JP3675425B2 - カーボンナノチューブの製造方法および製造装置 - Google Patents
カーボンナノチューブの製造方法および製造装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3675425B2 JP3675425B2 JP2002152460A JP2002152460A JP3675425B2 JP 3675425 B2 JP3675425 B2 JP 3675425B2 JP 2002152460 A JP2002152460 A JP 2002152460A JP 2002152460 A JP2002152460 A JP 2002152460A JP 3675425 B2 JP3675425 B2 JP 3675425B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- reaction tube
- carbon
- solid catalyst
- carbon nanotubes
- containing compound
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、固体触媒と炭素含有化合物を加熱炉内に設置した反応管内に供給し、反応管を回転して固体触媒を撹拌することによってカーボンナノチューブを効率良く製造する方法、及びその製造装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
カーボンナノチューブは、グラファイトの1枚面を巻いて筒状にした形状を有しており、一層に巻いたものを単層カーボンナノチューブ、多層に巻いたものを多層カーボンナノチューブという。
【0003】
カーボンナノチューブを製造する方法としては、アーク放電法及び化学蒸着法(CVD)による方法が知られている。アーク放電法は、真空中又は不活性気体雰囲気中で炭素棒を電極とし、高電圧・高電流のアーク放電を行い、カーボンナノチューブを製造するものであり、カーボンナノチューブは陰極堆積物中にグラファイト、カーボンナノパーティクルなどと一緒に得られる。CVDによる方法は、鉄、ニッケルなどの金属微粒子の存在下で原料ガスを数百度で反応させて、カーボンナノチューブを製造するものである。
【0004】
しかしながら、生成するカーボンナノチューブの量は少なく、大量合成できる技術が望まれていた。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、効率良く大量にカーボンナノチューブを製造する方法とカーボンナノチューブを効率良く大量に製造できる装置を提供することをその課題とする。
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明者らは、前記課題を解決すべく鋭意研究を重ねた結果、本発明を完成するに至った。操作が簡便な化学蒸着法(CVD法)を用い、固体触媒と炭素含有化合物を500〜1200℃で効率良く接触させるために、加熱炉内に設置した反応管を回転させて固体触媒を撹拌し、固体触媒と炭素含有化合物のガスを均一に接触できる装置により、非常に高収率でカーボンナノチューブが大量に得られることを見出し、また、反応管を傾斜させて回転することにより固体触媒と原料炭素含有化合物を連続的に供給し、生成したカーボンナノチューブを連続して抜き出す装置にすることで、さらに効率良くカーボンナノチューブが製造できることを見出した。また、反応管内を加圧することにより、固体触媒へ原料ガスが吸着しやすくなり、さらに効率よくカーボンナノチューブが製造できることを見出し、本発明に至った。
【0007】
本発明は固体触媒を撹拌させながら炭素含有化合物を加熱接触させることによってカーボンナノチューブを製造する装置と、本装置によってカーボンナノチューブを製造する方法を提供するものである。
【0008】
すなわち、本発明は、「固体触媒と炭素含有化合物を加熱炉内に設置した反応管内に供給し、反応管を回転して固体触媒を撹拌すること特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。」、「固体触媒と炭素含有化合物を加熱炉内に設置した反応管内に連続的に供給し、反応管を傾斜して回転して固体触媒を撹拌しながら連続的にカーボンナノチューブが付着した触媒を抜き出すことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。」および、「水平軸方向に回転する筒状の反応管(1)を加熱炉(2)で所定の温度に維持する装置であって、反応管の前または後に炭素含有化合物を導入する供給口(5)と排気口(6)を設けることで、反応管内に収容した固体触媒と供給した炭素含有化合物が反応してカーボンナノチューブが生産できることを特徴とするカーボンナノチューブの製造装置。」、「水平あるいは水平に対してわずかに傾斜した軸の周りに回転する筒状の反応管(1)を加熱炉(2)で所定の温度に維持する装置であって、反応管の前または後に固体触媒を導入する供給口(13)と炭素含有化合物を導入する供給口(5)と製品を抜き出す製品取り出し口(14)と排気口(6)を設けることで、反応管内に固体触媒と炭素含有化合物を連続的に供給してカーボンナノチューブが生産できることを特徴とするカーボンナノチューブの製造装置。」である。
【0009】
【発明の実施の形態】
以下本発明について詳述する。本発明は、固体触媒と炭素含有化合物を加熱炉内に設置した反応管内に供給し、反応管を回転、または流体の供給により固体触媒を撹拌することによりカーボンナノチューブを製造する方法とその製造装置である。
【0010】
本発明による固体触媒は、固体担体表面に触媒金属を担持したものであればどのようなものでも良い。固体担体としては有機物でも無機物でも良いが、耐熱性の観点から無機物が好ましい。無機の固体担体としては、シリカ、アルミナ、酸化マグネシウム、酸化チタン、ケイ酸塩、珪藻土、アルミノシリケート、層状化合物、ゼオライト、活性炭、グラファイトなどを挙げることができる。中でも触媒金属が均一に担持できる無機多孔体が好ましい。無機多孔体の中でも細孔径や骨格組成が均一であるという点でゼオライトが好ましい。
【0011】
ゼオライトとは、分子サイズの細孔径を有した結晶性無機酸化物である。分子サイズとは、世の中に存在する分子のサイズの範囲であり、一般的には、0.2から2nm程度の範囲を意味する。ゼオライトとは、結晶性シリケート、結晶性アルミノシリケート、結晶性メタロシリケート、結晶性アルミノフォスフェート、あるいは結晶性メタロアルミノフォスフェート等で構成された結晶性マイクロポーラス物質のことである。
【0012】
結晶性シリケート、結晶性アルミノシリケート、結晶性メタロシリケート、結晶性アルミノフォスフェート、結晶性メタロアルミノフォスフェートの種類は特に制限がなく、例えば、アトラス オブ ゼオライト ストラクチュア タイプス(マイヤー、オルソン、バエロチャー、ゼオライツ、17(1/2)、1996)(Atlas of Zeolite Structure types(W. M. Meier, D. H. Olson, Ch. Baerlocher, Zeolites, 17(1/2), 1996))に掲載されている構造をもつ結晶性無機多孔性物質が挙げられる。
【0013】
本発明において、触媒金属の種類は、遷移金属元素が用いられ、中でも、V,Mo,Fe,Co,Ni,Pd等は特に好ましく用いられる。1種類だけ担持されていても、2種類以上担持されていてもかまわないが、2種類以上担持させる方がより好ましい。2種類の場合は、Coと他の金属の組み合わせが特に好ましい。CoとFe,Ni,V,Moの組み合わせが最も好ましい。更に第3成分を添加することも好ましく行われる。金属の担時量は無機多孔体に対して0.1重量%〜10.0重量%が好ましく、0.5重量%〜5.0重量%がより好ましい。無機多孔体表面への金属担持方法は、特に限定されないが、例えば、担持したい金属の塩を溶解させた水や非水溶液中(例えばエタノール溶液)に、無機多孔体を含浸し、充分に分散混合した後、乾燥させ、空気中や不活性ガス中で高温(300〜600℃)で加熱することによって、無機多孔体表面に金属を担持することができる含浸法や、金属塩の水溶液またはアルコール量をなるべく少なくし、無機多孔体の細孔内に、該水溶液を吸着させ、余分な水溶液またはアルコールはろ過などで除去して乾燥させる平衡吸着法や、金属カチオンと無機多孔体のカチオンを水溶液中で交換するイオン交換法などが用いられる。
【0014】
本方法では、無機多孔体を支持体とし、その支持体表面に金属が担持されていることを特徴とする触媒と炭素含有化合物を500℃〜1200℃で接触させる。接触させる温度は、500℃〜1200℃であり、さらに好ましくは600℃〜1000℃であり、特に600℃〜900℃がより好ましい。温度が低いとナノファイバーの収率が悪く、温度が高いと使用する反応器の材質に制限が出ると共に、ナノファイバー同士の接合が始まってしまい、ナノファイバーの形状のコントロールが困難になる。また、無機多孔体の耐熱性を超えてしまうと無機多孔体の構造が保持できなくなり、ナノファイバーが生成できなくなる。
【0015】
本発明における炭素含有化合物とは、炭素原子を含有していれば特に限定はない。好ましくは炭化水素化合物であり、脂肪族であっても芳香族であってもよく、炭素/炭素結合は飽和結合であっても不飽和結合を含んでいても良い。さらにはテルペンなどに代表される光学活性炭化水素化合物であっても良い。また、化合物の沸点が高くても加熱炉内で加熱されて気体となれば良い。
【0016】
炭化水素化合物としては例えば、メタン、エタン、エチレン、アセチレン、プロパン、プロピレン、イソプレン、n−ブタン、ブタジエン、1−ブテン、2−ブテン、2−メチルプロパン、n−ペンタン、2−メチルブタン、1−ペンテン、2−ペンテン、シクロペンタン、シクロペンタジエン、n−ヘキサン、1−ヘキセン、2−ヘキセン、シクロヘキサン、シクロヘキセン、2−メチルペンタン、3−メチルペンタン、2,2−ジメチルブタン、2,3−ジメチルブタン、メチルシクロヘキサン、n−ヘプタン、シクロヘプタン、2−メチルへキサン、3−メチルヘキサン、2,2−ジメチルペンタン、2,3−ジメチルペンタン、2,4−ジメチルペンタン、3,3−ジメチルペンタン、2,2,3−トリメチルブタン、n−オクタン、イソオクタン、シクロオクタン、1,1−ジメチルシクロヘキサン、1,2−ジメチルシクロヘキサン、エチルシクロヘキサン、1−オクテン、2−メチルヘプタン、3−メチルヘプタン、4−メチルヘプタン、2,2−ジメチルヘキサン、2,4−ジメチルヘキサン、2,5−ジメチルヘキサン、3,4−ジメチルヘキサン、2,2,4−トリメチルペンタン、2,3,4−トリメチルペンタン、n−ノナン、イソプロピルシクロヘキサン、1−ノネン、プロピルシクロヘキサン、2,3−ジメチルヘプタン、n−デカン、ブチルシクロヘキサン、シクロデカン、1−デセン、ピネン、ピナン、リモネン、メンタン、n−ウンデカン、1−ウンデセン、n−ドデカン、シクロドデセン、1−ドデセン、n−トリデカン、1−トリデセン、n−テトラデカン、1−テトラデセン、n−ペンタデカン、n−ヘキサデカン、n−ヘプタデカン、n−オクタデカン、n−ノナデカン、エイコサン、ドコサン、テトラコサン、ペンタコサン、ヘキサコサン、ヘプタコサン、オクタコサン、ノナコサン、メタノール、エタノール、ノルマルプロパノール、2−プロパノール、ベンゼン、トルエン、キシレン、エチルベンゼン、ジエチルベンゼン、ビニルトルエン、メシチレン、プソイドクメン、スチレン、クメン、ビニルスチレン又はこれらの混合物などを挙げることができる。また、炭素含有化合物に水素、硫化水素、一酸化炭素、二酸化炭素、水またはこれらの混合物を添加することも好んで行われる。
【0017】
固体触媒と炭素含有化合物の接触のさせ方は、特に限定されないが、例えば、図1のように反応管(1)内に、固体触媒を置き、加熱下で反応管を回転させながら炭素含有化合物のガスを流す方法や、図3のように反応管を傾斜させて回転させながら、傾斜した反応管の上部から固体触媒を連続的に供給し、反応管の下部から炭素含有化合物のガスを供給する方法がある。また、図6のように触媒に流体を供給し、流体の勢いで触媒を攪拌する方法もある。
【0018】
炭素含有化合物は液状で供給してもガス状で供給しても良いが、好ましくはガス状で供給する。いずれにしても反応管内では加熱炉で加熱されるため、炭化水素化合物はガス状で接触する。
【0019】
反応管を回転させる方法の場合は、反応管に用いる材質としては、使用する炭素含有化合物に対して接触安定性があり、使用する温度範囲で耐熱性を持っていればどのような材質でも良いが、石英ガラス、カーボン、セラミックスが特に良い。
【0020】
反応管の大きさとしては、径の大きさが増加するに従って内部に導入できる固体触媒が増えるために処理量は増加するが、径が大きくなりすぎると反応管の中心部分と壁面部分に温度差が生じてしまうために好ましくなく、逆に径を細くすると固体触媒の滞留時間を制御し易くなるが、処理量が減少してしまうために反応管を長くして処理できる量を調節する必要がある。
【0021】
反応管の内部に回転方向に対して垂直または若干角度をつけた邪魔板(7)を複数枚取り付けることにより、反応管が回転することで反応管中に導入した固体触媒が邪魔板によって十分に撹拌され、炭化水素ガスとの接触が均一となり、カーボンナノチューブがより効率的に生成できる。
【0022】
邪魔板の形状や大きさ、取り付ける角度を変えることで反応管内の固体触媒の撹拌効率を自在に調節することができる。また、回転モーター(8)や角度調節機(17)によって反応管の傾斜角と回転数を任意に変化させることができるため、固体触媒と炭素含有化合物の接触時間も自由に調節できる。傾斜角が小さくなれば滞留時間が長くなり、固体触媒との接触が十分起こり、固体触媒の利用率が向上する。また、傾斜角が大きくなればなるほど反応管内に導入された固体触媒の滞留時間が短くなり、必要以上に固体触媒と炭素含有化合物ガスの接触を防止することができる。しかし、傾斜角が大きすぎると固体触媒が反応管中にとどまることができなくなるために傾斜角には最適値があり、反応管の傾斜角は0°〜10°が好ましく、より好ましくは0°〜5°である。反応管を回転することは固体触媒を撹拌するのに必要であり、反応管の回転数は少ないと反応管を傾斜した場合、固体触媒の滞留時間が長くなるために固体触媒との接触時間が十分となり、固体触媒の利用率が向上する。反応管の回転数が多いと固体触媒の撹拌効率が向上し、固体触媒がより均一に炭素含有化合物ガスと接触できるようになる。ただし、回転数が大きすぎるとその遠心力によって固体触媒が撹拌しなくなるので、1〜120回転/分の範囲の回転数が好ましく、より好ましくは1〜60回転/分である。
【0023】
流体の供給により触媒を攪拌する場合は、流体としてはガスがよく、ガスとしては、炭素含有化合物のみ、または窒素、アルゴン、ヘリウム等から選ばれる希釈ガスとの混合ガスが好ましい。流体供給口は反応管の下方にあるほど効率が高いため好ましい。また、流体供給口の材質は、使用する炭素含有化合物に対して接触安定性があり、使用する温度範囲で耐熱性を持っていればどのような材質でも良いが、石英ガラス、カーボン、セラミックス、SUSが特に好んで用いられる。
【0024】
炭素含有化合物は、窒素、アルゴン、水素、ヘリウム等のガスと共に供給することが好ましい。これらのガスは、炭素含有化合物の濃度をコントロールしたりキャリアーガスとして効果があり、固体触媒に供給される時の炭素含有化合物ガス以外のガスの組成は、供給される全ガス量の0〜99.9%であり、より好ましくは50〜99.5%であり、さらに好ましくは70〜99%である。
【0025】
また、本発明は、反応管内が加圧されていることを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法に関するものである。ここで、反応管内が加圧されているとは、反応管内の圧力が大気圧以上であることを言う。加圧の程度は特に限定されないが、0.1MPaから10MPaが好んで用いられ、より好ましくは0.1MPaから5MPaである。加圧の方法も特に限定されないが、供給ガスをコンプレッサーで加圧する方法、原料やキャリアーガスをボンベから供給する方法があり、いずれの場合も反応管の下流側に減圧弁を設けることが好ましい。反応管内を加圧してカーボンナノチューブを製造する場合、反応管は圧力容器であることが好ましい。このように反応管内を加圧する利点は、原料ガスと触媒を効率よく接触させることにあり、この点に関しては、反応管内の圧力が高いほど効果が高い。一方、反応管内の圧力が高いほど、反応管の耐圧性を高める必要があり、装置への負荷が大きい。反応管内の圧力が高い場合は、反応管を圧力容器とする必要がある。
【0026】
本発明における製造装置としては、水平軸方向に回転する筒状の反応管を加熱炉で所定の温度に維持する装置であり、一般的にはロータリーキルンと呼ばれるものであり、反応管は1本でも複数本を同心円上に設置して回転させても良い。加熱炉としては、電気発熱方式や、高周波誘導コイル方式、バーナーによる加熱方式などが利用できるが、温度を容易にコントロールできたり熱損量を低減できることなどから電気発熱方式や高周波誘導コイル方式が好ましく、特に有機溶剤ガスや水素などの可燃性ガスの漏洩に対して安全な高周波誘導コイル方式が好ましい。図1に示した装置は、反応管(1)の前または後に炭素含有化合物を導入する供給口(5)と排気口(6)を設けることで、反応管内に収容した固体触媒に炭素含有化合物を供給することが可能となり、反応管に接続したガイド(4)と炭素含有化合物を導入する供給口(5)と排気口(6)の間にガスシール(11)を設けることで、反応管内に導入される炭素含有化合物のガスが回転部分からの漏洩を防止できる。反応管内に邪魔板(7)を設けて回転させることで固体触媒が効率良く撹拌されてカーボンナノチューブが効率良く製造できる装置となり得る。
【0027】
さらに、図2、3に示した装置のように、水平あるいは角度調節機(17)によって水平に対してわずかに傾斜させて設置した反応管(1)の前または後にスクリューポンプで固体触媒を導入する供給口(13)と炭素含有化合物を導入する供給口(5)とカーボンナノチューブが付着した固体触媒を抜き出す製品取り出し口(10)と排気口(6)を設けることで、反応管内に連続的に固体触媒と炭素含有化合物を供給することが可能なり、反応管に接続したガイド(4)と炭素含有化合物を導入する供給口(5)と排気口(6)およびスクリューポンプ(15)の間にガスシール(11)を設けることで、反応管内に導入される炭素含有化合物のガスが回転部分からの漏洩を防止できる。反応管を回転させることで固体触媒が撹拌されてカーボンナノチューブが効率良く生産でき、しかもカーボンナノチューブが連続的に大量生産できる装置となり得る。
【0028】
さらに、図4,5に示した装置のように、ガス下流側に圧力調整弁(18)を設置することで、反応管内の圧力を制御できる。また、図5に示すように、供給口(13)とスクリューポンプ(15)の間に、圧力を緩衝するための中間室(19)とバルブ(20)を設けることにより、大気圧中に置かれた触媒を加圧反応系内に導入することができる。
【0030】
本発明を以下の実施例によりさらに詳細に説明する。もっとも、下記の実施例は例示のために示すものであって、いかなる意味においても限定的に解釈してはならない。
【0031】
カーボンナノチューブの得られ易さを求める指標として、触媒当たりの重量増加率を用いて比較した。これは単位触媒量当たりに生成する炭素を主成分とする中空状ナノファイバーの割合を求めたものであり、次の式から求められる。
【0032】
触媒当たりの重量増加率=(生成物量−固体触媒量)/固体触媒量
この値が大きければ大きいほど効率良くカーボンナノチューブが得られることになる。
【0033】
【実施例】
[固体触媒の調製(触媒の1)]
無水塩化第二鉄(片山化学社製)0.73g、塩化コバルト六水和物(関東化学社製)1.01gをイオン交換水40mlに溶かし、10.0gのNaYゼオライト粉末(東ソー社製HSZ-310NAA)を加え、超音波洗浄機で30分間処理し、120℃恒温下で水を除去して、ゼオライトの表面に金属を担持した固体触媒を得た。
【0034】
[固体触媒の調製(触媒の2)]
無水塩化第二鉄(片山化学社製)0.73g、塩化コバルト六水和物(関東化学社製)1.01gをイオン交換水40mlに溶かし、10.0gのUSY型ゼオライト粉末(東ソー社製HSZ-390HUA)を加え、超音波洗浄機で30分間処理し、120℃恒温下で水を除去して、ゼオライトの表面に金属を担持した固体触媒を得た。
【0035】
[固体触媒の調製(触媒の3)]
無水塩化第二鉄(片山化学社製)0.73g、塩化コバルト六水和物(関東化学社製)1.01gをイオン交換水40mlに溶かし、10.0gのチタノシリケート型ゼオライト粉末(NEケムキャット社製TS-1)を加え、超音波洗浄機で30分間処理し、120℃恒温下で水を除去して、ゼオライトの表面に金属を担持した固体触媒を得た。
【0036】
[ナノファイバーの合成]
実施例1(バッチ法)
内径100mm、長さ1.5mの石英管の中央部に金属塩を担持した固体触媒の1を3.0g取り、石英管を電気炉に設置して、窒素を150ml/分で供給した。石英管を30回転/分で回転させながら電気炉の中心温度を700℃に加熱し、アセチレン(竹中高圧工業社製)を30ml/分で180分間供給した後、アセチレンの供給を止め、温度を室温まで冷却した。得られた生成物は7.5gあり、触媒当たりの重量増加率は1.5であった。日本電子データム(株)走査電子顕微鏡JSM−6301NFで生成物を観察したところ、ほとんど非晶質のカーボン質の堆積は無く、外径が30nm以下の細いカーボンナノチューブが主成分であることがわかった。高分解能透過型電子顕微鏡で中空状ナノファイバーを観察したところナノファイバーの壁はグラファイト層で構成されていた。
【0037】
実施例2(バッチ法)
内径100mm、長さ1.5mの石英管の中央部に金属塩を担持した固体触媒の2を3.0g取り、石英管を電気炉に設置して、アルゴンを150ml/分で供給した。石英管を30回転/分で回転させながら電気炉の中心温度を800℃に加熱した。ここへエタノール(片山化学製)をマイクロフィーダーで180分間供給した。このとき、エタノールはガスとして5ml/分となるように設定した。その後、エタノールの供給を止め、温度を室温まで冷却した。得られた生成物は3.6gあり、触媒当たりの重量増加率は0.2であった。日立製透過型電子顕微鏡H7100型で生成物を観察したところ、ほとんど非晶質のカーボン質の堆積は無く、外径が2nm以下の細いカーボンナノチューブが主成分であることがわかった。高分解能透過型電子顕微鏡で観察した結果、主成分は単層カーボンナノチューブであった。
【0038】
実施例3(バッチ法)
内径100mm、長さ1.5mの石英管の中央部に金属塩を担持した固体触媒の3を3.0g取り、石英管を電気炉に設置して、アルゴンを150ml/分で供給した。石英管を30回転/分で回転させながら電気炉の中心温度を850℃に加熱し、アセチレン(竹中高圧工業社製)を5ml/分で180分間供給した後、アセチレンの供給を止め、温度を室温まで冷却した。得られた生成物は3.6gあり、触媒当たりの重量増加率は0.2であった。日立製透過型電子顕微鏡H7100型で生成物を観察したところ、ほとんど非晶質のカーボン質の堆積は無く、外径が15nm以下の細いカーボンナノチューブが主成分であることがわかった。高分解能透過型電子顕微鏡で観察した結果、2層カーボンナノチューブの生成が確認された。
【0039】
実施例4(連続法)
内径100mm、長さ1.5mの石英管を傾斜させて電気炉内に設置し、傾斜させた上方から固体触媒の1を1.0g/時で供給し、下方から窒素を150ml/分で供給した。石英管を10回転/分で回転させながら電気炉の中心温度を700℃に加熱し、アセチレンを30ml/分で供給した。固体触媒投入から製品取り出しにかかる時間を1時間に調節することで、製品抜き出し口から毎時2.5gの生成物が得られ、触媒当たりの重量増加率は1.5であった。
日本電子データム(株)走査型電子顕微鏡JSM−6301NFで生成物を観察したところ、ほとんど非晶質のカーボン質の堆積は無く、外径が30nm以下の細い中空状ナノファイバーが主成分であることがわかった。高分解能透過型電子顕微鏡で中空状ナノファイバーを観察したところナノファイバーの壁はグラファイト層で構成されていた。
【0040】
実施例5(加圧バッチ法)
内径100mm、長さ1.5mの石英管の中央部に金属塩を担持した固体触媒の3を3.0g取り、石英管を電気炉に設置した。ガス下流側には圧力調整器を設置し、反応管内が0.2MPaになるよう調整した状態で、0.2MPaのアルゴンを150ml/分で供給した。石英管を30回転/分で回転させながら電気炉の中心温度を850℃に加熱し、0.2MPaのアセチレン(竹中高圧工業社製)を5ml/分で180分間供給した後、アセチレンの供給を止め、温度を室温まで冷却した。得られた生成物は4.2gあり、触媒当たりの重量増加率は0.4であった。日立製透過型電子顕微鏡H7100型で生成物を観察したところ、ほとんど非晶質のカーボン質の堆積は無く、外径が15nm以下の細いカーボンナノチューブが主成分であることがわかった。高分解能透過型電子顕微鏡で中空状ナノファイバーを観察したところ、2層カーボンナノチューブの生成が確認された。
【0041】
実施例6(加圧連続法)
内径100mm、長さ1.5mの石英管を傾斜させて電気炉内に設置し、ガス下流側には圧力調整器を設置した。傾斜させた上方から中間室を介して固体触媒の2を1.0g/時で供給し、下方から0.2MPaのアルゴンを150ml/分で供給した。石英管を10回転/分で回転させながら電気炉の中心温度を850℃に加熱し、アセチレンを5ml/分で供給した。固体触媒投入から製品取り出しにかかる時間を1時間に調節することで、製品抜き出し口から毎時1.4gの生成物が得られ、触媒当たりの重量増加率は0.4であった。
日立製透過型電子顕微鏡H7100型で生成物を観察したところ、ほとんど非晶質のカーボン質の堆積は無く、外径が15nm以下の細い中空状ナノファイバーが主成分であることがわかった。高分解能透過型電子顕微鏡で中空状ナノファイバーを観察したところ、2層カーボンナノチューブの生成を確認した。
【0043】
比較例1
内径100mm、長さ1.5mの石英管の中央部に金属塩を担持した固体触媒の1を3.0g取り、石英管を電気炉に設置して、窒素を150ml/分で供給した。石英管を回転させずに電気炉の中心温度を700℃に加熱し、アセチレン(竹中高圧工業社製)を30ml/分で180分間供給した後、アセチレンの供給を止め、温度を室温まで冷却した。得られた生成物は5.0gあり、触媒当たりの重量増加率は0.7であった。日本電子データム(株)走査電子顕微鏡JSM−6301NFで生成物を観察したところ、ほとんど非晶質のカーボン質が堆積は無く、外径が30nm以下の細いカーボンナノチューブが主成分であることがわかった。高分解能透過型電子顕微鏡で中空状ナノファイバーを観察したところナノファイバーの壁はグラファイト層で構成されていた。
【0044】
【発明の効果】
本発明によると、加熱炉内に設置した反応管を回転させて固体触媒を撹拌し、固体触媒と炭素含有化合物を均一に接触できる装置により、非常に高収率でカーボンナノチューブが得られ、また、反応管を傾斜させて回転することにより固体触媒と原料炭素含有化合物を連続的に供給し、生成したカーボンナノチューブを連続して抜き出す装置にすることで、連続的にカーボンナノチューブが製造できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】バッチ式の合成装置を示す概略図である。
【図2】連続合成装置を示す概略図である。
【図3】傾斜させた連続合成装置を示す概略図である。
【図4】加圧バッチ式の合成装置を示す概略図である。
【図5】傾斜させた加圧連続合成装置を示す概略図である。
【図6】加圧ガス吹き上げ法の合成装置を示す概略図である。
【符号の説明】
1 反応管
2 加熱炉
3 プーリー
4 アダプター
5 供給口
6 排気口
7 邪魔板
8 回転モーター
9 ローラー
10 拡散防止板
11 ガスシール
12 回収容器
13 ホッパー
14 回転モーター
15 スクリューポンプ
16 製品取り出し口
17 角度調節機
18 圧力調節器
19 中間室
20 バルブ
21 フィルター
22 加圧ガス吹き上げ法用反応管
Claims (10)
- 固体触媒と炭素含有化合物を加熱炉内に設置した反応管内に供給し、反応管を回転して固体触媒を撹拌すること特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
- 固体触媒と炭素含有化合物を加熱炉内に設置した反応管内に連続的に供給し、反応管を傾斜して回転して固体触媒を撹拌しながら連続的にカーボンナノチューブが付着した触媒を抜き出すことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。
- 加熱炉内が500℃〜1200℃であることを特徴とする請求項1または2に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 反応管内が加圧されていることを特徴とする請求項1から3のいずれか1項記載のカーボンナノチューブの製造方法。
- 水平軸方向に回転する筒状の反応管(1)を加熱炉(2)で所定の温度に維持する装置であって、反応管の前または後に炭素含有化合物を導入する供給口(5)と排気口(6)を設けることで、反応管内に収容した固体触媒と供給した炭素含有化合物が反応してカーボンナノチューブが生産できることを特徴とするカーボンナノチューブの製造装置。
- 水平あるいは水平に対してわずかに傾斜した軸の周りに回転する筒状の反応管(1)を加熱炉(2)で所定の温度に維持する装置であって、反応管の前または後に固体触媒を導入する供給口(13)と炭素含有化合物を導入する供給口(5)と製品を抜き出す製品取り出し口(14)と排気口(6)を設けることで、反応管内に固体触媒と炭素含有化合物を連続的に供給してカーボンナノチューブが生産できることを特徴とするカーボンナノチューブの製造装置。
- 反応管(1)の材質が石英ガラス、カーボン、セラミッククスであることを特徴とする請求項5または6に記載のカーボンナノチューブの製造装置。
- 反応管の内部に回転方向に対して垂直または角度をつけた邪魔板(7)を取り付けていることを特徴とする請求項5から7のいずれかに記載のカーボンナノチューブの製造装置。
- 反応管(1)が圧力容器であることを特徴とする請求項5から8のいずれか1項記載のカーボンナノチューブの製造装置。
- 反応管の下流側に圧力調整器(18)を有することを特徴とする請求項5から9のいずれか1項記載のカーボンナノチューブの製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002152460A JP3675425B2 (ja) | 2001-12-26 | 2002-05-27 | カーボンナノチューブの製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001-393474 | 2001-12-26 | ||
JP2001393474 | 2001-12-26 | ||
JP2002152460A JP3675425B2 (ja) | 2001-12-26 | 2002-05-27 | カーボンナノチューブの製造方法および製造装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2003252613A JP2003252613A (ja) | 2003-09-10 |
JP3675425B2 true JP3675425B2 (ja) | 2005-07-27 |
Family
ID=28677134
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002152460A Expired - Fee Related JP3675425B2 (ja) | 2001-12-26 | 2002-05-27 | カーボンナノチューブの製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3675425B2 (ja) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP1445236A1 (fr) * | 2003-02-05 | 2004-08-11 | Université de Liège | Procédé et installation pour la fabrication de nanotubes de carbone |
CN1960942B (zh) * | 2004-06-04 | 2013-04-10 | 独立行政法人科学技术振兴机构 | 原料喷射式碳纳米结构体制造方法及装置 |
MX2007005798A (es) * | 2004-11-16 | 2007-10-03 | Hyperion Catalysis Int | Metodo para preparar nanotubos de carbono de paredes sencillas. |
GB0611485D0 (en) * | 2006-06-09 | 2006-07-19 | Statoil Asa | Method |
JP5157147B2 (ja) | 2006-12-08 | 2013-03-06 | 株式会社デンソー | カーボンナノチューブ製造装置及びその製造方法 |
KR100824301B1 (ko) | 2006-12-21 | 2008-04-22 | 세메스 주식회사 | 반응 챔버와 이를 포함하는 탄소나노튜브 합성 장치 및 설비 |
KR100881878B1 (ko) * | 2007-01-04 | 2009-02-06 | 도쿠리쓰교세이호징 가가쿠 기주쓰 신코 기코 | 원료 분무식 고효율 카본 나노 구조물 제조 방법 및 장치 |
KR101349678B1 (ko) * | 2007-08-07 | 2014-01-09 | 금호석유화학 주식회사 | 탄소나노튜브 합성 장치 |
KR100954351B1 (ko) | 2007-10-10 | 2010-04-21 | 세메스 주식회사 | 탄소나노튜브 제조장치 및 그 방법 |
JP2009120412A (ja) * | 2007-11-12 | 2009-06-04 | Toshiba Corp | カーボンナノチューブ生成炉及び製造装置 |
JP5340665B2 (ja) * | 2008-07-31 | 2013-11-13 | 学校法人 名城大学 | カーボンナノチューブの製造装置および製造方法 |
KR101082828B1 (ko) | 2008-11-14 | 2011-11-11 | 금호석유화학 주식회사 | 탄소나노튜브 기상합성장비 |
CN102317203A (zh) * | 2009-02-17 | 2012-01-11 | 学校法人名城大学 | 复合材料的制造方法和制造装置 |
EP2450310B1 (en) * | 2009-07-01 | 2017-06-14 | Zeon Corporation | Device for manufacturing aligned carbon nanotube assembly |
JP5269037B2 (ja) * | 2010-11-08 | 2013-08-21 | 公立大学法人大阪府立大学 | カーボンナノ構造物製造方法及び装置 |
JP5582574B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2014-09-03 | 独立行政法人産業技術総合研究所 | カーボンナノチューブの製造装置 |
JP5285730B2 (ja) * | 2011-03-14 | 2013-09-11 | 国立大学法人北見工業大学 | ナノ炭素の製造方法およびナノ炭素製造用触媒反応装置 |
KR20140059756A (ko) * | 2011-05-31 | 2014-05-16 | 니폰 제온 가부시키가이샤 | 카본 나노 튜브 배향 집합체의 제조 장치 및 제조 방법 |
JP7122503B2 (ja) | 2017-03-03 | 2022-08-22 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 光触媒材料の製造方法 |
-
2002
- 2002-05-27 JP JP2002152460A patent/JP3675425B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2003252613A (ja) | 2003-09-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP3675425B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法および製造装置 | |
Mubarak et al. | An overview on methods for the production of carbon nanotubes | |
JP2006045051A (ja) | カーボンナノチューブの製造方法および製造装置 | |
JP2008056523A (ja) | カーボンナノチューブ製造方法 | |
US20040265212A1 (en) | Synthesis of coiled carbon nanotubes by microwave chemical vapor deposition | |
EP1618234A1 (en) | Method of producing vapor-grown carbon fibers | |
JP2009528238A (ja) | カーボンナノチューブの生成 | |
EP1558524A1 (en) | Cvd synthesis of carbon nanotubes | |
EP1874685A1 (en) | Method and apparatus for the continuous production and functionalization of single-waled carbon nanotubes using a high frequency plasma torch | |
JP2006206391A (ja) | 炭化ケイ素の製造方法 | |
JP4608863B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造装置および製造方法、並びにそれに用いるガス分解器 | |
US20050063891A1 (en) | Method of producing carbon nanoparticles | |
JP3772754B2 (ja) | カーボンナノチューブの連続製造方法および製造装置 | |
KR20220147591A (ko) | 카본 나노튜브 집합체의 제조 방법 | |
JP2007261895A (ja) | カーボンナノチューブの製造方法及び装置 | |
JP3951901B2 (ja) | 中空状ナノファイバーの製造法 | |
JP5340665B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造装置および製造方法 | |
JP3772753B2 (ja) | カーボンナノチューブの製造方法および触媒組成物 | |
JP2007153694A (ja) | カーボンナノチューブの製造方法および製造装置 | |
US4588708A (en) | Bimetallic solvated metal atom dispersed catalysts | |
JP2003313018A (ja) | カーボンナノチューブの製造方法 | |
CN110217778B (zh) | 一种连续制备高质量碳纳米管的装置及其制备方法 | |
EP3902770A2 (en) | Solid support comprising carbon nanotubes, systems and methods to produce it and to adsorbe organic substances on it | |
WO2003082737A1 (fr) | Procede de production de nanotubes de carbone | |
CN114890407B (zh) | 一种等离子体制备单壁碳纳米管的装置和方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20031212 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050201 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20050309 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050425 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080513 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090513 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090513 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100513 Year of fee payment: 5 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110513 Year of fee payment: 6 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |