JP3493167B2 - ケイ素砕片を搬送する振動コンベヤ及び方法 - Google Patents
ケイ素砕片を搬送する振動コンベヤ及び方法Info
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- JP3493167B2 JP3493167B2 JP2000092097A JP2000092097A JP3493167B2 JP 3493167 B2 JP3493167 B2 JP 3493167B2 JP 2000092097 A JP2000092097 A JP 2000092097A JP 2000092097 A JP2000092097 A JP 2000092097A JP 3493167 B2 JP3493167 B2 JP 3493167B2
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- silicon debris
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B07—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS; SORTING
- B07B—SEPARATING SOLIDS FROM SOLIDS BY SIEVING, SCREENING, SIFTING OR BY USING GAS CURRENTS; SEPARATING BY OTHER DRY METHODS APPLICABLE TO BULK MATERIAL, e.g. LOOSE ARTICLES FIT TO BE HANDLED LIKE BULK MATERIAL
- B07B1/00—Sieving, screening, sifting, or sorting solid materials using networks, gratings, grids, or the like
- B07B1/46—Constructional details of screens in general; Cleaning or heating of screens
- B07B1/4609—Constructional details of screens in general; Cleaning or heating of screens constructional details of screening surfaces or meshes
- B07B1/469—Perforated sheet-like material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
- B65G—TRANSPORT OR STORAGE DEVICES, e.g. CONVEYORS FOR LOADING OR TIPPING, SHOP CONVEYOR SYSTEMS OR PNEUMATIC TUBE CONVEYORS
- B65G27/00—Jigging conveyors
- B65G27/04—Load carriers other than helical or spiral channels or conduits
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- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Jigging Conveyors (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ケイ素砕片を搬送
する方法に関する。本発明は振動コンベヤにも関する。
する方法に関する。本発明は振動コンベヤにも関する。
【０００２】
【従来の技術】高い純度のケイ素は例えば、加熱された
基板上で高純度のクロールシランガスを化学的に気相分
離することによって生ぜしめられる。ケイ素はこの場合
多結晶に、棒の形で生じる。半導体工業のために必要な
単結晶のケイ素の大部分はこのケイ素棒からツォクラル
スキーのるつぼ引き法によって生ぜしめられる。
基板上で高純度のクロールシランガスを化学的に気相分
離することによって生ぜしめられる。ケイ素はこの場合
多結晶に、棒の形で生じる。半導体工業のために必要な
単結晶のケイ素の大部分はこのケイ素棒からツォクラル
スキーのるつぼ引き法によって生ぜしめられる。
【０００３】この方法においては溶融るつぼが、５〜１
５０mm の典型的な直径を有するケイ素破片（以下にお
いてはケイ素砕片と称する）で満たされる。ケイ素砕片
は溶融せしめられ、溶融物から種子結晶によって単結晶
のケイ素棒が引かれる。溶融るつぼを満たすのに必要な
ケイ素砕片は、気相分離中に生ぜしめられた多結晶の棒
を破砕することによって得られる。破砕工具としては例
えば金属から製作されたジョー破砕機あるいはロール破
砕機、ハンマーあるいはたがねが使用される。
５０mm の典型的な直径を有するケイ素破片（以下にお
いてはケイ素砕片と称する）で満たされる。ケイ素砕片
は溶融せしめられ、溶融物から種子結晶によって単結晶
のケイ素棒が引かれる。溶融るつぼを満たすのに必要な
ケイ素砕片は、気相分離中に生ぜしめられた多結晶の棒
を破砕することによって得られる。破砕工具としては例
えば金属から製作されたジョー破砕機あるいはロール破
砕機、ハンマーあるいはたがねが使用される。
【０００４】脆性硬質のケイ素棒を破砕した後に、障害
となる粒子及び異原子を砕片の縁の鋭い表面上に認める
ことができる。粒子は一般に、ケイ素の破砕の際及び搬
送の際に生ぜしめられるダストであり、異原子は特に破
砕工具に由来するものである。
となる粒子及び異原子を砕片の縁の鋭い表面上に認める
ことができる。粒子は一般に、ケイ素の破砕の際及び搬
送の際に生ぜしめられるダストであり、異原子は特に破
砕工具に由来するものである。
【０００５】これらの汚染物は溶融るつぼ内でケイ素砕
片を溶融させる前に除去しなければならない。有利には
このことは、酸又は酸混合物で材料除去処理を行い、次
いで水で洗い流すことによって、行われる。
片を溶融させる前に除去しなければならない。有利には
このことは、酸又は酸混合物で材料除去処理を行い、次
いで水で洗い流すことによって、行われる。
【０００６】縁の鋭い砕片の大きな比表面は特に次のこ
と、すなわち材料除去処理のための大きな酸消費量、ケ
イ素を洗浄浴内に移す際の、表面に付着している酸膜に
よる大きな酸連行量及びこれに基づく洗浄水の汚染、及
び破砕縁の後腐食による重大な欠点を有している。
と、すなわち材料除去処理のための大きな酸消費量、ケ
イ素を洗浄浴内に移す際の、表面に付着している酸膜に
よる大きな酸連行量及びこれに基づく洗浄水の汚染、及
び破砕縁の後腐食による重大な欠点を有している。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、した
がって、縁の鋭いケイ素砕片のこれらの欠点を減少させ
る方法及び装置を提供することである。
がって、縁の鋭いケイ素砕片のこれらの欠点を減少させ
る方法及び装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するため
に本発明によるケイ素砕片を搬送する方法は、ケイ素砕
片を、振動コンベヤの高純度ケイ素から製作された搬送
面に沿って案内することを特徴とする。
に本発明によるケイ素砕片を搬送する方法は、ケイ素砕
片を、振動コンベヤの高純度ケイ素から製作された搬送
面に沿って案内することを特徴とする。
【０００９】この課題は、搬送面が高純度ケイ素から製
作されていることを特徴とする振動コンベヤによっても
解決される。
作されていることを特徴とする振動コンベヤによっても
解決される。
【００１０】驚くべきことには、鋭い縁のケイ素砕片が
振動コンベヤの振動する搬送面上で搬送される場合、鋭
い縁のケイ素砕片が丸みをもつようになることが分かっ
た。本発明にとって、この場合ケイ素砕片の比表面が減
少せしめられ、表面に付着している汚染物がそぎ落とさ
れることが、特に有利であると判明した。本発明によれ
ばケイ素砕片はこの場合、高純度ケイ素で製作された、
平坦に、槽形にあるいは管形に構成されている搬送面上
で搬送される。本発明において、高純度の単結晶又は多
結晶のケイ素は有利には＞９９.９９％の純度を備えて
いる。理想的にはケイ素から成る搬送面は搬送すべきケ
イ素砕片と同じ純度を有している。
振動コンベヤの振動する搬送面上で搬送される場合、鋭
い縁のケイ素砕片が丸みをもつようになることが分かっ
た。本発明にとって、この場合ケイ素砕片の比表面が減
少せしめられ、表面に付着している汚染物がそぎ落とさ
れることが、特に有利であると判明した。本発明によれ
ばケイ素砕片はこの場合、高純度ケイ素で製作された、
平坦に、槽形にあるいは管形に構成されている搬送面上
で搬送される。本発明において、高純度の単結晶又は多
結晶のケイ素は有利には＞９９.９９％の純度を備えて
いる。理想的にはケイ素から成る搬送面は搬送すべきケ
イ素砕片と同じ純度を有している。
【００１１】
【発明の実施の形態】搬送面は有利には小さな振幅で、
特に前方及び後方に向かって、高速振動せしめられる。
搬送面上にあるケイ素砕片はこれによって、引きずり運
動から投げ運動にまで達する流れるような前進運動をせ
しめられる。ケイ素砕片のすべての側はこの場合交番に
高純度ケイ素面に向けられている。高純度ケイ素面上で
のケイ素砕片の引きずり運動及び投げ運動によって、縁
が破砕され、表面に付着している汚染物がそぎ落とさ
れ、砕片が一様な丸みをもつようになることを観察する
ことができる。生じるダストは有利には、例えば吸出装
置によって、有利には搬送経路に沿って、特に有利には
出口において、ケイ素砕片から分離される。例えば出口
に取り付けられている電磁石あるいは永久磁石によっ
て、更に、磁気的な粒子がケイ素砕片流から分離され
る。
特に前方及び後方に向かって、高速振動せしめられる。
搬送面上にあるケイ素砕片はこれによって、引きずり運
動から投げ運動にまで達する流れるような前進運動をせ
しめられる。ケイ素砕片のすべての側はこの場合交番に
高純度ケイ素面に向けられている。高純度ケイ素面上で
のケイ素砕片の引きずり運動及び投げ運動によって、縁
が破砕され、表面に付着している汚染物がそぎ落とさ
れ、砕片が一様な丸みをもつようになることを観察する
ことができる。生じるダストは有利には、例えば吸出装
置によって、有利には搬送経路に沿って、特に有利には
出口において、ケイ素砕片から分離される。例えば出口
に取り付けられている電磁石あるいは永久磁石によっ
て、更に、磁気的な粒子がケイ素砕片流から分離され
る。
【００１２】本発明の有利な実施の形態では、第１の振
動コンベヤユニットによって丸みをもたせられたケイ素
砕片は第２の振動コンベヤに沿って案内される。第２の
振動ユニットの搬送面は有利には、例えばすき間又は穴
のような貫通開口を有している。ケイ素砕片はこの場
合、有利には平坦に、槽形にあるいは管形に構成するこ
とができかつ高純度ケイ素から製作されている搬送面上
を搬送される。この第２の振動コンベヤユニットによっ
て、丸みをもたせられたケイ素砕片が更に充分に丸みを
もたせられる。丸みをもたせられることによって、ケイ
素砕片はほぼ０.５重量％を失い、汚損金属量は６００p
pb から１００ppb に下がる。貫通開口によってケイ素
砕片は分級され、脱塵される。
動コンベヤユニットによって丸みをもたせられたケイ素
砕片は第２の振動コンベヤに沿って案内される。第２の
振動ユニットの搬送面は有利には、例えばすき間又は穴
のような貫通開口を有している。ケイ素砕片はこの場
合、有利には平坦に、槽形にあるいは管形に構成するこ
とができかつ高純度ケイ素から製作されている搬送面上
を搬送される。この第２の振動コンベヤユニットによっ
て、丸みをもたせられたケイ素砕片が更に充分に丸みを
もたせられる。丸みをもたせられることによって、ケイ
素砕片はほぼ０.５重量％を失い、汚損金属量は６００p
pb から１００ppb に下がる。貫通開口によってケイ素
砕片は分級され、脱塵される。
【００１３】
【実施例】以下においては、図面に示した実施例に基づ
いて、本発明の構成を具体的に説明する。
いて、本発明の構成を具体的に説明する。
【００１４】図１に示すように、本発明による方法を実
地するために、例えば破砕設備内で得られるような５〜
１５０mm の典型的な直径を有するケイ素砕片１は、本
発明による第１の振動コンベヤの搬送面２上に運ばれ
る。有利には小さな振幅の高速振動によって、ケイ素砕
片は出口３の方向に搬送される。高純度ケイ素から製作
された搬送面２上でのケイ素砕片１の投げ運動及び引き
ずり運動によって、縁が破砕され、表面に付着している
汚染物がそぎ落とされる。そぎ落とされた摩耗粉は、特
に有利には、出口３において吸出装置４及び電磁石又は
永久磁石１６によって丸みをもらせられたケイ素砕片か
ら分離される。
地するために、例えば破砕設備内で得られるような５〜
１５０mm の典型的な直径を有するケイ素砕片１は、本
発明による第１の振動コンベヤの搬送面２上に運ばれ
る。有利には小さな振幅の高速振動によって、ケイ素砕
片は出口３の方向に搬送される。高純度ケイ素から製作
された搬送面２上でのケイ素砕片１の投げ運動及び引き
ずり運動によって、縁が破砕され、表面に付着している
汚染物がそぎ落とされる。そぎ落とされた摩耗粉は、特
に有利には、出口３において吸出装置４及び電磁石又は
永久磁石１６によって丸みをもらせられたケイ素砕片か
ら分離される。
【００１５】有利な１実施例では、丸みをもたせられた
ケイ素砕片は第２の振動コンベヤユニットに沿って案内
される。有利には小さな振幅での搬送面の高速振動によ
って、丸みをもたせられたケイ素砕片は出口５の方向に
搬送される。高純度ケイ素から製作された搬送面６は貫
通開口７を有しており、これらの貫通開口は有利には出
口５の方向に幅若しくは直径が増大している。貫通開口
を有する搬送面上での丸みをもたせられたケイ素砕片の
処理は、ケイ素砕片に更に充分に丸みをもたせること、
ケイ素砕片の分級及び脱塵を可能にする。分級は図１に
示すように、３つの級で行われ、その際貫通開口７の大
きさに関連して、例えばまず２５mm までの直径を有す
るケイ素砕片８が、次いで２５〜１００mm の直径を有
するケイ素砕片９が、最後に第２の振動コンベヤユニッ
トの出口において直径＞１００mmの充分に丸みをもたせ
られたケイ素砕片１０が、適当な捕集容器１１，１２，
１３内に集められる。貫通開口７を有する搬送面６上で
のケイ素砕片の投げ運動及び引きずり運動によって、ケ
イ素砕片の縁が充分に破砕され、表面に付着している汚
損物が充分にそぎ落とされる。このそぎ落とされた摩耗
粉１４は有利には出口５においてかつ分級１５が行われ
た後に、例えば吸出装置４によって、丸みをもたせられ
たケイ素砕片から分離される。
ケイ素砕片は第２の振動コンベヤユニットに沿って案内
される。有利には小さな振幅での搬送面の高速振動によ
って、丸みをもたせられたケイ素砕片は出口５の方向に
搬送される。高純度ケイ素から製作された搬送面６は貫
通開口７を有しており、これらの貫通開口は有利には出
口５の方向に幅若しくは直径が増大している。貫通開口
を有する搬送面上での丸みをもたせられたケイ素砕片の
処理は、ケイ素砕片に更に充分に丸みをもたせること、
ケイ素砕片の分級及び脱塵を可能にする。分級は図１に
示すように、３つの級で行われ、その際貫通開口７の大
きさに関連して、例えばまず２５mm までの直径を有す
るケイ素砕片８が、次いで２５〜１００mm の直径を有
するケイ素砕片９が、最後に第２の振動コンベヤユニッ
トの出口において直径＞１００mmの充分に丸みをもたせ
られたケイ素砕片１０が、適当な捕集容器１１，１２，
１３内に集められる。貫通開口７を有する搬送面６上で
のケイ素砕片の投げ運動及び引きずり運動によって、ケ
イ素砕片の縁が充分に破砕され、表面に付着している汚
損物が充分にそぎ落とされる。このそぎ落とされた摩耗
粉１４は有利には出口５においてかつ分級１５が行われ
た後に、例えば吸出装置４によって、丸みをもたせられ
たケイ素砕片から分離される。
【００１６】図２に示すように、第２の振動コンベヤユ
ニットの搬送面は、有利には平行に配置された高純度ケ
イ素板１７から成り、これらの高純度ケイ素板は側方の
固定装置１８を介して固定されている。高純度ケイ素板
１７は例えば貫通孔の形の貫通開口１９を有している。
搬送縁２０はやはり高純度ケイ素板から製作されてい
て、例えば押さえ部材２１によって固定される。搬送縁
２０は搬送面の側方の仕切り部材として役立つ。ケイ素
板は有利には５〜１０cm の幅と、有利には１〜５cm の
高さと、有利には６０〜１００cm の長さとを有してい
る。第２の振動コンベヤユニットの搬送面の貫通開口は
有利には平行に配置されたケイ素板の間のすき間、ある
いは有利には円形又は角形の筒状又は円すい状の貫通部
である。図１に示したような分級のために、貫通部のす
き間の幅若しくは直径は搬送経路に沿って増大してい
る。有利には高純度ケイ素板から製作されている搬送面
は鋼板及び場合により緩衝マットによって支えられる。
以上述べた方法においてケイ素砕片に汚損物のないよう
に丸みをもたせること、ケイ素砕片を分級すること及び
脱塵することの前提は、ケイ素砕片と接触するすべての
部分のケイ素表面、有利には高純度ケイ素表面である。
特に搬送面及び側方の搬送縁が重要である。
ニットの搬送面は、有利には平行に配置された高純度ケ
イ素板１７から成り、これらの高純度ケイ素板は側方の
固定装置１８を介して固定されている。高純度ケイ素板
１７は例えば貫通孔の形の貫通開口１９を有している。
搬送縁２０はやはり高純度ケイ素板から製作されてい
て、例えば押さえ部材２１によって固定される。搬送縁
２０は搬送面の側方の仕切り部材として役立つ。ケイ素
板は有利には５〜１０cm の幅と、有利には１〜５cm の
高さと、有利には６０〜１００cm の長さとを有してい
る。第２の振動コンベヤユニットの搬送面の貫通開口は
有利には平行に配置されたケイ素板の間のすき間、ある
いは有利には円形又は角形の筒状又は円すい状の貫通部
である。図１に示したような分級のために、貫通部のす
き間の幅若しくは直径は搬送経路に沿って増大してい
る。有利には高純度ケイ素板から製作されている搬送面
は鋼板及び場合により緩衝マットによって支えられる。
以上述べた方法においてケイ素砕片に汚損物のないよう
に丸みをもたせること、ケイ素砕片を分級すること及び
脱塵することの前提は、ケイ素砕片と接触するすべての
部分のケイ素表面、有利には高純度ケイ素表面である。
特に搬送面及び側方の搬送縁が重要である。
【００１７】本発明による方法及び請求の範囲に記載し
た振動コンベヤユニットの利点は、ケイ素砕片が汚損物
なしに搬送され、分級され、かつ脱塵されることであ
り、その際驚くべきことにはケイ素砕片の鋭い破砕縁が
丸みをもつようになり、機械的・物理的な汚損物除去が
行われる。
た振動コンベヤユニットの利点は、ケイ素砕片が汚損物
なしに搬送され、分級され、かつ脱塵されることであ
り、その際驚くべきことにはケイ素砕片の鋭い破砕縁が
丸みをもつようになり、機械的・物理的な汚損物除去が
行われる。
【図１】本発明による装置の概略的側面図を示す。
【図２】側方の固定装置、高純度ケイ素から成る搬送縁
及び押さえ部材を有する搬送面を示す。
及び押さえ部材を有する搬送面を示す。
１ ケイ素砕片、 ２ 搬送面、 ３ 出口、 ４ 吸
出装置、 ５ 出口、６ 搬送面、 ７ 貫通開口、
８ 直径２５mm までのケイ素砕片、 ９直径２５〜１
００mm のケイ素砕片、 １０ 直径＞１００mm のケイ
素砕片、１１ 捕集容器、 １２ 捕集容器、 １３
捕集容器、 １４ 摩耗粉、 １５ 分級、 １６ 電
磁石又は永久磁石、 １７ 高純度ケイ素板、 １８
固定装置、 １９ 貫通開口、 ２０ 搬送縁、 ２１
押さえ部材
出装置、 ５ 出口、６ 搬送面、 ７ 貫通開口、
８ 直径２５mm までのケイ素砕片、 ９直径２５〜１
００mm のケイ素砕片、 １０ 直径＞１００mm のケイ
素砕片、１１ 捕集容器、 １２ 捕集容器、 １３
捕集容器、 １４ 摩耗粉、 １５ 分級、 １６ 電
磁石又は永久磁石、 １７ 高純度ケイ素板、 １８
固定装置、 １９ 貫通開口、 ２０ 搬送縁、 ２１
押さえ部材
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 マットホイス シャンツ
ドイツ連邦共和国 ロイト ヴィレンバ
ッハ 29
(72)発明者 フリードリッヒ シュトイテン
ドイツ連邦共和国 ブルクハウゼン カ
プツィーナーガッセ 229
(56)参考文献 特開 平７−82076（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−328546（ＪＰ，Ａ)
実開 昭61−98586（ＪＰ，Ｕ)
実公 昭39−9741（ＪＰ，Ｙ１)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
B65G 27/00
Claims (2)
- 【請求項１】 搬送面（２）が高純度ケイ素から製作さ
れ、貫通開口を有していない第１の振動コンベアユニッ
トと、搬送面（６）が高純度ケイ素から製作されかつ貫
通開口（７）を有する第２の振動コンベアユニットとを
有し、前記貫通開口（７）の大きさもしくは直径が搬出
方向に増大しており、各振動コンベアの出口に吸出装置
（４）が設けられていることを特徴とする、ケイ素砕片
を搬送する振動コンベア。 - 【請求項２】 ケイ素砕片を搬送しかつ分級する方法で
あって、ケイ素砕片を第１の振動コンベアユニットの高
純度ケイ素から製作されかつ貫通開口を有していない搬
送面を介し搬送してケイ素砕片の表面の不純物を除去
し、次いで第２の振動コンベアユニットの、同様に高純
度ケイ素から製作された搬送面を介し搬送し、第２の振
動コンベアの搬送面が有する、搬出方向に大きさもしく
は直径が増大する貫通開口によってケイ素砕片を大きさ
に応じて分級することを特徴とする、ケイ素砕片を搬送
しかつ分級する方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19914998.4 | 1999-04-01 | ||
| DE19914998A DE19914998A1 (de) | 1999-04-01 | 1999-04-01 | Schwingförderer und Verfahren zur Förderung von Siliciumbruch |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000313513A JP2000313513A (ja) | 2000-11-14 |
| JP3493167B2 true JP3493167B2 (ja) | 2004-02-03 |
Family
ID=7903341
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000092097A Expired - Lifetime JP3493167B2 (ja) | 1999-04-01 | 2000-03-29 | ケイ素砕片を搬送する振動コンベヤ及び方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6375011B1 (ja) |
| EP (1) | EP1043249B1 (ja) |
| JP (1) | JP3493167B2 (ja) |
| DE (2) | DE19914998A1 (ja) |
Families Citing this family (27)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1553214B1 (en) * | 2002-02-20 | 2011-11-23 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for using them |
| US8021483B2 (en) | 2002-02-20 | 2011-09-20 | Hemlock Semiconductor Corporation | Flowable chips and methods for the preparation and use of same, and apparatus for use in the methods |
| US6874713B2 (en) * | 2002-08-22 | 2005-04-05 | Dow Corning Corporation | Method and apparatus for improving silicon processing efficiency |
| JP4658453B2 (ja) * | 2002-11-14 | 2011-03-23 | ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション | 流動性チップ、それを製造する方法及び使用する方法並びにその方法の実施に用いる装置 |
| DE102004048948A1 (de) * | 2004-10-07 | 2006-04-20 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zum kontaminationsarmen, automatischen Brechen von Siliciumbruch |
| US7243801B2 (en) * | 2004-11-18 | 2007-07-17 | Hawker Corporation | System for removing plastic from recycled material |
| DE102006016323A1 (de) | 2006-04-06 | 2007-10-11 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zum Zerkleinern und Sortieren von Polysilicium |
| DE102006016324A1 (de) * | 2006-04-06 | 2007-10-25 | Wacker Chemie Ag | Vorrichtung und Verfahren zum flexiblen Klassieren von polykristallinen Silicium-Bruchstücken |
| DE102006035081A1 (de) | 2006-07-28 | 2008-01-31 | Wacker Chemie Ag | Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung von klassiertem polykristallinen Siliciumbruch in hoher Reinheit |
| DE102007031471A1 (de) | 2007-07-05 | 2009-01-08 | Schott Solar Gmbh | Verfahren zur Aufbereitung von Siliciummaterial |
| DE102009028166A1 (de) * | 2009-07-31 | 2011-02-03 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur Förderung von Siliciumgranulat in einer gekapselten Förderrinne |
| JP2011162367A (ja) * | 2010-02-05 | 2011-08-25 | Siltronic Japan Corp | チョクラルスキー法による無転位単結晶シリコンの製造方法 |
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