JPS63144496A - 記憶装置の書込み制御方式 - Google Patents
記憶装置の書込み制御方式Info
- Publication number
- JPS63144496A JPS63144496A JP61290950A JP29095086A JPS63144496A JP S63144496 A JPS63144496 A JP S63144496A JP 61290950 A JP61290950 A JP 61290950A JP 29095086 A JP29095086 A JP 29095086A JP S63144496 A JPS63144496 A JP S63144496A
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- Japan
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- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000006870 function Effects 0.000 description 2
- 235000007575 Calluna vulgaris Nutrition 0.000 description 1
- 241001446467 Mama Species 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Memory System (AREA)
- Read Only Memory (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔概要〕
この発明は、記憶装置(P−ROM)のデータ書込みに
長時間を要するのを短縮するために、書込み不要のアド
レスにフラグを付けて、このフラグ付きのアドレスに対
する書込みを行わないようにして処理時間の短縮を図っ
たものである。
長時間を要するのを短縮するために、書込み不要のアド
レスにフラグを付けて、このフラグ付きのアドレスに対
する書込みを行わないようにして処理時間の短縮を図っ
たものである。
この発明は記憶装置の書込み制御方式に係り、特に電気
的な書込み可能な読出し専用メモリ (以後P−ROM
と記す)の書込み制御方式に関するものである。
的な書込み可能な読出し専用メモリ (以後P−ROM
と記す)の書込み制御方式に関するものである。
マイクロコンピュータ等に大容量で低価格であるという
ことから記憶装置としてP−ROMが盛んに用いられて
いる。このP−ROMは回路設計当座その容量を規定す
るすることが困難であるために、プログラムメモリ用に
大容量のr’−ROMを用いる。このP−ROMにデー
タを書込みを行うと、読み出しより長い時間を必要とす
る。一方、大容量のP−ROMを用いてプログラムを格
納す葛と、未使用の部分が生ずることがあるが、書込み
動作としては未使用部分にも書込み操作を必要としてい
た。従って、書込み不要のデータの書込みを省略し書込
みを高速化できる記憶装置の書込み制御方式が要望され
ている。
ことから記憶装置としてP−ROMが盛んに用いられて
いる。このP−ROMは回路設計当座その容量を規定す
るすることが困難であるために、プログラムメモリ用に
大容量のr’−ROMを用いる。このP−ROMにデー
タを書込みを行うと、読み出しより長い時間を必要とす
る。一方、大容量のP−ROMを用いてプログラムを格
納す葛と、未使用の部分が生ずることがあるが、書込み
動作としては未使用部分にも書込み操作を必要としてい
た。従って、書込み不要のデータの書込みを省略し書込
みを高速化できる記憶装置の書込み制御方式が要望され
ている。
従来の記憶装置の書込み制御は、外部例えばパソコン等
から送られて来たデータがバッファ記憶装置(以後バッ
ファメモリと記す)に一時保持され、この保持されたデ
ータをP−ROMに書込むと、この書込まれたP−RO
Mのデータとバッファメモリのデータとを比較して、書
込まれたデータの正誤を検出している。
から送られて来たデータがバッファ記憶装置(以後バッ
ファメモリと記す)に一時保持され、この保持されたデ
ータをP−ROMに書込むと、この書込まれたP−RO
Mのデータとバッファメモリのデータとを比較して、書
込まれたデータの正誤を検出している。
上記したように、従来の記憶装置の書込み制御は、P−
ROMに書込まれたデータの正誤を比較検出する必要か
ら、P−ROMとバッファメモリとの内容を同一として
いる。従って、記憶すべきプログラムがP−ROMの記
憶容量より小さい場合でも、書込みの不要であるアドレ
ス領域まで書込みを行い書込み処理に長い時間を要する
と云う問題があった。
ROMに書込まれたデータの正誤を比較検出する必要か
ら、P−ROMとバッファメモリとの内容を同一として
いる。従って、記憶すべきプログラムがP−ROMの記
憶容量より小さい場合でも、書込みの不要であるアドレ
ス領域まで書込みを行い書込み処理に長い時間を要する
と云う問題があった。
この発明は、従来の状況から書込み処理が短時間で行え
高速化の図れる記憶装置の書込み制御方式を提供するこ
とを目的とするものである。
高速化の図れる記憶装置の書込み制御方式を提供するこ
とを目的とするものである。
書込み不要のフラグを付けたデータをバッファメモリに
格納し、書込み制御部がこのフラグの状態を検出して当
該アドレスのデータをP−ROMに書込まないように構
成しである。
格納し、書込み制御部がこのフラグの状態を検出して当
該アドレスのデータをP−ROMに書込まないように構
成しである。
P−ROMにデータを書込みする際に、書込み制御部が
バッファメモリのフラグよって該当するアドレスの書込
みを中止して、次のアドレスの書込みを行い処理の高速
化を図る。
バッファメモリのフラグよって該当するアドレスの書込
みを中止して、次のアドレスの書込みを行い処理の高速
化を図る。
第1図は本発明による記憶装置の書込み制御方式の一実
施例を示すブロック図である。バッファメモリ1にはア
ドレスに対応して、データとこのデータの書込み要否を
示すフラグビットが設けである。
施例を示すブロック図である。バッファメモリ1にはア
ドレスに対応して、データとこのデータの書込み要否を
示すフラグビットが設けである。
バッファメモリ1に保持されたデータをP−ROM2に
格納する場合には、書込み制御部3がアドレス発生部4
のアドレスに基づいて、バララフアメモリ1の該当する
アドレスのデータとフラグとをP−ROM 2に転送を
開始する。
格納する場合には、書込み制御部3がアドレス発生部4
のアドレスに基づいて、バララフアメモリ1の該当する
アドレスのデータとフラグとをP−ROM 2に転送を
開始する。
書込み制御部3はP−ROM 2に書込みを許可する許
可信号を出力する機能をもっており、この機能はフラグ
が書込み不要を示す時に、バッファメモリlからP−R
OM 2へのデータの転送を不許可にする。例えば、書
込み要の時にフラグを論理“1゜とし、書込み不要の時
に論理“0° とする。ダイオード3−1によって論理
“Ooの時P−RO1’l 2に書込み許可信号を与え
ず、アドレス発生部4に即座に次のアドレスを要求する
。
可信号を出力する機能をもっており、この機能はフラグ
が書込み不要を示す時に、バッファメモリlからP−R
OM 2へのデータの転送を不許可にする。例えば、書
込み要の時にフラグを論理“1゜とし、書込み不要の時
に論理“0° とする。ダイオード3−1によって論理
“Ooの時P−RO1’l 2に書込み許可信号を与え
ず、アドレス発生部4に即座に次のアドレスを要求する
。
第2図を用いて書込み制御部3の動作を説明する。書込
み制御部3はバッファメモリ1からアドレス発生部4の
指示するアドレスのデータとフラグを取り込む。(a)
に示す状態である。この時のフラグの状態が書込み要の
状態(Noで示す状態)の時に(bl、P−ROM 2
ヘデータを書込み(C)、書込みが全部終了するまで繰
り返し書込みを行う(d)。
み制御部3はバッファメモリ1からアドレス発生部4の
指示するアドレスのデータとフラグを取り込む。(a)
に示す状態である。この時のフラグの状態が書込み要の
状態(Noで示す状態)の時に(bl、P−ROM 2
ヘデータを書込み(C)、書込みが全部終了するまで繰
り返し書込みを行う(d)。
若し書込み不要(YESの場合)であると(b)、デー
タの書込みを行わず、アドレス発生部4のアドレス更新
に基づいて、書込み終了まで繰り返す(di。
タの書込みを行わず、アドレス発生部4のアドレス更新
に基づいて、書込み終了まで繰り返す(di。
アドレス発生部4は書込み不要及び書込みによってアド
レスを更新する。
レスを更新する。
従って、不要のデータはP−ROMに書込まれず、その
分書込み時間の短縮を図れる。
分書込み時間の短縮を図れる。
以上の説明から明らかなように、この発明によれば不要
のデータの書込み回数が減少し記憶装置を高速化する上
できわめて有効なものとなる。
のデータの書込み回数が減少し記憶装置を高速化する上
できわめて有効なものとなる。
第1図は本発明による記憶装置の書込み制御方式の一実
施例を示すブロック図、 第2図は本発明の書込み制御を説明するためのフローチ
ャートである。 図において、1はバッファメモリ、2はP−ROM、3
は書込み制御部、4はアドレス発生部を示す。 シト屓釜g月1m)ろと乙イ」1乏21【つ1rシ!み
宥り(7ソrKつ−犬3キ4り共零す)“Q・、77m 第1図 、杢廃θH−客し腔j権pt=を明7まためn70−チ
ャート第2図
施例を示すブロック図、 第2図は本発明の書込み制御を説明するためのフローチ
ャートである。 図において、1はバッファメモリ、2はP−ROM、3
は書込み制御部、4はアドレス発生部を示す。 シト屓釜g月1m)ろと乙イ」1乏21【つ1rシ!み
宥り(7ソrKつ−犬3キ4り共零す)“Q・、77m 第1図 、杢廃θH−客し腔j権pt=を明7まためn70−チ
ャート第2図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 バッファ記憶装置(1)からデータを転送して記憶装
置(2)に該データの書込みを行うシステムにおいて、 前記データの各アドレス毎に書込み不要のフラグを付し
て前記バッファ記憶装置(1)に格納し、当該フラグの
状態に応じて対応するアドレスへの書込みを行わないこ
とを特徴とする記憶装置の書込み制御方式。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61290950A JPS63144496A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 記憶装置の書込み制御方式 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP61290950A JPS63144496A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 記憶装置の書込み制御方式 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPS63144496A true JPS63144496A (ja) | 1988-06-16 |
Family
ID=17762581
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP61290950A Pending JPS63144496A (ja) | 1986-12-05 | 1986-12-05 | 記憶装置の書込み制御方式 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPS63144496A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006132365A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | National University Corporation NARA Institute of Science and Technology | メモリコントローラ、情報処理システム及びリードアクセス方法 |
-
1986
- 1986-12-05 JP JP61290950A patent/JPS63144496A/ja active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2006132365A1 (ja) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | National University Corporation NARA Institute of Science and Technology | メモリコントローラ、情報処理システム及びリードアクセス方法 |
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