られた。ヘキサン 280 ml から再結晶すると 64.1 g ( 収率92 %) で得られた。
1H NMR (CDCl3) δ 7.25 - 8.15 (m, aromatic)
【0092】
(2)(R)-2'- ジフェニルホスフィニル- 2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-2,2'- ビス[ トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチル11 g (20 mmol)、酢酸パラジウム 0.225 g (50 mol%)、1,4-ビス(ジフェニルホスフィノ) プロパン 0.43 g (50 mol%) をジメチルスルホキシド(DMSO) 100 ml に溶かし室温で1.5 時間撹拌する。そこへジフェニルホスフィンオキシド 8.08 g (40 mmol) 、ジイソプロピルエチルアミン 20 mlをジメチルスルホキシド(DMSO) 100 ml に溶かした溶液を加え、100 ℃で12時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷却し、塩化メチレン 75 mlを加えた。この溶液を氷浴中で冷却し、2N塩酸 100 ml をゆっくり滴下し、室温で 30 分撹拌した。分液後、水層を塩化メチレンで抽出した。有機層を集め水洗したあと、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 酢酸エチル、4 : 1 〜 1 : 4) で精製したところ、表題化合物が11.5 g (収率 96 %)黄白色の結晶として得られた。
[ α] D 24 44.45゜ (c 0.50, CHCl3)
1H NMR (CDCl3) δ 7.0-8.01(m, aromatic)
31P NMR (CDCl3) δ 28.73 (s)
【0093】
(3)(R)-2'- ジフェニルホスフィノ- 2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-2'- ジフェニルホスフィニル- 2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1,1'-ビナフチル 400mg (0.664 mmol) をキシレン22mlに溶かし、この中にトリエチルアミン1.20g(12mmol) とトリクロロシラン1.62g(12mmol) を加えた。この混合液を120 ℃で17時間撹拌した。 反応混合物を室温まで冷却した後、35% 水酸化ナトリウム4.4ml を注意深く加え、更に2 時間撹拌した後分液した。有機層を30mlの飽和食塩水で2回洗浄した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を減圧留去する事により粗生成物の表題化合物を得た。精製することなく次の反応を行った。
【0094】
(4)(R)-2'- ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチルの合成
上記得られた(R)-2'- ジフェニルホスフィニル- 2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1,1'-ビナフチルをテトラヒドロフラン7ml に溶かし、水酸化リチウム一水和物(LiOH・H2O )335 mg (8.0 mmol) 、精製水 (2.4 ml) を加えて15時間かき混ぜた。減圧下にてテトラヒドロフランを留去し、エーテル(10 ml) 、5%塩酸 (10 ml)を加えかき混ぜた。分液後、有機層を水で2 回洗浄してから無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。溶媒を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 酢酸エチル、5 : 1)で精製したところ、表題化合物が153mg ((R)-2'-ジフェニルホスフィニル- 2-トリフルオロメタンスルホニルオキシ-1,1'-ビナフチルより収率 51 %)得られた。
【0095】
(5)(S)-6,6'- ジブロモ-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(S)-ビナフトール28.63 g (0.1 mol) を氷酢酸200 mlに溶かし、60℃に加熱し、臭素32 g (0.2 mol)と氷酢酸50 ml を滴下した。そのままの温度で30分撹拌した後、室温で一晩かき混ぜた。溶媒を減圧下にて濃縮したところ表題化合物が44.61 g 得られた。
【0096】
(6)(S)-6,6'- ジブロモ-2,2'-ビス(tert- ブチルジメチルシリルオキシ)-1,1'-ビナフチルの合成
(S)-6,6'- ジブロモ-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチル2.42 g (4.86 mmol)、tert- ブチルジメチルシリルトリフラート2.4 ml (10.5 mmol)、2,6-ルチジン1.2 ml (10.3 mmol)を塩化メチレン20 ml に溶かし、室温で7 時間かき混ぜた。飽和重曹水を加え分液した後、有機層を飽和食塩水と水とで洗浄し無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 酢酸エチル、5 : 1)で精製したところ、表題化合物が3.19 g (収率 91 %)得られた。
1H NMR (CDCl3) δ -0.16 (s, 6H), 0.02 (s, 6H), 0.48 (s, 18H), 7.02 (d, J = 8.91 Hz, 2H), 7.18 (d, J = 8.91 Hz, 2H), 7.27 (dd, J = 1.98, 8.91 Hz, 2H), 7.72 (d, J = 8.91Hz, 2H), 7.97 (d, J = 1.98 Hz, 2H)
【0097】
(7)(S)-6,6'- ジホルミル-2,2'-ビス(tert- ブチルジメチルシリルオキシ)-1,1'-ビナフチルの合成
80 ml のシュレンク管に(S)-6,6'- ジブロモ-2,2'-ビス(tert- ブチルジメチルシリルオキシ)-1,1'-ビナフチル2.19 g (3.26 mmol)を入れエーテル12 ml を加える。sec-ブチルリチウム(ヘキサン溶液、7.76 mmol )を滴下し、0 ℃で2 時間撹拌した。そのままの温度でこの溶液にジメチルホルムアミド0.6 ml (7.76 mmol)とエーテル5ml を加える。12時間撹拌した後3N HClを加え反応を停止した。飽和重曹水で中和した後分液し、有機層を飽和食塩水で洗浄し無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 酢酸エチル、4 : 1)で精製したところ、表題化合物が1.34 g (収率 74 %)得られた。
1H NMR (CDCl3) δ -0.08 (s, 6H), 0.06 (s, 6H), 0.43 (s, 18H), 7.25-7.30 (m, 2H), 7.69 (dd, J = 1.65, 8.91 Hz, 2H), 8.02 (d, J = 8.91Hz, 2H), 8.34 (d, J = 1.65 Hz, 2H), 10.10 (s, 2H)
【0098】
(8)(S)-6,6'- ジビニル-2,2'-ビス(tert- ブチルジメチルシリルオキシ)-1,1'-ビナフチルの合成
(S)-6,6'- ジホルミル-2,2'-ビス(tert- ブチルジメチルシリルオキシ)-1,1'-ビナフチル3.05 g (5.34 mmol)、トリフェニルメチルホスホニウムブロミド5.73 g (16.0 mmol)をエーテル60 ml に溶かした。そこへtert- ブトキシカリウム1.80 g (16.0 mmol)を加え、室温で4時間撹拌した。反応混合物に水を加え分液した。有機層を飽和食塩水と水とで洗浄し無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 酢酸エチル、6 : 1)で精製したところ、表題化合物が2.87 g (収率 95 %)得られた。
1H NMR (CDCl3) δ -0.21 (s, 6H), 0.02 (s, 6H), 0.50 (s, 18H), 5.23(dd, J = 0.99, 10.89 Hz, 2H), 5.75 (dd, J = 0.99, 17.48 Hz, 2H), 6.83 (dd, J = 10.89, 17.48 Hz, 2H), 7.12-7.18 (m, 4H), 7.36 (dd, J = 1.65, 8.91 Hz, 2H), 7.73 (d, J = 1.28Hz, 2H), 7.78 (d, J = 8.91 Hz, 2H)
【0099】
(9)(S)-6,6'- ジビニル-2,2'-ジヒドロキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(S)-6,6'- ジホルミル-2,2'-ビス(tert- ブチルジメチルシリルオキシ)-1,1'-ビナフチル2.87 g (5.06 mmol)をテトラヒドロフラン 50 mlに溶かし、水を5 ml加える。さらに、テトラメチルアンモニウムフロリドのテトラヒドロフラン溶液 (5.1 mmol) を加え、室温で4時間撹拌した。エーテルで抽出した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 酢酸エチル、1 : 1)で精製したところ、表題化合物が0.77 g (収率 45 %)得られた。
1H NMR (CDCl3) δ 5.01(s, 2H), 5.28 (d, J = 10.89 Hz, 2H), 5.78 (d, J = 17.48 Hz, 2H), 6.84 (dd, J = 10.89, 17.48 Hz, 2H), 7.11 (d, J = 8.91, 2H), 7.37 (d, J = 8.91 Hz, 2H), 7.46 (dd, J = 1.65, 8.91 Hz, 2H), 7.82 (d, J =1.32 Hz, 2H), 7.96 (d, J = 8.91 Hz, 2H)
【0100】
(10)(R)-2'- ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ[(S)-6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィンの合成 (R)-2'- ジフェニルホスフィノ- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル0.11 g (0.24 mmol)と(S)-6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジオキシクロロホスフィン 0.16g(0.35 mmol) をエーテル6 mlに溶かし、0 ℃でトリエチルアミン0.06 ml (0.43 mmol) とエーテル2 ml溶液を滴下した。そのままの温度で1時間、室温で24時間撹拌した。反応混合物に氷水を加え、分液後水層をエーテルで抽出した後、無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 塩化メチレン、2 : 1 〜1 : 1)で精製したところ、表題化合物が0.13 g (収率 68 %)得られた。
1H NMR (CDCl3) δ 5.30(m, 2H), 5.80 (m, 2H), 6.02 (d, J = 8.90 Hz, 1H), 6.70-8.05 (m, 33H)
31P NMR (CDCl3) δ 145.1 (d, J = 30.5 Hz), -13.3 (d, J = 30.5)
【0101】
【実施例2】
(R)-2'- ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ[(S)-6,6'- ジビニル- 1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィンの合成
【0102】
(1) (R)-2,2'-ビス[ トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチルの合成
(R)-ビナフトール 36.2 g (127 mmol)、ピリジン 25.2 g (319 mmol)を塩化メチレン 181 ml に溶かし、0 ℃に冷却する。そこへ、無水トリフラート 76.5 ml (271 mmol) を滴下し、その後室温で18時間撹拌する。反応混合物に2N塩酸200ml を加えて洗浄する。有機層を水、食塩水で洗った後、溶媒を留去すると 69.3 g の粗生成物が得られた。ヘキサン 280 ml から再結晶すると 64.1g (収率92 %) で得られた。
1H NMR (CDCl3) δ 7.25 - 8.15 (m, aromatic)
【0103】
(2)(R)-2'- ジフェニルホスフィニル-2-[トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチルの合成
(R)-2,2'- ビス[ トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチル11 g (20 mmol)、酢酸パラジウム 0.225 g (50 mol%)、1,4-ビス(ジフェニルホスフィノ) プロパン 0.43 g(50 mol%)をジメチルスルホキシド 100 ml に溶かし室温で1.5 時間撹拌する。そこへジフェニルホスフィンオキシド 8.08 g (40 mmol) 、ジイソプロピルエチルアミン 20 mlをジメチルスルホキシド 100 ml に溶かした溶液を加え、100 ℃で12時間撹拌した。反応混合物を室温まで冷却し、塩化メチレン 75 mlを加えた。この溶液を氷浴中で冷却し、2N塩酸 100 ml をゆっくり滴下し、室温で 30 分撹拌した。分液後、水層を塩化メチレンで抽出した。有機層を集め水洗したあと、硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を濃縮後シリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 酢酸エチル、4 : 1 〜 1 : 4) で精製したところ、表題化合物が11.5 g( 収率 96 %)黄白色の結晶として得られた。
[ α] D 24 44.45゜ (c 0.50, CHCl3)
1H NMR (CDCl3) δ 7.0-8.01(m, aromatic)
31P NMR (CDCl3) δ 28.73 (s)
【0104】
(3) (R)-2'- ジフェニルホスフィニル- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-2'- ジフェニルホスフィニル- 2-[ トリフルオロメタンスルホニルオキシ]-1,1'- ビナフチル 11.5 g (19.2 mmol) 、水酸化リチウム・一水和物2.42 g (57.6 mmol)、テトラヒドロフラン (75 ml) 精製水 (25 ml)を加えて一晩かき混ぜた。減圧下にてテトラヒドロフランを留去し、トルエン(30 ml) 、2N塩酸(50 ml) を加えかき混ぜた。分液後、無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。表題化合物が9.03 g(収率100%)得られた。
【0105】
(4)(R)-6-ブロモ-2'-ジフェニルホスフィニル-2- ヒドロキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-2'- ジフェニルホスフィニル- 2-ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル4 g (8.49 mmol) をジオキサン150 ml中に溶かし、臭素1.75 ml (34 mmol) 、ジオキサン20 ml の溶液を5 ℃で滴下した。室温で2 時間撹拌後チオ硫酸ナトリウム水溶液で中和した後、クロロホルムで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。減圧下にて溶媒を留去したところ黄色の固体が得られた。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(塩化メチレン/ 酢酸エチル = 1 / 1)で精製すると表題化合物が4.06 g(収率87% )で得られた。
1H NMR (CDCl3) δ 9.05 (bs, 1H), 7.95-7.17(m, 2H),7.65-7.53(m, 7H), 7.42-7.32(m, 2H), 7.26-7.17(m, 2H), 7.06-6.88(m, 3H), 6.81-6.72(m, 2H), 6.27(d, J = 8.91, 1H)
31P NMR (CDCl3) δ 31.26(s)
【0106】
(5)(R)-6-ブロモ-2'-ジフェニルホスフィノ-2- ヒドロキシ-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-6-ブロモ-2'-ジフェニルホスフィニル-2- ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル3.09 g、(5.63 mmol) をキシレン40 ml に溶かし、トリエチルアミン15.7 ml (112 mmol)加えた。トリクロロシラン5.7 ml (56.4 mmol)を加えた後、110 ℃で22時間撹拌した。飽和重曹水を加えて反応を停止した後、塩をろ別しトルエンで洗浄した。有機層を分液後無水硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製すると表題化合物が1.94 g、(65% 収率)で得られた。
1H NMR (CDCl3) δ 7.96-7.80(m, 4H),7.52-7.43(m,2H), 7.33-6.98(m, 14H), 6.55(d, J = 8.91, 1H), 4.62(s, 1H)
31P NMR (CDCl3) δ -12.82(s)
【0107】
(6)(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-2- ヒドロキシ-6- ビニル-1,1'-ビナフチルの合成
(R)-6-ブロモ-2'-ジフェニルホスフィノ-2- ヒドロキシ-1,1'-ビナフチル1.0 g 、(1.88 mmol) Pd(PPh3)4 210 mg(0.182 mmol)、2-ビニル-5,5- ジメチル-1, 2-ジオキサ-3- ボリナン0.4 ml(2.87 mmol)、リン酸三カリウム一水和物0.965 g (4.54 mmol)をジメチルホルムアミド12 ml に溶かし80℃で16時間撹拌した。反応混合物を水で希釈し、ジエチルエーテルで抽出した。有機層を飽和食塩水で洗浄後無水硫酸マグネシウムで乾燥した。溶媒を留去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー(クロロホルム)で精製すると表題化合物が618 mg(68% 収率)で得られた。
1H NMR (CDCl3) δ 7.95-7.86(m, 3H), 7.72(bs, 1H), 7.54-7.01(m, 1H), 6.79(dd, J = 17.15, 10.55, 1H), 6.69(d, J = 8.91Hz, 1H), 5.7(d, J = 17.15, 1H), 5.22(d, J = 10.55, 1H), 4.53(s, 1H)
31P NMR (CDCl3) δ -13.01(s)
【0108】
(7)(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ[(S)- 6,6'-ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィンの合成
(R)-2'- ジフェニルホスフィノ-2- ヒドロキシ-6- ビニル-1,1'-ビナフチル0.45 g (0.936 mmol) と(S)-6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジオキシクロロホスフィン (1.03 mmol)をエーテル20 ml に溶かし、0 ℃に冷却し、トリエチルアミン0.2 ml (1.44 mmol)を加えた。その後、室温で24時間撹拌し、氷水で反応を停止した。分液後水層をエーテルで抽出した。硫酸マグネシウムで乾燥し、溶媒を留去した。濃縮後残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー( ヘキサン- 塩化メチレン = 1 : 1) で精製したところ、表題化合物が302 mg (収率 38 %)得られた。
1H NMR (CDCl3) δ 8.06-6.60 (m, 33H), 6.00 (d, J = 8.91 Hz, 1H), 5.84-5.23 (m, 6H),
31P NMR (CDCl3) δ 146.0 (d, J = 30.5 Hz), -13.2 (d, J = 30.5 Hz)
【0109】
【実施例3】
(1)懸濁共重合
0.4%ポリビニルアルコール水溶液を良く撹拌し、そこへ(R)-2'- ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ[(S)-6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィン100 mg (0.122 mmol) 、スチレン0.45 ml (3.93 mmol) 、ジビニルベンゼン0.035 ml (0.135 mmol) 、2,2'- アゾビス(2,4- ジメチルバレロニトリル( 以下、V-65と略す)20.2 mg (0.0813 mmol)とをトルエン0.75mlに溶かしたものを80℃で加えた。反応混合物を400 回転/ 分の回転速度で24時間撹拌した。得られたポリマーを瀘別し、水、メタノールで洗浄後減圧下にて乾燥し、淡黄色の固体物質として得た。
【0110】
(2)クロロホルム中での溶液共重合
(R)-2'- ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ[(S)-6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィン100 mg (0.122 mmol) 、スチレン0.42 ml (3.66 mmol) 、ジビニルベンゼン0.11ml(0.424 mmol)、V-65 20.1mg(0.081 mmol) とクロロホルム1.5ml を20 ml のシュレンク管に入れ、70℃で5 時間加熱した。固化した反応混合物にメタノールを加えると白色沈殿が生成し、これをろ別後メタノール、トルエンで洗浄後減圧下にて乾燥し、淡黄色の固体物質として得た。
【0111】
(3)トルエン中での溶液共重合
(R)-2'- ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン- 2-イルオキシ[(S)-6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィン100 mg (0.122 mmol) 、スチレン0.42 ml (3.66 mmol) 、ジビニルベンゼン0.11 ml (0.424 mmol)、V-65 20.1 mg (0.081 mmol) とトルエン1. 5 ml を20 ml のシュレンク管に入れ、70℃で5 時間加熱した。固化した反応混合物にメタノールを加えると白色沈殿が生成し、これをろ別後メタノール、トルエンで洗浄後減圧下にて乾燥し、淡黄色の固体物質として得た。
【0112】
(4)トルエン中での溶液共重合
(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ[(S)-6,6'- ジビニル- 1,1'- ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィン50 mg (0.061 mmol)、ジビニルベンゼン0.27 ml (2.03 mmol) 、V−65 5.2 mg (0.021 mmol) とトルエン0. 5 ml を20 ml のシュレンク管に入れ、80℃で14時間加熱した。固化した反応混合物にMeOHを加え、ろ別後MeOHで洗浄後減圧下にて乾燥し、淡黄色の固体物質として得た。
【0113】
【実施例4】
ポリマーとロジウムジカルボニルアセチルアセトナートとの反応
20mlのシュレンク管にRh(acac)(CO)2 4.1 mg (0.0159 mmol)と実施例3(4)で得られたポリマー 304 mg (モノマー換算で0.059 mmol含有)、ベンゼン5 mlを加え、室温で2時間撹拌した。反応混合物を凍結乾燥し、黄燈色の固体物質として得た。
【0114】
【実施例5】
スチレンの不斉ヒドロホルミル化反応
50 ml のステンレスオートクレーブに実施例4で合成したRh錯体61 mg (Rh 0.0031 mmol含有), スチレン0.71 ml (6.20 mmol) 、ベンゼン0.35ml加え、一酸化炭素10 atm、水素10 atm圧力下、60℃で12時間撹拌した。反応混合物を少量抜き取り濾過することによって触媒を除去し、1H NMR分析で変換率を求めたたところ99% であった。α- メチルフェニルアセトアルデヒドとジヒドロ桂皮アルデヒドの生成比(位置選択性)は 89 : 11であった。Jones 酸化によってカルボン酸とした後、キラルなカラム(Chrompack Cp-Cyclodex β-236M)を用いたGC分析によって不斉収率を測定したところ89% eeであった。
【0115】
【実施例6】
触媒の再使用
50 ml のガラス製プレッシャーボトルに実施例4で合成したRh錯体63mg(Rh 0.0031 mmol含有), スチレン0.71 ml (6.20 mmol) 、ベンゼン0.35 ml 加え、一酸化炭素2.5 atm 、水素2.5 atm 圧力下、60℃で3 時間撹拌した。変換率は41% 、位置選択性は 88 : 12、不斉収率は86% eeであった。 反応終了後、生成物と基質を含むベンゼン溶液の上澄みをアルゴン下、シリンジで抜き取った。ベンゼンで洗浄した後、スチレン0.71 ml (6.20 mmol) 、ベンゼン0.35 ml 加え同様に触媒反応を行った。変換率は48% 、位置選択性は 90 : 10、不斉収率は86% eeであった。
【0116】
【実施例7】
(1)懸濁共重合
0.4%ポリビニルアルコール水溶液を良く撹拌し、そこへ(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ[(S)- 6,6'-ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィン100 mg (0.122 mmol) 、スチレン0.45 ml (3.93 mmol) 、ジビニルベンゼン0.035 ml (0.135 mmol) 、2,2'- アゾビス(2,4- ジメチルバレロニトリル( 以下、V-65と略す)20.2 mg (0.0813 mmol)とをトルエン0.75mlに溶かしたものを80℃で加えた。反応混合物を400 回転/ 分の回転速度で24時間撹拌した。得られたポリマーを瀘別し、水、メタノールで洗浄後減圧下にて乾燥し、淡黄色の固体物質として得た。
【0117】
(2)クロロホルム中での溶液共重合
(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ[(S)- 6,6'-ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィン100 mg (0.122 mmol) 、スチレン0.42 ml (3.66 mmol) 、ジビニルベンゼン0.11 ml (0.424 mmol)、V-65 20.1 mg (0.081 mmol) とクロロホルム1. 5 ml を20 ml のシュレンク管に入れ、70℃で5 時間加熱した。固化した反応混合物にメタノールを加えると白色沈殿が生成し、これをろ別後メタノール、トルエンで洗浄後減圧下にて乾燥し、淡黄色の固体物質として得た。
【0118】
(3)トルエン中での溶液共重合
(R) -2'-ジフェニルホスフィノ-6- ビニル-1,1'-ビナフタレン-2- イルオキシ[(S)- 6,6'-ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ]ホスフィン100 mg (0.122 mmol) 、スチレン0.42 ml (3.66 mmol) 、ジビニルベンゼン0.11 ml (0.424 mmol)、V-65 20.1 mg (0.081 mmol) とトルエン1. 5 ml を20 ml のシュレンク管に入れ、70℃で5 時間加熱した。固化した反応混合物にメタノールを加えると白色沈殿が生成し、これをろ別後メタノール、トルエンで洗浄後減圧下にて乾燥し、淡黄色の固体物質として得た。
【0119】
【実施例8】
ポリマーとロジウムジカルボニルアセチルアセトナートとの反応
20mlのシュレンク管にRh(acac)(CO)2 4.1 mg (0.0159 mmol)と実施例7で得られたポリマー 304mg(モノマー換算で0.059 mmol含有)、ベンゼン5 mlを加え、室温で2時間撹拌した。反応混合物を凍結乾燥し、黄燈色の固体物質として得た。
【0120】
【実施例9】
スチレンの不斉ヒドロホルミル化反応
50mlのステンレスオートクレーブに実施例8で合成したRh錯体61mg(Rh 0.0031 mmol含有), スチレン0.71 ml (6.20 mmol) 、ベンゼン0.35ml加え、一酸化炭素10 atm、水素10 atm圧力下、60℃で12時間撹拌した。反応混合物を少量抜き取り濾過することによって触媒を除去し、1H NMR分析で変換率を求めたたところ99% であった。α- メチルフェニルアセトアルデヒドとジヒドロ桂皮アルデヒドの生成比(位置選択性)は 89 : 11であった。Jones 酸化によってカルボン酸とした後、キラルなカラム(Chrompack Cp-Cyclodex β-236M)を用いたGC分析によって不斉収率を測定したところ89% eeであった。
【0121】
【実施例10】
触媒の再使用
50mlのガラス製プレッシャーボトルに実施例8で合成したRh錯体63mg(Rh 0.0031 mmol含有), スチレン0.71 ml (6.20 mmol) 、ベンゼン0.35 ml 加え、一酸化炭素2.5 atm 、水素2.5 atm 圧力下、60℃で3 時間撹拌した。変換率は41% 、位置選択性は 88 : 12、不斉収率は86% eeであった。 反応終了後、生成物と基質を含むベンゼン溶液の上澄みをアルゴン下、シリンジで抜き取った。ベンゼンで洗浄した後、スチレン0.71 ml (6.20 mmol) 、ベンゼン0.35 ml 加え同様に触媒反応を行った。変換率は48% 、位置選択性は 90 : 10、不斉収率は86% eeであった。
【0122】
【発明の効果】
本発明のポリマー担持ホスフィン配位子は、不斉合成用配位子として優れたもので、ロジウム、白金等の遷移金属錯体と同時に用いると、不斉ヒドロホルミル化反応の触媒として、優れた性能を示すばかりか、ほとんどの溶媒に不溶であるため、濾過することによって容易に生成物と触媒の分離が可能となり、工業化触媒として優れたものである。

Claims (11)

  1. 下記一般式(I)
    Figure 0003892931
    (式中、Arは置換基を有していても良いフェニル基、置換基を有していても良いナフチル基であり;R1, R2は互いに独立して、水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であり;R3は、低級アルキル基、低級アルコキシ基、ハロゲン原子、ハロゲン化置換低級アルキル基又はベンジルオキシ基であるか;あるいはR2とR3が一緒になって炭化水素環を形成していても良く;炭化水素環には、置換基として、低級アルキル基、ハロゲン原子、低級アルコキシ基、ハロゲン化低級アルキル基、ベンジルオキシ基、ビニル基を有していても良い。)
    で表される2'- ジアリールホスフィノ-1,1'-ビフェニレン-2- イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体。
  2. 請求項1記載のホスフィン誘導体に、遷移金属化合物を作用させることにより得られる遷移金属錯体。
  3. 下記一般式(II)
    Figure 0003892931
    (式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり;Mはロジウム、イリジウム、パラジウム又は白金であり;Wは1,5−シクロオクタジエン、ノルボナジエン、ハロゲン原子、CO、アセトキシ、アリル又はアセチルアセトナートであり;Yは水素原子、ハロゲン原子、ClO4 、BF4 、PF6 、BPh4 、SnCl2 、SnCl3 であり;p及びqは0〜2であり、pとqは同時に0ではない。)
    で表わされる請求項2記載の遷移金属錯体。
  4. 下記一般式(III)
    Figure 0003892931
    (式中、R1, R2, R3, Arは、前記と同義であり;k は2〜100の整数である。)
    で示される2'- ジアリールホスフィノ-1,1'-ビフェニレン-2- イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体の構造単位を有するオリゴマー或いはポリマー。
  5. 下記一般式(III)、(IV)、(V)
    Figure 0003892931
    (式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり; R4 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシル基又はハロゲン原子であり;R6は水素原子、メチル基であり;k は2〜100の整数であり; l及びm は0〜1000の整数であり;lとmは同時に0ではなく;(k+l+m)=10〜1000の範囲である。)
    で示される化合物の構造単位を有するポリマー。
  6. 請求項4又は5記載のポリマーに、遷移金属化合物を作用させることにより得られる遷移金属錯体。
  7. 下記一般式(VI)
    Figure 0003892931
    (式中、R1, R2, R3, Ar, M, W, Y, p, q, k は前記と同義である。)
    で示される化合物の構造単位を有する請求項6記載の遷移金属錯体。
  8. 下記一般式(VI)、(IV)、(V)
    Figure 0003892931
    (式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり; R4 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシル基又はハロゲン原子であり;R6は水素原子、メチル基であり;k は2〜100の整数であり; l及びm は0〜1000の整数であり;lとmは同時に0ではなく;(k+l+m)=10〜1000の範囲である。)
    で示される化合物の構造単位を有する請求項6又は7記載の遷移金属錯体。
  9. 下記一般式(I)
    Figure 0003892931
    (式中、R1, R2, R3, Arは、前記と同義である。)
    で表わされる2'- ジアリールホスフィノ-1,1'-ビフェニレン-2- イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体を、溶液重合若くは懸濁重合させることを特徴とする下記一般式(III)
    Figure 0003892931
    (式中、R1, R2, R3, Arは、前記と同義であり;k は2〜100の整数である。)
    で示される2'- ジアリールホスフィノ-1,1'-ビフェニレン-2- イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体の構造単位を有するオリゴマーあるいはポリマーの製造方法。
  10. 下記一般式(I)
    Figure 0003892931
    (式中、R1, R2, R3, Ar, は前記と同義である。)
    で表わされる2'- ジアリールホスフィノ-1,1'-ビフェニレン-2- イルオキシ(6,6'- ジビニル-1,1'-ビナフタレン-2,2'-ジイルオキシ)ホスフィン誘導体、スチレン誘導体、ジビニルベンゼン誘導体とを、溶液重合若くは懸濁重合させることを特徴とする下記一般式(III)、(IV)、(V)
    Figure 0003892931
    (式中、R1, R2, R3, Arは前記と同義であり; R4 は水素原子、低級アルキル基、低級アルコキシル基又はハロゲン原子であり;R6は水素原子、メチル基であり;k は2〜100の整数であり; l及びm は0〜1000の整数であり;lとmは同時に0ではなく;(k+l+m)=10〜1000の範囲である。)
    で示される化合物の構造単位を有するポリマーの製造方法。
  11. 請求項6又は7記載の遷移金属錯体の存在下、下記一般式(A)
    Figure 0003892931
    (式中、R5は炭素数1乃至8のアルキル基、置換基を有していても良いフェニル基、ナフチル基、アセトキシ基などである。)
    で表わされるオレフィン化合物を不斉ヒドロホルミル化させることを特徴とする下記一般式(B)
    Figure 0003892931
    (式中、R5は前記と同義である。)で表わされる光学活性α−メチルアルデヒド化合物の製造方法。
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