JP3070300B2 - カメラの測光装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、カメラの測光装置に関
するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来は、特開平２−２８０５８１に示す
如く、各受光素子の出力を加算し、その加算値が所定値
以内であるかどうかを判別し、その判別結果に応じて露
光時間を制御するカメラの測光装置があった。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】しかし、上記のような
装置においては以下のような問題点があった。蓄積型の
受光素子を用いた測光装置においては、被写体の明るさ
に応じて蓄積時間等を変化させて被写体輝度に対して最
適な測光範囲を設定しているが、被写体の輝度差が非常
に大きい場合には被写体の輝度範囲が測光範囲を超えて
しまう場合がある。この様な場合には全ての被写体輝度
を１回で測光する事ができない。

【０００４】ところが上記の様な装置においては、画面
全体の出力を加算しその値に応じて蓄積時間を制御てい
るので、どうしても画面内の平均的な明るさに対して蓄
積時間を設定してしまい、何度測光しても被写界内の低
輝度部分もしくは高輝度部分の測光値が得られないとい
う問題点があった。そこで本発明では、上記のように被
写界内の輝度差が非常に大きな場合においても低輝度部
分から高輝度部分までの全ての測光値が得られるような
カメラの測光装置を提供する事を目的としている。

【０００５】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に請求項１では、被写界を複数の測光領域に分割し入射
した光強度に比例した電荷を発生し蓄積する受光蓄積部
９１と、該受光蓄積部で蓄積した電荷を転送する転送部
９２と、該転送部から電荷を受け取り該電荷を電圧に変
換する電圧変換部９３と、前記受光蓄積部の電荷蓄積の
開始と終了とを行う蓄積ゲート部９４と、前記電圧変換
部で変換された前記電圧をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手
段１３と、該Ａ／Ｄ変換手段の出力を用いて輝度値を算
出する輝度算出手段１４と、前記受光蓄積部での電荷蓄
積時間を設定する蓄積時間設定手段１５と、前記輝度算
出手段の出力に基づいて適正露出値を算出する露出演算
手段１８とを備えたカメラの測光装置において、前記蓄
積時間設定手段１５は、前記受光蓄積部の電荷蓄積時間
を長くして低輝度を重視した測光と前記受光蓄積部の電
荷蓄積時間を短くして高輝度を重視した測光とを交互に
行う事を特徴とし、蓄積時間設定手段１５によって低輝
度を重視した測光と高輝度を重視した測光とが行える様
になっている。

【０００６】請求項２の発明は、輝度算出手段１４はＡ
／Ｄ変換手段１３の出力に基づいて複数の測光領域のう
ち測光出力が測光範囲内である領域についてのみ輝度値
を算出する。 請求項３の発明は、露出演算手段１８
は、低輝度を重視した測光と高輝度を重視した測光とを
行う間に露出演算を行う。請求項４の発明は、露出演算
手段１８は、高輝度を重視した測光と低輝度を重視した
測光とを行う間に露出演算を行う。

【０００７】

【作用】本発明においては、図１におけるＡ／Ｄ変換手
段１３からの出力に基づいて蓄積時間設定手段１５が低
輝度を重視した測光と高輝度を重視した測光とを交互に
行わせるようにしたので、被写界内の輝度差が非常に大
きな場合においても低輝度部分から高輝度部分までの全
ての測光値が得られるようなカメラの測光装置を提供す
る事が可能となる。

【０００８】また、請求項２の発明では、輝度算出手段
１４は、測光範囲内の領域に対してのみ輝度値を算出す
る演算を行うので無駄な時間を消費せずに最短時間での
測光が可能となる。また、請求項３の発明では、露出演
算手段１８は低輝度重視測光と高輝度重視測光との間
に、請求項４の発明では高輝度重視測光と低輝度重視測
光との間にそれぞれ露出演算を行うので、低輝度重視測
光と高輝度重視測光との両方が終了するのを待つ事なく
新たな適正露出値を得る事ができる。

【０００９】

【実施例】図２は本発明の光学系を表すブロック図であ
る。撮影レンズ１を通過した光束は、クイックリターン
ミラー２、拡散スクリーン３、コンデンサレンズ４、ペ
ンタプリズム５、接眼レンズ６を通って撮影者の目に到
達する。一方、拡散スクリーン３によって拡散された光
束の一部は、コンデンサレンズ４、ペンタプリズム５、
測光用プリズム７、測光用レンズ８を通して受光素子９
へ到達する。

【００１０】受光素子９は、例えばＣＣＤセンサのよう
な蓄積型の光電変換素子であり、図１に示すように受光
蓄積部９１と、転送部９２と、電圧変換部９３と、蓄積
ゲート部９４と、タイミング回路９５とからなる。受光
蓄積部９１は、横２０個、縦１２個のマトリクス状に複
数の受光セグメントが配置されており、それぞれのセグ
メントで発生した電荷を蓄積する。

【００１１】また、受光蓄積部９１は、ちょうど撮影画
面に相当する被写界を測光するようになっている。図３
に、測光領域の分割状態を被写界上に照らし合わせたと
きの図を示す。タイミング回路９５ではクロック発生回
路１２からマスタークロックの供給を受けて、転送部９
２で電荷の転送に必要な種々のタイミングパルスが作成
される。

【００１２】転送部９２ではタイミング回路９５からタ
イミングパルスの供給を受けて、受光蓄積部９１で蓄積
した電荷を１画素ずつ電圧変換部９３へ転送するような
構成になっている。電圧変換部９３では、送られてきた
画素の電荷信号を電圧レベル値に変換して出力端子から
Ａ／Ｄ変換部１３へ出力する。蓄積ゲート部９４は、蓄
積時間設定部１５からの信号を受けて受光蓄積部９１に
電荷蓄積の開始と終了を行うゲートであり、このゲート
にパルス信号を送る事によって電荷蓄積の開始及び終了
が行われる。蓄積時間設定部１５では、輝度算出部１４
からの情報を基に、次回蓄積時における蓄積時間を演算
して蓄積電荷量の調整を行う。

【００１３】蓄積時間設定部１５の内容については後に
詳しく述べる。Ａ／Ｄ変換部１３は、電圧変換部９３か
らの電圧信号をコンピュータが認識可能な数値信号に変
換し、輝度算出部１４へ出力する。輝度算出部１４で
は、レンズ内ＲＯＭ１６からの情報を基に補正データ算
出部１７によって求められた補正係数ｋと、蓄積時間設
定部１５から入力した蓄積時間ｔと、Ａ／Ｄ変換部１３
からの信号Ｖとを用いて、各測光領域（ｈ，ｖ）におけ
る輝度値ＢＶ（ｈ，ｖ）を以下に示す数式１によって求
める。

【００１４】

【数１】 ＢＶ（ｈ，ｖ）＝ｌｏｇ（V(h,v)・ k(h,v)/
t）／ｌｏｇ（２） ただし、Ｖ（ｈ，ｖ）及びＢＶ（ｈ，ｖ）は、図３にお
けるマトリクス状の複数の測光領域のそれぞれ左からｈ
番目、下からｖ番目の領域のデータである事を示してい
る。右辺に対して２を底とする対数をとっているのは、
アペックス方式に基づく輝度値に変換するためであり、
ＢＶ（ｈ，ｖ）の単位は（ＥＶ）もしくは（ＢＶ）であ
る。

【００１５】ｋ（ｈ，ｖ）は補正データ算出部１７によ
って求められる補正係数で、レンズ内ＲＯＭ１６から入
力した開放絞り値、射出瞳位置、ビグネッティング情報
等から求められる装着された撮影レンズにおける各測光
領域に固有の補正係数であり、実験またはシミュレーシ
ョンによりあらかじめ各測光領域に対応させて求められ
ているものである。

【００１６】露出演算部１８では、輝度算出部１４から
各測光領域の輝度情報を受けて露出演算を行い、適正露
出値を算出する。露出演算の方法については後で詳しく
述べる。また、露出制御部１９は、露出演算部１８から
の信号に基づき適正露出に対する絞り値およびシャッタ
ースピード値が求められ、不図示のレリーズボタンが押
されると、ミラー２がはね上げられ、絞り１０及びシャ
ッター１１が所定の値に制御され、露出制御が行われ
る。 《蓄積時間と測光可能範囲との関係についての説明》次
に、蓄積時間と測光可能範囲との関係について説明す
る。一般に、カメラの測光装置に要求される測光範囲
は、ＥＶ０〜ＥＶ２０、すなわちダイナミックレンジに
して２０ＥＶ程度である。ところが、現在のＣＣＤで
は、ダイナミックレンジは高々１０ＥＶ程度しかない。

【００１７】しかも、ＣＣＤから発生する暗電流や回路
部分のノイズ等の影響のために低輝度部分の測光精度が
悪化し、精度良く測光可能な範囲は多少狭くなる。更
に、温度や電源電圧などの動作環境によっては暗電流や
ノイズの値が大きくなりダイナミックレンジが更に狭く
なるという問題点がある。そこで、被写界の輝度に応じ
てＣＣＤの蓄積時間を調整し、測光範囲を最適レベルに
設定しなければならない。具体的には、被写界での輝度
値がＥＶ０〜ＥＶ２０であると、図２に示したような光
学系において標準的な撮影レンズを装着した場合での受
光素子面上での照度はおよそ０．０１Ｌｘ〜１００００
Ｌｘである。

【００１８】受光素子の感度は、約２０Ｖ／ｌｘ・Ｓで
あり、飽和出力は約２Ｖであるので、理想的な動作環境
においては、蓄積時間が１０μＳecである時には測光範
囲は約ＥＶ１０〜ＥＶ２０であり、蓄積時間が１０ｍＳ
ecである時には測光範囲はＥＶ０〜ＥＶ１０となる。従
って、被写界の輝度に応じて受光素子の蓄積時間を１０
μＳec〜１０ｍＳecの範囲で操作する事により、はじめ
てカメラの測光装置に要求される測光範囲であるＥＶ０
〜ＥＶ２０のダイナミックレンジが実現可能になるので
ある。ただし、すでに述べたように実際には暗電流やノ
イズ等の影響により多少ダイナミックレンジが落ちる事
を考慮しておかなければならない。 《メインアルゴリズムの説明》図４は、本発明のメイン
アルゴリズムを示すフローチャートである。以下、ステ
ップ毎に説明を加える。

【００１９】＃１０１：ＦＬＧ（１）を初期値である１
にセットする。ＦＬＧ（１）は、フローチャート中にお
ける測光回数が１回目であるかどうかを判別するフラグ
であり、ＦＬＧ（１）＝１の場合には１回目、ＦＬＧ
（１）≠１の場合には１回目ではない事を表す。 ＃１０２：ＦＬＧ（Ｌｏ）を初期値である１にセットす
る。ＦＬＧ（Ｌｏ）は、次に行われる測光が低輝度側で
あるか高輝度側であるかを判別するフラグであり、ＦＬ
Ｇ（Ｌｏ）＝１の場合には低輝度側、ＦＬＧ（Ｌｏ）≠
１の場合には高輝度側である事を表す。本実施例におい
ては１回目には低輝度側から測光するのでＦＬＧ（Ｌ
ｏ）＝１とする。

【００２０】＃１０３：ＦＬＧ（Ｌｏ）＝１であるかど
うか、すなわち低輝度側の測光であるかどうかを判定す
る。 ＃１０４：ＦＬＧ（１）＝１であるかどうか、すなわち
１回目の測光であるかどうかを判定する。 ＃１０５：１回目の測光であった場合にはまだ所定メモ
リに蓄積時間がセットされていないので、初期値である
ｔ０をｔに代入する。所定メモリに記憶される蓄積時間
とは後の＃１１１でセットされるものである。ここでは
初期値としてｔ０＝４０ｍＳｅｃとする。

【００２１】既に述べたように、本実施例での測光手段
においては理論上ｔ＝１０ｍＳｅｃでＥＶ０〜ＥＶ１０
までの測光が可能であるが、低輝度側の測光精度を確保
するために多少余裕をもってｔを設定しておく。 ＃１０６：１回目の測光ではなかった場合には、所定の
メモリから低輝度側の蓄積時間ｔ１を読み込みｔに代入
する。

【００２２】＃１０７：設定されている蓄積時間によっ
て測光を行い、電圧変換部９３から出力される２４０個
の電圧値をＡ／Ｄ変換部１３によって数値データに変換
した後に変数ＡＤ（ｈ，ｖ）として所定のメモリに格納
する。ただし、ｈ＝１〜２０、ｖ＝１〜１２、Ａ／Ｄ変
換の分解能を１０ビット、すなわち変数の範囲を０〜１
０２３とする。

【００２３】＃１０８：＃１０７で求められた２４０個
の測光データＡＤ（ｈ，ｖ）の中の最大値ｔ１max 及び
最小値ｔ１min を求める。 ＃１０９：＃１０７の測光での蓄積時間をｔｍに代入す
る。このｔｍと＃１０７で求められたＡＤ（ｈ，ｖ）と
を用いて＃１１９において各測光領域の輝度値を算出す
る。

【００２４】＃１１０：ＦＬＧ（Ｌｏ）＝０、すなわち
次回の測光モードである高輝度側の設定にセットする。 ＃１１１：次回の蓄積時間であるｔ１，ｔ２を算出し、
所定のメモリに格納する。ここで、ｔ１は低輝度側の測
光における蓄積時間を、ｔ２は高輝度側の測光における
蓄積時間を与えるものである。ｔ１およびｔ２の求め方
については後で詳しく説明する。

【００２５】＃１１２：ＦＬＧ（１）＝１であるかどう
か、すなわち１回目の測光であるかどうかを判別する。
１回目の測光であった場合には、＃１１３を通して引き
続き高輝度側の測光を実行する。 ＃１１３：ＦＬＧ（１）＝０を代入する。 ＃１１４：所定のメモリから高輝度側の蓄積時間ｔ２を
読み込みｔに代入する。ｔ２は＃１１１において求めら
れたものである。

【００２６】＃１１５：設定されている蓄積時間によっ
て＃１０７と同様に測光を行う。 ＃１１６：＃１１５で求められた２４０個の測光データ
ＡＤ（ｈ，ｖ）の中の最大値ｔ２max を求める。 ＃１１７：＃１１５の測光での蓄積時間ｔ２をｔｍに代
入する。このｔｍと＃１１５で求められたＡＤ（ｈ，
ｖ）とを用いて＃１１９において各測光領域の輝度値を
算出する。

【００２７】＃１１８：ＦＬＧ（Ｌｏ）＝１、すなわち
次回の測光モードである低輝度側の設定にセットする。 ＃１１９：求められた２４０個の測光データＡＤ（ｈ，
ｖ）を基に各測光領域の輝度値を算出する。輝度値算出
の方法は後に詳しく説明する。 ＃１２０：求められた各輝度値に基づいて露出演算を行
う。露出演算方法については後で詳しく説明する。

【００２８】＃１２１：不図示のレリーズボタンが押さ
れているかどうかを判別し、押されていない場合には＃
１０３へ戻って測光を続ける。 ＃１２２：露出演算結果に基づいて、不図示のシャッタ
ーと絞りによって露出制御を行う。 《蓄積時間算出サブルーチンの説明》図５は、＃１１１
における蓄積時間ｔ１及びｔ２を算出するサブルーチン
の詳細を示したフローチャート図である。以下、ステッ
プ毎に説明を加える。

【００２９】＃２０１：数式２が成立しているかどうか
を判定する。

【００３０】

【数２】 ｔ１max ＝１０２３ すなわち、低輝度側測光において、最も明るい部分の測
光データがＡ／Ｄ変換可能な最大値に等しいかどうかを
判定する。数式２が成立していた場合には、被写界内の
最高輝度領域が測光範囲を超えており、いわゆるオーバ
ーフロー状態になっているので、高輝度側の測光では蓄
積時間を短くして高輝度側の被写体を測光範囲内に入れ
る必要がある。逆に、数式２が不成立の場合には被写界
内の最高輝度領域が測光範囲内に入っていると見なせ
る。

【００３１】＃２０２：最高輝度領域が測光範囲内に入
っていた場合には、測光データの分布が、図６（ａ）の
の様になっている。測光分解能はデータの数値が大き
いほど良くなるので、次回の低輝度側蓄積時間ｔ１を数
式３によって求める。

【００３２】

【数３】 ｔ１＝ｔ１×１０２３／ｔ１max すなわち、前回でのｔ１max の値が丁度測光範囲の上限
になるように、つまり測光データ分布が図６（ａ）の
の様になるようにｔ１を定める。 ＃２０３：低輝度側測光において最高輝度領域が測光範
囲内に入っていた場合には、次回に行われる高輝度側測
光においても測光範囲は図６（ａ）のに示すよううに
低輝度側測光の時と同じでよいので、数式４を用いて蓄
積時間ｔ２にｔ１と同じ数値を代入する。

【００３３】

【数４】 ｔ２＝ｔ１ ＃２０４：最高輝度領域が測光範囲内に入っていなかっ
た場合には、数式５が成立しているかどうかを判定す
る。

【００３４】

【数５】 ｔ１min ＜４ すなわち、低輝度側測光において、最も暗い部分の測光
データが信頼できる程度に大きな値かどうかを判定す
る。ここではＡ／Ｄ変換値が４以上であればノイズの影
響は少なく信頼できるデータと見なす。逆に数式５が成
立していた場合には最低輝度領域が測光範囲外、いわゆ
るアンダーフローであると見なす。

【００３５】＃２０５：アンダーフローであった場合に
は、数式６に示すように次回の低輝度側の蓄積時間ｔ１
を２倍して更に低輝度まで測光できるようにする。 ＃２０６：ｔ１がリミット値である１００ｍＳｅｃを超
えているかどうかを判定する。 ＃２０７：ｔ１が１００ｍＳｅｃを超えていた場合に
は、それ以上蓄積時間を長くすると測光に時間がかかり
すぎるので１００ｍＳｅｃに固定する。

【００３６】＃２０８：低輝度側測光において、最低輝
度領域がアンダーフローでなかった場合には、次回の低
輝度側蓄積時間ｔ１を数式６によって定める。

【００３７】

【数６】 ｔ１＝ｔ１×４／ｔ１min すなわち、前回の測光では測光データ分布が図６（ｂ）
のの様であったので、の様にｔ１min が丁度アンダ
ーフロー直前の値４になるように蓄積時間ｔ１を設定す
る。 ＃２０９：ＦＬＧ（１）＝１か、すなわち１回目の測光
であったかどうかを判定する。

【００３８】＃２１０：１回目の測光であった場合に
は、まだ高輝度側の測光データが１度も得られていない
ので、数式７によって高輝度側蓄積時間ｔ２を定める。

【００３９】

【数７】 ｔ２＝ｔ１／２５６ すなわち、図６（ｃ）に示すように、低輝度側測光での
測光データ分布の最高値が、丁度高輝度側測光での測
光データ分布の最低値になるようにする。この様にすれ
ば低輝度側から高輝度側まで連続的に効率よく測光可能
である。＃２１１：１回目の測光ではなかった場合に
は、高輝度側測光データも得られているので数式８が成
立しているかどうかを判定する。

【００４０】

【数８】 ｔ２max ＝１０２３ すなわち、高輝度側測光において、最も明るい部分の測
光データがＡ／Ｄ変換可能な最大値に等しいかどうかを
判定する。数式８が成立していた場合には、被写界内の
最高輝度領域が測光範囲を超えており、いわゆるオーバ
ーフロー状態になっているので、＃２１０に進んで被写
体輝度を連続的にかつできるだけ高輝度まで測光可能な
値にｔ２を設定する。数式８が不成立の場合には被写界
内の最高輝度領域が測光範囲内に入っていると見なせ
る。

【００４１】＃２１２：最高輝度領域が測光範囲内に入
っていた場合には、測光データの分布が、図６（ｄ）の
の様になっている。測光分解能はデータの数値が大き
いほど良くなるので、次回の低輝度側蓄積時間ｔ２を数
式９によって求める。

【００４２】

【数９】 ｔ２＝ｔ２×１０２３／ｔ２max すなわち、前回でのｔ２max の値が丁度測光範囲の上限
になるように、つまり測光データ分布が図６（ｄ）の
の様になるようにｔ２を定める。 《輝度算出サブルーチンの説明》図７は、＃１１９にお
ける輝度値算出サブルーチンの詳細を示したフローチャ
ート図である。以下、ステップ毎に説明を加える。

【００４３】＃３０１：ｈ＝１，ｖ＝１に初期化する。 ＃３０２：ｔ１＝ｔ２か、すなわち低輝度側測光の蓄積
時間と高輝度側測光の蓄積時間とが等しいかどうかを判
定する。 ＃３０３：ｔ１＝ｔ２であった場合には、ＦＬＧ（Ｂ
Ｖ）に１を代入する。ここで、ＦＬＧ（ＢＶ）は、現在
の（ｈ，ｖ）番地の測光領域の輝度値を算出してメモリ
を更新するかどうかを識別するためのフラグであり、Ｆ
ＬＧ（ＢＶ）＝１の場合には輝度値を更新する。

【００４４】＃３０４：ＦＬＧ（Ｌｏ）＝１であるかを
判別する。この場合ＦＬＧ（Ｌｏ）＝１であった場合に
は高輝度側測光が行われた直後の状態である事を示して
おり、ＦＬＧ（Ｌｏ）≠１であった場合には低輝度側測
光が行われた直後の状態である事を示している。 ＃３０５：低輝度側測光が行われた場合には、（ｈ，
ｖ）番地のＡ／Ｄ変換値であるＡＤ（ｈ，ｖ）が１０２
３かどうか、すなわちオーバーフロー状態であるかどう
かを判定する。

【００４５】＃３０６：測光データがオーバーフローで
あった場合には、その領域は高輝度側測光時に輝度値を
算出すれば良いので、ＦＬＧ（ＢＶ）＝０とする。 ＃３０７：測光データがオーバーフローでなかった場合
には、その領域の輝度値を求めるのでＦＬＧ（ＢＶ）＝
１とする。 ＃３０８：高輝度側測光が行われた場合には、（ｈ，
ｖ）番地のＡ／Ｄ変換値であるＡＤ（ｈ，ｖ）が４以上
であるかどうか、すなわちアンダーフローしていないか
どうかを判定する。

【００４６】＃３０９：アンダーフローしていなかった
場合には、その領域の輝度値を求めるのでＦＬＧ（Ｂ
Ｖ）＝１とする。 ＃３１０：アンダーフローであった場合には、その領域
の輝度値は次回の低輝度側測光で求めるのでＦＬＧ（Ｂ
Ｖ）＝０とする。 ＃３１１：ＦＬＧ（ＢＶ）＝１であるかどうかを判定す
る。

【００４７】＃３１２：ＦＬＧ（ＢＶ）＝１であった場
合には、測光データＡＤ（ｈ，ｖ）及び蓄積時間ｔｍと
を用いて数式１によりその領域の輝度値を算出し、所定
のメモリに格納する。 ＃３１３：ｈ＝２０であるかどうかを判定する。 ＃３１４：ｈ≠２０であった場合には、ｈに１を加算し
て＃３０２の処理へ戻る。

【００４８】＃３１５：ｖ＝１２であるかどうかを判定
する。 ＃３１６：ｖ≠１２であった場合には、ｈ＝１とすると
共にｖに１を加算して＃３０２の処理へ戻る。 《露出演算サブルーチンの説明》図８は、＃１２０にお
ける露出演算サブルーチンの詳細を示すフローチャート
図である。以下、ステップ毎に説明を加える。

【００４９】＃４０１：２４０個の測光領域から得られ
る２４０個の輝度値の中で、輝度値が１６．３ＥＶを超
えるものについてはデータを１６．３ＥＶに置換する。
これは、被写体の中に太陽などの１６．３ＥＶを超える
超高輝度の物体が含まれていた場合には、それらの影響
を強く受けてしまうので、影響を最小限に抑えるためで
ある。

【００５０】＃４０２：２４０個の測光データ全てが１
６．３ＥＶ以上であったかどうかを判定する。 ＃４０３：適正露出値として、数式１０の値を代入す
る。

【００５１】

【数１０】 ＢＶans ＝１６．３ ＃４０４：測光データから、BVmax,BVmin,BVh,BVl,BVm,
BVcwをそれぞれ求める。これら変数の求め方は以下の通
りである。 ＢＶmax ;２４０個の測光データのうち、最高輝度を与
えるもの。ただし、１６．３を超えることはない。

【００５２】ＢＶmin ;２４０個の測光データのうち、
最低輝度を与えるもの。 ＢＶh ;２４０個の測光データのうち、高輝度側から２
４領域の測光データの平均値。

【００５３】ＢＶl ;２４０個の測光データのうち、低
輝度側から２４領域の測光データの平均値。 ＢＶm ;２４０個の測光データの全ての平均値。

【００５４】ＢＶcw ;測光データのうち、図３に示す測
光領域ＢＶ（ｈ，ｖ）中の、８≦ｈ≦１３、 かつ、
４≦ｖ≦９の３６領域の測光データの平均値。 尚、ここではＢＶh 及びＢＶl を求める際に、２４領域
の平均値をとったが、２４領域に限ったものではなく、
これより多くても少なくてもかまわない。また、ＢＶcw
に付いても同様に３６領域の平均値に限ったものではな
く、被写界の中央付近の出力であれば良い。

【００５５】＃４０５：ＢＶmax −ＢＶmin ＜２が成立
しているかどうかを判定する。成立している場合には、
最大輝度値と最小輝度値との差が小さいので極めてフラ
ットなシーンであると見なせる。 ＃４０６：極めてフラットなシーンの場合には、どの領
域の測光値を選択してもほとんど変わらないので、適正
露出値として数式１１に示すように信頼性の高い中央領
域の測光値を代入する。

【００５６】

【数１１】 ＢＶans ＝ＢＶcw ＃４０７：ＢＶh −ＢＶl ＜２が成立しているかどうか
を判定する。成立している場合には、高輝度領域と低輝
度領域との差が小さいのでほぼフラットなシーンである
と見なせる。 ＃４０８：ほぼフラットなシーンである場合には、適正
露出値として数式１２に示す露出値を与える。

【００５７】

【数１２】 ＢＶans ＝（ＢＶh ＋ＢＶl ＋ＢＶcw）／
３ ＃４０９：ＢＶm −ＢＶcw＞２が成立しているかどうか
を判別する。成立している場合には、平均輝度値に比べ
て中央の輝度値が小さい、つまり中央部が暗いので逆光
であると見なす事ができる。 ＃４１０：逆光シーンである場合には、適正露出値とし
て数式１３に示す露出値を与える。

【００５８】

【数１３】 ＢＶans ＝（ＢＶl ＋ＢＶcw）／２ ＃４１１：ＢＶcw−ＢＶm＞２が成立しているかどうか
を判別する。成立している場合には、平均輝度値に対し
て中央部の輝度値が大きい、つまり中央部が明るいので
スポットライトを浴びているようなシーンであると見な
す事ができる。 ＃４１２：スポットライトシーンである場合には、適正
露出値として数式１４に示す露出値を与える。

【００５９】

【数１４】 ＢＶans ＝ＢＶcw ＃４１３：ＢＶh −ＢＶm ＜０．５が成立しているかど
うかを判別する。成立している場合には、高輝度領域と
平均輝度値との差が小さいので画面内に小さな暗い被写
体が存在するシーンであると見なす事ができる。 ＃４１４：画面内に小さな暗い被写体が存在するシーン
である場合には、適正露出値として数式１５に示す露出
値を与える。

【００６０】

【数１５】 ＢＶans ＝（２・ＢＶm ＋ＢＶl ）／３ ＃４１５：ＢＶm −ＢＶl ＜０．５が成立しているかど
うかを判別する。成立している場合には、低輝度領域と
平均輝度値との差が小さいので画面内に小さな明るい被
写体が存在するシーンであると見なす事ができる。 ＃４１６：画面内に小さな明るい被写体が存在するシー
ンである場合には、適正露出値として数式１６に示す露
出値を与える。

【００６１】

【数１６】 ＢＶans ＝（２・ＢＶm ＋ＢＶh ）／３ ＃４１７：上記のどのシーンにも当てはまらないもの
は、いわゆる一般的なシーンであると見なせるので、適
正露出値として数式１７に示す露出値を与える。

【００６２】

【数１７】 ＢＶans ＝（ＢＶm ＋ＢＶcw）／２ 尚、本実施例においては、低輝度測光用の蓄積時間と高
輝度測光用の蓄積時間とを測光する毎に最適化して求め
ていたが、それぞれの蓄積時間をあらかじめ要求される
測光範囲を満たすように固定しておいても良い。その場
合、２回の測光で所望の測光範囲を満たせない場合には
３回以上に分割して測光するようにしても良い。また、
複数に分割した場合に、全ての場合の測光をしなくても
測光範囲が被写界内のダイナミックレンジを満足してし
まった場合、つまりオーバーフローやアンダーフローが
なかった場合には残りの部分の測光を実行しなくても良
い。

【００６３】

【発明の効果】以上詳しく説明したように本発明におい
ては、蓄積時間設定手段が低輝度を重視した測光と高輝
度を重視した測光とを交互に行わせるようにしたので、
被写界内の輝度差が非常に大きな場合においても低輝度
部分から高輝度部分までの全ての測光値が得られるよう
なカメラの測光装置を提供する事が可能となる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例の構成を示すブロック図であ
る。

【図２】実施例の光学系を示す図である。

【図３】実施例の測光領域及び測光分割数を示す図であ
る。

【図４】実施例のメインアルゴリズムを示すフローチャ
ート図である。

【図５】実施例の蓄積時間算出サブルーチンを示すフロ
ーチャート図である。

【図６】実施例の測光データの分布状態を示す図であ
る。

【図７】実施例の輝度算出サブルーチンを示すフローチ
ャート図である。

【図８】本発明の露出演算サブルーチンを示すフローチ
ャート図である。

【符号の説明】

１ 撮影レンズ ２ クイックリターンミラー ３ 拡散スクリーン ４ コンデンサレンズ ５ ペンタプリズム ６ 接眼レンズ ７ 測光用プリズム ８ 測光用レンズ ９ 受光素子 １０ 絞り １１ シャッター １２ クロック発生回路 １３ Ａ／Ｄ変換部 １４ 輝度算出部 １５ 蓄積時間設定部 １６ レンズ内ＲＯＭ １７ 補正データ算出部 １８ 露出演算部 １９ 露出制御部 ９１ 受光蓄積部 ９２ 転送部 ９３ 電圧変換部 ９４ 蓄積ゲート ９５ タイミング回路

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 被写界を複数の測光領域に分割し入射し
   た光強度に比例した電荷を発生し蓄積する受光蓄積部
   と、該受光蓄積部で蓄積した電荷を転送する転送部と、
   該転送部から電荷を受け取り該電荷を電圧に変換する電
   圧変換部と、前記受光蓄積部の電荷蓄積の開始と終了と
   を行う蓄積ゲート部と、前記電圧変換部で変換された前
   記電圧をＡ／Ｄ変換するＡ／Ｄ変換手段と、前記Ａ／Ｄ
   変換手段の出力を用いて輝度値を算出する輝度算出手段
   と、前記受光蓄積部での電荷蓄積時間を設定する蓄積時
   間設定手段と、前記輝度算出手段の出力に基づいて適正
   露出値を算出する露出演算手段とを備えたカメラの測光
   装置において、 前記蓄積時間設定手段は、前記受光蓄積部の電荷蓄積時
   間を長くして低輝度を重視した測光と前記受光蓄積部の
   電荷蓄積時間を短くして高輝度を重視した測光とを交互
   に行う事を特徴とするカメラの測光装置。
2. 【請求項２】 前記輝度算出手段は、前記複数の測光領
   域のうち測光出力が測光範囲内である領域についてのみ
   輝度値を算出するようにした事を特徴とする特許請求項
   第１項に記載のカメラの測光装置。
3. 【請求項３】 前記露出演算手段は、低輝度を重視した
   測光と高輝度を重視した測光とを行う間に露出演算を行
   う事を特徴とする特許請求項第１項に記載のカメラの測
   光装置。
4. 【請求項４】 前記露出演算手段は、高輝度を重視した
   測光と低輝度を重視した測光とを行う間に露出演算を行
   う事を特徴とする特許請求項第１項に記載のカメラの測
   光装置。