JP3776461B2 - 半導体集積回路装置およびチップ選別方法 - Google Patents
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Description
【産業上の利用分野】
この発明は半導体集積回路装置およびチップ選別方法に係わり、特に製品の仕様が変えられる半導体集積回路装置および製品の仕様が変えられる点を利用したチップ選別方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
ダイナミック型RAM(以下DRAMと称す)には、リフレッシュ時間Tとリフレッシュ・サイクルRとの間に、T/R=15.6μsecという関係がある。この関係は、ダイナミック型RAMの各世代毎で共通である。例えば1メガDRAM世代では8msec/512cycle、4メガDRAM世代では16msec/1024cycle(以下、1kcycleと称す)といった具合である。
【0003】
ところが16メガDRAM世代以降になると、通常、32msec/2048cycle(以下2kcycleと称す)とされるのであるが、低消費電力化・発熱防止のため、並びにアクティブ電流を小さくする目的で、リフレッシュ・サイクル数を大きくし、一度に活性化するセルアレイ数を減らすことが必要になってきた。例えば4096cycle(以下4kcycleと称す)等である。
【0004】
さらに上記の点ばかりではなく、多ビット構成の対称アドレス品を作るため、リフレッシュ・サイクルを小さくする必要性もでてきている。例えば1kcycle等である。チップサイズを大きくしないことや、センス感度(CB /CS ;CB はビット線容量、CS はセル容量)の確保という観点から、1ビット線当りのセル数を現状(例えば128セル/ビット線)より変えられない事情から考えれば、リフレッシュ・サイクル数を変えるのが素直である。
【0005】
このようにリフレッシュ・サイクル数を変えるということは、リフレッシュサイクルを変える毎にチップを設計しなければならないということである。このため、回路設計者に多大な負担がかかり、開発効率が低下する。
また、製品の多品種化が進展すると、生産工場では、様々な品種の製品を同時に作らなければならなくなるので、生産効率が低下する。
【0006】
さらに、従来のチップ選別試験は、単に不良品を選別するだけである。チップ選別試験では、各製品毎に設定されている合格レベルに到達しないチップは不良とされ、廃棄される。このため、従来のチップ選別試験は、製品歩留りを低下させる原因となっている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
この発明の目的は、上記製品の多品種化が進展すると開発効率および生産効率が低下する、という課題を解決し、多品種化が進展しても開発効率および生産効率が低下しない半導体集積回路装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するために、この発明の第1の態様は、第1、第2アドレス信号を含む複数のアドレス信号を出力するアドレスバッファ群と、情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第1メモリセルアレイ群と、情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第2メモリセルアレイ群と、前記第1メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第1I/Oセンスアンプ群と、前記第2メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第2I/Oセンスアンプ群と、製品仕様を決定する決定信号を受け入れる受入手段と、前記決定信号に基いて、リフレッシュサイクルを切り換える切換信号を生成する切換信号生成部と、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中それぞれからメモリセルアレイを一つずつ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群を選択し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号および前記第2アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中からメモリセルアレイを一つ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のうち、前記選択したメモリセルアレイが含まれる前記第1、又は第2メモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択するデコーダと、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号に基いて前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のいずれかを活性化させ、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群をそれぞれ活性化させるI/Oセンスアンプ制御回路と、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路に供給し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダに供給するアドレス切換部とを具備することを特徴としている。
【0009】
また、第2の態様は、第1、第2アドレス信号を含む複数のアドレス信号を出力するアドレスバッファ群と、情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第1メモリセルアレイ群と、情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第2メモリセルアレイ群と、前記第1メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第1I/Oセンスアンプ群と、前記第2メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第2I/Oセンスアンプ群と、リフレッシュサイクルを切り換える切換信号を生成する切換信号生成部と、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中それぞれからメモリセルアレイを一つずつ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群を選択し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号および前記第2アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中からメモリセルアレイを一つ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のうち、前記選択したメモリセルアレイが含まれる前記第1、又は第2メモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択する、前記第1アドレス信号が入力される第1入力と、第2入力とを有するデコーダと、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号に基いて前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のいずれかを活性化させ、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群をそれぞれ活性化させる、入力を有するI/Oセンスアンプ制御回路と前記切換信号が入力される第1入力と、前記第2アドレス信号が入力される第2入力と、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力する第1出力と、前記第2アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力する第2出力とを有するアドレス切換部とを具備する。そして、前記アドレス切換部は、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御 回路の入力に向けて出力することを特徴としている。
【0010】
また、第3の態様は、第1、第2アドレス信号を含む複数のアドレス信号を出力するアドレスバッファ群と、第3アドレス信号を含む他のアドレス信号を出力する他のアドレスバッファ群と、情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第1メモリセルアレイ群と、情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第2メモリセルアレイ群と、前記第1メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第1I/Oセンスアンプ群と、前記第2メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第2I/Oセンスアンプ群と、リフレッシュサイクルを切り換える切換信号を生成する切換信号生成部と、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中それぞれからメモリセルアレイを一つずつ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群を選択し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号および前記第2アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中からメモリセルアレイを一つ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のうち、前記選択したメモリセルアレイが含まれる前記第1、又は第2メモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択する、前記第1アドレス信号が入力される第1入力と、第2入力とを有するデコーダと、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号に基いて前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のいずれかを活性化させ、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群をそれぞれ活性化させる、入力を有するI/Oセンスアンプ制御回路と、前記切換信号が入力される第1入力と、前記第2アドレス信号が入力される第2入力と、前記第3アドレス信号が入力される第3入力と、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力する第1出力と、前記第3アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力する第2出力とを有するアドレス切換部とを具備する。そして、前記アドレス切換部は、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入 力に向けて出力し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第3アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力することを特徴としている。
また、第4の態様は、第1、第2アドレス信号を含む複数のアドレス信号を出力するアドレスバッファ群と、第3アドレス信号を含む他のアドレス信号を出力する他のアドレスバッファ群と、情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第1メモリセルアレイ群と、情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第2メモリセルアレイ群と、前記第1メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第1I/Oセンスアンプ群と、前記第2メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第2I/Oセンスアンプ群と、リフレッシュサイクルを切り換える切換信号を生成する切換信号生成部と、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中それぞれからメモリセルアレイを一つずつ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群を選択し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号および前記第2アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中からメモリセルアレイを一つ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のうち、前記選択したメモリセルアレイが含まれる前記第1、又は第2メモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択する、前記第1アドレス信号が入力される第1入力と、第2入力とを有するデコーダと、入力を有するカラム系デコーダと、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号に基いて前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のいずれかを活性化させ、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群をそれぞれ活性化させる、入力を有するI/Oセンスアンプ制御回路と、前記切換信号が入力される第1入力と、前記第2アドレス信号が入力される第2入力と、前記第3アドレス信号が入力される第3入力と、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力する第1出力と、前記第2アドレス信号を前記カラム系デコーダの入力に向けて出力する第2出 力と、前記第3アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力する第3出力と、前記第3アドレス信号を前記カラム系デコーダの入力に向けて出力する第4出力とを有するアドレス切換部とを具備する。そして、前記アドレス切換部は、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力するとともに前記第3アドレス信号を前記カラム系デコーダの入力に向けて出力し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記カラム系デコーダの入力に向けて出力するとともに、前記第3アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力することを特徴としている。
また、第5の態様は、リフレッシュサイクルを切り換える、第1、第2、第3切換信号を生成する切換信号生成部と、第1アドレス信号を出力する出力を有する第1アドレスバッファと、前記第1切換信号が入力される入力と、第2アドレス信号を出力する出力とを有する第2アドレスバッファと、前記第2切換信号が入力される入力と、第3アドレス信号を出力する出力とを有する第3アドレスバッファと、前記第1切換信号が入力される入力と、第4アドレス信号を出力する出力とを有する第4アドレスバッファと、前記第2切換信号が入力される入力と、第5アドレス信号を出力する出力とを有する第5アドレスバッファと、情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む、複数のメモリセルアレイ群、およびこれら複数のメモリセルアレイ群に対応した複数のI/Oセンスアンプ群と、前記第1乃至第3切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号をデコードして前記複数のメモリセルアレイ群からメモリセルアレイを選択するとともに、選択した前記複数のメモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択し、前記第1乃至第3切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2アドレス信号をデコードして前記複数のメモリセルアレイ群からメモリセルアレイを選択するとともに、選択した前記複数のメモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択し、前記第1乃至第3切換信号が第3リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2、第3アドレス信号をデコードして前記複数のメモリセルアレイ群からメモリセルアレイを選択するとともに、選択した前記複数のメモリセルア レイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択するデコーダと、前記第1乃至第3切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第4、第5アドレス信号に基いて複数のI/Oセンスアンプ群を選択し、選択したI/Oセンスアンプ群を活性化させ、前記第1乃至第3切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第4アドレス信号に基いて複数のI/Oセンスアンプ群を選択し、選択したI/Oセンスアンプ群を活性化させ、前記第1乃至第3切換信号が第3リフレッシュサイクルを指定したとき、前記複数のI/Oセンスアンプ群を活性化させるI/Oセンスアンプ制御回路と、前記第1切換信号、前記第3切換信号、および前記第2乃至第5アドレス信号がそれぞれ入力される第1乃至第6入力と、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力する第1出力と、前記第3アドレス信号を前記デコーダの第3入力に向けて出力する第2出力と、前記第4アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第1入力に向けて出力する第3出力と、前記第5アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第2入力に向けて出力する第4出力と有するアドレス切換部とを具備する。前記アドレス切換部は、前記第1乃至第3切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第4アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第1入力に向けて出力するとともに前記第5アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第2入力に向けて出力し、前記第1乃至第3切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第4アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第1入力に向けて出力するとともに、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力し、前記第1乃至第3切換信号が第3リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力するとともに、前記第3アドレス信号を前記デコーダの第3入力に向けて出力することを特徴としている。
【0011】
【作用】
上記第1乃至第5の態様に係る装置では、リフレッシュサイクルを切り換える切換信号がどのリフレッシュサイクルを指定したかのかに応じ、アドレス信号を、デコーダ、あるいはI/Oセンスアンプ制御回路のどちらかに、もしくは双方に供給することで、I/Oセンスアンプ群を、指定されたリフレッシュサイクルに応じて、デコーダ、あるいはI/Oセンスアンプ制御回路のどちらかで、もしくは双方で選択できるようにしている。これにより、一度に活性化されるメモリセルアレイの数が変った場合でも、選択されるべきI/Oセンスアンプ群を選択することが可能となり、異なったリフレッシュサイクルを持つ製品を得るようにしている。このため、製品の仕様(品種)に合わせて回路設計者が1つ1つ回路を設計する必要が無くなり、開発効率が向上する。さらに、様々な品種の製品各々で、ほぼ全ての製造工程を共用でき、生産効率が向上する。
【0014】
【実施例】
以下、図面を参照してこの発明の実施例について説明する。なお、この説明において、全図に渡り共通部分には共通の参照符号を用いることで、重複説明は避けることにする。
【0015】
図1は、この発明の第1の実施例に係わるDRAMのブロック図である。第1の実施例は、リフレッシュ・サイクル数が2kcycleのDRAMと、4kcycleのDRAMとが得られる例である。
【0016】
図1に示すように、メモリセルアレイ(以下MCAと称す)1は、MCA0 〜MCA7 に8分割されている。Xアドレス・バッファ群3は、アドレス入力信号Ainを受けて複数のXアドレス信号を生成する。Xアドレス信号は、MCA0 〜MCA7 をそれぞれ分割動作させるために、第1XアドレスX0 〜X8 と第2XアドレスX9 ,X10とがそれぞれ設定され、さらに、製品仕様を切り換えることを可能とするために、第3XアドレスX11が設定される。X1デコ−ダ5には第1XアドレスX0 〜X8 が供給される。X1デコ−ダ5は第1XアドレスX0 〜X8 をデコ−ドし、MCAのワ−ド線(ロウ)を選択する信号を出力する。X2デコ−ダ7には第2XアドレスX9 ,X10が供給され、さらに第3XアドレスX11がアドレス切り換え部9を介してから供給される。2kcycleのDRAMとされた時、X2デコ−ダ7は、第2XアドレスX9 ,X10をデコ−ドし、MCA0 〜MCA3 のうちの1アレイとMCA4 〜MCA7 のうちの1アレイとをそれぞれ同時に選択する信号、およびセンスアンプ110 〜113 を選択する信号、I/O センスアンプ群130 〜133 を選択する信号をそれぞれ生成する。また、4kcycleのDRAMとされた時には、X2デコ−ダ7は、第2XアドレスX9 ,X10、および第3XアドレスX11をデコ−ドし、およびMCA0 〜MCA7 のうち1アレイを選択する信号、センスアンプ110 〜113 を選択する信号、I/O センスアンプ群130 〜133 を選択する信号をそれぞれ出力する。尚、図1中、参照符号150 〜157 に示されるブロックはワ−ド線駆動回路であり、参照符号170 〜173 に示されるブロックはセンスアンプ駆動回路である。Yアドレス・バッファ群19は、アドレス入力信号Ainを受けて複数のYアドレス信号を生成する。Yアドレス信号は、第1YアドレスY1 〜Y11と第2YアドレスY0 とがそれぞれ設定されている。Y1デコ−ダ21には第1YアドレスY1 〜Y11が供給される。Y1デコ−ダ21は第1YアドレスY1 〜Y11をデコ−ドし、MCAのビット線(カラム)を選択する信号を出力する。Y2デコ−ダ23は第2YアドレスY0 をデコ−ドし、I/O センスアンプ群13が含むI/O センスアンプのうち例えば1つを選択する信号を出力する。
【0017】
図1に示すDRAMには、製品の仕様を半永久的に決定する製品仕様決定部25が設けられている。製品仕様決定部25は、製品仕様を半永久的に決定するための製品仕様決定信号SDSを受け入れる受入部27と、この決定信号受入部27に接続され、信号SDSに基いて製品仕様を切り換える内部切換信号φ2、φ4をそれぞれ生成する切換信号生成部29と、信号φ2、φ4に基いてアドレス信号の行き先を切り換えるアドレス信号切換部9とにより、構成されている。
次に、製品仕様決定部25の動作について説明する。
【0018】
まず、製品仕様決定信号SDSが2kcycleリフレッシュ製品を指定する信号である場合、切換信号生成部29は、信号SDSに基いて2kcycleリフレッシュ製品切り換え信号φ2を生成し、アドレス信号切換部9およびI/O センスアンプ制御回路31にそれぞれ出力する。アドレス信号切換部9は、信号φ2に基いて第3XアドレスX11をアドレスX11Y に切り換え、I/O センスアンプ制御回路31に出力する。
【0019】
また、製品仕様決定信号SDSが4kcycleリフレッシュ製品を指定する信号である場合、切換信号生成部29は、信号SDSに基いて4kcycleリフレッシュ製品切り換え信号φ4を生成し、アドレス信号切換部9およびX2デコ−ダ7に出力する。アドレス信号切換部9は、信号φ4に基いて第3XアドレスX11をアドレスX11X に切り換え、X2デコ−ダ7に出力する。また、信号φ2と信号φ4とは例えば互いに相補的な関係を持つ。切換信号生成部29は、信号φ2のレベルが反転した信号をI/O センスアンプ制御回路31に出力する。
次に、2kcycleリフレッシュ製品と4kcycleリフレッシュ製品とのデ−タ読み出し動作についてそれぞれ説明する。
まず、2kcycleリフレッシュ製品の読み出し動作について説明する。
【0020】
2kcycleリフレッシュ製品の場合には、I/O センスアンプ制御回路31にアドレスX11Y が供給される。これにより制御回路31は活性化される。I/O センスアンプ制御回路31は、I/O センスアンプ130 、131 のペア、または132 、133 のペアのいずれかを選択する信号を生成する。また、X2デコ−ダ7は、MCA0 〜MCA3 のうちの1アレイとMCA4 〜MCA7 のうちの1アレイとをそれぞれ同時に選択する信号を生成する。最終的にデ−タを出力するI/O センスアンプ群は、X2デコ−ダ7によって選択され、かつ制御回路31によって選択されたものとなる。デ−タの読み出しは、Yアドレス・バッファ群19で生成された第1YアドレスをY1デコ−ダ21でデコ−ドし、メモリセルから出力された情報を上記最終的にデ−タを出力するI/O センスアンプ群で増幅してデ−タ出力回路33から出力信号Doutとして出力することで成される。なお、図1中、参照符号35により示されるブロックは、入力信号Dinが入力されるデ−タ入力回路である。
次に、4kcycleリフレッシュ製品の読み出し動作について説明する。
【0021】
4kcycleリフレッシュ製品の場合には、I/Oセンスアンプ制御回路31に代えてX2デコーダ7にアドレスX11X が供給される。この時、X2デコーダ7は、MCA0 〜MCA7 のうち1アレイのみを活性化する信号を生成する。制御回路31は、信号φ2のレベルが反転したことを受けて、この反転信号に基いてI/O センスアンプ制御回路31は、I/Oセンスアンプ13 0 〜13 3 を選択する信号を生成する。最終的に活性化されるI/Oセンスアンプ13は、X2デコーダ7によって選択されたものとなる。
【0022】
以上のように、リフレッシュサイクルに応じて、切換部9で第3XアドレスX11を、X11X 、またはX11Y のいずれかに切り換えることによって、1つのチップで異なるリフレッシュサイクルに対応できる半導体集積回路装置を実現できる。 また、リフレッシュ動作は、ワ−ド線を選択するとともにセンスアンプ110 〜113 を動作させることによって成される。
【0023】
図1に示すDRAMには、カウンタ・リフレッシュ回路群37が設けられている。カウンタ・リフレッシュ回路群37中にはカウンタ回路39が含まれている。カウンタ回路39には、カウント開始を指示する信号CTRSおよび切換信号φ2、φ4が供給される。カウンタ回路39は、信号CTRSに基いて、XアドレスX0 〜X11を順次カウント・アップするカウンタ出力信号C0 〜C11を出力し、さらに信号φ2、φ4に基いて、出力信号C0 〜C11の信号数を変化させる。これは、2kcycleの製品と4kcycleの製品とでは、ロウ系のデコ−ダ(X1デコ−ダ5およびX2デコ−ダ7)に入力されるXアドレスの数が異なるため、Xアドレスの数とカウンタ出力信号の数とを互いに合わせるために行なわれる。この実施例では切換信号φ2が供給された時、カウンタ回路39は信号C11を出力しない。これは、2kcycle製品時、第3XアドレスX11がロウ系のデコ−ダ(X1デコ−ダ5およびX2デコ−ダ7)に入力されなくなるので、第3XアドレスX11を無視するためである。また、切換信号φ4が供給された時(あるいは切換信号φ2のレベルが反転されて供給された時)、カウンタ回路39は信号C11を出力する。
【0024】
図1に示すDRAMには、ワ−ド線昇圧部41が設けられている。ワ−ド線昇圧部41には切換信号φ2、φ4、昇圧信号φWLがそれぞれ供給される。ワ−ド線昇圧部41は、昇圧信号φWLに基いてワ−ド線の電位を昇圧させる。図1中参照符号43に示される部分は、昇圧された電位が供給される昇圧線である。この発明では、さらに信号φ2、φ4に基いてワ−ド線昇圧容量を変化させる。これは、2kcycleの製品と4kcycleの製品とでは、一度に活性化するワ−ド線の数が異なるため、ワ−ド線の負荷容量の変化に応じて、ワ−ド線昇圧容量のレベルを最適化するために行なわれる。2kcycle製品の時には、MCAが2つ選ばれるため、活性化されるワ−ド線の数が増えて負荷容量が増加する。この増加分を補償するため、2kcycle製品時、ワ−ド線昇圧部41は、切換信号φ2に基いてワ−ド線昇圧容量を増加させる。また、切換信号φ4が供給された時(あるいは切換信号φ2のレベルが反転されて供給された時;4kcycle製品時)、ワ−ド線昇圧部41は、2kcycle製品時よりもワ−ド線昇圧容量を減少させる。
【0025】
図1に示すDRAMには、周辺回路として/RAS(以下“/”は反転信号を示す記号として用いる)系回路群45、/CAS系回路群47、/WE系回路群49を含んでいる。これらの回路群の詳細は、本明細書では省略する。
図2は、製品仕様決定部25の具体的な構成を示す回路図である。
【0026】
図2に示すように、受入部27は出力端51に接続されたパッドPと、出力端51とパッドPとの相互接続点に一端を接続し他端を接地GNDに接続した抵抗Rとにより、構成されている。受入部27は、パッドPに高電位VCCが印加されたワイヤをボンディングする(決定信号SDSが“H”レベル)か否か(決定信号SDSが“L”レベル)によって、その出力端51を“H”レベル、または“L”レベルのいずれかに設定できる。出力端51は切換信号生成部29の入力端53に接続されている。
【0027】
切換信号生成部29は、入力端53に入力を接続した第1のインバ−タ55と、この第1のインバ−タ55の出力に入力を接続した第2のインバ−タ57とにより、構成されている。インバ−タ55の出力は第1のリフレッシュ切換信号φ2として抽出され、インバ−タ57の出力は第2のリフレッシュ切換信号φ4として抽出される。
【0028】
アドレス切換部9は、ゲ−トに切換信号φ2またはφ4が供給されるNチャネル型MOSFET(以下NMOSと称す)およびPチャネル型MOSFET(以下PMOSと称す)で成るスイッチ(トランスファ・ゲ−ト)591 〜594 により、構成される。Xアドレス・バッファ群3からは、アドレス信号A11R (X11)、およびその反転信号/A11R (/X11)がそれぞれ出力される。アドレス信号A11R (X11)はスイッチ591 、592 の一端に供給される。スイッチ591 の他端はX2デコ−ダ7に、スイッチ592 の他端はI/O センスアンプ制御回路31にそれぞれ接続されている。また反転信号/A11R (/X11)はスイッチ593 、594 の一端に供給される。スイッチ593 の他端はX2デコ−ダ7に、スイッチ594 の他端はI/O センスアンプ制御回路31にそれぞれ接続されている。
【0029】
スイッチ591 のPMOS、スイッチ592 のNMOS、スイッチ593 のPMOS、スイッチ594 のNMOSのゲ−トはそれぞれ、インバ−タ55の出力に接続される。スイッチ591 のNMOS、スイッチ592 のPMOS、スイッチ593 のNMOS、スイッチ594 のPMOSのゲ−トはそれぞれ、インバ−タ57の出力に接続される。
【0030】
このような接続であると、スイッチ591 および593 のペア、およびスイッチ592 および594 のペアのいずれかが選択されて動作するようになる。例えばインバ−タ55の出力が“H”レベル、インバ−タ57の出力が“L”レベルの時(2kcycleリフレッシュ製品)には、スイッチ592 およびスイッチ594 がオンし、アドレス信号A11R 、その反転信号/A11R がそれぞれ、アドレスX11Y 、/X11Y としてI/O センスアンプ制御回路31に供給される。
【0031】
反対にインバ−タ55の出力が“L”レベル、インバ−タ57の出力が“H”レベルの時(4kcycleリフレッシュ製品)には、スイッチ591 およびスイッチ593 がオンし、アドレス信号A11R 、その反転信号/A11R がそれぞれ、アドレスX11X 、/X11X としてX2デコ−ダ7に供給される。
【0032】
以上のように、製品仕様決定部25は、パッドPに高電位VCCが印加されたワイヤをボンディングするか否かによって、アドレス信号A11R およびその反転信号/A11R を、X2デコ−ダ7、およびI/O センスアンプ制御回路31のいずれかに切り換えて出力する。
図3は、受入部27のその他の構成を示す回路図である。
【0033】
図2に示した受入部27を、図3に示すような構成としても良い。すなわち、高電位VCCに抵抗Rの一端を接続し、この抵抗Rの他端をフュ−ズFの一端に接続し、このフュ−ズFの他端を接地GNDに接続する。抵抗Rとフュ−ズFとの相互接続点に出力端51を接続する。
【0034】
上記構成の受入部27においては、フュ−ズFを切断すると出力端51を“H”レベルに設定でき、フュ−ズFを切断しなければ出力端51を“L”レベルに設定できる。従って、図3に示す受入部27は、図2に示す受入部27と同様な動作をする。
図4は、図1に示すカウンタ回路39のブロック図である。
【0035】
図4に示すように、カウンタ回路39は、カウンタ610 〜6111により構成されている。最下位のカウンタ610 には、カウント開始を指示する信号CTRSおよびその反転信号BCTRSが供給される。カウンタ610 は、信号CTRSおよび反転信号BCTRSに基いてカウンタ出力信号C0 およびその反転信号BC0 を出力する。次段のカウンタ611 には、前段のカウンタ610 の出力(信号C0 および反転信号BC0 )が供給される。カウンタ611 は、信号C0 および反転信号BC0 に基いてカウンタ出力信号C1 およびその反転信号BC1 を出力する。このように、カウンタ611 〜6111はそれぞれ、前段のカウンタの出力を取り込み、取り込まれた信号に基いて信号C1 〜C11、反転BC1 〜BC11を順次出力する。最上位のカウンタ6111には、図示せぬ前段のカウンタ6110の出力(信号C10および反転信号BC10)、および切換信号φ4が供給される。カウンタ6111は、切換信号φ4が例えば“H”レベルで供給された時(4kcycleリフレッシュ製品)のみ、信号C10および反転信号BC10に基いてカウンタ出力信号C11およびその反転信号BC11を出力する。カウンタ6111は、切換信号φ4が例えば“L”レベルで供給された時(2kcycleリフレッシュ製品)には信号C11および反転信号BC11を出力しない。従って、2kcycleリフレッシュ製品では、カウンタ6111の出力は無視されるようになる。
図5は、図4に示すカウンタ回路39の具体的な構成を示す回路図である。
【0036】
カウンタ610 〜6110までの回路構成は同一である。従って、本明細書では、カウンタ610 、カウンタ611 、および最上位カウンタ6111のみを説明することにする。
図5(a)および(b)はそれぞれ、カウンタ610 、カウンタ611 の回路図である。
【0037】
図5(a)に示すように、クロックド・インバ−タ630 の出力は、インバ−タ650 の入力に接続されている(ノ−ドa1)。インバ−タ650 の出力は、PMOS670 、およびNMOS690 のゲ−トに接続されている。PMOS670 のドレインとNMOS690 のドレインは、互いに接続されている(ノ−ドa2)。PMOS670 のソ−スはPMOS710 のドレインに接続され、PMOS710 のソ−スは高電位電源に接続されている。PMOS710 のゲ−トには信号CTRSが供給される。NMOS690 のソ−スはNMOS730 のドレインに接続され、NMOS730 のソ−スは低電位電源(例えば接地)に接続されている。NMOS730 のゲ−トには反転信号BCTRSが供給される。ノ−ドa2は、ノ−ドa1に接続されるとともにクロックド・インバ−タ750 の入力に接続されている。クロックド・インバ−タ750 は、クロックド・インバ−タ630 とは逆相のクロックで駆動される。クロックド・インバ−タ750 の出力は、インバ−タ770 の入力に接続されている(ノ−ドa3)。インバ−タ770 の出力は、PMOS790 、およびNMOS810 のゲ−トに接続されている(ノ−ドa4)。PMOS790 のドレインとNMOS810 のドレインは互いに接続されている(ノ−ドa5)。PMOS790 のソ−スはPMOS830 のドレインに接続され、PMOS830 のソ−スは高電位電源に接続されている。PMOS830 のゲ−トには反転信号BCTRSが供給される。NMOS810 のソ−スはNMOS850 のドレインに接続され、NMOS850 のソ−スは、低電位電源(例えば接地)に接続されている。NMOS850 のゲ−トには信号CTRSが供給される。ノ−ドa5はノ−ドa3に接続されている。ノ−ドa4は、カウンタ出力信号端子Cj(C0 )に接続されている(ノ−ドa6)。ノ−ドa6は、インバ−タ870 の入力に接続されている(ノ−ドa7)。インバ−タ870 の出力は、反転カウンタ出力信号端子BCj(BC0 )に接続されている。ノ−ドa7は、インバ−タ630 の入力に接続されている。図5(b)についての説明は省略する。図5(b)に示す構成は図5(a)に示す構成と、入力信号(Cj−1、BCj−1)および出力信号(Cj、BCj)が相違するだけで、その他の構成はほぼ同一である。
次に、最上位カウンタ6111について説明する。
【0038】
図5(c)に示すように、ノ−ドa2はPMOS8911のゲ−トに接続されるとともに(ノ−ドa8)、NMOS9111のゲ−トに接続されている。ノ−ドa8はノ−ドa1に接続されている。PMOS8911のドレインは、PMOS9311のソ−スに接続され、そのソ−スは高電位電源に接続されている。PMOS9311のゲ−トには信号Cj−1(C10)が供給される。NMOS9111のドレインはNMOS9511のソ−スに接続され、そのソ−スはNMOS9711のドレインに接続されている。NMOS9511のゲ−トには反転信号BCj−1(C10)が供給される。PMOS9311のドレインとNMOS9511とは互いに接続されている(ノ−ドa9)。ノ−ドa8はPMOS9911のドレインに接続され、PMOS9911のソ−スは高電位電源に接続されている。PMOS9911のゲ−ト、およびNMOS9711のゲ−トには切換信号φ4が供給される。ノ−ドa8はノ−ドa3に接続されている。
次に、図5に示すカウンタの動作について説明する。
【0039】
まず、初段のカウンタ610 に、信号Cj−1(CTRS)、反転信号BCj−1(BCTRS)が供給され、クロックド・インバ−タ630 、およびPMOS790 、830 、NMOS810 、850 により構成されるクロックド・インバ−タ1010 がオンしたと仮定する。この時、クロックド・インバ−タ750 、およびPMOS670 、710 、NMOS690 、730 により構成されるクロックド・インバ−タ1030 は、上記クロックド・インバ−タ630 と逆相のクロックが入力されるのでオフしている。この結果、インバ−タ770 とクロックド・インバ−タ1010 とで構成されるラッチ回路に、ノ−ドa4を“H”レベルとする信号がラッチされる。従って、カウンタ出力信号端子Cjからは、“H”レベルの信号(C0 )が出力され、また、反転カウンタ出力信号端子BCjからは、“L”レベルの信号(BC0 )が出力される。さらに、上記クロックの信号レベルが反転した場合には、クロックド・インバ−タ630 、1010 はオフし、クロックド・インバ−タ750 、1030 がオンする。この結果、インバ−タ650 とクロックド・インバ−タ1030 とで構成されるラッチ回路に、ノ−ドa2を“L”レベルとする信号がラッチされる。ノ−ドa2が“L”レベルであると、クロックド・インバ−タ750 は“H”レベルの信号を出力するので、ノ−ドa4は“L”レベルとなる。従って、カウンタ出力信号端子Cjからは、上記とは信号レベルが反転した“L”レベルの信号(C0 )が出力され、反転カウンタ出力信号端子BCjからは、同様に信号レベルが反転した“H”レベルの信号(BC0 )が出力される。次段のカウンタ611 は、上記出力信号C0 、BC0 が供給されることにより、駆動される。カウンタ611 以降のカウンタ612 〜6110の動作も同様である。そして、第11段目のカウンタ6110が信号C10、BC10を出力すると、これらの信号に基いて最終段のカウンタ6111が駆動される。カウンタ6111では、PMOS8911、9311、NMOS9111、9511で構成されるクロックド・インバ−タ7511への低電位の供給が、NMOS9711を介して行われる。NMOS9711のゲ−トには切換信号φ4が供給される。クロックド・インバ−タ7511は、切換信号が“L”レベルであるとNMOS9711がオフするので動作しない。従って、カウンタ6111は、切換信号φ4が“H”レベルの時のみ、有効なカウンタ出力信号Cj(C11)および反転出力信号BCj(BC11)を出力する。
図6(a)〜(b)は、図1に示すワ−ド線昇圧部41の具体的な構成を示す回路図である。
【0040】
図6(a)に示すように、ワ−ド線昇圧部41は、第1の昇圧用キャパシタ1051 、および第2の昇圧用キャパシタ1052 を含んでいる。第1、第2の昇圧用キャパシタ1051 、1052 の一方の電極はそれぞれ、昇圧線43に接続されている。昇圧線43は、図1に示すワ−ド線駆動回路150 〜157 に接続される。キャパシタ1051 の他方の電極は、第1のワ−ド線昇圧回路1071 の出力に接続され、キャパシタ1052 の他方の電極は、第2のワ−ド線昇圧回路1072 の出力に接続されている。第1のワ−ド線昇圧回路1071 の入力には昇圧信号φWLが供給される。第2のワ−ド線昇圧回路1072 の入力はANDゲ−ト109の出力に接続されている。ANDゲ−ト109の入力には、昇圧信号φWLおよび切換信号φ2がそれぞれ供給される。昇圧回路1071 および昇圧回路1072 は、入力と出力との間に直列に接続された2つのインバ−タで構成されている。
【0041】
次に図6に示すワ−ド線昇圧部41の動作について説明する。昇圧信号φWLおよび切換信号φ2がともに“H”レベルの時(2kcycle製品の時)、昇圧回路1071 、1072 がともに活性化される。また、切換信号φ2が“L”レベルである時(4kcycle製品の時)、昇圧回路1071 のみが活性化される。従って、昇圧部41は、2kcycle製品の時、4kcycle製品の時よりもワ−ド線容量を増加させる。
【0042】
尚、図6(b)に示すように、昇圧部41は、昇圧回路1072 を入力と出力との間に接続されたもので構成し、その入力にNANDゲ−ト111を接続するようにして、構成されても良い。図6(b)に示す昇圧部41は、図6(a)に示す昇圧部41と同様な動作をする。
図7は、ワ−ド線昇圧部41のその他の構成を示すブロック図である。
【0043】
図7に示すように、第2の昇圧用キャパシタ1052 に接続される昇圧線43´を、マスク・オプションとしても良い。即ち、製造工程において、昇圧線43を構成する導電層のパタ−ニングを、第1の昇圧用キャパシタ1051 のみに接続される昇圧線43のパタ−ンを有するマスクか、あるいは第2の昇圧用キャパシタ1052 にも接続される昇圧線43´のパタ−ンも有するマスクかを使い分けるようにしても良い。
図8は、図1に示すX2デコ−ダ7の具体的な構成を示す回路図である。
【0044】
図8に示すように、ANDゲ−ト1130 〜1137 がそれぞれ設けられている。ANDゲ−ト1130 〜1137 の入力にはそれぞれ、第2XアドレスX9 (/X9 )、X10(/X10)、およびアドレス(第3Xアドレス)X11X (/X11X )が供給される。ANDゲ−ト1130 〜1137 の第3Xアドレス入力には、PMOS1150 〜1157 のソ−スまたはドレインが接続されている。PMOS1150 〜1157 のゲ−トには切換信号φ4が供給される。ANDゲ−ト1130 〜1137 の出力CBS0〜CBS7はそれぞれ、セルアレイブロック選択信号として抽出される。
次に、X2デコ−ダ7の動作について説明する。
【0045】
まず、切換信号φ4が“L”レベルの時(2kcycle製品時)、PMOS1150 〜1157 がそれぞれオンするので、第3Xアドレス入力は常に“H”レベルとなる。従って、第3Xアドレス入力(X11X および/X11X)は無視される。切換信号φ4が“H”レベルの時(4kcycle製品時)、PMOS1150 〜1157 がそれぞれオフするので、第3Xアドレス入力は活性化する。この結果、ANDゲート1130 〜1137 には、アドレスX11X および/X11Xが取り込まれるようになる。
【0046】
図9に示すように、I/O センスアンプ制御回路31は、ANDゲ−ト1170 、1171 を含んでいる。ANDゲ−ト1170 、1171 それぞれの入力には、I/O センスタイミング信号φIOS およびアドレスX11Y が供給される。ANDゲ−ト1170 、1171 の第3Xアドレス入力には、PMOS1190 、1191 のソ−スまたはドレインが接続されている。PMOS1190 、1191 のゲ−トには切換信号φ2が供給される。ANDゲ−ト1170 および1171 の出力φS01 、φS23 はそれぞれ、I/O センスアンプ群130 〜133 を選択するI/O センスアンプ群選択信号として抽出される。
次に、I/O センスアンプ制御回路31の動作について説明する。
【0047】
まず、切換信号φ2が“L”レベルの時(4kcycle製品時)、PMOS1190 、1191 がそれぞれオンするので、第3Xアドレス入力は常に“H”レベルとなる。従って、第3Xアドレス入力(X11Y および/X11Y)は無視される。
【0048】
また、切換信号φ2が“H”レベルの時(2kcycle製品時)、PMOS1190 、1191 はそれぞれオフするので、第3Xアドレス入力は活性化する。この結果、ANDゲ−ト1130 〜1137 には、アドレスX11X および/X11X が取り込まれるようになる。
また、図9にはI/O センスアンプ群130 〜133 の主要部が示されている。
【0049】
図9に示すように、I/O センスアンプ群130 〜133 はおのおの、ORゲ−ト1210 〜1213 と、ANDゲ−ト1230 〜1233 を含んでいる。
【0050】
ORゲ−ト1210 〜1213 の入力にはそれぞれ、ブロック選択信号CBS0〜CBS7が供給される。ANDゲ−ト1230 〜1233 の入力にはそれぞれ、ORゲ−ト1210 〜1213 の出力およびI/O センスアンプ選択信号φS01 、φS23 が供給される。ANDゲ−ト1230 〜1233 の出力は、I/O センスタイミング信号φIOS0〜φIOS3として抽出される。
次に、この発明の第2の実施例について説明する。
【0051】
図10は、この発明の第2の実施例に係わるDRAMのブロック図である。図10は、特に製品仕様決定部25を示している。図1に示したDRAMは、XアドレスおよびYアドレスそれぞれの割り付け方法が変わらない装置、例えば×1ビット構成のDRAMである。そして、図1に示した1つのDRAMからは、リフレッシュ・サイクルが異なる2種類の製品が実現された。
【0052】
しかし、リフレッシュ・サイクルが変わると、XアドレスおよびYアドレスそれぞれの割り付け方法も変わる装置もある。例えば×4ビット、×8ビット、×16ビット等、多ビット構成のDRAMである。多ビット構成のDRAMでは、リフレッシュ・サイクルが変わると、Xアドレスの数およびYアドレスの数が変わる。このため、多ビット構成のDRAMにおいて、リフレッシュ・サイクルが異なる複数種類の製品を実現する場合には、リフレッシュ・サイクルの違いに応じてXアドレスおよびYアドレスそれぞれの割り付けも変えることが必要となる。第2の実施例に係わるDRAMは、リフレッシュ・サイクルの違いに応じて上記アドレスの割り付けを変えられる装置である。
【0053】
図10は×4ビットのDRAMを示している。×4ビットでリフレッシュ・サイクルが2kcycleのDRAMではXアドレスの数とYアドレスの数とが同じ、即ち、アドレスが対称である。例えばXアドレスがX0 〜X10、YアドレスがY0 〜Y10である。しかし、×4ビットでリフレッシュ・サイクルが4kcycleのDRAMではXアドレスの数とYアドレスの数とが互いに異なり、アドレスが非対称となる。例えばXアドレスがX0 〜X11、YアドレスがY0 〜Y9 である。
【0054】
図10に示すDRAMでは、リフレッシュ・サイクルを4kcycleとする場合、XアドレスX11を、アドレス切換部9でアドレスX11X に切り換え、X2デコ−ダ7に供給する。この時、YアドレスY10は、Yアドレス・バッファ群19から出力されないようにしておく。この点については、後の実施例において詳細に説明する。
【0055】
また、リフレッシュ・サイクルを2kcycleとする時、YアドレスY10を、アドレス切換部9でアドレスX11Y に切り換え、I/O センスアンプ制御回路31に供給する。この時、XアドレスX11は、Xアドレス・バッファ群3から出力されないようにしておく。この点についても、YアドレスY10と同様、後の実施例において詳細に説明する。
図11は、図10に示す製品仕様決定部25の回路図である。
【0056】
図11に示すように、アドレス切換部9は、NMOSおよびPMOSで構成されたスイッチ(トランスファ・ゲ−ト)591 〜594 を含んでいる。XアドレスX11(A11R )、/X11(/A11R )はそれぞれスイッチ591 、593 に供給され、YアドレスY10(A10C )、/Y10(/A10C )はそれぞれスイッチ592 、594 に供給される。従って、切換信号φ2が“H”レベル、切換信号φ4が“L”レベルの時(2kcycleリフレッシュ製品)、YアドレスY10、/Y10は、スイッチ592 、594 を介して、アドレスX11Y 、/X11Y としてI/O センスアンプ制御回路31に供給される。
【0057】
また、切換信号φ2が“L”レベル、切換信号φ4が“H”レベルの時(4kcycleリフレッシュ製品)、XアドレスX11、/X11は、スイッチ591 、593 を介して、アドレスX11X 、/X11X としてX2デコ−ダ7に供給される。 尚、×8ビット、×16ビット等の装置においても、同様の考え方を適用して、実現することができる。
次に、この発明の第3の実施例について説明する。
【0058】
図12は、この発明の第3の実施例に係わるDRAMのブロック図である。図12は、特に製品仕様決定部25を示している。第3の実施例に係わるDRAMは、リフレッシュ・サイクルを変えられ、さらにビット構成をも変えられる装置である。例えば、1つのDRAMから2kcycleで×1ビット製品、4kcycleで×1ビット製品、2kcycleで×4ビット製品、4kcycleで×4ビット製品の4種類の製品を実現する場合の実施例である。
図12に示すように、アドレス切換部9は、切換信号φ2、φ4に基いてアドレスY10Y をカラム系デコ−ダ127に出力する。
【0059】
図12に示すDRAMでは、リフレッシュ・サイクルを2kcycleで×1ビット構成とする場合、アドレス切換部9は、切換信号φ2、φ4に基いてXアドレス信号X11をアドレスY10Y に切り換え、カラム系デコ−ダ127にアドレスY10Y を出力する。
【0060】
また、リフレッシュ・サイクルを4kcycleで×1ビット構成とする場合、アドレス切換部9は、切換信号φ2、φ4に基いてYアドレス信号Y10をアドレスY10Y に切り換え、カラム系デコ−ダ127にアドレスY10Y を出力する。
【0061】
また、リフレッシュ・サイクルを2kcycleで×4ビット構成、および4kcycleで×4ビット構成とする場合、アドレス切換部9を、アドレスY10Y が出力されないようにしておく。または、アドレス切換部9とカラム系デコ−ダとの間に、×4ビット構成を指定する信号に基いて、アドレスY10Y を無視するような回路を接続しておく。
【0062】
このように、アドレス切換部9を、×1ビット構成の時、切換信号φ2、φ4に基いてXアドレスまたはYアドレスからアドレスY10Y を生成し、×4ビット構成の時、切換信号φ2、φ4に係らずにアドレスY10Y を無視するように構成することで、リフレッシュ・サイクルを変えられ、かつビット構成をも変えられるDRAMを実現できる。
図13は、図12に示す製品仕様決定部25の回路図である。
【0063】
図13に示すように、アドレス切換部9は、NMOSおよびPMOSで構成されたスイッチ(トランスファ・ゲ−ト)591 〜594 、スイッチ1291 〜1294 を含んでいる。XアドレスX11(A11R )は、スイッチ591 およびスイッチ1291 に供給される。同様に、反転Xアドレス/X11(/A11R )はスイッチ593 およびスイッチ1293 に、Yアドレス/Y10は(A10C )はスイッチ592 およびスイッチ1292 に、反転Yアドレス/Y10は(/A10C )はスイッチ594 およびスイッチ1294 にそれぞれ供給される。切換信号φ2は、スイッチ591 のNMOS、スイッチ592 のPMOS、スイッチ593 のNMOS、スイッチ594 のPMOS、スイッチ1291 のPMOS、スイッチ1292 のNMOS、スイッチ1293 のPMOS、スイッチ1294 のNMOSそれぞれのゲ−トに供給される。また、切換信号φ4は、スイッチ591 のPMOS、スイッチ592 のNMOS、スイッチ593 のPMOS、スイッチ594 のNMOS、スイッチ1291 のNMOS、スイッチ1292 のPMOS、スイッチ1293 のNMOS、スイッチ1294 のPMOSそれぞれのゲ−トに供給される。
【0064】
上記構成の製品仕様決定部25であると、切換信号φ2が“H”レベル、切換信号φ4が“L”レベル(2kcycleリフレッシュ製品×1ビット)の時、スイッチ592 、594 がオンするので、YアドレスY10、/Y10は、スイッチ592 、594 を介して、センスアンプ制御回路31に供給される。さらに、スイッチ1291 、1293 がオンするので、XアドレスX11、/X11は、スイッチ1291 、1293 を介して、カラム系デコ−ダ127に供給される。
【0065】
また、切換信号φ2が“L”レベル、切換信号φ4が“H”レベル(4kcycleリフレッシュ製品×1ビット)の時、スイッチ591 、593 がオンするので、XアドレスX11、/X11は、スイッチ591 、593 を介して、X2デコ−ダ7に供給される。さらに、スイッチ1292 、1294 がオンするので、YアドレスY10、/Y10は、スイッチ1292 、1294 を介して、カラム系デコ−ダ127に供給される。
【0066】
さらに、アドレス切換部9とカラム系デコ−ダとの間には、×4ビット構成を指定する信号に基いて、アドレスY10Y 、/Y10Y をそれぞれ無視するような回路が接続される(図示せず)。×4ビット構成とする場合にはこの回路を用いて、アドレスY10Y 、/Y10Y を、カラム系デコ−ダ127に供給されないようにする。
次に、この発明の第4の実施例について説明する。
【0067】
図14は、この発明の第4の実施例に係わるDRAMのブロック図である。図14は、特に製品仕様決定部25を示している。第4の実施例に係わるDRAMは、リフレッシュ・サイクルを2種類以上、例えば1kcycle、2kcycle、4kcycleのいずれか一つに変えられる装置である。
図15は図14に示す受入部27および切換信号生成部29の回路図である。
【0068】
図15に示すように、受入部27には2つのパッドP1、P2が含まれている。パッドP1には第1の製品仕様決定信号VR2Kが供給され、パッドP2には第2の製品仕様決定信号VR1Kが供給される。パッドP1に接続される第1の出力端200は、NORゲ−ト202の第1の入力に接続されている。また、パッドP2に接続される第2の出力端204は、NANDゲ−ト206の第1の入力に接続されている。NANDゲ−ト206の第2の入力は、ビット構成を決定する信号×16が供給されるパッドP3に接続されている。ビット構成を×16ビット構成とする場合には、パッドP3に“H”レベルの信号を供給する。また、パッドP3に“L”レベルの信号を供給した場合には、×8ビット構成に対応する製品となる。NANDゲ−ト206の出力はインバ−タ208の入力に接続されている。インバ−タ208の出力は第1の切換信号R1Kとして抽出されるとともに、NORゲ−ト202の第2の入力に接続されている。NORゲ−ト202の出力はインバ−タ210を介して第2の切換信号R2Kとして抽出されるとともに、第3の切換信号R4Kとして抽出される。図14に示すように、切換信号R1K、R2K、R4Kのうち、信号R1K、R4Kはアドレス切換部9およびカウンタ回路37に供給され、信号R1K、R2KはXアドレス・バッファ群3、Yアドレス・バッファ群19およびワ−ド線昇圧部41に供給される。
【0069】
図21は、×16ビット製品とした場合の各リフレッシュ・サイクル毎のVR1K、VR2K、R1K、R2K、R4Kの論理を示す図である。図21において、Hは“H”レベルの信号を表し、Lは“L”レベルの信号を表している。
図16は図14に示すアドレス切換部9の回路図である。
【0070】
図16に示すように、アドレス切換部9は、NMOSおよびPMOSで構成されたスイッチ(トランスファ・ゲ−ト)2121 〜2124 を含んでいる。スイッチ2121 にはYアドレスY8 (A8C)が供給される。また、スイッチ2122 にはXアドレスX11(A11R )が、スイッチ2123 にはYアドレスY9 (A9C)が、スイッチ2124 にはXアドレスX10(X10R )がそれぞれ供給される。第3の切換信号R4Kは、スイッチ2121 のPMOS、スイッチ2122 のNMOSそれぞれのゲ−トに供給される。スイッチ2121 のNMOS、スイッチ2122 のPMOSそれぞれのゲ−トには、切換信号R4Kがインバ−タ2141 を介して供給される。第1の切換信号R1Kは、スイッチ2123 のNMOS、スイッチ2124 のPMOSそれぞれのゲ−トに供給される。スイッチ2123 のPMOS、スイッチ2124 のNMOSそれぞれのゲ−トには、切換信号R1Kがインバ−タ2142 を介して供給される。なお、図16は、アドレスY8 、Y9 、X10、X11が供給される部分のみを示し、反転アドレス/Y8 、/Y9 、/X10、/X11が供給される部分は省略している。反転アドレスが供給される部分の回路構成は、図16に示す回路構成と同様である。
【0071】
上記構成のアドレス切換部9であると、切換信号R1Kが“H”レベル、切換信号R4Kが“L”レベル(1kcycleリフレッシュ製品)の時、スイッチ2121 、2123 がオンするので、YアドレスY8 、Y9 がそれぞれ、スイッチ2121 、2123 を介して、出力信号A、Bとして出力される。
【0072】
また、切換信号R1Kが“L”レベル、切換信号R4Kが“L”レベル(2kcycleリフレッシュ製品)の時、スイッチ2121 、2124 がオンするので、YアドレスY8 、XアドレスX10がそれぞれ、スイッチ2121 、2124 を介して、出力信号A、Bとして出力される。
【0073】
また、切換信号R1Kが“L”レベル、切換信号R4Kが“H”レベル(1kcycleリフレッシュ製品)の時、スイッチ2122 、2124 がオンするので、XアドレスX10、X11がそれぞれ、スイッチ2122 、2124 を介して、出力信号A、Bとして出力される。
【0074】
図22は、×16ビット製品とした場合の各リフレッシュ・サイクル毎の出力A、Bの行き先を示す図である。図22に示すY8Y、Y9Y、X10X 、およびX11X はそれぞれ、図14に示す参照符号と対応している。
【0075】
図17は図14に示すXアドレス・バッファ群3の回路図で、図17(a)は複数のアドレスA0 〜A11を生成するアドレス生成部の回路図、図17(b)はXアドレスX0 (A0R)〜X9 (A9R)を生成するXアドレス生成部の回路図、図17(c)はXアドレスX10(A10R )〜X11(A11R )を生成するXアドレス生成部の回路図である。
【0076】
まず、図17(a)に示すように、アドレス生成部216には、アドレス入力Ainが供給される。アドレス生成部216は、ロウアドレス・アクセプト信号RACPに基いて、アドレス入力AinからアドレスAj 、反転アドレスBAj を生成する。図17(a)に示すアドレス生成部216は、この実施例では12組設けられ、アドレス生成部2160 〜21611はそれぞれ、アドレスA0 (BA0 )〜A11(BA11)を生成する。図17(a)において、BRHLDはロウアドレス・ホ−ルド信号(Bは信号レベルが反転していることを示す)を表し、BRLTCはロウアドレス・ラッチ信号を(Bは信号レベルが反転していることを示す)表し、VRADは基準電位を表している。
【0077】
アドレス生成部2160 〜21611により生成されたアドレスA0 (BA0 )〜A11(BA11)はそれぞれ、図17(b)および(c)に示すXアドレス生成部2180 〜21811に供給される。Xアドレス生成部2180 〜21811はそれぞれ、ロウアドレス・トランス信号BRTRS(Bは信号レベルが反転していることを示す)に基いて、アドレスA0 (BA0 )〜A11(BA11)からXアドレスX0 (A0R)〜X11(A11R )を生成する。Xアドレス生成部2180 〜21811のうち、21810、21811はリフレッシュ・サイクル変更に伴うXアドレスの数の変化に対応するために、図17(c)に示す回路構成となっている。即ち、Xアドレス生成部21810、21811はそれぞれ、NOR回路220、222を含んでおり、Xアドレスは、NOR回路220、222を介してから、出力される。NOR回路220および222のそれぞれの第1の入力には信号C1、C2が供給される。従って、Xアドレス生成部21810、21811は、信号C1、C2に基いてXアドレスを出力したり、またはしなかったりする。この実施例では、信号C1、C2を次のような信号に設定する。即ち、XアドレスX10(A10R )を生成する生成部21810では信号C1、C2をそれぞれ第1の切換信号R1Kとする。また、XアドレスX11(A11R )を生成する生成部21811では、信号C1、C2をそれぞれ第2の切換信号R2Kとする。図17(b)および(c)において、Cj、BCjはカウンタ出力を表し、CTRSはカウンタ・トランス信号を表している。
【0078】
上記構成のXアドレス生成部21810、21811であると、切換信号R1Kが“H”レベル、切換信号R2Kが“H”レベル(1kcycleリフレッシュ製品)の時、生成部21810、21811はそれぞれ、XアドレスX10、X11を出力しない。図16を参照して説明したように、1kcycleリフレッシュ製品では、XアドレスX10、X11は使用されない(1kcycleリフレッシュ製品では、YアドレスY8 、Y9 を使用する)。このため、Xアドレス・バッファ群3Xにおいて、無用なXアドレスが生成されなくなるので、消費電力を低減できる、あるいは誤動作を未然に防げる等の効果が得られる。
【0079】
また、切換信号R1Kが“L”レベル、切換信号R2Kが“H”レベル(2kcycleリフレッシュ製品)の時、生成部21810はXアドレスX10を出力し、また、生成部21811はXアドレスX11を出力しない。従って、1kcycleリフレッシュ製品時と同様に、Xアドレス・バッファ群3において、無用なXアドレスが生成されなくなる。
【0080】
また、切換信号R1Kが“L”レベル、切換信号R2Kが“L”レベル(4kcycleリフレッシュ製品)の時、生成部21810、21811は共にXアドレスX10、X11を出力する。
【0081】
図18は図14に示すYアドレス・バッファ群19の回路図で、図18(a)はYアドレスY0 (A0C)〜Y7 (A7C)を生成するYアドレス生成部の回路図、図18(b)は、YアドレスY8 (A8C)〜Y9 (A9C)を生成するYアドレス生成部の回路図である。
【0082】
図18(a)および(b)に示すように、Yアドレス生成部2240 〜2249 には、アドレス入力Ainが供給される。Yアドレス生成部2240 〜2249 はそれぞれ、第1のカラムアドレス・ラッチ信号CLTC、信号CLTCより若干、遅延している第2のカラムアドレス・ラッチ信号CLTDに基いて、アドレス入力AinからYアドレスY0 (A0C)〜Y9 (A9C)を生成する。Yアドレス生成部2240 〜2249 のうち、2248 、2249 はリフレッシュ・サイクル変更に伴うYアドレスの数の変化に対応するために、図18(b)に示す回路構成となっている。即ち、Yアドレス生成部2248 、2249 はそれぞれ、NOR回路226、228を含んでおり、Yアドレスは、NOR回路226、228を介してから、出力される。NOR回路226および228のそれぞれの第1の入力には信号D1、D2が供給される。従って、Yアドレス生成部2248 〜2249 は、信号D1、D2に基いてYアドレスを出力したり、またはしなかったりする。この実施例では、信号D1、D2を次のような信号に設定する。即ち、YアドレスY8 (A8C)を生成する生成部2248 では、信号D1、D2をそれぞれ第2の切換信号R2Kの信号レベルが反転した切換信号BR2Kとする。また、YアドレスY9 (A9C)を生成する生成部2249 では、信号D1、D2をそれぞれ第1の切換信号R1Kの信号レベルが反転した切換信号BR1Kとする。 上記構成のYアドレス生成部2248 、2249 であると、反転切換信号BR1Kが“L”レベル、反転切換信号BR2Kが“L”レベル(1kcycleリフレッシュ製品)の時、生成部2248 、2249 はそれぞれ、YアドレスY8 、Y9 を出力する。
【0083】
また、反転切換信号BR1Kが“H”レベル、反転切換信号BR2Kが“L”レベル(2kcycleリフレッシュ製品)の時、生成部2248 はYアドレスY8 を出力し、また、生成部2249 はYアドレスY9 を出力しない。従って、1kcycleリフレッシュ製品時と同様に、Yアドレス・バッファ群19において、無用なYアドレスが生成されなくなる。
【0084】
また、反転切換信号BR1Kが“H”レベル、反転切換信号R2Kが“H”レベル(4kcycleリフレッシュ製品)の時、生成部2248 、2249 は共にYアドレスY8 、Y9 を出力しない。
【0085】
図19は図14に示すカウンタ回路群37の回路図で、図19(a)はカウンタ出力C0 〜C9 を生成するカウンタの回路図、図19(b)はカウンタ出力C10を生成するカウンタの回路図、図19(c)はカウンタ出力C11を生成するカウンタの回路図である。
【0086】
図19(a)に示すように、カウンタ2300 には、カウンタ・トランス信号CTRS(BCTRS)が供給される。カウンタ2300 は、信号CTRS(BCTRS)に基いてカウンタ出力C0 (BC0 )を出力する。カウンタ2301 には、カウンタ出力C0 (BC0 )が供給される。カウンタ2300 は、カウンタ出力C0 (BC0 )に基いてカウンタ出力C1 (BC1 )を出力する。このような関係を順次繰り返して、図19(b)および(c)に示すように、カウンタ2301 には、カウンタ出力C9 (BC9 )が供給される。カウンタ23010は、カウンタ出力C9 (BC9 )に基いてカウンタ出力C10(BC10)を出力する。カウンタ23011には、カウンタ出力C10(BC10)が供給される。カウンタ23011は、カウンタ出力C10(BC10)に基いてカウンタ出力C11(BC11)を出力する。カウンタ2300 〜23011のうち、23010、23011はリフレッシュ・サイクル変更に伴うXアドレスの数の変化に対応するために、図19(b)および(c)にに示す回路構成となっている。即ち、カウンタ23010は、切換信号R1Kの信号レベルが反転した切換信号BR1Kに基いてオン/オフが決定されるクロックド・インバ−タ23210を含み、カウンタ23011は、切換信号R4Kに基いてオン/オフが決定されるクロックド・インバ−タ23211を含んでいる。従って、カウンタ23210、23211は、切換信号R1K、R4Kに基いてカウンタ出力を出力したり、またはしなかったりする。
【0087】
上記構成のカウンタ23210、23211であると、切換信号R1Kが“H”レベル、切換信号R4Kが“L”レベル(1kcycleリフレッシュ製品)の時、カウンタ23210、23211はそれぞれ、カウンタ出力C10、C11を出力しない。
【0088】
また、切換信号R1Kが“L”レベル、切換信号R4Kが“L”レベル(2kcycleリフレッシュ製品)の時、カウンタ23210はカウンタ出力C10を出力し、カウンタ23211はカウンタ出力C11を出力しない。
【0089】
また、切換信号R1Kが“L”レベル、切換信号R4Kが“H”レベル(4kcycleリフレッシュ製品)の時、カウンタ23210は、23211はそれぞれ、カウンタ出力C10、C11を出力する。
図20は、図14に示すワ−ド線昇圧部41の回路図である。
【0090】
図20に示すように、ワ−ド線昇圧部41には、第1の切換信号R1K、第2の切換信号R2Kが供給される。昇圧部41は、昇圧開始を指示する信号φWLに基いてWKMを出力する。昇圧部41は、NORゲ−ト234、NANDゲ−ト236、238を含んでいる。NORゲ−ト234の第1の入力には切換信号234が供給され、その第2の入力には切換信号R2Kが供給される。NANDゲ−ト236の第1の入力には切換信号R1Kが供給され、その第2の入力には信号φWLが供給される。NANDゲ−ト238の第1の入力にはNORゲ−ト234の出力レベルが反転した信号が供給され、その第2の入力には信号φWLが供給される。
【0091】
上記構成のワ−ド線昇圧部41であると、切換信号R1Kが“H”レベル、切換信号R2Kが“H”レベル(1kcycleリフレッシュ製品)の時、信号φWLが“H”レベルとなると、第1のキャパシタ2401 の一方の電極が“H”レベルとなる。同様に、第2のキャパシタ2402 、第3のキャパシタ2403 それぞれの一方の電極も“H”レベルとなる。従って、1kcycleリフレッシュ製品の時にはWKMが、キャパシタ2401 〜2403 の3つのキャパシタを用いて生成される。
【0092】
また、切換信号R1Kが“L”レベル、切換信号R2Kが“H”レベル(2kcycleリフレッシュ製品)の時、信号φWLが“H”レベルとなると、第1のキャパシタ2401 の一方の電極が“L”レベルとなり、第2のキャパシタ2402 、第3のキャパシタ2403 それぞれの一方の電極は“H”レベルとなる。従って、2kcycleリフレッシュ製品の時にはWKMが、キャパシタ2402 、2403 の2つのキャパシタを用いて生成される。
【0093】
また、切換信号R1Kが“L”レベル、切換信号R2Kが“L”レベル(4kcycleリフレッシュ製品)の時、信号φWLが“H”レベルとなると、第1のキャパシタ2401 、第2のキャパシタ2402 それぞれの一方の電極が“L”レベルとなり、第3のキャパシタ2403 の一方の電極のみ“H”レベルとなる。従って、4kcycleリフレッシュ製品の時にはWKMが、キャパシタ2403 のみを用いて生成される。
【0094】
図23はアドレスの割り付けを示す図で、図23(a)は1kcycleリフレッシュ製品の場合、図23(b)は2kcycleリフレッシュ製品の場合、図23(c)は4kcycleリフレッシュ製品の場合をそれぞれ示している。
図24は図1に示すI/O センスアンプ群130 〜133 の構成を示すブロック図である。
【0095】
図24に示すように、I/O センスアンプ群130 〜133 はそれぞれ、複数のセンス回路S、およびセンス回路Sを選択する選択回路30000〜30031を含んでいる。複数のセンス回路Sにはそれぞれ、センスアンプ110 〜113 からの出力I/O 00〜I/O 31が供給される。選択回路30000〜30031にはそれぞれ、信号E、Fが供給される。選択回路30000〜30031は、信号E、Fに基いて所望のセンス回路Sを選択する信号を出力する。ここで、信号EはY2デコ−ダ23からの出力であり、また、信号FはI/O センスアンプ制御回路31からの出力である。選択回路30000〜30031によって選択されたセンス回路Sの出力が、例えば出力デ−タDOUT となる。
【0096】
上記構成のI/O センスアンプ群130 〜133 であると、デ−タの出力線302の数を少なくでき、デ−タの入/出力系の回路構成が簡単となる、という効果が得られる。
図25は図1に示すI/O センスアンプ群130 〜133 のその他の構成を示すブロック図である。
【0097】
図25に示すように、I/O センスアンプ群130 〜133 はそれぞれ、複数のセンス回路S、およびI/O センスアンプ群130 〜133 を選択する選択回路3000 〜3003 を含んでいる。複数のセンス回路Sにはそれぞれ、センスアンプ110 〜113 からの出力I/O 00〜I/O 31が供給される。選択回路3000 〜3003 にはそれぞれ、信号Fが供給される。選択回路3000 〜3003 は、信号Fに基いて所望のI/O センスアンプ群130 〜133 を選択する信号を出力する。ここで、信号FはI/O センスアンプ制御回路31からの出力である。選択回路3000 〜3003 によって選択されたI/O センスアンプ群Sからの出力信号は、マルチプレクス回路304に供給される。マルチプレクス回路304は、信号Eに基いて、例えば所望のセンス回路Sを選択する。ここで、信号EはY2デコ−ダ23からの出力である。マルチプレクス回路304によって選択されたセンス回路Sの出力が、例えば出力デ−タDOUT となる。
上記構成のI/O センスアンプ群130 〜133 であると、I/O センスアンプ群130 〜133 の回路構成が簡単となる、という効果が得られる。
図26はこの発明に係わるチップ選別方法のフロ−チャ−トである。
この例は、製品仕様を、図2に示すボンディング・オプションにより決定する装置で適用されるフロ−である。
【0098】
図26に示すように、ステップ(以下st.と略す)1において、前工程ウェ−ハ・プロセスを行う。これにより、ウェ−ハ内には、DRAMチップ(集積回路チップ)が形成される。DRAMチップが形成された後、st.2において、チップ選別試験を行う。これは、形成されたDRAMチップが良品であるか否かを調べる試験である。この後、さらにポ−ズ試験(デ−タ保持特性試験)を行う。これにより、DRAMチップが含むメモリセルが、どの程度の時間、デ−タを保持できるかが調べられる。次いで、st.3において、リダンダンシ・フュ−ズ・カットを行う。これにより、st.2におけるチップ選別試験で不良品とされたチップがある程度救済される(リダンダンシ技術)。次いで、st.4においてウェ−ハをダイシングする。これにより、ウェ−ハが、複数のDRAMチップに分割される。次いで、st.5において、チップをアセンブリする。これにより、チップはベッド上に載せられ、チップのパッドとリ−ドとが互いにボンディングされる。この時、st.2におけるポ−ズ試験の結果に基いて、リフレッシュ・サイクルを選択するボンディングを行う。これは、図2に示した受入部27のパッドPへワイヤをボンディングするか否かの工程である。このボンディングにより、例えば2kcycleリフレッシュ製品か、4kcycleリフレッシュ製品かが半永久的に決定される。この後、パッケ−ジング工程等を経て、最終形状の製品となる。この後、st.6において、ファイナル試験を行い、この試験に合格した製品が市場に供給される。
図27は、この発明に係わるチップ選別方法のその他の例のフロ−チャ−トである。
この例は、製品仕様を、図3に示すフュ−ズ・オプションにより決定する装置で適用されるフロ−である。
【0099】
図27に示すように、st.3において、リダンダンシ・フュ−ズ・カットを行う。この時、さらにリフレッシュ・サイクルを選択するフュ−ズ・カットを行う。これは、図3に示した受入部27のフュ−ズFをブロ−するか否かの工程である。このフュ−ズ・カットにより、図26に示す方法と同様、例えば2kcycleリフレッシュ製品か、4kcycleリフレッシュ製品かが半永久的に決定される。
【0100】
上記チップ選別方法であると、ポ−ズ試験の結果に基いて、2kcycleリフレッシュ製品とするか、4kcycleリフレッシュ製品とするかを決定するので、例えばプロセスのゆらぎによってポ−ズ時間が設計当初の時間より短くなったメモリセルを持つチップでも、例えば4kcycleリフレッシュ製品として救済することができ、製品の歩留りを向上できる。
【0101】
さらに、製造工程中においても、2kcycleリフレッシュ製品とするか、4kcycleリフレッシュ製品とするかを、簡単に変更でき、製品の生産に関して自由度を得ることができる。
図28は、図26および図27に示すst.2の内容を詳細に表した図である。
【0102】
図28に示すように、st.2では、大きく別けてチップ選別試験およびポ−ズ試験の2種類がある。これら試験のうち、チップ選別試験はさらに小さな幾つかの試験項目に分割される。例えば動作電流試験、ティピカル電圧試験、セル間干渉試験等である。これら各試験ではそれぞれ、試験を行うのに最適なリフレッシュ・サイクルがある。そこで、各試験毎に、試験を行うのに最適なリフレッシュ・サイクルを設定して各試験を行う。このようにすれば、試験時間の短縮、選別能力の向上を図ることができ、チップ選別試験効率を向上できる。
【0103】
例えば試験項目TEST Aに記載されている動作電流試験は、2kcycleリフレッシュで行う。動作電流試験を2kcycleリフレッシュで行うと、チップの選別条件を4kcycleリフレッシュよりも厳しくでき、信頼性が非常に高いチップだけを選び出すことができる。
【0104】
また、試験項目TEST Bに記載されているティピカル電圧試験は、4kcycleリフレッシュで行う。ティピカル電圧試験を4kcycleリフレッシュで行うと、2kcycleリフレッシュ製品では不良品となるようなワ−ド線どうしの短絡(例えば隣接するワ−ド線どうし)が、4kcycleリフレッシュ製品では不良品とならなくなるので、良品の取得数を向上させることができる。ただし、この試験を行ったロットより2kcycleリフレッシュ製品を得ようとする時には、不良品も含まれてしまう恐れがあるので、2kcycleリフレッシュでのティピカル電圧試験も行っておく。4kcycleリフレッシュ製品だけを得ようとする時には、2kcycleリフレッシュでのティピカル電圧試験は行わなくて良い。このように必要に応じて、2kcycleリフレッシュ、4kcycleリフレッシュで試験を行っても良い。
【0105】
また、試験項目TEST Cに記載されているセル間干渉試験は、2kcycleリフレッシュ製品で行う。セル間干渉試験を2kcycleリフレッシュで行うと、4kcycleリフレッシュよりも短時間で全てのメモリセルに電流を流せるので、試験時間を短縮できる。
その他、図28には記載されない様々な試験があるが、これらの試験においてもそれぞれ最適なリフレッシュ・サイクルを設定し、試験を行う。
図29は、図2に示すパッドPの断面図である。
【0106】
以上のような各試験毎に最適なリフレッシュ・サイクルを設定する、という試みは、図29に示すように、ウェ−ハ・プロ−バのプロ−ブ28をパッドPに接触させ、受入部27に電圧を供給するか否かだけでできる。
【0107】
尚、この発明は、上記実施例に限られるものではなく、その主旨を逸脱しない範囲で種々の変形が可能である。例えば上記実施例では受入部27に、パッドPへのワイヤ・ボンディングや、フュ−ズFのカットにより、製品仕様を決定する決定信号SDSを供給した。これを、例えばフュ−ズFの代わりに不揮発性メモリセルを用いて、このセルがオンするか否かによって製品仕様を決定する決定信号SDSを供給するようにしても良い。
【0108】
また、パッケ−ジに新たにピンを付加し、このピンに決定信号SDSを供給するようにしても良い。この場合には、ユ−ザが、付加されたピンに決定信号SDSを供給するか否かにより、2つのリフレッシュ・サイクルのうちの一つを選択することができる。また、パッケ−ジに新たに2本以上のピンを付加した場合には、2つ以上のリフレッシュ・サイクルのうちから一つのを選択することができる。このようにユ−ザが製品の仕様を決定するように構成することも可能である。
その他、様々な変形が可能であることはもちろんである。
【0109】
【発明の効果】
以上説明したように、この発明によれば、多品種化が進展しても開発効率および生産効率が低下しない半導体集積回路装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】図1はこの発明の第1の実施例に係わるDRAMのブロック図。
【図2】図2は図1に示す製品仕様決定部の回路図。
【図3】図3は図2に示す受入部のその他の例の回路図。
【図4】図4は図1に示すカウンタ回路のブロック図。
【図5】図5(a)〜(c)はそれぞれ図4に示すカウンタ回路の回路図。
【図6】図6(a)は図1に示すワ−ド線昇圧部の回路図、図6(b)は図1に示すワ−ド線昇圧部のその他の例の回路図。
【図7】図7は図1に示すワ−ド線昇圧部の変形例に係わる回路図。
【図8】図8は図1に示すX2デコ−ダの回路図。
【図9】図9は図1に示すI/O センスアンプ群およびI/O センスアンプ制御回路の回路図。
【図10】図10はこの発明の第2の実施例に係わるDRAMのブロック図。
【図11】図11は図10に示す製品仕様決定部の回路図。
【図12】図12はこの発明の第3の実施例に係わるDRAMのブロック図。
【図13】図13は図12に示す製品仕様決定部の回路図。
【図14】図14はこの発明の第4の実施例に係わるDRAMのブロック図。
【図15】図15は図14に示す受入部および切換信号生成部の回路図。
【図16】図16は図14に示すアドレス切換部の回路図。
【図17】図17(a)〜(c)はそれぞれ図14に示すXアドレス・バッファ群の回路図。
【図18】図18(a)〜(b)はそれぞれ図14に示すYアドレス・バッファ群の回路図。
【図19】図19(a)〜(c)はそれぞれ図14に示すカウンタ回路群の回路図。
【図20】図20は図14に示すワ−ド線昇圧部の回路図。
【図21】図21はリフレッシュ・サイクル毎のVR1K、VR2K、R1K、R2K、R4Kの論理を示す図。
【図22】図22はリフレッシュ・サイクル毎の出力A、Bの行き先を示す図。
【図23】図23(a)〜(c)はそれぞれリフレッシュ・サイクル毎のアドレスの割り付けを示す図。
【図24】図24は図1に示すI/O センスアンプ群のブロック図。
【図25】図25は図1に示すI/O センスアンプ群のその他の例のブロック図。
【図26】図26はこの発明に係わるチップ選別方法のフロ−チャ−ト。
【図27】図27はこの発明に係わるチップ選別方法のその他の例のフロ−チャ−ト。
【図28】図28は図26および図27に示すステップ2の内容を示す図。
【図29】図29は図2に示すパッドの断面図。
【符号の説明】
MCA0 〜MCA7 …メモリセルアレイ、3…Xアドレス・バッファ群、5…X1デコ−ダ、7…X2デコ−ダ、9…アドレス切換部、110 〜113 …センスアンプ、130 〜133 …I/O センスアンプ群、19…Yアドレス・バッファ群、21…Y1デコ−ダ、23…Y2デコ−ダ、25…製品仕様決定部、27…決定信号受入部、29…切換信号生成部、31…I/O センスアンプ制御回路、37…カウンタ・リフレッシュ回路群、39…カウンタ回路、41…ワ−ド線昇圧部、610 〜6111〜カウンタ、127…カラム系デコ−ダ、2180 〜21811…Xアドレス生成部、2240 〜2249 …Yアドレス生成部、2300 〜23011…カウンタ。
Claims (13)
- 第1、第2アドレス信号を含む複数のアドレス信号を出力するアドレスバッファ群と、
情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第1メモリセルアレイ群と、
情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第2メモリセルアレイ群と、
前記第1メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第1I/Oセンスアンプ群と、
前記第2メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第2I/Oセンスアンプ群と、
製品仕様を決定する決定信号を受け入れる受入手段と、
前記決定信号に基いて、リフレッシュサイクルを切り換える切換信号を生成する切換信号生成部と、
前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中それぞれからメモリセルアレイを一つずつ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群を選択し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号および前記第2アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中からメモリセルアレイを一つ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のうち、前記選択したメモリセルアレイが含まれる前記第1、又は第2メモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択するデコーダと、
前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号に基いて前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のいずれかを活性化させ、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群をそれぞれ活性化させるI/Oセンスアンプ制御回路と、
前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路に供給し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダに供給するアドレス切換部と
を具備することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記アドレスバッファ群は、Xアドレス信号を複数発生させるXアドレスバッファ群と、Yアドレス信号を複数発生させるYアドレスバッファ群とを含み、
前記第2アドレス信号は、Xアドレス信号に含まれることを特徴とする請求項1に記載の半導体集積回路装置。 - 少なくとも前記複数のアドレス信号を順次カウントする複数のカウント信号を出力するカウンタをさらに具備し、
前記カウンタには前記切換信号が供給され、前記カウンタは、この切換信号に基いて前記複数のカウント信号の数を変更するように構成されていることを特徴とする請求項1および請求項2いずれかに記載の半導体集積回路。 - ワード線の電位を昇圧する昇圧手段をさらに具備し、
前記昇圧手段には前記切換信号が供給され、前記昇圧手段は、この切換信号に基いてワード線昇圧容量を変更するように構成されていることを特徴とする請求項1乃至請求項3いずれか一項に記載の半導体集積回路装置。 - 第1、第2アドレス信号を含む複数のアドレス信号を出力するアドレスバッファ群と、
情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第1メモリセルアレイ群と、
情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第2メモリセルアレイ群と、
前記第1メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第1I/Oセンスアンプ群と、
前記第2メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第2I/Oセンスアンプ群と、
リフレッシュサイクルを切り換える切換信号を生成する切換信号生成部と、
前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス 信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中それぞれからメモリセルアレイを一つずつ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群を選択し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号および前記第2アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中からメモリセルアレイを一つ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のうち、前記選択したメモリセルアレイが含まれる前記第1、又は第2メモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択する、前記第1アドレス信号が入力される第1入力と、第2入力とを有するデコーダと、
前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号に基いて前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のいずれかを活性化させ、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群をそれぞれ活性化させる、入力を有するI/Oセンスアンプ制御回路と
前記切換信号が入力される第1入力と、前記第2アドレス信号が入力される第2入力と、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力する第1出力と、前記第2アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力する第2出力とを有するアドレス切換部とを具備し
前記アドレス切換部は、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力し、
前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第1、第2アドレス信号を含む複数のアドレス信号を出力するアドレスバッファ群と、
第3アドレス信号を含む他のアドレス信号を出力する他のアドレスバッファ群と、
情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第1メモリセルアレイ群と、
情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第2メモ リセルアレイ群と、
前記第1メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第1I/Oセンスアンプ群と、
前記第2メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第2I/Oセンスアンプ群と、
リフレッシュサイクルを切り換える切換信号を生成する切換信号生成部と、
前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中それぞれからメモリセルアレイを一つずつ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群を選択し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号および前記第2アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中からメモリセルアレイを一つ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のうち、前記選択したメモリセルアレイが含まれる前記第1、又は第2メモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択する、前記第1アドレス信号が入力される第1入力と、第2入力とを有するデコーダと、
前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号に基いて前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のいずれかを活性化させ、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群をそれぞれ活性化させる、入力を有するI/Oセンスアンプ制御回路と、
前記切換信号が入力される第1入力と、前記第2アドレス信号が入力される第2入力と、前記第3アドレス信号が入力される第3入力と、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力する第1出力と、前記第3アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力する第2出力とを有するアドレス切換部とを具備し、
前記アドレス切換部は、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力し、
前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第3アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 第1、第2アドレス信号を含む複数のアドレス信号を出力するアドレスバッファ群と、
第3アドレス信号を含む他のアドレス信号を出力する他のアドレスバッファ群と、
情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第1メモリセルアレイ群と、
情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む第2メモリセルアレイ群と、
前記第1メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第1I/Oセンスアンプ群と、
前記第2メモリセルアレイ群中のメモリセルアレイに対応したI/Oセンスアンプを含む第2I/Oセンスアンプ群と、
リフレッシュサイクルを切り換える切換信号を生成する切換信号生成部と、
前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中それぞれからメモリセルアレイを一つずつ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群を選択し、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号および前記第2アドレス信号をデコードして前記第1、第2メモリセルアレイ群中からメモリセルアレイを一つ選択するとともに、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のうち、前記選択したメモリセルアレイが含まれる前記第1、又は第2メモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択する、前記第1アドレス信号が入力される第1入力と、第2入力とを有するデコーダと、
入力を有するカラム系デコーダと、
前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号に基いて前記第1、第2I/Oセンスアンプ群のいずれかを活性化させ、前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2I/Oセンスアンプ群をそれぞれ活性化させる、入力を有するI/Oセンスアンプ制御回路と、
前記切換信号が入力される第1入力と、前記第2アドレス信号が入力される第2入力と、前記第3アドレス信号が入力される第3入力と、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力する第1出力と、前記第2アドレス信号を前記カラム系デコーダの入力に向けて出力する第2出力と、前記第3アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力する第3出力と、前記第3アドレス信号を前記カラム系デコーダの入力に向けて出力する第4出力とを有するアドレス切換部とを具備し、
前記アドレス切換部は、前記切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力するとともに前記第3アドレス信号を前記カラム系デコーダの入力に向けて出力し、
前記切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記カラム系デコーダの入力に向けて出力するとともに、前記第3アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の入力に向けて出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 少なくとも前記複数のアドレス信号を順次カウントする複数のカウント信号を出力するカウンタをさらに具備し、
前記カウンタには前記切換信号が供給され、前記カウンタは、この切換信号に基いて前記複数のカウント信号の数を変更するように構成されていることを特徴とする請求項5乃至請求項7いずれか一項に記載の半導体集積回路。 - ワード線の電位を昇圧する昇圧手段をさらに具備し、
前記昇圧手段には前記切換信号が供給され、前記昇圧手段は、この切換信号に基いてワード線昇圧容量を変更するように構成されていることを特徴とする請求項5乃至請求項8いずれか一項に記載の半導体集積回路装置。 - リフレッシュサイクルを切り換える、第1、第2、第3切換信号を生成する切換信号生成部と、
第1アドレス信号を出力する出力を有する第1アドレスバッファと、
前記第1切換信号が入力される入力と、第2アドレス信号を出力する出力とを有する第2アドレスバッファと、
前記第2切換信号が入力される入力と、第3アドレス信号を出力する出力とを有する第3アドレスバッファと、
前記第1切換信号が入力される入力と、第4アドレス信号を出力する出力とを有する第4アドレスバッファと、
前記第2切換信号が入力される入力と、第5アドレス信号を出力する出力とを有する第5アドレスバッファと、
情報を記憶するメモリセルが配置されたメモリセルアレイを複数含む、複数のメモリセルアレイ群、およびこれら複数のメモリセルアレイ群に対応した複数のI/Oセンスアンプ群と、
前記第1乃至第3切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1アドレス信号をデコードして前記複数のメモリセルアレイ群からメモリセルアレイを選択するとともに、選択した前記複数のメモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択し、
前記第1乃至第3切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2アドレス信号をデコードして前記複数のメモリセルアレイ群からメモリセルアレイを選択するとともに、選択した前記複数のメモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択し、
前記第1乃至第3切換信号が第3リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第1、第2、第3アドレス信号をデコードして前記複数のメモリセルアレイ群からメモリセルアレイを選択するとともに、選択した前記複数のメモリセルアレイ群に対応したI/Oセンスアンプ群を選択するデコーダと、
前記第1乃至第3切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第4、第5アドレス信号に基いて複数のI/Oセンスアンプ群を選択し、選択したI/Oセンスアンプ群を活性化させ、
前記第1乃至第3切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第4アドレス信号に基いて複数のI/Oセンスアンプ群を選択し、選択したI/Oセンスアンプ群を活性化させ、
前記第1乃至第3切換信号が第3リフレッシュサイクルを指定したとき、前記複数のI/Oセンスアンプ群を活性化させるI/Oセンスアンプ制御回路と、
前記第1切換信号、前記第3切換信号、および前記第2乃至第5アドレス信号がそれぞれ入力される第1乃至第6入力と、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力する第1出力と、前記第3アドレス信号を前記デコーダの第3入力に向けて出力する第2出力と、前記第4アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第1入力に向けて出力する第3出力と、前記第5アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第2入力に向けて出力する第4出力と有するアドレス切換部とを具備し、
前記アドレス切換部は、
前記第1乃至第3切換信号が第1リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第4アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第1入力に向けて出力するとともに前記第5アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第2入力に向けて出力し、
前記第1乃至第3切換信号が第2リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第4アドレス信号を前記I/Oセンスアンプ制御回路の第1入力に向けて出力するとともに、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力し、
前記第1乃至第3切換信号が第3リフレッシュサイクルを指定したとき、前記第2アドレス信号を前記デコーダの第2入力に向けて出力するとともに、前記第3アドレス信号を前記デコーダの第3入力に向けて出力することを特徴とする半導体集積回路装置。 - 前記第1切換信号が入力される入力と、第1カウンタ出力を出力する出力とを有する第1カウンタと、
前記第3切換信号が入力される入力と、第2カウンタ出力を出力する出力とを有する第2カウンタと、
をさらに具備することを特徴とする請求項10に記載の半導体集積回路装置。 - 前記第2アドレスバッファは、前記第1カウンタ出力が入力される他の入力を有し、前記第3アドレスバッファは、前記第2カウンタ出力が入力される第2入力を有する他の入力を有することを特徴とする請求項11に記載の半導体集積回路装置。
- 前記第1切換信号が入力される第1入力と、前記第2切換信号が入力される第2入力と、昇圧電位を出力する出力とを有するワード線昇圧部を、さらに具備することを特徴とする請求項10乃至請求項12いずれか一項に記載の半導体集積回路装置。
Priority Applications (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP22169492A JP3776461B2 (ja) | 1991-08-30 | 1992-08-20 | 半導体集積回路装置およびチップ選別方法 |
EP92114765A EP0530714B1 (en) | 1991-08-30 | 1992-08-28 | Semiconducteur integrated circuit device allowing change of product specification |
DE69229090T DE69229090T2 (de) | 1991-08-30 | 1992-08-28 | Integrierte Halbleiterschaltungsanordnung mit Möglichkeit, die Produktspezifikation zu ändern |
US08/435,661 US5633827A (en) | 1991-08-30 | 1995-05-05 | Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith |
US08/438,656 US5559748A (en) | 1991-08-30 | 1995-05-09 | Semiconductor integrated circuit allowing change of product specification and chip screening method therewith |
US08/683,780 US5812481A (en) | 1991-08-30 | 1996-07-16 | Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith |
US09/102,627 US5970015A (en) | 1991-08-30 | 1998-06-23 | Semiconductor integrated circuit device allowing change of product specification and chip screening method therewith |
US09/314,028 US6141288A (en) | 1991-08-30 | 1999-05-19 | Semiconductor memory device allowing change of refresh mode and address switching method therewith |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP3-219926 | 1991-08-30 | ||
JP21992691 | 1991-08-30 | ||
JP22169492A JP3776461B2 (ja) | 1991-08-30 | 1992-08-20 | 半導体集積回路装置およびチップ選別方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05234368A JPH05234368A (ja) | 1993-09-10 |
JP3776461B2 true JP3776461B2 (ja) | 2006-05-17 |
Family
ID=26523412
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP22169492A Expired - Fee Related JP3776461B2 (ja) | 1991-08-30 | 1992-08-20 | 半導体集積回路装置およびチップ選別方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (5) | US5633827A (ja) |
EP (1) | EP0530714B1 (ja) |
JP (1) | JP3776461B2 (ja) |
DE (1) | DE69229090T2 (ja) |
Families Citing this family (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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KR101861647B1 (ko) | 2011-05-24 | 2018-05-28 | 삼성전자주식회사 | 메모리 시스템 및 그 리프레시 제어 방법 |
KR102669502B1 (ko) | 2019-07-09 | 2024-05-27 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 장치 및 반도체 메모리 장치의 동작 방법 |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0612609B2 (ja) * | 1987-03-27 | 1994-02-16 | 株式会社東芝 | 半導体メモリ |
JPH0793003B2 (ja) * | 1988-09-01 | 1995-10-09 | 三菱電機株式会社 | ダイナミックランダムアクセスメモリ装置およびその動作方法 |
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JP3776461B2 (ja) * | 1991-08-30 | 2006-05-17 | 株式会社東芝 | 半導体集積回路装置およびチップ選別方法 |
-
1992
- 1992-08-20 JP JP22169492A patent/JP3776461B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 1992-08-28 EP EP92114765A patent/EP0530714B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1992-08-28 DE DE69229090T patent/DE69229090T2/de not_active Expired - Lifetime
-
1995
- 1995-05-05 US US08/435,661 patent/US5633827A/en not_active Expired - Lifetime
- 1995-05-09 US US08/438,656 patent/US5559748A/en not_active Expired - Lifetime
-
1996
- 1996-07-16 US US08/683,780 patent/US5812481A/en not_active Expired - Lifetime
-
1998
- 1998-06-23 US US09/102,627 patent/US5970015A/en not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-05-19 US US09/314,028 patent/US6141288A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP0530714A2 (en) | 1993-03-10 |
US5812481A (en) | 1998-09-22 |
US6141288A (en) | 2000-10-31 |
DE69229090T2 (de) | 1999-10-14 |
EP0530714A3 (en) | 1994-12-28 |
US5633827A (en) | 1997-05-27 |
US5559748A (en) | 1996-09-24 |
US5970015A (en) | 1999-10-19 |
DE69229090D1 (de) | 1999-06-10 |
JPH05234368A (ja) | 1993-09-10 |
EP0530714B1 (en) | 1999-05-06 |
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---|---|---|---|
A02 | Decision of refusal |
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|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20060223 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100303 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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