JP3549748B2 - 化学的に増幅された電子線リソグラフィ用レジスト - Google Patents

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、化学的に増幅された電子線リソグラフィ用レジストに関する。
【０００２】
【従来の技術】
マイクロエレクトロニクスにおいては広範囲にわたりいわゆる化学増幅レジスト（ｃｈｅｍｉｃａｌｌｙ ａｍｐｌｉｆｉｅｄ ｒｅｓｉｓｔｓ）が光学リソグラフィ及び電子線描画（“電子線リソグラフィ”）に使用されている（これに関しては「固体テクノロジー（Ｓｏｌｉｄ Ｓｔａｔｅ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）」第３９巻（１９９６）第７号、第１６４〜１７３頁参照）。化学的増幅は湿式現像可能の一層レジストの場合にも全体的又は部分的に乾式現像可能のレジストの場合にも使用される。その際これらのレジストは酸触媒による分解の原理に基づき作用し、その際極性は有するがブロックされている化学基、例えばカルボキシル基又はフェノール性ヒドロキシル基が光の分解により形成される酸により脱ブロックされ、レジストは露光範囲でその極性が変わる。この極性の変化は例えばレジストの塩基性現像剤中での現像又は（乾式現像可能のレジストの場合）選択的シリル化に利用することができる。ブロック基としては例えば第三ブチルエステル−及び第三ブトキシカルボニルオキシ基がある。
【０００３】
欧州特許第０４９２２５６号明細書から乾式現像可能のレジストを露光後熱処理（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｂａｋｅ＝ＰＥＢ、露光後ベーク）し、次いで液相からシリル化し、引続き酸素プラズマ中で異方性エッチングもしくは乾式現像する光学リソグラフィによる構造形成方法が知られている。その際シリル化溶液の種類に応じてポジ又はネガ構造（画像）が形成される。レジストは一般に少なくとも２つの固体成分、即ちベースポリマーと光活性造酸物から成る。ベースポリマーは無水カルボン酸及び第三ブチルエステルの部分構造を含み、造酸物は有利にはジフェニルヨードニウム−及びトリフェニルスルホニウム−トリフルオルメタンスルホン酸塩のようなオニウム化合物である。このようなレジストは特に極めて急峻な側面を有するサブミクロン及びサブハーフミクロン範囲の光構造化に適している。
【０００４】
上記のようにして構造を形成する場合、酸触媒による分解の原理に基づき作用する他のレジスト系の場合のように、いわゆる持続時間効果（遅延時間効果）が認められる。この効果は例えば電子線描画の際に、電子線描画と熱処理（ＰＥＢ）との間に待ち時間（Ｐｏｓｔ Ｅｘｐｏｓｕｒｅ Ｄｅｌａｙ＝ＰＥＤ、露光後遅延）が生じた時、現像後に実際に得られる構造と所望の構造寸法とに誤差を生じる。この待ち時間が長ければ長いほど構造の誤差は大きくなる。先に挙げた種類の無水物含有レジストでは例えば許容時間は約５〜１０分である。しかしこのような短い時間は製造技術上の理由から受容し難いものである。
【０００５】
上記の持続時間の問題性は一般に公知であり、持続時間中に光化学的に形成された強酸を不活性化する空気中の塩基性不純物に起因するものである。従ってこの問題は空気を活性炭により濾過することで解決することが既に提案されている（これに関しては「プロシーディングス・エス・ピー・アイ・イー（Ｐｒｏｃｅｅｄｉｎｇｓ ＳＰＩＥ）第１４６６巻（１９９１）第２〜１２頁参照）。しかしこれには高額の費用を投資しなければならない。
【０００６】
他の措置によっても以下に記載するように持続時間効果に決定的には影響を及ぼすことはできない。
−トリフェニルスルホニウム−トリフルオルメタンスルホン酸塩を高感度の光造酸物（Ｐｈｏｔｏ Ａｃｉｄ Ｇｅｎｅｒａｔｏｒ＝ＰＡＧ、光酸発生成分）として使用してレジストに有機アミンを添加することによっても、このレジストは確かに横方向の酸の拡散工程に対し安定化可能であるが、その場合塩基の添加により高感度のレジストを形成することはできない（「フォトポリマー・サイエンス＆テクノロジー・ジャーナル（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｐｈｏｔｏｐｏｌｙｍｅｒ Ｓｃｉｅｎｃｅ ａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ）」第９巻（１９９６）第４号、第６７７〜６８４頁参照）。
−例えばトリフルオルメタンスルホン酸塩の基のような強酸の立体的に小さい基を有する光造酸物の使用により、確かに必要な露光感度を達成することができるが、この光造酸物は固体レジスト中に極めて容易に拡散し易く、またその高い酸強度により塩基の影響に対して極めて持続時間に敏感なものである（「バキューム・サイエンス＆テクノロジー・ジャーナルＢ（Ｊｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ｖａｃｕｕｍ Ｓｃｉｅｎｃｅ ＆ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ Ｂ）」第１２巻（１９９４）第６号、第３８５７〜３８６２頁参照）。
−第三ブチルエステルとして保護されたモノマー又は短鎖のポリマーの形のモノ又はジカルボン酸の添加によりレジストに他の溶解抑制剤を入れると、高い感光性を有する系が得られる。しかしこの場合０．５μｍ の構造寸法を形成することができるに過ぎない（「ケミストリー・オブ・マテリアルズ（Ｃｈｅｍｉｓｔｒｙ ｏｆ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ）」第８巻（１９９６）第２号、第３７６〜３８１頁参照）。
【０００７】
確かにレジストの持続時間挙動は原理的には適切な光造酸物としてジフェニルヨードニウムトシラートを相応するトリフルオルメタンスルホン酸塩の代わりに選択することにより改善することができるが、その場合感光度が減少する（「エム・エヌ・イー’９４−マイクロ及びナノエンジニアリングに関する国際会議 （Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｃｏｎｆｅｒｅｎｃｅ ｏｎ Ｍｉｃｒｏ ａｎｄ Ｎａｎｏ−Ｅｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ）」スイス国ダヴォス、２６−２９．９．１９９４の寄稿文、第２３頁参照）。しかしそれにより電子線描画の際に更に長い描画時間を必要とし、これは生産に当たり望ましいことではない。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】
本発明の課題は、公知のレジストに比べて改善された持続時間挙動を示し、同時に露光感受性が＜１０μＣ／ｃｍ^２ 、特に≦１μＣ／ｃｍ^２ 、高解像の場合特に≦０．５μｍ の解像能を有する、電子線フォトリソグラフィに適した化学的に増幅されたレジストを提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】
この課題は本発明により、レジストが次の成分、即ち酸触媒により分解可能の溶解を抑制する基を有するポリマー、電子照射の際にｐＫ_ａ 値≦２．５を有するスルホン酸を遊離させる光反応性化合物（光造酸物）、電子線に敏感な増感剤及び溶媒を含んでいることにより解決される。
【００１０】
本発明による化学的に増幅されたレジストは生産に好適な乾式現像可能のポジ型レジストである。この場合本発明の課題は以下に記載する措置により解決される。
【００１１】
例えばポリマーとしてメタクリル酸第三ブチルエステル／無水マレイン酸をベースとするレジストは、電子線照射時に比較的弱いスルホン酸（ｐＫ_ａ 値≦２．５）を遊離させる光活性化合物の形の光造酸物を有する。ｐＫ_ａ 値とはいわゆる酸指数（酸定数Ｋａの負の１０の常用対数（−ｌｏｇＫａ））のことである。このような酸には例えばベンゾールスルホン酸（ｐＫ_ａ 値＝０．７０）及びトルオールスルホン酸（ｐＫ_ａ ＝１．５５）がある。比較的弱いスルホン酸は塩基性不純物に対し殆ど感応せず、また蒸気圧及び移動度がしばしば使用されるｐＫ_ａ 値−５．９を有するトリフルオルメタンスルホン酸よりも明らかに僅かである利点を有する（これに関しては（「日本応用物理ジャーナル（ＪａｐａｎｅｓｅＪｏｕｒｎａｌ ｏｆ Ａｐｐｌｉｅｄ Ｐｈｙｓｉｃｓ）」第３４巻（１９９５）、Ｐｔ． １、第８Ａ号、第４２４７〜４２５２頁参照）。
【００１２】
ｐＫａ値≧−１を有する光造酸物としては次に記載する光活性化合物、即ちジフェニルヨードニウム塩及びスルホン酸からのトリフェニルスルホニウム塩並びにビス−ベンゾールスルホン及びＮ−スルホニルオキシ−マレインイミド、−フタルイミド及び−ナフタルイミド、即ちスルホン酸とヒドロキシイミドのエステルを使用すると有利である。光造酸物の基礎となるスルホン酸はベンゾール−及びトルオールスルホン酸のような芳香族性であっても、またプロパン−及びシクロヘキサンスルホン酸のような脂肪族性であってもよい。Ｎ−スルホニルオキシ−マレインイミドはポリマーにも組み込み可能であり、それによりポリマーと光造酸物に起こり得る分解は予防される。更に光造酸物としては例えばジアゾジスルホンを使用することができる。光造酸物が芳香族部分構造を有する場合には、置換基を香気物質に変えることにより酸強度及び極性並びに立体効果を適切に調整することができる。このような化合物には例えばＮ−ヒドロキシフタルイミドとｐトルオールスルホン酸、ｐフルオルベンゾールスルホン酸及びｐヨードベンゾールスルホン酸とのエステルがある。
【００１３】
弱いスルホン酸を使用することにより本発明によるレジストの持続時間挙動は決定的に改善される。高い感光性を達成するためにこのレジストはスルホン酸を形成する光活性化合物の他に以下の構造
【式２】

［式中Ｒ^１ ＝ＯＨ又はＯＲ、Ｒ^２ ＝ＣＯＯＨ又はＣＯＯＲであり、Ｒ＝Ｃ_１ 〜Ｃ_５ アルキル］のフルオレン誘導体の形の電子に敏感なもう１つの増感剤を含んでいる。
【００１４】
フルオレン誘導体である増感剤の基Ｒ^１ 及びＲ^２ は同じであるか又は異なるアルキル基Ｒを有しており、その際アルキル基は分枝していてもしていなくてもよい。基Ｒ^１ は有利にはヒドロキシル基であり、基Ｒ^２ は有利にはカルボキシル基である。増感剤が９−ヒドロキシ−９−フルオレンカルボン酸であると特に有利である。
【００１５】
この増感剤は電子線のエネルギーの一部を吸収し、次いで吸収されたエネルギーを光造酸物に伝達する。これまでＵＶ範囲の露光のみに知られているこの効果は（本発明によれば）フルオレン誘導体の使用により初めて電子線リソグラフィでも実現可能となった。この効果には恐らく増感剤から光造酸物への電子とプロトンの結合された伝達メカニズムが関与するものと思われる。
【００１６】
増感作用工程により光造酸物の分解の量子収量が効果的に高められる。それにより同じ電子線量（＝描画時間）及びレジストの光造酸物の同じ出発含有量で溶解を抑制するポリマーの基を分解するための酸触媒がより多く形成される。このようにしてレジストの露光感度は本来の触媒の強度を高めなくても（それにより更にレジストの持続時間感度も高められるであろう）高められる。また非増感性レジスト系に比べて増感系はレジストの組成に応じて６倍に達する露光感度を有する。
【００１７】
上記の本発明による増感方法によりこれまで光学リソグラフィのみによって知られていた増感メカニズムの利点を電子線リソグラフィにも利用することが可能となる。それにはとりわけ光造酸物の選択と露光感度との関係を少なくする必要がある。それにより必要とされる露光感度を顧慮せずにまず持続時間挙動の観点の下に適切な光造酸物を選択することが可能となる。必要とされる露光感度の調整はその後増感剤の分量を加減して添加することにより行われる。従ってこのような増感剤により適切な光造酸物の選択が一層良好になる。光造酸物の増感剤に対する質量比は本発明によるレジストでは一般に約０．５：１．５〜１．５：０．５、有利にはこの比は０．５：１〜１．５：１、有利には約１：１である。
【００１８】
増感剤の添加がポリマーには影響することなく光造酸物のみに直接影響を及ぼすので、本発明によるレジストには一般に酸触媒により分解可能の溶解を制御する基を有するポリマーが使用される。このような基には第三ブチルエステル−及び第三ブトキシカルボニルオキシ基が有利である。他の使用できる基としては例えばポリマー鎖のテトラヒドロフラニル基及びテトラヒドロピラニル基、並びにＮ，Ｏ−アセタール基がある。これらのポリマーではアクリル酸−、メタクリル酸−、ビニル安息香酸−又は桂皮酸−第三ブチルエステルが第三ブチルエステル基の基底となっていると有利であり、第三ブトキシカルボニルオキシ−スチロール又は−マレインイミドが第三ブトキシカルボニルオキシ基の基底になっていると有利である。
【００１９】
本発明によるレジストにはコポリマー（共重合体）も使用することができる。コポリマーは分解可能の基の他に無水カルボン酸基を含むこともできる。その際無水物基が無水マレイン酸から誘導されるポリマーが有利である。もう１つのこのような化合物には例えば無水イタコン酸がある。好適なコポリマーとしては例えば無水マレイン酸及びアクリル酸−、メタクリル酸−、又はビニル安息香酸−第三ブチルエステルからのものが有利である。特にターポリマーも有利であることが判明している。それらは例えばメタクリル酸−第三ブチルエステル、無水マレイン酸及びメタクリル酸もしくはトリメチルアリールシランから成るポリマーがある。このようなポリマーは更にもう１つの成分を含んでいてもよく、従って例えばメタクリル酸第三ブチルエステル、無水マレイン酸、トリメチルアリールシラン及びメタクリル酸エトキシエチルエステルから成るクォータポリマーを使用することもできる。
【００２０】
溶媒としてはそれ自体公知のレジスト溶媒を用いる。有利には溶媒はメトキシプロピルアセテート又はγブチロラクトンとシクロヘキサノンの特に約１：２の容量比の混合物がある。他の適した溶媒としては例えばシクロペンタノン及びシクロヘキサノン又はエチレングリコール−もしくはジエチレングリコールエーテル、場合によってはジベンジルエーテルとの混合物がある。
【００２１】
本発明によるレジストは一層プロセスにも二層プロセスにも使用することができ、特に二層レジストとしての使用が好ましい。この場合本発明によるレジストは一般に次の組成、即ち５〜９質量％のポリマー、０．１〜１質量％の光造酸物、０．１〜１質量％の増感剤及び８５〜９４質量％の溶媒から成る組成を有する。その際個々の分量は合計して１００％とする。一層レジストとして使用する場合一般に次の組成、即ち９〜１８質量％のポリマー、１〜２質量％の光造酸物、１〜２質量％の増感剤及び７８〜８９質量％の溶媒から成り、即ち固体含有分が多い。
【００２２】
本発明によるレジストを一層レジストとして使用する場合、構造化は基板上にレジスト層を施すようにして行われる。このレジスト層は乾燥され、電子線で照射される。電子線に曝された層は一定時間の熱処理（ＰＥＢ）を受け、その後湿式現像される（それに関しては例えば国際特許出願公表第９６／０８７５１号明細書参照）。
【００２３】
二層レジストを有する構造を形成する場合基板上にまずボトムレジストを、その上に本発明によるレジスト層をトップレジストとして施す。このレジスト層は次いで乾燥され、電子線で照射される。電子線に曝された層は、一定時間熱処理（ＰＥＢ）され、更に湿式現像される。引続きシリル化され、ボトムレジストは異方性の酸素プラズマ中で乾式現像される（それに関しては例えば国際特許出願公表第９６／０８７５１号明細書参照）。
【００２４】
照射は一般に０．５〜１００ｋＶの範囲の加速電圧による電子で行われる。有利には加速電圧は電子線描画の場合約１５〜５０ｋＶの範囲で行われる。
【００２５】
熱処理（ＰＥＢ）はその都度５０〜２００℃の範囲の温度で、有利には約８０〜１５０℃の範囲で行われる。熱処理時間は一般に５〜３００秒、有利には約１５〜１８０秒である。
【００２６】
【発明の実施の形態】
本発明を実施例に基づき以下に詳述する（ＭＴ＝質量部）。
【００２７】
例 １
以下の組成のレジスト、即ち分子量約３０００ｇ／モルのメタクリル酸第三ブチルエステル、無水マレイン酸及びメタクリル酸から成るターポリマー８ＭＴ（ラジカル重合により製造）、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドのｐトルオールスルホン酸とのエステル１ＭＴ（光造酸物として）、９−ヒドロキシ−９−フルオレンカルボン酸１ＭＴ（増感剤として）及び１−メトキシ−２−プロピル−アセテート９０ＭＴ（溶媒として）を使用する。このレジストをシリコンウェハ上に遠心分離し（回転数３０００／ｍｉｎ^−１、時間２０秒）、このウェハに厚さ０．５μｍ の焼き鈍しされたノボラック層（２２０℃／４５分、空気循環炉内で）をボトムレジストとして施す。次いでホットプレート上で乾燥する（１２０℃／６０秒）。その際得られるトップレジストの層厚は約２５０ｎｍである。引続きこのレジストを電子線描画装置（ＨＬ７００／日立製）により約３０ｋＶの加速電圧で電子線を照射し、その後ホットプレート上で１２０秒間約１３０℃で焼き鈍しする（ＰＥＢ）。その際光分解により形成された酸の触媒作用を受け、第三ブチルエステル基が分離される。水性アルカリ性現像剤（ＮＭＤ−Ｗ１．１９％（東京応化社製）に１％のメチルベンジルアミンを添加したもの）での現像（パドル装置／ハマテック（Ｈａｍａｔｅｃｈ）社製で３０秒間）により記載の構造が得られる。
【００２８】
電子線描画により種々の範囲を直接種々の線量で照射することができ、こうしてＤｐ（０）線量を測定できる。こうして測定されたＤｐ（０）線量は＜１μＣ／ｃｍ^２ であり、これは電子線描画装置に見込まれる最小の描画線量よりも下である。
【００２９】
構造を基板上に転写するためにトップレジストを湿式現像後４０秒間シリル化溶液（２％のジアミノプロピル−ジメチルシロキサン−オリゴマー、２５％のエタノール、７０％のイソプロパノール及び３％の水を含有する）で処理する。引続き５０秒間酸素プラズマ中で（９００Ｗ、Ｏ_２ 量３０ｓｃｃｍ）乾式エッチングする。
【００３０】
持続時間挙動に関する実験の結果で電子照射と熱処理（ＰＥＢ）との間の２４時間の持続時間は連続現像に必要とされる照射線量を約５０％高めることを必要とするに過ぎないことが判明している。
【００３１】
比較のため増感剤不含の以下の組成、即ち先に記載したターポリマー９ＭＴ、モノ−４−第三ブチルジフェニルヨードニウム−２Ｈ−ヘキサフルオルプロピルスルホン酸塩１ＭＴ（光造酸物として）及び１−メトキシ−２−プロピル−アセテート９０ＭＴ（溶媒として）から成るレジストを実験した。光造酸物の基底となるヘキサフルオルプロパンスルホン酸は−５．９のトリフルオルメタンスルホン酸のｐＫ_ａ 値に比較し得るｐＫ_ａ 値を有する。１．６μＣ／ｃｍ^２ の照射感度を有するこのレジストの場合（電子照射と熱処理との間の）２４時間の持続時間に必要な照射線量は約２００％以上増大する。
【００３２】
従ってこれらの比較実験から以下に記載することが明らかとなる。即ち比較的弱いスルホン酸を基底とする光造酸物を使用する場合、特殊な（フルオレンベースの）増感剤と結合すると持続時間挙動が著しく改善される。即ち比較的長い持続時間のマイナスの作用効果は明らかに低減される。
【００３３】
例 ２
以下の組成のレジスト、即ち分子量約３０００ｇ／モルのメタクリル酸第三ブチルエステル、無水マレイン酸及びメタクリル酸から成るターポリマー８ＭＴ（ラジカル重合により製造）、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドのｐフルオルベンゾールスルホン酸とのエステル１ＭＴ（光造酸物として）、９−ヒドロキシ−９−フルオレンカルボン酸１ＭＴ（増感剤として）及び１−メトキシ−２−プロピル−アセテート９０ＭＴ（溶媒として）を使用する。このレジストをシリコンウェハ上に遠心分離する（回転数２０００／ｍｉｎ^−１、時間２０秒）。このウェハに１．３μｍ の厚さの焼き鈍しされたノボラック層（空気循環炉内で２２０℃／４５分）をボトムレジストとして施す。次いでホットプレート上で乾燥する（１２０℃／６０秒）。その際得られたトップレジストの層厚は約３２０ｎｍである。引続きこのレジストを電子線描画装置（走査電子顕微鏡８４０Ａ／Ｊｅｏｌと電子線描画装置ナノビーム／Ｓｉｅｔｅｃ社製を組合わせて）により約３０ｋＶの加速電圧で電子線を照射し、その後ホットプレート上で１２０秒間約１１０℃で焼き鈍しする（ＰＥＢ）。その際光分解により形成された酸の触媒作用を受け、第三ブチルエステル基が分離される。水性アルカリ性現像剤（ＮＭＤ−Ｗ１．１９％（東京応化社製）に１％のメチルベンジルアミンを添加したもの）での現像（３０秒間、レジスト遠心分離機／コンバック（Ｃｏｎｖａｃ）社製）により上記の構造が得られる。
【００３４】
電子線描画により１０本の均等線／トレンチモデル（１：１）を１つの線量等級で描く。現像後測定された個々の構造パターンの相応する描画線量に対する線幅のプロットからこのレジストのＤｐ（０）線量＜＜３μＣ／ｃｍ^２ を測定することができる。このレジストは３μＣ／ｃｍ^２ の電子線描画装置（ナノビーム）で技術的に最小と思われる描画線量で著しく過度露光された。このことからこのレジストの露光感度が３μＣ／ｃｍ^２ 以下であることが明らかである。
【００３５】
構造を基板上に転写するためにトップレジストを湿式現像後６０秒間シリル化溶液（２％のジアミノプロピル−ジメチルシロキサン−オリゴマー、２５％のエタノール、７０％のイソプロパノール及び３％の水を含有する）で処理する。引続き６０秒間酸素プラズマ中で（９００Ｗ、Ｏ_２ 量３０ｓｃｃｍ）乾式エッチングする。
【００３６】
例 ３
以下の組成のレジスト、即ちメタクリル酸第三ブチルエステル、無水マレイン酸、トリメチルアリールシラン及びメタクリル酸エトキシエチルエステルから成るクォータポリマー６．４ＭＴ（ラジカル重合により製造）、Ｎ−ヒドロキシフタルイミドのｐヨードベンゾールスルホン酸とのエステル０．８ＭＴ（光造酸物として）、９−ヒドロキシ−９−フルオレンカルボン酸０．８ＭＴ（増感剤として）及び１−メトキシ−２−プロピル−アセテート９２ＭＴ（溶媒として）を使用する。このレジストをシリコンウェハ上に遠心分離し（回転数３０００／ｍｉｎ^−１、時間２０秒）、このウェハに０．５μｍ の厚さの焼き鈍しされたノボラック層（空気循環炉内で２２０℃／４５分）をボトムレジストとして施す。次いでホットプレート上で乾燥する（１４０℃／６０秒）。その際得られたトップレジストの層厚は約１９０ｎｍである。引続きこのレジストを電子線描画装置（ＨＬ７００／日立製）により約３０ｋＶの加速電圧で電子線を照射し、その後ホットプレート上で１２０秒間約１１０℃で焼き鈍しする（ＰＥＢ）。その際光分解により形成された酸の触媒作用を受けて、第三ブチルエステル基が分離される。水性アルカリ性現像剤（ＮＭＤ−Ｗ１．１９％（東京応化社製）に１％のメチルベンジルアミンを添加したもの）での現像（６０秒間、パドル装置／ハマテック（Ｈａｍａｔｅｃｈ）社製）により上記の構造が得られる。乾式現像後トップレジストを２回それぞれ６５秒間、イソプロパノールと水との混合物（容量比５：１）に入れたジアミノプロピル−ジメチルシリコサン−オリゴマーの０．７５％溶液の形のシリル化溶液で処理する。引続き酸素プラズマ中で６０秒間（９００Ｗ、Ｏ_２ 量３０ｓｃｃｍ）乾式エッチングする。
【００３７】
このような本発明方法では（０．９μＣ／ｃｍ^２ の照射線量で）０．１５μｍ の寸法を有する極めて良好な線／トレンチのテスト構造が得られる。

Claims (7)

1. 酸触媒により分解可能の溶解を抑制する基を有するポリマー、電子線照射の際にｐＫ_ａ 値≦２．５を有するスルホン酸を遊離させる光反応性化合物（光造酸物）、電子線に敏感な増感剤、及び溶媒を含み、増感剤が次の構造の化合物であり、
   【式１】
   

   

   式中Ｒ ^１ ＝ＯＨ又はＯＲ、Ｒ ^２ ＝ＣＯＯＨ又はＣＯＯＲであり、Ｒ＝Ｃ _１ 〜Ｃ _５ アルキルであることを特徴とする化学的に増幅された電子線リソグラフィ用レジスト。
2. ポリマーが第三ブチルエステル−又は第三ブトキシカルボニルオキシ基を有することを特徴とする請求項１記載のレジスト。
3. スルホン酸がｐＫ_ａ 値≧−１を有することを特徴とする請求項１又は２記載のレジスト。
4. 光造酸物がジフェニルヨードニウム塩、トリフェニルスルホニウム塩、ビスベンゾールジスルホン又はＮ−スルホニルオキシ−マレインイミド、−フタルイミド又は−ナフタルイミドであることを特徴とする請求項１〜３のいずれか１つに記載のレジスト。
5. 増感剤が９−ヒドロキシ−９−フルオレンカルボン酸であることを特徴とする請求項１〜４のいずれか１つに記載の装置。
6. 光造酸物の増感剤に対する質量比が０．５：１〜１．５：１であることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１つに記載のレジスト。
7. 溶媒がメトキシプロピルアセテート又はγブチロカクトン及びシクロヘキサノンから成る混合物であることを特徴とする請求項１〜６のいずれか１つに記載のレジスト。