JP3473505B2 - トリフェニルアミン化合物の製造方法 - Google Patents
トリフェニルアミン化合物の製造方法Info
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- JP3473505B2 JP3473505B2 JP18248899A JP18248899A JP3473505B2 JP 3473505 B2 JP3473505 B2 JP 3473505B2 JP 18248899 A JP18248899 A JP 18248899A JP 18248899 A JP18248899 A JP 18248899A JP 3473505 B2 JP3473505 B2 JP 3473505B2
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Y02P20/50—Improvements relating to the production of bulk chemicals
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- Photoreceptors In Electrophotography (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はトリフェニルアミン
化合物の製造方法、さらに詳しくは電子写真感光体に含
有される電荷輸送材料（ホール輸送材料）として有用な
トリフェニルアミン化合物の製造方法に関するものであ
る。
化合物の製造方法、さらに詳しくは電子写真感光体に含
有される電荷輸送材料（ホール輸送材料）として有用な
トリフェニルアミン化合物の製造方法に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、電子写真方式において使用される
感光体の光導電材料として、セレン（Ｓｅ）、硫化カド
ミウム（ＣｄＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、アモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）などの無機物質が知られている。
これらの無機感光体は多くの長所を有するが、それと同
時に種々の欠点、例えば有害であること、廃棄が簡単に
できないこと、コスト高であることなどの欠点を有す
る。そのため、近年、これらの欠点のない有機物質を用
いた有機感光体が数多く提案され、実用化されている。
感光体の光導電材料として、セレン（Ｓｅ）、硫化カド
ミウム（ＣｄＳ）、硫化亜鉛（ＺｎＳ）、アモルファス
シリコン（ａ−Ｓｉ）などの無機物質が知られている。
これらの無機感光体は多くの長所を有するが、それと同
時に種々の欠点、例えば有害であること、廃棄が簡単に
できないこと、コスト高であることなどの欠点を有す
る。そのため、近年、これらの欠点のない有機物質を用
いた有機感光体が数多く提案され、実用化されている。
【０００３】これらの感光体の構造としては、電荷キャ
リアを発生する材料（以下、電荷発生材料と称する。）
と、発生した電荷キャリアを受け入れ、これを輸送する
材料（以下、電荷輸送材料と称する。）とを別々の層に
した機能分離型感光体や、これらを同一の層内で行う単
層型感光体などを例示することができる。これらの中で
は、前記機能分離型感光体が、材料選択の幅が広く、か
つ高感度化が可能なため多く採用されている。
リアを発生する材料（以下、電荷発生材料と称する。）
と、発生した電荷キャリアを受け入れ、これを輸送する
材料（以下、電荷輸送材料と称する。）とを別々の層に
した機能分離型感光体や、これらを同一の層内で行う単
層型感光体などを例示することができる。これらの中で
は、前記機能分離型感光体が、材料選択の幅が広く、か
つ高感度化が可能なため多く採用されている。
【０００４】この機能分離型感光体に用いられる電荷輸
送材料には、ポリビニルカルバゾールなどの高分子光導
電性化合物を用いる場合と、低分子光導電性化合物をバ
インダーポリマー中に分散溶解する場合とがある。高分
子光導電性化合物は、単独では製膜性、接着性が不充分
であり、これらの点を改善するために可塑剤、バインダ
ーポリマーなどが添加されるが、これらの添加により感
度の低減や残留電位の増加を引き起こすことがあり、実
用化は困難である。一方、低分子光導電性化合物はバイ
ンダーポリマーを適当に選択することによって、容易に
機械的特性の優れた感光体を得ることができるが、感度
の点で充分なものとは言えない。
送材料には、ポリビニルカルバゾールなどの高分子光導
電性化合物を用いる場合と、低分子光導電性化合物をバ
インダーポリマー中に分散溶解する場合とがある。高分
子光導電性化合物は、単独では製膜性、接着性が不充分
であり、これらの点を改善するために可塑剤、バインダ
ーポリマーなどが添加されるが、これらの添加により感
度の低減や残留電位の増加を引き起こすことがあり、実
用化は困難である。一方、低分子光導電性化合物はバイ
ンダーポリマーを適当に選択することによって、容易に
機械的特性の優れた感光体を得ることができるが、感度
の点で充分なものとは言えない。
【０００５】例えば、米国特許第３，８２０，９８９号
に記載のジアリールアルカン誘導体は、バインダーポリ
マーに対する相溶性の問題は少ないが、光に対する安定
性が悪く、これを帯電、露光を繰り返す電子写真用の感
光体の感光層に使用すると、この感光体の感度が反復使
用で徐々に低下するという欠点を有する。また、特開昭
５８−６５４４０号公報に記載されているスチルベン化
合物は、電荷保持力および感度は比較的良好であるが、
反復使用時における安定性について満足できるものでは
ない。
に記載のジアリールアルカン誘導体は、バインダーポリ
マーに対する相溶性の問題は少ないが、光に対する安定
性が悪く、これを帯電、露光を繰り返す電子写真用の感
光体の感光層に使用すると、この感光体の感度が反復使
用で徐々に低下するという欠点を有する。また、特開昭
５８−６５４４０号公報に記載されているスチルベン化
合物は、電荷保持力および感度は比較的良好であるが、
反復使用時における安定性について満足できるものでは
ない。
【０００６】特公昭６３−０１９８６７号公報に記載さ
れているモノスチリルトリフェニルアミン化合物（下記
化学式（１０１）として例示）、特公平０５−０４２６
６１号公報および特開昭６２−１２０３４６号公報に記
載されているジスチリルトリフェニルアミン化合物（下
記化学式（１０２）として例示）、特公平０６−０９３
１２４号公報および特開 昭６３−１６３３６１号公報
に記載されているトリスチリルトリフェニルアミン化合
物（下記化学式（１０３）として例示）は、電荷保持
力、感度が良好で、反復使用時における安定性も良好で
ある。しかし、電荷の移動度がまだ充分ではなく、高速
電子写真感光体用の電荷輸送材料としてはまだ満足でき
るものではない。
れているモノスチリルトリフェニルアミン化合物（下記
化学式（１０１）として例示）、特公平０５−０４２６
６１号公報および特開昭６２−１２０３４６号公報に記
載されているジスチリルトリフェニルアミン化合物（下
記化学式（１０２）として例示）、特公平０６−０９３
１２４号公報および特開 昭６３−１６３３６１号公報
に記載されているトリスチリルトリフェニルアミン化合
物（下記化学式（１０３）として例示）は、電荷保持
力、感度が良好で、反復使用時における安定性も良好で
ある。しかし、電荷の移動度がまだ充分ではなく、高速
電子写真感光体用の電荷輸送材料としてはまだ満足でき
るものではない。
【０００７】
【化３】
【０００８】前記化学式（１０１）〜（１０３）に示し
たこれらの化合物は、下記化学式（２０１）で示す、電
荷のホッピングサイトとなるトリフェニルアミン構造
が、１分子内に一つしか含まれていない。よって充分な
電荷移動度を得られないため、充分な光感度を得ること
ができないという問題があった。上述の公報において
は、これらの化合物には種々の置換基を導入してもよい
ことが記載されているが、複数個のトリフェニルアミン
を導入することは示されていない。
たこれらの化合物は、下記化学式（２０１）で示す、電
荷のホッピングサイトとなるトリフェニルアミン構造
が、１分子内に一つしか含まれていない。よって充分な
電荷移動度を得られないため、充分な光感度を得ること
ができないという問題があった。上述の公報において
は、これらの化合物には種々の置換基を導入してもよい
ことが記載されているが、複数個のトリフェニルアミン
を導入することは示されていない。
【０００９】
【化４】
【００１０】複数個のトリフェニルアミンを導入して、
上記問題を解決するものとしては、特願平０９−００２
８４４号等に記載されている、下記一般式（２）で表さ
れるトリフェニルアミン化合物がある。
上記問題を解決するものとしては、特願平０９−００２
８４４号等に記載されている、下記一般式（２）で表さ
れるトリフェニルアミン化合物がある。
【００１１】
【化５】
（式中、Ａｒ1 〜Ａｒ6 は置換基を有していてもよいフ
ェニル基を示す。Ａｒ1〜Ａｒ6基上の置換基は、炭素数
が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキ
シ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数
が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換基が
フェニル基上に複数置換していてもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ1 〜Ｒ6 は水素また
はメチル基を示し、同一であっても異なってもよい。Ｒ
7〜Ｒ12，Ｒ15〜Ｒ20，Ｒ23〜Ｒ2 8は炭素数が１から４
のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ基、炭素
数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が１から４
のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一でも異な
っていてもよい。Ｒ13，Ｒ14，Ｒ21，Ｒ22，Ｒ29，Ｒ30
は炭素数が１から４の直鎖アルキル基、炭素数が１から
４の直鎖アルコキシ基を示し、それぞれ同一でも異なっ
ていても良い。）
ェニル基を示す。Ａｒ1〜Ａｒ6基上の置換基は、炭素数
が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキ
シ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数
が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換基が
フェニル基上に複数置換していてもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ1 〜Ｒ6 は水素また
はメチル基を示し、同一であっても異なってもよい。Ｒ
7〜Ｒ12，Ｒ15〜Ｒ20，Ｒ23〜Ｒ2 8は炭素数が１から４
のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ基、炭素
数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が１から４
のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一でも異な
っていてもよい。Ｒ13，Ｒ14，Ｒ21，Ｒ22，Ｒ29，Ｒ30
は炭素数が１から４の直鎖アルキル基、炭素数が１から
４の直鎖アルコキシ基を示し、それぞれ同一でも異なっ
ていても良い。）
【００１２】このような上記一般式（２）で表されるト
リフェニルアミン化合物は、従来、４，４’，４”−ト
リホルミルトリファニルアミンもしくは４，４’，４”
−トリアセチルトリフェニルアミン等のトリカルボニル
化合物と、アミノ化合物である亜リン酸エステルとを、
塩基の存在下においてＷｉｔｔｉｇ反応で縮合させるこ
とにより製造されていた。
リフェニルアミン化合物は、従来、４，４’，４”−ト
リホルミルトリファニルアミンもしくは４，４’，４”
−トリアセチルトリフェニルアミン等のトリカルボニル
化合物と、アミノ化合物である亜リン酸エステルとを、
塩基の存在下においてＷｉｔｔｉｇ反応で縮合させるこ
とにより製造されていた。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ト
リフェニルアミン化合物の製造方法においては、その反
応過程において、トリカルボニル化合物へのカルボニル
基の複数導入を行い、また亜リン酸エステルを中間体と
して経由する必要があった。この場合、トリカルボニル
化合物に複数のカルボニル基を導入することは困難であ
ることが多く、また、亜リン酸エステルは不安定である
ことが多く、目的のトリフェニルアミン化合物を効率よ
く得ることは困難であった。
リフェニルアミン化合物の製造方法においては、その反
応過程において、トリカルボニル化合物へのカルボニル
基の複数導入を行い、また亜リン酸エステルを中間体と
して経由する必要があった。この場合、トリカルボニル
化合物に複数のカルボニル基を導入することは困難であ
ることが多く、また、亜リン酸エステルは不安定である
ことが多く、目的のトリフェニルアミン化合物を効率よ
く得ることは困難であった。
【００１４】本発明は前記事情に鑑みてなされたもの
で、上記一般式（２）で表されるトリフェニルアミン化
合物を効率よく得ることのできる製造方法を提供するこ
とを目的とする。
で、上記一般式（２）で表されるトリフェニルアミン化
合物を効率よく得ることのできる製造方法を提供するこ
とを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】次に示す、上記一般式
（２）で表されるトリフェニルアミン化合物の製造方法
を前記課題の解決方法とした。第１の発明は、下記一般
式（１）
（２）で表されるトリフェニルアミン化合物の製造方法
を前記課題の解決方法とした。第１の発明は、下記一般
式（１）
【００１６】
【化６】
（式中Ｒ31 およびＲ32 は水素またはメチル基を示し同
一でも異なっていてもよい。Ａｒ7 およびＡｒ8 は置換
基を有していてもよいフェニル基を示し、同一でも異な
っていてもよい。Ａｒ7およびＡｒ8基上の置換基は、炭
素数が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアル
コキシ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭
素数が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換
基がフェニル基上に複数置換してもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ 33〜Ｒ38は炭素数が
１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ
基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が
１から４のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一
でも異なっていてもよい。Ｒ39，Ｒ40は炭素数が１から
４の直鎖アルキル基、炭素数が１から４の直鎖アルコキ
シ基を示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ｘ
はハロゲン元素を表す。）
一でも異なっていてもよい。Ａｒ7 およびＡｒ8 は置換
基を有していてもよいフェニル基を示し、同一でも異な
っていてもよい。Ａｒ7およびＡｒ8基上の置換基は、炭
素数が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアル
コキシ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭
素数が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換
基がフェニル基上に複数置換してもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ 33〜Ｒ38は炭素数が
１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ
基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が
１から４のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一
でも異なっていてもよい。Ｒ39，Ｒ40は炭素数が１から
４の直鎖アルキル基、炭素数が１から４の直鎖アルコキ
シ基を示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ｘ
はハロゲン元素を表す。）
【００１７】で表されるハロゲン化合物とアンモニアを
反応させて１級アミノ化合物を得、ついで、この１級ア
ミノ化合物と、上記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物とを反応させることを特徴とする上記一般式（２）
で表されるトリフェニルアミン化合物の製造方法であ
る。第２の発明は、上記一般式（１）で表されるハロゲ
ン化合物の置換基Ｘが塩素原子あるいは臭素原子あるい
はヨウ素原子であることを特徴とする第１の発明のトリ
フェニルアミン化合物の製造方法である。第３の発明
は、前記一般式（１）で表されるハロゲン化合物が４−
クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチルベン
であり、前記一般式（２）の化合物が４，４’，４”−
トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）ト
リフェニルアミンであることを特徴とする第１の発明の
トリフェニルアミン化合物の製造方法である。
反応させて１級アミノ化合物を得、ついで、この１級ア
ミノ化合物と、上記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物とを反応させることを特徴とする上記一般式（２）
で表されるトリフェニルアミン化合物の製造方法であ
る。第２の発明は、上記一般式（１）で表されるハロゲ
ン化合物の置換基Ｘが塩素原子あるいは臭素原子あるい
はヨウ素原子であることを特徴とする第１の発明のトリ
フェニルアミン化合物の製造方法である。第３の発明
は、前記一般式（１）で表されるハロゲン化合物が４−
クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチルベン
であり、前記一般式（２）の化合物が４，４’，４”−
トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）ト
リフェニルアミンであることを特徴とする第１の発明の
トリフェニルアミン化合物の製造方法である。
【００１８】第４の発明は、第１〜第３のいずれかひと
つの発明において、一般式（１）で表されるハロゲン化
合物とアンモニアを反応させる際に、反応触媒を用いる
ことを特徴とするトリフェニルアミン化合物の製造方法
である。第５の発明は、第４の発明において、前記反応
触媒として、銅化合物、またはパラジウム化合物、また
は銅化合物とパラジウム化合物とを含む混合物を用いる
ことを特徴とするトリフェニルアミン化合物の製造方法
である。
つの発明において、一般式（１）で表されるハロゲン化
合物とアンモニアを反応させる際に、反応触媒を用いる
ことを特徴とするトリフェニルアミン化合物の製造方法
である。第５の発明は、第４の発明において、前記反応
触媒として、銅化合物、またはパラジウム化合物、また
は銅化合物とパラジウム化合物とを含む混合物を用いる
ことを特徴とするトリフェニルアミン化合物の製造方法
である。
【００１９】第６の発明は、反応時の圧力が常圧である
ことを特徴とする第１〜５のいずれかひとつのトリフェ
ニルアミン化合物の製造方法である。第７の発明は、反
応時の圧力が常圧よりも高いことを特徴とする第１〜５
のいずれかひとつのトリフェニルアミン化合物の製造方
法である。
ことを特徴とする第１〜５のいずれかひとつのトリフェ
ニルアミン化合物の製造方法である。第７の発明は、反
応時の圧力が常圧よりも高いことを特徴とする第１〜５
のいずれかひとつのトリフェニルアミン化合物の製造方
法である。
【００２０】第８の発明は、前記１級アミノ化合物と前
記一般式（１）で表されるハロゲン化合物とを反応させ
る際に、触媒を用いることを特徴とする第１〜７のいず
れかひとつのトリフェニルアミンの製造方法である。第
９の発明は、第８の発明において、前記触媒として銅化
合物、またはパラジウム化合物、または銅化合物とパラ
ジウム化合物とを含む混合物を用いることを特徴とする
トリフェニルアミン化合物の製造方法である。
記一般式（１）で表されるハロゲン化合物とを反応させ
る際に、触媒を用いることを特徴とする第１〜７のいず
れかひとつのトリフェニルアミンの製造方法である。第
９の発明は、第８の発明において、前記触媒として銅化
合物、またはパラジウム化合物、または銅化合物とパラ
ジウム化合物とを含む混合物を用いることを特徴とする
トリフェニルアミン化合物の製造方法である。
【００２１】
【発明の実施の形態】本発明は、上記一般式（１）で表
される１以上のハロゲン化合物（以下、単にハロゲン化
合物（１）と略記することがある。）を、アンモニアと
反応させて１級アミノ化合物を得、ついで、この１級ア
ミノ化合物と、ハロゲン化合物（１）とを反応させるこ
とを特徴とする上記一般式（２）で表されるトリフェニ
ルアミン化合物（以下、単にトリフェニルアミン化合物
（２）と略記することがある。）の製造方法である。
される１以上のハロゲン化合物（以下、単にハロゲン化
合物（１）と略記することがある。）を、アンモニアと
反応させて１級アミノ化合物を得、ついで、この１級ア
ミノ化合物と、ハロゲン化合物（１）とを反応させるこ
とを特徴とする上記一般式（２）で表されるトリフェニ
ルアミン化合物（以下、単にトリフェニルアミン化合物
（２）と略記することがある。）の製造方法である。
【００２２】上記ハロゲン化合物（１）は以下に示すよ
うにして得られるものである。まず、下記一般式（３）
で表される４−ハロゲノベンジルハライドまたは下記一
般式（４）で表される１−ハロゲノ−４−（１−ハロゲ
ノエチル）ベンゼンを亜リン酸トリエチルと反応させ
て、下記一般式（５）または一般式（６）で表される亜
リン酸エステルを得る。（反応１とする。）
うにして得られるものである。まず、下記一般式（３）
で表される４−ハロゲノベンジルハライドまたは下記一
般式（４）で表される１−ハロゲノ−４−（１−ハロゲ
ノエチル）ベンゼンを亜リン酸トリエチルと反応させ
て、下記一般式（５）または一般式（６）で表される亜
リン酸エステルを得る。（反応１とする。）
【００２３】
【化７】
【００２４】
【化８】
【００２５】次に、反応１により得られた亜リン酸エス
テルと、下記一般式（７）で表される４−ジアリールア
ミノベンズアルデヒド、または下記一般式（８）で表さ
れる４−ジアリールアミノアセトフェノンとを反応させ
る。（反応２とする。）
テルと、下記一般式（７）で表される４−ジアリールア
ミノベンズアルデヒド、または下記一般式（８）で表さ
れる４−ジアリールアミノアセトフェノンとを反応させ
る。（反応２とする。）
【００２６】
【化９】
【００２７】このとき、上記一般式（３）で表される４
−ハロゲノベンジルハライドまたは上記一般式（４）で
表される１−ハロゲノ−４−（１−ハロゲノエチル）ベ
ンゼンにおける置換基Ｘはハロゲン元素を示し、特に塩
素、臭素、ヨウ素であることが望ましい。また、置換基
Ｙはハロゲン元素を示す。置換基ＸとＹは同一でも異な
っていても良い。
−ハロゲノベンジルハライドまたは上記一般式（４）で
表される１−ハロゲノ−４−（１−ハロゲノエチル）ベ
ンゼンにおける置換基Ｘはハロゲン元素を示し、特に塩
素、臭素、ヨウ素であることが望ましい。また、置換基
Ｙはハロゲン元素を示す。置換基ＸとＹは同一でも異な
っていても良い。
【００２８】また、上記反応２は、塩基触媒下におい
て、適当な溶媒中で、室温もしくは加熱して行う。前記
塩基触媒としては、ナトリウムメチラート、ナトリウム
エチラート、カリウムｔ−ブチラートなどのアルコラー
ト、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムア
ミド、水素化ナトリウムなどが挙げられる。
て、適当な溶媒中で、室温もしくは加熱して行う。前記
塩基触媒としては、ナトリウムメチラート、ナトリウム
エチラート、カリウムｔ−ブチラートなどのアルコラー
ト、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、ナトリウムア
ミド、水素化ナトリウムなどが挙げられる。
【００２９】前記溶媒としては、トルエン、ベンゼンな
どの芳香族炭化水素、メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコールなどのアルコール類、ジオキサン、テ
トラヒドロフランなどのエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどが使用でき
る。特に、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが
好適である。また、溶媒量は特に制限はなく、１〜１０
倍重量量があれば充分である。反応２における反応温度
は、室温ないし１００℃で進行させるが、好ましくは２
０〜７０℃の間である。反応２終了後は、その反応溶液
を洗浄、抽出、乾燥等の処理をしてから、触媒を濾別等
で除去し、必要に応じて再結晶もしくはカラムクロマト
グラフィー、蒸留などの公知の方法で、得られたハロゲ
ン化合物（１）の精製を行う。
どの芳香族炭化水素、メタノール、エタノール、イソプ
ロピルアルコールなどのアルコール類、ジオキサン、テ
トラヒドロフランなどのエーテル類、Ｎ，Ｎ−ジメチル
ホルムアミド、ジメチルスルホキシドなどが使用でき
る。特に、トルエン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドが
好適である。また、溶媒量は特に制限はなく、１〜１０
倍重量量があれば充分である。反応２における反応温度
は、室温ないし１００℃で進行させるが、好ましくは２
０〜７０℃の間である。反応２終了後は、その反応溶液
を洗浄、抽出、乾燥等の処理をしてから、触媒を濾別等
で除去し、必要に応じて再結晶もしくはカラムクロマト
グラフィー、蒸留などの公知の方法で、得られたハロゲ
ン化合物（１）の精製を行う。
【００３０】次に、上述のようにして得られたハロゲン
化合物（１）を、アンモニアと反応させる（反応３とす
る）。アンモニアとの反応により、ハロゲン化合物
（１）はアミノ化され、１級アミノ化合物となる。上記
反応３に用いられる溶媒としては、ベンゼン、トルエン
などの芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フランなどのエーテル系溶媒など各種の溶媒を使用する
ことができる。
化合物（１）を、アンモニアと反応させる（反応３とす
る）。アンモニアとの反応により、ハロゲン化合物
（１）はアミノ化され、１級アミノ化合物となる。上記
反応３に用いられる溶媒としては、ベンゼン、トルエン
などの芳香族系溶媒、ジエチルエーテル、テトラヒドロ
フランなどのエーテル系溶媒など各種の溶媒を使用する
ことができる。
【００３１】上記反応３の反応触媒としては、銅触媒も
しくはパラジウム触媒もしくは銅触媒及びパラジウム触
媒の混合物が好ましく、銅触媒としては、銅粉末、第一
塩化銅、酸化銅等を用いることができる。パラジウム触
媒としては、塩化パラジウム、臭化パラジウム、酢酸パ
ラジウム等を用いることができる。また、必要に応じ
て、炭酸カリウム、ナトリウム−ｔ−ブトキシド等の塩
基触媒、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチ
ルホスフィン等のアルキルホスフィン触媒を前期触媒に
加えても良い。
しくはパラジウム触媒もしくは銅触媒及びパラジウム触
媒の混合物が好ましく、銅触媒としては、銅粉末、第一
塩化銅、酸化銅等を用いることができる。パラジウム触
媒としては、塩化パラジウム、臭化パラジウム、酢酸パ
ラジウム等を用いることができる。また、必要に応じ
て、炭酸カリウム、ナトリウム−ｔ−ブトキシド等の塩
基触媒、トリ−ｔ−ブチルホスフィン、トリ−ｎ−ブチ
ルホスフィン等のアルキルホスフィン触媒を前期触媒に
加えても良い。
【００３２】また、反応３の反応温度は常温から溶媒の
沸点までの幅広い温度で反応が可能であるが、７０℃以
上の温度で行うことが望ましい。さらに反応溶媒の沸点
もしくは沸点付近の温度で行うことがより好ましい。ま
た、反応３は通常、１気圧で行うが、アンモニアとして
アンモニアガスを用いる場合は、オートクレーブ等を用
いて１気圧以上の加圧条件下で反応を行っても良い。反
応３終了後は、その反応溶液を洗浄、抽出、乾燥等の処
理をしてから、触媒の濾別等の方法で除去し、必要に応
じて再結晶もしくはカラムクロマトグラフィー、蒸留な
どの公知の方法で、アミノ化合物の精製を行う。
沸点までの幅広い温度で反応が可能であるが、７０℃以
上の温度で行うことが望ましい。さらに反応溶媒の沸点
もしくは沸点付近の温度で行うことがより好ましい。ま
た、反応３は通常、１気圧で行うが、アンモニアとして
アンモニアガスを用いる場合は、オートクレーブ等を用
いて１気圧以上の加圧条件下で反応を行っても良い。反
応３終了後は、その反応溶液を洗浄、抽出、乾燥等の処
理をしてから、触媒の濾別等の方法で除去し、必要に応
じて再結晶もしくはカラムクロマトグラフィー、蒸留な
どの公知の方法で、アミノ化合物の精製を行う。
【００３３】最後に、反応３で得られたアミノ化合物
と、反応２により得られたハロゲン化合物（１）とを反
応させ（反応４とする）、目的のトリフェニルアミン化
合物を得る。上記反応４に用いられる溶媒、触媒として
は、反応３に用いたものと同様のものが好適に用いられ
る。また、反応４の反応温度および圧力条件も、反応３
における条件と同様にして行われることが好ましい。反
応４終了後は、その反応溶液を洗浄、乾燥等の処理をし
てから、触媒の濾別または抽出処理を行い、必要に応じ
て再結晶もしくはカラムクロマトグラフィー、蒸留など
の公知の方法で、トリフェニルアミン化合物（２）の精
製を行う。
と、反応２により得られたハロゲン化合物（１）とを反
応させ（反応４とする）、目的のトリフェニルアミン化
合物を得る。上記反応４に用いられる溶媒、触媒として
は、反応３に用いたものと同様のものが好適に用いられ
る。また、反応４の反応温度および圧力条件も、反応３
における条件と同様にして行われることが好ましい。反
応４終了後は、その反応溶液を洗浄、乾燥等の処理をし
てから、触媒の濾別または抽出処理を行い、必要に応じ
て再結晶もしくはカラムクロマトグラフィー、蒸留など
の公知の方法で、トリフェニルアミン化合物（２）の精
製を行う。
【００３４】このような製造方法によれば、従来の製造
方法において、困難であったトリフェニルアミンへのカ
ルボニル基の複数導入を行う必要はない。また、亜リン
酸エステルを中間体として経由する必要がない。よっ
て、従来の製造方法よりも効率よく、トリフェニルアミ
ン化合物（２）を得ることができる。
方法において、困難であったトリフェニルアミンへのカ
ルボニル基の複数導入を行う必要はない。また、亜リン
酸エステルを中間体として経由する必要がない。よっ
て、従来の製造方法よりも効率よく、トリフェニルアミ
ン化合物（２）を得ることができる。
【００３５】
【実施例】以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明す
るが、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施
例に限定されるものではない。 （実施例１） 〈１〉亜リン酸エステルの調製（下記反応式（９）に示
す。） まず、還流冷却器を付けた２００ｍｌのナス型フラスコ
をマグネティックスターラーにセットした。次に、この
フラスコに、４−クロロベンジルクロリド２０ｇ（１２
４ｍｍｏｌ）を入れ、ついで亜リン酸トリエチル２５ｇ
（１５０ｍｍｏｌ）を加えた。次に、このフラスコ内の
反応液を、オイルバスで加熱し、マグネティックスター
ラーで撹拌しながら、８時間還流して反応させた。反応
終了後、フラスコ内の反応液から、未反応亜リン酸トリ
エチルを、ポンプで減圧しながら留去させた。そして、
フラスコ内の反応液の残留分として亜リン酸エステル３
０．９ｇを収率９５％で得た。
るが、本発明は、その要旨を越えない限り、以下の実施
例に限定されるものではない。 （実施例１） 〈１〉亜リン酸エステルの調製（下記反応式（９）に示
す。） まず、還流冷却器を付けた２００ｍｌのナス型フラスコ
をマグネティックスターラーにセットした。次に、この
フラスコに、４−クロロベンジルクロリド２０ｇ（１２
４ｍｍｏｌ）を入れ、ついで亜リン酸トリエチル２５ｇ
（１５０ｍｍｏｌ）を加えた。次に、このフラスコ内の
反応液を、オイルバスで加熱し、マグネティックスター
ラーで撹拌しながら、８時間還流して反応させた。反応
終了後、フラスコ内の反応液から、未反応亜リン酸トリ
エチルを、ポンプで減圧しながら留去させた。そして、
フラスコ内の反応液の残留分として亜リン酸エステル３
０．９ｇを収率９５％で得た。
【００３６】
【化１０】
【００３７】〈２〉塩素化合物の調製（下記反応（１
０）に示す。） まず、乾燥管、滴下ロートを取り付けた２００ｍｌ三口
フラスコに水素化ナトリウム０．５ｇ（２０ｍｍｌ）
と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５０ｍｌを加え懸濁
液とし、マグネティックスターラーで撹拌した。次に、
このフラスコに上記〈１〉により得られた亜リン酸エス
テル５．０ｇ（１９ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹
拌した。次に、滴下ロートに４−（４’，４”−ジメチ
ルジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド５．７ｇ（１９
ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５ｍｌ溶
液を加えて４０℃で１０時間反応させた。反応終了後、
上記反応溶液に水を加え、トルエンで３回抽出を行っ
た。次に、この抽出した有機溶液を、飽和食塩水で水層
が中性になるまで洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥
した。次に、この溶液から、濾過により硫酸マグネシウ
ムを取り除いた後、トルエン溶媒を減圧下留去した。そ
して、残留分においてトルエン−リグロインの７：３混
合溶媒で再結晶を行い、４−クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ−
ジトリルアミノ）スチルベン６．６ｇを収率８５％で得
た。
０）に示す。） まず、乾燥管、滴下ロートを取り付けた２００ｍｌ三口
フラスコに水素化ナトリウム０．５ｇ（２０ｍｍｌ）
と、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５０ｍｌを加え懸濁
液とし、マグネティックスターラーで撹拌した。次に、
このフラスコに上記〈１〉により得られた亜リン酸エス
テル５．０ｇ（１９ｍｍｏｌ）を加え、室温で１時間撹
拌した。次に、滴下ロートに４−（４’，４”−ジメチ
ルジフェニルアミノ）ベンズアルデヒド５．７ｇ（１９
ｍｍｏｌ）のＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５ｍｌ溶
液を加えて４０℃で１０時間反応させた。反応終了後、
上記反応溶液に水を加え、トルエンで３回抽出を行っ
た。次に、この抽出した有機溶液を、飽和食塩水で水層
が中性になるまで洗浄した後、硫酸マグネシウムで乾燥
した。次に、この溶液から、濾過により硫酸マグネシウ
ムを取り除いた後、トルエン溶媒を減圧下留去した。そ
して、残留分においてトルエン−リグロインの７：３混
合溶媒で再結晶を行い、４−クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ−
ジトリルアミノ）スチルベン６．６ｇを収率８５％で得
た。
【００３８】
【化１１】
【００３９】〈３〉アミノ化合物の調製（下記反応式
（１１）に示す。） アンモニアトラップのついたジムロート冷却管、ガス導
入管を付けた１００ｍｌの３口フラスコに、〈２〉によ
り得た、４−クロロ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチルベン２．０ｇ（４．９ｍｍｏｌ）と炭酸カリ
ウム０．７５ｇ（５．５ｍｍｏｌ）を入れ、さらにｏ−
キシレンを３０ｍｌと塩化第一銅０．１ｇを加えた。そ
して、この混合液をマグネティックスターラーで激しく
攪拌させながら、前記ガス導入管から、アンモニアガス
を３口フラスコ内に連続的に導入し、オイルバスを用い
て混合液を加熱して１４０℃で４時間還流させた。
（１１）に示す。） アンモニアトラップのついたジムロート冷却管、ガス導
入管を付けた１００ｍｌの３口フラスコに、〈２〉によ
り得た、４−クロロ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチルベン２．０ｇ（４．９ｍｍｏｌ）と炭酸カリ
ウム０．７５ｇ（５．５ｍｍｏｌ）を入れ、さらにｏ−
キシレンを３０ｍｌと塩化第一銅０．１ｇを加えた。そ
して、この混合液をマグネティックスターラーで激しく
攪拌させながら、前記ガス導入管から、アンモニアガス
を３口フラスコ内に連続的に導入し、オイルバスを用い
て混合液を加熱して１４０℃で４時間還流させた。
【００４０】
【化１２】
【００４１】反応終了後、３口フラスコ内の反応溶液の
温度を室温まで戻し、反応溶液において１０％の塩酸５
０ｍｌを用いて３回抽出を行った。ついで、この抽出し
た塩酸溶液１５０ｍｌに１０％の水酸化ナトリウム水溶
液を加えて、この塩酸溶液をアルカリ性とした。つい
で、このアルカリ性溶液において、トルエン５０ｍｌを
用いて３回抽出を行うことにより、アミノ化合物の有機
溶液を分離した。ついで、この分離した有機溶液を飽和
食塩水で洗浄したのち、硫酸マグネシウムで乾燥した。
そして、硫酸マグネシウムを濾別して取り除いたのち
に、この溶媒を減圧下にて留去し、目的とするアミノ化
合物、４−アミノ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）
スチルベン１．０ｇを収率５２％で得た。
温度を室温まで戻し、反応溶液において１０％の塩酸５
０ｍｌを用いて３回抽出を行った。ついで、この抽出し
た塩酸溶液１５０ｍｌに１０％の水酸化ナトリウム水溶
液を加えて、この塩酸溶液をアルカリ性とした。つい
で、このアルカリ性溶液において、トルエン５０ｍｌを
用いて３回抽出を行うことにより、アミノ化合物の有機
溶液を分離した。ついで、この分離した有機溶液を飽和
食塩水で洗浄したのち、硫酸マグネシウムで乾燥した。
そして、硫酸マグネシウムを濾別して取り除いたのち
に、この溶媒を減圧下にて留去し、目的とするアミノ化
合物、４−アミノ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）
スチルベン１．０ｇを収率５２％で得た。
【００４２】〈４〉トリフェニルアミンの調製（下記反
応式（１２）に示す。） 青色シリカゲルを充填した乾燥管のついたジムロート冷
却管を付けた１００ｍｌのナスフラスコに、〈３〉によ
り得た、４−アミノ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチルベン２．０ｇ（５．１ｍｍｏｌ）と、〈２〉
より得た、４−クロロ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチルベン６．２ｇ（１５ｍｍｏｌ）を入れる。さ
らに、前記フラスコに、ナトリウム−ｔ−ブトキシド
０．４４ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．１
１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン
０．５ｍｌを加え、さらにｏ−キシレンを３０ｍｌ加え
た。そして、ガス導入管からフラスコ内にアンモニアガ
スを導入しながら、反応液をマグネティックスターラー
で激しく攪拌させ、さらにオイルバスを用いて反応液を
加熱し、１２０℃で５時間反応させた。
応式（１２）に示す。） 青色シリカゲルを充填した乾燥管のついたジムロート冷
却管を付けた１００ｍｌのナスフラスコに、〈３〉によ
り得た、４−アミノ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチルベン２．０ｇ（５．１ｍｍｏｌ）と、〈２〉
より得た、４−クロロ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチルベン６．２ｇ（１５ｍｍｏｌ）を入れる。さ
らに、前記フラスコに、ナトリウム−ｔ−ブトキシド
０．４４ｇ（５．５ｍｍｏｌ）、酢酸パラジウム０．１
１ｇ（０．５ｍｍｏｌ）、トリ−ｔ−ブチルホスフィン
０．５ｍｌを加え、さらにｏ−キシレンを３０ｍｌ加え
た。そして、ガス導入管からフラスコ内にアンモニアガ
スを導入しながら、反応液をマグネティックスターラー
で激しく攪拌させ、さらにオイルバスを用いて反応液を
加熱し、１２０℃で５時間反応させた。
【００４３】
【化１３】
【００４４】反応終了後、フラスコ内の反応溶液の温度
を室温まで戻し、反応溶液を、１０％の塩酸５０ｍｌで
１回、続いて水５０ｍｌで３回で洗浄した。ついで、こ
の溶液を、硫酸マグネシウムで乾燥したのち、硫酸マグ
ネシウムを濾別して取り除いた。ついで、この濾液から
溶媒を減圧下にて留去した。そして、この残留分におい
て、トルエン溶媒を用いてシリカゲルクロマトグラフィ
ー単離を行い、さらにトルエンーリグロイン７：３混合
溶媒を用いて再結晶を行い、４，４’，４”−トリス
（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェ
ニルアミン０．７ｇを収率３１．３％で得た。
を室温まで戻し、反応溶液を、１０％の塩酸５０ｍｌで
１回、続いて水５０ｍｌで３回で洗浄した。ついで、こ
の溶液を、硫酸マグネシウムで乾燥したのち、硫酸マグ
ネシウムを濾別して取り除いた。ついで、この濾液から
溶媒を減圧下にて留去した。そして、この残留分におい
て、トルエン溶媒を用いてシリカゲルクロマトグラフィ
ー単離を行い、さらにトルエンーリグロイン７：３混合
溶媒を用いて再結晶を行い、４，４’，４”−トリス
（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェ
ニルアミン０．７ｇを収率３１．３％で得た。
【００４５】〈５〉上記トリフェニルアミンの電子写真
感光体に適用した例 アルミニウム基板上に、メトキシメチル化ナイロン（ユ
ニチカ（株）製、Ｔ−８）よりなるアンダーコート層
（０．１μｍ厚）を形成し、該アンダーコート層上に、
ｎ型チタニルフタロシアニンとポリビニルブチラール
（積水化学（株）製、ＢＸ−１）を含む電荷発生層
（０．１μｍ厚）を形成した。さらに、その上に上記
〈４〉で得られた４，４’，４”−トリス（４−（Ｎ，
Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェニルアミンと
ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）製、ユーピロン
Ｚ−２００）（０．８：１重量比）のジクロロエタン溶
液を塗布し、９０℃で６０分間乾燥させて２０μｍ厚の
電荷輸送層を形成させた。
感光体に適用した例 アルミニウム基板上に、メトキシメチル化ナイロン（ユ
ニチカ（株）製、Ｔ−８）よりなるアンダーコート層
（０．１μｍ厚）を形成し、該アンダーコート層上に、
ｎ型チタニルフタロシアニンとポリビニルブチラール
（積水化学（株）製、ＢＸ−１）を含む電荷発生層
（０．１μｍ厚）を形成した。さらに、その上に上記
〈４〉で得られた４，４’，４”−トリス（４−（Ｎ，
Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェニルアミンと
ポリカーボネート（三菱瓦斯化学（株）製、ユーピロン
Ｚ−２００）（０．８：１重量比）のジクロロエタン溶
液を塗布し、９０℃で６０分間乾燥させて２０μｍ厚の
電荷輸送層を形成させた。
【００４６】この膜の塗工性は良好で、塗膜強度も充分
な膜が得られた。また、電子写真特性の評価は、川口電
機社製の静電記録試験装置（ＥＰＡ ８１００）を用い
て−６ｋＶのコロナ放電で帯電させた後、３秒間暗減衰
させ、５ルックスの白色光を５秒間照射し、その表面電
位が１／２になるまでの時間（秒）を求め、半減露光量
を得た。また、白色光５秒照射後の残留表面電位を測定
した。その結果、初期の半減露光量は０．２３８（ルッ
クス・秒）で、残留表面電位は−３（ボルト）であり、
優れた光感度を示した。また、１０００回後の測定値は
半減露光量０．２４１（ルックス・秒）、残留表面電位
−５（ボルト）と初期測定値とほぼ同様で、優れた繰り
返し安定性を示した。
な膜が得られた。また、電子写真特性の評価は、川口電
機社製の静電記録試験装置（ＥＰＡ ８１００）を用い
て−６ｋＶのコロナ放電で帯電させた後、３秒間暗減衰
させ、５ルックスの白色光を５秒間照射し、その表面電
位が１／２になるまでの時間（秒）を求め、半減露光量
を得た。また、白色光５秒照射後の残留表面電位を測定
した。その結果、初期の半減露光量は０．２３８（ルッ
クス・秒）で、残留表面電位は−３（ボルト）であり、
優れた光感度を示した。また、１０００回後の測定値は
半減露光量０．２４１（ルックス・秒）、残留表面電位
−５（ボルト）と初期測定値とほぼ同様で、優れた繰り
返し安定性を示した。
【００４７】（実施例２）実施例１の〈４〉の反応で用
いた４−クロロ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）ス
チルベンの代わりに、４−ブロモ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジ
トリルアミノ）スチルベン２．２ｇ（４．９ｍｏｌ）を
用いた以外は実施例１と同様にして、４，４’，４”−
トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）ト
リフェニルアミンを収率３６％で得た。
いた４−クロロ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）ス
チルベンの代わりに、４−ブロモ−４‘−（Ｎ，Ｎ−ジ
トリルアミノ）スチルベン２．２ｇ（４．９ｍｏｌ）を
用いた以外は実施例１と同様にして、４，４’，４”−
トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）ト
リフェニルアミンを収率３６％で得た。
【００４８】（実施例３）実施例１の〈４〉の反応で用
いた４−クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）ス
チルベンの代わりに、４−ヨード−４’−（Ｎ，Ｎ−ジ
トリルアミノ）スチルベン２．８ｇ（４．９ｍｍｏｌ）
を用い、実施例１と同様の反応を行うことにより、４，
４’，４”−トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）
スチリル）トリフェニルアミンを収率４５．３％で得
た。
いた４−クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）ス
チルベンの代わりに、４−ヨード−４’−（Ｎ，Ｎ−ジ
トリルアミノ）スチルベン２．８ｇ（４．９ｍｍｏｌ）
を用い、実施例１と同様の反応を行うことにより、４，
４’，４”−トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）
スチリル）トリフェニルアミンを収率４５．３％で得
た。
【００４９】（実施例４）実施例１の〈４〉の反応で用
いた、酢酸パラジウム、トリ−ｔ−ブチルホスフィンの
代わりに、塩化第一銅０．４９ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を
用いた以外は実施例１と同様の反応を行うことにより、
４，４’，４”−トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチリル）トリフェニルアミンを収率２５．３％で
得た。
いた、酢酸パラジウム、トリ−ｔ−ブチルホスフィンの
代わりに、塩化第一銅０．４９ｇ（０．５ｍｍｏｌ）を
用いた以外は実施例１と同様の反応を行うことにより、
４，４’，４”−トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミ
ノ）スチリル）トリフェニルアミンを収率２５．３％で
得た。
【００５０】実施例２〜４で得られた４，４’，４”−
トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）ト
リフェニルアミンを用いて、実施例１と同様に、電子写
真感光体を作成し、その半減露光量、残留表面電位を測
定したところ同様の結果が得られた。
トリス（４−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）ト
リフェニルアミンを用いて、実施例１と同様に、電子写
真感光体を作成し、その半減露光量、残留表面電位を測
定したところ同様の結果が得られた。
【００５１】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明の製造方法
により、高速電子写真感光体用の電荷輸送材料として有
用なトリフェニルアミン化合物を効率よく製造すること
ができる。
により、高速電子写真感光体用の電荷輸送材料として有
用なトリフェニルアミン化合物を効率よく製造すること
ができる。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ
Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１２ Ｇ０３Ｇ 5/06 ３１２
// Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００
(56)参考文献 特開 平11−279127（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−343270（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−330688（ＪＰ，Ａ)
特開 平５−255206（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−292724（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C07C 209/00
C07C 211/00
Claims (9)
- 【請求項１】 下記一般式（１） 【化１】 （式中Ｒ31 およびＲ32 は水素またはメチル基を示し同
一でも異なっていてもよい。Ａｒ7 およびＡｒ8 は置換
基を有していてもよいフェニル基を示し、同一でも異な
っていてもよい。Ａｒ7およびＡｒ8基上の置換基は、炭
素数が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアル
コキシ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭
素数が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換
基がフェニル基上に複数置換してもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ 33〜Ｒ38は炭素数が
１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ
基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が
１から４のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一
でも異なっていてもよい。Ｒ39，Ｒ40は炭素数が１から
４の直鎖アルキル基、炭素数が１から４の直鎖アルコキ
シ基を示し、それぞれ同一でも異なっていても良い。Ｘ
はハロゲン元素を表す。）で表されるハロゲン化合物と
アンモニアを反応させて１級アミノ化合物を得、つい
で、この１級アミノ化合物と、上記一般式（１）で表さ
れるハロゲン化合物とを反応させることを特徴とする下
記一般式（２） 【化２】 （式中、Ａｒ1 〜Ａｒ6 は置換基を有していてもよいフ
ェニル基を示す。Ａｒ1〜Ａｒ6基上の置換基は、炭素数
が１から４のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキ
シ基、炭素数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数
が１から４のアルキルチオ基であり、これらの置換基が
フェニル基上に複数置換していてもよく、それら置換基
は同一でも異なっていてもよい。Ｒ1 〜Ｒ6 は水素また
はメチル基を示し、同一であっても異なってもよい。Ｒ
7〜Ｒ12，Ｒ15〜Ｒ20，Ｒ23〜Ｒ2 8は炭素数が１から４
のアルキル基、炭素数が１から４のアルコキシ基、炭素
数が１から４のジアルキルアミノ基、炭素数が１から４
のアルキルチオ基であり、それら置換基は同一でも異な
っていてもよい。Ｒ13，Ｒ14，Ｒ21，Ｒ22，Ｒ29，Ｒ30
は炭素数が１から４の直鎖アルキル基、炭素数が１から
４の直鎖アルコキシ基を示し、それぞれ同一でも異なっ
ていても良い。）で表されるトリフェニルアミン化合物
の製造方法。 - 【請求項２】 前記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物の置換基Ｘが塩素原子あるいは臭素原子あるいはヨ
ウ素原子であることを特徴とする請求項１に記載のトリ
フェニルアミン化合物の製造方法。 - 【請求項３】 前記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物が４−クロロ−４’−（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）
スチルベンであり、前記一般式（２）で表されるトリフ
ェニルアミン化合物が４，４’，４”−トリス（４−
（Ｎ，Ｎ−ジトリルアミノ）スチリル）トリフェニルア
ミンであることを特徴とする請求項１に記載のトリフェ
ニルアミン化合物の製造方法。 - 【請求項４】 前記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物をアンモニアと反応させる際に、反応触媒を用いる
ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか一項に記載の
トリフェニルアミンの製造方法。 - 【請求項５】 前記反応触媒として、銅化合物、または
パラジウム化合物、または銅化合物とパラジウム化合物
とを含む混合物を用いることを特徴とする請求項４に記
載のトリフェニルアミン化合物の製造方法。 - 【請求項６】 前記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物とアンモニアの反応時の圧力が常圧であることを特
徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のトリフェ
ニルアミン化合物の製造方法。 - 【請求項７】 前記一般式（１）で表されるハロゲン化
合物とアンモニアの反応時の圧力が常圧よりも高いこと
を特徴とする請求項１〜５のいずれか一項に記載のトリ
フェニルアミン化合物の製造方法。 - 【請求項８】 前記１級アミノ化合物と前記一般式
（１）で表されるハロゲン化合物とを反応させる際に、
触媒を用いることを特徴とする請求項１〜７のいずれか
一項に記載のトリフェニルアミン化合物の製造方法。 - 【請求項９】 上記触媒として、銅化合物、またはパラ
ジウム化合物、または銅化合物とパラジウム化合物とを
含む混合物を用いることを特徴とする請求項８に記載の
トリフェニルアミン化合物の製造方法。
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