JP3793540B2 - 半導体記憶装置 - Google Patents
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Description
バッファメモリと、
ページ単位でデータを書き込み可能な複数のフラッシュメモリと、
512バイトを含むセクタをデータ転送単位とする外部のシステムからの書き込み要求に応答して、外部のシステムからのデータを、前記バッファメモリを介して前記複数のフラッシュメモリに書き込む制御部と、
を備える半導体記憶装置であって、
前記制御部は、ひとつの書き込み要求に伴い、複数のセクタのデータを前記システムから受け付け、
受け付けた前記データを、前記バッファメモリを介して前記フラッシュメモリごとにセクタ単位に分配し、
前記制御部は、前記システムから受け付けた前記データを書き込むべきフラッシュメモリを、チップイネーブル信号またはライトイネーブル信号によって選択し、
前記制御部は、ひとつのフラッシュメモリが、当該ひとつのフラッシュメモリのために分配されたデータのうちの1ページ分のデータを書き込んでいる間に、当該ひとつのフラッシュメモリのために分配されたデータとは異なる他のデータであって、当該ひとつのフラッシュメモリとは異なる他のひとつのフラッシュメモリのために分配されたデータのうちのページ単位の他のデータを、前記バッファメモリから読み出し、前記他のデータの書き込み要求と、読み出された前記他のデータとを前記他のひとつのフラッシュメモリに与え、
前記制御部は、前記他のひとつのフラッシュメモリに書き込むべき前記他のデータがあるかを判断し、前記他のひとつのフラッシュメモリに書き込むべき前記他のデータがある場合に、前記他のデータを前記バッファメモリから読み出し、前記他のデータの書き込み要求と、読み出された前記他のデータとを、前記他のひとつのフラッシュメモリに与える、
ことを特徴とする半導体記憶装置を提供する。
2・・・プロセッサ
31・・・アドレス制御部
32・・・WE選択部
4・・・フラッシュメモリ
5・・・ライトバッファメモリ
6・・・Vpp発生回路
61・・・Vppスイッチ部
71・・・アドレスバス
72・・・データバス
Claims (3)
- バッファメモリと、
ページ単位でデータを書き込み可能な複数のフラッシュメモリと、
512バイトを含むセクタをデータ転送単位とする外部のシステムからの書き込み要求に応答して、外部のシステムからのデータを、前記バッファメモリを介して前記複数のフラッシュメモリに書き込む制御部と、
を備える半導体記憶装置であって、
前記制御部は、ひとつの書き込み要求に伴い、複数のセクタのデータを前記システムから受け付け、
受け付けた前記データを、前記バッファメモリを介して前記フラッシュメモリごとにセクタ単位に分配し、
前記制御部は、前記システムから受け付けた前記データを書き込むべきフラッシュメモリを、チップイネーブル信号またはライトイネーブル信号によって選択し、
前記制御部は、ひとつのフラッシュメモリが、当該ひとつのフラッシュメモリのために分配されたデータのうちの1ページ分のデータを書き込んでいる間に、当該ひとつのフラッシュメモリのために分配されたデータとは異なる他のデータであって、当該ひとつのフラッシュメモリとは異なる他のひとつのフラッシュメモリのために分配されたデータのうちのページ単位の他のデータを、前記バッファメモリから読み出し、前記他のデータの書き込み要求と、読み出された前記他のデータとを前記他のひとつのフラッシュメモリに与え、
前記制御部は、前記他のひとつのフラッシュメモリに書き込むべき前記他のデータがあるかを判断し、前記他のひとつのフラッシュメモリに書き込むべき前記他のデータがある場合に、前記他のデータを前記バッファメモリから読み出し、前記他のデータの書き込み要求と、読み出された前記他のデータとを、前記他のひとつのフラッシュメモリに与える、
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1記戟の半導体記憶装置であって、
前記バッファメモリとして1つのバッファメモリを有する、
ことを特徴とする半導体記憶装置。 - 請求項1または2記載の半導体記憶装置であって、
前記制御部は、前記書き込み要求及び前記データを与えた順に、前記複数のフラッシュメモリのステータスポーリングを行なう、
ことを特徴とする半導体記憶装置。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2004116930A JP3793540B2 (ja) | 2004-04-12 | 2004-04-12 | 半導体記憶装置 |
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