JP3750976B2 - Dramセルキャパシタの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、DRAM(Dynamic Random Access Memory)セルのキャパシタ製造方法に関し、特に半球形シリコン(以下、半球形シリコンを「HSG」という。)を用いるDRAMセルのキャパシタ製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
高集積DRAMを形成するためにメモリセルのサイズは縮小されなければならない。しかし、メモリセルサイズの縮小は静電容量減少を伴う。DRAMセルキャパシタで電荷は持続的に流失され、キャパシタ内に常に判読可能な水準の電荷量を維持するためには周期的なリフレッシュが必要である。しかし、DRAMキャパシタの静電容量が減ればさらに頻繁なリフレッシュを必要とする。DRAMキャパシタのリフレッシュ動作中には読み出しと書込みが不可能なのでリフレッシュの回数が増加するのは望ましくない。従って、高集積、高速動作の趨勢に応ずるためにはできるだけ多く静電容量を有するDRAMキャパシタが必要である。メモリセルサイズは縮小する傾向にあるため、さらに多く静電容量を有するストレージノードを形成するためには単位面積当静電容量を増加させる方法が要求される。
【0003】
DRAMセルキャパシタの静電容量を向上させる方法中の一つがストレージノードの表面積を広めることである。これを実現するためストレージノード表面にHSGを形成する方法が使用される。
【0004】
HSGを用いたストレージノード形成方法には低圧気相蒸着法(以下、低圧気相蒸着法を「LPCVD」とする。)、アメリカ合衆国特許第5753559号に開示されるプラズマ蒸着法および分子ビーム蒸着法(Appl. Phys. Lett., Vol 61, No.2, 13 July 1992)等がある。
【0005】
LPCVD法を使用すると、簡単な工程で同一のサイズの平面ストレージノードでありながら、従来の1.8倍程の静電容量を得られる。しかし、粒子サイズと粒子密度が不均一な問題点があるので静電容量の制御が難しい。また、非常に厳格な温度調節(±3℃)が要求されるため量産のための再現性を確保するのが難しい。LPCVD法でHSG粒子の成長温度以上のわずかの温度上昇もストレージノード表面の扁平化を誘発してHSG粒子は成長されない。これはHSG膜蒸着工程中に温度上昇によりシリコン原子の移動度が増加するからである。しかし、LPCVD法が後続の等温アニーリング工程と併合されると、効果的なHSG形成方法で使用できる。
【0006】
プラズマ蒸着法に使用できる技術としては、RFスパッタリング、直流スパッタリング、電子サイクロトロン共鳴CVD、プラズマ強化CVDおよびRF−CVD等がある。プラズマ蒸着法を用いたHSG膜形成方法の長所は基板温度に対する制約がほとんどないという点である。実際に、200℃〜500℃の温度範囲で実用的にHSG膜質が形成される技術がアメリカ合衆国特許第5753559号に開示されている。これに対し、分子ビーム蒸着法(MBD)によるHSGは超高真空アニーリング工程と併合することにより均一な粒子サイズの再現性を得られる。
【0007】
図1〜図3は、従来の通常的なHSG形成方法の工程を示すための断面図である。
図1に示すように、キャパシタの下部電極を形成するために基板または層間絶縁膜上に形成された非晶質シリコン膜4が形成される。この非晶質シリコン膜4は、例えばN型の不純物がドーピングされたシリコン膜の蒸着により形成される。また、シリコン膜の蒸着は非晶質状態になる蒸着温度範囲で実行される。引き続き、通常のフォトエッチング工程を経て非晶質シリコンの下部電極パターンを形成した後、非晶質シリコンが置かれた反応チャンバ内にシラン(SiH4)ガスまたは ジシラン(Si2H6)ガス等のシリコンソースガスを供給して非晶質シリコン4の下部電極パターンの表面に種結晶5Aが形成される。
【0008】
シリコンソースガスの供給を遮断させた後、高温で熱処理すると、図2に示すように非晶質シリコン4のシリコン原子が矢印の方向へ示したように種結晶5Aへ移動することにより種結晶5Aが成長する。続けて、所定時間中熱処理を進行すると、図3に示すように下部電極表面に所望のサイズを有するHSG膜またはHSG粒子5が形成される。この際、HSG粒子5は特定の配向を有する結晶で成長されたことであり、非晶質シリコン膜の下部電極のシリコンは高温熱処理過程で一部分が結晶化される。
【0009】
しかし、前述した方法により製造されたHSG粒子5のネック部分は、種結晶5Aの周辺にある非晶質シリコン膜4のシリコン原子が種結晶5Aへ移動するので細くなる。
【0010】
また、図示していないが、最終的に成長したHSG粒子5は大部分が図3のように所望の形状で成長され、一部分はHSGネック部分がない構造のHSG粒子、即ち非晶質シリコン膜4のバルク内に打ち込まれているHSG粒子が形成される。このような構造のHSG粒子はその遷移領域までも結晶化されて安定し、成長しない形状を有する。従って、このようなHSG粒子は正常的に成長されたHSG粒子よりサイズが小さい。
【0011】
図4は、前述した従来のHSG形成方法を用いて形成されたDRAMセルキャパシタで発生できる問題点を説明するための断面図である。
図4に示すように、従来のHSG形成方法を用いて基板1上に形成されたストレージノード4の表面上にHSG膜またはHSG粒子5が形成された後、通常基板の洗浄工程が実行される。このような洗浄工程は前述した従来のHSG形成方法でHSG粒子5を形成した後に実行されるキャパシタの誘電体膜を形成する前に全体のシリコン表面に形成された自然酸化膜を除去するため実行されなければならない。
【0012】
この際、前述した従来のHSG形成方法でHSG膜5が形成される時、図4の部分拡大図、即ち点線で表示された部分でのようにHSG粒子のネック部分が細くなるので、後続工程で洗浄溶液(例えばSC1、HFまたは緩いLAL)によりHSG粒子5のネック部分が図4に示すように容易にエッチングされ離脱する。この離脱したHSG粒子5により図4に示すようにストレージノード4間に短絡が発生されるという深刻な問題点を起こす。上記の洗浄溶液のSC1はアンモニア、過酸化水素、および脱イオン水の混合溶液であり、そしてLALはフッ化アンモニウムおよびフッ化水素の混合溶液である。
【0013】
【発明が解決しようとする課題】
そこで、シリコンに対する洗浄溶液(特に、SC1)のエッチング速度は、結晶質より非晶質の場合、さらに早いことに注目し、本発明では形成されたHSG粒子およびHSG粒子周辺にある非晶質シリコンの下部電極のシリコンが完全に結晶化されると、後続の洗浄工程によりHSG粒子のエッチング能力が急激に劣化されることに着眼して提案された。
【0014】
本発明の目的は、HSG粒子が後続洗浄工程で離脱することを防止し、短絡の誘発を防止できるDRAMセルキャパシタの製造方法を提供することにある。
【0015】
【課題を解決するための手段】
前述した目的を達成するために本発明のDRAMセルキャパシタの製造方法によると、半導体基板上に形成されたストレージノードを形成した後、このストレージノードの表面上にHSG膜を形成し、ストレージノードの表面層とHSG膜のネック部分の結晶状態を高温アニーリング工程により安定化させる段階を含む。HSG膜とストレージノードとはHSG膜形成工程で非晶質領域のバルクと、非晶質領域の遷移領域を含む表面層および、結晶領域で構成され、高温アニーリング工程により非晶質領域の遷移領域を含む表面層が結晶化される。
【0016】
この方法において、高温のアニーリング工程を遂行する前にHSG膜およびストレージノード表面上に絶縁膜を形成する段階が付加的に含まれる。絶縁膜はブレーキングバキューム方法で形成される自然酸化膜であり、または酸化膜形成方法により形成された酸化膜である。
【0017】
この方法の望ましい実施形態において、アニーリング工程を遂行する前にHSG膜およびストレージノード表面上に絶縁膜を形成する段階を付加的に含められ、この絶縁膜はアニーリング工程に随伴される原子移動を抑制する役割を果たす。
【0018】
本発明の実施形態によるHSGを用いたDRAMセルキャパシタの製造方法によると、絶縁膜上部に露出されたストレージノードの表面上にHSG膜が形成された後、ストレージノードを結晶化温度でHSG膜が形成されたストレージノードをアニーリングしてストレージノードの表面層の結晶状態を安定化させる。このような製造方法により、後続洗浄工程でHSG粒子がエッチングされて離脱することを防止し、HSG粒子が離脱してストレージノード間の短絡を誘発することが防止できる。このようにすることにより、安定的なDRAMセルの特性および収率を得ることができる。
【0019】
【発明の実施の形態】
本発明の実施の形態を図面に基づいて詳細に説明する。
まず、図5〜図8に基づいて本発明により導電層上にHSG膜を形成する方法について説明する。
【0020】
図5に示すように半導体基板10上に層間絶縁膜20が蒸着されており、そしてこの層間絶縁膜20上には導電層である非晶質シリコン膜30が形成されている。この導電層30は、ドーピングされないシリコン膜の蒸着、またはN型不純物が例として挙げられ、リンでドーピングされたシリコン膜の蒸着により形成できる。ドーピングされなかったシリコン膜はその上にHSG膜の形成後に、導電層30の表面に形成されるHSG粒子が破壊されて喪失されない程度で、イオン注入等を通じて不純物が注入される。
【0021】
一方、N型不純物がドーピングされたシリコン膜で導電層30が形成されると、シリコン膜の蒸着温度を510℃〜530℃範囲内で調節して非晶質(アモルファス)膜が形成されるようにする。よく知られるように、非晶質ではない膜質、例えばポリシリコン膜上では均一なHSG膜の形成が困難である。これは下部膜質が格子配向を有している場合、核形成段階で形成された微細結晶核に沿って粒子成長が起こることより、下部膜質の配向に沿って連続的な膜質成長が起こるからである。このようにドーピングされたシリコン膜の不純物濃度は1×1020〜2×1020atoms/cm3範囲内にある。
【0022】
引き続き、エッチング工程が実行され、非晶質シリコン膜30の表面上に形成されている自然酸化膜を除去する。このエッチング工程はHF溶液をエッチング液として使用する。非晶質シリコン膜30上にある自然酸化膜は後続HSG核生成および粒子成長段階でシリコン原子の移動を抑制し、HSGの形成を難しくする障害物として作用するので完全な除去が要求される。自然酸化膜の除去方法としては多様な技術が使用できる。例えば、HFディッピング、HFスピンエッチング、気相HF洗浄、またはH2プラズマ洗浄等の技術が使用できる。このような工程を遂行すると、非晶質シリコン膜30の表面は水素化され、再酸化されない。
【0023】
続いて、非晶質シリコン膜30の表面にシリコン含有ガス雰囲気でシリコン微細結晶核40が形成される核形成工程が遂行される。LPCVD法を使用して核形成工程が遂行される場合、SiH4、SiH2Cl2またはSi2H6ガス雰囲気が使用される。この際、分子ビーム蒸着法を使用すると、Si2H6またはSiH4分子が非晶質シリコン膜の表面に照射される。この際の照射工程温度は一般的に600℃程度である。この工程はストレージノード表面にHSGの微細結晶核40を形成するための種子形成工程である。このような種子形成は温度が約600℃、圧力が約1×10-4〜1×10-5Torrで実行される。
【0024】
図6に示すように、非晶質シリコン膜30の表面に核形成工程が完了された後、1×10-6〜1×10-10Torrの高真空状態で、望ましくは1×10-7Torrの真空状態で、600℃の核成長温度で、望ましくは作業処理率を高めるために核形成段階の温度とほとんど同一な温度でアニーリングされる。このようなアニーリング工程は非晶質シリコン膜30の表面にあるシリコン原子がシリコン核40へ移動することに必要な駆動力を提供してHSGの微細結晶核40が1次成長してHSG粒子60を形成する。核形成およびアニーリング工程が遂行される温度領域で核形成段階で生成されること以外に熱的核形成は起こらない。
【0025】
核形成段階とアニーリング段階とを含む近年のHSG形成方法で粒子のサイズおよび密度を決定する重要な要素は、各段階の持続時間である。即ち、核形成工程の時間が延びければ延びるほど非晶質シリコン膜30の表面の核形成が多くなってHSG密度は高まり、又図7で示したようにアニーリング時間が延びければ延びるほどシリコン原子の移動がさらに多くなる。また、図6で示したHSG粒子60はさらに成長(即ち、2次成長)して図7で示したHSG粒子60aへ変わる。その他、核形成段階でシリコン微細結晶核40の密度は基板10の温度が上昇すれば上昇するほど高く、又分子ビーム蒸着法の場合にはシリコン分子ビームのフラックス密度が増加されると増加されるほど高まる。
【0026】
図6と図7で示されたアニーリング段階で、熱処理時間が延びることによりシリコン原子の移動が多くなってHSG粒子のサイズは図6のHSG粒子60で図7のHSG粒子60aへ変わる。この際、シリコン原子の移動はバルク(キャパシタの下部電極の胴体)内のシリコン原子よりは安定的な面で劣り、高いエネルギーを有する非晶質シリコン膜30の表面原子が主に移動される。これはバルク内の原子に対し表面原子に連結された隣接原子の数が少なく、原子間の結合力が相対的に小さいことに起因する。結果的に、アニーリング段階が進行されると進行されるほどHSG粒子周辺の非晶質シリコン表面は消耗されて図6に示されたようにHSG粒子60の周囲にリセス50が形成される。同時に継続されるアニーリング段階により、図6で示されたように微細結晶核40で1次成長されたHSG粒子60が図7で示されたように2次成長されたHSG粒子60aへ変わりながらそのネック部分70は非常に細くなる。ここで、細くなったネック部分70は前述したように後続洗浄工程で洗浄溶液によりエッチングされる時に脆弱になるという問題点を有しているという点に注目しなければならない。また、2次成長されたHSG粒子60aと導電層30とを結ぶ部分は、図7の拡大図で示されたように、結晶質および非晶質構造のシリコンが混在されたバルク領域Brと、非晶質構造の遷移領域を含む表面層および、 HSG粒子の結晶領域Crに大別され、非晶質構造の遷移領域TrのHSGネック部分70を含む表面層は原子移動過程に随伴される多い格子欠陥を含んでいることに注目しなければならない。
【0027】
本発明の実施例による重要な方法的な特徴がネック部分70、即ち遷移領域Trを含む表面層の格子欠陥を除去するための高温のアニーリング工程が洗浄工程前に追加に実行されて遷移領域を含んで導電層30の一部表面を結晶化させることである。このような表面層の結晶化は自然酸化膜除去のための後続の洗浄工程でHSG粒子が離脱しないので、導電層パターン間の短絡が防止できる。これは洗浄工程中に結晶質状態のシリコンが非晶質状態のシリコンよりエッチング速度が遅いからである。
【0028】
遷移領域Trおよび表面層の結晶化、即ち遷移領域Trおよび表面層の格子欠陥の除去および導電層30の表面層の結晶化のためのアニーリング工程はシリコン原子の移動を防止するためにブレーキングバキューム段階を経た後自然酸化膜が形成された状態で高温熱処理するか、または酸素雰囲気で実行して熱処理することにより達成できる。特に、酸素雰囲気で実行されるアニーリング工程によると、シリコン表面(即ちHSG粒子および導電層の表面)上に薄い酸化膜が形成されながらシリコン表面が熱処理されることにより、薄い酸化膜がシリコン原子の移動が有効に防止できるので、HSG粒子のネック部分がさらに細くなることが防止できる。択一的に、シリコン表面上に酸化膜等の絶縁膜を塗布した後、高温アニーリング工程を実行してもシリコン表面の原子移動が有効に防止できる。
【0029】
前述した本発明の方法概念が適用されたキャパシタ形成方法はHSG膜を用いてキャパシタンスを増大させるための技術には全て適用できることはこの技術分野に従事する当業者に自明である。
【0030】
(第1実施例)
次に本発明の第1実施例によるDRAMセルキャパシタの製造方法を図9〜図14に基づいて説明する。
図9〜図13は、本発明の第1実施形態によるDRAMセルキャパシタの製造方法の工程を順次に示す断面図である。図9〜図13において図5〜図8で示した構成要素と同一な機能および役割を果たす構成要素には同一な参照番号を付している。
【0031】
図9に示すように、まず半導体基板10上に酸化物よりなった層間絶縁膜20が形成される。層間絶縁膜20が部分的にエッチングされてストレージノード用コンタクトホール25を形成する。ストレージノード用コンタクトホール25を充填しながら酸化膜20上に不純物がドーピングされたシリコン膜27を蒸着する。この際、不純物としてはN型不純物、例えばリンを使用し、不純物の最終濃度は1×1020〜2×1020atoms/cm3範囲にある。HSGは不純物がドーピングされなかったシリコン膜上でさらに微細で均一なサイズで成長される。しかし、不純物がドーピングされなかったシリコン膜を使用する時、キャパシタ電極として使用されるためには、HSG形成後イオン注入等の方法で不純物を注入しなければならない。イオン注入による不純物注入は電極の上部表面に形成されたHSGが破壊されて平面へ還元されない範囲内で実行される。
【0032】
もし不純物がドーピングされなかったシリコン膜を使用する場合、追って不純物ガス雰囲気で熱処理を通じて不純物をドーピングすることもできる。しかし、熱処理を用いた不純物注入の場合には熱処理による半導体装置の電気的特性変化等所望でない付随的効果が発生するので、シリコン膜は蒸着温度を調節して非晶質状態になるようにする。
【0033】
図10に示すように、非晶質シリコン膜27をパターニング、エッチングしてストレージノードの下部電極27aが形成される。
図11に示すように、ストレージノードの下部電極27aが形成された後、ストレージノードの下部電極27aを含んで酸化膜20上にHSG核40の形成のための核形成工程が遂行される。核形成工程はLPCVD法で遂行される。この際、核形成工程は1×10-4〜1×10-5Torrの圧力範囲で、約600℃温度で、そしてSiH4、Si2H6等の雰囲気で実行される。このようにして、HSG核40はストレージノード下部電極27aの表面および酸化膜20上に形成される。核形成段階でシリコン微細結晶核40の密度は基板温度が上昇すれば上昇するほど高まり、又シリコン雰囲気ガスの圧力が増加すれば増加するほど高まる。
【0034】
図12において、微細結晶核40の形成後、一定の核成長温度で、望ましくは核形成工程の温度と同一な温度範囲で実行される核成長のためのアニーリングが遂行され、ストレージノード下部電極27a表面のHSG核40が成長して均一な密度およびサイズを有するHSG80が形成される。HSG80の密度およびサイズは核形成およびアニーリング工程の複数の因子を使用することにより調節が可能である。即ち、核形成工程の時間が延びれば延びるほどHSG80の密度は高まり、アニーリング時間が延びれば延びるほどHSG80のサイズは広まる。HSG80の成長はストレージノードの表面およびバルクのシリコン原子が移動することにより示される。
【0035】
HSG核40の成長は主に核周辺の自由エネルギーが大きな表面原子が移動することにより得られる。核周辺の表面原子が移動することにより、リセスが形成され、HSGがストレージノードへ連結されるネック部位は脆弱になる。また、HSGのネック部分は結晶質乃至多結晶質構造と非晶質構造との遷移領域を形成し、多くの格子欠陥を含む。
【0036】
HSG形成後キャパシタ誘電膜蒸着前ストレージノード表面の自然酸化膜を除去するために洗浄工程が遂行される。この際、シリコンのエッチング能力を有する洗浄溶液としてはSC1、HFまたはLALが使用できる。このような洗浄工程中にHSGのネック部分70は前述したような脆弱な構造および高いエネルギー状態によりシリコンの洗浄溶液のエッチング反応にさらに敏感に反応する。この実施形態で、シリコンの洗浄溶液によりエッチングされて部分的に離脱したHSGがストレージノード間に位置することにより短絡を誘発したという点を注意するべき必要がある。本発明はこのような問題点を解決するために提案されたものであって、その特徴は後述する。
【0037】
図13に示すように、HSG形成後に高温のアニーリング工程が遂行される。アニーリング工程を遂行してHSGのネック部分、即ち遷移領域を含んだストレージノード下部電極27aの表面層が結晶化される。結晶質シリコンは非晶質シリコンの割りにSC1によるエッチング速度が遅い。アニーリング工程は600℃以上の温度で、望ましくは600℃〜650℃温度範囲で遂行される。
【0038】
図14に示すように、前述した等温アニーリング工程により形成されたストレージノードの下部電極27a表面に形成されたHSG膜80と下部電極27aとは、非晶質領域のバルク101、非晶質領域の表面層102、非晶質領域の遷移領域103および結晶領域104に大別できる。即ち、高温のアニーリング工程が遂行される前には遷移領域103を含む非晶質領域表面層102は結晶化されていないので、後続の洗浄工程で洗浄溶液のエッチング速度が結晶質状態のシリコンより非晶質状態のシリコンでさらに早くなってHSG80が離れる。この離れて出たHSG80が下部電極パターン間に位置されると、パターン間短絡が誘発される。しかし、HSG形成後、高温のアニーリング工程が追加に進行されることにより非晶質領域の遷移領域103を含む表面層102が結晶化されるので後続の洗浄工程によりHSG80が離れて出ることが防止できる。
【0039】
遷移領域および非晶質シリコン表面層の結晶化のためのアニーリング工程はシリコン原子の移動を防止するためにブレーキングバキューム段階を経た後にシリコン表面上に自然酸化膜が形成された状態で高温熱処理されるかまたは酸素雰囲気で実行する熱処理することにより達成できる。ブレーキングバキュームにより自然酸化膜の形成後に実行される結晶化アニーリング工程はアルゴンガスまたは窒素ガスの雰囲気で実行される。
【0040】
特に、酸素雰囲気で実行されるアニーリング工程はシリコン表面(即ちHSG粒子および導電層の表面)に薄い酸化膜が形成されながら熱処理されることにより、その薄い酸化膜がシリコン原子の移動を有効に防止できるのでHSG粒子のネック部分がさらに細くなることを防止する。
【0041】
(第2実施例)
次に本発明の第2実施例によるキャパシタの製造方法を詳細に説明する。
図15〜図20は、本発明の第2実施形態によるキャパシタの形成方法を示す断面図である。図15〜図20における図9〜図13で示した構成要素と同一な機能および役割を果たす構成要素には同一の符号を付す。
【0042】
第2実施例によるキャパシタの形成方法は、非晶質領域表面層102と遷移領域103との結晶化のためのアニーリング工程が実行される前に、HSG膜80とストレージノードとの下部電極27a上に絶縁膜95を形成することを除外しては第1実施形態によるキャパシタの形成方法と実際に同一なので、同一な工程(図15〜図18)に対しては説明を省略する。
【0043】
図19に示すように、第2実施形態は第1実施形態と同様にHSG粒子のネック部分の遷移領域を含む非晶質領域の表面層を結晶化するためのアニーリング工程を遂行する前に、HSG膜およびストレージノードの全体表面上に絶縁膜95を形成する段階を付加的に含む。このようにすることにより、絶縁膜95によりアニーリング工程中HSG膜内で原子移動が起こることを防止してHSGのネック部分がさらに細くなるが防止できる。この際、絶縁膜95の形成工程はアニーリング工程を実行するプロセスチャンバ内で実行されるので、即ち工程変化なしで実行されるので工程が非常に簡単になる。
【0044】
また、絶縁膜95はアニーリング工程を遂行する前にブレーキングバキュームを経たことにより形成される自然酸化膜とすることも可能である。このようにポリシリコン層が空気中に露出される場合、20Å程度の薄い自然酸化膜が形成される。
この実施形態では、絶縁膜95は結晶化のためのアニーリング工程を遂行する前、塗布工程を遂行することにより、人為的に形成され、例えば酸化膜、または窒化膜(Si3N4を含む)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化チタン(TiO2)等が使用可能である。
【0045】
絶縁膜95が窒化膜で形成される場合には、キャパシタ誘電体膜を形成するための追加に実行される工程が省略できる。
前述した結晶化工程が遂行された後、HSGのネック部分はエッチング速度が劣化されて後続洗浄工程で容易にエッチングされて離脱しない。
【0046】
【発明の効果】
本発明はストレージノードの表面層およびHSG粒子ネック部分の結晶状態を安定化させながらそのネック部分がさらに細くなることが防止できるので、HSG粒子が後続洗浄工程でエッチングされて離脱することが防止できる効果がある。従って、HSG粒子がエッチングされて離脱することによるストレージノード間の短絡を誘発することが防止でき、これにより安定的なDRAMセルの特性および収率を得られる効果がある。
【図面の簡単な説明】
【図1】従来のHSG形成方法を示すための断面図である。
【図2】従来のHSG形成方法を示すための断面図である。
【図3】従来のHSG形成方法を示すための断面図である。
【図4】従来のDRAMセルキャパシタを示す断面図である。
【図5】本発明によるHSG形成方法を説明するための断面図である。
【図6】本発明によるHSG形成方法を説明するための断面図である。
【図7】本発明によるHSG形成方法を説明するための断面図である。
【図8】本発明によるHSG形成方法を説明するための断面図である。
【図9】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図10】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図11】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図12】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図13】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図14】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図であって、図12の90の部分を拡大した図である。
【図15】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図16】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図17】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図18】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図19】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【図20】本発明の第1実施例によるDRAMセルのキャパシタ製造方法を示す断面図である。
【符号の説明】
10 半導体基板
20 層間絶縁膜
25 コンタクトホール
30 導電層
40 シリコン微結晶核
60、60a HSG
95 絶縁膜
101 非晶質領域バルク
102 非晶質領域表面層
103 遷移領域
104 結晶領域
Claims (11)
- 半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールを完全に充填するように層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、
前記導電層をパターニングしてストレージノードを形成する段階と、
前記層間絶縁膜の上部に露出したストレージノードの表面上にHSG膜を形成する段階と、
酸素雰囲気のアニーリングにより、前記ストレージノードの表面層と前記HSG膜のネック部分とを結晶化させる結晶化段階とを含み、
前記結晶化段階を遂行する前に、前記HSG膜およびストレージノード表面上に絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とするDRAMセルキャパシタの製造方法。 - 前記アニーリング工程は、600℃以上の温度で実施されることを特徴とする請求項1に記載のDRAMセルキャパシタの製造方法。
- 前記絶縁膜は、ブレーキングバキューム方法で形成される自然酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載のDRAMセルキャパシタの製造方法。
- 前記絶縁膜は、酸化膜、酸化タンタル(Ta2O5)、および酸化チタン(TiO2)から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項1に記載のDRAMキャパシタの製造方法。
- 前記絶縁膜は、ブレーキングバキューム方法で形成された自然酸化膜であり、前記自然酸化膜形成後に実施される前記結晶化段階はアルゴンガスまたは窒素ガスのいずれかの雰囲気下で実施されることを特徴とする請求項1に記載のDRAMセルキャパシタの製造方法。
- 半導体基板上に層間絶縁膜を形成する段階と、
前記層間絶縁膜を部分的にエッチングしてコンタクトホールを形成する段階と、
前記コンタクトホールを完全に充填するように層間絶縁膜上に導電層を形成する段階と、
前記導電層をパターニングしてストレージノードを形成する段階と、
前記ストレージノードの表面にHSG膜を形成し、非晶質領域のバルクおよび遷移領域を含む表面層ならびに結晶領域から前記HSG膜およびストレージノードを形成する段階と、
前記非結晶質領域の遷移領域を含む表面層を結晶化する段階とを含み、
前記結晶化工程は酸素雰囲気のアニーリング工程により実施されることを特徴とするDRAMセルキャパシタの製造方法。 - 前記アニーリング工程は600℃以上の温度で実施されることを特徴とする請求項6に記載のDRAMセルキャパシタの製造方法。
- 前記結晶化工程を遂行する前に、前記HSG膜およびストレージノード表面上に絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項6に記載のDRAMセルキャパシタの製造方法。
- 前記絶縁膜は、ブレーキングバキューム方法で形成される自然酸化膜であることを特徴とする請求項8に記載のDRAMセルキャパシタの製造方法。
- 前記絶縁膜は、酸化膜、窒化膜、酸化タンタル(Ta2O5)、および酸化チタン(TiO2)から選択されるいずれかであることを特徴とする請求項8に記載のDRAMセルキャパシタの製造方法。
- 前記絶縁膜は、ブレーキングバキューム方法で形成された自然酸化膜であり、前記自然酸化膜形成後実行される前記結晶化状態の安定化工程は、アルゴンガスまたは窒素ガスのいずれかの雰囲気下で実施されることを特徴とする請求項8に記載のDRAMセルキャパシタの製造方法。
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