JP3850218B2 - 半導体発光素子およびその製法 - Google Patents
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Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明はIII 族元素とチッ素との化合物(III 族チッ化物、チッ化ガリウム系化合物半導体)を用い、高い記憶密度を有する光ディスクメモリや、レーザビームプリンタの高精細化に必要な青色領域で発光可能な半導体レーザや発光ダイオードなどの半導体発光素子に関する。さらに詳しくは、基板に導電性の基板を用いながら発光特性の優れた半導体層を積層し、電極をチップの上下両面から取り出せると共に劈開をすることができる半導体発光素子およびそのチップを放熱よくマウントする半導体レーザに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の青色系の半導体レーザは、たとえばジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Jpn.J.Apply.Phys. )35巻(1996年)、74〜76頁に示される構造により、青色領域でCW発振することが報告されている。この構造は、図19に示されるように、サファイア基板71上に六方晶系のIII 族チッ化物化合物半導体が有機金属気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition 以下、MOCVDという)により順次積層されるもので、GaN緩衝層72、n形GaN層73、In0.1 Ga0.9 Nからなるn形応力緩和層74、Al0.12Ga0.88Nからなるn形クラッド層75、GaNからなるn形光ガイド層76、InGaN系化合物半導体の多重量子井戸構造からなる活性層77、p形GaNからなるp形光ガイド層78、p形Al0.2 Ga0.8 Nからなるp形第1クラッド層79、Al0.12Ga0.88Nからなるp形第2クラッド層80、p形GaNからなるコンタクト層81が順次積層され、積層された半導体層の一部が図19に示されるようにドライエッチングなどによりエッチングされてn形GaN層73を露出させ、その表面にn側電極83、前述のコンタクト層81上にp側電極82がそれぞれ形成されることにより構成されている。
【0003】
また、特公平8−8217号公報には、サファイア基板上に緩衝層としてGaa Al1-a N(0<a≦1)を設け、その上にチッ化ガリウム系化合物半導体を積層する方法が開示されている。
【0004】
しかし、いずれの構造でも、サファイア基板上に半導体層が積層されるため、n側電極は積層した半導体層の一部をエッチングして露出したn形層に設けなければならない。しかも、サファイア基板は非常に硬いため、劈開をすることが困難であり、再度ドライエッチングによりIII 族チッ化物化合物半導体の積層体をエッチングして光共振器を構成する端面を形成している。
【0005】
従来の青色系の半導体発光素子では、基板としてサファイア基板が用いられているため、積層体の上面と下面に電極が形成される垂直型の素子(上面と下面に電極が形成された構造を意味する、以下同じ)を構成できない。そのため、製造工程が複雑であり、チップのボンディングも複雑になると共に、劈開をすることができず原子レベルで平坦な端面を形成できないという問題がある。
【0006】
一方、特許第2677221号公報には、ヒ化ガリウム基板上にIII 族チッ化物化合物半導体を積層する方法が開示されている。この方法はハイドライド気相成長法を用いて350〜530℃程度の低温でGaNなどの緩衝層を設け、ついで半導体積層部を成長する方法である。しかし、この方法はGaAs基板上に直接GaNなどのチッ化ガリウム系化合物半導体を積層する構造になるため、GaAsの格子定数5.6537Åに対して、立方晶のGaNの格子定数が約4.5Åと大きく異なる。そのため、高不整合ヘテロエピタキシーとなり、積層欠陥が発生しやすく、転移密度をレーザ発光に必要な程度にまで下げることが困難で、結晶性の点においてはサファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層するより難しい。
【0007】
また、炭化ケイ素基板上にAlNまたはGaAlN系の半導体層を緩衝層として、チッ化ガリウム系化合物半導体を積層する構造のものも知られている。しかし、この構造も前述のサファイア基板上に積層するのと同様に六方晶系のチッ化ガリウム系化合物半導体を高温で積層することが試みられており、六方晶系用の炭化ケイ素基板が用いられている。そのため、基板としてサファイア基板より遥かに高価な基板を使用しなければならず、基板がサファイア基板のほぼ20倍と非常に高く、商業ベースに乗らない。
【0008】
従来の青色の半導体レーザは、前述のように、サファイア基板上にIII 族チッ化物化合物半導体層が積層されているが、サファイアは熱伝導率が0.46W/(cm・K)とSi(熱伝導率1.7W/(cm・K))などに比べて非常に小さい。青色の半導体レーザでは、とくに波長が短いと共に、III 族チッ化物化合物半導体層の結晶性が悪く発熱が大きいため、前述のように、その放熱効率が半導体レーザの特性や信頼性を左右する。そのため、たとえば特開平7−235729号公報に示され、図20にも示されるように、チップを裏向きにして活性層に近い上部のp側電極82が直接サブマウント90に接触するように、ハンダなどの接着剤92を介してダイボンディングされている。この場合、n側電極83は前述のように、凹んだ部分に設けられており、p側電極82とn側電極83との間に段差があり、その厚さ分のハンダ剤91を介在させてダイボンディングをするか、図21に示されるように、サブマウント90の表面に段差を設けておいて、その段差にLDチップ70の段差が一致するように配置してボンディングをしなければならない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、従来のIII 族チッ化物化合物半導体を用いた青色系のLDチップでは、サファイア基板上にIII 族チッ化物化合物半導体が積層されて構成されている関係上、放熱効率を高くするようにマウントするためには、凹んだn側電極83側に厚いハンダ剤91を介在させてボンディングをするか、サブマウント90にLDチップ70の段差と合せた段差を設けてマウントしなければならない。しかし、ハンダ剤91を厚くすると、ハンダ剤91が溶融したときに積層された半導体層(エッチングにより露出する側壁)にハンダが流れ出し、積層されたn形層とp形層とをショートさせたり、リーク電流が多くなる危険性が非常に高い。また、サブマウントに段差を設ける方法の場合、この段差は数μm程度であり、バラツキもあるため、LDチップの段差に一致させた段差を有するサブマウントを大量に供給して歩留りよく半導体レーザを量産するのは難しいという問題がある。さらに、LDチップは1mm四方より小さいものであるため、同一面側に設けられるp側とn側の両電極の間隔も非常に小さく、電極間同士のショートも起りやすいという問題がある。
【0010】
本発明の目的は、チップの上下両面から電極を取り出すことができる垂直型で、かつ、半導体層の結晶性が優れて発光効率が高いと共に、III 族チッ化物化合物半導体を用いた半導体発光素子を安価に提供することにある。
【0011】
本発明の他の目的は、光出射面を劈開により形成することができて平坦性に優れた端面を得ることができる半導体レーザを提供することにある。
【0012】
本発明のさらに他の目的は、III 族チッ化物化合物半導体を用いながら両電極を上下両面から取り出すことができる垂直型のチップとし、高い信頼性でサブマウントにボンディングされ得ると共に、効率よくサブマウントに放熱し得る構造の半導体レーザを提供することにある。
【0013】
本発明のさらに他の目的は、サブマウントからさらに効率よく放熱をすることができると共に、チップの両電極を、サブマウントを介してステムなどの装置側に簡単に電気的に接続することができる構造の半導体レーザを提供することにある。
【0014】
本発明のさらに他の目的は、熱伝導のよい絶縁性のサブマウントを使用しながら、メタルロッドを埋め込むことなく、LDチップの各電極をステムなどのヒートシンクに簡単に接続し得る構造の半導体レーザを提供することにある。
【0015】
本発明のさらに他の目的は、III 族チッ化物化合物半導体を用いた半導体発光素子の閾値電流を下げ、量子微分効率を向上させることができ、低い動作電圧で高い出力が得られると共に、青色よりもさらに波長の長い発光をさせ得るLDなどの半導体発光素子およびその製法を提供することにある。
【0016】
本発明のさらに他の目的は、レーザの閾値電流を下げ、出力特性を向上させるため、適切な電流狭窄層をGaN系化合物半導体層内に作り込むことができる半導体レーザを提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明において、III 族元素とチッ素との化合物半導体とは、III 族元素のGaとV族元素のNとの化合物またはIII 族元素のGaの一部または全部がAl、Inなどの他のIII 族元素と置換したものおよび/またはV族元素のNの一部がP、Asなどの他のV族元素と置換した化合物からなる半導体を意味する。III 族チッ化物化合物半導体またはチッ化ガリウム系化合物半導体ともいう。
【0018】
請求項1記載の発明による半導体レーザの製法は、(a)劈開性のない第1の基板上に発光層形成部を構成する化合物半導体を積層して半導体積層部を形成し、(b)該半導体積層部の表面に不活性ガスによるプラズマを照射して表面のダングリングボンドを露出させ、(c)該ダングリングボンドが露出した半導体積層部の表面に劈開性のある第2の基板を該第2の基板の劈開面と前記半導体積層部の劈開面とが一致するように貼着し、(d)前記第1の基板を除去し、(e)ついで前記第2の基板を劈開することによりチップ化することを特徴とする。
【0019】
また、別の方法として、積層した半導体積層部の表面に第2の基板を貼着しないで、劈開をすることができない第1の基板を除去し、その露出面に不活性ガスによるプラズマを照射してダングリングボンドを露出させ、その面に第2の基板を貼着する方法でもよい。
【0020】
これらの方法を用いることにより、半導体積層部の表面にダングリングボンドが露出しているため、殆ど温度を上昇させることなく、小さな圧力で圧接するだけで接着し、半導体積層部にストレスが加わらない。そのため結晶性の良好な半導体積層部が得られ、高効率の半導体発光素子が得られる。しかも、劈開面を合せて貼着しているため、容易に劈開をすることができる。
【0021】
前記第1の基板を除去した半導体積層部の一部を劈開することにより前記半導体積層部の劈開面を形成し、前記貼着する第2の基板の一部を劈開することにより前記第2の基板の劈開面を形成し、前記半導体積層部の劈開面と前記第2の基板の劈開面とを揃えることにより、前記半導体積層部と第2の基板の劈開面を一致させれば、両者の劈開面を正確に合せることができる。
【0022】
前記半導体積層部が六方晶系で、その(11−20)面を前記劈開面とし、前記第2の基板が立方晶系でその(011)面を前記劈開面として該劈開面を一致させて貼着することにより、劈開性のよい第2の基板に半導体積層部の劈開面を正確に一致させることができる。
【0023】
請求項5記載の発明による半導体レーザは、III 族チッ化物化合物半導体からなり、少なくとも活性層と、該活性層を挟持する第1導電形クラッド層および第2導電形クラッド層とを有する半導体積層部が基板上に設けられる半導体レーザであって、前記半導体積層部内に、SiまたはAlの酸化物および/またはチッ化物からなる絶縁体からなりストライプ状の開口部を有する電流狭窄層が設けられている。
【0024】
この構造にすることにより、活性層の近くに電流狭窄部が設けられるため、有効に発光領域に電流を注入することができ、閾値の低減、量子効率の増大を同時に実現することができ、高出力化、高信頼性化を達成することができる。
【0025】
前記電流狭窄層のストライプ状開口部から前記電流狭窄層上にラテラル成長によりIII 族チッ化物化合物半導体層が設けられることにより、半導体積層部内に絶縁体からなる電流狭窄層を作り込むことができる。
【0026】
前記第2導電形クラッド層が前記活性層の上層側に設けられ、該第2導電形クラッド層中またはその上にGaNまたはAl組成の小さいAls Ga1- s N(0<s≦0.1)からなるエッチングストップ層を介して前記電流狭窄層が設けられることにより、エッチング時にエッチング液に侵されやすいクラッド層中に含まれるAlが露出せず、再成長界面にダメージを与えないで、この上にIII 族チッ化物化合物半導体を成長することができるため好ましい。
【0027】
前記電流狭窄層がSiまたはAlの酸化物および/またはチッ化物により形成されることにより、半導体層に影響を及ぼすことなく簡単にエッチングをすることができ、ストライプ状の開口部を有する電流狭窄層を作り込むことができる。
【0028】
前記第1導電形および第2導電形のクラッド層と活性層との間にそれぞれ光ガイド層が設けられて導波路を形成することもできる。
【0029】
請求項9記載の半導体レーザの製法は、(a)基板上に緩衝層を堆積し、(b)該緩衝層上にIII 族チッ化物化合物半導体からなる第1導電形クラッド層、活性層および第2導電形クラッド層を含む発光層形成部を積層し、(c)前記発光層形成部上にSiまたはAlの酸化物および/またはチッ化物からなる絶縁膜を成膜し、(d)該絶縁体膜をストライプ状にエッチングすることによりストライプ状の開口部を有する絶縁体からなる電流狭窄層を形成し、(e)該電流狭窄層のストライプ状の開口部に露出する半導体層をシードとして前記電流狭窄層上に第2導電形のIII 族チッ化物化合物半導体をラテラル成長させる、ことを特徴とする。
【0030】
前記絶縁体膜を形成する前にIII 族チッ化物化合物半導体からなるエッチングストップ層を成長し、前記絶縁体膜を酸性溶液によりエッチングすることにより、半導体層に影響を与えることなくストライプ状の開口部を形成することができる。
【0031】
請求項11記載の発明による半導体発光素子は、III 族チッ化物化合物半導体からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップが大きいIII 族チッ化物化合物半導体からなり前記活性層を両面から挟持するn形およびp形のクラッド層とを有する半導体発光素子であって、前記活性層がTl v Ga 1-v N(0<v<1)で表される化合物半導体層からなっている。
【0032】
この構造にすることにより、Tlによる混晶が結晶性よく得られ、低い閾値で緑色程度の長い波長の光でも充分に直接遷移型半導体で発光させることができ、緑色の半導体レーザも得られる。
【0033】
また、前記活性層が量子井戸構造を有し、該量子井戸構造のウェル層が一般式Tlv Ga1-v N(0<v<1)で表される材料で構成されることにより、高い発光効率で発光させることができ、高出力の半導体レーザを得ることもできる。
【0034】
請求項13記載の発明による半導体発光素子の製法は、基板上にMOCVD法により緩衝層を成膜し、III 族チッ化物化合物半導体からなるn形層、活性層、およびp形層を含む半導体積層部を成長し、前記n形層およびp形層にそれぞれ電気的に接続するようにn側電極およびp側電極を形成する半導体発光素子の製法であって、前記活性層の成長時に3価のタリウム化合物をTl元素の反応ガスとして導入し、前記活性層の少なくとも一部にTl v Ga 1-v N(0<v<1)で表される層を成長することを特徴とする。
【0035】
【発明の実施の形態】
本発明の第1の実施形態による半導体発光素子は、図1にその一例である半導体レーザチップの斜視説明図が示されるように、ヒ化ガリウム化合物(GaAs)からなる基板1の表面に、少なくともヒ素、チッ素およびガリウムを含む緩衝層2が設けられている。そして、緩衝層2上にIII 族元素とチッ素との化合物半導体からなるn形層4、14およびp形層6、16を少なくとも有し、発光層を形成すべく積層される発光層形成部11が設けられている。
【0036】
GaAs基板1は、たとえばSiがドープされたn形のものが用いられる。緩衝層2は、たとえばn形GaNx As1-x (0<x<1)からなり、0.01〜0.1μm程度、さらに好ましくは0.03〜0.06μm程度、たとえば0.05μm程度の厚さに設けられる。この範囲外では、表面モホロジが悪くなるからである。
【0037】
この緩衝層2は、たとえばGaNx As1-x (0<x<1)のxが一定の層で成長させることもできるが、GaNx As1-x のxを0から1まで変化させて、図2(a)にGaAs基板1から半導体積層部8までの組成変化の一例が示されるように、GaAs基板1側ではGaAsまたはそれに近い組成で成長を始め、ついで順次半導体積層部8の最下層の組成またはGaNになるように、Asの原料ガスを減らしながら、Nの原料ガスを増加させることにより変化させることができる。このような組成を変化させるには、原料ガスのヂメチルヒドラジン(DDMHy)やアルシン(AsH3 )の供給量を制御するマスフローコントローラ(MFC)を逐次変化させることにより、図2(a)に示されるように連続的に組成が変化する緩衝層2を形成することができる。この緩衝層2の組成の変化は、図2(a)に示されるように連続的でなくても、図2(b)に示されるように段階的に変化させる構造でもよい。たとえば10段階程度に変化させる場合でも、全体で10nm程度であるため、1層は1nm程度となり、成長時間にして2秒程度の変化となり、殆ど連続的変化と異ならない。また、数nm程度の厚さの積層構造であれば、相互間の格子定数が異なっていても、歪みが積算されなく、格子不整合の問題は生じない。一方、前述のように、緩衝層2が組成を変化させない一定の層でも、GaAs基板と半導体積層部のIII 族元素チッ化物との中間の組成であるため、格子定数も中間的な値となり、両者間の格子不整合を緩和する働きをする。
【0038】
さらに、緩衝層2の組成としては、GaNx As1-x に限定されず、AlやInなどの他のIII 族元素やPなどの他のV族元素を含むものを使用することができる。しかし、基板がGaAsであり、緩衝層上に積層される半導体積層部8がGaN系の化合物半導体であるため、Ga、AsおよびNを含む層であることが好ましい。
【0039】
発光層形成部11は、図1に示される例では、n形Aly Ga1-y N(0.05≦y≦0.4、たとえばy=0.12)からなるクラッド層4が4μm程度、n形GaNからなる光ガイド層14が0.1μm程度、In0.02Ga0.98Nからなるバリア層とIn0.15Ga0.85Nからなるウェル層がそれぞれ3〜4層づつ全体で10〜20nm積層された多重量子井戸構造の活性層5、p形GaNからなる光ガイド層16が0.1μm程度、p形Aly Ga1-y N(0.05≦y≦0.4、たとえばy=0.12)からなるクラッド層6が0.8μm程度の厚さでそれぞれ積層されることにより形成されている。また、この発光層形成部11の各半導体層は、立方晶になるように成長することが、GaAs基板が立方晶であるため、結晶性に優れると共に、劈開性がよくなり好ましい。
【0040】
発光層形成部11の構造や各層の材料もこの例に限定されるものではなく、活性層5も量子井戸構造でないバルクのダブルヘテロ接合構造のものでもよく、活性層5がクラッド層4、6よりバンドギャップエネルギーの小さい材料で構成されればよい。図1に示される例のように半導体レーザの場合は、活性層5の屈折率がクラッド層4、6より大きい材料により形成される。そうすることにより、活性層5に光を閉じ込めることができるが、活性層5が薄く充分に光を閉じ込めることができないときは、図1に示される例のように、クラッド層4、6と活性層5との間の屈折率を有する光ガイド層14、16が設けられる。しかし、活性層5で充分に光を閉じ込められれば光ガイド層14、16を設ける必要はない。また、活性層5やクラッド層4、6の材料例も一例で、発光させる波長などにより変えられることはいうまでもない。
【0041】
発光層形成部11上には、p形GaNからなるコンタクト層7が設けられている。これは、電極10とのオーミックコンタクトを得やすくするためのものである。このコンタクト層7上に10μm程度の幅でストライプ状にp側電極10がNi/Alの積層構造により設けられ、GaAs基板1の裏面全面にNi/Auの積層構造からなるn側電極9が形成され、縦(A)×横(B)が、たとえば700μm×500μmの大きさにチップ化することにより、図1に示される構造の半導体レーザチップが形成される。このウェハからチップ化の際に、p側電極10のストライプ方向と垂直方向には、たとえばダイヤモンド針などを用いて700μm間隔で傷をつけ、衝撃を加えることにより劈開し、ストライプ状のp側電極10と平行方向にはダイサーによりダイシングする。その結果、図1の正面に示される光の出射面を平坦な鏡面にすることができる。
【0042】
つぎに、この半導体レーザの製法について説明をする。たとえばMOCVDなどのエピタキシャル成長装置を用いて、基板温度を600℃程度にしてIII 族元素の原料ガスとしてのトリエチルガリウム(TEG)、V族元素の原料ガスとしてのアルシン(AsH3 )、ヂメチルヒドラジン(DDMHy)、n形ドーパントとしてのシラン(SiH4 )を導入して緩衝層2を成長させる。この際緩衝層2の成長を前述のように順次組成を変化させながら行う場合は、AsH3 の流量を順次減らすと共に、DDMHyの流量を順次増やしながら成長を続ける。この成長をすることにより、立方晶のGaAs基板1上に立方晶の緩衝層2が成長する。
【0043】
つぎに、基板温度を750℃程度にし、原料ガスのTEG、DDMHy、およびAlの原料ガスであるトリメチルアルミニウム(TMA)をドーパントガスのSiH4 と共に導入して、n形のAl0.12Ga0.88Nからなるn形クラッド層4を4μm程度成長する。ついで、TMAを止めてn形のGaNからなるn形光ガイド層14を0.1μm程度成長する。さらに、原料ガスのTMAおよびドーパントガスを止めて、トリメチルインジウム(TMI)を、その流量を順次変化させながら導入し、In0.02Ga0.98Nからなるバリア層とIn0.15Ga0.85Nからなるウェル層がそれぞれ3〜4層づつ全体で10〜20nm積層し、多重量子井戸構造の活性層5を成長する。ついで、原料ガスをn形の場合と同様にし、p形ドーパントとしてシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2 Mg)またはジメチル亜鉛(DMZn)を導入し、p形の光ガイド層16およびp形クラッド層6を順次成長し、発光層形成部11を形成する。さらに引き続き同様にp形GaNからなるコンタクト層7を0.8μm程度成長する。この発光層形成部11やコンタクト層7を700〜800℃程度で成長することにより、立方晶で各半導体層を積層することができ、GaAs基板1の立方晶と整合して、結晶性の優れた半導体層が積層される。すなわち、1000℃程度以上になると六方晶の結晶になりやすく、基板1と整合した半導体結晶が得られにくいが、立方晶で成長させることにより、基板1とよく整合され、後述する劈開もスムーズに行うことができる。
【0044】
その後、半導体層が積層された基板1をMOCVD装置から取り出し、チッ素雰囲気中で700℃程度、20分間程度のアニール処理を行って、最上層のコンタクト層7などのp形層の低抵抗化を行う。その後、GaAs基板1の裏面を研削、ポリッシュなどにより研磨し、80μm程度に薄くし、基板1の裏面全面に真空蒸着などによりNiおよびAuをそれぞれ0.1〜1.5μm程度づつ成膜してn側電極9を形成する。さらに、積層された半導体層の表面のコンタクト層7上にリフトオフ方によりNiおよびAlを同様に0.1〜1.5μm程度づつ成膜し、図1に示されるように10μm程度の幅の、ストライプ状のp側電極10を500μm間隔になるように形成する。そして、p側電極10のストライプ方向と垂直方向に700μm程度の間隔でダイヤモンド針により傷を入れ、衝撃を与えることにより劈開し、p側電極10と平行な方向にウェハをダイシングすることにより、図1に示されるようにチップ化する。
【0045】
第1の実施形態の半導体発光素子によれば、基板にGaAsを使用しながら、緩衝層として、GaAsからIII 族チッ化物化合物半導体につながるGa、As、Nを含む化合物半導体層を設けているため、基板と半導体積層部間の格子不整合を抑えることができ、結晶性の優れたIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができる。その結果、GaAs基板を用いた青色系(紫外から黄色など)の半導体発光素子を高い発光効率で得ることができる。
【0046】
さらに、GaAs基板を用いているため、チップの上下からp側電極およびn側電極をそれぞれ取り出すことができ、従来のようにたとえばn側電極を設けるために積層した半導体層の一部をエッチングなどにより除去する必要がなく、非常に製造工程が簡単になると共に、使用する側でも、ダイボンディングするだけで一方の電極を電気的にリードと接続することができ、ワイヤボンディングを減らすことができる。
【0047】
さらに、GaAs基板上に立方晶の半導体層を積層することにより、基板から半導体積層部が立方晶により整列するため、非常に優れた劈開をすることができ、とくにレーザ素子を作製する場合に平坦性の優れた端面を有する共振器が得られ、発振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0048】
この例では、p側電極をストライプ状にしただけの電極ストライプ構造の半導体レーザであったが、ストライプ状電極の両側の半導体層をp形クラッド層の上部までをメサ型形状にエッチングするメサストライプ構造や、プロトンなどを打ち込んだプロトン打込み型にすることもできる。さらに、電流制限層を埋め込む屈折率導波型構造にすることもできる。
【0049】
さらに前述の例では、半導体レーザの例であったが、発光ダイオード(LED)でも同様にチップの上下両面から電極を取り出す垂直型のLEDチップを得ることができ、取扱性が非常に向上すると共に、電極を接続するためのエッチングが不要となり、さらにウェハから各チップへの分割が非常に容易になり、製造工程が簡略化される。この場合、LEDでは、光導波路を形成する必要はなく、光ガイド層が不要であると共に、活性層はダブルヘテロ接合または単一量井戸の構造にすることが好ましい。また、LEDの場合、ダブルヘテロ接合構造でなくてもpn接合構造でもよい。さらに、上面から光を取り出す構造にする場合が多く、表面側の電極を小さくする必要があるため、電流を拡散しやすく光を透過させる透明型のp側電極を、たとえばITOなどにより形成することが好ましい。
【0050】
第1の実施形態によれば、上下両面に電極を設ける垂直型の青色系の半導体発光素子が得られるため、製造工程が簡単でコストダウンを行うことができると共に、使用段階でもワイヤボンディングを減らすことができ、使用しやすい半導体発光素子が安価に得られる。
【0051】
さらに、劈開することができるため、優れた端面を有するレーザ共振器が得られ、高い記憶密度を有する光ディスクメモリや、レーザビームプリンタの高精細化に利用できる短波長の高性能の半導体レーザが得られる。
【0052】
以上の第1の実施形態では、基板としてGaAs基板を用いたが、ゲルマニウム(格子定数5.6575Å)がGaAs(格子定数5.6537Å)と格子定数などの点から非常に近い結晶特性を有している。そのため、GaAs基板1に代えて、ゲルマニウム基板1を用い、図3に示されるように、同様の構造のLDチップを製造した結果、同様に結晶性のよいGaN系化合物半導体層が得られた。図3の構造は、ゲルマニウム(Ge)からなる基板1の表面に、少なくともヒ素、チッ素およびガリウムを含む緩衝層2が設けられている。そして、緩衝層2上にIII 族元素とチッ素との化合物半導体からなるn形層4、14およびp形層16、6を少なくとも有し、発光層を形成すべく積層される発光層形成部11が設けられている。
【0053】
Ge基板1は、たとえばリン(P)がドープされたn形のものが用いられる。緩衝層2は、前述の例と全く同じに構成することができ、他の半導体積層部などの構造も同様に形成できる。同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。しかし、Geを基板として用いる場合、緩衝層2の組成としては、GaNx As1-x に限定されず、AlやInなどの他のIII 族元素やPなどの他のV族元素を含むものを使用することができる。また、低温で成膜することにより、サファイア基板上に設けるのと同様にAlz Ga1-zN(0≦z≦1)をバッファ層としても、立方晶のIII 族チッ化物化合物半導体を成長させることができた。なお、基板がGeであり、緩衝層上に積層される発光層形成部11がGaN系の化合物半導体であるため、Geと格子定数などが近いGaAsのGa、AsおよびNを含む層であることが好ましい。
【0054】
第2の実施形態の半導体発光素子は、図4にその一例のLDの斜視図が示されるように、シリコン基板1上に炭化ケイ素層23が設けられ、その炭化ケイ素層23上にIII 族元素とチッ素との化合物半導体からなりn形層4、14およびp形層16、6を少なくとも有し、発光層を形成すべく積層される発光層形成部11が設けられている。
【0055】
前述のように、従来はチッ化ガリウム系化合物半導体の積層を六方晶系で積層していたが、本発明者らの検討の結果、立方晶系で成長させても結晶欠陥の少ない半導体層を積層すれば高輝度の発光ダイオードや高出力のレーザダイオードが得られることを見出し、Si基板上にSiと馴染みのよいSiC層を設け、その上にチッ化ガリウム系化合物半導体を立方晶系で成長させることにより、結晶欠陥の少ない半導体積層部を得ることができ、本発明がなされた。
【0056】
Si基板1は、通常のICに用いられる基板で、その表面に炭化処理によりSiC膜22が100Å程度設けられ、その上にSiC層23が2μm程度成膜されている。炭化処理によるSiC膜22は、Si基板1の結晶と合せてSiC層23を成長させやすくするためのもので、炭化処理によりSi基板1の結晶に沿ってSiC膜22が形成される。このSiC膜22の結晶をシードとしてSiC層23が成長することにより、SiC層23もSiの結晶に沿って立方晶系で成長する。炭化処理によるSiC膜22は、Siの結晶とSiCの結晶が整合するようにするために設けられるもので、前述の100Å程度あれば充分で、余り長時間の炭化処理を行っても内部まで炭化は進まない。また、SiC層23は、Si基板1との整合性を保持しながらGaN系化合物半導体層を積層するためのベースとする層で、GaN系化合物半導体を安定に成長させるのに十分な層にする必要があり、0.5〜5μm程度、さらに好ましくは1〜3μm程度の厚さに設けられる。
【0057】
SiC層23上に、たとえばAl0.1 Ga0.9 Nからなる緩衝層2が0.1μm程度の厚さ、600℃程度の低温で設けられる。これは、SiC層23と発光層形成部11との格子定数の差は少ないといっても、GaNに対して3.5%程度あり、それに基づく格子不整合を緩和するためのものである。この緩衝層2は、従来炭化ケイ素上にGaN系化合物半導体層を積層する場合に用いられるAlz Ga1-z N(0≦z≦1)またはこれらに他の元素が加えられたり、置換されたものなどを使用することができる。この緩衝層2は、0.01〜0.2μm程度設けられれば十分である。
【0058】
発光層形成部11、コンタクト層7などの構造は前述の例と同様で、その説明を省略する。この例では、p側電極10がNi/Alの積層構造により設けられ、GaAs基板1の裏面全面にNi/Auの積層構造からなるn側電極11が形成されている。また、この例でも、発光層形成部11の各半導体層は、立方晶になるように成長することがSi基板1およびSiC層23が立方晶であるため、結晶性に優れると共に、劈開性がよくなり好ましい。
【0059】
つぎに、この半導体レーザの製法について説明をする。まず、厚さが450μm程度のn形のSi基板1を反応炉内に設置して、アセチレン(C2 H2 )と水素の雰囲気中で、1020℃程度で60分程度保持することにより炭化処理を行い、100Å程度のSiC膜22を形成する。ひきつづき、同一炉内でシリコンの原料ガスとして、ジクロルシラン(SiH2 Cl2 )、炭素の原料ガスとして、アセチレンを導入し、熱CVD法によりSiC層23を2μm程度成長する。つぎに、たとえばMOCVDなどのエピタキシャル成長装置を用いて、基板温度を600℃程度にしてn形のAl0.1 Ga0.9 Nからなる緩衝層2を0.1μm程度成長する。このとき用いる材料は、たとえばIII 族元素の原料ガスとしてのトリエチルガリウム(TEG)、トリメチルアルミニウム(TMA)、V族元素の原料ガスとしてのアンモニア(NH3 )、n形ドーパントとしてのシラン(SiH4 )を導入する。その後、前述の例と同様に、発光層形成部11やコンタクト層7などの成長をし、電極を形成することにより製造される。
【0060】
第2の実施形態による半導体発光素子によれば、Si基板上にSiC膜が設けられており、その上に立方晶SiC層が設けられているため、少ない結晶欠陥で立方晶SiC層を成長することができる。さらにSiC層上にIII 族チッ化物化合物半導体積層部が設けられており、SiC層とGaN系化合物半導体層との格子定数の差は小さいため、格子不整合が生じにくく結晶性の優れたIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができる。その結果、Si基板と同じ立方晶系のIII 族チッ化物化合物半導体層が少ない結晶欠陥で積層され、Si基板を用いた青色系の半導体発光素子を高い発光効率で得ることができる。すなわち、従来のIII 族チッ化物化合物半導体層を六方晶系で積層するという発想を変えて、立方晶系でも結晶性がよければ高い発光効率が得られるという知見に基づき、立方晶系で積層することにしたため、基板としてSiを用い、その表面に整合性の取れたSiC層を設けることにより、立方晶系で基板と整合の取れたGaN系化合物半導体結晶層を得ることができた。
【0061】
さらに、Si基板を用いているため、前述の例と同様に、チップの上下からp側電極およびn側電極をそれぞれ取り出すことができ、非常に製造工程が簡単になると共に、使用する側でもワイヤボンディングを減らすことができる。
また、Si基板上に立方晶の半導体層を積層することにより、基板から半導体積層部が立方晶でエピタキシャル成長するため、非常に優れた劈開をすることができ、とくにレーザ素子を作製する場合に平坦性の優れた端面を有する共振器が得られ、発振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0062】
前述の例では、p側電極をストライプ状にしただけの電極ストライプ構造の半導体レーザであったが、他の構造でもよいことも前述の例と同様である。さらに、LEDにしても、前述と同様の構成にすることができ、同様のメリットがある。
【0063】
この例によっても、上下両面に電極を設ける垂直型の青色系の半導体発光素子が得られるため、製造工程が簡単でコストダウンを行うことができると共に、使用段階でもワイヤボンディングを減らすことができ、使用しやすい半導体発光素子が安価に得られる。さらに、劈開することができるため、優れた端面を有するレーザ共振器が得られ、高い記憶密度を有する光ディスクメモリや、レーザビームプリンタの高精細化に利用できる短波長の高性能の半導体レーザが得られる。
【0064】
図5〜6は、基板を導電性基板とすることにより垂直型発光素子を得る、第3の実施形態の説明図である。すなわち、この例は、半導体層を積層した後、新たな基板を貼り付けてサファイア基板を除去することにより、劈開をも可能とするものである。一方、たとえば特開平9−129984号公報には、サファイア基板上に積層した半導体積層部の表面側またはサファイア基板を薄くしてサファイア基板の裏面にInP基板を接合して劈開する技術が開示されている。この新たな基板を張り付ける方法としては、600〜700℃程度に加熱して圧着する方法が採られている。このように、劈開するための基板を高温で圧着すると、その圧着面に歪みが入り、圧着後の冷却時に圧着部から半導体積層部にクラックが入り、さらにその後の取扱時や動作時にクラックが発展し、結晶性が低下して発光特性が低下する。
【0065】
また、サファイア基板を完全に除去しないで新たな基板を接合すると、サファイア基板が半導体積層部と新たな基板によりサンドイッチされた構造となり、サファイア基板を挟んで劈開しなければならない。しかし、サファイアに劈開性がないため、10μm程度の非常に薄い半導体積層部をきれいに劈開することができず、サファイアの割れにつられて割れ、発光する端面をきれいな鏡面に形成することができない。
【0066】
この実施形態では、まず、図5(a)に示されるように、たとえばサファイア基板からなる劈開性のない第1の基板21上に発光層形成部11を構成する化合物半導体を積層して半導体積層部12を形成する。そして、図5(b)に示されるように、半導体積層部12の表面に不活性ガスによるプラズマを照射して表面のダングリングボンドを露出させる。その後、図5(c)に示されるように、ダングリングボンドが露出した半導体積層部12の表面に、同様に不活性ガスによるプラズマ照射をされた劈開性のある第2の基板1をその第2の基板1の劈開面と前記半導体積層部12の劈開面とを一致させて貼着する。ついで、図5(d)に示されるように、劈開性のない第1の基板を除去する。その後、図5(e)に示されるように、電極9、10を設けると共に、ストライプ状のp側電極10と垂直方向に第2の基板1を劈開することによりチップ化することを特徴とする。以下に詳細に説明をする。
【0067】
まず、サファイア基板21をMOCVD装置に入れ、H2 ガスのみを流す雰囲気中で、基板21の温度を1080℃程度で1分間のサーマルクリーニングを行う。つぎに、500℃程度でGaNからなる緩衝層2を0.5μm程度成膜する。このとき用いる反応ガスは、たとえばIII 族の材料としてトリエチルガリウム(TEG)、V族の材料としてアルシン(AsH3 )、ジメチルヒドラジン(DDMHy)、n形ドーパントとしてシラン(SiH4 )などを用いる。つぎに、基板温度を1050℃程度に昇温し、n形GaNからなるn形コンタクト層3を10μm程度と厚く成長させる。さらに反応ガスにトリエチルアルミニウム(TEA)を導入して、たとえばAl0.12Ga0.88Nからなるn形クラッド層4を4μm程度成長し、基板温度を800℃程度に下げる。そして、たとえばIn0.15Ga0.85Nからなるn形光ガイド層14を0.1μm程度、ノンドープのIn0.02Ga0.98N/In0.2 Ga0.8 Nがそれぞれ3〜4層づつ積層された多重量子井戸構造からなる活性層5が全体で10〜20nm程度、p形In0.15Ga0.85Nからなるp形光ガイド層16を0.1μm程度、p形Al0.12Ga0.88Nからなるp形クラッド層6を0.8μm程度、GaNからなるp形コンタクト層7を1μm程度それぞれ順次成長して、図5(a)に示されるように、半導体積層部12を形成する。なお、n形クラッド層4、n形光ガイド層14、活性層5、p形光ガイド層16、およびp形クラッド層6が発光層形成部11を構成する。
【0068】
つぎに、半導体積層部12が形成されたウェハを、プラズマ源を備えた真空装置に入れて、図5(b)に示されるように、Arプラズマを照射する。このプラズマ照射は、10-4Torr台の圧力下で5〜15分程度行う。その結果、半導体積層部12の表面の酸化物や汚れがとれ、清浄表面となり、ダングリングボンド(未結合手)が露出する。この際、第2の基板である劈開性のある、たとえばGaP基板1も、同様に同一装置内でプラズマを照射して清浄表面にする。
【0069】
つぎに、GaP基板1の劈開面と半導体積層部12の劈開面とを一致させて重ね合せ、圧力を少し加えることにより貼着する。この劈開面を合せるには、半導体積層部の劈開面は、後に形成するストライプ状電極9を劈開面と垂直になるように形成する必要があり、サファイア基板のオリフラなどを基準にして知られており、GaP基板1もオリフラの方向で劈開面が既知であるため、必要な角度だけ回転させることにより両者の劈開面を一致させることができる。この劈開面の一致度は、±2゜以内に合せることがきれいな劈開面を得るために必要である。この際、劈開面として、半導体積層部12は(11−20)面を、GaP基板1は、(011)面を用いるのが相方劈開面のため好ましい。
【0070】
つぎに、サファイア基板21を除去し、図5(d)に示されるように、GaP基板1上に半導体積層部12が設けられたウェハとする。このサファイア基板21の除去は、GaP基板1を保持し、研磨材を用いた研削処理によりほぼサファイア基板21がなくなるまで研削し、その後ケミカルポリッシュにより表面を鏡面処理する。なお、サファイア基板を除去する際に、緩衝層2およびコンタクト層3の一部まで除去される。
【0071】
その後、基板1の裏面全面にNi/Al層をたとえば蒸着によって形成し、半導体積層部12の表面には10μm幅のNi/Au層からなるストライプ状のn側電極9を、たとえば500μm間隔になるようにそれぞれ形成する。このウェハにストライプ状のn側電極9と垂直方向に、ダイヤモンド針などを用いて、たとえば700μm間隔で傷をつけ、傷に沿って劈開を行うことにより、図5(e)に示されるように、チップ化する。なお、ストライプ状の電極9と平行方向の分離は、ダイシングにより行われる。その結果、両電極9、10が上下両面に設けられた垂直型(表裏両面にそれぞれの電極が設けられる構造)で、劈開面を共振器端面とする半導体レーザが得られる。
【0072】
前述の例では、サファイア基板21上に形成した半導体積層部12の表面にGaP基板1を貼着してからサファイア基板1を除去したが、半導体積層部12を形成した後、その表面にフィルムなどを貼着して保持し、サファイア基板1を除去してからその除去により露出した面にGaP基板13を貼着することもできる。この製造工程が図6に示されている。
【0073】
まず、前述の図5(a)に示されるのと同様にサファイア基板21上にGaNからなる緩衝層2および各半導体層を積層して半導体積層部12を形成する。そして、その表面に紫外線(UV)硬化フィルムを貼着するなどして半導体積層部12を保持し、サファイア基板21を前述と同様に研削して除去する。このサファイア基板が完全に除去された後は、前述と同様にケミカルポリッシュにより鏡面処理をする。鏡面処理された面は硫酸系溶液によりライトエッチングをした後、純水洗浄をし、乾燥させる。
【0074】
そして、研磨された面に、図6(a)に矢印で示されるように、前述と同様のArプラズマ照射をし、半導体積層部12の研磨面にダングリングボンド(未結合手)を露出させる。その後、前述の例と同様にGaP基板1を貼着する(図6(b))。この場合、半導体積層部12およびGaP基板1の一部を劈開してその位置を合せることにより、劈開面を合せることができる。その後、GaP基板1の裏面全面にNi/Au層によるn側電極9、および10μm幅程度のストライプ状のNi/Al層からなるp側電極10を500μm間隔で形成し、ストライプ状のp側電極10と直角方向に、たとえば700μm間隔で傷をつけ、劈開によりチップ化する(図3(c))ことにより、共振器端面を劈開による鏡面にした半導体レーザが得られる。この例では、前述の例と異なり、半導体層を積層する下の層がそのまま基板1側になり、従来と同様のn形層が基板1側に存在する構造になる。
【0075】
第3の実施形態によれば、GaN系やZnO系などの化合物半導体で、サファイア基板などの劈開することができない基板上に半導体層を積層するタイプでも、半導体積層部を形成後に基板を劈開しやすい基板にしているため、非常にきれいな劈開面を得ることができ、発光特性の優れた半導体レーザを得ることができる。さらに、固いサファイア基板からチップ化しなくてもよいため、作業が簡単で歩留りも向上する。
【0076】
第4の実施形態の発明による半導体レーザは、図7にその一例の斜視説明図が示されるように、レーザチップ(以下、LDチップという)30が導電性基板1と、その導電性基板上に設けられるIII 族チッ化物化合物半導体からなり、少なくとも活性層、該活性層を挟持する第1導電形クラッド層および第2導電形クラッド層を有する半導体積層部12と、その半導体積層部12の上面側に設けられる第1の電極(p側電極)10と、導電性基板1の裏面に設けられる第2の電極(n側電極)9とからなっている。そして、p側電極10がサブマウント30と接するようにLDチップ31がボンディングされている。
【0077】
すなわち、本発明者らは、前述のように、基板としてGaAs、Si、Geを用いて、その上にIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができることを見出した。このような導電性基板上にIII 族チッ化物化合物半導体を積層したLDチップを用いることにより、電極同士の接触の危険性をなくしながら放熱効率よくサブマウント上にボンディングをすることができる。
【0078】
LDチップ30は、たとえば図1、3および4に示されるような構造になっている。サブマウント31は、たとえばSi基板の表面にAlNまたはSiCからなる絶縁膜が形成されたものからなっている。従来Si基板の表面にSiO2 などの絶縁膜が設けられたものは使用されているが、III 族チッ化物化合物半導体からなるLDチップでは、前述のように、とくに発熱しやすく、その放熱が素子の信頼性などに非常に大きく影響する。そのため、本発明では、熱伝導率の大きいAlN(熱伝導率3.5W/(cm・K))またはSiC(4.9W/(cm・K))が、たとえば熱CVD法で0.1〜0.8μm程度の厚さに設けられている。そして、その表面に、たとえば蒸着などによりAlなどからなる導電膜34が設けられて一方の電極用とされ、さらに絶縁膜の一部が除去されてSi半導体層35の露出部が形成されて他方の電極用とされている。
【0079】
このサブマウント31の端部で、導電膜34上にp側電極10が重なるようにLDチップ30が裏向き(フェースダウン)に載置されてハンダ剤などの導電性接着剤36により、電気的に接続されてボンディングされている。LDチップ30の他方のn側電極9は金線38などにより露出したSi半導体層35と電気的に接続されている。Si基板は導電性であるため、他方のn側電極9はサブマウント31の裏面側に導出される。そのため、このサブマウントがステムなどのヘッダなどにマウントされることにより、他方のn側電極9はヘッダに電気的に接続される。一方、p側電極10は導電膜34とステムなどに固定されたリード39との間で金線38などにより接続されることにより、p側電極10がリード39に電気的に接続されている。
【0080】
第4の実施形態の発明によれば、青色系のLDチップをGaAsの導電性基板にIII 族チッ化物化合物半導体層を積層して垂直型のチップとしているため、とくに放熱を必要とされる青色系のLDチップの活性層に近い側の電極を電極間の接触などの危険性なく直接サブマウントにボンディングすることができる。その結果、熱伝導のよいサブマウントに効率良く放熱することができ、サブマウントからさらにステムのヘッダなどに熱を逃がすことができる。
【0081】
サブマウントとして、Si基板の表面にAlNまたはSiCのような熱伝導率の大きい絶縁膜が設けられたものを使用することにより、サブマウントに伝導した熱を非常に速やかに放熱することができ、LDチップの温度上昇を防止することができる。さらに、Si基板を用いることにより、一方の電極を直接サブマウントの裏面に導出することができ、電極の電気的接続が非常に容易になる。
【0082】
サブマウントして、AlNまたは絶縁性のSiCを使用しても熱伝導率が高く非常に好ましい。この場合、サブマウントの一部に貫通孔を設けてその中にメタルロッドを埋め込むことにより、一方の電極を表面側で接続すればサブマウントの裏面に直接その電極端部が導出され、前述のSi基板を用いるのと同様に、ヘッダなどに導電性接着剤によりマウントするだけでその電極を電気的に接続することができる。
【0083】
なお、LDチップ30が、Si基板上にSiCを介して半導体積層部が設けたものを用いる場合は、SiC(熱伝導率4.9W/cmK)およびSi(熱伝導率1.7W/cmK)の熱伝導率がGaAs(熱伝導率0.47W/cmK)やサファイア(熱伝導率0.46W/cmK)より大きいため、つぎに説明するように、基板側をサブマウントに接触するようにボンディングしても放熱効果を充分に得ることができる。その結果、ボンディング面から活性層までの距離が充分にあるため、一層半導体層間のショートの危険性がなくなる。
【0084】
すなわち、図8に他の例の同様の説明図が示されている。この例では、LDチップ30として、前述のSi基板の表面にSiC層(立方晶系で導電性)が設けられ、その上に緩衝層としてAlGaN系の半導体層を介在させてIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することにより形成した青色系のLDチップが用いられている。そして、前述のようにSiCおよびSiの熱伝導率が高いことを利用して、基板1側を下側にし、n側電極9がサブマウント31上の導電膜34と接触するようにボンディングされている。また、この例では、サブマウント31として、アモルファス(絶縁性)のSiC基板が用いられ、その一部にメタルロッド35aがサブマウント31の裏面に露出するように設けられている。そして、p側電極10が金線38によりメタルロッド35aとワイヤボンディングされることにより、p側電極10がサブマウント31の裏面に導出されている。
【0085】
この例によれば、LDチップ30の基板が下側に設けられているため、サブマウント31の表面から活性層までの距離が100μm程度(図では概念図として書かれているが、LDチップの基板は80〜100μm近くあるに対して、半導体積層部12は全体で数μm程度である)と充分にあるため、ボンディング時の導電性接着剤36が多すぎて盛り上がっても半導体層を短絡する危険性が完全になくなる。その一方で、前述のように、SiCおよびSiはその熱伝導率が非常に大きいため、充分に熱放散をすることができ、熱による発光効率を低下させることがなくなる。すなわち、熱を充分に放散しながらボンディングの信頼性を充分に向上させることができる。
【0086】
第4の実施形態の発明によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いたLDチップの放熱を充分に行いながら、信頼性よくサブマウントにボンディングをすることができる。その結果、熱による発光効率の低下や半導体層の劣化がなくなり、高出力で高寿命の青色系の半導体レーザが得られる。
【0087】
図9〜12は、このサブマウントをヒートシンクにマウントする構造の改良例である。すなわち、前述のように、熱放散のよいサブマウントが要求され、AlNやSiCを用いられるが、SiCやAlNは絶縁体である。そのため、サブマウントを介して一方の電極をヒートシンクと電気的に接続することができず、前述のように、絶縁体のサブマウント内にメタルロッドが埋め込まれ、そのメタルロッドを介してサブマウントの裏面に一方の電極を導出する構造がとられる場合がある。なお、たとえばCDに用いられる半導体レーザでは、LDチップの大きさは、縦×横×厚さが0.25mm×0.25mm×0.1mm程度で、サブマウントの大きさは、縦×横×厚さが0.8mm×0.5mm×0.4mm程度で、これを組み込んだ半導体レーザの外形の大きさは直径×高さが5.6mmφ×8mm程度の大きさである。
【0088】
前述のように、AlNやSiCなどにメタルロッドを埋め込むことは、これらの材料が非常に硬いため、難しく、コストアップになる。そのため、熱伝導率の高い材料をサブマウントとして使用しにくい。一方、LDチップの電極を絶縁性のサブマウントの表面に設けられる配線膜を介してワイヤボンディングによりヒートシンクなどと電気的に接続しようとしても、小形のパッケージではワイヤボンディングをすることができない。すなわち、パッケージの制約からヒートシンクの面積がサブマウントの面積より僅かに大きい程度(空きの間隔が0.5〜1mm程度)で、ワイヤボンディングのためのキャピラリ(太さが1.5mmφ程度)を挿入するスペースが殆どなく、サブマウントにぶつかりサブマウントを破損する。しかも、サブマウントの厚さが0.4mm程度あるため、サブマウントの表面とその底面であるヒートシンクの表面とを自動認識することができない。
【0089】
さらに、サブマウントの裏面に直接一方の電極が導出される構造では、ユーザの要求により、n側とp側の極性の変更を要求される場合に、サブマウントの構造から変更しなければならない。この実施形態は、熱伝導のよい絶縁性のサブマウントを使用しながら、メタルロッドを埋め込むことなく、LDチップの各電極をステムなどのヒートシンクに簡単に接続し得るようにするものである。
【0090】
第5の実施形態の半導体レーザは、図9にその一実施形態のキャップを取り外した状態の斜視説明図およびそのサブマウント部の拡大説明図が示されるように、LDチップ30が絶縁性または一部が絶縁性材料からなるサブマウント31にダイボンディングされている。そして、そのサブマウント31がヒートシンク部40に搭載されている。ヒートシンク部40には段差が形成されており、段差の低い面41に前記サブマウント31が搭載され、段差の高い面42に前記サブマウント31との間でワイヤボンディングがされている。
【0091】
ヒートシンク部40は、たとえば銅などの熱伝導のよい金属材料からなり、図9に示される例では、ステム43に固定され、ステム43に固定された第1のリード44と電気的に接続されている。このヒートシンク部40は、図9に示されるように、段差が設けられており、その低い面41にサブマウント31がインジウムなどのハンダ剤36などにより接着されている。この段差は、サブマウント31の高さとほぼ同じ高さ程度の段差が形成され、サブマウント31の表面と段差の高い面42とがほぼ面一になるように形成されている。その結果、サブマウント31の表面の配線膜33との間で金線38などによるワイヤボンディングをする場合に、キャピラリを狭い幅に挿入しなくてすむと共に、ワイヤボンディング時に高さの差が殆どないため自動認識をすることができる。
【0092】
LDチップ30は、たとえば図4に示される構造のものを使用することができるが、図1または3などの構造や、その他の構造のものを使用することができる。
【0093】
サブマウント31は、この例ではたとえばSiC基板からなっており、その大きさは縦×横×高さが、たとえば0.8mm×0.5mm×0.4mm程度の大きさで形成されており、その表面にAl被膜などにより電極パターンである第1および第2の配線膜33、34が形成されており、その裏面にはAu/Snなどが被膜されて金属膜32が形成されている。その結果、ハンダ剤36によりヒートシンク部40と容易に接着することができる構造になっている。この第2の配線膜34上に前述のLDチップ30のp側電極が図示しないAu/Snなどの導電性接着剤によりボンディングされて第2の配線膜34にp側電極が接続され、LDチップ30のn側電極は金線38によるワイヤボンディングにより、第1の配線膜33と電気的に接続されている。そして、このサブマウント31がヒートシンク部40に搭載(ハンダ剤36などにより接着)された後に、第1の配線膜33とヒートシンク40の高い面42、および第2の配線膜34と第2のリード45との間が金線38などによりそれぞれワイヤボンディングされている。これにより、LDチップ30のn側電極は、ヒートシンク部40の高い面42を介してステム43の第1のリード44と、p側電極はステム43の第2のリード45とそれぞれ電気的に接続されている。
【0094】
このサブマウント31は、SiCでなくても、熱伝導率が大きい材料であればよく、前述のように、たとえばAlN、裏面側にSiCやAlNの熱伝導率が大きい絶縁性被膜が設けられるSi基板などを用いることができる。
【0095】
ステム43には第1および第2のリード44、45の他に、電気的に分離して第3のリード46が固定されており、ステム43上にボンディングされたモニター用受光素子47の一方の電極と、同様に金線38などにより電気的に接続されている。このモニター用受光素子47は、LDチップ30の出力の変動をモニターし、常に一定になるようにLDチップ30の駆動電力を調整することができるようにするものである。この周囲に図示しないキャップが被せられることにより、ピックアップ用の半導体レーザが得られる。
【0096】
この例によれば、LDチップ30がボンディングされたサブマウント31が搭載されるヒートシンク部40に段差が設けられて、その低い面にLDチップ30がボンディングされているため、サブマウント31の表面とヒートシンク40の高い面とがほぼ面一になり、サブマウント31が熱伝導率の大きい絶縁性材料からなり、小さいヒートシンク40上に搭載されても、サブマウント31の表面を介して、LDチップ30の各電極の電気的接続をワイヤボンディングにより簡単に行うことができる。その結果、熱伝導率の大きいSiCやAlNなどをサブマウントとして用いることができ、LDチップの放熱効率が向上し、高出力化や高信頼性を確保することができる。
【0097】
また、この例によれば、両電極共にワイヤボンディングによりステムのリードと電気的に接続することができるため、ユーザにより電極の極性の異なるものを要求される場合でも、ワイヤボンディングの接続を変更するだけで済み、非常に簡単にユーザの要求を満たした半導体レーザを得ることができる。
【0098】
図10は、第5の実施形態による半導体レーザの他の例を示す図で、ヒートシンクの段差の変形例を示す図である。すなわち、段差はヒートシンク40の全体に亘って形成されている必要はなく、その一部に高い部分42があればよい。そのため、ヒートシンク部40のスペースのある部分に段差の高い部分が設けられておればよい。なお、他の部分は図9に示される例と同じで、同じ符号を付してその説明を省略する。このような構造にすれば、サブマウント31の搭載を障害なく行うことができ、小さいヒートシンク部40でもサブマウント31の搭載およびワイヤボンディングを容易に行うことができる。
【0099】
図11は、さらに他の例を示す図で、極性を変える例を示す図である。この例では、サブマウント31上の電極パターンである第1および第2の配線膜33、34が図9の例と逆に形成された例で、LDチップ30のボンディングなどは図9に示される例と同様に行うことにより、第1のリード44にLDチップ30のp側電極を第2の配線膜34を介して、第2のリード45側にn側電極を第1の配線膜33を介して、それぞれ接続することができる。なお、他の部分は図9の例と同じで、同じ符号を付してその説明を省略する。この例では第1および第2の配線膜の配置を変えたサブマウントを用いたが、サブマウントは図9と同じでワイヤボンディングだけを変更することもできる。
【0100】
図12は、さらに他の例を示す図で、この例はLDチップ30の基板がサファイアなどの絶縁性基板からなる場合の例である。サファイア基板は熱伝導率が余り大きくないため、基板をサブマウント31にボンディングするのは熱の放散の関係からは余り好ましくはないが、ボンディング性からは優れている。すなわち、LDチップ30の基板が絶縁性であるため、積層された半導体積層部の一部がエッチングなどにより除去されて露出するn形層にn側電極が設けられているため、n側電極とp側電極とが同一面側、すなわちLDチップ30の上面側に設けられており、両電極がサブマウント31表面の配線膜33、34にそれぞれ金線38などによりワイヤボンディングされている。したがって、第1および第2の配線膜33、34とヒートシンク40の高い面42および第2のリードとの間でそれぞれ金線38などによりワイヤボンディングをすることにより、図9の例と同様に各電極とリードとを電気的に接続することができる。
【0101】
第5の実施形態の発明によれば、小さいパッケージで熱放散をよくする必要がある半導体レーザでも、熱伝導率のよい絶縁性材料をサブマウントとして使用することができ、非常に効率よく熱を放散させることができる。その結果、LDチップの出力を大きくすることができると共に、その信頼性を非常に向上させることができる。とくに、LDチップがIII 族チッ化物化合物半導体からなる場合には発熱しやすいが、本発明により温度上昇を抑制することができ、高出力で長寿命の青色系の半導体レーザが得られる。
【0102】
図13は第6の実施形態のLDチップを示す説明図である。すなわち、前述のような放熱効果をよくしても、GaN系化合物半導体からなる発光素子は充分に低い動作電圧で高い出力を得にくい。その一つに光共振器の一部を構成する端面の平坦性が悪いところにあり、その改良を試みたものである。
【0103】
従来のGaAs系の化合物半導体を用いた半導体レーザでは、結晶性がよいため劈開によりきれいな鏡面が得られるが、その表面準位の密度が高く、端面破壊(COD)が生じやすいため、保護のためにその端面に絶縁体膜の積層が行われることがある。
【0104】
また、たとえば特開平8−191171号公報や特開平9−270569号公報に示されるように、III 族チッ化物化合物半導体を積層した青色系の半導体レーザでは基板に六方晶系のサファイア基板が用いられることにより、劈開をすることができず、その反射率を高めるため、その端面に誘電体膜の多層膜を設け、反射率を高めることがなされている。
【0105】
前述のように、従来のIII 族チッ化物化合物半導体を用いた青色系のLDチップでは、一般的にはサファイア基板上にIII 族チッ化物化合物半導体が積層されて構成されている関係上、劈開をすることができず、しかもIII 族チッ化物化合物半導体層は非常に化学的にも強いため、その端面はRIE法などの物理的エッチングにより形成されている。この物理的エッチングではイオンの衝撃やコンタミネーションの付着などにより、その表面は完全な平坦性が得られない。このような完全な平坦性が得られない端面に誘電体膜を積層しても、その平坦性を充分に補正することができず、完全な共振器の反射面とすることができない。すなわち、マクロ的に見れば高い反射率が得られるように誘電体膜の積層膜が得られても、端面の傷や付着物により、光の反射方向が共振器と異なる方向に進み、十分な外部微分量子効率や閾値を向上させることができない。
【0106】
第6の実施形態では、前述のように、基板に半導体基板を用いることを可能にし、劈開することができるようにしたので、その劈開面による平坦面を利用して、反射効率を上げ、光共振器の一部を構成する端面を平坦化して反射率を制御し、外部微分量子効率および閾値を向上させることができ、低い動作電圧で高い出力が得られる青色系の半導体レーザを得られるようにしている。
【0107】
すなわち、図13(a)〜(b)にその一例の斜視および側面の説明図が示されるように、基板1上にIII 族チッ化物化合物半導体からなり、少なくとも活性層5、活性層5を挟持する第1導電形(n形)クラッド層4および第2導電形(p形)クラッド層6を含む半導体積層部12が設けられる半導体レーザチップを有している。この半導体レーザチップの光共振器を構成する端面の少なくとも一方の端面が平坦面に形成されると共に、その平坦面の表面に絶縁体膜52が単層膜または屈折率が異なる複数種類の多層膜53〜54で形成されている。
【0108】
図13に示される例は、図1に示される構造と同様の、GaAs基板1上にIII 族チッ化物化合物半導体層が積層され、劈開によりその端面が平坦面に形成されている。その出射端面(図13で矢印が光の出射方向)に、たとえばAl2 O3 からなる第1の絶縁膜52が発光波長をλ、第1の絶縁体膜の屈折率をn1 として、λ/2n1 の厚さ堆積されている。そして、出射面と反対面(後端面)の表面に、たとえばAl2 O3 からなる第2の絶縁体膜53がλ/4n2 、たとえばTiO2 からなる第3の絶縁体膜54がλ/4n3 、さらに第2および第3の絶縁体膜53、54が繰り返して積層され、4層の多層膜が形成されている。このように、λ/4nの厚さの絶縁体膜を多層に積層することにより、その反射率を調整しやすく、偶数層積層することにより反射率を高くすることができる。この後端面の反射率は、できるだけ高い方が好ましく、50〜90%程度、一般的には70%程度に形成される。一方、出射面側は、反射率が低く形成され、前述のようにλ/2nの厚さの絶縁体膜が単層膜または多層膜で堆積されたり、λ/4nの厚さで奇数回積層される。反射率は5〜60%程度で用途により使い分けられ、たとえば出力を大きくする場合は10%以下にし、温度特性を向上させる場合は50〜60%などに設定される。絶縁体膜としては、この例のように、Al2 O3 やTiO2 がIII 族チッ化物化合物半導体との密着性がよいため好ましいが、他にSiO2 、Si3 N4 などを用いることができる。
【0109】
この絶縁体膜を形成するには、後述する半導体積層部12および電極9、10を形成した後に、p側電極の延びる方向と垂直方向にたとえば700μm程度の間隔でスクライブ傷を入れ、衝撃を加えることにより劈開し、ウェハからバー状にする。そして、そのバー状の分割体の劈開面を上向きにしてスパッタ装置内でスパッタさせることにより絶縁体膜を成膜することができる。この成膜を劈開面の両面に行い、その後バー状の分割体をさらにダイシングにより各チップに分割することにより端面に絶縁体膜が設けられたLDチップが得られる。なお、絶縁体膜は、両端面に設けられなくてもよい。とくに劈開により完全な鏡面が得られればある程度の反射率が得られ、出射面側には絶縁体膜を設けなくてもよい。
【0110】
絶縁体膜が設けられる面は、この例では劈開により平坦面が形成されている。III 族チッ化物化合物半導体は結晶欠陥が多いが、後述するように基板と一致させた立方晶系で積層され、劈開されることにより、ミクロ的に見てもほぼ平坦な面となり、さらに絶縁体膜が設けられることにより、充分に反射率が制御されて共振器内に有効に反射させる良好な共振器端面を形成することができる。
【0111】
LDチップの構造は、前述の図1と同じ構造で、同じ部分に同じ符号を付してその説明は省略する。このLDチップは、図3または図4の構造のもでも同様である。
【0112】
第6の実施形態によれば、青色系のLDチップをGaAsの導電性基板にIII 族チッ化物化合物半導体層を積層して立方晶系で形成しているため、比較的劈開をしやすく、端面を平坦面に形成できる。その結果、表面に絶縁体膜を設けることにより、その反射率を調整することができると共に、端面での乱反射がなく、反射した光がすべて共振器内に戻り効率のよい発振をする。すなわち、従来のドライエッチングにより形成される端面では、どうしても表面に小さな凹凸が形成され、たとえ誘電体膜を形成してその反射率を調整しても充分に微分量子効率を上げることができなかったが、本発明によれば、端面が平坦面に形成されているため、端面での乱反射がなく、微分量子効率が向上すると共に、閾値を下げることができた。
【0113】
また、SiCおよびGaN基板を用いても同様に劈開をすることができ、平坦な端面を得ることができ、微分量子効率および閾値を向上させることができた。なお、これらの場合、立方晶系の基板を用い、立方晶系のIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することがよりきれいな平坦面を得ることができる。
【0114】
さらに、この例では、劈開性の基板を用いて劈開をする例であったが、図19に示されるようなサファイア基板上にIII 族チッ化物化合物半導体が積層されたLDチップでも、ドライエッチングにより形成された端面を平坦面にすれば同様に反射率の調整により、微分量子効率および閾値を向上させることができる。たとえば前述の例の劈開に代えてドライエッチングとサファイア基板の分割によりウェハをバー状の分割体に形成した後に、その端面にIII 族チッ化物化合物半導体を成膜し、その後前述の絶縁体膜を成膜することにより、活性層とほぼ同程度の屈折率の材料によりドライエッチングによる荒れた端面が平坦化され、その表面に絶縁体膜が設けられて反射率が調整されるため、乱反射することなく所望の反射率が得られ、レーザ特性が向上する。このような端面の平坦化法は、他にケミカルポリッシュなどによっても行うことができる。
【0115】
第6の実施形態によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いたLDチップの端面を平坦化して絶縁体膜によりその反射率が調整されているため、微分量子効率や閾値などのレーザの特性が向上する。その結果、低い動作電圧で高出力の青色系の半導体レーザが得られる。
【0116】
図14〜16は第7の実施形態のLDチップを示す説明図である。すなわち、前述の各例に示されるように、III 族チッ化物化合物半導体は、熱的、化学的に非常に安定であり、ウェットエッチングをすることができず、AlGaAs系やAlGaInP系などの化合物半導体のようにダメージを与えることなく、再現性よくストライプ状の開口部を形成して、内部電流狭窄層を設けることができない。
【0117】
すなわち、従来のIII 族チッ化物化合物半導体では、RIE法などのドライエッチングによらなければエッチングをすることができず、ドライエッチングでは、半導体層に与えるダメージが大きく、再成長する半導体層の結晶性が著しく悪化すると共に、エッチングレートの制御性が悪く、再現性も悪い。そのため、上部(p側)電極をストライプ状に形成して電流注入領域をストライプ状にしたり、さらにp側電極の両サイドの積層された半導体層を上部(p形)クラッド層の一部までメサ形状にエッチングしてメサストライプ型構造にすることにより、電流の注入領域を画定している。
【0118】
一方、特開平9−246670号公報には、絶縁性のIII 族チッ化物化合物半導体からなる電流狭窄層をエッチングにより形成するか、選択成長法により形成することが記載されているが、エッチングの具体的方法については記載されておらず、選択成長法では成長温度を高くするとSiO2 上にも堆積するため成長温度を低くする必要があり、低温では結晶性の悪化またはアモルファス化して良好な結晶を作れない。
【0119】
このように、ウェットエッチングによりストライプ状の開口部が形成された電流狭窄層を作り込むことができず、発光領域に充分に電流を注入することができず、電流が広がってレーザ素子の発振開始電流(以下、単に閾値ともいう)が上昇したり、外部微分量子効率(以下、単に量子効率ともいう)が低下し、高出力化や、高信頼性の確保を充分に行うことができない。そのため、電流狭窄層を活性層の近い部分に有し、閾値が低くすることが、発光効率(量子効率)の高い半導体レーザを得るのに必要となる。
【0120】
第7の実施形態による半導体レーザは、図14にその一例が示されるように、III 族チッ化物化合物半導体からなり、少なくとも活性層5と、その活性層5を挟持する第1導電形(n形)クラッド層4および第2導電形(p形)クラッド層6とを有する半導体積層部12が基板1上に設けられている。そして、半導体積層部12内に、絶縁体からなりストライプ状の開口部(ストライプ溝18)を有する電流狭窄層17が設けられている。
【0121】
電流狭窄層17は、たとえばSiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 などのSiまたはAlの酸化物、チッ化物または酸化チッ化物などの絶縁体膜が成膜しやすいと共に、エッチングしやすく取り扱いやすいため好ましい。この電流狭窄層17は、図14の紙面と垂直方向に延び、幅がたとえば4μm程度のストライプ溝18のみに電流を集中させ、それ以外のところを電流が流れないようにするためのもので、0.1〜0.6μm程度の厚さに設けられる。この電流狭窄層17は、半導体層ではないため、後述するエッチングストップ層27までの半導体層の積層が終った状態で、MOCVD装置などの半導体層のエピタキシャル成長装置から取り出して、たとえばスパッタ装置などにより絶縁体膜を成膜し、さらにレジスト膜などによりマスクを形成してフッ酸などによりストライプ状にエッチングすることにより形成される。
【0122】
基板1は、たとえばサファイア(Al2 O3 単結晶)からなり、その上に半導体積層部12との格子不整合を緩和するための緩衝層2が、たとえばGaNにより設けられている。基板1としては、前述のようなGaAs、表面にSiCが設けられたSi、GaNなどの導電性の結晶基板を用いることもできる。その基板1の材料に応じて、緩衝層2の材料も選択されるが、緩衝層2の厚さは、格子の不整合を吸収するため、0.01〜0.1μm程度の厚さに設けられる。前述のように、導電性基板が用いられることにより、チップの上下両面から電極を取り出すことができると共に、劈開によりチップ化することができるため、光の出射面を鏡面の端面とすることができ、共振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0123】
半導体積層部12は、前述の各例と同様に積層されるが、n形GaNからなり、1〜2μm程度のn形コンタクト層3を介した発光層形成部11上に、たとえばp形GaNからなり、10〜100nm程度の厚さに設けられるエッチングストップ層27が設けられ、その上にストライプ溝18が形成された電流狭窄層17を介して、p形GaNからなり、0.8μm程度の厚さのp形コンタクト層7が設けられている。エッチングストップ層27は、前述の絶縁体膜をエッチングする際にp形クラッド層6にダメージを与えないようにすると共に、できるだけ酸化しやすいAlが含まれない層とすることにより、エピタキシャル成長装置から取り出してエッチングにより露出させても、表面を酸化しにくく清浄に保持させるための層である。そのため、GaNであることが好ましいが、Alの混晶比の小さい層であれば、たとえばAls Ga1- s N(0<s≦0.1)でもよい。n形およびp形のコンタクト層3、7は、n側電極9およびp側電極10とそれぞれオーミックコンタクトを得るための層で、p形コンタクト層7は、前述の電流狭窄層17が形成された後に、再度MOCVD装置などにウェハを入れてGaN層を成長することにより形成される。
【0124】
電流狭窄層17は絶縁体であるため、この上に半導体層を成長させることはできないが、ストライプ溝18により露出した半導体層をシードとして半導体層が成長し、電流狭窄層の表面の高さまで成長すると、GaNの横方向の成長速度が縦方向よりも早いため、今度は電流狭窄層17のSiO2 表面を覆うように横方向に成長する(これをラテラル成長という)。GaNがラテラル成長をすることは、たとえばジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Jpn.J.Appl.Phys. )パート2.36、899頁(1997年)に、エイ ウスイらによりGaNの結晶欠陥を低減することを目的としてラテラル成長をすることが示されており、一般に知られている。この実施形態ではこのラテラル成長を利用して、半導体層上に絶縁体からなる電流狭窄層17を形成し、ストライプ溝18からの半導体層の成長をさらにその絶縁体の表面にラテラル成長させることにより、p形コンタクト層7が形成されている。これにより絶縁体からなる電流狭窄層17が半導体積層部中に埋め込まれる。その結果p形コンタクト層7では電流が全体に広がるが、絶縁体を電流が流れることはできず、ストライプ状に除去されたストライプ溝18の部分のみでp形クラッド層6側と電気的に接続され、この部分に電流が集中する。
【0125】
なお、この例では電流狭窄層17上にp形コンタクト層7を成長する例であったが、p形クラッド層6を半分程度の厚さの成長にしておいて、この電流狭窄層17上に第2のp形クラッド層を成長し、その上にさらにコンタクト層7を成長することもできる。その他の発光層形成部11や、電極などの構造は、前述の各例と同様であり、同じ符号を付してその説明を省略する。
【0126】
製法も前述の各例と同様に製造することができるが、p形クラッド層6を成長した後、MOCVD装置からウェハを取り出し、たとえばスパッタ装置でたとえばSiO2 からなる絶縁体膜を成膜する。そして、表面にレジスト膜を設け、ホトリソグラフィ技術によりパターニングしてストライプ状に絶縁体膜を露出させ、フッ酸、バッファードフッ酸などの酸性溶液により絶縁体膜の露出部分をエッチングして、ストライプ溝18が設けられた電流狭窄層17を形成する。
【0127】
その後、再度MOCVD装置にウェハを入れ、前述と同様にGaNからなるp形コンタクト層7を成長する。この際、絶縁膜である電流狭窄層17上には半導体層が成長しないが、前述のように、ストライプ溝18により露出したエッチングストップ層27の露出部分がシードとなりストライプ溝18内にGaN層が成長する。その成長が電流狭窄層17の表面までくると、電流狭窄層17の表面を横方向にラテラル成長し、順次横方向にラテラル成長すると共にその上にも成長していく。その結果、電流狭窄層17上にGaN層が成長し、p形コンタクト層7が形成される。
【0128】
第7の実施形態の半導体レーザによれば、III 族チッ化物化合物半導体積層部内に、絶縁体からなる電流狭窄層が設けられているため、ウェットエッチングが困難なIII 族チッ化物化合物半導体層をエッチングすることなく、電流狭窄層を活性層の近くに作り込むことができる。その結果、電流狭窄層と活性層との距離を小さくすることができ、電流狭窄層はストライプ溝以外の所では電流が流れず、電流が拡散しないうちに活性層に有効に電流を注入することができる。そのため、閾値を低くしながら、量子効率を大きくすることができ、高出力化、高信頼性化を達成することができる。
【0129】
さらに、この製法によれば、電流狭窄層を絶縁体で形成し、III 族チッ化物化合物半導体のラテラル成長を利用することにより、電流狭窄層上に半導体層を成長させているため、フッ酸などのエッチング液により簡単にストライプ溝を形成することができ、簡単な製法で電流狭窄層を活性層の近くに作り込むことができる。
【0130】
図15は、図14の変形例の断面説明図である。この例は、図1に示される例と同様に、LDチップの基板として、GaAs基板1を用いることにより、チップの上下両面からp側およびn側の電極を取り出すことができると共に、劈開をすることができる構造にしたもので、電流狭窄層17の構造および形成方法は図15および図1の例と同じである。同じ部分は同じ符号を付してその説明を省略する。
【0131】
この構造にすることにより、前述のようにIII 族チッ化物化合物半導体を用いながら、活性層の近傍に電流狭窄層を作り込むことができると共に、n側電極9を、積層した半導体層の一部をエッチングしなくても設けることができて、両電極をチップの上下両面から取り出す垂直型のチップが得られ、さらに、基板から半導体積層部12を立方晶系の積層構造にすることができるため、劈開をすることができる。その結果、閾値を低くしながら、量子効率を大きくすることができ、高出力化、高信頼性化を達成することができる。さらには、チップのボンディングが非常に容易になると共に、光出射面の共振器端面を非常に平坦な面とすることができ、共振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0132】
図16は、図14のさらに他の変形例を示す図である。この例は、基板1として、図4の例と同様に、Si基板を用いたもので、前述のように、SiC層が緩衝層2として用いられる。詳細は図4の例と同様でその説明を省略する。
【0133】
この例においても、図15の例と同様に、共振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0134】
前述の例のほかに、基板として、GaN基板を用いれば、III 族チッ化物化合物半導体と格子不整合を生じることなくIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができる。なお、この場合でも半導体層の成長を始める前にGaNからなる緩衝層を成膜することが成長する半導体層との整合を取る上で好ましい。
【0135】
第7の実施形態によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いながら、ストライプ溝のエッチングを簡単に行うことができる電流狭窄層を作り込むことができる。そのため、電流注入領域に確実に電流を注入することができ、閾値を小さくしながら、量子効率を大きくすることができる。その結果、高出力で、信頼性の高い半導体レーザが得られる。
【0136】
さらに、基板として、GaAs、Si、GaNなどを用いることにより、垂直型のチップで、劈開することができるため、優れた端面を有するレーザ共振器が得られ、短波長の高性能の半導体レーザが得られる。
【0137】
図17〜18は、さらにIII 族チッ化物化合物半導体からなる発光素子の発光効率を向上させるための第8の実施形態を説明する図である。すなわち、III 族チッ化物化合物半導体は、前述のように、熱的、化学的に非常に安定であり、信頼性が高く、長寿命化という点においては、非常に優れた性質を有している。しかし、安定であるがゆえに、良好な結晶性を有する半導体層を得るためには、たとえば特許公報第2713094号に示されるように、1000℃程度の非常に高温で成長をしなければならない。一方、活性層のようにInを含有する半導体層は、元素InとGaNとが混晶しにくく、かつ、Inの蒸気圧が高いため、十分なInを入れようとすると700℃程度またはそれ以下の温度でしか結晶成長をすることができない。そのため、結晶性の優れた半導体層を得ることができず、発光効率が低下したり、寿命特性が低下しやすい。とくに緑色に近い青色よりも長波長側の発光をさせようとすると、Inの量を増やさなければならないが、Inの量を増やすと一層結晶性が低下するため、Inの混晶比を増やすことができない。
【0138】
一方、特開平6−37355号公報には、一種類の化合物半導体を用いて広範囲の波長領域において発光することができる半導体発光素子を実現するため、GaAsN系の材料を活性層に使用することが開示されている。すなわち、GaPは間接遷移型の半導体であるため、直接遷移型のバンド構造をもつGaAsN系材料を用いることにより、広い波長領域をカバーすることが開示されている。しかし、GaAsN系の材料は、Asの混晶比に対するバンドギャップエネルギーの関係は、リニアで変化しないで2乗で変化するボーイング特性を有しているため、とくに青色から緑色に近い範囲では僅かのAsの混晶比を変化させても大きくバンドギャップエネルギーが変化し、目標の発光波長に作り込むことが困難である。
【0139】
第8の実施形態による半導体発光素子は、図17にその一例の断面説明図が示されるように、III 族チッ化物化合物半導体からなり電流注入により発光する活性層5と、その活性層5よりバンドギャップエネルギーが大きいIII 族チッ化物化合物半導体からなり前記活性層を両面から挟持するn形クラッド層4およびp形クラッド層6とを有しており、前記活性層5がGa、PおよびNを含む化合物半導体層、たとえばGaPu N1-u (0<u<0.5)からなっている。
【0140】
活性層5は、キャリアの再結合により発光させる層で、そのバンドギャップエネルギーにより発光する光の波長が定まり、発光させる光の波長に応じたバンドギャップエネルギーの材料が使用され、たとえばGaP0.1N0.9からなるウェル層とGaP0.02N0.98からなるバリア層とが、それぞれ10〜100nm程度、3〜5層づつ積層された多重量子井戸構造(MQW)で形成されている。本発明では、この活性層5に、たとえばGaPu N1-u (0<u<0.5)のように、InGaN系(系はInの混晶比が所望のバンドギャップエネルギーになるように種々変化させ得ることを意味する、以下同じ)化合物半導体とは異なる化合物半導体が用いられていることに特徴がある。
【0141】
すなわち、前述のように、従来の活性層をそれよりバンドギャップエネルギーの大きいクラッド層により挟持して発光させる青色系の半導体発光素子としては、III 族チッ化物化合物半導体が用いられ、その活性層としてInGaN系化合物半導体が使用されてきたが、前述のように、InGaN系化合物半導体はその結晶性がよくないと共に、Inの混晶比を一定以上に大きくすることができず、ある程度以上の長波長の発光をさせることができない。そのため、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、GaNとGaPとを混晶させることにより、優れた結晶性で、バンドギャップエネルギーを下げられることを見出した。
【0142】
このGaPu N1-u は、図18にその混晶比uの一部に対するバンドギャップエネルギー(eV)のグラフが示されるように、全体としてはリニアには変化しないが、そのuの値が大きくなるほどバンドギャップエネルギーが小さくなり、Pの混晶比を選択することにより所望のバンドギャップエネルギーの活性層を得ることができる。たとえば400〜430nm程度の波長の光を発光させるためには、uの値は0.05〜0.2程度が好ましい。前述のように、GaPu N1-u のuに対するバンドギャップエネルギーの変化は全体としてはリニアではない(図18ではuの範囲が狭いため直線に見える)が、GaAsN系のAsの混晶比を変化させると、図18に破線で示されるように、GaAsN系に比べればその変化率が遥かに小さい。すなわちバンドギャップエネルギーのボーイングパラメータは、たとえばジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Jpn.J.Appl.Phys.)第37巻1998年、1436〜1439頁にも示されるように、GaN−GaAsが19.6eVであるのに対して、GaN−GaPでは9.31eVと小さい。
【0143】
活性層5は、非発光再結合中心の形成を避けるため、ノンドープであることが好ましい。なお、このような固溶体を得るには、たとえばMOCVD法によりGa、P、Nの反応ガスであるトリエチルガリウム(TEG)、ホスフィン(PH3 )、アンモニア(NH3 )をキャリアガスの水素(H2 )と共に導入してその流量を調整しながら600〜900℃程度で反応させることにより、所望の混晶比の固溶体を得ることができる。
【0144】
この活性層5以外の基板1、半導体積層部12および電極などの構成は、殆ど図4に示される構造と同じで、製造方法も同様に行うことができ、同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。なお、この例では、p形コンタクト層7上に、たとえば5〜10μm程度の幅のストライプ溝が形成されたSiO2 などからなる絶縁膜が電流狭窄層17として、CVD法などにより0.1〜0.6μm程度設けられ、その上にp側電極10が設けられている。
【0145】
第8の実施形態によれば、活性層にInGaN系化合物半導体を使用しないで、GaPN系化合物半導体を使用しているため、活性層も高温で積層することができ、結晶性の優れた活性層が得られる。その結果、ノンドープでも閾値が小さく、高効率な発光を実現できる。一方、前述のように、Pの混晶比とバンドギャップとの間にはリニア性がないが、とくにその混晶比が0.2程度までは、その変化率が小さく、青色から緑色程度までの発光には、何ら支障を来すことがない。
【0146】
前述の例では、p側電極10の下側に絶縁膜を設けることにより、電流注入領域を画定したが、前述の各例と同様に、p側電極をストライプ状にしただけの電極ストライプ構造のLDチップや、ストライプ状電極の両側の半導体層をp形クラッド層の上部までメサ型形状にエッチングするメサストライプ構造や、プロトンなどを打ち込んだプロトン打込み型にすることもできる。さらに、電流狭窄層を埋め込む構造にすることもできる。また、基板1も図1または図3の構造にすることもできる。
【0147】
さらに前述の例では、半導体レーザの例であったが、発光ダイオード(LED)の構造にしても同様に活性層の結晶性が優れ、発光効率の高い高輝度のLEDを得ることができる。この場合、LEDでは、光を閉じ込める必要はなく、光ガイド層が不要であると共に、活性層は単一量子井戸構造またはダブルヘテロ接合構造で形成される。また、LEDの場合、ダブルヘテロ接合構造でなくても、pn接合の一方の半導体層にGaPN系化合物半導体を使用してもよい。
【0148】
第8の実施形態によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いた半導体発光素子の活性層に結晶性の優れた化合物半導体層が用いられているため、発光効率が向上し信頼性の優れた半導体発光素子が得られる。
【0149】
第8の実施形態における前述の例では、活性層にGa、PおよびNを含む化合物半導体層を用いたが、これに代り、TlおよびGaを含む化合物半導体層を用いることもできる。前述のように、InGaN系化合物半導体は、Inの混晶比が大きくなるにしたがって結晶性が極端に悪くなることが知られており、一般的にInの混晶比は0.2以下であることが望ましいといわれている。このことはInGaN系化合物半導体ではバンドギャップエネルギーを2.9eV以下にすることが困難であり、430nm以上の波長の光を発光させることが困難である。
【0150】
一方、特開平8−274370号公報に、タリウム(Tl)原子をIII 族チッ化物化合物半導体に1個の価電子をもつドーパントとして利用する方法が示されており、InGaN系化合物半導体の活性層に添加することにより、Tl原子がD−A(ドナー/アクセプタ)発光の再結合中心となり、高輝度の緑色LEDを作製する方法が開示されている。しかし、活性層中の不純物は、非発光再結合中心ともなり、発熱の原因にもなるため、半導体レーザの室温連続発振を実現するためには、より効率の高い発光が必要である。すなわち、この特許でも述べられているように、不純物を一定以上添加したときに生じる結晶性の低下を抑えることが困難であるため、Tlを1価のドーパントとして用いた場合には、レーザ発光の効率が低下する。このような理由から、III 族チッ化物化合物半導体からなる緑色レーザの室温連続発振はまだ報告されていない。
【0151】
さらに、特開平9−219561号公報には、光通信に用いられる1.3〜1.65μmの波長帯で、温度による波長変化を防止するために、GaInAsPまたはAlInAsなどの半導体混晶に、さらにTlを混晶させて活性層を形成することが開示されている。そしてTlの混晶比によりバンドギャップエネルギーが変化することも示されているが、ここで示されているものは、波長が1.2〜1.65μmで発振波長が温度により変化しないようにすることが目的で、バンドギャップエネルギーも2eV程度のGaPまたはAlAsまでしか考慮されていない。すなわち、Tlを混晶させることにより、緑色の発光をさせることについては何ら開示されていない。
【0152】
本発明者らは、III 族チッ化物化合物半導体を用いながらナローバンドギャップ化を図るため、鋭意検討を重ねた結果、GaN相とTlN相とを混晶させることにより、結晶性の優れた混晶が得られると共に、バンドギャップエネルギーを小さくすることができ、緑色(波長が500〜550nm程度)の半導体レーザを実現できることを見出した。
【0153】
すなわち、TlとGaを含む層を活性層とする半導体発光素子は、図17と同じ構造で実現でき、III 族チッ化物化合物半導体からなり電流注入により発光する活性層5と、その活性層5よりバンドギャップが大きいIII 族チッ化物化合物半導体からなり前記活性層5を両面から挟持するn形クラッド層4およびp形クラッド層6とを有しており、活性層5が少なくともTlおよびGaを含む化合物半導体層、たとえばTlv Ga1-v N(0<v<1)からなっている。
【0154】
活性層5は、キャリアの再結合により発光させる層で、そのバンドギャップにより発光する光の波長が定まり、発光させる光の波長に応じたバンドギャップの材料が使用され、たとえばTl0.1 Ga0.9 Nからなるウェル層とTl0.02Ga0.98Nからなるバリア層とが、それぞれ5〜10nm程度、3〜5層づつ積層された多重量子井戸構造(MQW)で形成されている。なお、活性層5は、非発光再結合中心の形成を避けるため、ノンドープであることが好ましい。この例では、この活性層5に、たとえばTlv Ga1-v N(0<v<1)のように、InGaN系化合物半導体とは異なる化合物半導体が用いられていることに特徴がある。
【0155】
すなわち、前述のように、従来の活性層をそれよりバンドギャップの大きいクラッド層により挟持して発光させる青色系の半導体発光素子としては、チッ化ガリウム系化合物半導体が用いられ、その活性層としてInGaN系化合物半導体が使用されてきたが、InGaN系化合物半導体はその結晶性がよくないと共に、Inの混晶比を一定以上に大きくすることができず、ある程度以上の長波長の発光をさせることができない。そのため、本発明者らはIII 族チッ化物化合物半導体を用いながらナローバンドギャップ化を図るため、鋭意検討を重ねた結果、前述のように、GaN相とTlN相とを混晶させることにより、結晶性の優れた混晶が得られると共に、バンドギャップエネルギーを小さくすることができ、緑色の半導体レーザを実現できることを見出した。
【0156】
このGaN相とTlN相との混晶による固溶体は、Tlをドーパントとして混入させるのとはGaとTlとの結合方法の点で異なり、結晶性を害することなくバンドギャップエネルギーを小さくすることができる。GaN相とTlN相との固溶体はその混晶比を自由に変化させることができ、Tlの混晶比が大きくなるにしたがってバンドギャップエネルギーが小さくなる。たとえば緑色(波長が500〜550nm程度)の発光をさせるためには、Tlの混晶比vを0.3〜0.6程度にすることにより所望のバンドギャップエネルギーとなる。このような固溶体を得るには、たとえばMOCVD法によりTl、Ga、Nの反応ガスであるトリメチルタリウム(TMTl)、トリエチルガリウム(TEG)、アンモニア(NH3 )をキャリアガスの水素(H2 )と共に導入してその流量を調整しながら600〜800℃程度で反応させることにより、所望の混晶比の固溶体を得ることができる。Tlの反応ガスとしては、このような3価の有機金属化合物を用いることにより、ドーパントにはならないでGaNと混晶することができる。これは、Gaも最外殻外電子は3個であり、3価のTlはGaの代りに結晶の構成要素として入ることができるためである。たとえば1価のシクロペンタジエニルタリウム(Gp2 Tl)を用いると混晶が得られないでドーパントとなり、前述のように、結晶性が低下して半導体レーザに適する高出力の発光が得られない。このような3価のTlの化合物として、他にトリエチルタリウムなどが挙げられる。
【0157】
その他の構造および製法は、前述の例と同様で、その説明を省略する。また、構造としては、前述の各例の構造を採用することができる。なお、LEDの場合、ダブルヘテロ接合構造でなくてもpn接合の一方の半導体層にTlGaN系化合物半導体を使用してもよい。
【0158】
この例によれば、活性層にInGaN系化合物半導体を使用しないで、TlGaN系化合物半導体を使用しているため、高温でIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができ、結晶性の優れた活性層が得られる。そして、バンドギャップエネルギーを小さくすることができ、緑色の発光をさせることもできる。その結果、ノンドープでも閾値が小さく、緑色などの波長の光を高効率で発光させることができる。その結果、緑色のレーザ発振も得られる。その結果、緑色などの青色より長波長側の半導体レーザを実現できると共に、発光効率が向上し信頼性の優れた半導体発光素子が得られる。
【0159】
前述の各例に示される図においては、基板の厚さが実際には他の層と比較して、数十倍以上の厚さがあるが、省略して薄く書かれ、概念的な図として書かれている。他の半導体層の厚さも、概念的な図で、厳密な厚さを表してはいない。
産業上の利用性
本発明によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いた青色系の半導体発光素子を、チップの上下から両電極を取り出すことができる、いわゆる垂直形で、しかも高特性で得られるため、高い記録密度を有する光ディスクメモリや、レーザビームプリンタなどの光源として便利に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による第1の実施形態の斜視説明図である。
【図2】 図1の緩衝層の組成変化を示す説明図である。
【図3】 図1の変形例を示す斜視説明図である。
【図4】 本発明による第2の実施形態の斜視説明図である。
【図5】 本発明による第3の実施形態であるLDの製造工程を示す図である。
【図6】 第3の実施形態の異なる例の製造工程を示す図である。
【図7】 第4の実施形態による半導体レーザの説明図である。
【図8】 図7の変形例を示す説明図である。
【図9】 第5の実施形態による半導体レーザの説明図である。
【図10】 図9の変形例を示す説明図である。
【図11】 図9のさらに他の変形例を示す説明図である。
【図12】 図9のさらに他の変形例を示す説明図である。
【図13】 第6の実施形態による半導体レーザの説明図である。
【図14】 第7の実施形態による半導体レーザの断面説明図である。
【図15】 図14の変形例を示す断面説明図である。
【図16】 図14のさらに他の変形例を示す説明図である。
【図17】 第8の実施形態を示す説明図である。
【図18】 GaPu N1-u の混晶比uによるバンドギャップの変化を示す図である。
【図19】 従来の青色系半導体発光素子の断面説明図である。
【図20】 従来の青色系のLDチップをサブマウントにボンディングする一例の説明図である。
【図21】 従来の青色系のLDチップをサブマウントにボンディングする他の例の説明図である。
【発明の属する技術分野】
本発明はIII 族元素とチッ素との化合物(III 族チッ化物、チッ化ガリウム系化合物半導体)を用い、高い記憶密度を有する光ディスクメモリや、レーザビームプリンタの高精細化に必要な青色領域で発光可能な半導体レーザや発光ダイオードなどの半導体発光素子に関する。さらに詳しくは、基板に導電性の基板を用いながら発光特性の優れた半導体層を積層し、電極をチップの上下両面から取り出せると共に劈開をすることができる半導体発光素子およびそのチップを放熱よくマウントする半導体レーザに関する。
【0002】
【従来の技術】
従来の青色系の半導体レーザは、たとえばジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Jpn.J.Apply.Phys. )35巻(1996年)、74〜76頁に示される構造により、青色領域でCW発振することが報告されている。この構造は、図19に示されるように、サファイア基板71上に六方晶系のIII 族チッ化物化合物半導体が有機金属気相成長法(Metal Organic Chemical Vapor Deposition 以下、MOCVDという)により順次積層されるもので、GaN緩衝層72、n形GaN層73、In0.1 Ga0.9 Nからなるn形応力緩和層74、Al0.12Ga0.88Nからなるn形クラッド層75、GaNからなるn形光ガイド層76、InGaN系化合物半導体の多重量子井戸構造からなる活性層77、p形GaNからなるp形光ガイド層78、p形Al0.2 Ga0.8 Nからなるp形第1クラッド層79、Al0.12Ga0.88Nからなるp形第2クラッド層80、p形GaNからなるコンタクト層81が順次積層され、積層された半導体層の一部が図19に示されるようにドライエッチングなどによりエッチングされてn形GaN層73を露出させ、その表面にn側電極83、前述のコンタクト層81上にp側電極82がそれぞれ形成されることにより構成されている。
【0003】
また、特公平8−8217号公報には、サファイア基板上に緩衝層としてGaa Al1-a N(0<a≦1)を設け、その上にチッ化ガリウム系化合物半導体を積層する方法が開示されている。
【0004】
しかし、いずれの構造でも、サファイア基板上に半導体層が積層されるため、n側電極は積層した半導体層の一部をエッチングして露出したn形層に設けなければならない。しかも、サファイア基板は非常に硬いため、劈開をすることが困難であり、再度ドライエッチングによりIII 族チッ化物化合物半導体の積層体をエッチングして光共振器を構成する端面を形成している。
【0005】
従来の青色系の半導体発光素子では、基板としてサファイア基板が用いられているため、積層体の上面と下面に電極が形成される垂直型の素子(上面と下面に電極が形成された構造を意味する、以下同じ)を構成できない。そのため、製造工程が複雑であり、チップのボンディングも複雑になると共に、劈開をすることができず原子レベルで平坦な端面を形成できないという問題がある。
【0006】
一方、特許第2677221号公報には、ヒ化ガリウム基板上にIII 族チッ化物化合物半導体を積層する方法が開示されている。この方法はハイドライド気相成長法を用いて350〜530℃程度の低温でGaNなどの緩衝層を設け、ついで半導体積層部を成長する方法である。しかし、この方法はGaAs基板上に直接GaNなどのチッ化ガリウム系化合物半導体を積層する構造になるため、GaAsの格子定数5.6537Åに対して、立方晶のGaNの格子定数が約4.5Åと大きく異なる。そのため、高不整合ヘテロエピタキシーとなり、積層欠陥が発生しやすく、転移密度をレーザ発光に必要な程度にまで下げることが困難で、結晶性の点においてはサファイア基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体層を積層するより難しい。
【0007】
また、炭化ケイ素基板上にAlNまたはGaAlN系の半導体層を緩衝層として、チッ化ガリウム系化合物半導体を積層する構造のものも知られている。しかし、この構造も前述のサファイア基板上に積層するのと同様に六方晶系のチッ化ガリウム系化合物半導体を高温で積層することが試みられており、六方晶系用の炭化ケイ素基板が用いられている。そのため、基板としてサファイア基板より遥かに高価な基板を使用しなければならず、基板がサファイア基板のほぼ20倍と非常に高く、商業ベースに乗らない。
【0008】
従来の青色の半導体レーザは、前述のように、サファイア基板上にIII 族チッ化物化合物半導体層が積層されているが、サファイアは熱伝導率が0.46W/(cm・K)とSi(熱伝導率1.7W/(cm・K))などに比べて非常に小さい。青色の半導体レーザでは、とくに波長が短いと共に、III 族チッ化物化合物半導体層の結晶性が悪く発熱が大きいため、前述のように、その放熱効率が半導体レーザの特性や信頼性を左右する。そのため、たとえば特開平7−235729号公報に示され、図20にも示されるように、チップを裏向きにして活性層に近い上部のp側電極82が直接サブマウント90に接触するように、ハンダなどの接着剤92を介してダイボンディングされている。この場合、n側電極83は前述のように、凹んだ部分に設けられており、p側電極82とn側電極83との間に段差があり、その厚さ分のハンダ剤91を介在させてダイボンディングをするか、図21に示されるように、サブマウント90の表面に段差を設けておいて、その段差にLDチップ70の段差が一致するように配置してボンディングをしなければならない。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
前述のように、従来のIII 族チッ化物化合物半導体を用いた青色系のLDチップでは、サファイア基板上にIII 族チッ化物化合物半導体が積層されて構成されている関係上、放熱効率を高くするようにマウントするためには、凹んだn側電極83側に厚いハンダ剤91を介在させてボンディングをするか、サブマウント90にLDチップ70の段差と合せた段差を設けてマウントしなければならない。しかし、ハンダ剤91を厚くすると、ハンダ剤91が溶融したときに積層された半導体層(エッチングにより露出する側壁)にハンダが流れ出し、積層されたn形層とp形層とをショートさせたり、リーク電流が多くなる危険性が非常に高い。また、サブマウントに段差を設ける方法の場合、この段差は数μm程度であり、バラツキもあるため、LDチップの段差に一致させた段差を有するサブマウントを大量に供給して歩留りよく半導体レーザを量産するのは難しいという問題がある。さらに、LDチップは1mm四方より小さいものであるため、同一面側に設けられるp側とn側の両電極の間隔も非常に小さく、電極間同士のショートも起りやすいという問題がある。
【0010】
本発明の目的は、チップの上下両面から電極を取り出すことができる垂直型で、かつ、半導体層の結晶性が優れて発光効率が高いと共に、III 族チッ化物化合物半導体を用いた半導体発光素子を安価に提供することにある。
【0011】
本発明の他の目的は、光出射面を劈開により形成することができて平坦性に優れた端面を得ることができる半導体レーザを提供することにある。
【0012】
本発明のさらに他の目的は、III 族チッ化物化合物半導体を用いながら両電極を上下両面から取り出すことができる垂直型のチップとし、高い信頼性でサブマウントにボンディングされ得ると共に、効率よくサブマウントに放熱し得る構造の半導体レーザを提供することにある。
【0013】
本発明のさらに他の目的は、サブマウントからさらに効率よく放熱をすることができると共に、チップの両電極を、サブマウントを介してステムなどの装置側に簡単に電気的に接続することができる構造の半導体レーザを提供することにある。
【0014】
本発明のさらに他の目的は、熱伝導のよい絶縁性のサブマウントを使用しながら、メタルロッドを埋め込むことなく、LDチップの各電極をステムなどのヒートシンクに簡単に接続し得る構造の半導体レーザを提供することにある。
【0015】
本発明のさらに他の目的は、III 族チッ化物化合物半導体を用いた半導体発光素子の閾値電流を下げ、量子微分効率を向上させることができ、低い動作電圧で高い出力が得られると共に、青色よりもさらに波長の長い発光をさせ得るLDなどの半導体発光素子およびその製法を提供することにある。
【0016】
本発明のさらに他の目的は、レーザの閾値電流を下げ、出力特性を向上させるため、適切な電流狭窄層をGaN系化合物半導体層内に作り込むことができる半導体レーザを提供することにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】
本発明において、III 族元素とチッ素との化合物半導体とは、III 族元素のGaとV族元素のNとの化合物またはIII 族元素のGaの一部または全部がAl、Inなどの他のIII 族元素と置換したものおよび/またはV族元素のNの一部がP、Asなどの他のV族元素と置換した化合物からなる半導体を意味する。III 族チッ化物化合物半導体またはチッ化ガリウム系化合物半導体ともいう。
【0018】
請求項1記載の発明による半導体レーザの製法は、(a)劈開性のない第1の基板上に発光層形成部を構成する化合物半導体を積層して半導体積層部を形成し、(b)該半導体積層部の表面に不活性ガスによるプラズマを照射して表面のダングリングボンドを露出させ、(c)該ダングリングボンドが露出した半導体積層部の表面に劈開性のある第2の基板を該第2の基板の劈開面と前記半導体積層部の劈開面とが一致するように貼着し、(d)前記第1の基板を除去し、(e)ついで前記第2の基板を劈開することによりチップ化することを特徴とする。
【0019】
また、別の方法として、積層した半導体積層部の表面に第2の基板を貼着しないで、劈開をすることができない第1の基板を除去し、その露出面に不活性ガスによるプラズマを照射してダングリングボンドを露出させ、その面に第2の基板を貼着する方法でもよい。
【0020】
これらの方法を用いることにより、半導体積層部の表面にダングリングボンドが露出しているため、殆ど温度を上昇させることなく、小さな圧力で圧接するだけで接着し、半導体積層部にストレスが加わらない。そのため結晶性の良好な半導体積層部が得られ、高効率の半導体発光素子が得られる。しかも、劈開面を合せて貼着しているため、容易に劈開をすることができる。
【0021】
前記第1の基板を除去した半導体積層部の一部を劈開することにより前記半導体積層部の劈開面を形成し、前記貼着する第2の基板の一部を劈開することにより前記第2の基板の劈開面を形成し、前記半導体積層部の劈開面と前記第2の基板の劈開面とを揃えることにより、前記半導体積層部と第2の基板の劈開面を一致させれば、両者の劈開面を正確に合せることができる。
【0022】
前記半導体積層部が六方晶系で、その(11−20)面を前記劈開面とし、前記第2の基板が立方晶系でその(011)面を前記劈開面として該劈開面を一致させて貼着することにより、劈開性のよい第2の基板に半導体積層部の劈開面を正確に一致させることができる。
【0023】
請求項5記載の発明による半導体レーザは、III 族チッ化物化合物半導体からなり、少なくとも活性層と、該活性層を挟持する第1導電形クラッド層および第2導電形クラッド層とを有する半導体積層部が基板上に設けられる半導体レーザであって、前記半導体積層部内に、SiまたはAlの酸化物および/またはチッ化物からなる絶縁体からなりストライプ状の開口部を有する電流狭窄層が設けられている。
【0024】
この構造にすることにより、活性層の近くに電流狭窄部が設けられるため、有効に発光領域に電流を注入することができ、閾値の低減、量子効率の増大を同時に実現することができ、高出力化、高信頼性化を達成することができる。
【0025】
前記電流狭窄層のストライプ状開口部から前記電流狭窄層上にラテラル成長によりIII 族チッ化物化合物半導体層が設けられることにより、半導体積層部内に絶縁体からなる電流狭窄層を作り込むことができる。
【0026】
前記第2導電形クラッド層が前記活性層の上層側に設けられ、該第2導電形クラッド層中またはその上にGaNまたはAl組成の小さいAls Ga1- s N(0<s≦0.1)からなるエッチングストップ層を介して前記電流狭窄層が設けられることにより、エッチング時にエッチング液に侵されやすいクラッド層中に含まれるAlが露出せず、再成長界面にダメージを与えないで、この上にIII 族チッ化物化合物半導体を成長することができるため好ましい。
【0027】
前記電流狭窄層がSiまたはAlの酸化物および/またはチッ化物により形成されることにより、半導体層に影響を及ぼすことなく簡単にエッチングをすることができ、ストライプ状の開口部を有する電流狭窄層を作り込むことができる。
【0028】
前記第1導電形および第2導電形のクラッド層と活性層との間にそれぞれ光ガイド層が設けられて導波路を形成することもできる。
【0029】
請求項9記載の半導体レーザの製法は、(a)基板上に緩衝層を堆積し、(b)該緩衝層上にIII 族チッ化物化合物半導体からなる第1導電形クラッド層、活性層および第2導電形クラッド層を含む発光層形成部を積層し、(c)前記発光層形成部上にSiまたはAlの酸化物および/またはチッ化物からなる絶縁膜を成膜し、(d)該絶縁体膜をストライプ状にエッチングすることによりストライプ状の開口部を有する絶縁体からなる電流狭窄層を形成し、(e)該電流狭窄層のストライプ状の開口部に露出する半導体層をシードとして前記電流狭窄層上に第2導電形のIII 族チッ化物化合物半導体をラテラル成長させる、ことを特徴とする。
【0030】
前記絶縁体膜を形成する前にIII 族チッ化物化合物半導体からなるエッチングストップ層を成長し、前記絶縁体膜を酸性溶液によりエッチングすることにより、半導体層に影響を与えることなくストライプ状の開口部を形成することができる。
【0031】
請求項11記載の発明による半導体発光素子は、III 族チッ化物化合物半導体からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップが大きいIII 族チッ化物化合物半導体からなり前記活性層を両面から挟持するn形およびp形のクラッド層とを有する半導体発光素子であって、前記活性層がTl v Ga 1-v N(0<v<1)で表される化合物半導体層からなっている。
【0032】
この構造にすることにより、Tlによる混晶が結晶性よく得られ、低い閾値で緑色程度の長い波長の光でも充分に直接遷移型半導体で発光させることができ、緑色の半導体レーザも得られる。
【0033】
また、前記活性層が量子井戸構造を有し、該量子井戸構造のウェル層が一般式Tlv Ga1-v N(0<v<1)で表される材料で構成されることにより、高い発光効率で発光させることができ、高出力の半導体レーザを得ることもできる。
【0034】
請求項13記載の発明による半導体発光素子の製法は、基板上にMOCVD法により緩衝層を成膜し、III 族チッ化物化合物半導体からなるn形層、活性層、およびp形層を含む半導体積層部を成長し、前記n形層およびp形層にそれぞれ電気的に接続するようにn側電極およびp側電極を形成する半導体発光素子の製法であって、前記活性層の成長時に3価のタリウム化合物をTl元素の反応ガスとして導入し、前記活性層の少なくとも一部にTl v Ga 1-v N(0<v<1)で表される層を成長することを特徴とする。
【0035】
【発明の実施の形態】
本発明の第1の実施形態による半導体発光素子は、図1にその一例である半導体レーザチップの斜視説明図が示されるように、ヒ化ガリウム化合物(GaAs)からなる基板1の表面に、少なくともヒ素、チッ素およびガリウムを含む緩衝層2が設けられている。そして、緩衝層2上にIII 族元素とチッ素との化合物半導体からなるn形層4、14およびp形層6、16を少なくとも有し、発光層を形成すべく積層される発光層形成部11が設けられている。
【0036】
GaAs基板1は、たとえばSiがドープされたn形のものが用いられる。緩衝層2は、たとえばn形GaNx As1-x (0<x<1)からなり、0.01〜0.1μm程度、さらに好ましくは0.03〜0.06μm程度、たとえば0.05μm程度の厚さに設けられる。この範囲外では、表面モホロジが悪くなるからである。
【0037】
この緩衝層2は、たとえばGaNx As1-x (0<x<1)のxが一定の層で成長させることもできるが、GaNx As1-x のxを0から1まで変化させて、図2(a)にGaAs基板1から半導体積層部8までの組成変化の一例が示されるように、GaAs基板1側ではGaAsまたはそれに近い組成で成長を始め、ついで順次半導体積層部8の最下層の組成またはGaNになるように、Asの原料ガスを減らしながら、Nの原料ガスを増加させることにより変化させることができる。このような組成を変化させるには、原料ガスのヂメチルヒドラジン(DDMHy)やアルシン(AsH3 )の供給量を制御するマスフローコントローラ(MFC)を逐次変化させることにより、図2(a)に示されるように連続的に組成が変化する緩衝層2を形成することができる。この緩衝層2の組成の変化は、図2(a)に示されるように連続的でなくても、図2(b)に示されるように段階的に変化させる構造でもよい。たとえば10段階程度に変化させる場合でも、全体で10nm程度であるため、1層は1nm程度となり、成長時間にして2秒程度の変化となり、殆ど連続的変化と異ならない。また、数nm程度の厚さの積層構造であれば、相互間の格子定数が異なっていても、歪みが積算されなく、格子不整合の問題は生じない。一方、前述のように、緩衝層2が組成を変化させない一定の層でも、GaAs基板と半導体積層部のIII 族元素チッ化物との中間の組成であるため、格子定数も中間的な値となり、両者間の格子不整合を緩和する働きをする。
【0038】
さらに、緩衝層2の組成としては、GaNx As1-x に限定されず、AlやInなどの他のIII 族元素やPなどの他のV族元素を含むものを使用することができる。しかし、基板がGaAsであり、緩衝層上に積層される半導体積層部8がGaN系の化合物半導体であるため、Ga、AsおよびNを含む層であることが好ましい。
【0039】
発光層形成部11は、図1に示される例では、n形Aly Ga1-y N(0.05≦y≦0.4、たとえばy=0.12)からなるクラッド層4が4μm程度、n形GaNからなる光ガイド層14が0.1μm程度、In0.02Ga0.98Nからなるバリア層とIn0.15Ga0.85Nからなるウェル層がそれぞれ3〜4層づつ全体で10〜20nm積層された多重量子井戸構造の活性層5、p形GaNからなる光ガイド層16が0.1μm程度、p形Aly Ga1-y N(0.05≦y≦0.4、たとえばy=0.12)からなるクラッド層6が0.8μm程度の厚さでそれぞれ積層されることにより形成されている。また、この発光層形成部11の各半導体層は、立方晶になるように成長することが、GaAs基板が立方晶であるため、結晶性に優れると共に、劈開性がよくなり好ましい。
【0040】
発光層形成部11の構造や各層の材料もこの例に限定されるものではなく、活性層5も量子井戸構造でないバルクのダブルヘテロ接合構造のものでもよく、活性層5がクラッド層4、6よりバンドギャップエネルギーの小さい材料で構成されればよい。図1に示される例のように半導体レーザの場合は、活性層5の屈折率がクラッド層4、6より大きい材料により形成される。そうすることにより、活性層5に光を閉じ込めることができるが、活性層5が薄く充分に光を閉じ込めることができないときは、図1に示される例のように、クラッド層4、6と活性層5との間の屈折率を有する光ガイド層14、16が設けられる。しかし、活性層5で充分に光を閉じ込められれば光ガイド層14、16を設ける必要はない。また、活性層5やクラッド層4、6の材料例も一例で、発光させる波長などにより変えられることはいうまでもない。
【0041】
発光層形成部11上には、p形GaNからなるコンタクト層7が設けられている。これは、電極10とのオーミックコンタクトを得やすくするためのものである。このコンタクト層7上に10μm程度の幅でストライプ状にp側電極10がNi/Alの積層構造により設けられ、GaAs基板1の裏面全面にNi/Auの積層構造からなるn側電極9が形成され、縦(A)×横(B)が、たとえば700μm×500μmの大きさにチップ化することにより、図1に示される構造の半導体レーザチップが形成される。このウェハからチップ化の際に、p側電極10のストライプ方向と垂直方向には、たとえばダイヤモンド針などを用いて700μm間隔で傷をつけ、衝撃を加えることにより劈開し、ストライプ状のp側電極10と平行方向にはダイサーによりダイシングする。その結果、図1の正面に示される光の出射面を平坦な鏡面にすることができる。
【0042】
つぎに、この半導体レーザの製法について説明をする。たとえばMOCVDなどのエピタキシャル成長装置を用いて、基板温度を600℃程度にしてIII 族元素の原料ガスとしてのトリエチルガリウム(TEG)、V族元素の原料ガスとしてのアルシン(AsH3 )、ヂメチルヒドラジン(DDMHy)、n形ドーパントとしてのシラン(SiH4 )を導入して緩衝層2を成長させる。この際緩衝層2の成長を前述のように順次組成を変化させながら行う場合は、AsH3 の流量を順次減らすと共に、DDMHyの流量を順次増やしながら成長を続ける。この成長をすることにより、立方晶のGaAs基板1上に立方晶の緩衝層2が成長する。
【0043】
つぎに、基板温度を750℃程度にし、原料ガスのTEG、DDMHy、およびAlの原料ガスであるトリメチルアルミニウム(TMA)をドーパントガスのSiH4 と共に導入して、n形のAl0.12Ga0.88Nからなるn形クラッド層4を4μm程度成長する。ついで、TMAを止めてn形のGaNからなるn形光ガイド層14を0.1μm程度成長する。さらに、原料ガスのTMAおよびドーパントガスを止めて、トリメチルインジウム(TMI)を、その流量を順次変化させながら導入し、In0.02Ga0.98Nからなるバリア層とIn0.15Ga0.85Nからなるウェル層がそれぞれ3〜4層づつ全体で10〜20nm積層し、多重量子井戸構造の活性層5を成長する。ついで、原料ガスをn形の場合と同様にし、p形ドーパントとしてシクロペンタジエニルマグネシウム(Cp2 Mg)またはジメチル亜鉛(DMZn)を導入し、p形の光ガイド層16およびp形クラッド層6を順次成長し、発光層形成部11を形成する。さらに引き続き同様にp形GaNからなるコンタクト層7を0.8μm程度成長する。この発光層形成部11やコンタクト層7を700〜800℃程度で成長することにより、立方晶で各半導体層を積層することができ、GaAs基板1の立方晶と整合して、結晶性の優れた半導体層が積層される。すなわち、1000℃程度以上になると六方晶の結晶になりやすく、基板1と整合した半導体結晶が得られにくいが、立方晶で成長させることにより、基板1とよく整合され、後述する劈開もスムーズに行うことができる。
【0044】
その後、半導体層が積層された基板1をMOCVD装置から取り出し、チッ素雰囲気中で700℃程度、20分間程度のアニール処理を行って、最上層のコンタクト層7などのp形層の低抵抗化を行う。その後、GaAs基板1の裏面を研削、ポリッシュなどにより研磨し、80μm程度に薄くし、基板1の裏面全面に真空蒸着などによりNiおよびAuをそれぞれ0.1〜1.5μm程度づつ成膜してn側電極9を形成する。さらに、積層された半導体層の表面のコンタクト層7上にリフトオフ方によりNiおよびAlを同様に0.1〜1.5μm程度づつ成膜し、図1に示されるように10μm程度の幅の、ストライプ状のp側電極10を500μm間隔になるように形成する。そして、p側電極10のストライプ方向と垂直方向に700μm程度の間隔でダイヤモンド針により傷を入れ、衝撃を与えることにより劈開し、p側電極10と平行な方向にウェハをダイシングすることにより、図1に示されるようにチップ化する。
【0045】
第1の実施形態の半導体発光素子によれば、基板にGaAsを使用しながら、緩衝層として、GaAsからIII 族チッ化物化合物半導体につながるGa、As、Nを含む化合物半導体層を設けているため、基板と半導体積層部間の格子不整合を抑えることができ、結晶性の優れたIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができる。その結果、GaAs基板を用いた青色系(紫外から黄色など)の半導体発光素子を高い発光効率で得ることができる。
【0046】
さらに、GaAs基板を用いているため、チップの上下からp側電極およびn側電極をそれぞれ取り出すことができ、従来のようにたとえばn側電極を設けるために積層した半導体層の一部をエッチングなどにより除去する必要がなく、非常に製造工程が簡単になると共に、使用する側でも、ダイボンディングするだけで一方の電極を電気的にリードと接続することができ、ワイヤボンディングを減らすことができる。
【0047】
さらに、GaAs基板上に立方晶の半導体層を積層することにより、基板から半導体積層部が立方晶により整列するため、非常に優れた劈開をすることができ、とくにレーザ素子を作製する場合に平坦性の優れた端面を有する共振器が得られ、発振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0048】
この例では、p側電極をストライプ状にしただけの電極ストライプ構造の半導体レーザであったが、ストライプ状電極の両側の半導体層をp形クラッド層の上部までをメサ型形状にエッチングするメサストライプ構造や、プロトンなどを打ち込んだプロトン打込み型にすることもできる。さらに、電流制限層を埋め込む屈折率導波型構造にすることもできる。
【0049】
さらに前述の例では、半導体レーザの例であったが、発光ダイオード(LED)でも同様にチップの上下両面から電極を取り出す垂直型のLEDチップを得ることができ、取扱性が非常に向上すると共に、電極を接続するためのエッチングが不要となり、さらにウェハから各チップへの分割が非常に容易になり、製造工程が簡略化される。この場合、LEDでは、光導波路を形成する必要はなく、光ガイド層が不要であると共に、活性層はダブルヘテロ接合または単一量井戸の構造にすることが好ましい。また、LEDの場合、ダブルヘテロ接合構造でなくてもpn接合構造でもよい。さらに、上面から光を取り出す構造にする場合が多く、表面側の電極を小さくする必要があるため、電流を拡散しやすく光を透過させる透明型のp側電極を、たとえばITOなどにより形成することが好ましい。
【0050】
第1の実施形態によれば、上下両面に電極を設ける垂直型の青色系の半導体発光素子が得られるため、製造工程が簡単でコストダウンを行うことができると共に、使用段階でもワイヤボンディングを減らすことができ、使用しやすい半導体発光素子が安価に得られる。
【0051】
さらに、劈開することができるため、優れた端面を有するレーザ共振器が得られ、高い記憶密度を有する光ディスクメモリや、レーザビームプリンタの高精細化に利用できる短波長の高性能の半導体レーザが得られる。
【0052】
以上の第1の実施形態では、基板としてGaAs基板を用いたが、ゲルマニウム(格子定数5.6575Å)がGaAs(格子定数5.6537Å)と格子定数などの点から非常に近い結晶特性を有している。そのため、GaAs基板1に代えて、ゲルマニウム基板1を用い、図3に示されるように、同様の構造のLDチップを製造した結果、同様に結晶性のよいGaN系化合物半導体層が得られた。図3の構造は、ゲルマニウム(Ge)からなる基板1の表面に、少なくともヒ素、チッ素およびガリウムを含む緩衝層2が設けられている。そして、緩衝層2上にIII 族元素とチッ素との化合物半導体からなるn形層4、14およびp形層16、6を少なくとも有し、発光層を形成すべく積層される発光層形成部11が設けられている。
【0053】
Ge基板1は、たとえばリン(P)がドープされたn形のものが用いられる。緩衝層2は、前述の例と全く同じに構成することができ、他の半導体積層部などの構造も同様に形成できる。同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。しかし、Geを基板として用いる場合、緩衝層2の組成としては、GaNx As1-x に限定されず、AlやInなどの他のIII 族元素やPなどの他のV族元素を含むものを使用することができる。また、低温で成膜することにより、サファイア基板上に設けるのと同様にAlz Ga1-zN(0≦z≦1)をバッファ層としても、立方晶のIII 族チッ化物化合物半導体を成長させることができた。なお、基板がGeであり、緩衝層上に積層される発光層形成部11がGaN系の化合物半導体であるため、Geと格子定数などが近いGaAsのGa、AsおよびNを含む層であることが好ましい。
【0054】
第2の実施形態の半導体発光素子は、図4にその一例のLDの斜視図が示されるように、シリコン基板1上に炭化ケイ素層23が設けられ、その炭化ケイ素層23上にIII 族元素とチッ素との化合物半導体からなりn形層4、14およびp形層16、6を少なくとも有し、発光層を形成すべく積層される発光層形成部11が設けられている。
【0055】
前述のように、従来はチッ化ガリウム系化合物半導体の積層を六方晶系で積層していたが、本発明者らの検討の結果、立方晶系で成長させても結晶欠陥の少ない半導体層を積層すれば高輝度の発光ダイオードや高出力のレーザダイオードが得られることを見出し、Si基板上にSiと馴染みのよいSiC層を設け、その上にチッ化ガリウム系化合物半導体を立方晶系で成長させることにより、結晶欠陥の少ない半導体積層部を得ることができ、本発明がなされた。
【0056】
Si基板1は、通常のICに用いられる基板で、その表面に炭化処理によりSiC膜22が100Å程度設けられ、その上にSiC層23が2μm程度成膜されている。炭化処理によるSiC膜22は、Si基板1の結晶と合せてSiC層23を成長させやすくするためのもので、炭化処理によりSi基板1の結晶に沿ってSiC膜22が形成される。このSiC膜22の結晶をシードとしてSiC層23が成長することにより、SiC層23もSiの結晶に沿って立方晶系で成長する。炭化処理によるSiC膜22は、Siの結晶とSiCの結晶が整合するようにするために設けられるもので、前述の100Å程度あれば充分で、余り長時間の炭化処理を行っても内部まで炭化は進まない。また、SiC層23は、Si基板1との整合性を保持しながらGaN系化合物半導体層を積層するためのベースとする層で、GaN系化合物半導体を安定に成長させるのに十分な層にする必要があり、0.5〜5μm程度、さらに好ましくは1〜3μm程度の厚さに設けられる。
【0057】
SiC層23上に、たとえばAl0.1 Ga0.9 Nからなる緩衝層2が0.1μm程度の厚さ、600℃程度の低温で設けられる。これは、SiC層23と発光層形成部11との格子定数の差は少ないといっても、GaNに対して3.5%程度あり、それに基づく格子不整合を緩和するためのものである。この緩衝層2は、従来炭化ケイ素上にGaN系化合物半導体層を積層する場合に用いられるAlz Ga1-z N(0≦z≦1)またはこれらに他の元素が加えられたり、置換されたものなどを使用することができる。この緩衝層2は、0.01〜0.2μm程度設けられれば十分である。
【0058】
発光層形成部11、コンタクト層7などの構造は前述の例と同様で、その説明を省略する。この例では、p側電極10がNi/Alの積層構造により設けられ、GaAs基板1の裏面全面にNi/Auの積層構造からなるn側電極11が形成されている。また、この例でも、発光層形成部11の各半導体層は、立方晶になるように成長することがSi基板1およびSiC層23が立方晶であるため、結晶性に優れると共に、劈開性がよくなり好ましい。
【0059】
つぎに、この半導体レーザの製法について説明をする。まず、厚さが450μm程度のn形のSi基板1を反応炉内に設置して、アセチレン(C2 H2 )と水素の雰囲気中で、1020℃程度で60分程度保持することにより炭化処理を行い、100Å程度のSiC膜22を形成する。ひきつづき、同一炉内でシリコンの原料ガスとして、ジクロルシラン(SiH2 Cl2 )、炭素の原料ガスとして、アセチレンを導入し、熱CVD法によりSiC層23を2μm程度成長する。つぎに、たとえばMOCVDなどのエピタキシャル成長装置を用いて、基板温度を600℃程度にしてn形のAl0.1 Ga0.9 Nからなる緩衝層2を0.1μm程度成長する。このとき用いる材料は、たとえばIII 族元素の原料ガスとしてのトリエチルガリウム(TEG)、トリメチルアルミニウム(TMA)、V族元素の原料ガスとしてのアンモニア(NH3 )、n形ドーパントとしてのシラン(SiH4 )を導入する。その後、前述の例と同様に、発光層形成部11やコンタクト層7などの成長をし、電極を形成することにより製造される。
【0060】
第2の実施形態による半導体発光素子によれば、Si基板上にSiC膜が設けられており、その上に立方晶SiC層が設けられているため、少ない結晶欠陥で立方晶SiC層を成長することができる。さらにSiC層上にIII 族チッ化物化合物半導体積層部が設けられており、SiC層とGaN系化合物半導体層との格子定数の差は小さいため、格子不整合が生じにくく結晶性の優れたIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができる。その結果、Si基板と同じ立方晶系のIII 族チッ化物化合物半導体層が少ない結晶欠陥で積層され、Si基板を用いた青色系の半導体発光素子を高い発光効率で得ることができる。すなわち、従来のIII 族チッ化物化合物半導体層を六方晶系で積層するという発想を変えて、立方晶系でも結晶性がよければ高い発光効率が得られるという知見に基づき、立方晶系で積層することにしたため、基板としてSiを用い、その表面に整合性の取れたSiC層を設けることにより、立方晶系で基板と整合の取れたGaN系化合物半導体結晶層を得ることができた。
【0061】
さらに、Si基板を用いているため、前述の例と同様に、チップの上下からp側電極およびn側電極をそれぞれ取り出すことができ、非常に製造工程が簡単になると共に、使用する側でもワイヤボンディングを減らすことができる。
また、Si基板上に立方晶の半導体層を積層することにより、基板から半導体積層部が立方晶でエピタキシャル成長するため、非常に優れた劈開をすることができ、とくにレーザ素子を作製する場合に平坦性の優れた端面を有する共振器が得られ、発振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0062】
前述の例では、p側電極をストライプ状にしただけの電極ストライプ構造の半導体レーザであったが、他の構造でもよいことも前述の例と同様である。さらに、LEDにしても、前述と同様の構成にすることができ、同様のメリットがある。
【0063】
この例によっても、上下両面に電極を設ける垂直型の青色系の半導体発光素子が得られるため、製造工程が簡単でコストダウンを行うことができると共に、使用段階でもワイヤボンディングを減らすことができ、使用しやすい半導体発光素子が安価に得られる。さらに、劈開することができるため、優れた端面を有するレーザ共振器が得られ、高い記憶密度を有する光ディスクメモリや、レーザビームプリンタの高精細化に利用できる短波長の高性能の半導体レーザが得られる。
【0064】
図5〜6は、基板を導電性基板とすることにより垂直型発光素子を得る、第3の実施形態の説明図である。すなわち、この例は、半導体層を積層した後、新たな基板を貼り付けてサファイア基板を除去することにより、劈開をも可能とするものである。一方、たとえば特開平9−129984号公報には、サファイア基板上に積層した半導体積層部の表面側またはサファイア基板を薄くしてサファイア基板の裏面にInP基板を接合して劈開する技術が開示されている。この新たな基板を張り付ける方法としては、600〜700℃程度に加熱して圧着する方法が採られている。このように、劈開するための基板を高温で圧着すると、その圧着面に歪みが入り、圧着後の冷却時に圧着部から半導体積層部にクラックが入り、さらにその後の取扱時や動作時にクラックが発展し、結晶性が低下して発光特性が低下する。
【0065】
また、サファイア基板を完全に除去しないで新たな基板を接合すると、サファイア基板が半導体積層部と新たな基板によりサンドイッチされた構造となり、サファイア基板を挟んで劈開しなければならない。しかし、サファイアに劈開性がないため、10μm程度の非常に薄い半導体積層部をきれいに劈開することができず、サファイアの割れにつられて割れ、発光する端面をきれいな鏡面に形成することができない。
【0066】
この実施形態では、まず、図5(a)に示されるように、たとえばサファイア基板からなる劈開性のない第1の基板21上に発光層形成部11を構成する化合物半導体を積層して半導体積層部12を形成する。そして、図5(b)に示されるように、半導体積層部12の表面に不活性ガスによるプラズマを照射して表面のダングリングボンドを露出させる。その後、図5(c)に示されるように、ダングリングボンドが露出した半導体積層部12の表面に、同様に不活性ガスによるプラズマ照射をされた劈開性のある第2の基板1をその第2の基板1の劈開面と前記半導体積層部12の劈開面とを一致させて貼着する。ついで、図5(d)に示されるように、劈開性のない第1の基板を除去する。その後、図5(e)に示されるように、電極9、10を設けると共に、ストライプ状のp側電極10と垂直方向に第2の基板1を劈開することによりチップ化することを特徴とする。以下に詳細に説明をする。
【0067】
まず、サファイア基板21をMOCVD装置に入れ、H2 ガスのみを流す雰囲気中で、基板21の温度を1080℃程度で1分間のサーマルクリーニングを行う。つぎに、500℃程度でGaNからなる緩衝層2を0.5μm程度成膜する。このとき用いる反応ガスは、たとえばIII 族の材料としてトリエチルガリウム(TEG)、V族の材料としてアルシン(AsH3 )、ジメチルヒドラジン(DDMHy)、n形ドーパントとしてシラン(SiH4 )などを用いる。つぎに、基板温度を1050℃程度に昇温し、n形GaNからなるn形コンタクト層3を10μm程度と厚く成長させる。さらに反応ガスにトリエチルアルミニウム(TEA)を導入して、たとえばAl0.12Ga0.88Nからなるn形クラッド層4を4μm程度成長し、基板温度を800℃程度に下げる。そして、たとえばIn0.15Ga0.85Nからなるn形光ガイド層14を0.1μm程度、ノンドープのIn0.02Ga0.98N/In0.2 Ga0.8 Nがそれぞれ3〜4層づつ積層された多重量子井戸構造からなる活性層5が全体で10〜20nm程度、p形In0.15Ga0.85Nからなるp形光ガイド層16を0.1μm程度、p形Al0.12Ga0.88Nからなるp形クラッド層6を0.8μm程度、GaNからなるp形コンタクト層7を1μm程度それぞれ順次成長して、図5(a)に示されるように、半導体積層部12を形成する。なお、n形クラッド層4、n形光ガイド層14、活性層5、p形光ガイド層16、およびp形クラッド層6が発光層形成部11を構成する。
【0068】
つぎに、半導体積層部12が形成されたウェハを、プラズマ源を備えた真空装置に入れて、図5(b)に示されるように、Arプラズマを照射する。このプラズマ照射は、10-4Torr台の圧力下で5〜15分程度行う。その結果、半導体積層部12の表面の酸化物や汚れがとれ、清浄表面となり、ダングリングボンド(未結合手)が露出する。この際、第2の基板である劈開性のある、たとえばGaP基板1も、同様に同一装置内でプラズマを照射して清浄表面にする。
【0069】
つぎに、GaP基板1の劈開面と半導体積層部12の劈開面とを一致させて重ね合せ、圧力を少し加えることにより貼着する。この劈開面を合せるには、半導体積層部の劈開面は、後に形成するストライプ状電極9を劈開面と垂直になるように形成する必要があり、サファイア基板のオリフラなどを基準にして知られており、GaP基板1もオリフラの方向で劈開面が既知であるため、必要な角度だけ回転させることにより両者の劈開面を一致させることができる。この劈開面の一致度は、±2゜以内に合せることがきれいな劈開面を得るために必要である。この際、劈開面として、半導体積層部12は(11−20)面を、GaP基板1は、(011)面を用いるのが相方劈開面のため好ましい。
【0070】
つぎに、サファイア基板21を除去し、図5(d)に示されるように、GaP基板1上に半導体積層部12が設けられたウェハとする。このサファイア基板21の除去は、GaP基板1を保持し、研磨材を用いた研削処理によりほぼサファイア基板21がなくなるまで研削し、その後ケミカルポリッシュにより表面を鏡面処理する。なお、サファイア基板を除去する際に、緩衝層2およびコンタクト層3の一部まで除去される。
【0071】
その後、基板1の裏面全面にNi/Al層をたとえば蒸着によって形成し、半導体積層部12の表面には10μm幅のNi/Au層からなるストライプ状のn側電極9を、たとえば500μm間隔になるようにそれぞれ形成する。このウェハにストライプ状のn側電極9と垂直方向に、ダイヤモンド針などを用いて、たとえば700μm間隔で傷をつけ、傷に沿って劈開を行うことにより、図5(e)に示されるように、チップ化する。なお、ストライプ状の電極9と平行方向の分離は、ダイシングにより行われる。その結果、両電極9、10が上下両面に設けられた垂直型(表裏両面にそれぞれの電極が設けられる構造)で、劈開面を共振器端面とする半導体レーザが得られる。
【0072】
前述の例では、サファイア基板21上に形成した半導体積層部12の表面にGaP基板1を貼着してからサファイア基板1を除去したが、半導体積層部12を形成した後、その表面にフィルムなどを貼着して保持し、サファイア基板1を除去してからその除去により露出した面にGaP基板13を貼着することもできる。この製造工程が図6に示されている。
【0073】
まず、前述の図5(a)に示されるのと同様にサファイア基板21上にGaNからなる緩衝層2および各半導体層を積層して半導体積層部12を形成する。そして、その表面に紫外線(UV)硬化フィルムを貼着するなどして半導体積層部12を保持し、サファイア基板21を前述と同様に研削して除去する。このサファイア基板が完全に除去された後は、前述と同様にケミカルポリッシュにより鏡面処理をする。鏡面処理された面は硫酸系溶液によりライトエッチングをした後、純水洗浄をし、乾燥させる。
【0074】
そして、研磨された面に、図6(a)に矢印で示されるように、前述と同様のArプラズマ照射をし、半導体積層部12の研磨面にダングリングボンド(未結合手)を露出させる。その後、前述の例と同様にGaP基板1を貼着する(図6(b))。この場合、半導体積層部12およびGaP基板1の一部を劈開してその位置を合せることにより、劈開面を合せることができる。その後、GaP基板1の裏面全面にNi/Au層によるn側電極9、および10μm幅程度のストライプ状のNi/Al層からなるp側電極10を500μm間隔で形成し、ストライプ状のp側電極10と直角方向に、たとえば700μm間隔で傷をつけ、劈開によりチップ化する(図3(c))ことにより、共振器端面を劈開による鏡面にした半導体レーザが得られる。この例では、前述の例と異なり、半導体層を積層する下の層がそのまま基板1側になり、従来と同様のn形層が基板1側に存在する構造になる。
【0075】
第3の実施形態によれば、GaN系やZnO系などの化合物半導体で、サファイア基板などの劈開することができない基板上に半導体層を積層するタイプでも、半導体積層部を形成後に基板を劈開しやすい基板にしているため、非常にきれいな劈開面を得ることができ、発光特性の優れた半導体レーザを得ることができる。さらに、固いサファイア基板からチップ化しなくてもよいため、作業が簡単で歩留りも向上する。
【0076】
第4の実施形態の発明による半導体レーザは、図7にその一例の斜視説明図が示されるように、レーザチップ(以下、LDチップという)30が導電性基板1と、その導電性基板上に設けられるIII 族チッ化物化合物半導体からなり、少なくとも活性層、該活性層を挟持する第1導電形クラッド層および第2導電形クラッド層を有する半導体積層部12と、その半導体積層部12の上面側に設けられる第1の電極(p側電極)10と、導電性基板1の裏面に設けられる第2の電極(n側電極)9とからなっている。そして、p側電極10がサブマウント30と接するようにLDチップ31がボンディングされている。
【0077】
すなわち、本発明者らは、前述のように、基板としてGaAs、Si、Geを用いて、その上にIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができることを見出した。このような導電性基板上にIII 族チッ化物化合物半導体を積層したLDチップを用いることにより、電極同士の接触の危険性をなくしながら放熱効率よくサブマウント上にボンディングをすることができる。
【0078】
LDチップ30は、たとえば図1、3および4に示されるような構造になっている。サブマウント31は、たとえばSi基板の表面にAlNまたはSiCからなる絶縁膜が形成されたものからなっている。従来Si基板の表面にSiO2 などの絶縁膜が設けられたものは使用されているが、III 族チッ化物化合物半導体からなるLDチップでは、前述のように、とくに発熱しやすく、その放熱が素子の信頼性などに非常に大きく影響する。そのため、本発明では、熱伝導率の大きいAlN(熱伝導率3.5W/(cm・K))またはSiC(4.9W/(cm・K))が、たとえば熱CVD法で0.1〜0.8μm程度の厚さに設けられている。そして、その表面に、たとえば蒸着などによりAlなどからなる導電膜34が設けられて一方の電極用とされ、さらに絶縁膜の一部が除去されてSi半導体層35の露出部が形成されて他方の電極用とされている。
【0079】
このサブマウント31の端部で、導電膜34上にp側電極10が重なるようにLDチップ30が裏向き(フェースダウン)に載置されてハンダ剤などの導電性接着剤36により、電気的に接続されてボンディングされている。LDチップ30の他方のn側電極9は金線38などにより露出したSi半導体層35と電気的に接続されている。Si基板は導電性であるため、他方のn側電極9はサブマウント31の裏面側に導出される。そのため、このサブマウントがステムなどのヘッダなどにマウントされることにより、他方のn側電極9はヘッダに電気的に接続される。一方、p側電極10は導電膜34とステムなどに固定されたリード39との間で金線38などにより接続されることにより、p側電極10がリード39に電気的に接続されている。
【0080】
第4の実施形態の発明によれば、青色系のLDチップをGaAsの導電性基板にIII 族チッ化物化合物半導体層を積層して垂直型のチップとしているため、とくに放熱を必要とされる青色系のLDチップの活性層に近い側の電極を電極間の接触などの危険性なく直接サブマウントにボンディングすることができる。その結果、熱伝導のよいサブマウントに効率良く放熱することができ、サブマウントからさらにステムのヘッダなどに熱を逃がすことができる。
【0081】
サブマウントとして、Si基板の表面にAlNまたはSiCのような熱伝導率の大きい絶縁膜が設けられたものを使用することにより、サブマウントに伝導した熱を非常に速やかに放熱することができ、LDチップの温度上昇を防止することができる。さらに、Si基板を用いることにより、一方の電極を直接サブマウントの裏面に導出することができ、電極の電気的接続が非常に容易になる。
【0082】
サブマウントして、AlNまたは絶縁性のSiCを使用しても熱伝導率が高く非常に好ましい。この場合、サブマウントの一部に貫通孔を設けてその中にメタルロッドを埋め込むことにより、一方の電極を表面側で接続すればサブマウントの裏面に直接その電極端部が導出され、前述のSi基板を用いるのと同様に、ヘッダなどに導電性接着剤によりマウントするだけでその電極を電気的に接続することができる。
【0083】
なお、LDチップ30が、Si基板上にSiCを介して半導体積層部が設けたものを用いる場合は、SiC(熱伝導率4.9W/cmK)およびSi(熱伝導率1.7W/cmK)の熱伝導率がGaAs(熱伝導率0.47W/cmK)やサファイア(熱伝導率0.46W/cmK)より大きいため、つぎに説明するように、基板側をサブマウントに接触するようにボンディングしても放熱効果を充分に得ることができる。その結果、ボンディング面から活性層までの距離が充分にあるため、一層半導体層間のショートの危険性がなくなる。
【0084】
すなわち、図8に他の例の同様の説明図が示されている。この例では、LDチップ30として、前述のSi基板の表面にSiC層(立方晶系で導電性)が設けられ、その上に緩衝層としてAlGaN系の半導体層を介在させてIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することにより形成した青色系のLDチップが用いられている。そして、前述のようにSiCおよびSiの熱伝導率が高いことを利用して、基板1側を下側にし、n側電極9がサブマウント31上の導電膜34と接触するようにボンディングされている。また、この例では、サブマウント31として、アモルファス(絶縁性)のSiC基板が用いられ、その一部にメタルロッド35aがサブマウント31の裏面に露出するように設けられている。そして、p側電極10が金線38によりメタルロッド35aとワイヤボンディングされることにより、p側電極10がサブマウント31の裏面に導出されている。
【0085】
この例によれば、LDチップ30の基板が下側に設けられているため、サブマウント31の表面から活性層までの距離が100μm程度(図では概念図として書かれているが、LDチップの基板は80〜100μm近くあるに対して、半導体積層部12は全体で数μm程度である)と充分にあるため、ボンディング時の導電性接着剤36が多すぎて盛り上がっても半導体層を短絡する危険性が完全になくなる。その一方で、前述のように、SiCおよびSiはその熱伝導率が非常に大きいため、充分に熱放散をすることができ、熱による発光効率を低下させることがなくなる。すなわち、熱を充分に放散しながらボンディングの信頼性を充分に向上させることができる。
【0086】
第4の実施形態の発明によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いたLDチップの放熱を充分に行いながら、信頼性よくサブマウントにボンディングをすることができる。その結果、熱による発光効率の低下や半導体層の劣化がなくなり、高出力で高寿命の青色系の半導体レーザが得られる。
【0087】
図9〜12は、このサブマウントをヒートシンクにマウントする構造の改良例である。すなわち、前述のように、熱放散のよいサブマウントが要求され、AlNやSiCを用いられるが、SiCやAlNは絶縁体である。そのため、サブマウントを介して一方の電極をヒートシンクと電気的に接続することができず、前述のように、絶縁体のサブマウント内にメタルロッドが埋め込まれ、そのメタルロッドを介してサブマウントの裏面に一方の電極を導出する構造がとられる場合がある。なお、たとえばCDに用いられる半導体レーザでは、LDチップの大きさは、縦×横×厚さが0.25mm×0.25mm×0.1mm程度で、サブマウントの大きさは、縦×横×厚さが0.8mm×0.5mm×0.4mm程度で、これを組み込んだ半導体レーザの外形の大きさは直径×高さが5.6mmφ×8mm程度の大きさである。
【0088】
前述のように、AlNやSiCなどにメタルロッドを埋め込むことは、これらの材料が非常に硬いため、難しく、コストアップになる。そのため、熱伝導率の高い材料をサブマウントとして使用しにくい。一方、LDチップの電極を絶縁性のサブマウントの表面に設けられる配線膜を介してワイヤボンディングによりヒートシンクなどと電気的に接続しようとしても、小形のパッケージではワイヤボンディングをすることができない。すなわち、パッケージの制約からヒートシンクの面積がサブマウントの面積より僅かに大きい程度(空きの間隔が0.5〜1mm程度)で、ワイヤボンディングのためのキャピラリ(太さが1.5mmφ程度)を挿入するスペースが殆どなく、サブマウントにぶつかりサブマウントを破損する。しかも、サブマウントの厚さが0.4mm程度あるため、サブマウントの表面とその底面であるヒートシンクの表面とを自動認識することができない。
【0089】
さらに、サブマウントの裏面に直接一方の電極が導出される構造では、ユーザの要求により、n側とp側の極性の変更を要求される場合に、サブマウントの構造から変更しなければならない。この実施形態は、熱伝導のよい絶縁性のサブマウントを使用しながら、メタルロッドを埋め込むことなく、LDチップの各電極をステムなどのヒートシンクに簡単に接続し得るようにするものである。
【0090】
第5の実施形態の半導体レーザは、図9にその一実施形態のキャップを取り外した状態の斜視説明図およびそのサブマウント部の拡大説明図が示されるように、LDチップ30が絶縁性または一部が絶縁性材料からなるサブマウント31にダイボンディングされている。そして、そのサブマウント31がヒートシンク部40に搭載されている。ヒートシンク部40には段差が形成されており、段差の低い面41に前記サブマウント31が搭載され、段差の高い面42に前記サブマウント31との間でワイヤボンディングがされている。
【0091】
ヒートシンク部40は、たとえば銅などの熱伝導のよい金属材料からなり、図9に示される例では、ステム43に固定され、ステム43に固定された第1のリード44と電気的に接続されている。このヒートシンク部40は、図9に示されるように、段差が設けられており、その低い面41にサブマウント31がインジウムなどのハンダ剤36などにより接着されている。この段差は、サブマウント31の高さとほぼ同じ高さ程度の段差が形成され、サブマウント31の表面と段差の高い面42とがほぼ面一になるように形成されている。その結果、サブマウント31の表面の配線膜33との間で金線38などによるワイヤボンディングをする場合に、キャピラリを狭い幅に挿入しなくてすむと共に、ワイヤボンディング時に高さの差が殆どないため自動認識をすることができる。
【0092】
LDチップ30は、たとえば図4に示される構造のものを使用することができるが、図1または3などの構造や、その他の構造のものを使用することができる。
【0093】
サブマウント31は、この例ではたとえばSiC基板からなっており、その大きさは縦×横×高さが、たとえば0.8mm×0.5mm×0.4mm程度の大きさで形成されており、その表面にAl被膜などにより電極パターンである第1および第2の配線膜33、34が形成されており、その裏面にはAu/Snなどが被膜されて金属膜32が形成されている。その結果、ハンダ剤36によりヒートシンク部40と容易に接着することができる構造になっている。この第2の配線膜34上に前述のLDチップ30のp側電極が図示しないAu/Snなどの導電性接着剤によりボンディングされて第2の配線膜34にp側電極が接続され、LDチップ30のn側電極は金線38によるワイヤボンディングにより、第1の配線膜33と電気的に接続されている。そして、このサブマウント31がヒートシンク部40に搭載(ハンダ剤36などにより接着)された後に、第1の配線膜33とヒートシンク40の高い面42、および第2の配線膜34と第2のリード45との間が金線38などによりそれぞれワイヤボンディングされている。これにより、LDチップ30のn側電極は、ヒートシンク部40の高い面42を介してステム43の第1のリード44と、p側電極はステム43の第2のリード45とそれぞれ電気的に接続されている。
【0094】
このサブマウント31は、SiCでなくても、熱伝導率が大きい材料であればよく、前述のように、たとえばAlN、裏面側にSiCやAlNの熱伝導率が大きい絶縁性被膜が設けられるSi基板などを用いることができる。
【0095】
ステム43には第1および第2のリード44、45の他に、電気的に分離して第3のリード46が固定されており、ステム43上にボンディングされたモニター用受光素子47の一方の電極と、同様に金線38などにより電気的に接続されている。このモニター用受光素子47は、LDチップ30の出力の変動をモニターし、常に一定になるようにLDチップ30の駆動電力を調整することができるようにするものである。この周囲に図示しないキャップが被せられることにより、ピックアップ用の半導体レーザが得られる。
【0096】
この例によれば、LDチップ30がボンディングされたサブマウント31が搭載されるヒートシンク部40に段差が設けられて、その低い面にLDチップ30がボンディングされているため、サブマウント31の表面とヒートシンク40の高い面とがほぼ面一になり、サブマウント31が熱伝導率の大きい絶縁性材料からなり、小さいヒートシンク40上に搭載されても、サブマウント31の表面を介して、LDチップ30の各電極の電気的接続をワイヤボンディングにより簡単に行うことができる。その結果、熱伝導率の大きいSiCやAlNなどをサブマウントとして用いることができ、LDチップの放熱効率が向上し、高出力化や高信頼性を確保することができる。
【0097】
また、この例によれば、両電極共にワイヤボンディングによりステムのリードと電気的に接続することができるため、ユーザにより電極の極性の異なるものを要求される場合でも、ワイヤボンディングの接続を変更するだけで済み、非常に簡単にユーザの要求を満たした半導体レーザを得ることができる。
【0098】
図10は、第5の実施形態による半導体レーザの他の例を示す図で、ヒートシンクの段差の変形例を示す図である。すなわち、段差はヒートシンク40の全体に亘って形成されている必要はなく、その一部に高い部分42があればよい。そのため、ヒートシンク部40のスペースのある部分に段差の高い部分が設けられておればよい。なお、他の部分は図9に示される例と同じで、同じ符号を付してその説明を省略する。このような構造にすれば、サブマウント31の搭載を障害なく行うことができ、小さいヒートシンク部40でもサブマウント31の搭載およびワイヤボンディングを容易に行うことができる。
【0099】
図11は、さらに他の例を示す図で、極性を変える例を示す図である。この例では、サブマウント31上の電極パターンである第1および第2の配線膜33、34が図9の例と逆に形成された例で、LDチップ30のボンディングなどは図9に示される例と同様に行うことにより、第1のリード44にLDチップ30のp側電極を第2の配線膜34を介して、第2のリード45側にn側電極を第1の配線膜33を介して、それぞれ接続することができる。なお、他の部分は図9の例と同じで、同じ符号を付してその説明を省略する。この例では第1および第2の配線膜の配置を変えたサブマウントを用いたが、サブマウントは図9と同じでワイヤボンディングだけを変更することもできる。
【0100】
図12は、さらに他の例を示す図で、この例はLDチップ30の基板がサファイアなどの絶縁性基板からなる場合の例である。サファイア基板は熱伝導率が余り大きくないため、基板をサブマウント31にボンディングするのは熱の放散の関係からは余り好ましくはないが、ボンディング性からは優れている。すなわち、LDチップ30の基板が絶縁性であるため、積層された半導体積層部の一部がエッチングなどにより除去されて露出するn形層にn側電極が設けられているため、n側電極とp側電極とが同一面側、すなわちLDチップ30の上面側に設けられており、両電極がサブマウント31表面の配線膜33、34にそれぞれ金線38などによりワイヤボンディングされている。したがって、第1および第2の配線膜33、34とヒートシンク40の高い面42および第2のリードとの間でそれぞれ金線38などによりワイヤボンディングをすることにより、図9の例と同様に各電極とリードとを電気的に接続することができる。
【0101】
第5の実施形態の発明によれば、小さいパッケージで熱放散をよくする必要がある半導体レーザでも、熱伝導率のよい絶縁性材料をサブマウントとして使用することができ、非常に効率よく熱を放散させることができる。その結果、LDチップの出力を大きくすることができると共に、その信頼性を非常に向上させることができる。とくに、LDチップがIII 族チッ化物化合物半導体からなる場合には発熱しやすいが、本発明により温度上昇を抑制することができ、高出力で長寿命の青色系の半導体レーザが得られる。
【0102】
図13は第6の実施形態のLDチップを示す説明図である。すなわち、前述のような放熱効果をよくしても、GaN系化合物半導体からなる発光素子は充分に低い動作電圧で高い出力を得にくい。その一つに光共振器の一部を構成する端面の平坦性が悪いところにあり、その改良を試みたものである。
【0103】
従来のGaAs系の化合物半導体を用いた半導体レーザでは、結晶性がよいため劈開によりきれいな鏡面が得られるが、その表面準位の密度が高く、端面破壊(COD)が生じやすいため、保護のためにその端面に絶縁体膜の積層が行われることがある。
【0104】
また、たとえば特開平8−191171号公報や特開平9−270569号公報に示されるように、III 族チッ化物化合物半導体を積層した青色系の半導体レーザでは基板に六方晶系のサファイア基板が用いられることにより、劈開をすることができず、その反射率を高めるため、その端面に誘電体膜の多層膜を設け、反射率を高めることがなされている。
【0105】
前述のように、従来のIII 族チッ化物化合物半導体を用いた青色系のLDチップでは、一般的にはサファイア基板上にIII 族チッ化物化合物半導体が積層されて構成されている関係上、劈開をすることができず、しかもIII 族チッ化物化合物半導体層は非常に化学的にも強いため、その端面はRIE法などの物理的エッチングにより形成されている。この物理的エッチングではイオンの衝撃やコンタミネーションの付着などにより、その表面は完全な平坦性が得られない。このような完全な平坦性が得られない端面に誘電体膜を積層しても、その平坦性を充分に補正することができず、完全な共振器の反射面とすることができない。すなわち、マクロ的に見れば高い反射率が得られるように誘電体膜の積層膜が得られても、端面の傷や付着物により、光の反射方向が共振器と異なる方向に進み、十分な外部微分量子効率や閾値を向上させることができない。
【0106】
第6の実施形態では、前述のように、基板に半導体基板を用いることを可能にし、劈開することができるようにしたので、その劈開面による平坦面を利用して、反射効率を上げ、光共振器の一部を構成する端面を平坦化して反射率を制御し、外部微分量子効率および閾値を向上させることができ、低い動作電圧で高い出力が得られる青色系の半導体レーザを得られるようにしている。
【0107】
すなわち、図13(a)〜(b)にその一例の斜視および側面の説明図が示されるように、基板1上にIII 族チッ化物化合物半導体からなり、少なくとも活性層5、活性層5を挟持する第1導電形(n形)クラッド層4および第2導電形(p形)クラッド層6を含む半導体積層部12が設けられる半導体レーザチップを有している。この半導体レーザチップの光共振器を構成する端面の少なくとも一方の端面が平坦面に形成されると共に、その平坦面の表面に絶縁体膜52が単層膜または屈折率が異なる複数種類の多層膜53〜54で形成されている。
【0108】
図13に示される例は、図1に示される構造と同様の、GaAs基板1上にIII 族チッ化物化合物半導体層が積層され、劈開によりその端面が平坦面に形成されている。その出射端面(図13で矢印が光の出射方向)に、たとえばAl2 O3 からなる第1の絶縁膜52が発光波長をλ、第1の絶縁体膜の屈折率をn1 として、λ/2n1 の厚さ堆積されている。そして、出射面と反対面(後端面)の表面に、たとえばAl2 O3 からなる第2の絶縁体膜53がλ/4n2 、たとえばTiO2 からなる第3の絶縁体膜54がλ/4n3 、さらに第2および第3の絶縁体膜53、54が繰り返して積層され、4層の多層膜が形成されている。このように、λ/4nの厚さの絶縁体膜を多層に積層することにより、その反射率を調整しやすく、偶数層積層することにより反射率を高くすることができる。この後端面の反射率は、できるだけ高い方が好ましく、50〜90%程度、一般的には70%程度に形成される。一方、出射面側は、反射率が低く形成され、前述のようにλ/2nの厚さの絶縁体膜が単層膜または多層膜で堆積されたり、λ/4nの厚さで奇数回積層される。反射率は5〜60%程度で用途により使い分けられ、たとえば出力を大きくする場合は10%以下にし、温度特性を向上させる場合は50〜60%などに設定される。絶縁体膜としては、この例のように、Al2 O3 やTiO2 がIII 族チッ化物化合物半導体との密着性がよいため好ましいが、他にSiO2 、Si3 N4 などを用いることができる。
【0109】
この絶縁体膜を形成するには、後述する半導体積層部12および電極9、10を形成した後に、p側電極の延びる方向と垂直方向にたとえば700μm程度の間隔でスクライブ傷を入れ、衝撃を加えることにより劈開し、ウェハからバー状にする。そして、そのバー状の分割体の劈開面を上向きにしてスパッタ装置内でスパッタさせることにより絶縁体膜を成膜することができる。この成膜を劈開面の両面に行い、その後バー状の分割体をさらにダイシングにより各チップに分割することにより端面に絶縁体膜が設けられたLDチップが得られる。なお、絶縁体膜は、両端面に設けられなくてもよい。とくに劈開により完全な鏡面が得られればある程度の反射率が得られ、出射面側には絶縁体膜を設けなくてもよい。
【0110】
絶縁体膜が設けられる面は、この例では劈開により平坦面が形成されている。III 族チッ化物化合物半導体は結晶欠陥が多いが、後述するように基板と一致させた立方晶系で積層され、劈開されることにより、ミクロ的に見てもほぼ平坦な面となり、さらに絶縁体膜が設けられることにより、充分に反射率が制御されて共振器内に有効に反射させる良好な共振器端面を形成することができる。
【0111】
LDチップの構造は、前述の図1と同じ構造で、同じ部分に同じ符号を付してその説明は省略する。このLDチップは、図3または図4の構造のもでも同様である。
【0112】
第6の実施形態によれば、青色系のLDチップをGaAsの導電性基板にIII 族チッ化物化合物半導体層を積層して立方晶系で形成しているため、比較的劈開をしやすく、端面を平坦面に形成できる。その結果、表面に絶縁体膜を設けることにより、その反射率を調整することができると共に、端面での乱反射がなく、反射した光がすべて共振器内に戻り効率のよい発振をする。すなわち、従来のドライエッチングにより形成される端面では、どうしても表面に小さな凹凸が形成され、たとえ誘電体膜を形成してその反射率を調整しても充分に微分量子効率を上げることができなかったが、本発明によれば、端面が平坦面に形成されているため、端面での乱反射がなく、微分量子効率が向上すると共に、閾値を下げることができた。
【0113】
また、SiCおよびGaN基板を用いても同様に劈開をすることができ、平坦な端面を得ることができ、微分量子効率および閾値を向上させることができた。なお、これらの場合、立方晶系の基板を用い、立方晶系のIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することがよりきれいな平坦面を得ることができる。
【0114】
さらに、この例では、劈開性の基板を用いて劈開をする例であったが、図19に示されるようなサファイア基板上にIII 族チッ化物化合物半導体が積層されたLDチップでも、ドライエッチングにより形成された端面を平坦面にすれば同様に反射率の調整により、微分量子効率および閾値を向上させることができる。たとえば前述の例の劈開に代えてドライエッチングとサファイア基板の分割によりウェハをバー状の分割体に形成した後に、その端面にIII 族チッ化物化合物半導体を成膜し、その後前述の絶縁体膜を成膜することにより、活性層とほぼ同程度の屈折率の材料によりドライエッチングによる荒れた端面が平坦化され、その表面に絶縁体膜が設けられて反射率が調整されるため、乱反射することなく所望の反射率が得られ、レーザ特性が向上する。このような端面の平坦化法は、他にケミカルポリッシュなどによっても行うことができる。
【0115】
第6の実施形態によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いたLDチップの端面を平坦化して絶縁体膜によりその反射率が調整されているため、微分量子効率や閾値などのレーザの特性が向上する。その結果、低い動作電圧で高出力の青色系の半導体レーザが得られる。
【0116】
図14〜16は第7の実施形態のLDチップを示す説明図である。すなわち、前述の各例に示されるように、III 族チッ化物化合物半導体は、熱的、化学的に非常に安定であり、ウェットエッチングをすることができず、AlGaAs系やAlGaInP系などの化合物半導体のようにダメージを与えることなく、再現性よくストライプ状の開口部を形成して、内部電流狭窄層を設けることができない。
【0117】
すなわち、従来のIII 族チッ化物化合物半導体では、RIE法などのドライエッチングによらなければエッチングをすることができず、ドライエッチングでは、半導体層に与えるダメージが大きく、再成長する半導体層の結晶性が著しく悪化すると共に、エッチングレートの制御性が悪く、再現性も悪い。そのため、上部(p側)電極をストライプ状に形成して電流注入領域をストライプ状にしたり、さらにp側電極の両サイドの積層された半導体層を上部(p形)クラッド層の一部までメサ形状にエッチングしてメサストライプ型構造にすることにより、電流の注入領域を画定している。
【0118】
一方、特開平9−246670号公報には、絶縁性のIII 族チッ化物化合物半導体からなる電流狭窄層をエッチングにより形成するか、選択成長法により形成することが記載されているが、エッチングの具体的方法については記載されておらず、選択成長法では成長温度を高くするとSiO2 上にも堆積するため成長温度を低くする必要があり、低温では結晶性の悪化またはアモルファス化して良好な結晶を作れない。
【0119】
このように、ウェットエッチングによりストライプ状の開口部が形成された電流狭窄層を作り込むことができず、発光領域に充分に電流を注入することができず、電流が広がってレーザ素子の発振開始電流(以下、単に閾値ともいう)が上昇したり、外部微分量子効率(以下、単に量子効率ともいう)が低下し、高出力化や、高信頼性の確保を充分に行うことができない。そのため、電流狭窄層を活性層の近い部分に有し、閾値が低くすることが、発光効率(量子効率)の高い半導体レーザを得るのに必要となる。
【0120】
第7の実施形態による半導体レーザは、図14にその一例が示されるように、III 族チッ化物化合物半導体からなり、少なくとも活性層5と、その活性層5を挟持する第1導電形(n形)クラッド層4および第2導電形(p形)クラッド層6とを有する半導体積層部12が基板1上に設けられている。そして、半導体積層部12内に、絶縁体からなりストライプ状の開口部(ストライプ溝18)を有する電流狭窄層17が設けられている。
【0121】
電流狭窄層17は、たとえばSiO2 、Si3 N4 、Al2 O3 などのSiまたはAlの酸化物、チッ化物または酸化チッ化物などの絶縁体膜が成膜しやすいと共に、エッチングしやすく取り扱いやすいため好ましい。この電流狭窄層17は、図14の紙面と垂直方向に延び、幅がたとえば4μm程度のストライプ溝18のみに電流を集中させ、それ以外のところを電流が流れないようにするためのもので、0.1〜0.6μm程度の厚さに設けられる。この電流狭窄層17は、半導体層ではないため、後述するエッチングストップ層27までの半導体層の積層が終った状態で、MOCVD装置などの半導体層のエピタキシャル成長装置から取り出して、たとえばスパッタ装置などにより絶縁体膜を成膜し、さらにレジスト膜などによりマスクを形成してフッ酸などによりストライプ状にエッチングすることにより形成される。
【0122】
基板1は、たとえばサファイア(Al2 O3 単結晶)からなり、その上に半導体積層部12との格子不整合を緩和するための緩衝層2が、たとえばGaNにより設けられている。基板1としては、前述のようなGaAs、表面にSiCが設けられたSi、GaNなどの導電性の結晶基板を用いることもできる。その基板1の材料に応じて、緩衝層2の材料も選択されるが、緩衝層2の厚さは、格子の不整合を吸収するため、0.01〜0.1μm程度の厚さに設けられる。前述のように、導電性基板が用いられることにより、チップの上下両面から電極を取り出すことができると共に、劈開によりチップ化することができるため、光の出射面を鏡面の端面とすることができ、共振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0123】
半導体積層部12は、前述の各例と同様に積層されるが、n形GaNからなり、1〜2μm程度のn形コンタクト層3を介した発光層形成部11上に、たとえばp形GaNからなり、10〜100nm程度の厚さに設けられるエッチングストップ層27が設けられ、その上にストライプ溝18が形成された電流狭窄層17を介して、p形GaNからなり、0.8μm程度の厚さのp形コンタクト層7が設けられている。エッチングストップ層27は、前述の絶縁体膜をエッチングする際にp形クラッド層6にダメージを与えないようにすると共に、できるだけ酸化しやすいAlが含まれない層とすることにより、エピタキシャル成長装置から取り出してエッチングにより露出させても、表面を酸化しにくく清浄に保持させるための層である。そのため、GaNであることが好ましいが、Alの混晶比の小さい層であれば、たとえばAls Ga1- s N(0<s≦0.1)でもよい。n形およびp形のコンタクト層3、7は、n側電極9およびp側電極10とそれぞれオーミックコンタクトを得るための層で、p形コンタクト層7は、前述の電流狭窄層17が形成された後に、再度MOCVD装置などにウェハを入れてGaN層を成長することにより形成される。
【0124】
電流狭窄層17は絶縁体であるため、この上に半導体層を成長させることはできないが、ストライプ溝18により露出した半導体層をシードとして半導体層が成長し、電流狭窄層の表面の高さまで成長すると、GaNの横方向の成長速度が縦方向よりも早いため、今度は電流狭窄層17のSiO2 表面を覆うように横方向に成長する(これをラテラル成長という)。GaNがラテラル成長をすることは、たとえばジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Jpn.J.Appl.Phys. )パート2.36、899頁(1997年)に、エイ ウスイらによりGaNの結晶欠陥を低減することを目的としてラテラル成長をすることが示されており、一般に知られている。この実施形態ではこのラテラル成長を利用して、半導体層上に絶縁体からなる電流狭窄層17を形成し、ストライプ溝18からの半導体層の成長をさらにその絶縁体の表面にラテラル成長させることにより、p形コンタクト層7が形成されている。これにより絶縁体からなる電流狭窄層17が半導体積層部中に埋め込まれる。その結果p形コンタクト層7では電流が全体に広がるが、絶縁体を電流が流れることはできず、ストライプ状に除去されたストライプ溝18の部分のみでp形クラッド層6側と電気的に接続され、この部分に電流が集中する。
【0125】
なお、この例では電流狭窄層17上にp形コンタクト層7を成長する例であったが、p形クラッド層6を半分程度の厚さの成長にしておいて、この電流狭窄層17上に第2のp形クラッド層を成長し、その上にさらにコンタクト層7を成長することもできる。その他の発光層形成部11や、電極などの構造は、前述の各例と同様であり、同じ符号を付してその説明を省略する。
【0126】
製法も前述の各例と同様に製造することができるが、p形クラッド層6を成長した後、MOCVD装置からウェハを取り出し、たとえばスパッタ装置でたとえばSiO2 からなる絶縁体膜を成膜する。そして、表面にレジスト膜を設け、ホトリソグラフィ技術によりパターニングしてストライプ状に絶縁体膜を露出させ、フッ酸、バッファードフッ酸などの酸性溶液により絶縁体膜の露出部分をエッチングして、ストライプ溝18が設けられた電流狭窄層17を形成する。
【0127】
その後、再度MOCVD装置にウェハを入れ、前述と同様にGaNからなるp形コンタクト層7を成長する。この際、絶縁膜である電流狭窄層17上には半導体層が成長しないが、前述のように、ストライプ溝18により露出したエッチングストップ層27の露出部分がシードとなりストライプ溝18内にGaN層が成長する。その成長が電流狭窄層17の表面までくると、電流狭窄層17の表面を横方向にラテラル成長し、順次横方向にラテラル成長すると共にその上にも成長していく。その結果、電流狭窄層17上にGaN層が成長し、p形コンタクト層7が形成される。
【0128】
第7の実施形態の半導体レーザによれば、III 族チッ化物化合物半導体積層部内に、絶縁体からなる電流狭窄層が設けられているため、ウェットエッチングが困難なIII 族チッ化物化合物半導体層をエッチングすることなく、電流狭窄層を活性層の近くに作り込むことができる。その結果、電流狭窄層と活性層との距離を小さくすることができ、電流狭窄層はストライプ溝以外の所では電流が流れず、電流が拡散しないうちに活性層に有効に電流を注入することができる。そのため、閾値を低くしながら、量子効率を大きくすることができ、高出力化、高信頼性化を達成することができる。
【0129】
さらに、この製法によれば、電流狭窄層を絶縁体で形成し、III 族チッ化物化合物半導体のラテラル成長を利用することにより、電流狭窄層上に半導体層を成長させているため、フッ酸などのエッチング液により簡単にストライプ溝を形成することができ、簡単な製法で電流狭窄層を活性層の近くに作り込むことができる。
【0130】
図15は、図14の変形例の断面説明図である。この例は、図1に示される例と同様に、LDチップの基板として、GaAs基板1を用いることにより、チップの上下両面からp側およびn側の電極を取り出すことができると共に、劈開をすることができる構造にしたもので、電流狭窄層17の構造および形成方法は図15および図1の例と同じである。同じ部分は同じ符号を付してその説明を省略する。
【0131】
この構造にすることにより、前述のようにIII 族チッ化物化合物半導体を用いながら、活性層の近傍に電流狭窄層を作り込むことができると共に、n側電極9を、積層した半導体層の一部をエッチングしなくても設けることができて、両電極をチップの上下両面から取り出す垂直型のチップが得られ、さらに、基板から半導体積層部12を立方晶系の積層構造にすることができるため、劈開をすることができる。その結果、閾値を低くしながら、量子効率を大きくすることができ、高出力化、高信頼性化を達成することができる。さらには、チップのボンディングが非常に容易になると共に、光出射面の共振器端面を非常に平坦な面とすることができ、共振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0132】
図16は、図14のさらに他の変形例を示す図である。この例は、基板1として、図4の例と同様に、Si基板を用いたもので、前述のように、SiC層が緩衝層2として用いられる。詳細は図4の例と同様でその説明を省略する。
【0133】
この例においても、図15の例と同様に、共振特性の優れた半導体レーザが得られる。
【0134】
前述の例のほかに、基板として、GaN基板を用いれば、III 族チッ化物化合物半導体と格子不整合を生じることなくIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができる。なお、この場合でも半導体層の成長を始める前にGaNからなる緩衝層を成膜することが成長する半導体層との整合を取る上で好ましい。
【0135】
第7の実施形態によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いながら、ストライプ溝のエッチングを簡単に行うことができる電流狭窄層を作り込むことができる。そのため、電流注入領域に確実に電流を注入することができ、閾値を小さくしながら、量子効率を大きくすることができる。その結果、高出力で、信頼性の高い半導体レーザが得られる。
【0136】
さらに、基板として、GaAs、Si、GaNなどを用いることにより、垂直型のチップで、劈開することができるため、優れた端面を有するレーザ共振器が得られ、短波長の高性能の半導体レーザが得られる。
【0137】
図17〜18は、さらにIII 族チッ化物化合物半導体からなる発光素子の発光効率を向上させるための第8の実施形態を説明する図である。すなわち、III 族チッ化物化合物半導体は、前述のように、熱的、化学的に非常に安定であり、信頼性が高く、長寿命化という点においては、非常に優れた性質を有している。しかし、安定であるがゆえに、良好な結晶性を有する半導体層を得るためには、たとえば特許公報第2713094号に示されるように、1000℃程度の非常に高温で成長をしなければならない。一方、活性層のようにInを含有する半導体層は、元素InとGaNとが混晶しにくく、かつ、Inの蒸気圧が高いため、十分なInを入れようとすると700℃程度またはそれ以下の温度でしか結晶成長をすることができない。そのため、結晶性の優れた半導体層を得ることができず、発光効率が低下したり、寿命特性が低下しやすい。とくに緑色に近い青色よりも長波長側の発光をさせようとすると、Inの量を増やさなければならないが、Inの量を増やすと一層結晶性が低下するため、Inの混晶比を増やすことができない。
【0138】
一方、特開平6−37355号公報には、一種類の化合物半導体を用いて広範囲の波長領域において発光することができる半導体発光素子を実現するため、GaAsN系の材料を活性層に使用することが開示されている。すなわち、GaPは間接遷移型の半導体であるため、直接遷移型のバンド構造をもつGaAsN系材料を用いることにより、広い波長領域をカバーすることが開示されている。しかし、GaAsN系の材料は、Asの混晶比に対するバンドギャップエネルギーの関係は、リニアで変化しないで2乗で変化するボーイング特性を有しているため、とくに青色から緑色に近い範囲では僅かのAsの混晶比を変化させても大きくバンドギャップエネルギーが変化し、目標の発光波長に作り込むことが困難である。
【0139】
第8の実施形態による半導体発光素子は、図17にその一例の断面説明図が示されるように、III 族チッ化物化合物半導体からなり電流注入により発光する活性層5と、その活性層5よりバンドギャップエネルギーが大きいIII 族チッ化物化合物半導体からなり前記活性層を両面から挟持するn形クラッド層4およびp形クラッド層6とを有しており、前記活性層5がGa、PおよびNを含む化合物半導体層、たとえばGaPu N1-u (0<u<0.5)からなっている。
【0140】
活性層5は、キャリアの再結合により発光させる層で、そのバンドギャップエネルギーにより発光する光の波長が定まり、発光させる光の波長に応じたバンドギャップエネルギーの材料が使用され、たとえばGaP0.1N0.9からなるウェル層とGaP0.02N0.98からなるバリア層とが、それぞれ10〜100nm程度、3〜5層づつ積層された多重量子井戸構造(MQW)で形成されている。本発明では、この活性層5に、たとえばGaPu N1-u (0<u<0.5)のように、InGaN系(系はInの混晶比が所望のバンドギャップエネルギーになるように種々変化させ得ることを意味する、以下同じ)化合物半導体とは異なる化合物半導体が用いられていることに特徴がある。
【0141】
すなわち、前述のように、従来の活性層をそれよりバンドギャップエネルギーの大きいクラッド層により挟持して発光させる青色系の半導体発光素子としては、III 族チッ化物化合物半導体が用いられ、その活性層としてInGaN系化合物半導体が使用されてきたが、前述のように、InGaN系化合物半導体はその結晶性がよくないと共に、Inの混晶比を一定以上に大きくすることができず、ある程度以上の長波長の発光をさせることができない。そのため、本発明者らは鋭意検討を重ねた結果、GaNとGaPとを混晶させることにより、優れた結晶性で、バンドギャップエネルギーを下げられることを見出した。
【0142】
このGaPu N1-u は、図18にその混晶比uの一部に対するバンドギャップエネルギー(eV)のグラフが示されるように、全体としてはリニアには変化しないが、そのuの値が大きくなるほどバンドギャップエネルギーが小さくなり、Pの混晶比を選択することにより所望のバンドギャップエネルギーの活性層を得ることができる。たとえば400〜430nm程度の波長の光を発光させるためには、uの値は0.05〜0.2程度が好ましい。前述のように、GaPu N1-u のuに対するバンドギャップエネルギーの変化は全体としてはリニアではない(図18ではuの範囲が狭いため直線に見える)が、GaAsN系のAsの混晶比を変化させると、図18に破線で示されるように、GaAsN系に比べればその変化率が遥かに小さい。すなわちバンドギャップエネルギーのボーイングパラメータは、たとえばジャパニーズ ジャーナル オブ アプライド フィジックス(Jpn.J.Appl.Phys.)第37巻1998年、1436〜1439頁にも示されるように、GaN−GaAsが19.6eVであるのに対して、GaN−GaPでは9.31eVと小さい。
【0143】
活性層5は、非発光再結合中心の形成を避けるため、ノンドープであることが好ましい。なお、このような固溶体を得るには、たとえばMOCVD法によりGa、P、Nの反応ガスであるトリエチルガリウム(TEG)、ホスフィン(PH3 )、アンモニア(NH3 )をキャリアガスの水素(H2 )と共に導入してその流量を調整しながら600〜900℃程度で反応させることにより、所望の混晶比の固溶体を得ることができる。
【0144】
この活性層5以外の基板1、半導体積層部12および電極などの構成は、殆ど図4に示される構造と同じで、製造方法も同様に行うことができ、同じ部分には同じ符号を付してその説明を省略する。なお、この例では、p形コンタクト層7上に、たとえば5〜10μm程度の幅のストライプ溝が形成されたSiO2 などからなる絶縁膜が電流狭窄層17として、CVD法などにより0.1〜0.6μm程度設けられ、その上にp側電極10が設けられている。
【0145】
第8の実施形態によれば、活性層にInGaN系化合物半導体を使用しないで、GaPN系化合物半導体を使用しているため、活性層も高温で積層することができ、結晶性の優れた活性層が得られる。その結果、ノンドープでも閾値が小さく、高効率な発光を実現できる。一方、前述のように、Pの混晶比とバンドギャップとの間にはリニア性がないが、とくにその混晶比が0.2程度までは、その変化率が小さく、青色から緑色程度までの発光には、何ら支障を来すことがない。
【0146】
前述の例では、p側電極10の下側に絶縁膜を設けることにより、電流注入領域を画定したが、前述の各例と同様に、p側電極をストライプ状にしただけの電極ストライプ構造のLDチップや、ストライプ状電極の両側の半導体層をp形クラッド層の上部までメサ型形状にエッチングするメサストライプ構造や、プロトンなどを打ち込んだプロトン打込み型にすることもできる。さらに、電流狭窄層を埋め込む構造にすることもできる。また、基板1も図1または図3の構造にすることもできる。
【0147】
さらに前述の例では、半導体レーザの例であったが、発光ダイオード(LED)の構造にしても同様に活性層の結晶性が優れ、発光効率の高い高輝度のLEDを得ることができる。この場合、LEDでは、光を閉じ込める必要はなく、光ガイド層が不要であると共に、活性層は単一量子井戸構造またはダブルヘテロ接合構造で形成される。また、LEDの場合、ダブルヘテロ接合構造でなくても、pn接合の一方の半導体層にGaPN系化合物半導体を使用してもよい。
【0148】
第8の実施形態によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いた半導体発光素子の活性層に結晶性の優れた化合物半導体層が用いられているため、発光効率が向上し信頼性の優れた半導体発光素子が得られる。
【0149】
第8の実施形態における前述の例では、活性層にGa、PおよびNを含む化合物半導体層を用いたが、これに代り、TlおよびGaを含む化合物半導体層を用いることもできる。前述のように、InGaN系化合物半導体は、Inの混晶比が大きくなるにしたがって結晶性が極端に悪くなることが知られており、一般的にInの混晶比は0.2以下であることが望ましいといわれている。このことはInGaN系化合物半導体ではバンドギャップエネルギーを2.9eV以下にすることが困難であり、430nm以上の波長の光を発光させることが困難である。
【0150】
一方、特開平8−274370号公報に、タリウム(Tl)原子をIII 族チッ化物化合物半導体に1個の価電子をもつドーパントとして利用する方法が示されており、InGaN系化合物半導体の活性層に添加することにより、Tl原子がD−A(ドナー/アクセプタ)発光の再結合中心となり、高輝度の緑色LEDを作製する方法が開示されている。しかし、活性層中の不純物は、非発光再結合中心ともなり、発熱の原因にもなるため、半導体レーザの室温連続発振を実現するためには、より効率の高い発光が必要である。すなわち、この特許でも述べられているように、不純物を一定以上添加したときに生じる結晶性の低下を抑えることが困難であるため、Tlを1価のドーパントとして用いた場合には、レーザ発光の効率が低下する。このような理由から、III 族チッ化物化合物半導体からなる緑色レーザの室温連続発振はまだ報告されていない。
【0151】
さらに、特開平9−219561号公報には、光通信に用いられる1.3〜1.65μmの波長帯で、温度による波長変化を防止するために、GaInAsPまたはAlInAsなどの半導体混晶に、さらにTlを混晶させて活性層を形成することが開示されている。そしてTlの混晶比によりバンドギャップエネルギーが変化することも示されているが、ここで示されているものは、波長が1.2〜1.65μmで発振波長が温度により変化しないようにすることが目的で、バンドギャップエネルギーも2eV程度のGaPまたはAlAsまでしか考慮されていない。すなわち、Tlを混晶させることにより、緑色の発光をさせることについては何ら開示されていない。
【0152】
本発明者らは、III 族チッ化物化合物半導体を用いながらナローバンドギャップ化を図るため、鋭意検討を重ねた結果、GaN相とTlN相とを混晶させることにより、結晶性の優れた混晶が得られると共に、バンドギャップエネルギーを小さくすることができ、緑色(波長が500〜550nm程度)の半導体レーザを実現できることを見出した。
【0153】
すなわち、TlとGaを含む層を活性層とする半導体発光素子は、図17と同じ構造で実現でき、III 族チッ化物化合物半導体からなり電流注入により発光する活性層5と、その活性層5よりバンドギャップが大きいIII 族チッ化物化合物半導体からなり前記活性層5を両面から挟持するn形クラッド層4およびp形クラッド層6とを有しており、活性層5が少なくともTlおよびGaを含む化合物半導体層、たとえばTlv Ga1-v N(0<v<1)からなっている。
【0154】
活性層5は、キャリアの再結合により発光させる層で、そのバンドギャップにより発光する光の波長が定まり、発光させる光の波長に応じたバンドギャップの材料が使用され、たとえばTl0.1 Ga0.9 Nからなるウェル層とTl0.02Ga0.98Nからなるバリア層とが、それぞれ5〜10nm程度、3〜5層づつ積層された多重量子井戸構造(MQW)で形成されている。なお、活性層5は、非発光再結合中心の形成を避けるため、ノンドープであることが好ましい。この例では、この活性層5に、たとえばTlv Ga1-v N(0<v<1)のように、InGaN系化合物半導体とは異なる化合物半導体が用いられていることに特徴がある。
【0155】
すなわち、前述のように、従来の活性層をそれよりバンドギャップの大きいクラッド層により挟持して発光させる青色系の半導体発光素子としては、チッ化ガリウム系化合物半導体が用いられ、その活性層としてInGaN系化合物半導体が使用されてきたが、InGaN系化合物半導体はその結晶性がよくないと共に、Inの混晶比を一定以上に大きくすることができず、ある程度以上の長波長の発光をさせることができない。そのため、本発明者らはIII 族チッ化物化合物半導体を用いながらナローバンドギャップ化を図るため、鋭意検討を重ねた結果、前述のように、GaN相とTlN相とを混晶させることにより、結晶性の優れた混晶が得られると共に、バンドギャップエネルギーを小さくすることができ、緑色の半導体レーザを実現できることを見出した。
【0156】
このGaN相とTlN相との混晶による固溶体は、Tlをドーパントとして混入させるのとはGaとTlとの結合方法の点で異なり、結晶性を害することなくバンドギャップエネルギーを小さくすることができる。GaN相とTlN相との固溶体はその混晶比を自由に変化させることができ、Tlの混晶比が大きくなるにしたがってバンドギャップエネルギーが小さくなる。たとえば緑色(波長が500〜550nm程度)の発光をさせるためには、Tlの混晶比vを0.3〜0.6程度にすることにより所望のバンドギャップエネルギーとなる。このような固溶体を得るには、たとえばMOCVD法によりTl、Ga、Nの反応ガスであるトリメチルタリウム(TMTl)、トリエチルガリウム(TEG)、アンモニア(NH3 )をキャリアガスの水素(H2 )と共に導入してその流量を調整しながら600〜800℃程度で反応させることにより、所望の混晶比の固溶体を得ることができる。Tlの反応ガスとしては、このような3価の有機金属化合物を用いることにより、ドーパントにはならないでGaNと混晶することができる。これは、Gaも最外殻外電子は3個であり、3価のTlはGaの代りに結晶の構成要素として入ることができるためである。たとえば1価のシクロペンタジエニルタリウム(Gp2 Tl)を用いると混晶が得られないでドーパントとなり、前述のように、結晶性が低下して半導体レーザに適する高出力の発光が得られない。このような3価のTlの化合物として、他にトリエチルタリウムなどが挙げられる。
【0157】
その他の構造および製法は、前述の例と同様で、その説明を省略する。また、構造としては、前述の各例の構造を採用することができる。なお、LEDの場合、ダブルヘテロ接合構造でなくてもpn接合の一方の半導体層にTlGaN系化合物半導体を使用してもよい。
【0158】
この例によれば、活性層にInGaN系化合物半導体を使用しないで、TlGaN系化合物半導体を使用しているため、高温でIII 族チッ化物化合物半導体層を積層することができ、結晶性の優れた活性層が得られる。そして、バンドギャップエネルギーを小さくすることができ、緑色の発光をさせることもできる。その結果、ノンドープでも閾値が小さく、緑色などの波長の光を高効率で発光させることができる。その結果、緑色のレーザ発振も得られる。その結果、緑色などの青色より長波長側の半導体レーザを実現できると共に、発光効率が向上し信頼性の優れた半導体発光素子が得られる。
【0159】
前述の各例に示される図においては、基板の厚さが実際には他の層と比較して、数十倍以上の厚さがあるが、省略して薄く書かれ、概念的な図として書かれている。他の半導体層の厚さも、概念的な図で、厳密な厚さを表してはいない。
産業上の利用性
本発明によれば、III 族チッ化物化合物半導体を用いた青色系の半導体発光素子を、チップの上下から両電極を取り出すことができる、いわゆる垂直形で、しかも高特性で得られるため、高い記録密度を有する光ディスクメモリや、レーザビームプリンタなどの光源として便利に利用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明による第1の実施形態の斜視説明図である。
【図2】 図1の緩衝層の組成変化を示す説明図である。
【図3】 図1の変形例を示す斜視説明図である。
【図4】 本発明による第2の実施形態の斜視説明図である。
【図5】 本発明による第3の実施形態であるLDの製造工程を示す図である。
【図6】 第3の実施形態の異なる例の製造工程を示す図である。
【図7】 第4の実施形態による半導体レーザの説明図である。
【図8】 図7の変形例を示す説明図である。
【図9】 第5の実施形態による半導体レーザの説明図である。
【図10】 図9の変形例を示す説明図である。
【図11】 図9のさらに他の変形例を示す説明図である。
【図12】 図9のさらに他の変形例を示す説明図である。
【図13】 第6の実施形態による半導体レーザの説明図である。
【図14】 第7の実施形態による半導体レーザの断面説明図である。
【図15】 図14の変形例を示す断面説明図である。
【図16】 図14のさらに他の変形例を示す説明図である。
【図17】 第8の実施形態を示す説明図である。
【図18】 GaPu N1-u の混晶比uによるバンドギャップの変化を示す図である。
【図19】 従来の青色系半導体発光素子の断面説明図である。
【図20】 従来の青色系のLDチップをサブマウントにボンディングする一例の説明図である。
【図21】 従来の青色系のLDチップをサブマウントにボンディングする他の例の説明図である。
Claims (13)
- (a)劈開性のない第1の基板上に発光層形成部を構成する化合物半導体を積層して半導体積層部を形成し、
(b)該半導体積層部の表面に不活性ガスによるプラズマを照射して表面のダングリングボンドを露出させ、
(c)該ダングリングボンドが露出した半導体積層部の表面に劈開性のある第2の基板を該基板の劈開面と前記半導体積層部の劈開面とを一致させて貼着し、
(d)前記第1の基板を除去し、
(e)ついで前記第2の基板を劈開することによりチップ化する
ことを特徴とする化合物半導体レーザの製法。 - (a)劈開性のない第1の基板上に発光層形成部を構成する化合物半導体を積層して半導体積層部を形成し、
(b´)該半導体積層部の表面側を保持して前記第1の基板を除去し、
(c´)該第1の基板の除去により露出する半導体積層部の表面に不活性ガスによるプラズマを照射して露出面のダングリングボンドを露出させ、
(d´)該ダングリングボンドが露出した半導体積層部の露出面に劈開性のある第2の基板を該第2の基板の劈開面と前記半導体積層部の劈開面とが一致するように貼着し、
(e)ついで前記第2の基板を劈開することによりチップ化する
ことを特徴とする化合物半導体レーザの製法。 - 前記第1の基板を除去した半導体積層部の一部を劈開することにより前記半導体積層部の劈開面を形成し、前記貼着する第2の基板の一部を劈開することにより前記第2の基板の劈開面を形成し、前記半導体積層部の劈開面と前記第2の基板の劈開面とを揃えることにより、前記半導体積層部と第2の基板の劈開面を一致させる請求項2記載の製法。
- 前記半導体積層部が六方晶系で、その(11−20)面を前記劈開面とし、前記第2の基板が立方晶系でその(011)面を前記劈開面として該劈開面を一致させて貼着する請求項1、2または3記載の製法。
- III 族チッ化物化合物半導体からなり、少なくとも活性層と、該活性層を挟持する第1導電形クラッド層および第2導電形クラッド層とを有する半導体積層部が基板上に設けられる半導体レーザであって、前記半導体積層部内に、SiまたはAlの酸化物および/またはチッ化物からなる絶縁体からなり、ストライプ状の開口部を有する電流狭窄層が設けられてなる半導体レーザ。
- 前記電流狭窄層のストライプ状開口部から前記電流狭窄層上にラテラル成長によりIII 族チッ化物化合物半導体からなる半導体層が設けられてなる請求項5記載の半導体レーザ。
- 前記第2導電形クラッド層が前記活性層の上層側に設けられ、該第2導電形クラッド層中またはその上にGaNまたはAlp Ga1-p N(0<p≦0.1)からなるエッチングストップ層を介して前記電流狭窄層が設けられてなる請求項5または6記載の半導体レーザ。
- 前記第1導電形および第2導電形のクラッド層と活性層との間にそれぞれ光ガイド層が設けられてなる請求項5、6または7記載の半導体レーザ。
- (a)基板上に緩衝層を堆積し、
(b)該緩衝層上にIII 族チッ化物化合物半導体からなる第1導電形クラッド層、活性層および第2導電形クラッド層を含む発光層形成部を積層し、
(c)前記発光層形成部上にSiまたはAlの酸化物および/またはチッ化物からなる絶縁体膜を成膜し、
(d)該絶縁体膜をストライプ状にエッチングすることによりストライプ状の開口部を有する絶縁体からなる電流狭窄層を形成し、
(e)該電流狭窄層のストライプ状の開口部に露出する半導体層をシードとして前記電流狭窄層上に第2導電形のIII 族チッ化物化合物半導体をラテラル成長させる
ことを特徴とする半導体レーザの製法。 - 前記絶縁体膜を形成する前にIII 族チッ化物化合物半導体からなるエッチングストップ層を成長し、前記絶縁体膜を酸性溶液によりエッチングする請求項9記載の半導体レーザの製法。
- III 族チッ化物化合物半導体からなる活性層と、該活性層よりバンドギャップが大きいIII 族チッ化物化合物半導体からなり前記活性層を両面から挟持するn形およびp形のクラッド層とを有する半導体発光素子であって、前記活性層がTlv Ga1-v N(0<v<1)で表される化合物半導体層からなる半導体発光素子。
- 前記活性層が量子井戸構造を有し、該量子井戸構造のウェル層が一般式Tlv Ga1-v N(0<v<1)で表される材料からなる請求項11記載の半導体発光素子。
- 基板上にMOCVD法により緩衝層を成膜し、III 族チッ化物化合物半導体からなるn形層、活性層、およびp形層を含む半導体積層部を成長し、前記n形層およびp形層にそれぞれ電気的に接続するようにn側電極およびp側電極を形成する半導体発光素子の製法であって、
前記活性層の成長時に3価のタリウム化合物をTl元素の反応ガスとして導入し、前記活性層の少なくとも一部にTlv Ga1-v N(0<v<1)で表される層を成長する半導体発光素子の製法。
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