JP2002213946A - イメージ信号出力方法、イメージ信号出力装置、測距装置及び撮像装置 - Google Patents
イメージ信号出力方法、イメージ信号出力装置、測距装置及び撮像装置Info
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- G02B7/28—Systems for automatic generation of focusing signals
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- Focusing (AREA)
- Length Measuring Devices By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 パッシブ型測距装置等に用いられるイメージ
信号出力装置において、入射する光量に応じたセンサー
アレイの感度補正を可能にする。 【解決手段】 ラインセンサ部１１ａ、１１ｂからの画
素出力に応じた出力をＡ／Ｄ変換部２２でＡ／Ｄ変換す
る際、ラインセンサ部１１ａ、１１ｂの感度差に応じて
Ａ／Ｄ変換部２２のＡ／Ｄ変換領域を変更する。
信号出力装置において、入射する光量に応じたセンサー
アレイの感度補正を可能にする。 【解決手段】 ラインセンサ部１１ａ、１１ｂからの画
素出力に応じた出力をＡ／Ｄ変換部２２でＡ／Ｄ変換す
る際、ラインセンサ部１１ａ、１１ｂの感度差に応じて
Ａ／Ｄ変換部２２のＡ／Ｄ変換領域を変更する。
Description
【０００１】
【発明の技術分野】本発明は、イメージ信号出力方法、
イメージ信号出力装置、測距装置および撮像装置、特に
は自動焦点調節カメラ等に用いられるイメージ信号出力
方法、イメージ信号出力装置、測距装置および撮像装置
に関する。
イメージ信号出力装置、測距装置および撮像装置、特に
は自動焦点調節カメラ等に用いられるイメージ信号出力
方法、イメージ信号出力装置、測距装置および撮像装置
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、複数の受光部列を有するイメージ
信号出力装置を利用したいわゆるパッシブ型の測距装置
として、例えば特公平３−６７２０３号公報に開示され
ているようなものがある。この従来技術の測距原理を図
７を参照して簡単に説明する。測定対象１０１の像は受
光レンズ１０２ａ、１０２ｂを通してセンサーアレイ１
０３ａ、１０３ｂに結像される。センサーアレイ１０３
ａ、１０３ｂにはそれぞれ基準位置１０４ａ、１０４ｂ
（以下「１対の基準位置」という。）が設定されてお
り、この１対の基準位置は無限遠の測定対象１０１の像
が結像する位置に対応している。測距対象１０１までの
距離測定は、三角測量の原理を用いている。具体的に
は、求める距離（受光レンズ１０２ａ、１０２ｂから測
定対象１０１までの距離）がＤのときに、センサーアレ
イ１０３ａ、１０３ｂ上の測定対象像が１対の基準位置
から合計ｎ（＝ｎ１＋ｎ２）画素だけずれた位置に結像
された場合、受光レンズの基線長をＬ、光学レンズの焦
点距離をｆ、受光素子の画素のピッチをｐとすると
（１）式が成り立つ。 Ｄ＝（Ｌ×ｆ）／（ｐ×ｎ）・・・・・（１） ここで、受光レンズの基線長Ｌ、光学レンズの焦点距離
ｆおよび受光素子の画素のピッチｐは定数なので、この
センサーアレイ上の測定対象像の１対の基準位置からの
ずれ画素数ｎを検出すれば距離Ｄが求まる。このずれ量
を検出する方法としては、演算回路１０５によりセンサ
ーアレイ１０３ａ、１０３ｂからの出力を量子化し、こ
の量子化データについて相関演算を行い、その相関結果
から上記ずれ量を求めることが一般的である。
信号出力装置を利用したいわゆるパッシブ型の測距装置
として、例えば特公平３−６７２０３号公報に開示され
ているようなものがある。この従来技術の測距原理を図
７を参照して簡単に説明する。測定対象１０１の像は受
光レンズ１０２ａ、１０２ｂを通してセンサーアレイ１
０３ａ、１０３ｂに結像される。センサーアレイ１０３
ａ、１０３ｂにはそれぞれ基準位置１０４ａ、１０４ｂ
（以下「１対の基準位置」という。）が設定されてお
り、この１対の基準位置は無限遠の測定対象１０１の像
が結像する位置に対応している。測距対象１０１までの
距離測定は、三角測量の原理を用いている。具体的に
は、求める距離（受光レンズ１０２ａ、１０２ｂから測
定対象１０１までの距離）がＤのときに、センサーアレ
イ１０３ａ、１０３ｂ上の測定対象像が１対の基準位置
から合計ｎ（＝ｎ１＋ｎ２）画素だけずれた位置に結像
された場合、受光レンズの基線長をＬ、光学レンズの焦
点距離をｆ、受光素子の画素のピッチをｐとすると
（１）式が成り立つ。 Ｄ＝（Ｌ×ｆ）／（ｐ×ｎ）・・・・・（１） ここで、受光レンズの基線長Ｌ、光学レンズの焦点距離
ｆおよび受光素子の画素のピッチｐは定数なので、この
センサーアレイ上の測定対象像の１対の基準位置からの
ずれ画素数ｎを検出すれば距離Ｄが求まる。このずれ量
を検出する方法としては、演算回路１０５によりセンサ
ーアレイ１０３ａ、１０３ｂからの出力を量子化し、こ
の量子化データについて相関演算を行い、その相関結果
から上記ずれ量を求めることが一般的である。
【０００３】このようなパッシブ型の測距装置では１対
のセンサーアレイの感度差が相関演算に悪影響を及ぼし
てしまい、測距精度を悪化させてしまう。この測距精度
を悪化させる要因となる１対のセンサーアレイの感度差
を補正する技術が、例えば特開２０００−１４６５７２
号公報に開示されている。この開示技術は、メモリ内に
感度差に応じた感度補正データを格納しておき、センサ
ーアレイの出力にその感度補正データを加算または減算
していくものである。メモリ内に格納される感度補正デ
ータは、所定の明るさの一様な測定光をセンサーアレイ
に当てたときのセンサーアレイの出力差に応じたもの、
すなわち固定値を採用している。
のセンサーアレイの感度差が相関演算に悪影響を及ぼし
てしまい、測距精度を悪化させてしまう。この測距精度
を悪化させる要因となる１対のセンサーアレイの感度差
を補正する技術が、例えば特開２０００−１４６５７２
号公報に開示されている。この開示技術は、メモリ内に
感度差に応じた感度補正データを格納しておき、センサ
ーアレイの出力にその感度補正データを加算または減算
していくものである。メモリ内に格納される感度補正デ
ータは、所定の明るさの一様な測定光をセンサーアレイ
に当てたときのセンサーアレイの出力差に応じたもの、
すなわち固定値を採用している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
感度差補正技術、すなわちセンサーアレイの出力に固定
値の感度補正データを加算または減算していくもので
は、入射する光量が増えるほど出力差が増大する通常の
センサーアレイ等に対して適切な補正が行えない。例え
ば、入射光量が無いときは出力がともに零となり、入射
光量が増える毎に出力差が大きくなるような１対のセン
サーアレイに適用すると、入射光量が無いときに固定値
の感度補正データがそのまま出力値となってしまうとい
う不都合が発生し、適切な補正が行えない。よって、こ
のようなセンサーアレイを使用した測距装置に上述した
感度差補正技術を適用した場合、感度補正データを作成
した際に用いた所定の明るさの測定対象については、精
度の高い感度補正が行えるが、それ以外の明るさの測定
対象については精度の高い感度補正は行えなかった。つ
まり、入射する光量に応じた感度補正を行えなかった。
したがって、上記の感度差補正技術を用いた場合、入射
する光量に応じて測距精度にばらつきが生じてしまう。
また、測距装置の出力に基づき対物レンズの合焦動作を
行う合焦装置では、合焦精度の向上は望めない。
感度差補正技術、すなわちセンサーアレイの出力に固定
値の感度補正データを加算または減算していくもので
は、入射する光量が増えるほど出力差が増大する通常の
センサーアレイ等に対して適切な補正が行えない。例え
ば、入射光量が無いときは出力がともに零となり、入射
光量が増える毎に出力差が大きくなるような１対のセン
サーアレイに適用すると、入射光量が無いときに固定値
の感度補正データがそのまま出力値となってしまうとい
う不都合が発生し、適切な補正が行えない。よって、こ
のようなセンサーアレイを使用した測距装置に上述した
感度差補正技術を適用した場合、感度補正データを作成
した際に用いた所定の明るさの測定対象については、精
度の高い感度補正が行えるが、それ以外の明るさの測定
対象については精度の高い感度補正は行えなかった。つ
まり、入射する光量に応じた感度補正を行えなかった。
したがって、上記の感度差補正技術を用いた場合、入射
する光量に応じて測距精度にばらつきが生じてしまう。
また、測距装置の出力に基づき対物レンズの合焦動作を
行う合焦装置では、合焦精度の向上は望めない。
【０００５】本発明は、入射する光量に応じたセンサー
アレイの感度補正が可能なイメージ信号出力方法、イメ
ージ信号出力装置、測距精度を向上可能な測距装置およ
び合焦精度を向上可能な撮像装置を提供することであ
る。
アレイの感度補正が可能なイメージ信号出力方法、イメ
ージ信号出力装置、測距精度を向上可能な測距装置およ
び合焦精度を向上可能な撮像装置を提供することであ
る。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明では、複数の
受光セルからなる１対のセンサーアレイで測定対象から
の像を結像し、上記各センサーアレイの予め定められた
特定幅の量子化変換領域に含まれる各受光セルからの出
力を量子化して出力するイメージ信号出力方法であっ
て、上記量子化の際に上記各センサーアレイまたは上記
各受光セルの感度差に応じて上記量子化変換領域の幅が
変更される。この方法によれば、入射する光量に応じた
センサーアレイの感度補正が可能になる。
受光セルからなる１対のセンサーアレイで測定対象から
の像を結像し、上記各センサーアレイの予め定められた
特定幅の量子化変換領域に含まれる各受光セルからの出
力を量子化して出力するイメージ信号出力方法であっ
て、上記量子化の際に上記各センサーアレイまたは上記
各受光セルの感度差に応じて上記量子化変換領域の幅が
変更される。この方法によれば、入射する光量に応じた
センサーアレイの感度補正が可能になる。
【０００７】第２の発明は、上記方法を実施するための
装置であって、測定対象からの像が結像される複数の受
光セルからなる１対のセンサーアレイと、上記各センサ
ーアレイの予め定められた特定幅の量子化変換領域に含
まれる各受光セルからの出力を量子化する量子化部とを
含み、上記量子化部は、上記量子化の際に上記各センサ
ーアレイまたは上記各受光セルの感度差に応じて上記量
子化変換領域の幅を変更する手段を含む。かかる構成に
よれば、上記量子化変換領域の幅が上記各センサーアレ
イまたは上記各受光セルの感度差に応じて変更されるの
で、量子化部で各受光セルの出力を量子化することで、
入射する光量に応じたセンサーアレイまたは受光セルの
感度補正が可能になる。
装置であって、測定対象からの像が結像される複数の受
光セルからなる１対のセンサーアレイと、上記各センサ
ーアレイの予め定められた特定幅の量子化変換領域に含
まれる各受光セルからの出力を量子化する量子化部とを
含み、上記量子化部は、上記量子化の際に上記各センサ
ーアレイまたは上記各受光セルの感度差に応じて上記量
子化変換領域の幅を変更する手段を含む。かかる構成に
よれば、上記量子化変換領域の幅が上記各センサーアレ
イまたは上記各受光セルの感度差に応じて変更されるの
で、量子化部で各受光セルの出力を量子化することで、
入射する光量に応じたセンサーアレイまたは受光セルの
感度補正が可能になる。
【０００８】第３の発明は、測定対象からの像が結像さ
れる複数の受光セルからなる１対のセンサーアレイと、
上記各センサーアレイの予め定められた特定幅の量子化
変換領域に含まれる各受光セルからの出力を量子化する
量子化部とを含み、上記量子化変換領域の幅は、第１お
よび第２の基準電圧により規定され、上記第１の基準電
圧は、上記各センサーアレイからの出力を量子化する場
合に同じ値に設定され、上記第２の基準電圧は、上記各
センサーアレイ単位または上記各受光セル単位で個別に
設定される。この構成によれば、量子化部で各受光セル
の出力を量子化することで、入射する光量に応じたセン
サーアレイまたは受光セルの感度補正が可能になる。ま
た、２つの基準電圧のうち１つしか変更しないので、構
成の簡略化が図れる。
れる複数の受光セルからなる１対のセンサーアレイと、
上記各センサーアレイの予め定められた特定幅の量子化
変換領域に含まれる各受光セルからの出力を量子化する
量子化部とを含み、上記量子化変換領域の幅は、第１お
よび第２の基準電圧により規定され、上記第１の基準電
圧は、上記各センサーアレイからの出力を量子化する場
合に同じ値に設定され、上記第２の基準電圧は、上記各
センサーアレイ単位または上記各受光セル単位で個別に
設定される。この構成によれば、量子化部で各受光セル
の出力を量子化することで、入射する光量に応じたセン
サーアレイまたは受光セルの感度補正が可能になる。ま
た、２つの基準電圧のうち１つしか変更しないので、構
成の簡略化が図れる。
【０００９】第４の発明では、上記第２の基準電圧を、
同一測定対象からの像が結像された際に出力される上記
各センサーアレイまたは上記各受光セルからの出力の差
に応じて設定される。かかる構成によれば、量子化部で
センサーアレイからの出力を量子化することで、入射す
る光量に応じたセンサーアレイの感度補正ができる。
同一測定対象からの像が結像された際に出力される上記
各センサーアレイまたは上記各受光セルからの出力の差
に応じて設定される。かかる構成によれば、量子化部で
センサーアレイからの出力を量子化することで、入射す
る光量に応じたセンサーアレイの感度補正ができる。
【００１０】第５の発明は、上述したイメージ信号出力
装置と、上記各センサーアレイの出力に対応する上記量
子化部からの出力に基づき上記測定対象までの距離に応
じて変化する測定値を求める制御部とを含む測距装置で
あって、測距精度が向上する。
装置と、上記各センサーアレイの出力に対応する上記量
子化部からの出力に基づき上記測定対象までの距離に応
じて変化する測定値を求める制御部とを含む測距装置で
あって、測距精度が向上する。
【００１１】第６の発明は、上記測距装置と、対物レン
ズと、上記対物レンズを通過した被写体像が結像される
結像部と、上記制御部により求められる上記測定値に応
じて上記対物レンズと上記結像部との間の合焦動作を行
う合焦制御部とを含む撮像装置であって、合焦精度が向
上し、撮像精度が向上する。
ズと、上記対物レンズを通過した被写体像が結像される
結像部と、上記制御部により求められる上記測定値に応
じて上記対物レンズと上記結像部との間の合焦動作を行
う合焦制御部とを含む撮像装置であって、合焦精度が向
上し、撮像精度が向上する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の一形態を図
面に示す実施例に基づき説明する。
面に示す実施例に基づき説明する。
【００１３】図１において、ＣＣＤモジュール１は、１
対の光電変換ラインセンサ部１１ａ、１１ｂ、ゲート部
１２ａ、１２ｂ、ＣＣＤシフトレジスタ１３ａ、１３ｂ
を備えるＣＣＤ固体撮像素子１４とこの撮像素子１４の
動作を制御するＣＣＤ制御部１５等を備える。
対の光電変換ラインセンサ部１１ａ、１１ｂ、ゲート部
１２ａ、１２ｂ、ＣＣＤシフトレジスタ１３ａ、１３ｂ
を備えるＣＣＤ固体撮像素子１４とこの撮像素子１４の
動作を制御するＣＣＤ制御部１５等を備える。
【００１４】センサーアレイとしての光電変換ラインセ
ンサ部（以下「ラインセンサ部」という。）１１ａ、１
１ｂは電荷蓄積型受光素子であり、それぞれ複数の画素
（受光セル）を有するとともに撮影用レンズとは異なる
レンズ等の結像光学系（図示せず。）により測定対象と
しての被写体の像が結像され、その結像された像に応じ
た電荷を発生する。
ンサ部（以下「ラインセンサ部」という。）１１ａ、１
１ｂは電荷蓄積型受光素子であり、それぞれ複数の画素
（受光セル）を有するとともに撮影用レンズとは異なる
レンズ等の結像光学系（図示せず。）により測定対象と
しての被写体の像が結像され、その結像された像に応じ
た電荷を発生する。
【００１５】ゲート部１２ａ、１２ｂはＣＣＤ制御部１
５により動作が制御され、ラインセンサ部１１ａ、１１
ｂによる電荷の蓄積を制御する。具体的には、ゲート部
１２ａ、１２ｂが閉じているときラインセンサ部１１
ａ、１１ｂは電荷蓄積可能となり、ゲート部１２ａ、１
２ｂが開くことにより電荷の蓄積が終了する。
５により動作が制御され、ラインセンサ部１１ａ、１１
ｂによる電荷の蓄積を制御する。具体的には、ゲート部
１２ａ、１２ｂが閉じているときラインセンサ部１１
ａ、１１ｂは電荷蓄積可能となり、ゲート部１２ａ、１
２ｂが開くことにより電荷の蓄積が終了する。
【００１６】ＣＣＤシフトレジスタ（以下「ＣＣＤレジ
スタ」という。）１３ａ、１３ｂはＣＣＤ制御部１５に
より動作が制御され、それぞれゲート部１２ａ、１２ｂ
を介してラインセンサ部１１ａ、１１ｂの蓄積電荷（画
素出力）が転送され、転送終了後に転送された蓄積電荷
に応じた出力を端子Ａから順次シリアルに出力する。な
お、本例では、端子Ａからの出力はラインセンサ部１１
ａ、１１ｂから転送された蓄積電荷が多いほど値が小さ
くなるようにしてある。よって、端子Ａはラインセンサ
部１１ａ、１１ｂに光が入射していなく電荷が未蓄積の
場合に最も大きい値を出力し、ラインセンサ部１１ａ、
１１ｂに蓄積される電荷が多くなるにつれて小さい値を
出力する。
スタ」という。）１３ａ、１３ｂはＣＣＤ制御部１５に
より動作が制御され、それぞれゲート部１２ａ、１２ｂ
を介してラインセンサ部１１ａ、１１ｂの蓄積電荷（画
素出力）が転送され、転送終了後に転送された蓄積電荷
に応じた出力を端子Ａから順次シリアルに出力する。な
お、本例では、端子Ａからの出力はラインセンサ部１１
ａ、１１ｂから転送された蓄積電荷が多いほど値が小さ
くなるようにしてある。よって、端子Ａはラインセンサ
部１１ａ、１１ｂに光が入射していなく電荷が未蓄積の
場合に最も大きい値を出力し、ラインセンサ部１１ａ、
１１ｂに蓄積される電荷が多くなるにつれて小さい値を
出力する。
【００１７】ＣＣＤ制御部１５は撮像素子１４の駆動に
必要な読み出しゲートパルス、転送パルス等を出力す
る。ゲートパルスはゲート部１２ａ、１２ｂに対して出
力され、転送パルスはＣＣＤレジスタ１３ａ、１３ｂに
対して出力される。なお、ＣＣＤ制御部１５から出力さ
れるパルスは、１チップマイコン２内の発振回路２１の
出力に基づき生成され、動作は１チップマイコン２内の
処理演算部２４により制御される。よって、ＣＣＤ制御
部１５から撮像素子１４に出力される読み出しゲートパ
ルスや転送パルス等は処理演算部２４により管理され
る。
必要な読み出しゲートパルス、転送パルス等を出力す
る。ゲートパルスはゲート部１２ａ、１２ｂに対して出
力され、転送パルスはＣＣＤレジスタ１３ａ、１３ｂに
対して出力される。なお、ＣＣＤ制御部１５から出力さ
れるパルスは、１チップマイコン２内の発振回路２１の
出力に基づき生成され、動作は１チップマイコン２内の
処理演算部２４により制御される。よって、ＣＣＤ制御
部１５から撮像素子１４に出力される読み出しゲートパ
ルスや転送パルス等は処理演算部２４により管理され
る。
【００１８】１チップマイコン２は、発振回路２１、Ａ
／Ｄ変換部２２、Ｄ／Ａ変換部２３、処理演算部２４お
よびブロック単位で電気的に書き込み消去可能な不揮発
性メモリ（以下「フラッシュメモリ」という。）２５等
を備える。
／Ｄ変換部２２、Ｄ／Ａ変換部２３、処理演算部２４お
よびブロック単位で電気的に書き込み消去可能な不揮発
性メモリ（以下「フラッシュメモリ」という。）２５等
を備える。
【００１９】発振回路２１は、メインクロックおよび撮
像素子１４を駆動させるための上述したようなクロック
等を出力する。
像素子１４を駆動させるための上述したようなクロック
等を出力する。
【００２０】量子化部としてのＡ／Ｄ変換部２２は、端
子Ａから出力されるラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出
力をデジタル値に変換し処理演算部２４に出力する。
子Ａから出力されるラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出
力をデジタル値に変換し処理演算部２４に出力する。
【００２１】基準電圧可変手段としてのＤ／Ａ変換部２
３は、図３（ｂ）のＬ１、Ｌ２に示したようなＡ／Ｄ変
換部２２のＡ／Ｄ変換レンジ（量子化変換領域）を規定
する高側および低側の基準電圧のうち一方の基準電圧を
出力可能なものである。なお、本例ではＡ／Ｄ変換部２
２のＡ／Ｄ変換レンジを規定する高側基準電圧と低側基
準電圧のうち低側基準電圧をＤ／Ａ変換部２３で設定可
能にしてあり、Ａ／Ｄ変換レンジを２５６個の領域に分
け、この領域内に含まれるラインセンサ部１１ａ、１１
ｂの各受光部における出力を量子化（２５６値化）す
る。なお、Ａ／Ｄ変換部２２の量子化は２５６値化に限
らず適宜変更可能である。つまり、Ａ／Ｄ変換レンジを
分ける領域の数は２５６に限らず適宜変更可能である。
３は、図３（ｂ）のＬ１、Ｌ２に示したようなＡ／Ｄ変
換部２２のＡ／Ｄ変換レンジ（量子化変換領域）を規定
する高側および低側の基準電圧のうち一方の基準電圧を
出力可能なものである。なお、本例ではＡ／Ｄ変換部２
２のＡ／Ｄ変換レンジを規定する高側基準電圧と低側基
準電圧のうち低側基準電圧をＤ／Ａ変換部２３で設定可
能にしてあり、Ａ／Ｄ変換レンジを２５６個の領域に分
け、この領域内に含まれるラインセンサ部１１ａ、１１
ｂの各受光部における出力を量子化（２５６値化）す
る。なお、Ａ／Ｄ変換部２２の量子化は２５６値化に限
らず適宜変更可能である。つまり、Ａ／Ｄ変換レンジを
分ける領域の数は２５６に限らず適宜変更可能である。
【００２２】制御部としての処理演算部２４は、Ａ／Ｄ
変換部２２から入力されるデジタル値に変換されたライ
ンセンサ部１１ａ、１１ｂの各画素出力に基づき被写体
までの距離に応じた測定値を演算するとともに、制御プ
ログラムが記憶されているフラッシュメモリ２５と協同
して種々の動作を制御する。被写体距離に応じた測定値
の演算は、公知のいわゆる相関演算を行うことにより求
める。以下、この相関演算について簡単に説明する。デ
ジタル値に変換されたラインセンサ部１１ａの画素出力
とデジタル値に変換されたラインセンサ部１１ｂの画素
出力とを相互にシフトさせて相関をとり、高い相関を示
すシフト量に基づきラインセンサ部１１ａ、１１ｂにそ
れぞれ設けてある基準位置（無限遠の測定対象の像が結
像する位置とする。）からのずれ量（被写体距離に応じ
て変動する測定値）を求め、例えばその求めたずれ量と
上述した（１）式に基づき被写体距離を求める。
変換部２２から入力されるデジタル値に変換されたライ
ンセンサ部１１ａ、１１ｂの各画素出力に基づき被写体
までの距離に応じた測定値を演算するとともに、制御プ
ログラムが記憶されているフラッシュメモリ２５と協同
して種々の動作を制御する。被写体距離に応じた測定値
の演算は、公知のいわゆる相関演算を行うことにより求
める。以下、この相関演算について簡単に説明する。デ
ジタル値に変換されたラインセンサ部１１ａの画素出力
とデジタル値に変換されたラインセンサ部１１ｂの画素
出力とを相互にシフトさせて相関をとり、高い相関を示
すシフト量に基づきラインセンサ部１１ａ、１１ｂにそ
れぞれ設けてある基準位置（無限遠の測定対象の像が結
像する位置とする。）からのずれ量（被写体距離に応じ
て変動する測定値）を求め、例えばその求めたずれ量と
上述した（１）式に基づき被写体距離を求める。
【００２３】フラッシュメモリ２５には制御プログラム
や感度補正に用いるＤ／Ａ変換部２３の出力設定電圧Ｖ
ｒｅｆ２等の各種の調整値が記憶されており、処理演算
部２４と協同して動作する。
や感度補正に用いるＤ／Ａ変換部２３の出力設定電圧Ｖ
ｒｅｆ２等の各種の調整値が記憶されており、処理演算
部２４と協同して動作する。
【００２４】合焦動作部３は処理演算部２４から出力さ
れる被写体距離に応じて変動する測定値に基づいて対物
レンズ４と結像部５との間の合焦動作を行う。この合焦
動作は対物レンズ４を移動させてもよいし結像部５を移
動させてもよい。結像部５は対物レンズ４を通過した被
写体像が結像され、いわゆる銀塩カメラにおいては結像
部５の箇所に銀塩フィルムが配置され、デジタルスチル
カメラにおいては結像部５の箇所にＣＣＤ撮像素子やＣ
ＭＯＳ撮像素子等が設置される。
れる被写体距離に応じて変動する測定値に基づいて対物
レンズ４と結像部５との間の合焦動作を行う。この合焦
動作は対物レンズ４を移動させてもよいし結像部５を移
動させてもよい。結像部５は対物レンズ４を通過した被
写体像が結像され、いわゆる銀塩カメラにおいては結像
部５の箇所に銀塩フィルムが配置され、デジタルスチル
カメラにおいては結像部５の箇所にＣＣＤ撮像素子やＣ
ＭＯＳ撮像素子等が設置される。
【００２５】図２は、図１のＡ／Ｄ変換部２２とＤ／Ａ
変換部２３の関係を示した図で、図１と同一構成のもの
には同一符号を附してある。
変換部２３の関係を示した図で、図１と同一構成のもの
には同一符号を附してある。
【００２６】同図において、２２ａはＡ／Ｄ変換部２２
のＡ／Ｄ変換レンジの高側を規定する高側基準電圧入力
端子であり、本例では電源（図示せず。）の高電位側に
接続してある。２２ｂはＡ／Ｄ変換部２２のＡ／Ｄ変換
レンジの低側を規定する低側基準電圧入力端子であり、
本例ではスイッチング部２２ｅを介して電源の低電位側
またはＤ／Ａ変換部２３の出力と接続可能になってい
る。２２ｃは入力端子、２２ｄは出力端子である。上述
したようにＡ／Ｄ変換部２２はＡ／Ｄ変換レンジを２５
６個の領域に分け、端子２２ｃから入力される画素出力
を２５６値化して端子２２ｄから出力する。上記２５６
の領域の幅は端子２２ｂに入力する電圧値の変動に伴い
変動するＡ／Ｄ変換レンジに応じて変動する。なお、図
２に示したＡ／Ｄ変換レンジでは、説明を簡単にするた
めに２５６の領域を３２領域ごとにまとめたものに対し
て目盛を附してある。
のＡ／Ｄ変換レンジの高側を規定する高側基準電圧入力
端子であり、本例では電源（図示せず。）の高電位側に
接続してある。２２ｂはＡ／Ｄ変換部２２のＡ／Ｄ変換
レンジの低側を規定する低側基準電圧入力端子であり、
本例ではスイッチング部２２ｅを介して電源の低電位側
またはＤ／Ａ変換部２３の出力と接続可能になってい
る。２２ｃは入力端子、２２ｄは出力端子である。上述
したようにＡ／Ｄ変換部２２はＡ／Ｄ変換レンジを２５
６個の領域に分け、端子２２ｃから入力される画素出力
を２５６値化して端子２２ｄから出力する。上記２５６
の領域の幅は端子２２ｂに入力する電圧値の変動に伴い
変動するＡ／Ｄ変換レンジに応じて変動する。なお、図
２に示したＡ／Ｄ変換レンジでは、説明を簡単にするた
めに２５６の領域を３２領域ごとにまとめたものに対し
て目盛を附してある。
【００２７】次に、図３を参照してＡ／Ｄ変換部２２の
基準電圧調整の概要を説明する。
基準電圧調整の概要を説明する。
【００２８】図３（ａ）は、同一輝度の被写体からの像
（光束）が結像された際に出力されるラインセンサ部１
１ａ、１１ｂのそれぞれの画素出力（実際には端子Ａか
らの出力）を示したものである。なお、このときＡ／Ｄ
変換部２２の端子２２ｂはスイッチング２２ｅにより電
源の低電位側に接続されているものとする。
（光束）が結像された際に出力されるラインセンサ部１
１ａ、１１ｂのそれぞれの画素出力（実際には端子Ａか
らの出力）を示したものである。なお、このときＡ／Ｄ
変換部２２の端子２２ｂはスイッチング２２ｅにより電
源の低電位側に接続されているものとする。
【００２９】同図に示したように、ラインセンサ部１１
ａ、１１ｂに同一輝度の被写体からの像（光束）を受光
させラインセンサ部１１ａ、１１ｂの感度の違い等によ
り異なる出力が発生する場合、その誤差分である出力差
（感度差）Ｖｅを検出し、図３（ｂ）のようにラインセ
ンサ部１１ａとラインセンサ部１１ｂの出力をＡ／Ｄ変
換する際にラインセンサ部１１ａ、１１ｂの検出したＶ
ｅに応じた値に基づきＡ／Ｄ変換レンジを切り換えるよ
うにする。具体的には、入射光量が多いときのラインセ
ンサ部１１ａ、１１ｂの出力に対応するＡ／Ｄ変換レン
ジのレンジ幅規定値側を、検出したＶｅに応じた値に基
づき切り換えるようにする。
ａ、１１ｂに同一輝度の被写体からの像（光束）を受光
させラインセンサ部１１ａ、１１ｂの感度の違い等によ
り異なる出力が発生する場合、その誤差分である出力差
（感度差）Ｖｅを検出し、図３（ｂ）のようにラインセ
ンサ部１１ａとラインセンサ部１１ｂの出力をＡ／Ｄ変
換する際にラインセンサ部１１ａ、１１ｂの検出したＶ
ｅに応じた値に基づきＡ／Ｄ変換レンジを切り換えるよ
うにする。具体的には、入射光量が多いときのラインセ
ンサ部１１ａ、１１ｂの出力に対応するＡ／Ｄ変換レン
ジのレンジ幅規定値側を、検出したＶｅに応じた値に基
づき切り換えるようにする。
【００３０】このように、出力差（感度差）に応じてＡ
／Ｄ変換レンジを切り換えることにより、例えば、入射
光量が無いときは出力がともに無くなり入射光量が増え
る毎に出力差が大きくなるような１対の受光部列等の出
力を生ずる１対の受光部列の出力がＡ／Ｄ変換時に入射
光量に応じた感度補正を施されるようになる。よって、
従来にように入射光量が無いときに固定値の感度補正デ
ータがそのまま出力となってしまうという不都合が解消
される。
／Ｄ変換レンジを切り換えることにより、例えば、入射
光量が無いときは出力がともに無くなり入射光量が増え
る毎に出力差が大きくなるような１対の受光部列等の出
力を生ずる１対の受光部列の出力がＡ／Ｄ変換時に入射
光量に応じた感度補正を施されるようになる。よって、
従来にように入射光量が無いときに固定値の感度補正デ
ータがそのまま出力となってしまうという不都合が解消
される。
【００３１】次に、図４を参照してＡ／Ｄ変換部２２の
基準電圧調整動作を説明する。なお、この動作は出荷前
の調整時に実行される。
基準電圧調整動作を説明する。なお、この動作は出荷前
の調整時に実行される。
【００３２】電源投入に伴い、ＣＣＤレジスタ１３ａ、
１３ｂ、処理演算部２４およびＣＣＤ制御部１５が初期
化され（ステップ４ａ）、スイッチング部２２ｅが電源
の低電位側に接続される（ステップ４ｂ）。
１３ｂ、処理演算部２４およびＣＣＤ制御部１５が初期
化され（ステップ４ａ）、スイッチング部２２ｅが電源
の低電位側に接続される（ステップ４ｂ）。
【００３３】同一輝度の被写体の像をラインセンサ部１
１ａ、１１ｂに受光させ、ラインセンサ部１１ａ、１１
ｂにおいて電荷の蓄積動作を開始する（ステップ４
ｃ）。なお、このとき用いる輝度値は、最大許容輝度に
応じた値にすることが望ましい。
１ａ、１１ｂに受光させ、ラインセンサ部１１ａ、１１
ｂにおいて電荷の蓄積動作を開始する（ステップ４
ｃ）。なお、このとき用いる輝度値は、最大許容輝度に
応じた値にすることが望ましい。
【００３４】電荷の蓄積を開始してから所定時間経過す
ると（ステップ４ｄ）、ラインセンサ部１１ａ、１１ｂ
のそれぞれの画素に蓄積された電荷は画素出力としてゲ
ート部１２ａ、１２ｂを介してＣＣＤレジスタ１３ａ、
１３ｂに転送され、転送終了後に転送された画素出力を
端子Ａから順次シリアルに出力する（ステップ４ｅ）。
ると（ステップ４ｄ）、ラインセンサ部１１ａ、１１ｂ
のそれぞれの画素に蓄積された電荷は画素出力としてゲ
ート部１２ａ、１２ｂを介してＣＣＤレジスタ１３ａ、
１３ｂに転送され、転送終了後に転送された画素出力を
端子Ａから順次シリアルに出力する（ステップ４ｅ）。
【００３５】端子Ａからシリアルに出力されるラインセ
ンサ部１１ａ、１１ｂのそれぞれの画素出力は、１チッ
プマイコン２内のＡ／Ｄ変換部２２で量子化すなわちデ
ジタル値に変換され、処理演算部２４に出力される（ス
テップ４ｆ）。つまり、ステップ４ｆにおいては、共通
のＡ／Ｄ変換レンジでラインセンサ部１１ａ、１１ｂの
画素出力がＡ／Ｄ変換される。
ンサ部１１ａ、１１ｂのそれぞれの画素出力は、１チッ
プマイコン２内のＡ／Ｄ変換部２２で量子化すなわちデ
ジタル値に変換され、処理演算部２４に出力される（ス
テップ４ｆ）。つまり、ステップ４ｆにおいては、共通
のＡ／Ｄ変換レンジでラインセンサ部１１ａ、１１ｂの
画素出力がＡ／Ｄ変換される。
【００３６】処理演算部２４は、Ａ／Ｄ変換部２２から
入力するラインセンサ部１１ａの画素出力を内部のＲＡ
Ｍ２４ａに記憶するとともにラインセンサ部１１ｂの画
素出力を内部のＲＡＭ２４ｂに記憶し（ステップ４
ｇ）、ＲＡＭ２４ａ内の値とＲＡＭ２４ｂ内の値を比較
するとともにその差を求める（ステップ４ｈ）。なお、
ステップ４ｈにおいて、ＲＡＭ２４ａおよび２４ｂ内の
値の平均をそれぞれ求め、求めた平均の差を求めるよう
にしてもよいし、それぞれの最大値または最小値同士の
差を求めるようにしてもよい。ここで、ラインセンサ部
１１ａ、１１ｂには同一輝度の被写体の像（光束）が入
射されているので、ステップ４ｈで求めた差は、ライン
センサ部１１ａ、１１ｂの感度差となる。
入力するラインセンサ部１１ａの画素出力を内部のＲＡ
Ｍ２４ａに記憶するとともにラインセンサ部１１ｂの画
素出力を内部のＲＡＭ２４ｂに記憶し（ステップ４
ｇ）、ＲＡＭ２４ａ内の値とＲＡＭ２４ｂ内の値を比較
するとともにその差を求める（ステップ４ｈ）。なお、
ステップ４ｈにおいて、ＲＡＭ２４ａおよび２４ｂ内の
値の平均をそれぞれ求め、求めた平均の差を求めるよう
にしてもよいし、それぞれの最大値または最小値同士の
差を求めるようにしてもよい。ここで、ラインセンサ部
１１ａ、１１ｂには同一輝度の被写体の像（光束）が入
射されているので、ステップ４ｈで求めた差は、ライン
センサ部１１ａ、１１ｂの感度差となる。
【００３７】上述したステップ４ｇ、４ｈを図３（ａ）
を例にして説明すると、図３（ａ）に示したラインセン
サ部１１ａの出力がＲＡＭ２４ａに、ラインセンサ部１
１ｂの出力がＲＡＭ２４ｂに記憶され（ステップ４
ｇ）、その差Ｖｅ（感度差）が求められる（ステップ４
ｈ）。
を例にして説明すると、図３（ａ）に示したラインセン
サ部１１ａの出力がＲＡＭ２４ａに、ラインセンサ部１
１ｂの出力がＲＡＭ２４ｂに記憶され（ステップ４
ｇ）、その差Ｖｅ（感度差）が求められる（ステップ４
ｈ）。
【００３８】処理演算部２４はステップ４ｇで求めた差
（感度差）に応じた電圧値Ｖｒｅｆ２を求める（ステッ
プ４ｉ）。ステップ４ｉで求めた電圧値Ｖｒｅｆ２は、
Ｄ／Ａ変換部２３の出力設定用電圧値であり、例えば上
述したＶｅでも良く、フラッシュメモリ２５内の所定の
ブロック内に記憶される（ステップ４ｊ）。
（感度差）に応じた電圧値Ｖｒｅｆ２を求める（ステッ
プ４ｉ）。ステップ４ｉで求めた電圧値Ｖｒｅｆ２は、
Ｄ／Ａ変換部２３の出力設定用電圧値であり、例えば上
述したＶｅでも良く、フラッシュメモリ２５内の所定の
ブロック内に記憶される（ステップ４ｊ）。
【００３９】続いて、ＲＡＭ２４ａ内の値とＲＡＭ２４
ｂ内の値の比較から小さい方を選び、選んだＲＡＭに出
力が記憶されているラインセンサ部の識別情報（本例で
は、ラインセンサ部１１ａの場合は「１１ａ」、ライン
センサ部１１ｂの場合は「１１ｂ」とする。）をフラッ
シュメモリ２５内の所定のブロック内に記憶する（ステ
ップ４ｋ）。
ｂ内の値の比較から小さい方を選び、選んだＲＡＭに出
力が記憶されているラインセンサ部の識別情報（本例で
は、ラインセンサ部１１ａの場合は「１１ａ」、ライン
センサ部１１ｂの場合は「１１ｂ」とする。）をフラッ
シュメモリ２５内の所定のブロック内に記憶する（ステ
ップ４ｋ）。
【００４０】ステップ４ｉ〜４ｋを図３を例にして説明
すると、図３（ａ）のＶｅに応じたＶｒｅｆ２を求め
（ステップ４ｉ）、このＶｒｅｆ２をフラッシュメモリ
２５の所定のブロックに記憶し（ステップ４ｊ）、ライ
ンセンサ部１１ａの識別情報（「１１ａ」等）をフラッ
シュメモリ２５内の所定のブロック内に記憶する（ステ
ップ４ｋ）。
すると、図３（ａ）のＶｅに応じたＶｒｅｆ２を求め
（ステップ４ｉ）、このＶｒｅｆ２をフラッシュメモリ
２５の所定のブロックに記憶し（ステップ４ｊ）、ライ
ンセンサ部１１ａの識別情報（「１１ａ」等）をフラッ
シュメモリ２５内の所定のブロック内に記憶する（ステ
ップ４ｋ）。
【００４１】次に、図３、図５を参照して実使用時の動
作を具体的に説明する。
作を具体的に説明する。
【００４２】電源が投入されると、ＣＣＤレジスタ１３
ａ、１３ｂ、処理演算部２４およびＣＣＤ制御部１５が
初期化される（ステップ５ａ）。
ａ、１３ｂ、処理演算部２４およびＣＣＤ制御部１５が
初期化される（ステップ５ａ）。
【００４３】初期化が終了すると、フラッシュメモリ２
５内の所定のブロック内に記憶してあるラインセンサ部
の識別情報およびＤ／Ａ変換部２３の出力設定用電圧値
Ｖｒｅｆ２を読み出す（ステップ５ｂ）。
５内の所定のブロック内に記憶してあるラインセンサ部
の識別情報およびＤ／Ａ変換部２３の出力設定用電圧値
Ｖｒｅｆ２を読み出す（ステップ５ｂ）。
【００４４】フラッシュメモリ２５から読み出した識別
情報がラインセンサ部１１ａに対応する「１１ａ」であ
れば（ステップ５ｃ）、フラッシュメモリ２５から読み
出したＶｒｅｆ２に応じた電圧値をＤ／Ａ変換部２３か
ら出力させ（ステップ５ｄ）、Ａ／Ｄ変換部２２のスイ
ッチング部２２ｅをＤ／Ａ変換部２３側に接続し、Ａ／
Ｄ変換部２２の低側基準電圧入力端子２２ｂにＤ／Ａ変
換部２３の出力を供給し、Ａ／Ｄ変換部２２の変換レン
ジを調整する（ステップ５ｅ）。
情報がラインセンサ部１１ａに対応する「１１ａ」であ
れば（ステップ５ｃ）、フラッシュメモリ２５から読み
出したＶｒｅｆ２に応じた電圧値をＤ／Ａ変換部２３か
ら出力させ（ステップ５ｄ）、Ａ／Ｄ変換部２２のスイ
ッチング部２２ｅをＤ／Ａ変換部２３側に接続し、Ａ／
Ｄ変換部２２の低側基準電圧入力端子２２ｂにＤ／Ａ変
換部２３の出力を供給し、Ａ／Ｄ変換部２２の変換レン
ジを調整する（ステップ５ｅ）。
【００４５】フラッシュメモリ２５から読み出した識別
情報がラインセンサ部１１ｂに対応する「１１ｂ」であ
れば（ステップ５ｃ）、Ａ／Ｄ変換部２２のスイッチン
グ部２２ｅを電源の低電位側に接続し、Ａ／Ｄ変換部２
２の低側基準電圧入力端子２２ｂに電源の低電位を供給
し、Ａ／Ｄ変換部２２の変換レンジを調整する（ステッ
プ５ｆ）。
情報がラインセンサ部１１ｂに対応する「１１ｂ」であ
れば（ステップ５ｃ）、Ａ／Ｄ変換部２２のスイッチン
グ部２２ｅを電源の低電位側に接続し、Ａ／Ｄ変換部２
２の低側基準電圧入力端子２２ｂに電源の低電位を供給
し、Ａ／Ｄ変換部２２の変換レンジを調整する（ステッ
プ５ｆ）。
【００４６】調整が終了すると、図示しない受光レンズ
を通してラインセンサ部１１ａ、１１ｂに結像される測
距対象の像に基づきラインセンサ部１１ａ、１１ｂにて
電荷の蓄積動作が始まり（ステップ５ｇ）、蓄積動作を
開始してから所望時間経過するとラインセンサ部１１
ａ、１１ｂの画素出力をＣＣＤレジスタ１３ａ、１３ｂ
に転送して蓄積動作を終了する（ステップ５ｈ、５
ｉ）。
を通してラインセンサ部１１ａ、１１ｂに結像される測
距対象の像に基づきラインセンサ部１１ａ、１１ｂにて
電荷の蓄積動作が始まり（ステップ５ｇ）、蓄積動作を
開始してから所望時間経過するとラインセンサ部１１
ａ、１１ｂの画素出力をＣＣＤレジスタ１３ａ、１３ｂ
に転送して蓄積動作を終了する（ステップ５ｈ、５
ｉ）。
【００４７】ラインセンサ部１１ａの画素出力をＣＣＤ
レジスタ１３ａからシリアルに出力し、Ａ／Ｄ変換部２
２でデジタル値に変換してＲＡＭ２４ａに格納する（ス
テップ５ｊ）。
レジスタ１３ａからシリアルに出力し、Ａ／Ｄ変換部２
２でデジタル値に変換してＲＡＭ２４ａに格納する（ス
テップ５ｊ）。
【００４８】ＲＡＭ２４ａヘの格納が終了すると、ステ
ップ５ｂでフラッシュメモリ２５から読み出した識別情
報がラインセンサ部１１ａに対応するものであれば（ス
テップ５ｋ）、Ａ／Ｄ変換部２２のスイッチング部２２
ｅを電源の低電位側に接続し、Ａ／Ｄ変換部２２の低側
基準電圧入力端子２２ｂに電源の低電位を供給し、Ａ／
Ｄ変換部２２の変換レンジを調整する（ステップ５
ｌ）。
ップ５ｂでフラッシュメモリ２５から読み出した識別情
報がラインセンサ部１１ａに対応するものであれば（ス
テップ５ｋ）、Ａ／Ｄ変換部２２のスイッチング部２２
ｅを電源の低電位側に接続し、Ａ／Ｄ変換部２２の低側
基準電圧入力端子２２ｂに電源の低電位を供給し、Ａ／
Ｄ変換部２２の変換レンジを調整する（ステップ５
ｌ）。
【００４９】ステップ５ｋにおいて、識別情報がライン
センサ部１１ｂに対応する「１１ｂ」であれば、フラッ
シュメモリ２５から読み出したＶｒｅｆ２に応じた電圧
値をＤ／Ａ変換部２３から出力させ（ステップ５ｍ）、
Ａ／Ｄ変換部２２のスイッチング部２２ｅをＤ／Ａ変換
部２３側に接続し、Ａ／Ｄ変換部２２の低側基準電圧入
力端子２２ｂにＤ／Ａ変換部２３の出力を供給し、Ａ／
Ｄ変換部２２の変換レンジを調整する（ステップ５
ｎ）。
センサ部１１ｂに対応する「１１ｂ」であれば、フラッ
シュメモリ２５から読み出したＶｒｅｆ２に応じた電圧
値をＤ／Ａ変換部２３から出力させ（ステップ５ｍ）、
Ａ／Ｄ変換部２２のスイッチング部２２ｅをＤ／Ａ変換
部２３側に接続し、Ａ／Ｄ変換部２２の低側基準電圧入
力端子２２ｂにＤ／Ａ変換部２３の出力を供給し、Ａ／
Ｄ変換部２２の変換レンジを調整する（ステップ５
ｎ）。
【００５０】ラインセンサ部１１ｂの画素出力をＣＣＤ
レジスタ１３ｂからシリアルに出力し、Ａ／Ｄ変換部２
２でデジタル値に変換してＲＡＭ２４ｂに格納する（ス
テップ５ｏ）。このように、ラインセンサ部１１ａの画
素出力をＡ／Ｄ変換する場合とラインセンサ部１１ａの
画素出力をＡ／Ｄ変換する場合とでＡ／Ｄ変換レンジを
切り換えているので、さらに言えば両ラインセンサ部の
出力差（感度差）に基づきＡ／Ｄ変換レンジを切り換え
ているので、Ａ／Ｄ変換部２２でＡ／Ｄ変換するだけで
入射する光量に応じた両ラインセンサ部の感度差を補正
できる。
レジスタ１３ｂからシリアルに出力し、Ａ／Ｄ変換部２
２でデジタル値に変換してＲＡＭ２４ｂに格納する（ス
テップ５ｏ）。このように、ラインセンサ部１１ａの画
素出力をＡ／Ｄ変換する場合とラインセンサ部１１ａの
画素出力をＡ／Ｄ変換する場合とでＡ／Ｄ変換レンジを
切り換えているので、さらに言えば両ラインセンサ部の
出力差（感度差）に基づきＡ／Ｄ変換レンジを切り換え
ているので、Ａ／Ｄ変換部２２でＡ／Ｄ変換するだけで
入射する光量に応じた両ラインセンサ部の感度差を補正
できる。
【００５１】ＲＡＭ２４ａ、２４ｂに格納されたデータ
に基づき被写体までの距離に応じた測定値を求める（ス
テップ５ｐ）。ステップ５ｐは上述したような相関演算
を用いて行う。このように、入射する光量に応じた感度
補正がなされた両ラインセンサ部の画素出力に基づき被
写体までの距離に応じた測定値を求めるので、測距精度
の向上が図れる。
に基づき被写体までの距離に応じた測定値を求める（ス
テップ５ｐ）。ステップ５ｐは上述したような相関演算
を用いて行う。このように、入射する光量に応じた感度
補正がなされた両ラインセンサ部の画素出力に基づき被
写体までの距離に応じた測定値を求めるので、測距精度
の向上が図れる。
【００５２】続いて、求めた測光値に基づき合焦動作を
行う。この部分は従来技術の手法を応用して行ってもよ
いので、その詳細説明は省略する（ステップ５ｑ）。こ
のように、入射する光量に応じた感度補正がなされた両
ラインセンサ部の画素出力に基づき求められた被写体ま
での距離に応じた測定値に応じて合焦動作を行うので、
合焦精度が向上する。
行う。この部分は従来技術の手法を応用して行ってもよ
いので、その詳細説明は省略する（ステップ５ｑ）。こ
のように、入射する光量に応じた感度補正がなされた両
ラインセンサ部の画素出力に基づき求められた被写体ま
での距離に応じた測定値に応じて合焦動作を行うので、
合焦精度が向上する。
【００５３】上述した動作の要部を図３に示した例に基
づき説明すると、ステップ５ｂで読み出されるＶｒｅｆ
２はＶｅに応じた値であり、同じくステップ５ｂで読み
出される識別情報は「１１ａ」となる。よって、ステッ
プ５ｃからステップ５ｄ、５ｅと進み、Ａ／Ｄ変換部２
２のＡ／Ｄ変換レンジは図３（ｂ）のＬ１となる。よっ
て、ラインセンサ部１１ａの画素出力はＡ／Ｄ変換レン
ジＬ１に基づき２５６値化され、ＲＡＭ２４ａに格納さ
れる。また、ステップ５ｂで読み出される識別情報は
「１１ａ」なので、ステップ５ｌに進みラインセンサ部
１１ｂの画素出力はＡ／Ｄ変換レンジＬ２に基づき２５
６値化され、ＲＡＭ２４ｂに格納される。
づき説明すると、ステップ５ｂで読み出されるＶｒｅｆ
２はＶｅに応じた値であり、同じくステップ５ｂで読み
出される識別情報は「１１ａ」となる。よって、ステッ
プ５ｃからステップ５ｄ、５ｅと進み、Ａ／Ｄ変換部２
２のＡ／Ｄ変換レンジは図３（ｂ）のＬ１となる。よっ
て、ラインセンサ部１１ａの画素出力はＡ／Ｄ変換レン
ジＬ１に基づき２５６値化され、ＲＡＭ２４ａに格納さ
れる。また、ステップ５ｂで読み出される識別情報は
「１１ａ」なので、ステップ５ｌに進みラインセンサ部
１１ｂの画素出力はＡ／Ｄ変換レンジＬ２に基づき２５
６値化され、ＲＡＭ２４ｂに格納される。
【００５４】このように、ラインセンサ部１１ａ、１１
ｂの出力差（感度差）に応じてＡ／Ｄ変換レンジが変わ
るので、この変わったＡ／Ｄ変換レンジに応じてＡ／Ｄ
変換するだけでラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出力差
（感度差）の補正が行え、また、Ａ／Ｄ変換レンジを変
える際にＡ／Ｄ変換レンジを規定する２つの基準電圧の
うち１つしか変更していないので変更が容易に行える。
また、従来のようにラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出
力に対して感度差に応じた固定値を加算または減算せず
に、出力差（感度差）に応じてＡ／Ｄ変換レンジを変え
てラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出力差（感度差）の
補正を行うので、入射する光量に応じたラインセンサ部
１１ａ、１１ｂの感度補正が可能になる。
ｂの出力差（感度差）に応じてＡ／Ｄ変換レンジが変わ
るので、この変わったＡ／Ｄ変換レンジに応じてＡ／Ｄ
変換するだけでラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出力差
（感度差）の補正が行え、また、Ａ／Ｄ変換レンジを変
える際にＡ／Ｄ変換レンジを規定する２つの基準電圧の
うち１つしか変更していないので変更が容易に行える。
また、従来のようにラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出
力に対して感度差に応じた固定値を加算または減算せず
に、出力差（感度差）に応じてＡ／Ｄ変換レンジを変え
てラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出力差（感度差）の
補正を行うので、入射する光量に応じたラインセンサ部
１１ａ、１１ｂの感度補正が可能になる。
【００５５】上記ではラインセンサ部１１ａ、１１ｂの
出力差（感度差）に応じてＡ／Ｄ変換レンジを変更する
例を示したが、図６に示すようにラインセンサ部１１
ａ、１１ｂの受光素子毎の出力差（感度差）に応じてＡ
／Ｄ変換レンジを変更するようにしてもよい。図６
（ａ）は所定の明るさの一様な測定光をラインセンサ部
１１ａ、１１ｂに当てたときの受光部別の感度バラツキ
を示し、この図の横軸は各受光部の配列順の番号（Ｎ
ｏ.）を示し、縦軸はＡ／Ｄ変換レンジを一定にしたと
きの受光部別のＡ／Ｄ変換された画素出力を示す。この
場合、各画素出力のうち最も出力の大きいもの（図６
（ａ）では「１１ａｍａｘ」）に対するＶｅ１〜Ｖｅｘ
を検出し、このＶｅ１〜Ｖｅｘに対応するＶｒｅｆ２１
〜Ｖｒｅｆ２Ｘ（以下「Ｖｒｅｆ２ｎ」という。）を求
めて各受光部の配列順の番号（Ｎｏ.）と関連づけてフ
ラッシュメモリ２５内の所定のブロック内に格納する。
実使用時には、撮像素子１４に出力される転送パルスの
数が各受光部の配列順の番号に対応することを利用し、
処理演算部２４の制御により転送パルスが出力される毎
に転送パルスの数に応じた各受光部の配列順の番号（Ｎ
ｏ.）が求められ、求められた各受光部の配列順の番号
（Ｎｏ.）に関連づけられてフラッシュメモリ２５内に
格納されているＶｒｅｆ２ｎを読み出しＤ／Ａ変換部２
３の出力を設定し、この設定されたＤ／Ａ変換部２３の
出力に基づきＡ／Ｄ変換レンジの幅を変更するようにす
ればよい。なお、この場合、各画素出力のうち最も出力
の大きいもの（図６（ａ）では「１１ａｍａｘ」）に対
応するＶｒｅｆ２ｎとして電源の低電位側（例えばグラ
ンドを採用すれば、Ａ／Ｄ変換レンジ幅の最大幅を大き
く取れる（図６（ｂ）参照）。このようにすれば、上記
の効果に加え、各受光部毎の感度補正が可能になり、さ
らに測距精度を向上可能となる。
出力差（感度差）に応じてＡ／Ｄ変換レンジを変更する
例を示したが、図６に示すようにラインセンサ部１１
ａ、１１ｂの受光素子毎の出力差（感度差）に応じてＡ
／Ｄ変換レンジを変更するようにしてもよい。図６
（ａ）は所定の明るさの一様な測定光をラインセンサ部
１１ａ、１１ｂに当てたときの受光部別の感度バラツキ
を示し、この図の横軸は各受光部の配列順の番号（Ｎ
ｏ.）を示し、縦軸はＡ／Ｄ変換レンジを一定にしたと
きの受光部別のＡ／Ｄ変換された画素出力を示す。この
場合、各画素出力のうち最も出力の大きいもの（図６
（ａ）では「１１ａｍａｘ」）に対するＶｅ１〜Ｖｅｘ
を検出し、このＶｅ１〜Ｖｅｘに対応するＶｒｅｆ２１
〜Ｖｒｅｆ２Ｘ（以下「Ｖｒｅｆ２ｎ」という。）を求
めて各受光部の配列順の番号（Ｎｏ.）と関連づけてフ
ラッシュメモリ２５内の所定のブロック内に格納する。
実使用時には、撮像素子１４に出力される転送パルスの
数が各受光部の配列順の番号に対応することを利用し、
処理演算部２４の制御により転送パルスが出力される毎
に転送パルスの数に応じた各受光部の配列順の番号（Ｎ
ｏ.）が求められ、求められた各受光部の配列順の番号
（Ｎｏ.）に関連づけられてフラッシュメモリ２５内に
格納されているＶｒｅｆ２ｎを読み出しＤ／Ａ変換部２
３の出力を設定し、この設定されたＤ／Ａ変換部２３の
出力に基づきＡ／Ｄ変換レンジの幅を変更するようにす
ればよい。なお、この場合、各画素出力のうち最も出力
の大きいもの（図６（ａ）では「１１ａｍａｘ」）に対
応するＶｒｅｆ２ｎとして電源の低電位側（例えばグラ
ンドを採用すれば、Ａ／Ｄ変換レンジ幅の最大幅を大き
く取れる（図６（ｂ）参照）。このようにすれば、上記
の効果に加え、各受光部毎の感度補正が可能になり、さ
らに測距精度を向上可能となる。
【００５６】なお、上記では、実際にＡ／Ｄ変換部２２
に入力するラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出力として
画素出力が大きいほど電圧値が小さくなるような構成を
採用していたので、Ａ／Ｄ変換部２２のＡ／Ｄ変換レン
ジを規定する低側を感度差に応じて変更するようにした
が、Ａ／Ｄ変換部２２に入力するラインセンサ部１１
ａ、１１ｂの出力として画素出力が大きいほど電圧値が
大きくなるような構成を採用した場合には、Ａ／Ｄ変換
部２２のＡ／Ｄ変換レンジを規定する高側を感度差に応
じて変更するようにすることが望ましい。
に入力するラインセンサ部１１ａ、１１ｂの出力として
画素出力が大きいほど電圧値が小さくなるような構成を
採用していたので、Ａ／Ｄ変換部２２のＡ／Ｄ変換レン
ジを規定する低側を感度差に応じて変更するようにした
が、Ａ／Ｄ変換部２２に入力するラインセンサ部１１
ａ、１１ｂの出力として画素出力が大きいほど電圧値が
大きくなるような構成を採用した場合には、Ａ／Ｄ変換
部２２のＡ／Ｄ変換レンジを規定する高側を感度差に応
じて変更するようにすることが望ましい。
【００５７】また、結像部５にＣＣＤ撮像素子やＣＭＯ
Ｓ撮像素子を設置するデジタルスチルカメラの場合、ラ
インセンサ部１１ａ、１１ｂとして結像部５に設置され
たＣＣＤ撮像素子やＣＭＯＳ撮像素子内の受光セルを使
用してもよい。つまり、上記ＣＣＤ撮像素子やＣＭＯＳ
撮像素子内の受光セルの中で１対のラインセンサ部１１
ａ、１１ｂを定め、これらの出力をＡ／Ｄ変換部２２に
入力させ、上述したようなＡ／Ｄ変換レンジの変更をす
るようにしてもよい。
Ｓ撮像素子を設置するデジタルスチルカメラの場合、ラ
インセンサ部１１ａ、１１ｂとして結像部５に設置され
たＣＣＤ撮像素子やＣＭＯＳ撮像素子内の受光セルを使
用してもよい。つまり、上記ＣＣＤ撮像素子やＣＭＯＳ
撮像素子内の受光セルの中で１対のラインセンサ部１１
ａ、１１ｂを定め、これらの出力をＡ／Ｄ変換部２２に
入力させ、上述したようなＡ／Ｄ変換レンジの変更をす
るようにしてもよい。
【００５８】また、ラインセンサ部１１ａ、１１ｂ上に
結像される象が対物レンズ４を通過したもの（ＴＴＬ）
の場合、ラインセンサ部１１ａ、１１ｂ上にそれぞれ設
けられる基準位置は、対物レンズ４が合焦位置にあると
きにラインセンサ部１１ａ、１１ｂ上に結像する被写体
像の位置となる。
結像される象が対物レンズ４を通過したもの（ＴＴＬ）
の場合、ラインセンサ部１１ａ、１１ｂ上にそれぞれ設
けられる基準位置は、対物レンズ４が合焦位置にあると
きにラインセンサ部１１ａ、１１ｂ上に結像する被写体
像の位置となる。
【００５９】
【発明の効果】本発明によれば、量子化変換領域の幅が
各センサーアレイまたは各受光セルの感度差に応じて変
更されるので、量子化を行う際に入射する光量に応じた
センサーアレイの感度補正が可能になり、測距精度、合
焦精度が向上可能となる。
各センサーアレイまたは各受光セルの感度差に応じて変
更されるので、量子化を行う際に入射する光量に応じた
センサーアレイの感度補正が可能になり、測距精度、合
焦精度が向上可能となる。
【図１】本発明の一実施例を示したブロック回路図。
【図２】図１の要部詳細図。
【図３】図１の動作原理を説明するための説明図。
【図４】図１の動作を示したフローチャート。
【図５】図１の動作を示したフローチャート。
【図６】本発明の他の実施例で用いるＤ／Ａ変換部の設
定用データの説明図。
定用データの説明図。
【図７】従来のパッシブ型測距装置の原理構成を示した
説明図。
説明図。
１１ａ センサーアレイ １１ｂ センサーアレイ ２２ 量子化部 ２４ 制御部 ３ 合焦制御部 ４ 対物レンズ ５ 結像部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０３Ｂ 13/36 Ｇ０３Ｂ 3/00 Ａ Ｆターム(参考） 2F065 AA06 DD00 EE10 FF09 FF10 JJ02 JJ05 JJ09 JJ25 NN12 QQ03 QQ25 QQ27 RR06 SS03 UU02 UU05 2F112 AC03 BA06 BA20 CA02 DA28 FA03 FA07 FA21 FA45 GA10 2G065 AA11 AB04 BA04 BA06 BB06 BC10 BC11 BC13 BC14 BC28 BC33 CA30 DA18 DA20 2H011 BA05 BB03 2H051 BB07 CB10 CB20 CE02 DA00 EA09
Claims (6)
- 【請求項１】 複数の受光セルからなる１対のセンサー
アレイに測定対象からの像を結像し、上記各センサーア
レイの予め定められた特定幅の量子化変換領域に含まれ
る各受光セルからの出力を量子化して出力するイメージ
信号出力方法であって、 上記量子化の際に上記各センサーアレイまたは上記各受
光セルの感度差に応じて上記量子化変換領域の幅が変更
されることを特徴とするイメージ信号出力方法。 - 【請求項２】 測定対象からの像が結像される複数の受
光セルからなる１対のセンサーアレイと、上記各センサ
ーアレイの予め定められた特定幅の量子化変換領域に含
まれる各受光セルからの出力を量子化する量子化部とを
含み、 上記量子化部は、上記量子化の際に上記各センサーアレ
イまたは上記各受光セルの感度差に応じて上記量子化変
換領域の幅を変更する手段を含むことを特徴とするイメ
ージ信号出力装置。 - 【請求項３】 測定対象からの像が結像される複数の受
光セルからなる１対のセンサーアレイと、上記各センサ
ーアレイの予め定められた特定幅の量子化変換領域に含
まれる各受光セルからの出力を量子化する量子化部とを
含み、 上記量子化変換領域の幅は、第１および第２の基準電圧
により規定され、 上記第１の基準電圧は、上記各センサーアレイからの出
力を量子化する場合に同じ値に設定され、 上記第２の基準電圧は、上記各センサーアレイ単位また
は上記各受光セル単位で個別に設定されることを特徴と
するイメージ信号出力装置。 - 【請求項４】 請求項３において、上記第２の基準電圧
は、同一測定対象からの像が結像された際に出力される
上記各センサーアレイまたは上記各受光セルからの出力
の差に応じて設定されることを特徴とするイメージ信号
出力装置。 - 【請求項５】 請求項２乃至４のいずれかに記載のイメ
ージ信号出力装置と、上記各センサーアレイの出力に対
応する上記量子化部からの出力に基づき上記測定対象ま
での距離に応じて変化する測定値を求める制御部とを含
むことを特徴とする測距装置。 - 【請求項６】 請求項５に記載の測距装置と、対物レン
ズと、上記対物レンズを通過した被写体像が結像される
結像部と、上記制御部により求められる上記測定値に応
じて上記対物レンズと上記結像部との間の合焦動作を行
う合焦制御部とを含むことを特徴とする撮像装置。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001011841A JP2002213946A (ja) | 2001-01-19 | 2001-01-19 | イメージ信号出力方法、イメージ信号出力装置、測距装置及び撮像装置 |
| US10/037,241 US7042491B2 (en) | 2001-01-19 | 2002-01-03 | Image signal output method, image signal output device, rangefinder, and imaging device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2001011841A JP2002213946A (ja) | 2001-01-19 | 2001-01-19 | イメージ信号出力方法、イメージ信号出力装置、測距装置及び撮像装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002213946A true JP2002213946A (ja) | 2002-07-31 |
Family
ID=18878930
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2001011841A Abandoned JP2002213946A (ja) | 2001-01-19 | 2001-01-19 | イメージ信号出力方法、イメージ信号出力装置、測距装置及び撮像装置 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7042491B2 (ja) |
| JP (1) | JP2002213946A (ja) |
Cited By (6)
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|---|---|---|---|---|
| US7156524B2 (en) | 2003-07-17 | 2007-01-02 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Projection type video display and method of adjusting the same at factory shipping |
| US7370980B2 (en) | 2003-07-17 | 2008-05-13 | Sanyo Electric Co., Ltd. | Projection type video display |
| CN100395654C (zh) * | 2004-01-16 | 2008-06-18 | 三洋电机株式会社 | 投射型图像显示装置 |
| US7583363B2 (en) | 2007-03-21 | 2009-09-01 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Range finder system and electronic system having same |
| JP2009535607A (ja) * | 2006-04-28 | 2009-10-01 | グローバル・センサー・システムズ・インコーポレイテッド | パッケージのサイズを測定するための装置 |
| JP2010156978A (ja) * | 2010-01-19 | 2010-07-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 投写型映像表示装置 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7164506B2 (en) * | 2002-06-07 | 2007-01-16 | Xerox Corporation | Multi-chip image sensor, on chip apparatus for causing each chip to selectably function in a parallel or serial readout |
| JP4115220B2 (ja) * | 2002-09-19 | 2008-07-09 | キヤノン株式会社 | 撮像装置 |
| JP4340503B2 (ja) * | 2003-09-18 | 2009-10-07 | 株式会社リコー | 原稿読取装置 |
| JP2005265606A (ja) * | 2004-03-18 | 2005-09-29 | Fuji Electric Device Technology Co Ltd | 距離測定装置 |
| JP4533824B2 (ja) * | 2005-08-30 | 2010-09-01 | 株式会社日立製作所 | 画像入力装置及び校正方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59133510A (ja) * | 1983-01-21 | 1984-07-31 | Konishiroku Photo Ind Co Ltd | 距離測定装置 |
| US5280332A (en) * | 1990-02-09 | 1994-01-18 | Vx Optronics | Method and apparatus for self-correcting, direct sensing coincidence sensor for optical rangefinders |
| DE19606694C2 (de) * | 1995-02-22 | 2002-12-12 | Asahi Optical Co Ltd | Entfernungsmeßvorrichtung |
| US5721977A (en) * | 1996-01-19 | 1998-02-24 | Minolta Co., Ltd. | Distance measuring apparatus of camera improved in measuring process |
-
2001
- 2001-01-19 JP JP2001011841A patent/JP2002213946A/ja not_active Abandoned
-
2002
- 2002-01-03 US US10/037,241 patent/US7042491B2/en not_active Expired - Fee Related
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| JP2009535607A (ja) * | 2006-04-28 | 2009-10-01 | グローバル・センサー・システムズ・インコーポレイテッド | パッケージのサイズを測定するための装置 |
| JP2013174617A (ja) * | 2006-04-28 | 2013-09-05 | Global Sensor Systems Inc | 物体の１次元のサイズを決定する方法 |
| US7583363B2 (en) | 2007-03-21 | 2009-09-01 | Hon Hai Precision Industry Co., Ltd. | Range finder system and electronic system having same |
| JP2010156978A (ja) * | 2010-01-19 | 2010-07-15 | Sanyo Electric Co Ltd | 投写型映像表示装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US7042491B2 (en) | 2006-05-09 |
| US20020126205A1 (en) | 2002-09-12 |
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Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20100218 |
|
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