JP3851310B2 - ワークを同時に両面で加工するためのキャリヤおよび方法 - Google Patents
ワークを同時に両面で加工するためのキャリヤおよび方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3851310B2 JP3851310B2 JP2003369324A JP2003369324A JP3851310B2 JP 3851310 B2 JP3851310 B2 JP 3851310B2 JP 2003369324 A JP2003369324 A JP 2003369324A JP 2003369324 A JP2003369324 A JP 2003369324A JP 3851310 B2 JP3851310 B2 JP 3851310B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- carrier
- polishing
- workpiece
- thickness
- notch
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 36
- 238000003754 machining Methods 0.000 title claims description 6
- 238000005498 polishing Methods 0.000 claims description 91
- 239000004033 plastic Substances 0.000 claims description 28
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 claims description 28
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 27
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 claims description 21
- 239000010959 steel Substances 0.000 claims description 21
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims description 13
- 238000000227 grinding Methods 0.000 claims description 12
- 238000003698 laser cutting Methods 0.000 claims description 9
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 8
- 239000000084 colloidal system Substances 0.000 claims description 6
- 210000004513 dentition Anatomy 0.000 claims description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 6
- 230000036346 tooth eruption Effects 0.000 claims description 6
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 claims description 5
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 4
- 238000009499 grossing Methods 0.000 claims description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 2
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 52
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 47
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 47
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 47
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 10
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 8
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 7
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 7
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 6
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 5
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 5
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- -1 for example Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000033001 locomotion Effects 0.000 description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 239000004744 fabric Substances 0.000 description 3
- 229920002981 polyvinylidene fluoride Polymers 0.000 description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 3
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004952 Polyamide Substances 0.000 description 2
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 2
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 2
- 239000004793 Polystyrene Substances 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 2
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 2
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 2
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 2
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000000835 fiber Substances 0.000 description 2
- 238000001746 injection moulding Methods 0.000 description 2
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000036961 partial effect Effects 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 229920002647 polyamide Polymers 0.000 description 2
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 2
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 2
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 2
- 229920002223 polystyrene Polymers 0.000 description 2
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 2
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 2
- 230000036316 preload Effects 0.000 description 2
- 238000003672 processing method Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 2
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 2
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 2
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 2
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000967 As alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001018 Cast iron Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000006978 adaptation Effects 0.000 description 1
- 239000007900 aqueous suspension Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 239000012876 carrier material Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000002860 competitive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000032798 delamination Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical group FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 230000002209 hydrophobic effect Effects 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003921 oil Substances 0.000 description 1
- 239000005304 optical glass Substances 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- 239000008188 pellet Substances 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 238000003908 quality control method Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002436 steel type Substances 0.000 description 1
- 238000009628 steelmaking Methods 0.000 description 1
- 239000004575 stone Substances 0.000 description 1
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 238000005496 tempering Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000011179 visual inspection Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
- B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
- B24B37/07—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool
- B24B37/08—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces characterised by the movement of the work or lapping tool for double side lapping
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B24—GRINDING; POLISHING
- B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
- B24B41/00—Component parts such as frames, beds, carriages, headstocks
- B24B41/06—Work supports, e.g. adjustable steadies
- B24B41/067—Work supports, e.g. adjustable steadies radially supporting workpieces
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
- Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)
Description
比較例および例は、300mmの直径を備えた多数のシリコンウェーハの同時両面ポリシングに関するものである。シリコンウェーハは、公知先行技術の方法によれば、単結晶のワイヤソーイング、エッジラウンディング、両面研削、酸混合液内でのエッチングおよびエッジポリシング(外周ポリシング)によって製作され、805μmの厚さを有していた。例における手段は、ケイ素または別の材料から成る、より大きなまたは小さなワークのポリシングにも、比較可能な材料除去法、たとえばラッピングにも問題なく使用することができる。したがって、例は決して本発明を限定する特徴を有していない。
720mmのピッチ円直径を備えた図1に示した5つのキャリヤが使用された。キャリヤ製作のための薄板は鋼種類1.4034から成っていて、慣用の方法により790μm±10μmの厚さに圧延され、1020℃での焼鈍し、窒素による急冷および480℃での焼戻しによって47μm±3HRCのロックウェル硬さに調整された。シリコンウェーハを収容するための開口と、研磨剤流を改善するための別の開口と、全周にわたって延びる歯列との切抜きは、市販の装置における5mm/秒の送りでのレーザ切断技術によって行われた。460℃での焼鈍しによる平坦化後、SiC粒子を含有したオイルベースの懸濁液の供給下でのラッピングによって772μm±2μmの所望の厚さの調整が続けられた。界面活性剤浴内での洗浄および乾燥後には、射出金型内での押出しによって、切欠きへのPVDFから成るプラスチックライニングの装着が続けられた。射出金型のチャンバ寸法は、図4aに示した、シリコンウェーハを収容するための開口に向かって方形の横断面を備えた、キャリヤボディと同じ厚さでの環状のライニングの製作を可能にした。
例1は、以下の違いを伴って比較例1と同様に行われた。キャリヤは、別の切欠きの側面および歯列の側面へのプラスチックライニングの装着前に機械的にまず研削によって、次いで、ポリシングによって後作業された。ポータブル機器:ホンメル テスタ T500によって測定された、側面のDIN4777による4.8mmの測定区間における複数回の測定の平均粗さ値はRa=4.5μm±0.2μmの範囲にあった。さらに、2つのキャリヤセットが、それぞれ400回のサイクルでの大技術的なポリシングのために、プラスチックライニングを新しくして使用された。第1のセットは5回のポリシングサイクル以降にスクラッチなしのシリコンウェーハを提供し、第2のセットは3回のポリシングサイクル以降にスクラッチなしのシリコンウェーハを提供した。したがって、平均的なスクラッチ率は1.5%であった。
例2は、以下の違いを伴って比較例1と同様に行われた。シリコンウェーハを収容するための開口と、研磨剤流を改善するための別の開口と、全周にわたって延びる歯列との切抜きは、2mm/秒の送りでのレーザ切断技術によって行われた。ポータブル機器:ホンメル テスタ T500によって測定された、側面のDIN4777による4.8mmの測定区間における複数回の測定の平均粗さ値はRa=3.7μm±0.3μmの範囲にあった。さらに、2つのキャリヤセットが、それぞれ400回のサイクルでの大技術的なポリシングのために、プラスチックライニングを新しくして使用された。両セットは2回のポリシングサイクル以降にスクラッチなしのシリコンウェーハを提供した。したがって、平均的なスクラッチ率は1.0%であった。
工業において慣用のコスト計算法に従って、比較例(V)および例1(B1)および例2(B2)により実施された同時両面ポリシングに対するコストが算定された。この場合、特にキャリヤ(LS)のためのコストならびに引っ掻かれたシリコンウェーハの二次ポリシング(NP)のためのコストもしくは二次ポリシングの成果の不足時の全損が考慮された。以下の表は、コスト計算のために重要となる記載のほかに、こうして算定された、ポリシングステップのための相対的なコストを含んでいる。
Claims (13)
- 研磨材またはコロイドを含有した液体を供給して、1つまたはそれ以上のワークを同時に両面で材料除去加工するための鋼製の平らなキャリヤであって、当該キャリヤが、機械的に平滑化された表面および裏面ならびに側面を備えたキャリヤボディから成っており、該キャリヤボディが、プラスチックでライニングされた、ワークを収容するための1つまたはそれ以上の切欠きと、1つまたはそれ以上の別の切欠きとを備えている形式のものにおいて、別の切欠きの側面が、4.8mmの測定区間において10μm以下の平均粗さ値を有していることを特徴とする、キャリヤ。
- 当該キャリヤが、内側のかつ外側のピン付きリングまたはリングギヤによる駆動のために、全周にわたって延びる歯列を付加的に有している、請求項1記載のキャリヤ。
- 厚さに対する直径の比率が、1:100〜1:10000である、請求項1または2記載のキャリヤ。
- キャリヤボディの側面の形状が、レーザ切断によって形成されるようになっており、キャリヤボディの表面と裏面とが、ラッピング、研削および/またはポリシングによって平滑化されるようになっている、請求項1から3までのいずれか1項記載のキャリヤ。
- 別の切欠きの側面が、レーザ切断直後すでに、4.8mmの測定区間において10μm以下の平均粗さ値を有している、請求項4記載のキャリヤ。
- 別の切欠きの側面が、レーザ切断に続いて、研削および/またはポリシングによる機械的な平滑化によって、4.8mmの測定区間において10μm以下の平均粗さ値を有している、請求項4記載のキャリヤ。
- 別の切欠きの側面と、全周にわたって延びる歯列とが、4.8mmの測定区間において8μm以下の平均粗さ値を有している、請求項1から6までのいずれか1項記載のキャリヤ。
- ワークを収容するための切欠きのプラスチックライニングが、鋼から成るキャリヤボディと同じ厚さを有している、請求項1から7までのいずれか1項記載のキャリヤ。
- キャリヤボディの厚さが、材料除去加工の終了後のワークの厚さよりも0〜20μmだけ低く寸法設定されている、請求項8記載のキャリヤ。
- ワークを収容するための切欠きのプラスチックライニングが、鋼から成るキャリヤボディよりも高い厚さを少なくとも部分的に有している、請求項1から7までのいずれか1項記載のキャリヤ。
- ワークを収容するための切欠きのプラスチックライニングの最も厚い箇所の厚さが、材料除去加工の終了後のワークの厚さよりも0〜20μmだけ低く寸法設定されている、請求項10記載のキャリヤ。
- 請求項1から10までのいずれか1項記載のキャリヤを使用して、1つまたはそれ以上のワークを同時に両面で材料除去加工するための方法。
- 前記加工が、ガラス、金属、合金および半導体を有するグループから選択された材料から成る1つまたはそれ以上のワークに対して使用される、ラッピングおよびポリシングを有するグループから選択された作業を有している、請求項11記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE2002150823 DE10250823B4 (de) | 2002-10-31 | 2002-10-31 | Läuferscheibe und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Bearbeitung von Werkstücken |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004148497A JP2004148497A (ja) | 2004-05-27 |
JP3851310B2 true JP3851310B2 (ja) | 2006-11-29 |
Family
ID=32115038
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003369324A Expired - Lifetime JP3851310B2 (ja) | 2002-10-31 | 2003-10-29 | ワークを同時に両面で加工するためのキャリヤおよび方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3851310B2 (ja) |
DE (1) | DE10250823B4 (ja) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170000515U (ko) * | 2017-01-26 | 2017-02-07 | (주)엔티에스엘 | 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 |
US10556317B2 (en) | 2016-03-03 | 2020-02-11 | P.R. Hoffman Machine Products Inc. | Polishing machine wafer holder |
Families Citing this family (17)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102005034119B3 (de) * | 2005-07-21 | 2006-12-07 | Siltronic Ag | Verfahren zum Bearbeiten einer Halbleiterscheibe, die in einer Aussparung einer Läuferscheibe geführt wird |
KR100722967B1 (ko) | 2005-12-20 | 2007-05-30 | 주식회사 실트론 | 양면 연마장치 |
JP4904960B2 (ja) * | 2006-07-18 | 2012-03-28 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
US8137157B2 (en) | 2006-11-21 | 2012-03-20 | 3M Innovative Properties Company | Lapping carrier and method |
DE102007049811B4 (de) | 2007-10-17 | 2016-07-28 | Peter Wolters Gmbh | Läuferscheibe, Verfahren zur Beschichtung einer Läuferscheibe sowie Verfahren zur gleichzeitigen beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben |
JP5600867B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2014-10-08 | 株式会社Sumco | 半導体ウェーハの製造方法 |
DE102010063179B4 (de) * | 2010-12-15 | 2012-10-04 | Siltronic Ag | Verfahren zur gleichzeitigen Material abtragenden Bearbeitung beider Seiten mindestens dreier Halbleiterscheiben |
DE102011003008B4 (de) | 2011-01-21 | 2018-07-12 | Siltronic Ag | Führungskäfig und Verfahren zur gleichzeitig beidseitigen Material abtragenden Bearbeitung von Halbleiterscheiben |
JP5648623B2 (ja) * | 2011-12-01 | 2015-01-07 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 |
DE102013200756A1 (de) * | 2013-01-18 | 2014-08-07 | Siltronic Ag | Läuferscheibe für die beidseitige Politur von Scheiben aus Halbleitermaterial |
JP5847789B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2016-01-27 | 信越半導体株式会社 | 両面研磨装置用キャリアの製造方法およびウエーハの両面研磨方法 |
JP2014188668A (ja) * | 2013-03-28 | 2014-10-06 | Hoya Corp | ガラス基板の製造方法 |
CN103692339B (zh) * | 2013-12-13 | 2016-04-13 | 一汽解放柳州特种汽车有限公司 | 一种自卸汽车手操纵气阀平面配磨机 |
JP6665827B2 (ja) * | 2017-04-20 | 2020-03-13 | 信越半導体株式会社 | ウェーハの両面研磨方法 |
JP7070010B2 (ja) * | 2018-04-16 | 2022-05-18 | 株式会社Sumco | キャリアの製造方法および半導体ウェーハの研磨方法 |
JP2021062446A (ja) * | 2019-10-15 | 2021-04-22 | 日邦メタルテック株式会社 | 研磨装置用ワークキャリア、及び研磨装置用ワークキャリアの製造方法 |
CN115847281A (zh) * | 2022-12-07 | 2023-03-28 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种硅片的双面抛光用的载具以及装置 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS60197366A (ja) * | 1984-03-21 | 1985-10-05 | Hitachi Ltd | 両面研磨機用のキヤリア |
DE3524978A1 (de) * | 1985-07-12 | 1987-01-22 | Wacker Chemitronic | Verfahren zum beidseitigen abtragenden bearbeiten von scheibenfoermigen werkstuecken, insbesondere halbleiterscheiben |
DE3730795A1 (de) * | 1987-09-14 | 1989-03-23 | Wolters Peter Fa | Hon-, laepp- oder poliermaschine |
JPH11254308A (ja) * | 1998-03-06 | 1999-09-21 | Fujikoshi Mach Corp | 両面研磨装置 |
JPH11347924A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-21 | Memc Kk | シリコンウェーハラッピング用キャリア |
DE19905737C2 (de) * | 1999-02-11 | 2000-12-14 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit verbesserter Ebenheit |
JP2001030161A (ja) * | 1999-07-16 | 2001-02-06 | Toshiro Doi | 研磨加工装置のキャリア |
DE10007389B4 (de) * | 1999-10-29 | 2005-06-30 | Peter Wolters Werkzeugmaschinen Gmbh | Vorrichtung zur Entnahme von Halbleiterscheiben aus Läuferscheiben in einer doppelseitigen Poliermaschine |
DE10023002B4 (de) * | 2000-05-11 | 2006-10-26 | Siltronic Ag | Satz von Läuferscheiben sowie dessen Verwendung |
JP3439726B2 (ja) * | 2000-07-10 | 2003-08-25 | 住友ベークライト株式会社 | 被研磨物保持材及びその製造方法 |
US6454635B1 (en) * | 2000-08-08 | 2002-09-24 | Memc Electronic Materials, Inc. | Method and apparatus for a wafer carrier having an insert |
DE10060697B4 (de) * | 2000-12-07 | 2005-10-06 | Siltronic Ag | Doppelseiten-Polierverfahren mit reduzierter Kratzerrate und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
DE10162597C1 (de) * | 2001-12-19 | 2003-03-20 | Wacker Siltronic Halbleitermat | Verfahren zur Herstellung beidseitig polierter Halbleiterscheiben |
-
2002
- 2002-10-31 DE DE2002150823 patent/DE10250823B4/de not_active Expired - Lifetime
-
2003
- 2003-10-29 JP JP2003369324A patent/JP3851310B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10556317B2 (en) | 2016-03-03 | 2020-02-11 | P.R. Hoffman Machine Products Inc. | Polishing machine wafer holder |
US11759910B1 (en) | 2016-03-03 | 2023-09-19 | P. R. Hoffman Machine Products, Inc. | Method of manufacturing wafer holder |
KR20170000515U (ko) * | 2017-01-26 | 2017-02-07 | (주)엔티에스엘 | 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 |
KR200484471Y1 (ko) | 2017-01-26 | 2017-09-08 | (주)엔티에스엘 | 반도체 웨이퍼의 연마 공정에 사용되는 캐리어 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2004148497A (ja) | 2004-05-27 |
DE10250823B4 (de) | 2005-02-03 |
DE10250823A1 (de) | 2004-05-19 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3851310B2 (ja) | ワークを同時に両面で加工するためのキャリヤおよび方法 | |
TW495417B (en) | Process for the double-side polishing of semiconductor wafers and carrier for carrying out the process | |
TWI411494B (zh) | 載具、載具之塗覆方法、及對半導體晶圓進行同時雙面材料移除之加工方法 | |
JP3999587B2 (ja) | 半導体ウェーハを同時に両面で材料除去加工するための方法 | |
KR101355760B1 (ko) | 양면 처리 장치의 2개의 가공 디스크 각각에 각각의 평탄한 가공층을 제공하는 방법 | |
KR101494912B1 (ko) | 래핑 캐리어 및 방법 | |
JP4516509B2 (ja) | 車両ホイールの製造方法 | |
JP5843155B2 (ja) | 研磨ブラシ | |
JP5538253B2 (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
US8721390B2 (en) | Method for the double-side polishing of a semiconductor wafer | |
JP5428793B2 (ja) | ガラス基板研磨方法および磁気記録媒体用ガラス基板の製造方法 | |
CN111630213B (zh) | 单晶4H-SiC生长用籽晶及其加工方法 | |
JP2013502733A (ja) | 半導体ウェハを製造するための方法 | |
JP2009285768A (ja) | 半導体ウェーハの研削方法および研削装置 | |
JP6252098B2 (ja) | 角形金型用基板 | |
JP2009081186A (ja) | 半導体ウェハの製造方法 | |
JP2001196334A (ja) | 多数の半導体ウェーハの製造法 | |
JP2014083611A (ja) | 砥石およびそれを用いた研削・研磨装置 | |
TWI434338B (zh) | 晶圓的研磨方法 | |
JP5286381B2 (ja) | 半導体ウエハの研磨方法 | |
JP2011143477A (ja) | 両面研磨装置用キャリア及びこれを用いた両面研磨装置並びに両面研磨方法 | |
JP4698178B2 (ja) | 被研磨物保持用キャリア | |
JP2001334457A (ja) | ラッププレート及びそれを用いた加工装置 | |
JP5218892B2 (ja) | 消耗材の評価方法 | |
JP4554799B2 (ja) | フッ素樹脂をベースとした研磨工具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20060227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060301 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060524 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20060711 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20060802 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060831 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3851310 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100908 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110908 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120908 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130908 Year of fee payment: 7 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
EXPY | Cancellation because of completion of term |