JP3456215B2 - カメラの測光装置 - Google Patents
カメラの測光装置Info
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- JP3456215B2 JP3456215B2 JP17829992A JP17829992A JP3456215B2 JP 3456215 B2 JP3456215 B2 JP 3456215B2 JP 17829992 A JP17829992 A JP 17829992A JP 17829992 A JP17829992 A JP 17829992A JP 3456215 B2 JP3456215 B2 JP 3456215B2
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/28—Circuitry to measure or to take account of the object contrast
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03B—APPARATUS OR ARRANGEMENTS FOR TAKING PHOTOGRAPHS OR FOR PROJECTING OR VIEWING THEM; APPARATUS OR ARRANGEMENTS EMPLOYING ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ACCESSORIES THEREFOR
- G03B7/00—Control of exposure by setting shutters, diaphragms or filters, separately or conjointly
- G03B7/08—Control effected solely on the basis of the response, to the intensity of the light received by the camera, of a built-in light-sensitive device
- G03B7/099—Arrangement of photoelectric elements in or on the camera
- G03B7/0993—Arrangement of photoelectric elements in or on the camera in the camera
- G03B7/0997—Through the lens [TTL] measuring
- G03B7/09979—Multi-zone light measuring
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure Control For Cameras (AREA)
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、カメラの測光装置に関
するものである。
するものである。
【0002】
【従来の技術】従来は、特開平2−280581に示す
如く、各受光素子の出力を加算し、その加算値が所定値
以内であるか否かを判別し、その判別結果に応じて露光
時間を制御するカメラの測光装置があった。
如く、各受光素子の出力を加算し、その加算値が所定値
以内であるか否かを判別し、その判別結果に応じて露光
時間を制御するカメラの測光装置があった。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
装置においては以下のような問題点があった。測光回路
の出力値は、被写界内の主要被写体部分の受光素子の出
力が測光下限以下や測光上限以上にならないように調節
しなければならないが、上記のような装置においては画
面全体の受光素子からの出力を加算してしまうので、逆
光時などのように主要被写体が一番暗い場合や、主要被
写体がスポットライトを浴びていて一番明るい場合等に
おいては主要被写体部分の受光素子の出力が測光下限か
ら測光上限までに入らない場合があった。
装置においては以下のような問題点があった。測光回路
の出力値は、被写界内の主要被写体部分の受光素子の出
力が測光下限以下や測光上限以上にならないように調節
しなければならないが、上記のような装置においては画
面全体の受光素子からの出力を加算してしまうので、逆
光時などのように主要被写体が一番暗い場合や、主要被
写体がスポットライトを浴びていて一番明るい場合等に
おいては主要被写体部分の受光素子の出力が測光下限か
ら測光上限までに入らない場合があった。
【0004】また、被写界内に太陽などの測光に悪影響
を及ぼすものが入っている場合にも、画面全体の出力を
全部加算してしまうと主要被写体が測光が不可能な範囲
になってしまうことがあった。更に、被写界内のある特
定領域の輝度値が適正露出値に極めて大きく寄与してい
る場合(例えば中央部重点測光やスポット測光など)に
は、画面全体の出力を加算してしまうと主要被写体が測
光範囲内に入らなくなることがあった。
を及ぼすものが入っている場合にも、画面全体の出力を
全部加算してしまうと主要被写体が測光が不可能な範囲
になってしまうことがあった。更に、被写界内のある特
定領域の輝度値が適正露出値に極めて大きく寄与してい
る場合(例えば中央部重点測光やスポット測光など)に
は、画面全体の出力を加算してしまうと主要被写体が測
光範囲内に入らなくなることがあった。
【0005】そこで本発明では、上記のような場合にお
いて主要被写体が測光下限以下や測光上限以上になって
しまうといった問題を解決することを目的としている。
いて主要被写体が測光下限以下や測光上限以上になって
しまうといった問題を解決することを目的としている。
【0006】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項1の発明は、被写界を複数の測光領域に分割
し、分割した複数の測光領域にそれぞれ入射した光強度
に比例した電荷を発生し蓄積する受光蓄積部91と、該
受光蓄積部で蓄積した電荷を転送する転送部92と、該
転送部から電荷を受取り該電荷を電圧値に変換する電圧
変換部93と、受光蓄積部の電荷蓄積の開始と終了とを
指示する蓄積ゲート部94と、電圧変換部で変換された
電圧値を用いて前記複数の測光領域でのそれぞれの輝度
値を算出する輝度算出部13と、該輝度算出部で得られ
た複数の輝度値のうち、抽出された測光領域における輝
度値を用いて適正露出値を演算する露出演算手段14と
を備えたカメラの測光装置において、露出演算手段によ
り適正露出値を演算した際に、前記抽出された測光領域
における輝度値を用いて前記受光蓄積部の次回蓄積時間
を算出し、前記蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始と終了と
を操作する蓄積時間操作手段11を備えることを特徴と
し、蓄積時間操作部11によって出力電圧を最適レベル
に調節できるようになっている。
に請求項1の発明は、被写界を複数の測光領域に分割
し、分割した複数の測光領域にそれぞれ入射した光強度
に比例した電荷を発生し蓄積する受光蓄積部91と、該
受光蓄積部で蓄積した電荷を転送する転送部92と、該
転送部から電荷を受取り該電荷を電圧値に変換する電圧
変換部93と、受光蓄積部の電荷蓄積の開始と終了とを
指示する蓄積ゲート部94と、電圧変換部で変換された
電圧値を用いて前記複数の測光領域でのそれぞれの輝度
値を算出する輝度算出部13と、該輝度算出部で得られ
た複数の輝度値のうち、抽出された測光領域における輝
度値を用いて適正露出値を演算する露出演算手段14と
を備えたカメラの測光装置において、露出演算手段によ
り適正露出値を演算した際に、前記抽出された測光領域
における輝度値を用いて前記受光蓄積部の次回蓄積時間
を算出し、前記蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始と終了と
を操作する蓄積時間操作手段11を備えることを特徴と
し、蓄積時間操作部11によって出力電圧を最適レベル
に調節できるようになっている。
【0007】請求項2の発明は、被写界の複数の焦点検
出領域から選択された一つの焦点検出領域8(81,8
2,83)に対応する前記測光領域に基づいた平均輝度
値によって、蓄積時間操作手段が蓄積ゲート部の電荷蓄
積の開始と終了とを操作することを特徴とし、被写界に
おける焦点検出領域に対応した測光領域の出力に基づい
て受光蓄積部91の出力レベルの最適化を行う。
出領域から選択された一つの焦点検出領域8(81,8
2,83)に対応する前記測光領域に基づいた平均輝度
値によって、蓄積時間操作手段が蓄積ゲート部の電荷蓄
積の開始と終了とを操作することを特徴とし、被写界に
おける焦点検出領域に対応した測光領域の出力に基づい
て受光蓄積部91の出力レベルの最適化を行う。
【0008】請求項3の発明は、被写界内の輝度分布情
報を用いて該被写界内の特定領域を設定し、該特定領域
の輝度値を用いて前記受光蓄積部の次回蓄積時間を算出
し、蓄積時間操作手段が蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始
と終了とを操作することを特徴し、蓄積時間操作部11
が、露出演算部14からの信号を受けて、被写界内のあ
る特定領域の輝度値をに基づいて受光蓄積部91の出力
レベルの最適化を行う。
報を用いて該被写界内の特定領域を設定し、該特定領域
の輝度値を用いて前記受光蓄積部の次回蓄積時間を算出
し、蓄積時間操作手段が蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始
と終了とを操作することを特徴し、蓄積時間操作部11
が、露出演算部14からの信号を受けて、被写界内のあ
る特定領域の輝度値をに基づいて受光蓄積部91の出力
レベルの最適化を行う。
【0009】請求項4の発明は、蓄積時間操作部11
が、露出演算部14からの信号を受けて、被写界内のあ
る一定輝度以下の領域についての輝度値に基づいて受光
蓄積部91の出力レベルの最適化を行う。請求項5の発
明は、被写界内の測光領域が異なる測光モードに応じ
て、前記測光領域の中から前記露出演算に重点的に寄与
した特定領域を設定する特定領域設定手段を有し、特定
領域設定手段により設定された前記特定領域の輝度値を
用いて前記受光蓄積部の次回蓄積時間を算出し、蓄積時
間操作手段が前記蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始と終了
とを操作することを特徴し、その測光領域の輝度値に基
づいて受光蓄積部91の出力レベルの最適化を行う。
が、露出演算部14からの信号を受けて、被写界内のあ
る一定輝度以下の領域についての輝度値に基づいて受光
蓄積部91の出力レベルの最適化を行う。請求項5の発
明は、被写界内の測光領域が異なる測光モードに応じ
て、前記測光領域の中から前記露出演算に重点的に寄与
した特定領域を設定する特定領域設定手段を有し、特定
領域設定手段により設定された前記特定領域の輝度値を
用いて前記受光蓄積部の次回蓄積時間を算出し、蓄積時
間操作手段が前記蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始と終了
とを操作することを特徴し、その測光領域の輝度値に基
づいて受光蓄積部91の出力レベルの最適化を行う。
【0010】請求項6の発明は、蓄積時間操作手段11
が、露出演算手段により演算された前回の適正露出値に
基づいて、前記蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始と終了と
を操作することを特徴とし、次回の適正露出値が前回の
適正露出値とあまり変動しないように受光蓄積部91の
出力レベルの最適化を行う。請求項7の発明は、受光蓄
積部91の電荷蓄積を短い時間と長い時間とを分けて行
うことで測光範囲のダイナミックレンジを広くとり、こ
の結果に基づいて最適露出値を得る。
が、露出演算手段により演算された前回の適正露出値に
基づいて、前記蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始と終了と
を操作することを特徴とし、次回の適正露出値が前回の
適正露出値とあまり変動しないように受光蓄積部91の
出力レベルの最適化を行う。請求項7の発明は、受光蓄
積部91の電荷蓄積を短い時間と長い時間とを分けて行
うことで測光範囲のダイナミックレンジを広くとり、こ
の結果に基づいて最適露出値を得る。
【0011】請求項8の発明は、一旦ダイナミックレン
ジを広くとった後は、被写体の適正露光に応じたダイナ
ミックレンジで最適露出値を得る。請求項9,10の発明
は、測光の開始時には予め定められた蓄積時間で行うこ
とで測光範囲のダイナミックレンジを広くとることがで
きる。
ジを広くとった後は、被写体の適正露光に応じたダイナ
ミックレンジで最適露出値を得る。請求項9,10の発明
は、測光の開始時には予め定められた蓄積時間で行うこ
とで測光範囲のダイナミックレンジを広くとることがで
きる。
【0012】
【作用】本発明においては、図1における露出演算部1
4から露出演算に最も寄与した領域の情報を受けた蓄積
時間操作部11によって受光素子9の出力電圧レベルを
調節できるようにしたので、以下の場合においても主要
被写体が測光下限以下や測光上限以上になってしまうこ
となく最適の出力レベルを得ることができる。 (1)逆光時などのように主要被写体が一番暗い場合や、
主要被写体がスポットライトを浴びていて一番明るい場
合。 (2)被写界内に太陽などの測光に悪影響を及ぼす物体が
入っている場合。 (3)被写界内のある特定領域の輝度値が適正露出値に極
めて大きく寄与している場合。 (4)被写界内の主要被写体が画面全体の輝度の平均値か
ら著しくずれており、画面全体の平均値で出力レベルを
決定すると主要被写体が最適レベルにならない場合。
4から露出演算に最も寄与した領域の情報を受けた蓄積
時間操作部11によって受光素子9の出力電圧レベルを
調節できるようにしたので、以下の場合においても主要
被写体が測光下限以下や測光上限以上になってしまうこ
となく最適の出力レベルを得ることができる。 (1)逆光時などのように主要被写体が一番暗い場合や、
主要被写体がスポットライトを浴びていて一番明るい場
合。 (2)被写界内に太陽などの測光に悪影響を及ぼす物体が
入っている場合。 (3)被写界内のある特定領域の輝度値が適正露出値に極
めて大きく寄与している場合。 (4)被写界内の主要被写体が画面全体の輝度の平均値か
ら著しくずれており、画面全体の平均値で出力レベルを
決定すると主要被写体が最適レベルにならない場合。
【0013】
【実施例】図1は、本発明の実施例の構成を表すブロッ
ク図である。撮影レンズ1を通過した光束は、メインミ
ラー2、拡散スクリーン3、ペンタプリズム4、接眼レ
ンズ5を通って撮影者の目に到達する。一方、拡散スク
リーン3によって拡散された光束の一部は、ペンタプリ
ズム4、測光用レンズ6を通過して受光素子9へ到達す
る。
ク図である。撮影レンズ1を通過した光束は、メインミ
ラー2、拡散スクリーン3、ペンタプリズム4、接眼レ
ンズ5を通って撮影者の目に到達する。一方、拡散スク
リーン3によって拡散された光束の一部は、ペンタプリ
ズム4、測光用レンズ6を通過して受光素子9へ到達す
る。
【0014】受光素子9は、例えばCCDセンサのよう
な蓄積型の受光素子であり、受光蓄積部91と、転送部
92と、電圧変換部93と、蓄積ゲート部94とからな
る。受光蓄積部91は、横24個、縦16個のマトリク
ス状に複数の受光セグメント(24×16=384個)
を配置しており、それぞれのセグメントで発生した電荷
を蓄積する。また、受光蓄積部91は、ちょうど撮影画
面に相当する被写界を測光するようになっている。な
お、測光領域の分割状態を被写界上に照らし合わせたと
きの図を3図に示す。
な蓄積型の受光素子であり、受光蓄積部91と、転送部
92と、電圧変換部93と、蓄積ゲート部94とからな
る。受光蓄積部91は、横24個、縦16個のマトリク
ス状に複数の受光セグメント(24×16=384個)
を配置しており、それぞれのセグメントで発生した電荷
を蓄積する。また、受光蓄積部91は、ちょうど撮影画
面に相当する被写界を測光するようになっている。な
お、測光領域の分割状態を被写界上に照らし合わせたと
きの図を3図に示す。
【0015】転送部92へは、タイミング回路10から
電荷の転送に必要なクロックパルスが供給されており、
受光蓄積部91で蓄積した電荷を1画素ずつ電圧変換部
93へ転送するような構成になっている。電圧変換部9
3では、送られてきた384個の画素の電荷信号を同数
の電圧レベル値に変換して出力端子からA/D変換部1
2へ出力する。蓄積ゲート部94は、蓄積時間操作部1
1からの信号を受けて受光蓄積部91に電荷蓄積の開始
と終了を指令するゲートであり、このゲートにパルス信
号を送ることによって電荷蓄積の開始及び終了を操作す
る。
電荷の転送に必要なクロックパルスが供給されており、
受光蓄積部91で蓄積した電荷を1画素ずつ電圧変換部
93へ転送するような構成になっている。電圧変換部9
3では、送られてきた384個の画素の電荷信号を同数
の電圧レベル値に変換して出力端子からA/D変換部1
2へ出力する。蓄積ゲート部94は、蓄積時間操作部1
1からの信号を受けて受光蓄積部91に電荷蓄積の開始
と終了を指令するゲートであり、このゲートにパルス信
号を送ることによって電荷蓄積の開始及び終了を操作す
る。
【0016】A/D変換部12は、受光素子9からの電
圧信号をコンピュータが認識可能な数値信号に変換し、
輝度算出部13へ出力する。輝度算出部13では、レン
ズ内ROM7から入力した撮影レンズに関する情報k
(m,n)と、蓄積時間操作部11から入力した蓄積時
間tと、A/D変換部12からの信号Vとを用いて、3
84個の輝度値BV(m,n)を以下に示す数式1によ
って求める。
圧信号をコンピュータが認識可能な数値信号に変換し、
輝度算出部13へ出力する。輝度算出部13では、レン
ズ内ROM7から入力した撮影レンズに関する情報k
(m,n)と、蓄積時間操作部11から入力した蓄積時
間tと、A/D変換部12からの信号Vとを用いて、3
84個の輝度値BV(m,n)を以下に示す数式1によ
って求める。
【0017】
【数1】
【0018】なお、輝度値BV(m,n)は、図3にお
けるマトリクス状の複数の測光領域のそれぞれ左からm
番目、下からn番目の領域を示している。また、撮影レ
ンズに関する情報k(m,n)は、開放F値、射出瞳位
置、ビグネッティング情報等から求められる撮影レンズ
における各測光領域に固有の補正係数である。露出演算
部14では、輝度算出部13、焦点検出部8、測光モー
ド設定部15からの信号を受けて露出演算を行い、適正
露出値を算出する。なお、上記数1は、右辺に対して2
を底とする対数で表現すると、アペックス方式に基づく
輝度値に変換することができ、数5のようになる。これ
は、信号Vを対数圧縮させて輝度値BVを求めるもので
あり、このような変換は公知である。
けるマトリクス状の複数の測光領域のそれぞれ左からm
番目、下からn番目の領域を示している。また、撮影レ
ンズに関する情報k(m,n)は、開放F値、射出瞳位
置、ビグネッティング情報等から求められる撮影レンズ
における各測光領域に固有の補正係数である。露出演算
部14では、輝度算出部13、焦点検出部8、測光モー
ド設定部15からの信号を受けて露出演算を行い、適正
露出値を算出する。なお、上記数1は、右辺に対して2
を底とする対数で表現すると、アペックス方式に基づく
輝度値に変換することができ、数5のようになる。これ
は、信号Vを対数圧縮させて輝度値BVを求めるもので
あり、このような変換は公知である。
【数5】BV(m,n)=log(V(m,n)
・
k(m,n)/t)/log
(2) この数5を用いることによって、割り算を行わず、単に
引き算にして計算を簡易にすることができる。
(2) この数5を用いることによって、割り算を行わず、単に
引き算にして計算を簡易にすることができる。
【0019】測光モード設定部15は、被写界全体の輝
度値を用いて露出演算を行うマルチパターン測光モード
と、被写界の中心部付近を重点的に測光して露出演算を
行う中央部重点測光モードと、被写界の中心部の極めて
小さな領域を測光して露出演算を行うスポット測光モー
ドとからいずれか1つの測光モードを選択する手段であ
る。尚、露出演算の方法については図5を用いて後述す
る。
度値を用いて露出演算を行うマルチパターン測光モード
と、被写界の中心部付近を重点的に測光して露出演算を
行う中央部重点測光モードと、被写界の中心部の極めて
小さな領域を測光して露出演算を行うスポット測光モー
ドとからいずれか1つの測光モードを選択する手段であ
る。尚、露出演算の方法については図5を用いて後述す
る。
【0020】焦点検出部8は、撮影レンズ1を通った光
束の一部がメインミラー2を通過し、サブミラー17に
よって導かれた光束を、公知の位相差検出法によって図
2に示すような撮影画面内の3カ所の焦点検出領域8
1,82,83についてそれぞれ焦点検出を行い、それ
らの領域から1カ所の領域を選択し、選択した領域が合
焦状態になるように不図示のモーターによって撮影レン
ズ1を駆動する。領域選択の方法としては、撮影者から
最も近距離の領域を選択する至近優先方式、最もデフォ
ーカス量の小さい領域を選択する現状優先方式等があ
る。
束の一部がメインミラー2を通過し、サブミラー17に
よって導かれた光束を、公知の位相差検出法によって図
2に示すような撮影画面内の3カ所の焦点検出領域8
1,82,83についてそれぞれ焦点検出を行い、それ
らの領域から1カ所の領域を選択し、選択した領域が合
焦状態になるように不図示のモーターによって撮影レン
ズ1を駆動する。領域選択の方法としては、撮影者から
最も近距離の領域を選択する至近優先方式、最もデフォ
ーカス量の小さい領域を選択する現状優先方式等があ
る。
【0021】また、AFモード設定部16は、焦点検出
領域81,82,83のうちのいずれか1領域を自動的
に決めないで人為的に選択させる手段で、3つの領域の
うちのいずれか1領域が設定されていた場合には、各焦
点検出領域の検出結果にかかわらず設定された焦点検出
領域が選択されるようになっている。蓄積時間操作部1
1へは露出演算部14からの信号が入力されており、そ
の信号に基づいて蓄積時間操作部11は後述する受光素
子9の最適蓄積時間(3)を演算し、受光素子9の蓄積ゲ
ート94を通じて蓄積時間のコントロールを行う。
領域81,82,83のうちのいずれか1領域を自動的
に決めないで人為的に選択させる手段で、3つの領域の
うちのいずれか1領域が設定されていた場合には、各焦
点検出領域の検出結果にかかわらず設定された焦点検出
領域が選択されるようになっている。蓄積時間操作部1
1へは露出演算部14からの信号が入力されており、そ
の信号に基づいて蓄積時間操作部11は後述する受光素
子9の最適蓄積時間(3)を演算し、受光素子9の蓄積ゲ
ート94を通じて蓄積時間のコントロールを行う。
【0022】《蓄積時間を操作する必要性についての説
明》次に、蓄積時間操作部11によって受光素子9の蓄
積時間を操作する必要性について説明する。一般に、カ
メラの測光装置に要求される測光範囲は、EV0〜EV
20、すなわちダイナミックレンジにして20EV程度
である。ところが、現在のCCDでは、ダイナミックレ
ンジは高々10EV程度しかない。そこで、CCDの蓄
積時間を操作して、要求される測光範囲を主要被写体を
含む最適レベルに設定する必要が生じるのである。
明》次に、蓄積時間操作部11によって受光素子9の蓄
積時間を操作する必要性について説明する。一般に、カ
メラの測光装置に要求される測光範囲は、EV0〜EV
20、すなわちダイナミックレンジにして20EV程度
である。ところが、現在のCCDでは、ダイナミックレ
ンジは高々10EV程度しかない。そこで、CCDの蓄
積時間を操作して、要求される測光範囲を主要被写体を
含む最適レベルに設定する必要が生じるのである。
【0023】具体的には、被写界での輝度値がEV0〜
EV20であると、受光素子面上での照度はおよそ0.
01Lx〜10000Lxである。受光素子の感度は、
約20V/Lx×Secであり、飽和出力は約2Vである
ので、蓄積時間が10μSecである時には測光範囲は約
EV10〜EV20であり、蓄積時間が10mSecであ
る時には測光範囲はEV0〜EV10となる。すなわ
ち、受光素子の蓄積時間を10μSecと10mSecとで
操作することにより、はじめてカメラの測光装置に要求
される測光範囲であるEV0〜EV20のダイナミック
レンジが実現可能になるのである。
EV20であると、受光素子面上での照度はおよそ0.
01Lx〜10000Lxである。受光素子の感度は、
約20V/Lx×Secであり、飽和出力は約2Vである
ので、蓄積時間が10μSecである時には測光範囲は約
EV10〜EV20であり、蓄積時間が10mSecであ
る時には測光範囲はEV0〜EV10となる。すなわ
ち、受光素子の蓄積時間を10μSecと10mSecとで
操作することにより、はじめてカメラの測光装置に要求
される測光範囲であるEV0〜EV20のダイナミック
レンジが実現可能になるのである。
【0024】なお、上記理由によりCCDを用いて測光
を行う場合には、1回の測光での測光範囲は10EVの
範囲に限定されるが、銀塩フィルムのダイナミックレン
ジは10EVよりも更に小さいので問題は生じない。 《メインアルゴリズムの説明》図4は、本発明のメイン
アルゴリズムを示すフローチャートである。以下、ステ
ップ毎に説明を加える。 #301:kを初期値である1にセットする。 #302:蓄積時間t(1) を初期値にセットする。初期
値の蓄積時間t(1) は10μSecとする。従って、受光
素子9が測光できる範囲はEV10〜EV20となる。 #303:カメラが不図示のAF(オートフォーカス)
−MF(マニュアルフォーカス)切り換えスイッチによ
ってAFモードになっているかどうか、すなわちピント
調整が自動になっているかどうかを判別する。自動にな
っている場合には#304へ進み、自動になっていない
場合には#306へ進む。 #304:ピント調整が自動になっている場合には焦点
検出部8で焦点検出を行い、焦点検出領域81,82,
83から、焦点を合わせるべき領域を至近優先方式、現
状優先方式等によって選択する。
を行う場合には、1回の測光での測光範囲は10EVの
範囲に限定されるが、銀塩フィルムのダイナミックレン
ジは10EVよりも更に小さいので問題は生じない。 《メインアルゴリズムの説明》図4は、本発明のメイン
アルゴリズムを示すフローチャートである。以下、ステ
ップ毎に説明を加える。 #301:kを初期値である1にセットする。 #302:蓄積時間t(1) を初期値にセットする。初期
値の蓄積時間t(1) は10μSecとする。従って、受光
素子9が測光できる範囲はEV10〜EV20となる。 #303:カメラが不図示のAF(オートフォーカス)
−MF(マニュアルフォーカス)切り換えスイッチによ
ってAFモードになっているかどうか、すなわちピント
調整が自動になっているかどうかを判別する。自動にな
っている場合には#304へ進み、自動になっていない
場合には#306へ進む。 #304:ピント調整が自動になっている場合には焦点
検出部8で焦点検出を行い、焦点検出領域81,82,
83から、焦点を合わせるべき領域を至近優先方式、現
状優先方式等によって選択する。
【0025】また、AFモード設定部16で、焦点検出
領域81,82,83のうちのいずれか1領域が選択さ
れている場合には、その1領域で焦点検出を行う。 #305:#304で選択した焦点検出領域のピントが
合うように、撮影レンズ1を不図示のモーターで駆動す
る。 #306:ピント調整が自動又は手動で行われた後、設
定されている蓄積時間よって測光を行い、384個の輝
度値を所定のメモリに格納する。
領域81,82,83のうちのいずれか1領域が選択さ
れている場合には、その1領域で焦点検出を行う。 #305:#304で選択した焦点検出領域のピントが
合うように、撮影レンズ1を不図示のモーターで駆動す
る。 #306:ピント調整が自動又は手動で行われた後、設
定されている蓄積時間よって測光を行い、384個の輝
度値を所定のメモリに格納する。
【0026】なお、設定されている蓄積時間とは、#3
02でセットされた蓄積時間t(1)であったり,後述す
る#308でセットされた蓄積時間t(2) であったり,
後述する#313でセットされた蓄積時間t(3) であっ
たりする。 #307:kが1であるかどうか、即ち初期設定のまま
か否かを判別する。k=1の時は#308へ進み、k≠
1の時は#309へ進む。 #308:k=1の時は2回目の測光の蓄積時間t(2)
を設定する。この場合は蓄積時間t(2) は、10mSec
とする。従って受光素子9が測光できる範囲はEV0〜
EV10となる。 #309:kをインクリメント、即ち、k=k+1とす
る。そして#303に再び戻る。 #310:k≠1の時は、kが2であるかどうかを判別
する。k=2の時は#311へ進み、k≠2の時は#3
12へ進む。 #311:k=2の時は輝度値を合成する。つまり、k
=1の時の受光素子9が測光できる範囲はEV10〜E
V20であり、k=2の時の受光素子9が測光できる範
囲はEV0〜EV10であるので、これら2回の測光結
果に基づいてダイナミックレンジがEV0〜EV20で
ある輝度値を作成する。具体的には、k=1における#
306で蓄えた384個の輝度値を読出し、EV10以
下である領域についてはk=2の時の輝度値を測光結果
として輝度値を合成する。
02でセットされた蓄積時間t(1)であったり,後述す
る#308でセットされた蓄積時間t(2) であったり,
後述する#313でセットされた蓄積時間t(3) であっ
たりする。 #307:kが1であるかどうか、即ち初期設定のまま
か否かを判別する。k=1の時は#308へ進み、k≠
1の時は#309へ進む。 #308:k=1の時は2回目の測光の蓄積時間t(2)
を設定する。この場合は蓄積時間t(2) は、10mSec
とする。従って受光素子9が測光できる範囲はEV0〜
EV10となる。 #309:kをインクリメント、即ち、k=k+1とす
る。そして#303に再び戻る。 #310:k≠1の時は、kが2であるかどうかを判別
する。k=2の時は#311へ進み、k≠2の時は#3
12へ進む。 #311:k=2の時は輝度値を合成する。つまり、k
=1の時の受光素子9が測光できる範囲はEV10〜E
V20であり、k=2の時の受光素子9が測光できる範
囲はEV0〜EV10であるので、これら2回の測光結
果に基づいてダイナミックレンジがEV0〜EV20で
ある輝度値を作成する。具体的には、k=1における#
306で蓄えた384個の輝度値を読出し、EV10以
下である領域についてはk=2の時の輝度値を測光結果
として輝度値を合成する。
【0027】なお、かかる#311の動作は、スタート
後1度しか行われない。 #312:輝度値に基づいて露出演算部13で露出演算
を行い適正露出値BVansを求める。露出演算方法に
ついては図5で詳しく説明する。 #313:蓄積時間操作部11によって次の測光時(#
306)で使用する蓄積時間(3) を演算する。この演算
では、後述する#411で得られる重点領域を使って蓄
積時間t(3) を演算する。蓄積時間演算方法については
図6で詳しく説明する。 #314:不図示のレリーズボタンが押されているかど
うかを判別する。レリーズボタンが押されていない場合
は#309に進みnかインクリメントされ#303に戻
り、レリーズボタンが押されている場合は#315に進
む。 #315:#312で行われた露出演算結果に基づい
て、不図示のシャッターと絞りによって露出制御を行
う。 なお、#302で蓄積時間t(1) の初期値を10μSec
とし、#308で蓄積時間t(2) を10mSecと設定し
たが、蓄積時間t(1) を10mSecとし蓄積時間t(2)
を10μSecとしてもよい。また、#302で行なった
蓄積時間t(1)1回のみでダイナミックレンジを満足し
てしまった(例えば、被写体の輝度が10EV〜20E
Vに全て入っている)場合には、k=2を設定するよう
にして#308で蓄積時間t(2) の測光を行わないよう
にしてもよい。
後1度しか行われない。 #312:輝度値に基づいて露出演算部13で露出演算
を行い適正露出値BVansを求める。露出演算方法に
ついては図5で詳しく説明する。 #313:蓄積時間操作部11によって次の測光時(#
306)で使用する蓄積時間(3) を演算する。この演算
では、後述する#411で得られる重点領域を使って蓄
積時間t(3) を演算する。蓄積時間演算方法については
図6で詳しく説明する。 #314:不図示のレリーズボタンが押されているかど
うかを判別する。レリーズボタンが押されていない場合
は#309に進みnかインクリメントされ#303に戻
り、レリーズボタンが押されている場合は#315に進
む。 #315:#312で行われた露出演算結果に基づい
て、不図示のシャッターと絞りによって露出制御を行
う。 なお、#302で蓄積時間t(1) の初期値を10μSec
とし、#308で蓄積時間t(2) を10mSecと設定し
たが、蓄積時間t(1) を10mSecとし蓄積時間t(2)
を10μSecとしてもよい。また、#302で行なった
蓄積時間t(1)1回のみでダイナミックレンジを満足し
てしまった(例えば、被写体の輝度が10EV〜20E
Vに全て入っている)場合には、k=2を設定するよう
にして#308で蓄積時間t(2) の測光を行わないよう
にしてもよい。
【0028】《露出演算の説明》図5は、実施例の露出
演算部13における露出演算サブルーチンを示すフロー
チャートである。以下、ステップ毎に説明を加える。 #401:測光モード設定部15によって測光モードが
マルチパターン測光に設定されているかどうかを判別
し、マルチパターン測光でない場合には#402へ進
み、マルチパターン測光であった場合には#405へ進
む。 #402:測光モード設定部15によって測光モードが
中央部重点測光に設定されているかどうかを判別し、中
央部重点測光でなかった場合には#403へ進み、中央
部重点測光であった場合には#404へ進む。 #403:適正露出値BVansとしてスポット輝度値
を代入する。スポット輝度値は、図3における測光領域
(12,8),(13,8),(12,9),(13,9)によって構成される太枠
で示したグループ1領域における輝度値BV(12,8),BV(1
3,8),BV(12,9),BV(13,9) の平均値によって与えられ
る。
演算部13における露出演算サブルーチンを示すフロー
チャートである。以下、ステップ毎に説明を加える。 #401:測光モード設定部15によって測光モードが
マルチパターン測光に設定されているかどうかを判別
し、マルチパターン測光でない場合には#402へ進
み、マルチパターン測光であった場合には#405へ進
む。 #402:測光モード設定部15によって測光モードが
中央部重点測光に設定されているかどうかを判別し、中
央部重点測光でなかった場合には#403へ進み、中央
部重点測光であった場合には#404へ進む。 #403:適正露出値BVansとしてスポット輝度値
を代入する。スポット輝度値は、図3における測光領域
(12,8),(13,8),(12,9),(13,9)によって構成される太枠
で示したグループ1領域における輝度値BV(12,8),BV(1
3,8),BV(12,9),BV(13,9) の平均値によって与えられ
る。
【0029】なお、測光領域(X,Y)は、図3における測
光領域の左からX番目、下からY番目の領域を示してい
る。具体的には、数式2にm0=12,m1=13,n0=8,n1=9,k=4
を代入して求められる。その後#411に進む。
光領域の左からX番目、下からY番目の領域を示してい
る。具体的には、数式2にm0=12,m1=13,n0=8,n1=9,k=4
を代入して求められる。その後#411に進む。
【0030】
【数2】
【0031】#404:適正露出値BVansとして中
央部重点輝度値を代入する。中央重点輝度値は図3にお
ける測光領域(9,5),(16,5),(16,12),(9,12)の四隅に囲
まれる領域、即ちグループ4領域の太枠で示した正方形
内における輝度値の平均値によって与えられる。具体的
には、数式2にm0=9,m1=16,n0=5,n1=12、k=64を代入して
求められる。その後#411に進む。 #405:マルチパターン測光であった場合には、不図
示のAF−MF切り換えスイッチによりピント調節が自
動になっているか手動になっているかを判別し、自動に
なっている場合には#406へ進み、手動である場合に
は#408へ進む。 #406:ピント調節が自動になっている時は焦点検出
部8とAFモード設定手段16との情報に基づいて選択
されている焦点検出領域を読み込む。 #407:#406で読み込んだ焦点検出領域の位置情
報を基に、以下のようにして露出演算値を求める。ま
ず、選択された焦点検出領域の位置から対応したスポッ
ト測光領域を選択する。すなわち選択された焦点領域が
図2における領域81であった場合には、スポット測光
領域として図3の太枠で示したグループ2領域を、同様
にして領域82であった場合にはグループ1領域を、領
域83であった場合にはグループ3領域をそれぞれ選択
する。
央部重点輝度値を代入する。中央重点輝度値は図3にお
ける測光領域(9,5),(16,5),(16,12),(9,12)の四隅に囲
まれる領域、即ちグループ4領域の太枠で示した正方形
内における輝度値の平均値によって与えられる。具体的
には、数式2にm0=9,m1=16,n0=5,n1=12、k=64を代入して
求められる。その後#411に進む。 #405:マルチパターン測光であった場合には、不図
示のAF−MF切り換えスイッチによりピント調節が自
動になっているか手動になっているかを判別し、自動に
なっている場合には#406へ進み、手動である場合に
は#408へ進む。 #406:ピント調節が自動になっている時は焦点検出
部8とAFモード設定手段16との情報に基づいて選択
されている焦点検出領域を読み込む。 #407:#406で読み込んだ焦点検出領域の位置情
報を基に、以下のようにして露出演算値を求める。ま
ず、選択された焦点検出領域の位置から対応したスポッ
ト測光領域を選択する。すなわち選択された焦点領域が
図2における領域81であった場合には、スポット測光
領域として図3の太枠で示したグループ2領域を、同様
にして領域82であった場合にはグループ1領域を、領
域83であった場合にはグループ3領域をそれぞれ選択
する。
【0032】そして、選択されたスポット測光領域の輝
度値を#403と同様にして数式2により求める。そし
て、画面全体の輝度値の平均値を同様に数式2により求
め、それらの平均値を適正露出値BVansとする。そ
の後#411に進む。 #408:ピント調節が手動になっている時は、384
個の領域の輝度値を検索し、EV16以上の測光領域の
輝度値を無効とする。これは、EV16以上の超高輝度
の物体は、ほとんど主要被写体にはなり得ないことが経
験上判明しているからである。
度値を#403と同様にして数式2により求める。そし
て、画面全体の輝度値の平均値を同様に数式2により求
め、それらの平均値を適正露出値BVansとする。そ
の後#411に進む。 #408:ピント調節が手動になっている時は、384
個の領域の輝度値を検索し、EV16以上の測光領域の
輝度値を無効とする。これは、EV16以上の超高輝度
の物体は、ほとんど主要被写体にはなり得ないことが経
験上判明しているからである。
【0033】そして、以後の演算においては、それらの
超高輝度領域は測光領域から除外し総画素数に含めない
ようにする。 #409:図2におけるグループ4領域からグループ8
領域までの平均輝度値を#403と同様の数式2を使っ
て計算し、それらの領域中で最も低輝度の領域を抽出す
る。 #410:#409で抽出された最も低輝度なグループ
領域の数式2で求められた平均輝度値と、数式2で求め
られる被写界全体の平均輝度値との平均値を適正露出値
BVansとする。その後#411に進む。 #411:露出演算に重点的に寄与した領域を抽出す
る。つまり、測光モードがスポット測光であった場合に
は図3におけるグループ1領域を(#403)、中央部
重点測光であった場合にはグループ4領域を(#40
4)、マルチパターン測光であった場合には更にAFモ
ードであるかどうか判別し、ピント調節が自動になって
いる場合には#406で求めた領域81〜83のうちか
らAFが選択している領域を、ピント調節が手動になっ
ている場合には、#409で求めた領域を重点領域とし
て抽出する。
超高輝度領域は測光領域から除外し総画素数に含めない
ようにする。 #409:図2におけるグループ4領域からグループ8
領域までの平均輝度値を#403と同様の数式2を使っ
て計算し、それらの領域中で最も低輝度の領域を抽出す
る。 #410:#409で抽出された最も低輝度なグループ
領域の数式2で求められた平均輝度値と、数式2で求め
られる被写界全体の平均輝度値との平均値を適正露出値
BVansとする。その後#411に進む。 #411:露出演算に重点的に寄与した領域を抽出す
る。つまり、測光モードがスポット測光であった場合に
は図3におけるグループ1領域を(#403)、中央部
重点測光であった場合にはグループ4領域を(#40
4)、マルチパターン測光であった場合には更にAFモ
ードであるかどうか判別し、ピント調節が自動になって
いる場合には#406で求めた領域81〜83のうちか
らAFが選択している領域を、ピント調節が手動になっ
ている場合には、#409で求めた領域を重点領域とし
て抽出する。
【0034】《最適蓄積時間の演算方法の説明》図6
は、本実施例の蓄積時間操作部11における最適蓄積時
間の演算サブルーチンを示すフローチャートである。以
下、ステップ毎に説明を加える。 #501:露出演算部14で得られた、即ち上記#41
1で抽出された露出演算に重点的に寄与したグループ領
域を読み込む。 #502:#501で読み込んだグループ領域の平均輝
度値BVmeanを露出演算部14から読み込む。 #503:最適蓄積時間tmを以下に示す数式3によっ
て求める。
は、本実施例の蓄積時間操作部11における最適蓄積時
間の演算サブルーチンを示すフローチャートである。以
下、ステップ毎に説明を加える。 #501:露出演算部14で得られた、即ち上記#41
1で抽出された露出演算に重点的に寄与したグループ領
域を読み込む。 #502:#501で読み込んだグループ領域の平均輝
度値BVmeanを露出演算部14から読み込む。 #503:最適蓄積時間tmを以下に示す数式3によっ
て求める。
【0035】
【数3】
【0036】数式3の0.01は、被写界中の輝度値E
V0が、受光素子面上で何Lxであるかを示す定数であ
る。また、BVmeanの単位は(EV)であるので、
数式3で求められるtmは、BVmeanなる輝度値を
持った被写界の領域が、輝度値の飽和レベルのちょうど
1/2になるような蓄積時間を与えるものである。次に
最適蓄積時間を求める第2の方法について説明する。ま
ず、露出演算部14から、最新の適正露出値BVans
を読み込む。最新の適正露出値BVansは、図4のフ
ローチャート中の#312において既に求められている
ものであり、単位はEVである。次に、最適露出時間t
mを異議の示す数式4によって求める。
V0が、受光素子面上で何Lxであるかを示す定数であ
る。また、BVmeanの単位は(EV)であるので、
数式3で求められるtmは、BVmeanなる輝度値を
持った被写界の領域が、輝度値の飽和レベルのちょうど
1/2になるような蓄積時間を与えるものである。次に
最適蓄積時間を求める第2の方法について説明する。ま
ず、露出演算部14から、最新の適正露出値BVans
を読み込む。最新の適正露出値BVansは、図4のフ
ローチャート中の#312において既に求められている
ものであり、単位はEVである。次に、最適露出時間t
mを異議の示す数式4によって求める。
【0037】
【数4】
【0038】なお、Vmax ×2exp(−5)は、受光
素子9の出力可能な最大電圧値Vmaxより5EV以下
の電圧、つまり最大電圧値Vmaxの1/32の電圧で
あることを示している。これは、受光素子9の測光範囲
を10EV(2の10乗)であるとしているのでその中
間に1番測光したい輝度であるBVansをもってくる
ためである。
素子9の出力可能な最大電圧値Vmaxより5EV以下
の電圧、つまり最大電圧値Vmaxの1/32の電圧で
あることを示している。これは、受光素子9の測光範囲
を10EV(2の10乗)であるとしているのでその中
間に1番測光したい輝度であるBVansをもってくる
ためである。
【0039】カメラの測光は極めて短い時間間隔で繰り
返し行われているので、次回の測光における適正露出値
BVansも前回の適正露出値BVansに近い値であ
ると予測できるため、次回の測光でも適正露出値BVa
nsを中心とした輝度範囲を測光するのが効果的であ
る。数式4によれば、次回の測光における測光範囲を前
回の適正露出値BVansのプラスマイナス5EVにと
ることができるので、もっとも効果的な蓄積時間を設定
することができる。
返し行われているので、次回の測光における適正露出値
BVansも前回の適正露出値BVansに近い値であ
ると予測できるため、次回の測光でも適正露出値BVa
nsを中心とした輝度範囲を測光するのが効果的であ
る。数式4によれば、次回の測光における測光範囲を前
回の適正露出値BVansのプラスマイナス5EVにと
ることができるので、もっとも効果的な蓄積時間を設定
することができる。
【0040】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、露出演算
に最も寄与した領域の情報を受けた受光素子の出力電圧
レベルを調節できるようにしたので、逆光時などのよう
に主要被写体が一番暗い場合においても主要被写体が測
光下限以下や測光上限以上になってしまうことなく最適
の出力レベルを得ることができる。
に最も寄与した領域の情報を受けた受光素子の出力電圧
レベルを調節できるようにしたので、逆光時などのよう
に主要被写体が一番暗い場合においても主要被写体が測
光下限以下や測光上限以上になってしまうことなく最適
の出力レベルを得ることができる。
【図1】本発明の実施例の構成を示すブロック図であ
る。
る。
【図2】実施例の焦点検出領域を示す図である。
【図3】実施例の測光領域のグループ化のされ方を示し
た図である。
た図である。
【図4】実施例のメインアルゴリズムを示すフローチャ
ート図である。
ート図である。
【図5】実施例の露出演算サブルーチンを示すフローチ
ャート図である。
ャート図である。
【図6】実施例の蓄積時間演算サブルーチンを示すフロ
ーチャート図である。
ーチャート図である。
1 撮影レンズ
2 メインミラー
3 拡散スクリーン
4 ペンタプリズム
5 接眼レンズ
6 測光用レンズ
7 レンズ内ROM
8 焦点検出部
9 受光素子
10 タイミング回路
11 操作部
12 A/D変換部
13 輝度演算部
14 露出演算部
15 測光モード設定部
16 AFモード設定部
17 サブミラー
Claims (10)
- 【請求項1】 被写界を複数の測光領域に分割し、分割
した複数の測光領域にそれぞれ入射した光強度に比例し
た電荷を発生し蓄積する受光蓄積部と、該受光蓄積部で
蓄積した電荷を転送する転送部と、該転送部から電荷を
受取り該電荷を電圧値に変換する電圧変換部と、前記受
光蓄積部の電荷蓄積の開始と終了とを指示する蓄積ゲー
ト部と、前記電圧変換部で変換された前記電圧値を用い
て前記複数の測光領域でのそれぞれの輝度値を算出する
輝度算出部と、該輝度算出部で得られた複数の輝度値の
うち、抽出された測光領域における輝度値を用いて適正
露出値を演算する露出演算手段とを備えたカメラの測光
装置において、 前記露出演算手段により適正露出値を演算した際に、前
記抽出された測光領域における輝度値を用いて前記受光
蓄積部の次回蓄積時間を算出し、前記蓄積ゲート部の電
荷蓄積の開始と終了とを操作する蓄積時間操作手段を備
えることを特徴とするカメラの測光装置。 - 【請求項2】 請求項1に記載のカメラの測光装置にお
いて、 被写界の複数の焦点検出領域から選択された一つの焦点
検出領域に対応する前記測光領域に基づいた平均輝度値
によって、前記蓄積時間操作手段が前記蓄積ゲート部の
電荷蓄積の開始と終了とを操作することを特徴とするカ
メラの測光装置。 - 【請求項3】 請求項1に記載のカメラの測光装置にお
いて、 被写界内の輝度分布情報を用いて該被写界内の特定領域
を設定し、該特定領域の輝度値を用いて前記受光蓄積部
の次回蓄積時間を算出し、前記蓄積時間操作手段が前記
蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始と終了とを操作すること
を特徴とするカメラの測光装置。 - 【請求項4】 前記特定領域は、輝度値がある特定値以
下の領域であることを特徴とする請求項3に記載のカメ
ラの測光装置。 - 【請求項5】 請求項1に記載のカメラの測光装置にお
いて、被写界内の測光領域が異なる 測光モードに応じて、前記
測光領域の中から前記露出演算に重点的に寄与した特定
領域を設定する特定領域設定手段を有し、 該特定領域設定手段により設定された前記特定領域の輝
度値を用いて前記受光蓄積部の次回蓄積時間を算出し、
前記蓄積時間操作手段が前記蓄積ゲート部の電荷蓄積の
開始と終了とを操作することを特徴とするカメラの測光
装置。 - 【請求項6】 請求項1に記載のカメラの測光装置にお
いて、 前記蓄積時間操作手段は、前記露出演算手段により演算
された前回の適正露出値に基づいて、前記蓄積ゲート部
の電荷蓄積の開始と終了とを操作することを特徴とする
カメラの測光装置。 - 【請求項7】 被写界を複数の測光領域に分割し、分割
した複数の測光領域にそれぞれ入射した光強度に比例し
た電荷を発生し蓄積する受光蓄積部と、該受光蓄積部で
蓄積した電荷を転送する転送部と、該転送部から電荷を
受取り該電荷を電圧値に変換する電圧変換部と、前記受
光蓄積部の電荷蓄積の開始と終了とを指示する蓄積ゲー
ト部と、前記電圧変換部で変換された前記電圧値を用い
て前記複数の測光領域でのそれぞれの輝度値を算出する
輝度算出部と、該輝度算出部で得られた複数の輝度値の
うち、抽出された測光領域における輝度値を用いて適正
露出値を演算する露出演算手段とを備えたカメラの測光
装置において、 前記蓄積ゲート部の指示により、前記受光蓄積部の電荷
蓄積時間を長くして低輝度を重視した測光と前記受光蓄
積部の電荷蓄積時間を短くして高輝度を重視した測光と
に基づいて、前記露出演算手段により適正露出値を演算
することを特徴とするカメラの測光装置。 - 【請求項8】 請求項7に記載のカメラの測光装置にお
いて、 前記蓄積ゲート部の電荷蓄積の開始と終了とを操作する
蓄積時間操作手段を備え、 前記蓄積ゲート部は、一旦前記露出演算手段が前記適正
露出値を演算した後は、前記蓄積時間操作手段により操
作されることを特徴とするカメラの測光装置。 - 【請求項9】 被写界を複数の測光領域に分割し、分割
した複数の測光領域にそれぞれ入射した光強度に比例し
た電荷を発生し蓄積する受光蓄積部と、該受光蓄積部で
蓄積した電荷を転送する転送部と、該転送部から電荷を
受取り該電荷を電圧値に変換する電圧変換部と、前記受
光蓄積部の電荷蓄積の開始と終了とを指示する蓄積ゲー
ト部と、前記電圧変換部で変換された前記電圧値を用い
て前記複数の測光領域でのそれぞれの輝度値を算出する
輝度算出部と、該輝度算出部で得られた複数の輝度値の
うち、抽出された測光領域における輝度値を用いて適正
露出値を演算する露出演算手段とを備えたカメラの測光
装置において、 最初の電荷蓄積時には、前記蓄積ゲート部が指示する前
記受光蓄積部の電荷蓄積の開始と終了を予め定められた
初期値の蓄積時間で行い、次回の電荷蓄積時には、前記
初期値の蓄積時間と異なる所定の蓄積時間で行うことを
特徴とするカメラの測光装置。 - 【請求項10】 請求項9に記載のカメラの測光装置に
おいて、 前記蓄積ゲート部は、前記予め定められた蓄積時間を2
つ有しており、該2つの時間は異なった時間間隔である
ことを特徴とするカメラの測光装置。
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