JP5157147B2 - カーボンナノチューブ製造装置及びその製造方法 - Google Patents
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Description
また、本発明では、原料ガスとしてアルコール(蒸気)を使うことで、欠陥が少ないシングルウォールカーボンナノチューブ(SWNT)の垂直配向膜を容易に作成できる。
更に、本発明では、この様に充填動作と排気動作を繰り返すことにより、垂直配向したカーボンナノチューブの膜厚を容易に厚くすることができる。
また、本発明では、前記検出手段によって、カーボンナノチューブが合成されたことを検出するので、その検出結果に基づいて(例えばカーボンナノチューブが所定量合成されたと判断された場合には)、反応後の副生成ガス等を排出できる。よって、再度アルコールを封入してカーボンナノチューブの合成を行うことができる。
カーボンナノチューブの合成が進んだ場合には、副生成ガス等によって内部圧力が増加するので、前記検出手段によって、反応室内の圧力を検出することにより、カーボンナノチューブが合成されたことを検出することができる。つまり、圧力を検出することで、反応生成ガスの有無を推定し、簡易に合成状態を検出することができる。よって、適切なタイミングで、排気動作への切り換えが可能となる。
本発明では、動作制御手段によって、供給側開閉手段、排出側開閉手段、及び排出作動手段を制御して、反応室内に炭素源となる原料ガスであるアルコール封入(充填して密閉)する封入動作と、反応室内にてカーボンナノチューブを合成した後に、反応室内のガスを排出する排出動作とを行うので、充填動作の際には、必要なアルコールが供給され、一方、排出動作の際には、基板の近傍にあったカーボンナノチューブ合成の際にできた副生成ガス等が排気され、触媒が失活することを防止できる。
また、本発明では、原料ガスとしてアルコール(蒸気)を使うことで、欠陥が少ないシングルウォールカーボンナノチューブ(SWNT)の垂直配向膜を容易に作成できる。
更に、本発明では、この様に充填動作と排気動作を繰り返すことにより、垂直配向したカーボンナノチューブの膜厚を容易に厚くすることができる。
特に、連続的に炭素源を供給した場合に比べて、原料の利用効率が高く、大きくコストを低減することができる。
また、本発明では、前記検出手段によって、カーボンナノチューブが合成されたことを検出するので、その検出結果に基づいて(例えばカーボンナノチューブが所定量合成されたと判断された場合には)、反応後の副生成ガス等を排出できる。よって、再度アルコールを封入してカーボンナノチューブの合成を行うことができる。
カーボンナノチューブの合成が進んだ場合には、その合成反応によるガスが発生するので、そのガス成分(例えばCO 2 )を検出することにより、カーボンナノチューブが合成されたことを検出することができる。つまり、合成反応後の生成ガスの濃度を検出することで、反応がどれだけ進んだか推定することができ、より正確な反応進行状況が把握できる。よって、適切なタイミングで、排気動作への切り換えが可能となる。
なお、加熱手段としてはヒータを使用でき、供給側開閉手段及び供給側開閉手段としては(電磁バルブ等の)バルブを使用でき、排出作動手段としては真空ポンプを使用でき、動作制御手段としては、マイクロコンピュータ等の電子制御装置を使用できる。
(3)請求項3の発明は、前記触媒は基板上に固定された状態で前記反応室内に設置されることを特徴とする。
この触媒の作用により、基板上に垂直配向したカーボンナノチューブを形成することができる。また、触媒を基板上に固定し反応室内に設置することで、反応生成物であるカーボンナノチューブの回収における取り扱いが容易となる
(4)請求項4の発明は、水素を含む不活性ガスを前記反応室内に導入して前記触媒を加熱することを特徴とする。
(5)請求項5の発明は、前記排出側開閉手段により前記排出経路を閉じるとともに、前記供給側開閉手段により前記供給経路を開いた状態で、前記反応室内に炭素源となるアルコールを充填することを特徴とする。
(6)請求項6の発明は、前記供給側開閉手段により前記供給経路を閉じるとともに、前記排出側開閉手段により前記排出経路を開いた状態で、前記排出作動手段により前記反
応室内のガスを排出することを特徴とする。
例えばヒータを制御することにより、アルコールの温度を一定に保つことにより、安定して必要量のアルコール蒸気を発生させることができる。よって、キャリアガスに添加される原料ガスの割合を一定に保つことができる。
本発明は、触媒を例示したものである。なお、Co、Moは、アルコールを原料とする場合にもっとも合成効率が良い触媒である。
これにより、基板上に原料となる成分が効果的に供給されるので、効率よくカーボンナノチューブを製造することができる。
[第1の実施形態]
a)まず、本実施形態のカーボンナノチューブ製造装置について説明する。
前記電子制御装置27は、周知のマイクロコンピュータにより、カーボンナノチューブ製造装置の動作を制御する装置であり、この電子制御装置27の入力部(図示せず)には、温度センサ29と、圧力センサ31とが接続され、出力部(図示せず)には、ヒータ3と、第1〜第4バルブ17〜23と、真空ポンプ25とが接続されている。
(1.準備工程)
まず、反応室1内に、石英板上にCo触媒をつけた基板9をセットする。そして、第1〜第3バルブ17〜21を閉とし、第4バルブ23を開いて、真空ポンプ25を作動させ、反応室1内を真空引きする。
(2.合成工程)
圧力センサ31によって、反応室1が(前記準備工程と同様に)所定の真空度A1に達したと判断されると、第4バルブ23を閉じて、真空ポンプ25を停止する。
次に、圧力センサ31によって、反応室1内が所定の圧力(A2:例えば5〜100Torrの設定した値)に達したと判断されると、第3バルブ21を閉じる。この工程で、エタノール蒸気は分解され、カーボンナノチューブが合成されることで、反応室1内の圧力が変化する。なお、合成中は、反応室1内の温度が所定温度(例えば600℃〜900℃の設定した値)に保たれるように、ヒータ3によって制御する。
この工程では、第4バルブ23を開き、真空ポンプ25を作動させ、反応室1内を排気する。この工程で、基板9の近傍にあったカーボンナノチューブ合成の際にできた副生成ガス等が排気され、触媒が失活するのを防ぐ。
c)次に、前記カーボンナノチューブの製造方法の際における電子制御装置27の処理について説明する。
ステップ120では、真空引きが完了したので、第1及び第3バルブ17、21を開き、真空ポンプ25を停止する。
続くステップ140では、反応室1内の温度が判定値B1以上かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ150に進み、一方否定判断されると前記ステップ130に戻る。
続くステップ160では、反応室1内の圧力が判定値A1以下か否かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ170に進み、一方否定判断されると待機する。
続くステップ180では、第1〜第3バルブ17〜21を開いて、原料ガスを導入する。
続くステップ210では、反応室1内の圧力が判定値A3(但しA2<A3)以上か否かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ220に進み、一方否定判断されると待機する。
続くステップ230では、反応室1内の圧力が判定値A1以下か否かを判定する。ここで肯定判断されるとステップ230に進み、一方否定判断されると待機する。
次に、第2の実施形態について説明するが、前記第1の実施形態と同様の内容の説明は省略する。
具体的には、カーボンナノチューブ製造装置は、管状の反応室31と、ヒータ33と、供給経路(配管)35と、排出経路(配管)37を備えている。なお、反応室31内には、表面に触媒が付された基板39が配置される。
更に、前記反応室31には温度センサ57が取り付けられ、第3バルブ51の下流側の供給配管35には圧力センサ59が取り付けられている。
[第3の実施形態]
次に、第3の実施形態について説明するが、前記第1、2の実施形態と同様の内容の説明は省略する。
[第4の実施形態]
次に、第4の実施形態について説明するが、前記第1〜3の実施形態と同様の内容の説明は省略する。
具体的には、基板の板厚方向の一方から光を照射し、その透過光の状態から、カーボンナノチューブの生成状態を判断できる。つまり、カーボンナノチューブの膜厚が厚いほど透過光が減少するので、透過光が減少するほどカーボンナノチューブの膜厚が厚いと判断することができる。
次に、第4の実施形態について説明するが、前記第1〜4の実施形態と同様の内容の説明は省略する。
前記第1の実施形態では、(1)準備工程、(2)合成工程、(3)排気工程からなり、それを繰り返すことで膜厚の厚いカーボンナノチューブの垂直配向膜を合成したが、本実施形態では、(3)の排気工程の代わりに、炭素源を含まないキャリアガスのみを流すことで、触媒近傍の副生成物を含むガスがキャリアガスによって置換され、排気と同様の効果を得ることができる。
(1)準備工程は、第1の実施形態と同様である。
(2)合成工程は、第1の実施形態と同様に行っても良いし、以下のようにすることもできる。つまり、第4バルブ23を開とし、真空ポンプ25を作動させたままで、第1〜第3バルブ17、19、21を開とし、反応室1内に、アルゴンガスと炭素源であるエタノール蒸気を導入する。
次の工程では、前記(3)排気工程に代えて、クリーニング工程を行う。すなわち、第2バルブ19を閉じて炭素源の供給を遮断し、第1、第3、第4バルブ17、21、23を開状態にして、キャリアガス(Ar)のみを所定の時間流し続ける。
尚、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、様々な態様にて実施することが可能である。
3、33…ヒータ
9、39…触媒付き基板
25、55…真空ポンプ
5、35…供給経路(配管)
7、37…排出経路(配管)
17、47…第1バルブ
19、49…第2バルブ
21、51…第3バルブ
23、53…第4バルブ
29、57…温度センサ
31、35…圧力センサ
Claims (12)
- 化学気相成長法を用いて垂直配向カーボンナノチューブを製造する装置において、
室内に触媒を配置してカーボンナノチューブを成長させる反応室と、
前記反応室を加熱する加熱手段と、
前記反応室に炭素源となる原料ガスであるアルコールを供給する供給経路を開閉する供給側開閉手段と、
前記反応室からガスを排出する排出経路を開閉する排出側開閉手段と、
前記排気経路を介して前記反応室からガスを排出する排出作動手段と、
前記供給側開閉手段、前記排出側開閉手段、及び前記排出作動手段の動作を制御する動作制御手段と、
を備え、
前記動作制御手段によって、前記供給側開閉手段、前記排出側開閉手段、及び前記排出作動手段を制御して、前記反応室内に炭素源となるアルコールを封入する封入動作と、前記反応室内にてカーボンナノチューブを合成した後に該反応室内のガスを排出する排出動作とを、交互に2回以上繰り返すカーボンナノチューブ製造装置であって、
前記カーボンナノチューブが合成されたことを検出する検出手段として、前記反応室内の圧力を検出する検出手段を備え、該検出手段による検出結果に基づいて、前記排出動作を行うことを特徴とするカーボンナノチューブ製造装置。 - 化学気相成長法を用いて垂直配向カーボンナノチューブを製造する装置において、
室内に触媒を配置してカーボンナノチューブを成長させる反応室と、
前記反応室を加熱する加熱手段と、
前記反応室に炭素源となる原料ガスであるアルコールを供給する供給経路を開閉する供給側開閉手段と、
前記反応室からガスを排出する排出経路を開閉する排出側開閉手段と、
前記排気経路を介して前記反応室からガスを排出する排出作動手段と、
前記供給側開閉手段、前記排出側開閉手段、及び前記排出作動手段の動作を制御する動作制御手段と、
を備え、
前記動作制御手段によって、前記供給側開閉手段、前記排出側開閉手段、及び前記排出作動手段を制御して、前記反応室内に炭素源となるアルコールを封入する封入動作と、前記反応室内にてカーボンナノチューブを合成した後に該反応室内のガスを排出する排出動作とを、交互に2回以上繰り返すカーボンナノチューブ製造装置であって、
前記カーボンナノチューブが合成されたことを検出する検出手段として、前記反応室内のガス成分を検出する検出手段を備え、該検出手段による検出結果に基づいて、前記排出動作を行うことを特徴とするカーボンナノチューブ製造装置。 - 前記触媒は基板上に固定された状態で前記反応室内に設置されることを特徴とする請求項1又は2に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
- 水素を含む不活性ガスを前記反応室内に導入して前記触媒を加熱することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
- 前記排出側開閉手段により前記排出経路を閉じるとともに、前記供給側開閉手段により前記供給経路を開いた状態で、前記反応室内に炭素源となるアルコールを充填することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
- 前記供給側開閉手段により前記供給経路を閉じるとともに、前記排出側開閉手段により前記排出経路を開いた状態で、前記排出作動手段により前記反応室内のガスを排出することを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
- 水素を含む不活性ガスを前記反応室内に供給して前記触媒を加熱し、次に、所定の温度に到達した後、前記反応室を一旦真空にし、次に、前記反応室内に炭素源のアルコールを充填して密閉し、次に、前記反応室内でカーボンナノチューブが合成されたことを検出した場合には、前記排出経路を開いて排出作動手段により排気を行い、次に、前記供給経路を開くとともに前記排気経路を閉じた状態で、再び前記炭素源のアルコールを前記反応室内に充填し密閉することを特徴とする請求項1〜6のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
- 前記アルコールの温度を一定に保つ機構を備えたことを特徴とする請求項1〜7のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
- 前記触媒が、Co、Moの元素から成ることを特徴とする請求項1〜8のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
- 前記反応室内にガスを攪拌する機構を備えたことを特徴とする請求項1〜9のいずれか1項に記載のカーボンナノチューブ製造装置。
- 化学気相成長法を用いて垂直配向カーボンナノチューブを製造するカーボンナノチューブ製造方法において、
触媒が配置された反応室内に炭素源となる原料ガスであるアルコールを封入する第1工程と、
前記反応室内を加熱してカーボンナノチューブを合成し、その後、前記反応室内のガスを排出する第2工程と、
を順に行い、その後は、前記第2工程の後に前記第1工程に戻る作業を繰り返すことを特徴とするカーボンナノチューブの製造方法。 - 前記第2工程では、原料ガスを含まないキャリアガスを供給することにより、前記反応後の副生成ガスを排出することを特徴とする請求項11に記載のカーボンナノチューブの製造方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006331952A JP5157147B2 (ja) | 2006-12-08 | 2006-12-08 | カーボンナノチューブ製造装置及びその製造方法 |
US12/000,089 US8084011B2 (en) | 2006-12-08 | 2007-12-07 | Method and apparatus for manufacturing carbon nanotube |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006331952A JP5157147B2 (ja) | 2006-12-08 | 2006-12-08 | カーボンナノチューブ製造装置及びその製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2008143736A JP2008143736A (ja) | 2008-06-26 |
JP5157147B2 true JP5157147B2 (ja) | 2013-03-06 |
Family
ID=39604316
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006331952A Expired - Fee Related JP5157147B2 (ja) | 2006-12-08 | 2006-12-08 | カーボンナノチューブ製造装置及びその製造方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US8084011B2 (ja) |
JP (1) | JP5157147B2 (ja) |
Families Citing this family (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EA028873B1 (ru) | 2009-04-17 | 2018-01-31 | СИРСТОУН ЭлЭлСи | Способ производства твердого углерода путем восстановления оксидов углерода |
US8529124B2 (en) * | 2009-06-03 | 2013-09-10 | California Institute Of Technology | Methods for gas sensing with single-walled carbon nanotubes |
WO2013158160A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | Seerstone Llc | Method for producing solid carbon by reducing carbon dioxide |
JP6379085B2 (ja) | 2012-04-16 | 2018-08-22 | シーアストーン リミテッド ライアビリティ カンパニー | 炭素酸化物を含有するオフガスを処理するための方法 |
NO2749379T3 (ja) | 2012-04-16 | 2018-07-28 | ||
US9796591B2 (en) | 2012-04-16 | 2017-10-24 | Seerstone Llc | Methods for reducing carbon oxides with non ferrous catalysts and forming solid carbon products |
WO2013158161A1 (en) | 2012-04-16 | 2013-10-24 | Seerstone Llc | Methods and systems for capturing and sequestering carbon and for reducing the mass of carbon oxides in a waste gas stream |
US9896341B2 (en) | 2012-04-23 | 2018-02-20 | Seerstone Llc | Methods of forming carbon nanotubes having a bimodal size distribution |
WO2014011631A1 (en) | 2012-07-12 | 2014-01-16 | Seerstone Llc | Solid carbon products comprising carbon nanotubes and methods of forming same |
US10815124B2 (en) | 2012-07-12 | 2020-10-27 | Seerstone Llc | Solid carbon products comprising carbon nanotubes and methods of forming same |
WO2014011206A1 (en) | 2012-07-13 | 2014-01-16 | Seerstone Llc | Methods and systems for forming ammonia and solid carbon products |
US9779845B2 (en) | 2012-07-18 | 2017-10-03 | Seerstone Llc | Primary voltaic sources including nanofiber Schottky barrier arrays and methods of forming same |
WO2014085378A1 (en) | 2012-11-29 | 2014-06-05 | Seerstone Llc | Reactors and methods for producing solid carbon materials |
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EP3129133A4 (en) | 2013-03-15 | 2018-01-10 | Seerstone LLC | Systems for producing solid carbon by reducing carbon oxides |
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-
2006
- 2006-12-08 JP JP2006331952A patent/JP5157147B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2007
- 2007-12-07 US US12/000,089 patent/US8084011B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US8084011B2 (en) | 2011-12-27 |
JP2008143736A (ja) | 2008-06-26 |
US20100278717A1 (en) | 2010-11-04 |
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