JP3503739B2 - 半導体デバイスの製造方法 - Google Patents

半導体デバイスの製造方法

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ルーセント テクノロジーズ インコーポレーテッド
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Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、マルチチップモジ
ュール（Multi Chip Module −ＭＣＭ）のフリップチッ
プデバイスの製造方法に関し、フリップチップ結合用に
ハンダ濡れ性のある金属接点を形成する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】最新の半導体デバイスパッケージは、高
密度の相互接続構造を用い、パッケージされていない集
積回路（ＩＣ）チップあるいは裸のダイを機械的および
電気的にシリコン製，セラミック製，またはエポキシガ
ラス積層体製の基板上に接続している。相互接続技術，
基板材料，例えば洗浄方法のような接合プロセスのステ
ップの選択は、組立技術全体を規定するのに重要な役目
をして、ＭＣＭのコストと信頼性に大きな影響を及ぼ
す。
【０００３】裸のダイをＭＣＭ基板に接続するのに、さ
まざまな種類の相互接続技術がマイクロエレクトロニク
ス業界で使用されている。この基板は、構造上の支持部
材としておよびＩＣ間の電気的相互接続用の接続「網」
として機能する。通常ＭＣＭは、さまざまな公知の技術
の１つ、例えばワイアボンディング，自動テープボンデ
ィング（tape automated bonding−ＴＡＢ），フリップ
チップハンダ接合等の技術を用いて組み立てられる。
【０００４】一般的にＭＣＭパッケージの設計は、製造
業者の設備と、ＭＣＭのアーキテクチャと材料のコスト
と、必要とされるＩ／Ｏ構成と、密度に依存する。そし
て相互接続技術と洗浄プロセスの選択は、高い歩留まり
と製品の信頼性に必要とされる組立プロセスを決定する
際に重要な役目をする。
【０００５】最も一般的でコストの安い易い相互接続技
術は、ワイアボンディングである。しかし、ワイアボン
ディングの接続は広い面積を必要とし、その結果基板お
よびＭＣＭが大きくなる欠点を有する。電子部品の製造
において公知のように組立体の特徴物のサイズが大きく
なるにつれてコストがかかることになる。さらにまた、
ＭＣＭモジュールにおいては、モジュールのサイズの増
加は相互接続の長さの増加につながり、リード線のイン
ダクタンスと抵抗もまたその結果増加して電気的性能が
劣化する。さらにまた通常のワイアボンディング装置、
例えばスティッチボンダー（stitch bonder） は、一度
に１個の接合ができるだけであり、高速のボンダーが入
手可能な現在でも時間のかかる作業である。
【０００６】ＴＡＢボンディングは、使用面積が小さく
部分的なバッチ処理ができる点で利点がある。しかし、
ＴＡＢ組立は、各ＩＣデザイン毎に異なる冶具を必要と
し、このため接続のコストが大幅に上がる。さらにまた
ＴＡＢ組立は、周辺のＩ／Ｏアレイの相互接続に限定さ
れ、その結果ＩＣデザインの柔軟性が制約される。周辺
のＩ／Ｏパッドは広いピッチを有し、したがってフリッ
プチップハンダ接合を用いることのできるＩ／Ｏアレイ
の面積よりも全体のＩ／Ｏ密度が下がってしまう。また
通常ＴＡＢ結合による相互接続構造は、フリップチップ
結合による相互接続よりもキャパシンタンスが高くまた
浮遊インダクタンスも増加する。
【０００７】フリップチップ結合は、周辺Ｉ／Ｏアレイ
または領域Ｉ／Ｏアレイのいずれかよりも、最高Ｉ／Ｏ
密度においては最高の性能を示すことが認識されてい
る。さらにまたフリップチップ結合は、本来的に高スル
ープット製造ができるようなバッチ組立プロセスであ
る。しかし、さまざまな理由によりフリップチップＭＣ
Ｍ組立は、公知の組立技術の中で最も値段の高いものと
認識されている。
【０００８】このことは複数層の同時焼成セラミック
（multi-layer co-fired ceramics ＝ＭＣＭ−Ｃ）ある
いは堆積した薄膜セラミックまたはシリコン製基板（Ｍ
ＣＭ−Ｄ）を相互接続基板として用いるような高性能の
ＭＣＭ設計についてはあてはまる。値段の安い別の方法
は、プリントワイア基板、即ちエポキシガラス製のファ
イバラミネートである。しかし、Ｉ／Ｏ端子数と実相密
度が最新の組立体において増加するにつれて、シリコン
が価格競争に強く、高性能のアプリケーションに選択さ
れる相互接続基板となる傾向がある。
【０００９】フリップチップ技術を用いた電子パッケー
ジの組立体が現在支配的な技術であり、特にコンピュー
タおよびコンピュータの周辺機器の製造において支配的
である。このフリップチップ技術は通信ネットワーク製
品用の電子パッケージおよび光学パッケージの組立体に
幅広く用いられている。フリップチップ組立体の主要な
要件は、半導体基板を「上下逆」にして相互接続基板、
例えばシリコンウェハ，セラミックウェハあるいはプリ
ント回路基板等に取り付けることである。
【００１０】この取付は、通常ハンダ，ボール形状，パ
ッド形状，バンプ形状（以下バンプと称する）である。
ハンダバンプは、半導体チップにあるいは相互接続基板
あるいはその両方に取り付け可能である。接合作業にお
いては、チップは基板に接触して配置されハンダが加熱
され、半田のリフローが起きてチップを基板に固着す
る。接合を成功させるためにハンダが接合されるサイト
はハンダによる濡れ性を有しなければならない。
【００１１】集積回路基板またはカードに用いられる金
属製の相互接続パターンは、アルミ製である。このアル
ミ製パターンに直接ハンダ付けをする技術が試みられて
いるが、アルミはハンダ付けするためには好ましい材料
ではない。したがって産業界における実際のプラクティ
スは、アルミ製接点パッドの上に金属製のコーティング
を形成してハンダバンプあるいはパッドをこのコーティ
ングに形成することである。この金属製コーティング
は、通常アンダーバンプ金属化（Under Bump Metalliza
tion−ＵＢＭ）と称する。
【００１２】このＵＢＭ技術に用いられる金属は、アル
ミによく接着し通常のすずハンダに際し濡れ性があり、
かつ高い導電性を有しなければならない。これらの要件
を満たす構造体は、クロムと銅の合成物である。クロム
を最初に堆積してアルミに固着させ、銅をこのクロム上
に形成してハンダ濡れ性のある表面を提供する。クロム
はさまざまな材料（例：有機材料、無機材料）に十分接
着するものとして知られている。
【００１３】したがってクロムは、誘電体材料例えばＳ
ｉＯ２ ，ＳＩＮＣＡＰＳ，ポリイミド等（これらは通
常ＩＣプロセスに用いられる）および銅，アルミ等の金
属にも十分接着する。しかし、ハンダ合金は、銅を分解
してクロムの濡れ性を奪う。そのためクロムの直上の銅
の薄膜層は溶融ハンダ（molten solder） に分解し、そ
の後このハンダがクロム層から濡れ性を奪う。ハンダと
ＵＢＭとの間のインタフェースの完全性を確保する為
に、クロムと銅の合成物層あるいはその合金層がクロム
層と銅層の間に通常用いられる。
【００１４】上記の層は、従来スパッタリングで形成さ
れ、それらの層を堆積するいくつかの選択枝が利用可能
である。層は合金ターゲットからスパッタリングで形成
される。クロム製ターゲットを用いその後銅製ターゲッ
トに変更することによりスパッタリングを行う。あるい
は別々のクロム製ターゲットと銅製ターゲットを用いて
スパッタリングし、それらの間で移り変わるようにする
こともできる。後者の方法は、傾斜した組成を有する層
を生成でき好ましい技術である。
【００１５】上記の構成を形成するに際し、受け入れら
れるプラクティスは、合成層の選択的堆積のために接着
プロセスを用いることである。この接着プロセスは公知
であり、通常リフトオフ技術を用いて実現される。しか
しこのリフトオフプロセスは、好ましい技術例えばＵＢ
Ｍを堆積すること、即ちスパッタリングを行う技術とは
本質的に相入れないものである。スパッタリングに際し
ては、ＵＢＭと基板は１００℃以上の温度に達する。
【００１６】この温度においては、リフトオフ用に用い
られるホトレジストは、寸法の歪を受けホトレジストパ
ターンのエッジの鋭さがなくなる。さらにまたＵＢＭの
下層の基板への接着性を改善するために表面を粗くして
その表面にバックスパッタリングを行うことが一般的で
ある。このプロセスには、基板とホトレジスト層は共に
１００℃の温度に加熱され、このためプロセスとはさら
に相入れないものとなっている。
【００１７】
【発明が解決しようとする課題】したがって本発明の目
的は、フリップチップデバイスの製造に際し、基板およ
びホトレジスト材料を低温で処理できる半導体デバイス
の製造方法を提供することである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】本発明は、スパッタリン
グ，バックスパッタリング，イオンミリング等の共通の
処理ステップに際し、高温処理を使用できるアンダバン
プ金属化層を形成する方法を提供する。この方法は、パ
ターンを寸法的に安定化するために高温処理をする前に
リフトオフプロセス用に用いられるホトレジストを処理
することにより達成する。このホトレジストの処理プロ
セスは、ホトレジストをリソグラフ方法でパターン化し
た後、化学線で架橋（cross-linking）を形成するする
ステップを含む。本明細書において基板とは、その上に
ある種の層が形成される基礎となるものを指す。従って
フリップチップも基板と称することがある。
【００１９】
【発明の実施の形態】図１においてシリコン製の相互接
続用基板１１には接点用パッド１２が形成され、この接
点用パッド１２は相互接続用基板１１上のランナー（図
示せず）と接続されている。フリップチップ１３はＩ／
Ｏ接点用パッド１４のアレイ（列）を具備し、各Ｉ／Ｏ
接点用パッド１４はハンダバンプ１５をその上に有す
る。相互接続基板全体が数個のフリップチップサイトを
有するか、あるいは中間の相互接続基板がこれらのチッ
プを支持するようにしてもよい。
【００２０】本明細書に記載する発明は、さまざまな種
類のハンダを搭載したデバイスに適用され、かつセラミ
ック製の基板あるいはエポキシプリントワイア基板のよ
うな他の相互接続基板にも適応可能である。ハンダバン
プはフリップチップ上の接点パッドあるいは相互接続用
基板の接点パッドあるいはその両方に形成可能である。
以下の説明においては、ハンダバンプはフリップチップ
に形成されるものとする。
【００２１】上記したように、ハンダ接合されるべき両
方の要素上の接点パッドはＵＢＭ層を具備する。このＵ
ＢＭ層は、ハンダバンプと接点パッドに比較して薄く、
図１には示していない。ＵＢＭ層は図２においてアンダ
ーバンプ金属化層２１として示している。図２では誇張
した厚さで示しており、通常のポリイミド製の保護層２
２がアルミ製のランナー（図示せず）と、接点用パッド
２４の一部を覆っている。この接点パッドは、アルミ
製，銅製，または他の適宜の金属材料製である。
【００２２】この接点パッドは、ＩＣのフィールド酸化
物上に通常形成され、保護用の最終形態のポリイミド製
コーティングであるポリイミド製保護層２２がこの接点
パッド上に堆積される。接点ウィンドウがこのポリイミ
ド層に好ましくは光プロセスに形成される。アンダーバ
ンプ金属化層２１はこのポリイミドのウィンドウ内に形
成される。ＩＣプロセスのこれらの対応は公知である。
アンダーバンプ金属化層２１は単一の層として示してい
るが、ＣｒとＣｕの合成層でもよい。別の構成として
は、アンダーバンプ金属化層２１はＴｉ−Ｐｄ−Ａｕ
製，Ｔｉ−Ｎｉ−Ａｕ製あるいは他の適当な材料製でも
よい。
【００２３】本発明により図２の構造体を形成するステ
ップを図３−７に示す。
【００２４】図３にはＵＢＭ層を形成する前のフリップ
チップ１３を示す。同図においてホトレジスト層２６は
フリップチップ１３上にスピンコーティングで形成され
る。このホトレジスト層２６はリソグラフ技術によりパ
ターン化され、ウィンドウ２７が接点パッドアレイの上
に開口される（図４）。ここに用いられるホトレジスト
プロセスは、リフトオフ用の従来公知のプロセスのうち
の１つのプロセスである。ホトレジスト層２６に形成さ
れたウィンドウ２７は、好ましくは凹角で即ち逆角度で
リフトオフプロセス後良好な角の形状を与える。
【００２５】逆角度のウィンドウを生成するために、二
層レベルまたは三層レベルのレジストを用いて現像後ア
ンダーカットを形成している。１個のホトレジストレベ
ルのみを必要とするような別の選択子は接着材をホトレ
ジスト材料と混合してレジストのトーンを逆にすること
である。現像されると逆角度を有するウィンドウが形成
される。このホトレジスト技術は、H. Klose, R. Sigus
h, W. Arden 著の“Image Reversal of Positive Photo
resist: Characterization and Modeling”,（IEEE Tra
nsactions on Electron Devices, Vol. ED 32, No. 9,
September 1985）を参照のこと。
【００２６】ウィンドウをパターン化した後残留するホ
トレジスト材料は、大量の放射に曝される。この放射２
８を図４の矢印で示す。パターンを露光するのに用いら
れた同一の光ソースでもよい。しかし、ドーズ量は大幅
に大きく即ち５倍以上、好ましくは２０倍以上である。
このドーズ量は、全蓄積フラックスの形態で測定され、
通常１０−２００ジュール／ｃｍ２ の範囲内にある。
この放射によりパターン露光と同様な方法により遊離基
（free radicals）が形成されるが、ドーズ量が大きい
ために遊離基の数は遥かに大きく、その結果より多くの
架橋が形成される。
【００２７】ＵＶドーズ量が大きいことから広範囲の架
橋が形成される結果パターンが硬化され後続の高温処理
に耐え、大幅な寸法歪を生じないように十分に頑強とな
る。高温とは本明細書においては１００℃以上をいう。
この硬化プロセスの詳細と、それに関連する化学的現象
は、Mohondro et al, 著の“Photostabilization: The
Process of Improvement”, Future Fab Internationa
l, pp. 235-247 に記載されている。
【００２８】このリソグラフ照射により処理されたウェ
ハを、その後スパッタリング装置内に配置してＵＢＭ層
３１を堆積させる。前述したように好ましいＵＢＭ層
は、ＣｒとＣｕの多層構造体である。しかし、これはさ
まざまな種類のＵＢＭ材料の１つであり、それ以外にも
本発明により適用可能である。
【００２９】ＵＢＭ層用の複数の層が順次堆積され、Ｃ
ｒ−Ｃｒ／Ｃｕ−Ｃｕの合成層構造を形成する。この合
成ＵＢＭ層は、図５では単一の層３１として示してい
る。このＵＢＭ層は、ウィンドウにより露出した接点用
パッド２４の上とホトレジスト層２６の上部に堆積す
る。
【００３０】一実施例においては、クロム製のターゲッ
トと銅製のターゲットの両方を含むスパッタリング装置
内で個別の層をスパッタリングで形成することもでき
る。このスパッタリング技術は公知であり、その詳細な
説明は割愛する。
【００３１】第１層は、クロム製でその厚さは５００−
５０００オングストロームで、好ましくは１０００−３
０００オングストロームである。クロムはアルミ製の接
点用パッド２４に十分接着し、また同時に構造体内に現
れる誘電体層にも接着する。クロムは耐火金属であり、
アルミ接点との界面で耐腐食性である。第２層はＣｒ／
Ｃｕの薄い遷移層であり、ハンダの濡れ性を与え、クロ
ム層と銅層（後で形成される）との間に金属組織学的に
安定した界面を提供する。
【００３２】前述したように、ＵＢＭ層である遷移層３
１はクロム製ターゲットと銅製ターゲットの両方を具備
するスパッタリング装置内でスパッタし、これらのター
ゲットの間を移り変わることにより形成される。その結
果、遷移層３１は純粋なクロムと純粋な銅との間で組成
が変動するような共通スパッタリング層である。この遷
移層３１の厚さは、１０００−５０００オングストロー
ムで、好ましくは２０００−３０００オングストローム
である。
【００３３】次の層は銅層であり、その厚さは１０００
−１００００オングストロームで、好ましくは２０００
−６０００オングストロームである。この銅層は、ハン
ダバンプにより通常用いられるハンダ材料に対し濡れ性
を有する。すずと銅の共晶ハンダの融点は低く、ハンダ
実行温度では銅層の表面が分解してハンダバンプになり
物理的かつ電気的に安定した結合となる。全ての銅が分
解してハンダ層になった場合でも、ハンダは依然として
Ｃｒ−Ｃｕ層に接着しそれに濡れ性を与える。
【００３４】金製の層を銅層表面に形成して、銅表面の
酸化を防止するようにしてもよい。この金製の層の厚さ
は、５００−３０００オングストロームで、好ましくは
１０００−２０００オングストロームである。
【００３５】ＵＢＭ層３１を堆積した後、この層の不要
な部分をリフトオフ技術を用いてホトレジスト層をアセ
トンのようなホトレジスト溶剤に溶かすことにより取り
除く。リフトオフの後、得られた構造体を図６に示す。
【００３６】ハンダバンプ３２が蒸着のような技術を用
いてＵＢＭ層３１の上に堆積される。ハンダバンプ３２
の厚さは１０−２０ミル（０．０２４５−０．０４９ｍ
ｍ）である。上記のプロセスで用いられたハンダ組成の
例を次に示す。 Ｉ ＩＩ ＩＩＩ Ｓｎ ５ ６３ ９５ Ｐｂ ９５ ３７ ０ Ｓｂ ０ ０ ５
【００３７】本発明の寸法上の安定化プロセスを示すた
めに、以下の手順が採られた。１グラムのイミダゾール
（Imidazole） を１００ｍｌのHoechst 社製のＡＺＰ−
４６２０のポジ型ホトレジストと混合した。この混合物
を４０℃に加熱してホットプレートから外し、４５分間
熱を加えずに撹拌した。この溶剤を室温でシリコン製の
相互接続基板上に５０００ＲＰＭで４０秒間回転させて
スピンコーティングした。その結果得られたホトレジス
ト層の厚さは、５．５μｍであった。ＵＢＭ層は通常
０．５−１．０μｍの厚さであるため、このホトレジス
ト層は適正なリフトオフプロセスを確実に行うために
は、ＵＢＭ層よりも大幅に厚く、例えば０．２μｍ以上
厚い。
【００３８】その後このウェハを９０℃のホットプレー
ト上で２分間焼いた。その結果得られたウェハをリソグ
ラフツールに配置して、全体の光エネルギが４００ｍｊ
／ｃｍ２ の波長が４６５ｎｍの化学線でパターンに露
光した。この露出したウェハを１０５℃で３０分間焼成
し、その後全エネルギが１５００ｍｊ／ｃｍ２ で、波
長が４６５ｎｍの光でもってウェハの表面全体をフラッ
ド（大量）露光した。
【００３９】このホトレジストグラフのパターンが４０
０Ｋのディベロッパー（３：１）で、４．５分間現像
し、ＤＩウェハ内で洗浄しその後乾燥した。このリソグ
ラフ放射処理の後は、ウェハを３６５ｎｍ光でその全蓄
積エネルギは７５ｊ／ｃｍ２の光にフラッド露光した。
この露光の後、１５０℃で１時間ハードベーク（焼成）
した。その結果得られたパターンは、頑強で後続の熱処
理には何等影響されなかった。
【００４０】上記の例におけるポジ型のホトレジストに
使用された添加剤は、有機ベース（有機が主成分）のイ
ミダゾールである。しかし、他のベースも使用すること
ができる。
【００４１】本発明のプロセスの記載においては、ハン
ダバンプは、フリップチップを相互接続基板に固着する
手段として示したが、ハンダ接合の他の形態、例えばハ
ンダペーストも使用することができる。通常接合される
両方の基板には、ＵＢＭ層を具備しているがある種の基
板、例えば銅製のプリント回路基板は、ＵＢＭ層を必要
としないような接合領域を有し、この場合本発明のプロ
セスは接合されるべき一方の基板にのみ適用できる。
【００４２】前記の説明において、本発明のリフトオフ
技術は、フリップチップ結合用にハンダバンプパターン
を形成するものとして説明したが、本発明の技術を用い
てリフトオフレジストの処理により生成される寸法的な
安定性の改善は、他のリフトオフ金属化プロセスにも同
様に適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【図１】ハンダバンプを有するフリップチップを相互接
続用基板に取り付ける直前の状態を表す断面図
【図２】アンダーバンプ金属化層を具備するハンダバン
プ結合部位を具備するフリップチップの断面図
【図３】本発明により図２のアンダーバンプ金属化層の
パターンを生成するために用いられるプロセスステップ
による製造途中のデバイスの断面図
【図４】本発明により図２のアンダーバンプ金属化層の
パターンを生成するために用いられるプロセスステップ
による製造途中のデバイスの断面図
【図５】本発明により図２のアンダーバンプ金属化層の
パターンを生成するために用いられるプロセスステップ
による製造途中のデバイスの断面図
【図６】本発明により図２のアンダーバンプ金属化層の
パターンを生成するために用いられるプロセスステップ
による製造途中のデバイスの断面図
【図７】本発明により図２のアンダーバンプ金属化層の
パターンを生成するために用いられるプロセスステップ
による製造途中のデバイスの断面図
【符号の説明】
１１ シリコン製の相互接続用基板 １２，２４ 接点用パッド １３ フリップチップ １４ Ｉ／Ｏ接点用パッド １５，３２ ハンダバンプ ２１，３１ アンダーバンプ金属化層 ２２ ポリイミド製保護層 ２６ ホトレジスト層 ２７ ウィンドウ ２８ 放射
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 イノン デガニ アメリカ合衆国，08904 ニュージャー ジー，ハイランド パーク，クリーヴラ ンド アヴェニュー 10 (56)参考文献 特開 平７−168368（ＪＰ，Ａ) 特開 平６−214402（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−129849（ＪＰ，Ａ) 特開 平９−306918（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−166718（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/60 H01L 21/92

Claims (8)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半導体デバイスの製造方法において、 （ａ）ホトレジスト層を基板上に形成するステップと、 （ｂ）ホトレジスト層の選択した部分を第１ドーズ量の
    UV放射に露光するステップと、 （ｃ）露光された基板の部分を残すホトレジストパター
    ンを形成するためにホトレジスト層を生成するステップ
    と、 （ｄ）ホトレジストパターンを１０−２００ジュール／
    ｃｍ２の範囲内の、前記第１ドーズ量の２０倍以上でＵ
    Ｖ放射に露光するステップと、 （ｅ）金属層をホトレジストパターン及び基板の露光さ
    れた部分に、金属ターゲットから金属をスパッタリング
    することによって堆積するステップであって、前記金属
    層及び基板がスパッタリング中に１００℃以上の温度に
    加熱されるステップと、 （ｆ）基板からホトレジスト層を除去してリフトオフに
    よって金属化層をパターン化し、残っている基板上に金
    属化層の部分を残すステップとを含むことを特徴とする
    製造方法。
  2. 【請求項２】 基板上の金属化層がリフトオフによりパ
    ターン化される半導体デバイスの製造方法において、 （ａ）前記基板上に第１厚さｔ１を有するホトレジスト
    層をスピンコーティングで形成するステップと、 （ｂ）前記ホトレジスト層を、第１ドーズ量を有する化
    学線放射のパターンに露光するステップと、 （ｃ）基板の部分を露出させるホトレジストパターンを
    形成するためにホトレジスト層を生成するステップと、 （ｄ）１０−２００ジュール／ｃｍ２の範囲内の、前記
    第１ドーズ量の２０倍以上で化学線放射のフラックスに
    パターン化されたホトレジスト層を露光するステップ
    と、 （ｅ）前記ホトレジスト層の上に金属化層をスパッタリ
    ングで形成するステップであって、該金属化層及び基板
    はスパッタリング中に１００℃以上の温度に加熱され、
    該金属化層はｔ１より実質的に小さい第２厚さｔ２を有
    して前記開口内の前記基板上に金属層と前記ホトレジス
    ト層上に金属層とを形成して、前記基板上の金属層と前
    記ホトレジスト層上の金属層との間にはスペースを有す
    る該形成ステップと、 （ｆ）前記ホトレジスト層及び該ホトレジスト層上の前
    記金属層を除去するステップとを含むことを特徴とする
    製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項２の製造方法において、前記基板
    はシリコン製の相互接続用基板であることを特徴とする
    製造方法。
  4. 【請求項４】 ハンダバンプ付き基板が別の基板に結合
    され、該ハンダバンプ付き基板上のハンダバンプがアン
    ダーバンプ金属化層を備えるフリップチップ結合された
    半導体デバイスパッケージの製造方法において、 （ａ）前記ハンダバンプ付き基板上にホトレジスト層に
    形成するステップと、 （ｂ）前記ホトレジスト層を、第１ドーズ量を有する化
    学線放射のパターンに露光するステップと、 （ｃ）基板の部分を露出させるホトレジストパターンを
    形成するためにホトレジスト層を生成するステップと、 （ｄ）１０−２００ジュール／ｃｍ２の範囲内の、前記
    第１ドーズ量の２０倍以上で化学線放射のフラックスに
    パターン化されたホトレジスト層を露光するステップ
    と、 （ｅ）前記パターン化されたホトレジストの上にアンダ
    ーバンプ金属化層を金属ターゲットから金属をスパッタ
    リングすることによって堆積するステップであって、該
    アンダーバンプ金属化層及び基板がスパッタリング中に
    １００℃以上の温度に加熱されるステップと、 （ｆ）リフトオフにより前記アンダーバンプ金属化層を
    パターン化して、残っている前記ウインドウ内に前記ア
    ンダーバンプ金属化層のそれらの部分を残すステップ
    と、 （ｇ）前記アンダーバンプ金属化層の前記残っている部
    分上に前記ハンダバンプを堆積するステップとを含むこ
    とを特徴とする製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項４の製造方法において、前記アン
    ダーバンプ金属化層の堆積はハンダバンプ付き基板をバ
    ックスパッタリングする後に行われることを特徴とする
    製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項４の製造方法において、前記基板
    はシリコン製の相互接続用基板であることを特徴とする
    製造方法。
  7. 【請求項７】 請求項６の製造方法において、前記アン
    ダーバンプ金属化層上のハンダはハンダバンプを含むこ
    とを特徴とする製造方法。
  8. 【請求項８】 請求項７の製造方法において、前記化学
    線放射はＵＶ放射であることを特徴とする製造方法。
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