JP3534093B2 - 半導体装置の設計方法並びに設計プログラム - Google Patents
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Description
に関し、特に、受注先の仕様に合わせて種々のセルを用
いて設計されるロジック回路部分を含むスタンダードセ
ル等の半導体装置に関する。更に、本発明は、そのよう
な半導体装置の設計方法及び設計プログラムに関する。
基板内に形成されたトランジスタ等に接続される配線パ
ターンを、半導体基板上に層間絶縁膜を介して積層され
た何層かのメタル配線層によって形成している。メタル
配線層に形成される配線パターンをゲート電極や不純物
拡散領域に接続したり、複数のメタル層に形成される配
線パターン同士を接続するためには、層間絶縁膜に開口
(スルーホール又はビアホールとも呼ばれる)を設け、
上層のメタルを層間絶縁膜の開口内にも充填して、下層
のゲート電極や不純物拡散領域やメタル配線に接触させ
る。層間絶縁膜の開口内に充填されるメタルは、入出力
ピン又は中継ピンと呼ばれている。ここで、1つの開口
と他の開口とをあまり近付けて配置することはできず、
開口を形成するピッチは、デザインルールによって規定
される最小ピッチ以上にする必要がある。
置においては、所定の回路ブロックに含まれるトランジ
スタ等の配置や配線パターンを規定した何種類かのセル
を配線グリッド上で組合せて、半導体装置の設計を行
う。その場合に、各セル内における開口のピッチを事前
にチェックすることは容易であるが、セルとセルとの組
合せにおいては、組合せが何通りも考えられるため、実
際にレイアウトを行わなければ、開口のピッチをチェッ
クすることは困難であった。
図5を参照しつつ説明する。図5において、実線で示す
格子は配線グリッドを示しており、破線で示す領域は、
X方向に互いに隣接する2つのセルを示している。
ド間隔DXとして、デザインルールによって規定される
適切な開口ピッチが設定されているので、開口51と開
口52とをX方向に互いに隣接して配置することができ
る。
ド間隔DXが、デザインルールによって規定される適切
な開口ピッチよりも狭く設定されているが、開口51と
開口52とはY方向にずらして配置されているので、適
切な開口ピッチの条件を満たしている。
ド間隔DXが、デザインルールによって規定される適切
な開口ピッチよりも狭く設定されており、開口51と開
口52とはX方向に互いに隣接して配置されているの
で、適切な開口ピッチの条件を満たすことができない。
方向又はY方向に隣接して配置されてもデザインルール
違反とならないようにグリッド間隔を広く設定するか、
又は、セル周辺部の配線グリッドに開口を配置しないよ
うにしていた。
おいては半導体装置の高密度化が要求されており、上記
のような従来の設計アルゴリズムによれば、半導体装置
のさらなる高密度化を図ることができないという問題が
あった。
インルールによって規定される適切な開口ピッチの条件
を満たしながら、グリッド間隔を狭く設定して配線密度
を向上させることを目的とする。
め、本発明に係る半導体装置は、所定の回路ブロックを
含む複数のセルを配置することによりレイアウトが設計
された半導体装置であって、半導体基板と、半導体基板
内に形成された複数のトランジスタと、半導体基板上に
積層された配線層において第1の方向に隣接する第1の
セル及び第2のセルにそれぞれ形成された第1の配線パ
ターン及び第2の配線パターンであって、第1の方向と
直交する第2の方向に平行して延在する部分を有する第
1の配線パターン及び第2の配線パターンと、配線層の
下層として形成された層間絶縁膜であって、第1の配線
パターンの第1の位置及び該第1の位置と第1の方向及
び第2の方向においてずれている第2の配線パターンの
第2の位置とに対応して開口が形成された層間絶縁膜と
を具備する。
は、所定の回路ブロックを含む複数のセルを配置するこ
とにより半導体装置のレイアウトを設計する方法であっ
て、複数のトランジスタを配線グリッド上に配置するス
テップと、層間絶縁膜を介して積層される配線層におい
て配線グリッドの第1の方向に隣接する第1のセル及び
第2のセルに第1の配線パターン及び第2の配線パター
ンをそれぞれ配置するステップであって、第1の方向と
直交する配線グリッドの第2の方向に平行して延在する
部分を有するように第1の配線パターン及び第2の配線
パターンを配置するステップと、第1の配線パターンの
第1の位置及び該第1の位置と第1の方向及び第2の方
向においてずれている第2の配線パターンの第2の位置
とに対応して、層間絶縁膜の開口を配置するステップと
を具備する。
ログラムは、所定の回路ブロックを含む複数のセルを配
置することにより半導体装置のレイアウトを設計するた
めに用いるプログラムであって、複数のトランジスタを
配線グリッド上に配置する手順と、層間絶縁膜を介して
積層される配線層において配線グリッドの第1の方向に
隣接する第1のセル及び第2のセルに第1の配線パター
ン及び第2の配線パターンをそれぞれ配置するステップ
であって、第1の方向と直交する配線グリッドの第2の
方向に平行して延在する部分を有するように第1の配線
パターン及び第2の配線パターンを配置する手順と、第
1の配線パターンの第1の位置及び該第1の位置と第1
の方向及び第2の方向においてずれている第2の配線パ
ターンの第2の位置とに対応して、層間絶縁膜の開口を
配置する手順とをCPUに実行させる。
の方向に隣接する第1のセル及び第2のセルにおいて、
第1の方向と直交する第2の方向に平行して延在する部
分を有するように第1の配線パターン及び第2の配線パ
ターンを配置すると共に、層間絶縁膜の開口を第2の方
向にずらすことにより、デザインルールによって規定さ
れる適切な開口ピッチの条件を満たしながら、グリッド
間隔を狭く設定して配線密度を向上させることができ
る。
実施の形態について説明する。図1と図2に、本発明の
一実施形態に係る半導体装置におけるレイアウトの一部
を示す。図1は平面図であり、図2の(a)は図1のA
−A’における断面図であり、図2の(b)は図1のB
−B’における断面図である。なお、図1においては、
層間絶縁膜を省略している。
半導体基板1上には、ゲート絶縁膜2を介してゲート電
極3が形成される。ゲート絶縁膜2は、例えば、シリコ
ン酸化膜又はシリコン窒化膜を含んでいる。また、ゲー
ト電極3は、例えば、ポリシリコンに不純物を含有させ
て形成される。次に、ゲート電極3の両側の半導体基板
1内に、ソース/ドレインとなる不純物拡散領域4が形
成される。これにより、図2の(a)に示すように、第
1のセル内のトランジスタQ1と、第2のセル内のトラ
ンジスタQ2とが構成される。
基板1の上には、第1の層間絶縁膜5が形成され、第1
の層間絶縁膜5の所定の部分に開口が設けられる。続い
て、第1の層間絶縁膜5の上に第1の配線層が設けら
れ、エッチングにより所望の配線6a〜6dがパターン
形成される。配線層としては、アルミニウム等のメタル
を用いるのが一般的である。第1の配線層における配線
パターンの一部は、第1の層間絶縁膜5の開口を介し
て、ゲート電極3や不純物拡散領域4に接続される。
板1の上に第2の層間絶縁膜7が形成され、第2の層間
絶縁膜7の所定の部分に開口が設けられる。続いて、第
2の層間絶縁膜7の上に第2の配線層8が設けられ、エ
ッチングにより所望の配線がパターン形成される。第2
の配線層8における配線パターンの一部は、第2の層間
絶縁膜7の開口を介して、第1の配線層における配線パ
ターンの一部に接続される。
向において互いに隣接する第1のセルと第2のセルにお
いて、第1の配線層の配線6aと配線6bは、Y方向に
平行して延在する部分を有するように形成されている。
そして、第1のセルにおいては、配線6aが、図1のB
−B’において第1の層間絶縁膜5の開口を介してゲー
ト電極3に接続されている。一方、第2のセルにおいて
は、配線6bが、図1のB−B’とY方向にずれた位置
において第1の層間絶縁膜5の開口を介してゲート電極
3に接続されている。このように、Y方向に平行して延
在する部分を有するように配線パターンを形成すると共
に、開口の位置をY方向にずらすことによって、X方向
の配置配線間隔をデザインルールによって規定される適
切な開口ピッチよりも狭く設定することができる。
極に接続する場合の開口の形成位置について説明した
が、本発明はこれに限定されず、任意の層間配線に適用
できる。また、配線層は、一層配線、2層配線、又は、
3層以上の多層配線でもかまわない。
装置におけるレイアウトを模式化して示す。図3におい
て、実線で示す格子は配線グリッドを示しており、破線
で示す領域は、X方向において互いに隣接する2つのセ
ルを示している。図3(a)は、配線パターンのみを示
す図であり、図3(b)は、配線パターンと開口の位置
関係の第1の例を示す図であり、図3(c)は、配線パ
ターンと開口の位置関係の第2の例を示す図である。
配線パターン100と第2のセルの配線パターン200
は、配線グリッドのY方向に平行して延在する部分を有
している。また、配線パターン100における点11と
12は、層間絶縁膜に開口を設けるための候補となる点
である。
間隔DXが、デザインルールによって規定される最小の
開口ピッチよりも狭く設定されている。従って、配線パ
ターン100と200においては、X方向において隣接
しY座標が等しい2つの点に開口を設けることはできな
い。しかしながら、配線パターン100について2つの
候補点を設け、配線パターン200についても2つの候
補点を設けておけば、図3の(b)又は(c)に示すよ
うに、一方の開口に合わせて他方の開口をずらすことが
可能である。
00における点11と配線パターン200における点2
2に対応して、層間絶縁膜に開口が設けられる。また、
図3の(c)においては、配線パターン100における
点12と配線パターン200における点21に対応し
て、層間絶縁膜に開口が設けられる。いずれにしても、
2つの開口の間の距離は、デザインルールによって規定
される最小の開口ピッチ以上とされている。
アウトを、コンピュータとソフトウエア(設計プログラ
ム)を用いて設計する方法について説明する。図4は、
本発明の一実施形態に係る半導体装置の設計方法を示す
フローチャートである。この設計プログラムは、所定の
回路ブロックを含む複数のセルを配置することにより半
導体装置のレイアウトを設計するためのものであり、フ
レキシブルディスク、ハードディスク、MO、MT、R
AM、CD−ROM、DVD−ROM等の記録媒体に記
録して保存される。
いて、複数のトランジスタを配線グリッド上に配置す
る。次に、ステップ2において、層間絶縁膜を介して積
層される配線層において、配線グリッドの第1の方向に
隣接する第1のセル及び第2のセルに第1の配線パター
ン及び第2の配線パターンをそれぞれ配置する。ここ
で、第1の方向と直交する第2の方向に平行して延在す
る部分を有するように、第1の配線パターン及び第2の
配線パターンを配置する。
ターンの第1の位置及び該第1の位置と配線グリッドの
第1の方向及び第2の方向においてずれている第2の配
線パターンの第2の位置とに対応して、層間絶縁膜の開
口を配置する。このようにして、図3の(b)又は
(c)に示すような配線パターン及び層間絶縁膜の配置
を得ることができる。
ザインルールによって規定される適切な開口ピッチの条
件を満たしながら、グリッド間隔を狭く設定して配線密
度を向上させることができる。また、配置配線の設計に
おける接続の検証を、検証用仮想チップを用いて全ての
場合について行う必要がなく、回路ブロック内の検証の
みで済ませることが可能である。
レイアウトの一部を示す平面図である。
レイアウトの一部を示す図であり、(a)は図1のA−
A’における断面図、(b)は図1のB−B’における
断面図である。
レイアウトを模式化して示す図である。
法を示すフローチャートである。
るための図である。
Claims (2)
- 【請求項1】所定の回路ブロックを含む複数のセルを配
置することにより半導体装置のレイアウトを設計する方
法であって、 複数のトランジスタを配線グリッド上に配置するステッ
プと、 層間絶縁膜を介して積層される配線層において配線グリ
ッドの第1の方向に隣接する第1のセル及び第2のセル
に第1の配線パターン及び第2の配線パターンをそれぞ
れ配置するステップであって、第1の方向と直交する配
線グリッドの第2の方向に平行して延在する部分を有
し、その延在部分が2つ以上の配線グリッドを確保する
ように前記第1の配線パターン及び前記第2の配線パタ
ーンを配置するステップと、 前記第1の配線パターンの第1の位置及び該第1の位置
と第1の方向及び第2の方向においてずれている前記第
2の配線パターンの第2の位置とに対応して、前記層間
絶縁膜の開口を配置するステップと、 を具備する半導体装置の設計方法。 - 【請求項2】 所定の回路ブロックを含む複数のセルを
配置することにより半導体装置のレイアウトを設計する
ために用いるプログラムであって、 複数のトランジスタを配線グリッド上に配置する手順
と、 層間絶縁膜を介して積層される配線層において配線グリ
ッドの第1の方向に隣接する第1のセル及び第2のセル
に第1の配線パターン及び第2の配線パターンをそれぞ
れ配置するステップであって、第1の方向と直交する配
線グリッドの第2の方向に平行して延在する部分を有
し、その延在部分が2つ以上の配線グリッドを確保する
ように前記第1の配線パターン及び前記第2の配線パタ
ーンを配置する手順と、 前記第1の配線パターンの第1の位置及び該第1の位置
と第1の方向及び第2の方向においてずれている前記第
2の配線パターンの第2の位置とに対応して、前記層間
絶縁膜の開口を配置する手順と、 をCPUに実行させる半導体装置の設計プログラム。
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