JPS63288384A - メモリ−カ−ド - Google Patents
メモリ−カ−ドInfo
- Publication number
- JPS63288384A JPS63288384A JP62122960A JP12296087A JPS63288384A JP S63288384 A JPS63288384 A JP S63288384A JP 62122960 A JP62122960 A JP 62122960A JP 12296087 A JP12296087 A JP 12296087A JP S63288384 A JPS63288384 A JP S63288384A
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- Japan
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- memory
- bytes
- data
- memory card
- control circuit
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 230000015654 memory Effects 0.000 claims abstract description 35
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000003068 static effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06K—GRAPHICAL DATA READING; PRESENTATION OF DATA; RECORD CARRIERS; HANDLING RECORD CARRIERS
- G06K19/00—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings
- G06K19/06—Record carriers for use with machines and with at least a part designed to carry digital markings characterised by the kind of the digital marking, e.g. shape, nature, code
- G06K19/067—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components
- G06K19/07—Record carriers with conductive marks, printed circuits or semiconductor circuit elements, e.g. credit or identity cards also with resonating or responding marks without active components with integrated circuit chips
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
産業上の利用分野
本発明は、ワードプロセッサの文書用メモリー等の０ム
用、ＦＡ用用益器メモリーとして使用されるメモリーカ
ードに関するものである。
用、ＦＡ用用益器メモリーとして使用されるメモリーカ
ードに関するものである。
従来の技術
従来のメモリーカードのブロック図を第３図（ＩＬ）に
示す。第３図（ＩＬ）で１Ｂは外部機器からの入力信号
、２は制御回路、３〜ｎは１２ＦＲＯＭメモリーＩＣ，
３ａ−ｎａはＥ２ＰＲＯＭメモリーＩＣ３〜ｎのチップ
セレクト端子であり、一般に外部機器からの入力信号１
Ｂはアドレス信号、制御回路２はデコーダ回路である。
示す。第３図（ＩＬ）で１Ｂは外部機器からの入力信号
、２は制御回路、３〜ｎは１２ＦＲＯＭメモリーＩＣ，
３ａ−ｎａはＥ２ＰＲＯＭメモリーＩＣ３〜ｎのチップ
セレクト端子であり、一般に外部機器からの入力信号１
Ｂはアドレス信号、制御回路２はデコーダ回路である。
８にバイトの１２ＦＲＯＭメモリー１０を８個使って６
４にバイトのメモリーカードを構成した場合のデータ書
込み動作を第３図（ｂｌ、第４図を使って説明する。こ
の場合、６４にバイトのメモリーカードであるのでアド
レス信号は１６本必要であり、アドレス信号を人。〜ム
、５とする。制御回路２は３人力８出力のデコーダ回路
となり、アドレス信号表Ｉ Ｓ 、Ａｌ ４ 、ム、５
の３本を入力とし、上記デコーダ回路の８出力をＥ２Ｐ
ＲＯＭメモリー１０８個のチップセレクト端子３ａ〜１
０２Ｌに接続することによシ、第３図（Ｄに示す様に８
にバイト毎にＥ２ＰＲＯＭメモリーＩＣを選択すること
ができる。Ｅ２ＦＲＯＭメモリーＩＣは読み出し時間は
速く（例えばザイコー社Ｘ２８６４Ａで１５０ｎ８６０
）、スタティックＲＡＭ （例えば松下製ＭＮ４４６
４で１００ｎｓｅｃ）とほぼ同じであるが、一般に書込
み時間が遅い。高速書込みモードでページ書込みモード
があるが、３２バイトで１０ｍ！！６０程度時間が必要
である。第４図はページ書込みモードでの６４にバイト
メモリーカードの書込み時間を示したものであり、第４
図で（１）。
４にバイトのメモリーカードを構成した場合のデータ書
込み動作を第３図（ｂｌ、第４図を使って説明する。こ
の場合、６４にバイトのメモリーカードであるのでアド
レス信号は１６本必要であり、アドレス信号を人。〜ム
、５とする。制御回路２は３人力８出力のデコーダ回路
となり、アドレス信号表Ｉ Ｓ 、Ａｌ ４ 、ム、５
の３本を入力とし、上記デコーダ回路の８出力をＥ２Ｐ
ＲＯＭメモリー１０８個のチップセレクト端子３ａ〜１
０２Ｌに接続することによシ、第３図（Ｄに示す様に８
にバイト毎にＥ２ＰＲＯＭメモリーＩＣを選択すること
ができる。Ｅ２ＦＲＯＭメモリーＩＣは読み出し時間は
速く（例えばザイコー社Ｘ２８６４Ａで１５０ｎ８６０
）、スタティックＲＡＭ （例えば松下製ＭＮ４４６
４で１００ｎｓｅｃ）とほぼ同じであるが、一般に書込
み時間が遅い。高速書込みモードでページ書込みモード
があるが、３２バイトで１０ｍ！！６０程度時間が必要
である。第４図はページ書込みモードでの６４にバイト
メモリーカードの書込み時間を示したものであり、第４
図で（１）。
（２） 、 ・・−・・（８）は８個ノＥ２ＰＲＯＭメ
モ１Ｊ−ＩＣカｉｉ込まれる順番を示したものである。
モ１Ｊ−ＩＣカｉｉ込まれる順番を示したものである。
（１）で１個目のＥ２ＦＲＯＭメモリーＩＣを全て込み
、？）で２個目のＥ ２ＦＲＯＭメモリーＩＣを全て書
込んでいくという様に１個ずつ順番にに２ＦＲＯＭメモ
リーＩＣ８個が書込まれる。ｔｌ−１，ｔｊ−２，ｔｊ
−３，・・・・・・。
、？）で２個目のＥ ２ＦＲＯＭメモリーＩＣを全て書
込んでいくという様に１個ずつ順番にに２ＦＲＯＭメモ
リーＩＣ８個が書込まれる。ｔｌ−１，ｔｊ−２，ｔｊ
−３，・・・・・・。
ｔｌ−２５０，ｔ２１． ２−２． ２−５． 、
２−２５０゜１１ ・・・・・・ ｔ ””” 、ｔ８−１ 、ｔ８−２．ｔ８−３．・・・・
・・、ｔ８−２５０はページ書込みモードでの１ペ一ジ
分のデータ即ち３２バイトのデータの転送時間であり、
全て４．８μ５ｅＣ（１５０Ｔ１５６０ ／バイト！３
２バイト）必要で、ＴＴＴ ・・・・・・ Ｔ ｊ−１，ｊ−２，ｊ−３，、１−２５０，Ｔ２−１．Ｔ
２−２゜・・・・・・ＴＴＴ Ｔ２−３．、、、、、、τ２−２５０． 、８−１
． ８−２． Ｂ−５゜・・・・・・、Ｔ８−２５０
．は１ペ一ジ分のデータが書込み終了するのに必要な時
間で全てＩＱｌｌ！１６０である。
２−２５０゜１１ ・・・・・・ ｔ ””” 、ｔ８−１ 、ｔ８−２．ｔ８−３．・・・・
・・、ｔ８−２５０はページ書込みモードでの１ペ一ジ
分のデータ即ち３２バイトのデータの転送時間であり、
全て４．８μ５ｅＣ（１５０Ｔ１５６０ ／バイト！３
２バイト）必要で、ＴＴＴ ・・・・・・ Ｔ ｊ−１，ｊ−２，ｊ−３，、１−２５０，Ｔ２−１．Ｔ
２−２゜・・・・・・ＴＴＴ Ｔ２−３．、、、、、、τ２−２５０． 、８−１
． ８−２． Ｂ−５゜・・・・・・、Ｔ８−２５０
．は１ペ一ジ分のデータが書込み終了するのに必要な時
間で全てＩＱｌｌ！１６０である。
この様にしてに２ＦＲＯＭメモリーＩＣにデータを書込
むことができる。
むことができる。
発明が解決しようとする問題点
しかし従来の方法では例えばｅａｋバイトのメモリーカ
ードの全てのデー、夕を書換えるのに必要な時間は約２
０ ！ｉ６ｃ （１０ｍ５ｅｃ／３２バイト×６４にバ
イト）であシ、非常に時間がかかる。メモリーカードの
容量が増えれば増えるほど、より時間がかかることにな
り、従来の方法では全てのデータを書換えるのに非常に
時間がかかるという問題点を有していた。
ードの全てのデー、夕を書換えるのに必要な時間は約２
０ ！ｉ６ｃ （１０ｍ５ｅｃ／３２バイト×６４にバ
イト）であシ、非常に時間がかかる。メモリーカードの
容量が増えれば増えるほど、より時間がかかることにな
り、従来の方法では全てのデータを書換えるのに非常に
時間がかかるという問題点を有していた。
問題点を解決するための手段
本発明は上記問題点を解決するために制御回路でＥ２Ｆ
ＲＯＭのページ書込みモードで書込めるバイト数毎にに
２ＦＲＯＭメモリーＩＣを選択するようにしたものであ
る。
ＲＯＭのページ書込みモードで書込めるバイト数毎にに
２ＦＲＯＭメモリーＩＣを選択するようにしたものであ
る。
作用
本発明により１個目のＥ２ＦＲＯＭメモリーＩＣにペー
ジ書込みモードでの１ペ一ジ分のデータ例えば３２バイ
トのデータを転送した後でデータが書込み終了する間に
次の１２ＦＲＯＭメモリーｘｃにデータを転送すること
ができるので、メモリーカードの全てのデータを書換え
るのに必要な時間が短縮される。
ジ書込みモードでの１ペ一ジ分のデータ例えば３２バイ
トのデータを転送した後でデータが書込み終了する間に
次の１２ＦＲＯＭメモリーｘｃにデータを転送すること
ができるので、メモリーカードの全てのデータを書換え
るのに必要な時間が短縮される。
実施例
本発明のメモリーカードのブロック図を第１図（ｉＬ）
に示す。第１図（ＩＬ）で１ムは外部機器からの入力信
号で、他は第３図（ａ）と同じである。外部機器からの
入力信号１ムは従来例と同様にアドレス信号である。８
にバイトのＩＥ２ＦＲＯＭメモリーＩＣを８個使って６
４にバイトのメモリーカードを構成した場合のデータ書
込み動作を第１図中）、第２図を便って説明する。従来
例と同様にアドレス信号はム。〜ム、５の１６本でアド
レス信号ム５．ムロ、ム７の３本を制御回路２の３人力
８出力のデコーダ回路に入力する。デコーダ回路の８出
力を１２ＦＲＯＭメモリーＩＣ８個のチップセレクト端
子３Ｌ〜１０ａに接続することにより、第１図（′ｂ）
に示す様に３２バイト毎にＥ２ＦＲＯＭメモリーＩＣ選
択することができる。第２図はページ書込みモードでの
６４にバイトメモリーカードの書込み時間を示したもの
であり、記号が示す内容は第４図と同じである。
に示す。第１図（ＩＬ）で１ムは外部機器からの入力信
号で、他は第３図（ａ）と同じである。外部機器からの
入力信号１ムは従来例と同様にアドレス信号である。８
にバイトのＩＥ２ＦＲＯＭメモリーＩＣを８個使って６
４にバイトのメモリーカードを構成した場合のデータ書
込み動作を第１図中）、第２図を便って説明する。従来
例と同様にアドレス信号はム。〜ム、５の１６本でアド
レス信号ム５．ムロ、ム７の３本を制御回路２の３人力
８出力のデコーダ回路に入力する。デコーダ回路の８出
力を１２ＦＲＯＭメモリーＩＣ８個のチップセレクト端
子３Ｌ〜１０ａに接続することにより、第１図（′ｂ）
に示す様に３２バイト毎にＥ２ＦＲＯＭメモリーＩＣ選
択することができる。第２図はページ書込みモードでの
６４にバイトメモリーカードの書込み時間を示したもの
であり、記号が示す内容は第４図と同じである。
まづ（１）で１個目の１２ＦＲＯＭメモリーＩＣに１ペ
一ジ分のデータ即ち３２バイトのデータを転送し、転送
し終った後、即ちｔｌ−１時間後に？）で２個目のｘ２
ＦＲＯＭメモリーＩＣに３２バイトのデータを転送しｔ
２−７時間後に（３）で３個目αに’ ＦＲＯＭメモリ
ーＩＣに３２バイトのデータを転送していくというよう
に次々と３２バイト毎にデータを転送し、（８）テ８８
個目ＤＢ２ＦＲＯＭメ−１−リーＩＣＥ３２バイトのデ
ータを転送した後で１ペ一ジ分のデータが書込み終了す
るのに必要な時間τ８−１即ち１０ｍ５ｅＣデータ転送
するのを中断し、（１）にもどって１個目のに２ＦＲＯ
ＭメモリーＩＣに３２バイトのデータを転送する。この
時、最初に１個目のＩＥ２ＦＲＯＭメモＩ） −Ｉ Ｏ
に転送された３２バイトのデータはデータが書込み終了
するのに必要な時間τ１−１を超しているので、最初の
データは書込みれている。この様にして次々と３２バイ
ト毎にデータを転送して書込んでいくことができる。
一ジ分のデータ即ち３２バイトのデータを転送し、転送
し終った後、即ちｔｌ−１時間後に？）で２個目のｘ２
ＦＲＯＭメモリーＩＣに３２バイトのデータを転送しｔ
２−７時間後に（３）で３個目αに’ ＦＲＯＭメモリ
ーＩＣに３２バイトのデータを転送していくというよう
に次々と３２バイト毎にデータを転送し、（８）テ８８
個目ＤＢ２ＦＲＯＭメ−１−リーＩＣＥ３２バイトのデ
ータを転送した後で１ペ一ジ分のデータが書込み終了す
るのに必要な時間τ８−１即ち１０ｍ５ｅＣデータ転送
するのを中断し、（１）にもどって１個目のに２ＦＲＯ
ＭメモリーＩＣに３２バイトのデータを転送する。この
時、最初に１個目のＩＥ２ＦＲＯＭメモＩ） −Ｉ Ｏ
に転送された３２バイトのデータはデータが書込み終了
するのに必要な時間τ１−１を超しているので、最初の
データは書込みれている。この様にして次々と３２バイ
ト毎にデータを転送して書込んでいくことができる。
６４にバイトのメモリーカードの全てのデータを書換え
るのに必要な時間は８にバイトのに２ＦＲＯＭメモリー
ＩＣ１個を書換えるのに必要な時間とほぼ同じで約２．
５１４ｆｈＱである。（１ｏ ｍ５ｅｃ／３２バイ）Ｘ
８にバイト） 発明の効果 本発明によシメモリーカードの全てのデータを書換える
のに必要な時間が従来より大幅に短縮され、メモリーカ
ードの容量が増えても書換え時間が一定である。例えば
８にバイトのＩＥ２ ＦＲＯＭメモリーＩＣでページ書
込みモードが３２バイトで１０ｍ５ｅｃ必要なメモリー
ＩＣを使った場合１６−バイトの容量のメモリーカード
までｆｆ ２．５５！６ｆｆ？’全データを誉換えられ
る。
るのに必要な時間は８にバイトのに２ＦＲＯＭメモリー
ＩＣ１個を書換えるのに必要な時間とほぼ同じで約２．
５１４ｆｈＱである。（１ｏ ｍ５ｅｃ／３２バイ）Ｘ
８にバイト） 発明の効果 本発明によシメモリーカードの全てのデータを書換える
のに必要な時間が従来より大幅に短縮され、メモリーカ
ードの容量が増えても書換え時間が一定である。例えば
８にバイトのＩＥ２ ＦＲＯＭメモリーＩＣでページ書
込みモードが３２バイトで１０ｍ５ｅｃ必要なメモリー
ＩＣを使った場合１６−バイトの容量のメモリーカード
までｆｆ ２．５５！６ｆｆ？’全データを誉換えられ
る。
第１図ａ、ｂは本発明一実施例のメモリーカードのブロ
ック図と動作説明図、第２図は本発明のメモリーカード
のデータ書込み動作の説明図、第３図ａ、ｂは従来のメ
モリーカードのブロック図と動作説明図、第４図は従来
のメモリーカードのデータ書込み動作の説明図である。 １ム、ＩＢ・・・・・・外部機器からの入力信号、２・
・・・・・制御回路、３〜ｎ・・・・・・Ｋ２ＰＲＯＭ
、メモリーｘＣ３１ＬＮｎト・・・・・Ｋ２ＰＲＯＭメ
モリーＩＣのチップセレクト端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名城
ック図と動作説明図、第２図は本発明のメモリーカード
のデータ書込み動作の説明図、第３図ａ、ｂは従来のメ
モリーカードのブロック図と動作説明図、第４図は従来
のメモリーカードのデータ書込み動作の説明図である。 １ム、ＩＢ・・・・・・外部機器からの入力信号、２・
・・・・・制御回路、３〜ｎ・・・・・・Ｋ２ＰＲＯＭ
、メモリーｘＣ３１ＬＮｎト・・・・・Ｋ２ＰＲＯＭメ
モリーＩＣのチップセレクト端子。 代理人の氏名 弁理士 中 尾 敏 男 ほか１名城
Claims (1)
- 複数個のＥ＾２ＰＲＯＭ（ＥｌｅｃｔｒｉｃａｌｌｙＥ
ｒａｓａｂｌｅ Ｐｒｏｇｒａｍｍａｂｌｅ Ｒｅａｄ
ＯｎｌｙＭｅｍｏｒｙ）メモリーＩＣと、外部機器と
の信号の授受を行うための入出力端子と、制御回路とか
らなり、前記制御回路でＥ＾２ＰＲＯＭのページ書込み
モードで書込めるバイト数毎に前記Ｅ＾２ＰＲＯＭメモ
リーＩＣを選択してデータを書込ませるメモリーカード
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62122960A JPS63288384A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | メモリ−カ−ド |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP62122960A JPS63288384A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | メモリ−カ−ド |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63288384A true JPS63288384A (ja) | 1988-11-25 |
Family
ID=14848884
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP62122960A Pending JPS63288384A (ja) | 1987-05-20 | 1987-05-20 | メモリ−カ−ド |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63288384A (ja) |
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH064399A (ja) * | 1992-06-22 | 1994-01-14 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP2000148583A (ja) * | 1992-06-22 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP2000163314A (ja) * | 1992-06-22 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP2002236612A (ja) * | 2002-01-21 | 2002-08-23 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP2004240993A (ja) * | 2004-04-12 | 2004-08-26 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP2005100470A (ja) * | 2004-12-28 | 2005-04-14 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP2005339581A (ja) * | 2005-08-08 | 2005-12-08 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| US7173853B2 (en) | 1992-07-06 | 2007-02-06 | Renesas Technology Corp. | Nonvolatile semiconductor memory |
| JP2008108281A (ja) * | 2008-01-10 | 2008-05-08 | Renesas Technology Corp | 半導体ディスク装置 |
| US8001319B2 (en) | 1992-06-22 | 2011-08-16 | Solid State Storage Solutions, Inc. | Semiconductor storage device |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043756A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Nec Corp | メモリ管理方式 |
| JPS62125447A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Fujitsu Ltd | インタリ−ブ機能を有するメモリ |
-
1987
- 1987-05-20 JP JP62122960A patent/JPS63288384A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6043756A (ja) * | 1983-08-19 | 1985-03-08 | Nec Corp | メモリ管理方式 |
| JPS62125447A (ja) * | 1985-11-26 | 1987-06-06 | Fujitsu Ltd | インタリ−ブ機能を有するメモリ |
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8001319B2 (en) | 1992-06-22 | 2011-08-16 | Solid State Storage Solutions, Inc. | Semiconductor storage device |
| JP2000148583A (ja) * | 1992-06-22 | 2000-05-30 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
| JP2000163314A (ja) * | 1992-06-22 | 2000-06-16 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
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| US7366016B2 (en) | 1992-07-06 | 2008-04-29 | Solid State Storage Solutions, Llc | Nonvolatile semiconductor memory |
| US8072809B2 (en) | 1992-07-06 | 2011-12-06 | Solid State Storage Solutions, Inc. | Nonvolatile semiconductor memory |
| US7746697B2 (en) | 1992-07-06 | 2010-06-29 | Solid State Storage Solutions, Inc. | Nonvolatile semiconductor memory |
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| JP2004240993A (ja) * | 2004-04-12 | 2004-08-26 | Hitachi Ltd | 半導体記憶装置 |
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