JP3910658B2

JP3910658B2 - アセナフテン化合物

Info

Publication number: JP3910658B2
Application number: JP04684496A
Authority: JP
Inventors: 厚志武居; 光利安西; 隆信渡邊; 智恵子稲吉
Original assignee: Hodogaya Chemical Co Ltd
Current assignee: Hodogaya Chemical Co Ltd
Priority date: 1996-02-09
Filing date: 1996-02-09
Publication date: 2007-04-25
Anticipated expiration: 2016-02-09
Also published as: JPH09216855A

Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、電子写真用感光体や有機電界発光素子などに用いられる電荷輸送剤として有用な新規なアセナフテン化合物に関する。
【０００２】
【従来の技術】
電子写真方式において使用される電子写真感光体としては、セレン、酸化亜鉛、硫化カドミウム、シリコン等の無機光導電性化合物を主成分とする無機感光体と、電荷発生剤と低分子量あるいは高分子量の電荷輸送剤を結着剤樹脂中に分散させた有機化合物を用いた有機感光体がある。
ここに言う電子写真方式とは、一般に光導電性材料を用いた感光体の表面に暗所で、例えばコロナ放電によって帯電させ、これに露光を行い、露光部の電荷を選択的に逸散させて静電潜像を得、これをトナ−を用いて可視化したのち紙等に転写、定着して画像を得る画像形成方法の一種である。
無機感光体はそれぞれ多くの利点があり今まで広く使用されてきたが、例えばセレンは製造する条件が難しく、製造コストが高く、熱や機械的衝撃に弱く、結晶化をおこし易いため性能が劣化してしまう。酸化亜鉛や硫化カドミウムは耐湿性や機械的強度に問題があり、また増感剤として添加された色素の帯電や露光による劣化がおこり、耐久性がでない等の欠点がある。シリコンも製造する条件が難しい事と刺激性の強いガスを使用するためコストが高く、湿度に敏感であるため取扱いに注意を要する。
【０００３】
近年、これら無機感光体の有する欠点を克服する目的で種々の有機化合物を用いた有機感光体が研究され、広く使用されるに至っている。有機感光体には電荷発生剤と電荷輸送剤を結着剤樹脂中に分散させた単層型感光体と、電荷発生層と電荷輸送層に機能分離した積層型感光体がある。機能分離型有機感光体は、各々の材料の選択肢が広いこと、組み合わせにより任意の性能を有する感光体を比較的容易に作製できる事から多くの研究がなされ広く使用されている。
【０００４】
電荷発生剤としては、例えばアゾ化合物、ビスアゾ化合物、トリスアゾ化合物、テトラキスアゾ化合物、チアピリリウム塩、スクアリリウム塩、アズレニウム塩、シアニン色素、ペリレン化合物、無金属あるいは金属フタロシアニン化合物、多環キノン化合物、チオインジゴ系化合物、またはキナクリドン系化合物等、多くの有機顔料や色素が提案され実用に供されている。
【０００５】
電荷輸送剤としては、例えば特公昭３４−５４６６号公報のオキサジアゾール化合物、特開昭５６−１２３５４４号公報のオキサゾール化合物、特公昭５２−４１８８０号公報のピラゾリン化合物、特公昭５５−４２３８０号公報や特公昭６１−４０１０４号公報、特公昭６２−３５６７３号公報、特公昭６３−３５９７６号公報のヒドラゾン化合物、特公昭５８−３２３７２号公報のジアミン化合物、特公昭６３−１８７３８号公報や特公昭６３−１９８６７号公報、特公平３−３９３０６号公報のスチルベン化合物、特開昭６２−３０２５５号公報のブタジエン化合物等がある。これらの電荷輸送剤を用いた有機感光体は優れた特性を有し、実用化されているものがあるが、電子写真方式の感光体に要求される諸特性を十分に満たすものはまだ得られていないのが現状である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】
有機感光体に用いる電荷輸送剤には、感度をはじめとする感光体としての諸特性を満足する他、光やオゾン、電気的負荷に耐える化学的安定性と繰り返し使用や長期使用によっても感度が低下しない安定性や耐久性が要求される。
本発明の目的は、これら電子感光体としての特性を充分満足させる性能を有する電荷輸送剤として有用な新規なアセナフテン化合物を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】
本発明によれば下記一般式（１）で表されるアセナフテン化合物が提供される。
【０００８】
【化３】

【０００９】
［式中、Ａｒ１は置換基を有しても良いアリール基を表し、Ａｒ２は置換基を有しても良いフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、あるいはアントリレン基を表し、Ｒ１は水素原子、炭素数が１〜４の低級アルキル基または炭素数が１〜４の低級アルコキシ基を表し、Ｘは水素原子、置換基を有しても良いアルキル基または置換基を有しても良いアリール基を表し、Ｙは置換基を有しても良いアリール基または下記一般式（２）
【００１０】
【化４】

【００１１】
（式中、Ｒ２は水素原子、炭素数が１〜４の低級アルキル基または炭素数が１〜４の低級アルコキシ基を表し、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、または炭素数が１〜４の低級アルキル基を表し、Ｚは水素原子、置換基を有しても良いアリール基を表わし、ｍおよびｎは０〜４の整数を表す。）を表わす。］
【００１２】
本発明の前記一般式（１）で表されるアセナフテン化合物は新規化合物であり、これらの化合物は相当するアミノ化合物から一般的にＵｌｌｍａｎｎ反応などによるＮ−アリ−ル化反応によって合成されるトリアリールアミン化合物をホルミル化し、相当するホスホン酸エステルとの修飾Ｗｉｔｔｉｇ反応により合成される。ホルミル化はＶｉｌｓｍｅｉｅｒ反応によるのが一般的な方法である。
例えば下記一般式（３）
【００１３】
【化５】

【００１４】
［式中、Ｒ₁ およびＹは前記一般式（１）と同じ意味を表す。］で表されるジアリールアミン化合物と下記一般式（４）
【００１５】
【化６】

【００１６】
［式中、Ａｒ₂ は前記一般式（１）と同じ意味を表し、Ａは塩素原子、臭素原子またはよう素原子を表す。］で表されるハロゲン化アリ−ル化合物とを縮合反応させることにより得られる下記一般式（５）
【００１７】
【化７】

【００１８】
［式中、Ａｒ₂ 、Ｒ₁ およびＹは前記一般式（１）と同じ意味を表す。］で表されるトリアリールアミン化合物をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアルデヒドおよびオキシ塩化リンなどによりホルミル化を行い、下記一般式（６）
【００１９】
【化８】

【００２０】
［式中、Ａｒ₂ 、Ｒ₁ およびＹは前記一般式（１）と同じ意味を表す。］で表されるアルデヒド化合物を得る。
次に、このアルデヒド化合物に下記一般式（７）
【００２１】
【化９】

【００２２】
［式中、Ａｒ₁ とＸは前記一般式（１）と同じ意味を表し、Ｒ₄ は低級アルキル基を表す。］で表されるホスホン酸エステルとを反応させ、前記一般式（１）で表される本発明のアセナフテン化合物が得られる。
また、前記一般式（１）で表される本発明のアミン化合物において、下記一般式（８）
【００２３】
【化１０】

【００２４】
［式中、Ａｒ₁、Ａｒ₂ 、Ｒ₁、Ｒ₂ 、Ｘおよびｍは前記一般式（１）および（２）と同じ意味を表す。］で表されるＮ−アリールアニリン化合物を出発物質として、前述のようにホルミル化反応を行い、下記一般式（９）
【００２５】
【化１１】

【００２６】
［式中、Ａｒ₁ 、Ａｒ₂ 、Ｒ₁ 、Ｒ₂ 、Ｘおよびｍは前記一般式（１）および（２）と同じ意味を表す。］で表されるアルデヒド化合物を合成し、更に、下記一般式（１０）
【００２７】
【化１２】

【００２８】
［式中、Ｒ₃ 、Ｒ₄ 、Ｚおよびｎは前記一般式（１）と同じ意味を表す。］で表されるホスホン酸エステルとを反応させ、前記一般式（１）においてＹが下記一般式（２）
【００２９】
【化１３】

【００３０】
で表される場合の前記一般式（１）で表される本発明のアセナフテン化合物が得られる。
【００３１】
前述のジアリールアミン化合物とハロゲン化テトラリン化合物などの縮合反応はＵｌｌｍａｎｎ反応として知られる反応であり、無溶媒下または溶媒の存在下で行う。溶媒としてはニトロベンゼンやジクロロベンゼンまたはジメチルスルホキシドなどの高沸点溶媒が用いられる。また脱酸剤として炭酸カリウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、水酸化カリウム、水酸化ナトリウムなどが用いられる。また、通常、銅粉やハロゲン化銅などの触媒を用いて反応させる。反応温度は通常１６０〜２３０℃である。
【００３２】
また、前述のアルデヒド化合物とホスホン酸エステルとの縮合反応は修飾Ｗｉｔｔｉｇ反応として知られる反応であり、好ましくは塩基性触媒の存在下で反応させる。
この場合、塩基性触媒としては、水酸化カリウム、ナトリウムアミド、ナトリウムメチラート、カリウム−ｔ−ブトキシドなどが用いられる。溶媒としてはメチルアルコール、エチルアルコール、ｔ−ブチルアルコール、トルエン、テトラヒドロフラン、ジオキサン、ジメチルスルホキシド、Ｎ、Ｎ−ジメチルホルムアミドなどが用いられる。反応温度は通常室温から１００℃である。
本発明において原料として用いられる前記一般式（７）または（１０）で表されるホスホン酸エステルは、相当するハロゲン化合物と亜リン酸トリアルキルとを直接あるいはトルエン、キシレン、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドなどの有機溶媒中で加熱反応させることにより容易に合成される。
【００３３】
前記一般式（１）において、Ａｒ₁ が置換基を有するアリール基である場合、置換基としては、炭素数が１〜４の低級アルキル基、炭素数が１〜４の低級アルコキシ基、炭素数が５〜６のシクロアルキル基、ベンジル基、フェニル基またはハロゲン原子などが挙げられ、置換基が低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基の場合は炭素数が１〜４の低級アルコキシ基やハロゲン原子で更に置換されていても良く、置換基がベンジル基あるいはフェニル基の場合は炭素数が１〜４の低級アルキル基や炭素数が１〜４の低級アルコキシ基またはハロゲン原子で更に置換されていても良い。また、Ａｒ₁ のアリール基としてはフェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、ピレニル基などが挙げられる。
Ａｒ₂ が置換基を有するフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、アントリレン基である場合、置換基としては、炭素数が１〜４の低級アルキル基、炭素数が１〜４の低級アルコキシ基またはハロゲン原子などが挙げられ、置換基が低級アルキル基あるいは低級アルコキシ基の場合は炭素数が１〜４の低級アルコキシ基やハロゲン原子で更に置換されていても良い。
【００３４】
ＸやＹあるいはＺが置換基を有するアリール基である場合、置換基としては、Ａｒ₁ が有することのできる前述した置換基と同じものが挙げられる。Ｘが置換基を有するアルキル基である場合、置換基としては、炭素数が１〜４の低級アルコキシ基、炭素数が５〜６のシクロアルキル基、ハロゲン原子などが挙げられる。また、Ｘ、ＹあるいはＺのアリール基としては、フェニル基、ナフチル基、ビフェニリル基、アントリル基、ピレニル基などが挙げられる。
【００３５】
本発明の前記一般式（１）で表される化合物の具体的な例としては次のようなものが挙げられる。
【００３６】
化合物Ｎｏ（１）
【化１４】

【００３７】
化合物Ｎｏ（２）
【化１５】

【００３８】
化合物Ｎｏ（３）
【化１６】

【００３９】
化合物Ｎｏ（４）
【化１７】

【００４０】
化合物Ｎｏ（５）
【化１８】

【００４１】
化合物Ｎｏ（６）
【化１９】

【００４２】
化合物Ｎｏ（７）
【化２０】

【００４３】
化合物Ｎｏ（８）
【化２１】

【００４４】
化合物Ｎｏ（９）
【化２２】

【００４５】
化合物Ｎｏ（１０）
【化２３】

【００４６】
化合物Ｎｏ（１１）
【化２４】

【００４７】
化合物Ｎｏ（１２）
【化２５】

【００４８】
化合物Ｎｏ（１３）
【化２６】

【００４９】
化合物Ｎｏ（１４）
【化２７】

【００５０】
化合物Ｎｏ（１５）
【化２８】

【００５１】
本発明のアセナフテン化合物を使用する電子写真用感光体は、上記のアセナフテン化合物を１種または２種以上含有した感光層を有するものである。感光層の形態としては種々のものが存在し、増感色素を用いるか、電荷発生物質を分散せしめて電荷担体を発生させる単層型や電荷発生層の上に電荷輸送層を積層した積層型、また電荷発生層と電荷輸送層の積層の順を逆にしたものや感光体表面に保護層を設けたものなどがある。
以上のような感光体は常法に従って製造される。例えば、前述した一般式（１）で表されるアセナフテン化合物を結着樹脂とともに適当な溶剤中に溶解し、必要に応じて電荷発生物質、増感色素、電子吸引性化合物あるいは可塑剤、顔料、その他添加剤を添加して調製される塗布液を導電性支持体上に塗布、乾燥して数μｍから数十μｍの感光層を形成させることにより製造することができる。電荷発生層と電荷輸送層の二層よりなる感光層の場合は、電荷発生層の上に上記塗布液を塗布するか、上記塗布液を塗布して得られる電荷輸送層の上に電荷発生層を形成させることにより製造できる。また、このようにして製造される感光体には必要に応じ、接着層、中間層、バリヤー層を設けても良い。
【００５２】
塗布液調製用の溶剤としては、テトラヒドロフラン、１，４−ジオキサン、メチルエチルケトン、シクロヘキサノン、アセトニトリル、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、酢酸エチル等の極性有機溶剤、トルエン、キシレンのような芳香族有機溶剤やジクロロメタン、ジクロロエタンのような塩素系炭化水素溶剤等があげられる。アセナフテン化合物と結着樹脂に対して溶解性の高い溶剤が好適に使用される。
【００５３】
結着樹脂としては、スチレン、酢酸ビニル、塩化ビニル、アクリル酸エステル、メタクリル酸エステル、ブタジエン等のビニル化合物の重合体および共重合体、ポリビニルアセタール、ポリカーボネート、ポリエステル、ポリフェニレンオキサイド、ポリウレタン、セルロースエステル、フェノキシ樹脂、ケイ素樹脂、エポキシ樹脂等、アセナフテン化合物と相溶性のある各種樹脂があげられる。結着樹脂の使用量は、通常アセナフテン化合物に対して０．４〜１０重量倍好ましくは０．５〜５重量倍の範囲である。
【００５４】
【発明の実施の形態】
以下、実施例により本発明を具体的に説明する。
【００５５】
実施例１（化合物Ｎｏ．１の合成）
「５−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）アセナフテンの合成」
５−アミノアセナフテン３３．８５ｇ（０．２ｍｏｌ）をヨ−ドベンゼン１０２．１ｇ（０．５ｍｏｌ）、銅粉１．３ｇ（０．０２ｍｏｌ）、無水炭酸カリウム３４．５ｇ（０．２５ｍｏｌ）、ニトロベンゼン１００ｍｌと混合し、２００℃で２６時間撹拌した。５−アミノアセナフテンと中間体である５−（Ｎ−フェニルアミノ）アセナフテンが消失しているのを確認して反応終了とした。トルエン３００ｍｌを加えて生成物を溶解し、ろ過、濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィ（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／４）により精製して、５−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）アセナフテン４８．７ｇ（収率；７５．７％、融点；１６８．５−１７０．５℃）を得た。
【００５６】
「５−［Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］アセナフテンの合成」
上記で合成した５−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）アセナフテン３２．１４ｇ（０．１ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３００ｍｌに溶解し、室温でオキシ塩化リン２２．７３ｇ（０．１５ｍｏｌ）を３０分間で滴下した。５０℃に昇温して１４時間撹拌した。５−（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）アセナフテンが消失しているのを確認して反応終了とした。反応物を９３％水酸化ナトリウム４５ｇ（１．０５ｍｏｌ）を水１０００ｍｌに溶解した水溶液に注加した。冷却して析出した結晶をろ過、水洗、乾燥して５−［Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］アセナフテン３０．２７ｇ（収率；８６．６％、融点；１３８．０−１４１．０℃）を得た。
【００５７】
「５−｛Ｎ−［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝アセナフテン（化合物Ｎｏ．１）の合成」
上記で合成した５−［Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］アセナフテン２．８０ｇ（０．００８ｍｏｌ）とジフェニルメチルホスホン酸ジエチル３．０４ｇ（０．０１ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド５０ｍｌに溶解して室温でカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド１．３５ｇ（０．０１２ｍｏｌ）を２０分かけて添加した。添加後、更に２時間攪拌した。ホルミル化合物の消失しているのを確認して反応終了とした。反応物を５℃以下でメタノール３００ｍｌに注加して、更に水３０ｍｌを滴下して析出した結晶を濾過、メタノール洗浄を行って乾燥して結晶３．３８ｇ（収率；８４．６％）を得た。この結晶３．０ｇをカラムクロマトグラフィ（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／４）により精製して５−｛Ｎ−［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝アセナフテン（化合物Ｎｏ．１）２．３０ｇ（精製収率；７６．７％、融点；１８９．０−１９０．５℃）を得た。
元素分析値はＣ₃₈Ｈ₂₉Ｎとして次に示す通りであった。炭素：９１．３９％（９１．３５％）、水素：５．７３％（５．８５％）、窒素：２．９１％（２．８０％）（計算値をかっこ内に示す。）
赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）の特性基波数（ｃｍ^-1）は３０２４、２９１４、１５８４、１４８７、１２９２、６９５等であった。
【００５８】
実施例２（化合物Ｎｏ．４の合成）
「５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝アセナフテンの合成」
実施例１で合成した５−［Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］アセナフテン２０．９６ｇ（０．０６ｍｏｌ）と４−メチルベンジルホスホン酸ジエチル１７．４４ｇ（０．０７２ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３００ｍｌに溶解して室温でカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド１０．１ｇ（０．０９ｍｏｌ）を２０分かけて添加した。添加後、更に２時間攪拌した。ホルミル化合物の消失しているのを確認して反応終了とした。反応物を５℃以下でメタノール１５００ｍｌに注加して、更に水１５０ｍｌを滴下して析出した結晶を濾過、メタノール洗浄を行って乾燥して粗結晶２２．１８ｇ（収率；８４．５％）を得た。この結晶２１．０ｇをカラムクロマトグラフィ（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／４）により精製して５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝アセナフテン（化合物Ｎｏ．４）１７．８５ｇ（精製収率；８５．０％、融点；１４８．０−１４９．０℃）を得た。
元素分析値はＣ₃₃Ｈ₂₇Ｎとして次に示す通りであった。炭素：９０．４９％（９０．５８％）、水素：６．３０％（６．２２％）、窒素：３．０２％（３．２０％）（計算値をかっこ内に示す。）
赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）の特性基波数（ｃｍ^-1）は３０２２、２９１４、１５８６、１４８７、１３０４、６９４等であった。
【００５９】
実施例３（化合物Ｎｏ．５の合成）
「５−（Ｎ−アセチルアミノ）アセナフテンの合成」
５−アミノアセナフテン６．７７ｇ（０．０４ｍｏｌ）に氷酢酸５０ｍｌを加え、６０℃で撹拌、溶解した後、無水酢酸８．１６ｇ（０．０８ｍｏｌ）を１５分間で滴下した。滴下終了後、同温度で２時間撹拌した。５−アミノアセナフテンの消失を確認して反応終了とした。反応物を氷水５００ｍｌ中に注加して析出した結晶を濾過、水洗して乾燥した。５−（Ｎ−アセチルアミノ）アセナフテン８．１５ｇ（収率；９６．４％、融点；１８０．０−１８６．０℃）を得た。
【００６０】
「５−［Ｎ−（４−トリル）アミノ］アセナフテンの合成」
上記で合成した５−（Ｎ−アセチルアミノ）アセナフテン７．３９ｇ（０．０３５ｍｏｌ）をＰ−ヨ−ドトルエン１０．９１ｇ（０．０５ｍｏｌ）、銅粉０．３２ｇ（０．００５ｍｏｌ）、無水炭酸カリウム５．５２ｇ（０．０４ｍｏｌ）、ニトロベンゼン１０ｍｌと混合し、２００℃で６時間撹拌した。５−（Ｎ−アセチルアミノ）アセナフテンが消失しているのを確認して反応終了とした。これにイソアミルアルコール１０ｍｌと８５％水酸化カリウム９．８ｇ（０．１５ｍｏｌ）を水１０ｍｌに溶解した水溶液を加えて１３０〜１４０℃で４時間加水分解反応を行った。加水分解反応の終了を確認して水１００ｍｌを加え、共沸蒸留によりイソアミルアルコールとニトロベンゼンを留去した。残留物にトルエン１００ｍｌを加えて生成物を溶解しトルエン層を分液した。トルエン層を１００ｍｌの水で洗浄後、濃縮し、得られた油状物をカラムクロマトグラフィ（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／４）により精製を行った。５−［Ｎ−（４−トリル）アミノ］アセナフテン６．５６ｇ（収率；７２．３％、融点；９６．２−９６．８℃）を得た。
【００６１】
「５−［Ｎ−（４−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ］アセナフテンの合成」
上記で合成した５−［Ｎ−（４−トリル）アミノ］アセナフテン４．６６ｇ（０．０１８ｍｏｌ）をヨ−ドベンゼン４．９９ｇ（０．０２２ｍｏｌ）、銅粉０．１３ｇ（０．００２ｍｏｌ）、無水炭酸カリウム２．７６ｇ（０．０２ｍｏｌ）、ニトロベンゼン５ｍｌと混合し、２００℃で２５時間撹拌した。５−［Ｎ−（４−トリル）アミノ］アセナフテンが消失しているのを確認して反応終了とした。トルエン１００ｍｌを加えて生成物を溶解し、ろ過、濃縮した。濃縮物をカラムクロマトグラフィ（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／４）により精製して、５−［Ｎ−（４−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ］アセナフテン５．０６ｇ（収率；８３．８％、融点；１４７．０−１４８．０℃）を得た。
【００６２】
「５−［Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ−（４−トリル）アミノ］アセナフテンの合成」
上記で合成した５−［Ｎ−（４−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ］アセナフテン４．７ｇ（０．０１４ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド３０ｍｌに溶解し、室温でオキシ塩化リン３．２２ｇ（０．０２１ｍｏｌ）を１０分間で滴下した。５０℃に昇温して１４時間撹拌した。５−［Ｎ−（４−トリル）−Ｎ−フェニルアミノ］アセナフテンが消失しているのを確認して反応終了とした。反応物を９３％水酸化ナトリウム１０ｇ（０．２３ｍｏｌ）を水２５０ｍｌに溶解した水溶液に注加した。冷却して析出した結晶をろ過、水洗、乾燥して５−［Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ−（４−トリル）アミノ］アセナフテン４．９４ｇ（収率；９７．１％）を得た。
【００６３】
「５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−（４−トリル）アミノ｝アセナフテン（化合物Ｎｏ．５）の合成」
上記で合成した５−［Ｎ−（４−ホルミルフェニル）−Ｎ−（４−トリル）アミノ］アセナフテン４．３６ｇ（０．０１２ｍｏｌ）と４−メチルベンジルホスホン酸ジエチル３．８８ｇ（０．０１６ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍｌに溶解して室温でカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド２．０２ｇ（０．０１８ｍｏｌ）を１０分かけて添加した。添加後、更に２時間攪拌した。ホルミル化合物の消失しているのを確認して反応終了とした。反応物を５℃以下でメタノール２００ｍｌに注加して、更に水５０ｍｌを滴下して析出した結晶を濾過、メタノール洗浄を行って乾燥して結晶４．４４ｇ（収率；８１．９％）を得た。この結晶４．０ｇをカラムクロマトグラフィ（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／４）により精製して５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−（４−トリル）アミノ｝アセナフテン（化合物Ｎｏ．５）３．６３ｇ（精製収率；９０．８％、融解開始温度；８７．５℃）を得た。
元素分析値はＣ₃₄Ｈ₂₉Ｎとして次に示す通りであった。炭素：９０．５１％（９０．４２％）、水素：６．５１％（６．４７％）、窒素：２．９８％（３．１０％）（計算値をかっこ内に示す。）
赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）の特性基波数（ｃｍ^-1）は３０２０、２９１６、１５９４、１５０３、１３１０、８１８等であった。
【００６４】
実施例４（化合物Ｎｏ．１４の合成）
「５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−（４−ホルミルフェニル）アミノ｝アセナフテンの合成」
実施例２で合成した５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝アセナフテン１７．５ｇ（０．０４ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド１５０ｍｌに溶解し、室温でオキシ塩化リン９．０９ｇ（０．０６ｍｏｌ）を４０分間で滴下した。５０℃に昇温して２２時間撹拌した。５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−フェニルアミノ｝アセナフテンが消失しているのを確認して反応終了とした。反応物を９３％水酸化ナトリウム２３ｇ（０．５３ｍｏｌ）を水１０００ｍｌに溶解した水溶液に注加した。冷却して析出した結晶をろ過、水洗、メタノ−ル洗浄、乾燥して結晶１７．６６ｇ（収率；９４．８％）を得た。この結晶１６．０ｇをカラムクロマトグラフィ（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／１）により精製して５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−（４−ホルミルフェニル）アミノ｝アセナフテン１２．０５ｇ（収率；７５．３％、融点；１０５．０−１０８．０℃）を得た。
【００６５】
「５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アミノ｝アセナフテン（化合物Ｎｏ．１４）の合成」
上記で合成した５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−（４−ホルミルフェニル）アミノ｝アセナフテン４．６６ｇ（０．０１ｍｏｌ）とジフェニルメチルホスホン酸ジエチル４．５６ｇ（０．０１５ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍｌに溶解して室温でカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド２．０２ｇ（０．０１８ｍｏｌ）を１０分かけて添加した。添加後、更に２時間攪拌した。ホルミル化合物の消失しているのを確認して反応終了とした。反応物を５℃以下でメタノール４００ｍｌに注加して、更に水４０ｍｌを滴下して析出した結晶を濾過、メタノール洗浄を行って乾燥して結晶４．９ｇ（収率；７９．７％）を得た。この結晶４．５ｇをカラムクロマトグラフィ（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／４）により精製して５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−［４−（２，２−ジフェニルビニル）フェニル］アミノ｝アセナフテン（化合物Ｎｏ．１４）３．８３ｇ（精製収率；８５．２％、融解開始点；１０２．０℃）を得た。
元素分析値はＣ₄₇Ｈ₃₇Ｎとして次に示す通りであった。炭素：９１．４９％（９１．６７％）、水素：６．１８％（６．０６％）、窒素：２．３３％（２．２８％）（計算値をかっこ内に示す。）
赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）の特性基波数（ｃｍ^-1）は３０２０、２９１６、１５９０、１５００、１３０６、６９８等であった。
【００６６】
実施例５（化合物Ｎｏ．１５の合成）
「５−［４，４’−ビス（４−メチルスチリル）ジフェニルアミノ］アセナフテンの合成」
実施例４で合成した５−｛Ｎ−［４−（４−メチルスチリル）フェニル］−Ｎ−（４−ホルミルフェニル）アミノ｝アセナフテン４．６６ｇ（０．０１ｍｏｌ）と４−メチルベンジルホスホン酸ジエチル２．９１ｇ（０．０１２ｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド４０ｍｌに溶解して室温でカリウム−ｔｅｒｔ−ブトキシド１．６８ｇ（０．０１５ｍｏｌ）を１０分かけて添加した。添加後、更に２時間攪拌した。ホルミル化合物の消失しているのを確認して反応終了とした。反応物を５℃以下でメタノール４００ｍｌに注加して、更に水４０ｍｌを滴下して析出した結晶を濾過、メタノール洗浄を行って乾燥して結晶５．１ｇ（収率；９２．３％）を得た。この結晶５．０ｇをカラムクロマトグラフィ（担体；シリカゲル、溶離液；トルエン／ヘキサン＝１／４）により精製して５−［４，４’−ビス（４−メチルスチリル）ジフェニルアミノ］アセナフテン（化合物Ｎｏ．１５）４．１９ｇ（精製収率；８３．８％、融解開始点；１０１．５℃）を得た。
元素分析値はＣ₄₂Ｈ₃₅Ｎとして次に示す通りであった。炭素：９１．３５％（９１．１０％）、水素：６．２５％（６．３７％）、窒素：２．４０％（２．５３％）（計算値をかっこ内に示す。）
赤外吸収スペクトル（ＫＢｒ錠剤法）の特性基波数（ｃｍ^-1）は３０２０、２９１６、１５９１、１５０４、１３０６、８２１等であった。
【００６７】
応用例１
電荷発生剤として下記ジスアゾ化合物
【００６８】
【化２９】

【００６９】
１．５部をポリエステル樹脂（バイロン２００、東洋紡（株）製）の８重量％ＴＨＦ溶液１８．５部に加え、メノウ球入りのメノウポットに入れ、遊星型微粒粉砕機（フリッツ社製）で１時間回転し、分散した。得られた分散液を導電性支持体であるアルミ蒸着ＰＥＴフィルムのアルミ面上にワイヤーバーを用いて塗布し、常圧下６０℃で２時間、更に減圧下で２時間乾燥して膜厚０．３μｍの電荷発生層を形成した。
一方、電荷輸送剤として化合物Ｎｏ．１のアセナフテン化合物１．５部をポリカーボネート樹脂（パンライトＫ−１３００、帝人化成（株）製）の８重量％ジクロロエタン溶液１８．７５部に加え超音波をかけてアセナフテン化合物を完全に溶解させた。
この溶液を前記の電荷発生層上にワイヤーバーで塗布し、常圧下６０℃で２時間、更に減圧下で２時間乾燥して膜厚２０μｍの電荷輸送層を形成せしめて、感光体を作製した。
この感光体について静電複写紙試験装置（商品名「ＥＰＡ−８１００」川口電機製作所（株）製）を用いて感度を測定した。まず、感光体を暗所で−８ｋＶのコロナ放電により帯電させ、次いで３．０ルックスの白色光で露光し、表面電位が初期表面電位の半分に減少するまでの時間（秒）を測定し、半減露光量Ｅ１／２（ルックス秒）を求めた。この感光体の初期表面電位は−１０６０Ｖで、Ｅ１／２は０．８５ルックス・秒であった。
【００７０】
比較例１
応用例１で化合物Ｎｏ．１のアセナフテン化合物を用いる代わりに、下記化合物
【００７１】
【化３０】

【００７２】
を用いる以外は応用例１と同様にして感光体を作成した。この感光体を応用例１と同様にして感度測定を行ったところ、初期表面電位は−９３０Ｖで、Ｅ１／２は１．１５ルックス・秒であった。
【００７３】
【発明の効果】
以上のように、本発明の新規なアセナフテン化合物は優れた電荷輸送能を有しており、電荷輸送材料として広範囲に利用することができる。

Claims

下記一般式（１）

［式中、Ａｒ１は置換基を有しても良いアリール基を表し、Ａｒ２は置換基を有しても良いフェニレン基、ナフチレン基、ビフェニレン基、あるいはアントリレン基を表し、Ｒ１は水素原子、炭素数が１〜４の低級アルキル基または炭素数が１〜４の低級アルコキシ基を表し、Ｘは水素原子、置換基を有しても良いアルキル基または置換基を有しても良いアリール基を表し、Ｙは置換基を有しても良いアリール基または下記一般式（２）

（式中、Ｒ２は水素原子、炭素数が１〜４の低級アルキル基または炭素数が１〜４の低級アルコキシ基を表し、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、または炭素数が１〜４の低級アルキル基を表し、Ｚは水素原子、置換基を有しても良いアリール基を表し、ｍ及びｎは０〜４の整数を表す。）で表される１価基を表す。］で表されるアセナフテン化合物。
前記したＹが置換基を有しても良いアリール基である、請求項１記載の一般式（１）で表されるアセナフテン化合物。
前記したＹが一般式（２）（式中、Ｒ２は水素原子、炭素数が１〜４の低級アルキル基または炭素数が１〜４の低級アルコキシ基を表し、Ｒ３は水素原子、ハロゲン原子、または炭素数が１〜４の低級アルキル基を表し、Ｚは水素原子、置換基を有しても良いアリール基を表し、ｍ及びｎは０〜４の整数を表す。）で表される１価基である、請求項１記載の一般式（１）で表されるアセナフテン化合物。