JP3655847B2 - リードレス半導体素子の複合処理方法及び複合処理装置 - Google Patents
リードレス半導体素子の複合処理方法及び複合処理装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3655847B2 JP3655847B2 JP2001199171A JP2001199171A JP3655847B2 JP 3655847 B2 JP3655847 B2 JP 3655847B2 JP 2001199171 A JP2001199171 A JP 2001199171A JP 2001199171 A JP2001199171 A JP 2001199171A JP 3655847 B2 JP3655847 B2 JP 3655847B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- semiconductor elements
- measurement
- wafer sheet
- leadless
- semiconductor
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、樹脂モールドパッケージの裏面等に電極端子を露呈させたリードレスの半導体素子を特性測定等してテーピング梱包する製造システムにおけるリードレス半導体素子の複合処理装置に関する。
【0002】
【従来の技術】
携帯型コンピュータの普及で需要が増大傾向にあるCSP(Chip Size Package)等のリードレス半導体素子の製造工場は、ブレージング行程で個々に分断されて製造されたリードレス半導体素子の特性測定や外観検査等の複合処理を行ってから品質ランク別にテーピング梱包して出荷している。リードレス半導体素子のブレージング行程では、複数のリードレス半導体素子が高密度で一連に形成された薄板形状の樹脂モールド基板をウェーハシートに貼着した状態でブレージングソーで個々のリードレス半導体素子に細分割しており、この行程でミリサイズに細分割されたリードレス半導体素子の個々が、次の複合処理設備に送られて最終的にテーピング梱包される。
【0003】
ウェーハシート上でミリサイズに細分割されたリードレス半導体素子を1個ずつウェーハシートから剥がして整列トレーに多数個を整列させ、必要時に整列トレーからリードレス半導体素子を1個ずつ複合処理設備の特性測定装置に送り出して、最終的に良品をテーピング機でテーピング梱包している。或いは、上記ウェーハシートから個々のリードレス半導体素子をパーツフィーダに集合させ、必要時にパーツフィーダでリードレス半導体素子を整列させながら複合処理設備に送り出してテーピング梱包している。上記複合処理設備は、整列トレーやパーツフィーダから取り出された半導体素子を1個或いは複数個ずつ位置決めして特性測定する測定装置や、個々の半導体素子の樹脂パッケージ表面に品番等をレーザーでマーキングする捺印装置等を工場の床上に連続的に配置し、これら装置群の最後にテーピング機を配置して構成される。なお、リードレス半導体素子のような小形電子部品を対象としていないが、似たような複合処理設備に特許公報第531006号等で開示されている複数種類のターンテーブルを連続的に配置したものがある。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】
個々のリードレス半導体素子を整列トレーやパーツフィーダで整列させて複合処理設備に送り込む製造システムの場合、ウェーハシートから分離した個々のリードレス半導体素子を整列トレーやパーツフィーダに移送するための移送設備と作業工程が必要であり、この作業工程が製造システム全体の作業インデックスを低下させ、複合処理工程の前工程とインライン対応させることを難しくしている。また、上記作業工程で個々のリードレス半導体素子がバラ扱いされるために、作業工程中に振動や衝撃で半導体素子の樹脂パッケージに割れや欠け、汚れが生じて、テーピング梱包されるリードレス半導体素子の歩留まりが低下することがある。
【0005】
また、上記した複数種類のターンテーブルを連続的に配置した複合処理設備は、各ターンテーブルの周縁部に所定間隔で配備した真空式の吸着ノズルで電子部品を吸着保持して、上流側ターンテーブルから下流側ターンテーブルへと順に送り出し、各ターンテーブルで特性測定等の所望の処理をして最終的にテーピング機でテーピング梱包する設備である。この複合処理設備に送り込まれる電子部品は、樹脂パッケージからリードを導出したSIP等の比較的大形のリード挿入型半導体部品が対象で、樹脂パッケージからリードを導出した電子部品の個々がリードフレームに支持された状態で専用の送り機構を介して複合処理設備の最初のターンテーブルに給送される。
【0006】
このようなターンテーブル式複合処理設備は、リードフレームが上記整列トレーのように取り扱えてあまり問題とならないのであるが、リードフレームを使用しないで製造されるミリサイズのリードレス半導体素子を対象とした場合は、多数のリードレス半導体素子が高密度で形成された樹脂パッケージ基板をリードフレームのように取り扱うことが難しい。そこで、樹脂パッケージ基板から個々に分断されたリードレス半導体素子を専用の整列トレーに整列させて複合処理設備の最初のターンテーブルに給送するようにしているが、これでは整列トレーを使用することに起因する上記問題が残る。
【0007】
従って、本発明の目的は、小形化されたリードレス半導体素子に適合した作業インデックスの良い複合処理装置を提供することにある。
【0008】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成する本発明の複合処理装置は、ウェーハシートに貼着された複数のリードレス半導体素子を有するウェーハシートユニットのウェーハシートを伸展させて複数の半導体素子を分離させ、ウェーハシートから半導体素子を1個以上例えば1個ずつピックアップし、このピックアップされた半導体素子の1個以上例えば2個ずつを所定の測定ポジションに移送して1個以上例えば2個同時に特性測定し、測定ポジションから半導体素子をピックアップして1個以上例えば1個ずつ後続の処理ポジションに順に移送して最終処理ポジションで半導体素子を1個以上例えば1個ずつテーピング梱包する。
【0009】
また、この発明においては、上記ウェーハシートからリードレス半導体素子を1個以上例えば1個ずつピックアップしてから、このピックアップされた半導体素子の1個以上例えば2個ずつを所定の位置補正ポジションに移送してカメラによる位置認識処理をし、この位置認識処理された半導体素子を次の測定ポジションに移送して特性測定する。
【0010】
ここで、ウェーハシートユニットはリードレス半導体素子の製造に使用される既存品で、本発明はこのウェーハシートユニットを利用している。すなわち、リードレス半導体素子はCSP等の樹脂パッケージされたミリサイズのチップ部品で、1枚の樹脂パッケージ基板から多数個が一括して製造されて、伸展可能なウェーハシートに貼着された状態で基板がブレージングされて複数のリードレスの半導体素子に分割される。また、ウェーハシートはその周辺部が金属のウェーハリングに支持された伸展可能な粘着シートである。このウェーハシートを使って製造された個々のリードレス半導体素子をウェーハシートから剥がさずに残してウェーハシートとユニット化し、このウェーハシートユニットを複合処理設備におけるリードレス半導体素子の供給手段として使用する。そして、ウェーハシートユニットからリードレス半導体素子を1個以上ずつピックアップし、所定の測定ポジションに移送して1個以上同時に特性測定し、1個以上ずつ所望の処理をしてから最終的に1個以上ずつテーピング梱包することで、小形のリードレス半導体素子の各種処理が正確に高インデックスで行えるようになる。ウェーハシートユニットからのリードレス半導体素子のピックアップ手段は真空式の吸着ノズルが望ましく、ウェーハシートユニットから各種の処理ポジションへの半導体素子の移送手段は前記吸着ノズルを具えたターンテーブルが望ましい。
【0011】
また、上記目的を達成する本発明の複合処理装置は、ウェーハシートに貼着された複数のリードレス半導体素子を有するウェーハシートユニットを脱着可能に支持して任意の半導体素子を1個以上例えば1個ずつ所定のピックアップポジションに移動させる供給テーブルと、この供給テーブルから離れた定位置で半導体素子を単品ずつテーピング梱包するテーピング機と、前記供給テーブルとテーピング機の間に連続的に配置された複数種類のターンテーブルを備え、この複数種類の各ターンテーブルは周縁部等配位置に1個以上の半導体素子を着脱自在に保持して隣接する上流側ターンテーブルから下流側ターンテーブルへと半導体素子の受け渡しをするハンドリング機構を有し、このハンドリング機構で保持された半導体素子に対して特性測定等の各種処理を行うことを特徴とする。
【0012】
ここで、ウェーハシートユニットを支持する供給テーブルは水平面を前後左右に移動可能かつ回転可能なXYθテーブルが適用され、この供給テーブルにウェーハリング、ウェーハシート、リードレス半導体素子群のユニットが位置決め搭載され、供給テーブルが前後左右に移動することで個々の半導体素子が1個以上ずつ順に所定のピックアップポジションに送られて最初のターンテーブルのハンドリング機構でピックアップされる。
【0013】
また、本発明の複合処理装置においては、上記供給テーブルにウェーハシートユニットのウェーハシートを伸展させて複数のリードレス半導体素子を分離させるシート伸展機構を装備させたことを特徴とする。
【0014】
つまり、ウェーハシートは、その周辺部がウェーハリングで固定されて、ウェーハリングを利用してウェーハシートを伸展させて半導体素子を分離するようにしていることから、このウェーハシートを伸展させる機能を供給テーブルに持たせて、供給テーブルにウェーハシートユニットが搬入されてからウェーハシートを伸展させるようにして、供給テーブルにウェーハシートを伸展させない平常時のウェーハシートユニットが搬入できるようすることが、ウェーハシートユニットの取り扱いを容易にする上で望ましい。
【0015】
また、具体的な本発明装置は、上記供給テーブルに隣接するターンテーブルが間欠回転する毎に上記ピックアップポジションから半導体素子を1個以上例えば1個ずつピックアップして次のターンテーブルへと移送するピックアップテーブルであり、このピックアップテーブルの次のターンテーブルが間欠回転する毎にピックアップテーブルの連続する複数のハンドリング機構から1個以上ずつの半導体素子を受け取って1個以上例えば2個ずつ同時に特性測定する測定テーブルであることを特徴とする。
【0016】
このようにピックアップテーブルで半導体素子を1個以上ずつピックアップして、1個以上例えば2個ずつを測定テーブルに供給し、測定テーブルで半導体素子を1個以上例えば2個ずつ同時に特性測定することで、測定テーブルは余裕ある時間帯で各1個の半導体素子の特性測定をする。このような時間的余裕を持たせた特性測定はピックアップテーブルのインデックスを低下させることが無く、而も、ミリサイズまで小形化されたリードレス半導体素子の特性測定の精度を安定したものにする上で有効である。
【0017】
さらに、具体的な本発明装置は、上記測定テーブルの周縁部に配置される複数の処理ポジションが、ハンドリング機構に保持された1個以上例えば2個の半導体素子を撮像した画像から位置認識をする位置補正ポジションと、この位置補正ポジションより後続で位置補正ポジションからの位置補正情報に基づいて1個以上例えば2個の半導体素子の特性を測定する測定プローブと測定対象の半導体素子の相対位置を補正して測定開始する測定ポジションを有することを特徴とする。
【0018】
このように位置補正ポジションと測定ポジションの協働で特性測定することで、ミリサイズまで小形化されたリードレス半導体素子のより安定した高精度な特性測定が容易となる。この場合、リードレス半導体素子が測定テーブルのハンドリング機構で保持されていることから、リードレス半導体素子を動かさずに測定プローブを動かすように位置補正して特性測定することが、複数あるハンドリング機構を改変することなく特性測定が実行できることから望ましい。
【0019】
【発明の実施の形態】
第1の実施の形態を図1乃至図6に示し、第2の実施の形態を図7に示して、以下に詳述する。
【0020】
図1の平面図に示される複合処理装置は、リードレスの半導体素子1の供給手段である供給テーブル10と、半導体素子1に各種処理を施行するための複数のターンテーブル20,30,…と、テーピング梱包するテーピング機60,…とを工場の床上に連続的に配置して構成される。供給テーブル10からリードレスの半導体素子1が1個ずつターンテーブル20,…に順に送られ、各ターンテーブル20,…で各種の処理が順になされて最終的にテーピング機60でテーピング梱包される。
【0021】
供給テーブル10は水平面を前後左右に移動可能かつ回転可能なXYθテーブルで、複数のリードレス半導体素子1,…を保持したウェーハシートユニット4を着脱可能に支持する。供給テーブル10を前後左右移動及び回転させることで、任意の1個以上例えば1個の半導体素子1が所定のピックアップポジションPaに供給され、このポジションPaで半導体素子1が最初のターンテーブル20でピックアップされて後続のターンテーブル30,…へと送られる。
【0022】
ウェーハシートユニット4はウェーハシート2とウェーハリング3を有し、金属のウェーハリング3にウェーハシート2の周辺部が固着されてウェーハシート2の中央部に複数のリードレスの半導体素子1,…が碁盤目状に貼着されている。ウェーハシートユニット4の複数がマガジン11に出し入れ可能に収納され、マガジン11から単品のウェーハシートユニット4が供給テーブル10上に切り出されて位置決め保持される。図1の複合処理行程の前行程であるブレージング行程で、ウェーハシートユニット4のウェーハシート2に貼着された樹脂モールド基板が複数の半導体素子1,…に分割され、このブレージング行程を経たウェーハシートユニット4がマガジン11に保管された状態で、必要時に供給テーブル10に供給される。また、ブレージング行程からウェーハシートユニット4を直接に供給テーブル10に供給するようにして、複合処理工程をインライン処理の前行程とインライン対応させるようにしてもよい。
【0023】
また、供給テーブル10にウェーハシートユニット4のウェーハシート2を伸展させて隣接するリードレス半導体素子1の間隔を拡げるシート伸展機構5を設置する。シート伸展機構5は、ウェーハシートユニット4のウェーハリング3を使用してウェーハシート2の中央部を図示しない伸展台に押し付ける機構で、図2(A)に示すようにウェーハシート2上に貼着された複数の半導体素子1,…は、図2(B)に示すようにウェーハシート2を放射状に伸展させると隣接する半導体素子1,…の間隔が拡がる。このように供給テーブル10上に供給されたウェーハシートユニット4のウェーハシート2を伸展させた状態で供給テーブル10を移動させて任意の1個以上例えば1個の半導体素子1をピックアップポジションPaに搬入させると、図2(C)に示すようにピックアップポジションPaに配置された突き上げピン12が1個以上例えば1個の半導体素子1を下から突き上げてウェーハシート2から離脱し易いようにする。
【0024】
なお、図2に示される半導体素子1は、ミリサイズの矩形チップ状の樹脂モールドパッケージ1aの上面に複数の電極端子1bを形成したリードレスチップ部品(CSP)である。この半導体素子1の電極端子1bは金メッキ面やバンプ電極であり、半導体素子1は電極端子1bの在る面を下にしてプリント基板等に実装されることから、樹脂モールドパッケージ1aの電極端子1bの在る面を実装面、反対の面をモールド面と称する。
【0025】
供給テーブル10とテーピング機60の間に連続的に配置される複数種類のターンテーブル20,…の各々は、周縁部に半導体素子1を1個以上例えば1個ずつ脱着容易に保持するハンドリング機構、例えば真空系に配管されて半導体素子1の実装面又はモールド面の中央部を真空吸着する吸着ノズルを有する。連続するターンテーブル20,…は、半導体素子1の処理流れから見て最上流側の例えばピックアップテーブル20と、ピックアップテーブル20に隣接する測定テーブル30と、測定テーブル30に隣接する挿入テーブル50と、挿入テーブル50と隣接する捺印テーブル40で構成され、挿入テーブル50に単数或いは複数(図1では3台)のテーピング機60が配置される。なお、捺印テーブル40は半導体素子1のモールド面にレーザーで品番等をマーキングするテーブルで、この捺印テーブル40を省略したのが図7に示す第2の実施の形態の複合処理装置である。
【0026】
最上流側のターンテーブルであるピックアップテーブル20の周縁部には、例えば15等配位置に計15本の吸着ノズル21,…を有し、この吸着ノズル21の配列ピッチでピックアップテーブル20が間欠回転して吸着ノズル21が1本ずつピックアップポジションPaに送られる。図2(C)に示すようにピックアップテーブル20の吸着ノズル21は下向きで、ピックアップポジションPaに搬入されると吸着ノズル21の下端が供給テーブル10の1個以上例えば1個の半導体素子1の実装面中央部を真空吸着して、半導体素子1をウェーハシート2からピックアップする。
【0027】
このようなピックアップ動作は、供給テーブル10側のウェーハシート2を伸展させ、かつ、突き上げピン12で半導体素子1を突き上げておくことで高インデックスで容易、確実に行える。また、供給テーブル10のウェーハシートユニット4は、リードレス半導体素子製造行程のブレージング行程に使用される既存ユニットであり、ブレージング行程を終了したものをそのまま供給テーブル10に移動させて複合処理設備への半導体素子供給手段として使用することで、ブレージングされた個々のリードレス半導体素子を整列トレー等に移す必要が無くなり、ブレージング行程と複合処理工程の間の作業インデックスを上げることが容易になる。また、供給テーブル10のウェーハシート2からピックアップテーブル20の吸着ノズル21に半導体素子1が直接に受け渡されて、半導体素子1の個々がバラ扱いされないので、テーブル間移動時に半導体素子1が振動や衝撃で割れたり欠けたりする可能性が激減する。このことは各ターンテーブル間でも同様であって、最終的にテーピング梱包されるリードレス半導体素子の歩留まりが向上する。
【0028】
測定テーブル30はピックアップテーブル20から半導体素子1を1個以上例えば2個ずつ受け取って1個以上ずつ例えば2個同時に特性測定するターンテーブルで、周縁部に一対の吸着ノズル31,32の複数対を例えば8等配位置に有する。一対の吸着ノズル31,32例えば2個の配列ピッチとピックアップテーブル20の隣接する2本の吸着ノズル21,21の配列ピッチが同一にしてある。ピックアップテーブル20のピックアップポジションPaと反対側に1個以上例えば2つの受け渡しポジションPb、Pcが設けられて、ピックアップテーブル20が間欠回転して隣接する2本の吸着ノズル21,21が受け渡しポジションPb、Pcに同時移動すると、同ポジションPb、Pcに測定テーブル30の一対の吸着ノズル31,32が移動するように測定テーブル30が間欠回転する。
【0029】
測定テーブル30の吸着ノズル31,32は上向きで、受け渡しポジションPb、Pcで図3(A)に示すようにピックアップテーブル20の1本以上例えば2本の吸着ノズル21,21から2個の半導体素子1,1を同時に受け取る。測定テーブル30の周縁部の8等配位置に設けられる8箇所の作業ポジションに位置補正ポジションPdと測定ポジションPe、及び、挿入テーブル50との交差ポジションである受け渡しポジションPfが設けられ、他の作業ポジションは空ポジションである。位置補正ポジションPdが図3(B)に示され、測定ポジションPeが図3(C)に示される。
【0030】
位置補正ポジションPdにはカメラ装置33が設置され、測定テーブル30の1回の間欠回転で位置補正ポジションPdに一対の吸着ノズル31,32で保持された1個以上例えば2個の半導体素子1,1が搬入されると、この2個の半導体素子1,1の実装面をカメラ装置33のカメラが撮像し、撮像した画像を演算処理して半導体素子実装面の電極端子1bの位置ズレを検出して、位置補正信号を次の測定ポジションPeの特性測定装置34に出力する。特性測定装置34は図3(C)に示すように複数の測定プローブ35とこれを支持して前後左右及び上下動させる駆動系36を有する。測定プローブ35は、測定ポジションPeに搬入された1個以上例えば2個の半導体素子1,1の実装面の電極端子1bに個別に接触して、2個の半導体素子1,1の特性測定を同時に行う。
【0031】
測定テーブル30の1回の間欠回転で測定ポジションPeに1個以上例えば2個の半導体素子1,1が搬入されると、駆動系36がカメラ装置33からの位置補正信号に基づいて測定プローブ35を2個の半導体素子1,1との相対位置ズレを無くすように位置補正の動作をさせて、1個以上例えば2個同時の特性測定が行われる。この2個同時の特性測定の時間帯は、ピックアップテーブル20が2回間欠回転して半導体素子1を1個以上例えば1個ずつ計2個をピックアップする時間帯であることから、測定テーブル30による半導体素子2個同時の特性測定が時間的余裕を持って行え、これによって半導体素子1がミリサイズの小片チップであっても安定した測定精度で特性測定することが容易となる。また、半導体素子1の電極端子1bが微小面積で高密度配置されていても、実装面を撮像して得られた位置補正信号で測定プローブ35を位置補正動作させることで電極端子1bに対応する測定プローブ35を正確に接触させることが容易となり、測定精度が安定する。
【0032】
なお、図3(C)の特性測定時において、測定プローブ側を定位置制御させて半導体素子側を位置補正動作させるようにしても、安定した精度で特性測定することが可能である。この半導体素子側を位置補正動作させる場合は、測定テーブル30の多数在る吸着ノズル側を位置補正動作可能なように改変する必要がある。従って、測定テーブル30の吸着ノズル31,32は半導体素子1,1を安定して吸着させるだけにして、測定プローブ35を位置補正動作させることが機構的かつ機能的に望ましい。
【0033】
測定テーブル30の受け渡しポジションPfに一対の吸着ノズル31,32で特性測定済み半導体素子1,1が搬入されると、測定テーブル30と挿入テーブル50の間に設置された例えば反転ドラム(図示せず)が吸着ノズル31,32から半導体素子1,1を受け取った状態で上下に180°回転して半導体素子1,1の上下を反転させる。
【0034】
受け渡しポジションPfで測定テーブル30と交差する挿入テーブル50は、周縁部の例えば16等配位置に16本の吸着ノズル51を有して、吸着ノズル51の配列ピッチで間欠回転する。吸着茶ノズル51は図4に示すような下向きノズルで、挿入テーブル50の間欠回転で1本の吸着ノズル51が受け渡しポジションPfに移動すると、上記反転ドラムで上下反転された半導体素子1の上向きモールド面が吸着ノズル51の下端に吸着されて反転ドラムから吸着ノズル51に受け渡される。
【0035】
挿入テーブル50の間欠回転で吸着ノズル51に吸着された半導体素子1が後続の各種作業ポジション、例えば捺印テーブル40と交差する受け渡しポジションPg,Phや実装面認識ポジション、不良品振り分けポジション、半導体素子姿勢補正ポジション等に順に送られ、最終的にテーピング機60に良品だけが挿入されてテーピング梱包される。このテーピング梱包は、図6に示すようにエンボステープ61の1つのエンボス部62に1個の半導体素子1をその実装面を下にして挿入してから、エンボステープ61にカバーテープ(図示せず)を貼り付けることで行われる。テーピング機60は1台以上例えば3台が連続的に配置されて、この3台に半導体素子が品質ランク別にテーピング梱包される。或いは、3台のテーピング機60,…の内の2台でテーピング梱包され、残りの1台は他のテーピング機のテープ交換作業等の一時停止時の交換機として待機する。
【0036】
捺印テーブル40は周縁部の例えば12等配位置に上向きの吸着ノズル41を有し、この吸着ノズル41の配列ピッチで間欠回転する。捺印テーブル40の間欠回転で1本の吸着ノズル41が挿入テーブル50との受け渡しポジションPgに移動すると、図5に示すように上向きの吸着ノズル41に挿入テーブル50の下向きの吸着ノズル51から半導体素子1が受け渡される。この半導体素子1は捺印テーブル40の間欠回転で各種の処理ポジション、例えば欠陥認識ポジション、捺印ポジション、ブラッシングポジション、文字認識ポジションに順に送られて、最終的に挿入テーブル50との受け渡しポジションPhに送られる。前記欠陥認識ポジションでは半導体素子1のモールド面の割れ等の欠陥の有無が検査され、ここでの欠陥品は排除される。また、前記捺印ポジションで半導体素子1のモールド面に品番等がレーザーマーキング法で捺印され、ブラッシングポジションでレーザーマーキングにより発生した樹脂屑が排除され、文字認識ポジションで捺印の良否が検査されて、最終的に受け渡しポジションPhに送られ、受け渡しポジションPhから挿入テーブル50の吸着ノズル51に受け渡される。
【0037】
以上の実施の形態の複合処理装置は、供給テーブル10に供給されるウェーハシートユニット4のリードレス半導体素子1が捺印されていない場合のもので、ウェーハシートユニット4のウェーハシート2に保持されたリードレス半導体素子1が捺印済みの場合は、図7に示す複合処理装置のように挿入テーブル50から捺印テーブルを取り外して省略することで対処できる。
【0038】
【発明の効果】
本発明によれば、CSP等のリードレス半導体素子の個々がウェーハシートに保持された状態で1個以上例えば1個ずつピックアップされて各種処理ポジションに送られるので、従来において作業インデックスを遅らせる要因となっている整列トレーやパーツフィーダを使用すること無くリードレス半導体素子の複合処理設備への供給ができて、複合処理の作用インデックスを上げることが容易になる効果がある。また、ウェーハシートからリードレス半導体素子を1個以上例えば1個ずつピックアップして、1個以上例えば2個ずつ同時に特性測定し、その後1個以上例えば1個ずつ必要な各種処理をして最終的にテーピング梱包するので、半導体素子の特性測定が時間的余裕を持って高精度に行える効果がある。
【0039】
また、本発明装置によれば、リードレス半導体素子の個々がウェーハシートに保持された状態で供給テーブルで所定のピックアップポジションに送られて最初のターンテーブルのハンドリング機構でピックアップされ、各ターンテーブルに順に送られて各種処理が行われてから最終的にテーピング機でテーピング梱包されるので、リードレス半導体素子製造のブレージング行程を経たウェーハシートをそのまま供給テーブルに移動させることでブレージングされた個々のリードレス半導体素子を整列トレー等に移さずに直接的に複合処理工程に送ることができて、複合処理工程の作業インデックスを上げ、インライン処理される半導体製造の前行程とインライン対応させることが容易になる。また、リードレス半導体素子が1個ずつ供給テーブルのウェーハシートから各ターンテーブルのハンドリング機構に受け渡たされて最後にテーピング梱包されるので、半導体素子のテーブル間移動がスムーズに行われて半導体素子が振動や衝撃で割れたり欠けたりする可能性が減少し、テーピング梱包されるリードレス半導体素子の歩留まりが向上する。
【0040】
また、供給テーブルにウェーハシートユニットのウェーハシートを伸展させて複数のリードレス半導体素子を分離させるシート伸展機構を装備させることで、ブレージング行程を経たウェーハシートユニットをそのまま供給テーブルに移動させることができて、ウェーハシートユニットの取り扱いが便利になる。
【0041】
また、供給テーブルに隣接するターンテーブルのピックアップテーブルでピックアップポジションから半導体素子を1個以上例えば1個ずつピックアップして次のターンテーブルへと移送し、このピックアップテーブルの次のターンテーブルの測定テーブルでピックアップテーブルから1個以上例えば2個ずつの半導体素子を受け取って1個以上例えば2個ずつ同時に特性測定するようにすることで、測定テーブルはピックアップテーブルがウェーハシートから半導体素子を1個ずつ計2個をピックアップする時間帯で各1個の半導体素子の特性測定をすることになって、ミリサイズまで小形化されたリードレス半導体素子の特性測定を時間的余裕を持って安定した精度で、かつ、高インデックスで行うことができる。
【0042】
また、測定テーブルの周縁部に1個以上例えば2個の半導体素子を撮像した画像から位置認識をする位置補正ポジションと、この位置補正ポジションからの位置補正情報に基づいて1個以上例えば2個の半導体素子の特性を測定する測定プローブと測定対象の半導体素子の相対位置を補正する動作をして1個以上例えば2個の半導体素子の特性を測定する測定ポジションを設けて特性測定することで、ミリサイズまで小形化されたリードレス半導体素子が特性測定時に若干の位置ズレを起こしていても、この位置ズレを補正して高精度な特性測定を実行することが容易となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態を示す複合処理装置の概略平面図。
【図2】(A)〜(C)は図1装置における供給テーブルでのリードレス半導体素子の各動作状況を示す部分側面図。
【図3】(A)〜(C)は図1装置における測定テーブルでの半導体素子の各動作状況を示す部分側面図。
【図4】図1装置における捺印テーブルの部分側面図。
【図5】図1装置における挿入テーブルの部分側面図。
【図6】図1装置におけるテーピング機のテープ部分断面図。
【図7】本発明の第2の実施の形態を示す複合処理装置の概略平面図。
【符号の説明】
1 リードレス半導体素子
2 ウェーハシート
3 ウェーハリング
4 ウェーハシートユニット
5 シート伸展機構
10 供給テーブル
Pa ピックアップポジション
20 ターンテーブル、ピックアップテーブル
21 ハンドリング機構、吸着ノズル
30 ターンテーブル、測定テーブル
31,32 ハンドリング機構、吸着ノズル
Pd 位置補正ポジション
Pe 測定ポジション
40 ターンテーブル、捺印テーブル
41 ハンドリング機構、吸着ノズル
50 ターンテーブル、挿入テーブル
51 ハンドリング機構、吸着ノズル
60 テーピング機
Claims (4)
- ウェーハシートに貼着された複数のリードレス半導体素子を有するウェーハシートユニットを脱着可能に支持して任意の半導体素子を1個以上ずつ所定のピックアップポジションに移動させる供給テーブルと、この供給テーブルから離れた定位置で半導体素子を1個以上ずつテーピング梱包するテーピング機と、前記供給テーブルとテーピング機の間に連続的に配置された複数種類のターンテーブルとを備え、複数種類の各ターンテーブルは周縁部等配位置に1個以上の半導体素子を着脱自在に保持して隣接する上流側ターンテーブルから下流側ターンテーブルへと半導体素子の受け渡しをするハンドリング機構を有して、このハンドリング機構で保持された半導体素子に対して特性測定等の各種処理を行うことを特徴とするリードレス半導体素子の複合処理装置。
- 上記供給テーブルは、支持したウェーハシートユニットのウェーハシートを伸展させて複数のリードレス半導体素子を分離させるシート伸展機構を有することを特徴とする請求項1記載のリードレス半導体素子の複合処理装置。
- 上記供給テーブルに隣接するターンテーブルが間欠回転する毎に上記ピックアップポジションから半導体素子を1個以上ずつピックアップして次のターンテーブルへと移送するピックアップテーブルであり、このピックアップテーブルの次のターンテーブルが間欠回転する毎にピックアップテーブル周縁部の連続する複数のハンドリング機構から1個以上ずつの半導体素子を受け取って1個以上ずつ同時に特性測定する測定テーブルであることを特徴とする請求項1又は2記載のリードレス半導体素子の複合処理装置。
- 上記測定テーブルの周縁部に配置される複数の処理ポジションが、測定テーブルのハンドリング機構に保持された1個以上の半導体素子をカメラで撮像した画像から位置認識をする位置補正ポジションと、この位置補正ポジションより後続で位置補正ポジションからの位置補正情報に基づいて1個以上の半導体素子とこの半導体素子の特性を測定する測定プローブの相対位置を補正して測定開始する測定ポジションを有することを特徴とする請求項3記載のリードレス半導体素子の複合処理装置。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2001199171A JP3655847B2 (ja) | 2000-12-13 | 2001-06-29 | リードレス半導体素子の複合処理方法及び複合処理装置 |
MYPI20022193 MY129418A (en) | 2001-06-29 | 2002-06-12 | Composite processing method and composite processsing apparatus for leadless semiconductor devices |
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2000379134 | 2000-12-13 | ||
JP2000-379134 | 2000-12-13 | ||
JP2001199171A JP3655847B2 (ja) | 2000-12-13 | 2001-06-29 | リードレス半導体素子の複合処理方法及び複合処理装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2002246448A JP2002246448A (ja) | 2002-08-30 |
JP3655847B2 true JP3655847B2 (ja) | 2005-06-02 |
Family
ID=26605768
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2001199171A Expired - Fee Related JP3655847B2 (ja) | 2000-12-13 | 2001-06-29 | リードレス半導体素子の複合処理方法及び複合処理装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP3655847B2 (ja) |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4503969B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2010-07-14 | 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ | 移載装置 |
JP5035843B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2012-09-26 | 上野精機株式会社 | 半導体処理装置 |
JP5257890B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-08-07 | 上野精機株式会社 | ウエハリング供給排出装置 |
KR100964956B1 (ko) * | 2008-02-26 | 2010-06-21 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 테이핑 장비 |
JP5175610B2 (ja) * | 2008-05-15 | 2013-04-03 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
JP4466976B1 (ja) * | 2009-05-27 | 2010-05-26 | 上野精機株式会社 | 分類装置 |
KR101011099B1 (ko) * | 2009-05-27 | 2011-01-25 | 우에노 세이끼 가부시키가이샤 | 분류 장치 |
WO2011048627A1 (ja) * | 2009-10-20 | 2011-04-28 | 上野精機株式会社 | 分類搬送装置、分類搬送方法及びプログラム |
JP6277265B2 (ja) * | 2014-04-07 | 2018-02-07 | パイオニア株式会社 | 半導体発光素子用の光測定装置 |
JP2020004879A (ja) * | 2018-06-29 | 2020-01-09 | ダイトロン株式会社 | 試料位置決め装置 |
-
2001
- 2001-06-29 JP JP2001199171A patent/JP3655847B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2002246448A (ja) | 2002-08-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR102080214B1 (ko) | 전자 부품의 실장 장치와 실장 방법, 및 패키지 부품의 제조 방법 | |
KR101305346B1 (ko) | 반도체 패키지 절단 및 핸들링 장치 | |
JP3655847B2 (ja) | リードレス半導体素子の複合処理方法及び複合処理装置 | |
TWI716570B (zh) | 用於翻轉及多次檢測電子裝置的轉送系統 | |
JPH06342035A (ja) | 半導体検査装置 | |
JP2000162275A (ja) | 半導体試験方法及び半導体試験装置 | |
US20070296445A1 (en) | Semiconductor Chip Flipping Assembly and Apparatus For Bonding Semiconductor Chip Using The Same | |
JP5565916B2 (ja) | 検査分類装置 | |
JP4202102B2 (ja) | 半導体装置のテーピング装置 | |
JP2001244279A (ja) | 基板の供給方法、基板供給装置、チップ供給装置およびチップ実装装置 | |
JP3906029B2 (ja) | リードレス半導体素子のピックアップ装置 | |
JP2001228098A (ja) | 検査・テーピング装置 | |
JP3899867B2 (ja) | 電子部品実装装置および電子部品実装方法 | |
JPH0250440A (ja) | ダイボンド装置 | |
JP2003200905A (ja) | チップ部品収容装置及びそれを備えたチップ部品検査装置 | |
JPH0997973A (ja) | キャリア及び電子部品製造方法ならびに電子部品実装方法 | |
JP2003209157A (ja) | リードレス半導体素子の処理方法および処理装置 | |
JP4301393B2 (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
JP3415069B2 (ja) | ダイシング装置 | |
JP2004186367A (ja) | 半導体装置の製造装置 | |
JP4712766B2 (ja) | 部品移載装置 | |
JP3898401B2 (ja) | 部品供給装置 | |
JP3865640B2 (ja) | チップ部品検査装置 | |
KR20180026297A (ko) | 플립소자 핸들러 | |
JP3931121B2 (ja) | 被検査品の外観検査方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20040602 |
|
A975 | Report on accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971005 Effective date: 20040824 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040831 |
|
A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041029 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050204 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050304 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 3655847 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S533 | Written request for registration of change of name |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080311 Year of fee payment: 3 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20090311 Year of fee payment: 4 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20100311 Year of fee payment: 5 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110311 Year of fee payment: 6 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120311 Year of fee payment: 7 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130311 Year of fee payment: 8 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130311 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140311 Year of fee payment: 9 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |