JP3429211B2 - プラズマ表示装置用の誘電体の組成物 - Google Patents
プラズマ表示装置用の誘電体の組成物Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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- C03C3/07—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead
- C03C3/072—Glass compositions containing silica with less than 40% silica by weight containing lead containing boron
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Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明はプラズマ表示装置用
の誘電体の組成物に関するものである。
の誘電体の組成物に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】最近、液晶表示装置（Liquid Crystal D
isplay；ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Field Emission
Dislay ；ＦＥＤ）及びプラズマ表示装置（Plasma Dis
play Panel；ＰＤＰ）などの平面表示装置が活発に開発
されている。これらの内ＰＤＰは単純構造による製作の
容易性、高輝度と高発光効率、メモリ機能及び１６０°
以上の光視野角を持つ点と併せて４０インチ以上の大画
面を実現することのできる長所を持っている。
isplay；ＬＣＤ）、電界放出表示装置（Field Emission
Dislay ；ＦＥＤ）及びプラズマ表示装置（Plasma Dis
play Panel；ＰＤＰ）などの平面表示装置が活発に開発
されている。これらの内ＰＤＰは単純構造による製作の
容易性、高輝度と高発光効率、メモリ機能及び１６０°
以上の光視野角を持つ点と併せて４０インチ以上の大画
面を実現することのできる長所を持っている。
【０００３】図１を参照する。いうまでもなく、図１は
一つのセルの断面図である。このセルがマトリックス状
に多数用意されている。従来の技術によるＰＤＰは、下
部ガラス板（１４）のセルのほぼ中央にアドレス電極
（２）を配置し、さらに下部電極の表面には所定の厚さ
に壁電荷（ Wall Charge）を充電するための誘電体の厚
膜（１８）が塗布されている。（８）は下部誘電体の厚
膜（１８）の上部に形成されてそれぞれの放電セルを分
割する隔壁である。すなわち、その隔壁で一つのセルが
他のセルから分離されている。前記厚膜を形成させた下
部ガラス板（１４）の表面にはさらに、プラズマの放電
時に発生された光によって励起されて発光する蛍光体
（６）が設けられている。一方、上部ガラス板（１６）
のセル内部を向いた表面には一対の透明電極（４）が形
成されており、さらに、壁電荷を充電する上部誘電体の
厚膜（１２）が所定の厚さに塗布されている。また、誘
電体の厚膜（１２）の上には放電によるスパッタリング
から上部誘電体の厚膜（１２）を保護する保護膜（１
０）が設けられている。
一つのセルの断面図である。このセルがマトリックス状
に多数用意されている。従来の技術によるＰＤＰは、下
部ガラス板（１４）のセルのほぼ中央にアドレス電極
（２）を配置し、さらに下部電極の表面には所定の厚さ
に壁電荷（ Wall Charge）を充電するための誘電体の厚
膜（１８）が塗布されている。（８）は下部誘電体の厚
膜（１８）の上部に形成されてそれぞれの放電セルを分
割する隔壁である。すなわち、その隔壁で一つのセルが
他のセルから分離されている。前記厚膜を形成させた下
部ガラス板（１４）の表面にはさらに、プラズマの放電
時に発生された光によって励起されて発光する蛍光体
（６）が設けられている。一方、上部ガラス板（１６）
のセル内部を向いた表面には一対の透明電極（４）が形
成されており、さらに、壁電荷を充電する上部誘電体の
厚膜（１２）が所定の厚さに塗布されている。また、誘
電体の厚膜（１２）の上には放電によるスパッタリング
から上部誘電体の厚膜（１２）を保護する保護膜（１
０）が設けられている。
【０００４】アドレス電極（２）と透明電極（４）に所
定の駆動電圧（例えば２００Ｖ）が加えられると放電セ
ルの内部ではアドレス電極（２）で放出された電子によ
ってプラズマ放電が起こる。これを詳細に説明すると、
電極で放出された電子が放電セルに封入されたＨｅガス
とＸｅガスの混合ガスの原子またはＮｅガスとＸｅガス
の混合ガスの原子と衝突して混合ガスの原子をイオン化
させ、２次電子の放出が起こる。この時、２次電子は混
合ガスの原子などと衝突を繰り返しながら混合ガスの原
子が順次イオン化させる。即ち、電子とイオンが倍に増
加するアバランシ現象が生じる。このアバランシ課程で
発生した光が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍
光体を発光させる。このように蛍光体で発光さしたＲ、
Ｇ、Ｂの光は保護膜（１０）、上部誘電体の厚膜（１
２）及び透明電極（４）を経由して上部ガラス板（１
６）に進み、文字またはグラフィックが表示される。一
方、上部誘電体の厚膜（１２）及び下部誘電体の厚膜
（１８）は互いに異なる特性を要求している。例えて説
明すると、上部誘電体の厚膜（１２）は蛍光体（６）で
発光された光を透過させなければならないので高い透過
率を持たなければならないが、下部誘電体の厚膜（１
８）は蛍光体（６）で発光された光を上部ガラス板（１
６）の方に反射させ、発光効率の向上及び拡散防止膜の
機能を発揮しなければならない。したがって、厚膜（１
８）は高密度組織と高い反射率が要求され、かつ、亀裂
を防止するために低い熱膨張係数と熱的安定性及び低い
誘電率などの特性が要求される。
定の駆動電圧（例えば２００Ｖ）が加えられると放電セ
ルの内部ではアドレス電極（２）で放出された電子によ
ってプラズマ放電が起こる。これを詳細に説明すると、
電極で放出された電子が放電セルに封入されたＨｅガス
とＸｅガスの混合ガスの原子またはＮｅガスとＸｅガス
の混合ガスの原子と衝突して混合ガスの原子をイオン化
させ、２次電子の放出が起こる。この時、２次電子は混
合ガスの原子などと衝突を繰り返しながら混合ガスの原
子が順次イオン化させる。即ち、電子とイオンが倍に増
加するアバランシ現象が生じる。このアバランシ課程で
発生した光が赤色（Ｒ）、緑色（Ｇ）、青色（Ｂ）の蛍
光体を発光させる。このように蛍光体で発光さしたＲ、
Ｇ、Ｂの光は保護膜（１０）、上部誘電体の厚膜（１
２）及び透明電極（４）を経由して上部ガラス板（１
６）に進み、文字またはグラフィックが表示される。一
方、上部誘電体の厚膜（１２）及び下部誘電体の厚膜
（１８）は互いに異なる特性を要求している。例えて説
明すると、上部誘電体の厚膜（１２）は蛍光体（６）で
発光された光を透過させなければならないので高い透過
率を持たなければならないが、下部誘電体の厚膜（１
８）は蛍光体（６）で発光された光を上部ガラス板（１
６）の方に反射させ、発光効率の向上及び拡散防止膜の
機能を発揮しなければならない。したがって、厚膜（１
８）は高密度組織と高い反射率が要求され、かつ、亀裂
を防止するために低い熱膨張係数と熱的安定性及び低い
誘電率などの特性が要求される。
【０００５】こうした要件を満足させるための誘電体の
厚膜と、その製造方法が日本国特許公開公報第平８−１
１９６６５号に開示されている。日本国特許公開公報第
平８−１１９６６５号に開示された誘電体の厚膜は表１
のような組成比を持つ。表１での組成比は誘電体の厚膜
の重さ１００重量％にして算出されている。
厚膜と、その製造方法が日本国特許公開公報第平８−１
１９６６５号に開示されている。日本国特許公開公報第
平８−１１９６６５号に開示された誘電体の厚膜は表１
のような組成比を持つ。表１での組成比は誘電体の厚膜
の重さ１００重量％にして算出されている。
【０００６】
【表１】
【０００７】また、日本国特許公開公報第平８−１１９
６６５号に開示された誘電体の厚膜の製造方法は次のよ
うである。まず、６０〜７０重量％のＰｂＯを含む化合
物ガラスまたは化合物ガラスに酸化物充填剤を混ぜたガ
ラス−セラミックス材料を１０μｍ以下の微粉末に作
る。続いて、微粉末が有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）と混
合された状態でペースト化されて、ペースト化された微
粉末をガラス基板に２０−３０μｍの厚さでスクリーン
印刷する。最後に、ガラス基板にスクリーン印刷された
ペーストが１００℃で３０−３０分乾燥された後５００
−５５０℃の温度範囲で焼結されることで誘電体の厚膜
が形成される。
６６５号に開示された誘電体の厚膜の製造方法は次のよ
うである。まず、６０〜７０重量％のＰｂＯを含む化合
物ガラスまたは化合物ガラスに酸化物充填剤を混ぜたガ
ラス−セラミックス材料を１０μｍ以下の微粉末に作
る。続いて、微粉末が有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）と混
合された状態でペースト化されて、ペースト化された微
粉末をガラス基板に２０−３０μｍの厚さでスクリーン
印刷する。最後に、ガラス基板にスクリーン印刷された
ペーストが１００℃で３０−３０分乾燥された後５００
−５５０℃の温度範囲で焼結されることで誘電体の厚膜
が形成される。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】前記のように製造され
た誘電体の厚膜では誘電率が１２−１５で比較的に高い
のでアドレシングの時間の遅延が現れ、かつＰｂＯが占
める比重が高いので素子の重さ及び全体的な重量が大き
くなる問題などがある。従って、本発明の目的は光学
的、熱的、電気的な要求の特性を満足させるプラズマ表
示装置用の新規な誘電体の組成物を提供することにあ
る。
た誘電体の厚膜では誘電率が１２−１５で比較的に高い
のでアドレシングの時間の遅延が現れ、かつＰｂＯが占
める比重が高いので素子の重さ及び全体的な重量が大き
くなる問題などがある。従って、本発明の目的は光学
的、熱的、電気的な要求の特性を満足させるプラズマ表
示装置用の新規な誘電体の組成物を提供することにあ
る。
【０００９】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成する、本
発明によるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物はＳｉ
Ｏ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系のガラスを使用する。本発明に
よるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物はＰ2 Ｏ 5−Ｚ
ｎＯ−ＢａＯ系のガラスを使用する。本発明によるプラ
ズマ表示装置用の誘電体の組成物はＳｉＯ2−ＺｎＯ−
Ｂ2 Ｏ 3系のガラスと溶融点が５８０℃以下である充填剤
を含む。本発明によるプラズマ表示装置用の誘電体の組
成物はＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系のガラスと、屈折率
２.０以上、熱膨張系数８０ｘ１０-7／℃以下、溶融点
が８００℃以上である第１充填剤と、溶融点が５８０℃
以下である第２充填剤を含む。本発明によるプラズマ表
示装置用の誘電体の組成物はＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3
系のガラスと、酸化物の粉末である充填剤を含む。本発
明によるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物はＰ2 Ｏ 5
−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラスと、酸化物の粉末である充
填剤を含む。
発明によるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物はＳｉ
Ｏ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系のガラスを使用する。本発明に
よるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物はＰ2 Ｏ 5−Ｚ
ｎＯ−ＢａＯ系のガラスを使用する。本発明によるプラ
ズマ表示装置用の誘電体の組成物はＳｉＯ2−ＺｎＯ−
Ｂ2 Ｏ 3系のガラスと溶融点が５８０℃以下である充填剤
を含む。本発明によるプラズマ表示装置用の誘電体の組
成物はＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系のガラスと、屈折率
２.０以上、熱膨張系数８０ｘ１０-7／℃以下、溶融点
が８００℃以上である第１充填剤と、溶融点が５８０℃
以下である第２充填剤を含む。本発明によるプラズマ表
示装置用の誘電体の組成物はＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3
系のガラスと、酸化物の粉末である充填剤を含む。本発
明によるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物はＰ2 Ｏ 5
−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラスと、酸化物の粉末である充
填剤を含む。
【００１０】
【作用】上述した構成の本発明によるプラズマ表示装置
用の誘電体の組成物は誘電体の厚膜の光学的、熱的、電
気的な要求の特性を満足させることと併せて、軽量化す
ることができる。
用の誘電体の組成物は誘電体の厚膜の光学的、熱的、電
気的な要求の特性を満足させることと併せて、軽量化す
ることができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、図２乃至図６を参照して本
発明の好ましい実施形態に対して説明することにする。
本発明による誘電体の厚膜は要求される特性によってＳ
ｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラス（Parent Glas
s）粉末またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラス
の粉末で形成されたり、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の
母材ガラス粉末と充填剤（第１乃至第３充填剤）粉末が
混合された組成物またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母
材ガラスの粉末と充填剤（第４充填剤）粉末が混合され
た組成物で形成される。
発明の好ましい実施形態に対して説明することにする。
本発明による誘電体の厚膜は要求される特性によってＳ
ｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラス（Parent Glas
s）粉末またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラス
の粉末で形成されたり、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の
母材ガラス粉末と充填剤（第１乃至第３充填剤）粉末が
混合された組成物またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母
材ガラスの粉末と充填剤（第４充填剤）粉末が混合され
た組成物で形成される。
【００１２】誘電体の厚膜の製造方法に対して説明する
と、誘電体の厚膜に要求される特性による原材料を一定
の組成比で混合して溶融させた後急速に冷却することに
よって微細な粒子を持つ粉末（母材ガラス粉末）または
その粉末に充填剤を所定の比率で混合した混合粉末を形
成させる。粉末（母材ガラス粉末）または混合粉末は有
機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）を所定の比率で混合すること
でペースト化される。次に、ペーストがガラスの基板に
所定の厚さで塗布された後所定の温度で焼結されること
で誘電体の厚膜が形成される。このように製作された誘
電体の厚膜は光学的、熱的、電気的な要求の特性が向上
される。
と、誘電体の厚膜に要求される特性による原材料を一定
の組成比で混合して溶融させた後急速に冷却することに
よって微細な粒子を持つ粉末（母材ガラス粉末）または
その粉末に充填剤を所定の比率で混合した混合粉末を形
成させる。粉末（母材ガラス粉末）または混合粉末は有
機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）を所定の比率で混合すること
でペースト化される。次に、ペーストがガラスの基板に
所定の厚さで塗布された後所定の温度で焼結されること
で誘電体の厚膜が形成される。このように製作された誘
電体の厚膜は光学的、熱的、電気的な要求の特性が向上
される。
【００１３】以下に本発明の実施形態による誘電体の厚
膜の組成比とその製造方法を説明するが、本発明の範囲
がこれらの実施形態などに限らないということは明らか
にしておく。
膜の組成比とその製造方法を説明するが、本発明の範囲
がこれらの実施形態などに限らないということは明らか
にしておく。
【００１４】第１実施形態
本発明の第１実施形態ではＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
母材ガラスの粉末で形成された誘電体の厚膜に対して説
明する。誘電体の厚膜の組成物であるＳｉＯ2−ＺｎＯ
−Ｂ2 Ｏ 3系の母材ガラス及びＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系
の母材ガラスの粉末の組成比が表２及び表３にそれぞれ
表している。表２での組成比はＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3系の母材ガラスの重さを１００重量％として算出され
ている。
母材ガラスの粉末で形成された誘電体の厚膜に対して説
明する。誘電体の厚膜の組成物であるＳｉＯ2−ＺｎＯ
−Ｂ2 Ｏ 3系の母材ガラス及びＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系
の母材ガラスの粉末の組成比が表２及び表３にそれぞれ
表している。表２での組成比はＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ
3系の母材ガラスの重さを１００重量％として算出され
ている。
【表２】
【００１５】一方、表３での組成比はＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−
ＢａＯ系の母材ガラスの重さを１００重量％として算出
されている。
ＢａＯ系の母材ガラスの重さを１００重量％として算出
されている。
【表３】
【００１６】図２を参照すれば、本発明の実施形態によ
るプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するための
誘電体の厚膜の製造方法が段階別に説明されている。母
材ガラスの粉末を形成する（第１段階）。母材ガラスの
粉末の形成を詳細に説明すると、まず、ＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスまたはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−Ｂ
ａＯ系の母材ガラスの原材料を表２または表３の組成比
のように混合する。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材
ガラスまたはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの
原材料は表２または表３に表したような組成比を持つよ
うにする。
るプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するための
誘電体の厚膜の製造方法が段階別に説明されている。母
材ガラスの粉末を形成する（第１段階）。母材ガラスの
粉末の形成を詳細に説明すると、まず、ＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスまたはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−Ｂ
ａＯ系の母材ガラスの原材料を表２または表３の組成比
のように混合する。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材
ガラスまたはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの
原材料は表２または表３に表したような組成比を持つよ
うにする。
【００１７】表２を参照すると、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ 3系の母材ガラスは ２５乃至４５重量％のＺｎＯと、
３乃至４０重量％のＰｂＯと、１５乃至２５重量％のＳ
ｉＯ2と、１２乃至２５重量％のＢ2 Ｏ 3と、２乃至１０
重量％のＫ2 Ｏと、２乃至８重量％のＮａ2 Ｏと、１乃至
７重量％のＡｌ2 Ｏ 3と、１乃至５重量の％のＬｉ2 Ｏ
と、１乃至５重量％のＣａＯを含む。一方、表３を参照
してＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの組成比に
対して詳細に説明すると、Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
母材ガラスは４５乃至６５重量％のＰ2 Ｏ 5と、２０乃至
３５重量％のＺｎＯと、３乃至１５重量％のＢａＯと、
２乃至１０重量％のＬｉ2 Ｏと、１乃至７重量％のＡｌ
2 Ｏ 3と、１乃至６重量％のＣａＯと、１乃至５重量％の
Ｂ2 Ｏ 3を含む。
Ｏ 3系の母材ガラスは ２５乃至４５重量％のＺｎＯと、
３乃至４０重量％のＰｂＯと、１５乃至２５重量％のＳ
ｉＯ2と、１２乃至２５重量％のＢ2 Ｏ 3と、２乃至１０
重量％のＫ2 Ｏと、２乃至８重量％のＮａ2 Ｏと、１乃至
７重量％のＡｌ2 Ｏ 3と、１乃至５重量の％のＬｉ2 Ｏ
と、１乃至５重量％のＣａＯを含む。一方、表３を参照
してＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの組成比に
対して詳細に説明すると、Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
母材ガラスは４５乃至６５重量％のＰ2 Ｏ 5と、２０乃至
３５重量％のＺｎＯと、３乃至１５重量％のＢａＯと、
２乃至１０重量％のＬｉ2 Ｏと、１乃至７重量％のＡｌ
2 Ｏ 3と、１乃至６重量％のＣａＯと、１乃至５重量％の
Ｂ2 Ｏ 3を含む。
【００１８】前記ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガ
ラスまたはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの原
材料を前記組成比のように用意して、その材料を所定時
間（例えば、１０時間）駆動されるタンブリングミキサ
（TumblingMixer ）により混合する。その工程で混合さ
れた原材料を溶融炉に投入して溶融させる。この時の溶
融条件は１１００℃で５時間ぐらい維持して、溶融途中
に原材料がすべて等しく溶融されるように２−３回攪拌
させて均質化を図る。それにより、溶融されたガラスは
緻密な組織を持つようになる。
ラスまたはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの原
材料を前記組成比のように用意して、その材料を所定時
間（例えば、１０時間）駆動されるタンブリングミキサ
（TumblingMixer ）により混合する。その工程で混合さ
れた原材料を溶融炉に投入して溶融させる。この時の溶
融条件は１１００℃で５時間ぐらい維持して、溶融途中
に原材料がすべて等しく溶融されるように２−３回攪拌
させて均質化を図る。それにより、溶融されたガラスは
緻密な組織を持つようになる。
【００１９】溶融されたガラスは急速に冷却させること
によって微細な粒子を持つ粉末を形成させることができ
る。溶融されたガラスを急冷ローラ（Quenching Rolle
r）を通過させて冷却することで微細なクラックを持つ
破砕ガラス（コレット：cullet）が生成される。これら
破砕ガラスをボールミルによって所定時間（例えば、１
６時間）粉砕した後、＃１７０、＃２７０シバー（Sive
r ）を順次的に通過させて粒子の大きさが約６μｍの粉
末を得る。この時、破砕ガラスを生成するためには破砕
ガラスに微細なクラックを形成する急冷ローラ方式が正
しくて、粉砕時のバルの形態は円筒形バルが正しい。こ
うした工程を経てＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガ
ラス粉末またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラス
の粉末が形成される。この時、ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ 3 系の母材ガラスの粉末またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−Ｂａ
Ｏ 系の母材ガラスの粉末になった組成物は上部の誘電
体の厚膜に利用される。
によって微細な粒子を持つ粉末を形成させることができ
る。溶融されたガラスを急冷ローラ（Quenching Rolle
r）を通過させて冷却することで微細なクラックを持つ
破砕ガラス（コレット：cullet）が生成される。これら
破砕ガラスをボールミルによって所定時間（例えば、１
６時間）粉砕した後、＃１７０、＃２７０シバー（Sive
r ）を順次的に通過させて粒子の大きさが約６μｍの粉
末を得る。この時、破砕ガラスを生成するためには破砕
ガラスに微細なクラックを形成する急冷ローラ方式が正
しくて、粉砕時のバルの形態は円筒形バルが正しい。こ
うした工程を経てＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガ
ラス粉末またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラス
の粉末が形成される。この時、ＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ 3 系の母材ガラスの粉末またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−Ｂａ
Ｏ 系の母材ガラスの粉末になった組成物は上部の誘電
体の厚膜に利用される。
【００２０】粉末を有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）と所定
の比率で混合することで粉末ペーストを形成する（第２
段階）。ペースト形成の過程に対して以下詳細に説明す
る。粉末は有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）と一定の比率で
混合されることでペースト形成される。この時の有機溶
媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）はＢＣＡ（ＢｕｔｙｌーＣａｒｂ
ｉｔｏｌーＡｃｅｔａｔｅ）、ＢＣ（ＢｕｔｙｌーＣａ
ｒｂｉｔｏｌ）及びＥＣ（ＥｔｈｙｌーＣｅｌｌｕｌｏ
ｓｅ）が一定の比率で混合された有機溶媒を使用する。
これらの中ＥＣの量によってペーストの粘度が変化して
流動性及び燒結特性に影響を与える。このＥＣの混合比
率は10％が正しい。また、ＢＣＡの混合比率は６０％、
ＢＣの混合比率は３０％が正しい。
の比率で混合することで粉末ペーストを形成する（第２
段階）。ペースト形成の過程に対して以下詳細に説明す
る。粉末は有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）と一定の比率で
混合されることでペースト形成される。この時の有機溶
媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）はＢＣＡ（ＢｕｔｙｌーＣａｒｂ
ｉｔｏｌーＡｃｅｔａｔｅ）、ＢＣ（ＢｕｔｙｌーＣａ
ｒｂｉｔｏｌ）及びＥＣ（ＥｔｈｙｌーＣｅｌｌｕｌｏ
ｓｅ）が一定の比率で混合された有機溶媒を使用する。
これらの中ＥＣの量によってペーストの粘度が変化して
流動性及び燒結特性に影響を与える。このＥＣの混合比
率は10％が正しい。また、ＢＣＡの混合比率は６０％、
ＢＣの混合比率は３０％が正しい。
【００２１】ペーストをガラス基板に塗布（第３段階）
した後、所定の温度で所定時間燒結する（第４段階）。
ペーストをガラス基板にスクリーン印刷方法によって１
０μｍの厚さで塗布させた後、ドライオーブンで所定時
間（例えば２０分）乾燥させた後、抵抗加熱の方式のバ
ッチ（Batch ）またはインライン型（In-Line Type）抵
抗加熱にガラス基板を投入する。このように投入された
ガラス基板を結晶化温度によって焼結することで誘電体
の厚膜が形成される。この時、ドライオーブンでペース
ト内に含まれた有機物が消去される。また、焼結温度
は、粉末に対するＤＴＡ（Differential Thermal Analy
sis ）から得られる結晶化温度によって決められて、Ｓ
ｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の場合５５０−６００℃に設
定してＰ2 Ｏ 5 −ＺｎＯ−ＢａＯ系の場合５１０−５３
０℃に設定して１５−３０分程度焼結することが正し
い。前記のような方法で形成された誘電体の厚膜はＰｂ
Ｏが含まれなかったりＰｂＯの含有量が少なくて誘電体
の厚膜の重量を軽量化することができる。
した後、所定の温度で所定時間燒結する（第４段階）。
ペーストをガラス基板にスクリーン印刷方法によって１
０μｍの厚さで塗布させた後、ドライオーブンで所定時
間（例えば２０分）乾燥させた後、抵抗加熱の方式のバ
ッチ（Batch ）またはインライン型（In-Line Type）抵
抗加熱にガラス基板を投入する。このように投入された
ガラス基板を結晶化温度によって焼結することで誘電体
の厚膜が形成される。この時、ドライオーブンでペース
ト内に含まれた有機物が消去される。また、焼結温度
は、粉末に対するＤＴＡ（Differential Thermal Analy
sis ）から得られる結晶化温度によって決められて、Ｓ
ｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の場合５５０−６００℃に設
定してＰ2 Ｏ 5 −ＺｎＯ−ＢａＯ系の場合５１０−５３
０℃に設定して１５−３０分程度焼結することが正し
い。前記のような方法で形成された誘電体の厚膜はＰｂ
Ｏが含まれなかったりＰｂＯの含有量が少なくて誘電体
の厚膜の重量を軽量化することができる。
【００２２】第２実施形態
本発明の第２実施形態は、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3 系
の母材ガラス粉末に溶融点が５８０℃以下である第２充
填剤の粉末を混合して形成された誘電体の厚膜である。
誘電体の厚膜の組成物であるＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3
系の母材粉末の組成比が表２に示されている。
の母材ガラス粉末に溶融点が５８０℃以下である第２充
填剤の粉末を混合して形成された誘電体の厚膜である。
誘電体の厚膜の組成物であるＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3
系の母材粉末の組成比が表２に示されている。
【００２３】
【００２４】第２充填剤としては溶融点が５８０℃以下
である酸化物の粉末が使用される。例えて説明すると、
周期律表上１Ａ族（即ち、１個の価電子を持つ元素）に
該当するＬｉ、Ｎａ、Ｋが含まれるＬｉＮＯ3、 ＮａＮ
Ｏ 3 などは母材ガラス分子（即ち、４個の価電子を持つ
分子）の架橋酸素イオンと置換されて被架橋酸素を形成
する。この被架橋酸素は母材ガラスの連続的な網目構造
を分離させることで母材ガラスの焼結温度を下げる機能
を果たす。また、周期律表上３Ａ族（即ち、３個の価電
子を持つ元素）に該当するＢが含まれるＢ2Ｏ3は母材ガ
ラス分子（即ち、４個の価電子を持つ分子）の架橋酸素
イオンと置換されて被架橋酸素を形成する。この被架橋
酸素は母材ガラスの連続的な網目構造を分離させること
で母材ガラスの焼結温度を下げる。これによって、第２
充填剤は誘電体の厚膜及び基板の熱変形を防ぐことがで
きる。一方、焼結温度が高い場合には基板に使用される
ソーダ石灰ガラスの変形をもたらす。反面に焼結温度が
あまりも低い場合には誘電体の厚膜の不完全な焼成によ
って気空が残り反射率及び表面の照度が低下したり、耐
熱特性の減少などの特性低下をもたらす。したがって、
誘電体の厚膜の焼結温度の範囲は５５０−５８０℃が正
しい。それのために、本発明では５８０℃以下で溶融点
を持つ第２充填剤を使用して活性化エネルギーを下げて
流動性の増加による反応の促進をもたらすようにして５
８０℃以下でも十分な焼結ができるようにした。
である酸化物の粉末が使用される。例えて説明すると、
周期律表上１Ａ族（即ち、１個の価電子を持つ元素）に
該当するＬｉ、Ｎａ、Ｋが含まれるＬｉＮＯ3、 ＮａＮ
Ｏ 3 などは母材ガラス分子（即ち、４個の価電子を持つ
分子）の架橋酸素イオンと置換されて被架橋酸素を形成
する。この被架橋酸素は母材ガラスの連続的な網目構造
を分離させることで母材ガラスの焼結温度を下げる機能
を果たす。また、周期律表上３Ａ族（即ち、３個の価電
子を持つ元素）に該当するＢが含まれるＢ2Ｏ3は母材ガ
ラス分子（即ち、４個の価電子を持つ分子）の架橋酸素
イオンと置換されて被架橋酸素を形成する。この被架橋
酸素は母材ガラスの連続的な網目構造を分離させること
で母材ガラスの焼結温度を下げる。これによって、第２
充填剤は誘電体の厚膜及び基板の熱変形を防ぐことがで
きる。一方、焼結温度が高い場合には基板に使用される
ソーダ石灰ガラスの変形をもたらす。反面に焼結温度が
あまりも低い場合には誘電体の厚膜の不完全な焼成によ
って気空が残り反射率及び表面の照度が低下したり、耐
熱特性の減少などの特性低下をもたらす。したがって、
誘電体の厚膜の焼結温度の範囲は５５０−５８０℃が正
しい。それのために、本発明では５８０℃以下で溶融点
を持つ第２充填剤を使用して活性化エネルギーを下げて
流動性の増加による反応の促進をもたらすようにして５
８０℃以下でも十分な焼結ができるようにした。
【００２５】図３を参照すると、本発明の第２実施形態
によるプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するた
めの誘電体の厚膜の製造方法が段階別で説明されてい
る。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3 系の母材粉末に第２充填
剤の粉末（酸化物粉末）が混合されて混合粉末を形成す
る（第１１段階）。図２で説明したのと同一の方法によ
ってＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系の母材粉末を形成す
る。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3 系の母材粉末に第２充填
剤の粉末が混合された混合粉末組成物は、下部誘電体の
厚膜及び隔壁に適用することができる。
によるプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するた
めの誘電体の厚膜の製造方法が段階別で説明されてい
る。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3 系の母材粉末に第２充填
剤の粉末（酸化物粉末）が混合されて混合粉末を形成す
る（第１１段階）。図２で説明したのと同一の方法によ
ってＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系の母材粉末を形成す
る。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3 系の母材粉末に第２充填
剤の粉末が混合された混合粉末組成物は、下部誘電体の
厚膜及び隔壁に適用することができる。
【００２６】混合粉末が有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）と
所定の比率で混合されることで混合粉末ペーストが形成
される（第１２段階）。この時、混合粉末とはＳｉＯ2
−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の母材粉末に充填剤の粉末が混合さ
れた粉末を意味する。ペースト形成過程に対しては図２
で十分に記述されたので詳細な説明は省略する。
所定の比率で混合されることで混合粉末ペーストが形成
される（第１２段階）。この時、混合粉末とはＳｉＯ2
−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の母材粉末に充填剤の粉末が混合さ
れた粉末を意味する。ペースト形成過程に対しては図２
で十分に記述されたので詳細な説明は省略する。
【００２７】ペーストは基板に塗布（第１３段階）され
た後、所定の温度で所定時間燒結される（第１４段
階）。塗布段階と焼結段階に対しては図２で十分に記述
されたので詳細な説明は省略することにする。前記のよ
うな方法で形成された誘電体の厚膜はＰｂＯの含有量が
少なく、誘電体の厚膜の重量を軽量化することと併せ
て、第２充填剤が混合されることで焼結温度が下がって
誘電体の厚膜及び基板の変形を防ぐことができる。
た後、所定の温度で所定時間燒結される（第１４段
階）。塗布段階と焼結段階に対しては図２で十分に記述
されたので詳細な説明は省略することにする。前記のよ
うな方法で形成された誘電体の厚膜はＰｂＯの含有量が
少なく、誘電体の厚膜の重量を軽量化することと併せ
て、第２充填剤が混合されることで焼結温度が下がって
誘電体の厚膜及び基板の変形を防ぐことができる。
【００２８】第３実施形態
本発明の第３実施形態は、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系
の母材ガラス粉末に第１及び第２充填剤の粉末（酸化物
の粉末）が混合された誘電体厚膜である。第１充填剤の
組成比は表５に示されている。表５での組成比はＳｉＯ
2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の母材ガラスの重さを１００重量
％にして算出されている。
の母材ガラス粉末に第１及び第２充填剤の粉末（酸化物
の粉末）が混合された誘電体厚膜である。第１充填剤の
組成比は表５に示されている。表５での組成比はＳｉＯ
2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の母材ガラスの重さを１００重量
％にして算出されている。
【００２９】
【表５】
【００３０】第１充填剤としては屈折率（ｎ）が２．０
以上であり、熱膨張系数が８０ｘ１０-7／℃以下であ
り、溶融点が８００℃以下である酸化物の粉末を使用す
る。母材ガラスに４乃至３０重量％のＴｉＯ2 が混合さ
れと下部誘電体の厚膜（１８）の反射率と結晶化度が向
上する。これを詳細に説明すると、母材ガラスの屈折率
（ｎ）は１.４−１.５でありＴｉＯ2の屈折率（ｎ）は
２.７６になる。この時、屈折率と反射率は比例するよ
うになるので屈折率が高いほど反射率が増加する。ま
た、ＴｉＯ2 は誘電体の厚膜の結晶化度を高めるので反
射率が増加する。また、母材ガラスに４乃至３０重量％
のＺｒＯ2 が混合されると、誘電体の厚膜の結晶化度が
向上する。
以上であり、熱膨張系数が８０ｘ１０-7／℃以下であ
り、溶融点が８００℃以下である酸化物の粉末を使用す
る。母材ガラスに４乃至３０重量％のＴｉＯ2 が混合さ
れと下部誘電体の厚膜（１８）の反射率と結晶化度が向
上する。これを詳細に説明すると、母材ガラスの屈折率
（ｎ）は１.４−１.５でありＴｉＯ2の屈折率（ｎ）は
２.７６になる。この時、屈折率と反射率は比例するよ
うになるので屈折率が高いほど反射率が増加する。ま
た、ＴｉＯ2 は誘電体の厚膜の結晶化度を高めるので反
射率が増加する。また、母材ガラスに４乃至３０重量％
のＺｒＯ2 が混合されると、誘電体の厚膜の結晶化度が
向上する。
【００３１】一方、誘電体の厚膜に要求される特性によ
ってＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＢａＴｉＯ3、
ＣａＴｉＯ3、ＬｉＮｂＯ3、ＮｉＯ、ＭｎＯ、ＺｎＯ、
Ｂｉ2Ｏ3及びＳｉＯの中少なくとも１以上を選択的に添
加して誘電体の厚膜を形成することもできる。母材ガラ
スに第１充填剤が所定の組成比（例えば、４乃至３０重
量％）で混合されることで誘電体の厚膜の反射率及び表
面照度が向上する。また、母材ガラスに第１充填剤が所
定の組成比（例えば、４乃至３０重量％）で混合される
ことで誘電体の厚膜の熱膨張系数に近似するようにな
り、亀裂を防ぐことができる。また、第２充填剤の種類
及び組成比の詳細な説明は省略する。
ってＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＢａＴｉＯ3、
ＣａＴｉＯ3、ＬｉＮｂＯ3、ＮｉＯ、ＭｎＯ、ＺｎＯ、
Ｂｉ2Ｏ3及びＳｉＯの中少なくとも１以上を選択的に添
加して誘電体の厚膜を形成することもできる。母材ガラ
スに第１充填剤が所定の組成比（例えば、４乃至３０重
量％）で混合されることで誘電体の厚膜の反射率及び表
面照度が向上する。また、母材ガラスに第１充填剤が所
定の組成比（例えば、４乃至３０重量％）で混合される
ことで誘電体の厚膜の熱膨張系数に近似するようにな
り、亀裂を防ぐことができる。また、第２充填剤の種類
及び組成比の詳細な説明は省略する。
【００３２】図４を参照すると、第３実施形態によるプ
ラズマ表示用の誘電体の厚膜を製造するための誘電体の
厚膜の製造方法が段階別に説明されている。ＳｉＯ2−
ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系の母材ガラスの粉末に第１及び第２充
填剤の粉末（酸化物の粉末）を混合させて混合粉末を形
成する（第２１段階）。図２で説明したのと同一の方法
によってＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系の母材ガラスの粉
末が形成される。続いて、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3 系
の母材ガラスの粉末に第１及び第２の充填剤の粉末を混
合して混合粉末を形成する。このＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｂ
2Ｏ3系の母材ガラスの粉末に第１及び第２充填剤が混合
された混合粉末の組成物は下部の誘電体の厚膜及び隔壁
に適用される。混合粉末が有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）
の所定比率で混合されることで混合粉末のペーストを形
成する（第２２段階）。この混合粉末はＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3系の母材ガラスの粉末に第１及び第２充填剤
の粉末を混合した粉末を意味する。ペースト形成過程に
対しては図２で十分に記述されたので詳細な説明は省略
する。
ラズマ表示用の誘電体の厚膜を製造するための誘電体の
厚膜の製造方法が段階別に説明されている。ＳｉＯ2−
ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系の母材ガラスの粉末に第１及び第２充
填剤の粉末（酸化物の粉末）を混合させて混合粉末を形
成する（第２１段階）。図２で説明したのと同一の方法
によってＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系の母材ガラスの粉
末が形成される。続いて、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3 系
の母材ガラスの粉末に第１及び第２の充填剤の粉末を混
合して混合粉末を形成する。このＳｉＯ2 −ＺｎＯ−Ｂ
2Ｏ3系の母材ガラスの粉末に第１及び第２充填剤が混合
された混合粉末の組成物は下部の誘電体の厚膜及び隔壁
に適用される。混合粉末が有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）
の所定比率で混合されることで混合粉末のペーストを形
成する（第２２段階）。この混合粉末はＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−Ｂ2Ｏ3系の母材ガラスの粉末に第１及び第２充填剤
の粉末を混合した粉末を意味する。ペースト形成過程に
対しては図２で十分に記述されたので詳細な説明は省略
する。
【００３３】ペーストは基板に塗布された（第２３段
階）後、所定温度で所定時間焼結される（第２４段
階）。塗布段階と焼結段階に対しては図２で十分に記述
されたので詳細な説明は省略する。
階）後、所定温度で所定時間焼結される（第２４段
階）。塗布段階と焼結段階に対しては図２で十分に記述
されたので詳細な説明は省略する。
【００３４】一方、前記のような製造方法によってＳｉ
Ｏ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスの粉末に第１及び
第２充填剤が添加されて形成された誘電体の厚膜の特性
が表６に示されている。
Ｏ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスの粉末に第１及び
第２充填剤が添加されて形成された誘電体の厚膜の特性
が表６に示されている。
【表６】
【００３５】前記のような方法で形成された誘電体の厚
膜は誘電率７−１０で比較的に低く、アドレシング時間
の遅延を縮めることができるとともに、誘電体の厚膜の
照度及び反射率が向上する。また、ＰｂＯの含有量が少
ないので誘電体の厚膜を軽量化することができる。ま
た、第１充填剤が混合されるので誘電体の厚膜の熱膨張
係数とガラス基板の熱膨張係数が近似し、誘電体の厚膜
の亀裂が防止される。また、第２充填剤を選択的に混合
することによって焼結温度が下がり、誘電体の厚膜及び
基板の変形を防ぐことができる。
膜は誘電率７−１０で比較的に低く、アドレシング時間
の遅延を縮めることができるとともに、誘電体の厚膜の
照度及び反射率が向上する。また、ＰｂＯの含有量が少
ないので誘電体の厚膜を軽量化することができる。ま
た、第１充填剤が混合されるので誘電体の厚膜の熱膨張
係数とガラス基板の熱膨張係数が近似し、誘電体の厚膜
の亀裂が防止される。また、第２充填剤を選択的に混合
することによって焼結温度が下がり、誘電体の厚膜及び
基板の変形を防ぐことができる。
【００３６】第４実施形態
本発明の第４実施形態は、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系
の母材ガラスの粉末に酸化物の粉末である第３充填剤が
混合された誘電体の厚膜である。このＳｉＯ2−ＺｎＯ
−Ｂ2０3系の母材ガラスに添加される第３充填剤の組成
比が表７に示されている。表７での組成比はＳｉＯ2−
ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスの重さを１００％にし
て算出されている。
の母材ガラスの粉末に酸化物の粉末である第３充填剤が
混合された誘電体の厚膜である。このＳｉＯ2−ＺｎＯ
−Ｂ2０3系の母材ガラスに添加される第３充填剤の組成
比が表７に示されている。表７での組成比はＳｉＯ2−
ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスの重さを１００％にし
て算出されている。
【表７】
【００３７】ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラス
に混合される第３充填剤に対して説明すると、母材ガラ
スに３乃至２５重量％のＴｉＯ2 が混合されると誘電体
の厚膜の反射率と結晶化度が向上する。これを詳細に説
明すると、母材ガラスの屈折率（ｎ）が１.４ー１.５で
ありＴｉＯ2の屈折率（ｎ）は２.７になる。この時、屈
折率と反射率は比例するので屈折率が高いほど反射率が
増加する。これによって、ＴｉＯ2 は誘電体の厚膜の結
晶化度を高くし、反射率を増加させる。一方、母材ガラ
スに５乃至３０重量％のＡｌＰＯ4 を添加したり、母材
ガラスに５乃至３０重量％のＰ2Ｏ5を混合したり、母材
ガラスに２乃至１５重量％のＶ2Ｏ5を混合したり、母材
ガラスに２乃至２０重量％のＺｒＯ2 を添加すると、下
部誘電体の厚膜（１８）の結晶化度が向上する。一方、
ＴｉＯ2、ＡｌＰＯ4、Ｐ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5及びＺｒＯ2 の内
一つ以上を選択的に添加して誘電体の厚膜を形成するこ
ともできる。
に混合される第３充填剤に対して説明すると、母材ガラ
スに３乃至２５重量％のＴｉＯ2 が混合されると誘電体
の厚膜の反射率と結晶化度が向上する。これを詳細に説
明すると、母材ガラスの屈折率（ｎ）が１.４ー１.５で
ありＴｉＯ2の屈折率（ｎ）は２.７になる。この時、屈
折率と反射率は比例するので屈折率が高いほど反射率が
増加する。これによって、ＴｉＯ2 は誘電体の厚膜の結
晶化度を高くし、反射率を増加させる。一方、母材ガラ
スに５乃至３０重量％のＡｌＰＯ4 を添加したり、母材
ガラスに５乃至３０重量％のＰ2Ｏ5を混合したり、母材
ガラスに２乃至１５重量％のＶ2Ｏ5を混合したり、母材
ガラスに２乃至２０重量％のＺｒＯ2 を添加すると、下
部誘電体の厚膜（１８）の結晶化度が向上する。一方、
ＴｉＯ2、ＡｌＰＯ4、Ｐ2Ｏ5、Ｖ2Ｏ5及びＺｒＯ2 の内
一つ以上を選択的に添加して誘電体の厚膜を形成するこ
ともできる。
【００３８】図５を参照すると、本発明の第５実施形態
によるプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するた
めの誘電体の厚膜の製造方法が段階別で説明されてい
る。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスの粉末と
第３充填剤の粉末が混合されて混合粉末が形成される
（第３１段階）。図２で説明したのと同一の方法によっ
てＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の母材ガラスの粉末を形
成する。続いて、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の母材ガ
ラスの粉末に表７の組成比によって第３充填剤の粉末を
混合することで混合粉末を形成する。このＳｉＯ2−Ｚ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスの粉末に第３充填剤の粉
末が混合された混合粉末の組成物は、下部の誘電体の厚
膜及び隔壁に適用される。
によるプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するた
めの誘電体の厚膜の製造方法が段階別で説明されてい
る。ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスの粉末と
第３充填剤の粉末が混合されて混合粉末が形成される
（第３１段階）。図２で説明したのと同一の方法によっ
てＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の母材ガラスの粉末を形
成する。続いて、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3系の母材ガ
ラスの粉末に表７の組成比によって第３充填剤の粉末を
混合することで混合粉末を形成する。このＳｉＯ2−Ｚ
ｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスの粉末に第３充填剤の粉
末が混合された混合粉末の組成物は、下部の誘電体の厚
膜及び隔壁に適用される。
【００３９】混合粉末が有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）と
所定の比率で混合された混合粉末ペーストを形成する
（第３２段階）。この時、混合粉末は、ＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材粉末に第３充填剤の粉末が混合さ
れた粉末を意味する。ペースト形成過程に対しては図２
で十分に記述されたので詳細な説明は省略する。ペース
トは基板に塗布された（第３３段階）後、所定の温度で
所定時間燒結される（第３４段階）。塗布段階と焼結段
階に対しては図２で十分に記述したので詳細な説明は省
略することにする。前記のような製造方法によってＳｉ
Ｏ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスに第充填剤が混合
されて形成された誘電体の厚膜の特性が表８に表れてい
る。
所定の比率で混合された混合粉末ペーストを形成する
（第３２段階）。この時、混合粉末は、ＳｉＯ2−Ｚｎ
Ｏ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材粉末に第３充填剤の粉末が混合さ
れた粉末を意味する。ペースト形成過程に対しては図２
で十分に記述されたので詳細な説明は省略する。ペース
トは基板に塗布された（第３３段階）後、所定の温度で
所定時間燒結される（第３４段階）。塗布段階と焼結段
階に対しては図２で十分に記述したので詳細な説明は省
略することにする。前記のような製造方法によってＳｉ
Ｏ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラスに第充填剤が混合
されて形成された誘電体の厚膜の特性が表８に表れてい
る。
【表８】
【００４０】前記のような方法で形成された誘電体の厚
膜では誘電率が７−１０で比較的に低く、アドレシング
時間の遅延を少なくできるとともに、誘電体の厚膜の照
度が向上する。また、ＰｂＯが含まれないので、誘電体
の厚膜の重量を軽量化することができて、誘電体の厚膜
の反射率が向上する。
膜では誘電率が７−１０で比較的に低く、アドレシング
時間の遅延を少なくできるとともに、誘電体の厚膜の照
度が向上する。また、ＰｂＯが含まれないので、誘電体
の厚膜の重量を軽量化することができて、誘電体の厚膜
の反射率が向上する。
【００４１】第５実施形態
本発明の第５実施形態は、Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
母材ガラスの粉末に酸化物の粉末である第４充填剤が混
合された誘電体の厚膜である。このＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−Ｂ
ａＯ系の母材ガラスに混合される第４充填剤の組成比が
表９に示されている。表９での組成比はＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ
−ＢａＯ系の母材ガラスの重さを１００重量％にして算
出されている。
母材ガラスの粉末に酸化物の粉末である第４充填剤が混
合された誘電体の厚膜である。このＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−Ｂ
ａＯ系の母材ガラスに混合される第４充填剤の組成比が
表９に示されている。表９での組成比はＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ
−ＢａＯ系の母材ガラスの重さを１００重量％にして算
出されている。
【表９】
【００４２】Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスに
混合される第４充填剤に対して説明する。母材ガラスに
３乃至２５重量％のＴｉＯ2 が混合されると誘電体の厚
膜の反射率と熱膨張性が向上する。一方、母材ガラスに
２乃至１５重量％のV 2 Ｏ 5 を混合したり、母材ガラスに
２乃至２０重量％のＺｒＯ 2 を混合すると、誘電体の厚
膜の結晶化度が向上する。一方、母材ガラスに５乃至２
０重量％のα−Ａｌ2Ｏ3を混合すると、低い熱膨張係数
を持つ誘電体の厚膜が形成される。これを詳細に説明す
ると、母材ガラスの熱膨張係数は１０１ Ｘ １０-7／℃
でありα−Ａｌ2Ｏ3の熱膨張係数は６６ Ｘ １０-7／℃
である。また、母材ガラスにα−Ａｌ2Ｏ3を混合して形
成した誘電体の厚膜の熱膨張係数は８５−９０ Ｘ １０
-7／℃で、ガラス板（ソーダ石灰ガラス）の熱膨張係数
である８３−８５ Ｘ １０-7／℃に近似するので誘電体
の厚膜に亀裂が生じない。一方、ＴｉＯ2 、α−Ａｌ2
Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＺｒＯ2 が母材ガラスにすべて混合され
て誘電体の厚膜を形成することもできて、誘電体の厚膜
で要求される特性によって母材ガラスに前記ＴｉＯ2、
α−Ａｌ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＺｒＯ2の少なくとも一つ以上
選択的に添加して誘電体の厚膜を形成することもでき
る。
混合される第４充填剤に対して説明する。母材ガラスに
３乃至２５重量％のＴｉＯ2 が混合されると誘電体の厚
膜の反射率と熱膨張性が向上する。一方、母材ガラスに
２乃至１５重量％のV 2 Ｏ 5 を混合したり、母材ガラスに
２乃至２０重量％のＺｒＯ 2 を混合すると、誘電体の厚
膜の結晶化度が向上する。一方、母材ガラスに５乃至２
０重量％のα−Ａｌ2Ｏ3を混合すると、低い熱膨張係数
を持つ誘電体の厚膜が形成される。これを詳細に説明す
ると、母材ガラスの熱膨張係数は１０１ Ｘ １０-7／℃
でありα−Ａｌ2Ｏ3の熱膨張係数は６６ Ｘ １０-7／℃
である。また、母材ガラスにα−Ａｌ2Ｏ3を混合して形
成した誘電体の厚膜の熱膨張係数は８５−９０ Ｘ １０
-7／℃で、ガラス板（ソーダ石灰ガラス）の熱膨張係数
である８３−８５ Ｘ １０-7／℃に近似するので誘電体
の厚膜に亀裂が生じない。一方、ＴｉＯ2 、α−Ａｌ2
Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＺｒＯ2 が母材ガラスにすべて混合され
て誘電体の厚膜を形成することもできて、誘電体の厚膜
で要求される特性によって母材ガラスに前記ＴｉＯ2、
α−Ａｌ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、ＺｒＯ2の少なくとも一つ以上
選択的に添加して誘電体の厚膜を形成することもでき
る。
【００４３】図６を参照すると、本発明の第５実施形態
によるプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するた
めの誘電体の厚膜の製造方法が段階別で説明されてい
る。Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの粉末に第
４充填剤の粉末を混合して混合粉末を形成する（第４１
段階）。図２で説明したのと同一の方法によってＰ2 Ｏ 5
−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの粉末を形成する。続
いて、Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの粉末に
表９の組成比によって第４充填剤の粉末を混合させるこ
とで混合粉末を形成する。Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
母材ガラスの粉末に第４充填剤の粉末を混合した混合粉
末の組成物は下部の誘電体の厚膜及び隔壁に適用され
る。
によるプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するた
めの誘電体の厚膜の製造方法が段階別で説明されてい
る。Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの粉末に第
４充填剤の粉末を混合して混合粉末を形成する（第４１
段階）。図２で説明したのと同一の方法によってＰ2 Ｏ 5
−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの粉末を形成する。続
いて、Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスの粉末に
表９の組成比によって第４充填剤の粉末を混合させるこ
とで混合粉末を形成する。Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
母材ガラスの粉末に第４充填剤の粉末を混合した混合粉
末の組成物は下部の誘電体の厚膜及び隔壁に適用され
る。
【００４４】混合粉末が有機溶媒（Ｖｅｈｉｃｌｅ）と
所定の比率で混合されることで混合粉末ペーストを形成
する（第４２段階）。この時、混合粉末はＰ2 Ｏ０5−Ｚ
ｎＯ−ＢａＯ系の母材粉末に充填剤の粉末が混合された
粉末を意味する。ペースト形成過程に対しては図２で十
分に記述されたので詳細な説明は省略する。
所定の比率で混合されることで混合粉末ペーストを形成
する（第４２段階）。この時、混合粉末はＰ2 Ｏ０5−Ｚ
ｎＯ−ＢａＯ系の母材粉末に充填剤の粉末が混合された
粉末を意味する。ペースト形成過程に対しては図２で十
分に記述されたので詳細な説明は省略する。
【００４５】ペーストは基板に塗布された（第４３段
階）後、所定の温度で所定時間燒結される（第４４段
階）。塗布段階と焼結段階に対しては図２で十分に記述
されたので詳細な説明は省略する。
階）後、所定の温度で所定時間燒結される（第４４段
階）。塗布段階と焼結段階に対しては図２で十分に記述
されたので詳細な説明は省略する。
【００４６】一方、前記のような製造方法によってＰ2
Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスに第４充填剤を混
合して形成した誘電体の厚膜の特性が表１０に示す。
Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスに第４充填剤を混
合して形成した誘電体の厚膜の特性が表１０に示す。
【表１０】
【００４７】前記のような方法で形成された誘電体の厚
膜では誘電率が７−１０で比較的低く、アドレシング時
間の遅延を少なくできると共に、誘電体の厚膜の照度及
び反射率が向上する。また、ＰｂＯが含まれないので誘
電体の厚膜の重量を軽量化することができる。また、第
４充填剤が混合されるので誘電体の厚膜の熱膨張係数と
ガラス基板の熱膨張係数が近似するようになるので誘電
体の厚膜の亀裂を防ぐことができる。
膜では誘電率が７−１０で比較的低く、アドレシング時
間の遅延を少なくできると共に、誘電体の厚膜の照度及
び反射率が向上する。また、ＰｂＯが含まれないので誘
電体の厚膜の重量を軽量化することができる。また、第
４充填剤が混合されるので誘電体の厚膜の熱膨張係数と
ガラス基板の熱膨張係数が近似するようになるので誘電
体の厚膜の亀裂を防ぐことができる。
【００４８】以上説明した内容を通して当業者であれば
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修
正ができる。一例として、本発明の実施形態などで誘電
体の組成物でＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラス
またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスを使用す
ることもでき、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラ
スに第１乃至第３充填剤を誘電体の厚膜の要求特性によ
って選択的に添加したり、Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
母材ガラスに第４充填剤を誘電体の厚膜の要求特性によ
って選択的に添加することもあるということを当業者は
分かるだろう。
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修
正ができる。一例として、本発明の実施形態などで誘電
体の組成物でＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラス
またはＰ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の母材ガラスを使用す
ることもでき、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2 Ｏ 3 系の母材ガラ
スに第１乃至第３充填剤を誘電体の厚膜の要求特性によ
って選択的に添加したり、Ｐ2 Ｏ 5−ＺｎＯ−ＢａＯ系の
母材ガラスに第４充填剤を誘電体の厚膜の要求特性によ
って選択的に添加することもあるということを当業者は
分かるだろう。
【００４９】
【発明の効果】上述したところのように本発明の実施形
態などによるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物は誘
電体の厚膜の光学的、熱的、電気的要求特性を満足させ
ることと併せて、重量を軽量化することのできる長所が
ある。
態などによるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物は誘
電体の厚膜の光学的、熱的、電気的要求特性を満足させ
ることと併せて、重量を軽量化することのできる長所が
ある。
【図１】 従来の技術によるプラズマ表示装置の構造を
示した図である。
示した図である。
【図２】 本発明の第１実施形態によるプラズマ表示装
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
【図３】 本発明の第２実施形態によるプラズマ表示装
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
【図４】 本発明の第３実施形態によるプラズマ表示装
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
【図５】 本発明の第４実施形態によるプラズマ表示装
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
【図６】 本発明の第５実施形態によるプラズマ表示装
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
２：アドレス
４：透明電極
６：蛍光体
８：隔壁
１０：保護膜
１２：上部誘電体の厚膜
１４：下部ガラス基板
１６：上部ガラス基板
１８：下部誘電体の厚膜
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 昭62−100449（ＪＰ，Ａ)
特開 昭61−40839（ＪＰ，Ａ)
特開 平10−112265（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−278482（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−106237（ＪＰ，Ａ)
特開 昭60−171244（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−162361（ＪＰ，Ａ)
特開 平11−60273（ＪＰ，Ａ)
特表 平５−503069（ＪＰ，Ａ)
特表 昭60−501653（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01J 11/02
C03C 4/16
H01B 3/08
H01J 11/00
H01J 9/02
ＪＩＣＳＴファイル（ＪＯＩＳ)
Claims (15)
- 【請求項１】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物に
おいて、前記誘電体の組成物としてＳｉＯ2−ＺｎＯ−
Ｂ2Ｏ3系のガラスを使用し、前記ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ3系のガラスは２５乃至４５重量％のＺｎＯと、３乃
至４０重量％のＰｂＯと、１５乃至２５重量％のＳｉＯ
2と、１２乃至２５重量％のＢ2Ｏ3と、２乃至１０重量
％のＫ2Ｏと、２乃至８重量％のＮａ2Ｏと、１乃至７重
量％のＡｌ2Ｏ3と、１乃至５重量の％のＬｉ2Ｏと、１
乃至５重量％のＣａＯとで形成されることを特徴とする
プラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項２】 前記誘電体の組成物はプラズマの表示装
置の上部の誘電体の厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁
の内少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とする
請求項１記載のプラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項３】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物に
おいて、前記誘電体の組成物が、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ3系のガラスと、溶融点が５８０℃以下である充填剤
とを含み、前記ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラス
が、２５乃至４５重量％のＺｎＯと、３乃至４０重量％
のＰｂＯと、１５乃至２５重量％のＳｉＯ2と、１２乃
至２５重量％のＢ2Ｏ3と、２乃至１０重量％のＫ2Ｏ
と、２乃至８重量％のＮａ2Ｏと、１乃至７重量％のＡ
ｌ2Ｏ3と、１乃至５重量の％のＬｉ2Ｏと、１乃至５重
量％のＣａＯとを含むことを特徴とするプラズマ表示装
置用の誘電体の組成物。 - 【請求項４】 前記誘電体の組成物はプラズマの表示装
置の上部の誘電体の厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁
の内少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とする
請求項３記載のプラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項５】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物に
おいて、前記誘電体の組成物が、ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2
Ｏ3系のガラスと、屈折率２.０以上、熱膨張系数８０ｘ
１０-7／℃以下、溶融点が８００℃以上である第１充填
剤と、溶融点が５８０℃以下である第２充填剤とを含
み、前記ＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラスが、２５
乃至４５重量％のＺｎＯと、３乃至４０重量％のＰｂＯ
と、１５乃至２５重量％のＳｉＯ2と、１２乃至２５重
量％のＢ2Ｏ3と、２乃至１０重量％のＫ2Ｏと、２乃至
８重量％のＮａ2Ｏと、１乃至７重量％のＡｌ2Ｏ3と、
１乃至５重量の％のＬｉ2Ｏと、１乃至５重量％のＣａ
Ｏとを含むことを特徴とするプラズマ表示装置用の誘電
体の組成物。 - 【請求項６】 前記第１充填剤が、４乃至３０重量％の
ＴｉＯ2、ＺｒＯ2、ＳｉＣ、Ｓｉ、ＢａＴｉＯ3、ＣａＴ
ｉＯ3、ＮｉＮｂＯ3、ＮｉＯ、ＭｎＯ、ＺｎＯ、Ｂｉ2
Ｏ3及びＳｉＯの内少なくとも一つを含むことを特徴と
する請求項５記載のプラズマ表示装置用の誘電体の組成
物。 - 【請求項７】 前記誘電体の組成物が上部の誘電体の厚
膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁の内少なくとも一つ以
上に適用されることを特徴とする請求項５記載のプラズ
マ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項８】 プラズマ表示装置用の組成物において、
前記誘電体の組成物はＳｉＯ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系のガ
ラスと、酸化物の粉末である充填剤とを含み、前記Ｓｉ
Ｏ2−ＺｎＯ−Ｂ2Ｏ3系のガラスが、２５乃至４５重量
％のＺｎＯと、３乃至４０重量％のＰｂＯと、１５乃至
２５重量％のＳｉＯ2と、１２乃至２５重量％のＢ2Ｏ3
と、２乃至１０重量％のＫ2Ｏと、２乃至８重量％のＮ
ａ2Ｏと、１乃至７重量％のＡｌ2Ｏ3と、１乃至５重量
の％のＬｉ2Ｏと、１乃至５重量％のＣａＯとを含むこ
とを特徴とするプラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項９】 前記充填剤が３乃至２５重量％のＴｉＯ
2、５乃至３０重量％のＡｌＰＯ4、５乃至３０重量％の
Ｐ2Ｏ5、２乃至１５重量％のＶ2Ｏ5、及び２乃至２０重
量％のＺｒＯ2の内少なくとも一つを含むことを特徴と
する請求項８記載のプラズマ表示装置用の誘電体の組成
物。 - 【請求項１０】 前記誘電体の組成物が上部の誘電体の
厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁の内少なくとも一つ
以上に適用されることを特徴とする請求項８記載のプラ
ズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項１１】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物
において、前記誘電体の組成物としてＰ2Ｏ5−ＺｎＯ−
ＢａＯ系のガラスを使用し、前記Ｐ2Ｏ5−ＺｎＯ−Ｂａ
Ｏ系のガラスは４５乃至６５重量％のＰ2Ｏ5と、２０乃
至３５重量％のＺｎＯと、３乃至１５重量％のＢａＯ
と、２乃至１０重量％のＬｉ2Ｏと、１乃至７重量％の
Ａｌ2Ｏ3と、１乃至６重量％のＣａＯと、１乃至５重量
％のＢ2Ｏ3とを含むことを特徴とするプラズマ表示装置
用の誘電体の組成物。 - 【請求項１２】 前記誘電体の組成物はプラズマ表示装
置の上部の誘電体の厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁
の内少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とする
請求項１１記載のプラズマ表示装置用の誘電体の組成
物。 - 【請求項１３】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物
において、前記誘電体の組成物がＰ2Ｏ5−ＺｎＯ−Ｂａ
Ｏ系のガラスと、酸化物の粉末である充填剤とを含み、
前記Ｐ2Ｏ5−ＺｎＯ−ＢａＯ系のガラスは４５乃至６５
重量％のＰ2Ｏ5と、２０乃至３５重量％のＺｎＯと、３
乃至１５重量％のＢａＯと、２乃至１０重量％のＬｉ2
Ｏと、１乃至７重量％のＡｌ2Ｏ3と、１乃至６重量％の
ＣａＯと、１乃至５重量％のＢ2Ｏ3とを含むことを特徴
とするプラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項１４】 前記充填剤が、３乃至２５重量％のＴ
ｉＯ2、５乃至２０重量％のα-Ａｌ2Ｏ3、２乃至１５重
量％のＶ2Ｏ5及び２乃至２０重量％のＺｒＯ2、の内少
なくとも一つを含むことを特徴とする請求項１３記載の
プラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項１５】 前記誘電体の組成物はプラズマの表示
装置の上部の誘電体の厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔
壁の内少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とす
る請求項１３記載のプラズマ表示装置用の誘電体の組成
物。
Applications Claiming Priority (4)
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|---|---|---|---|
| KR1019980010614A KR100266205B1 (ko) | 1998-03-26 | 1998-03-26 | 플라즈마 표시장치용 유전체 조성물 |
| KR1019980012928A KR100322605B1 (ko) | 1998-04-10 | 1998-04-10 | 플라즈마표시장치용유전체조성물 |
| KR12928/1998 | 1998-04-10 | ||
| KR10614/1998 | 1998-04-10 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11297217A JPH11297217A (ja) | 1999-10-29 |
| JP3429211B2 true JP3429211B2 (ja) | 2003-07-22 |
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ID=26633542
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37335198A Expired - Fee Related JP3429211B2 (ja) | 1998-03-26 | 1998-12-28 | プラズマ表示装置用の誘電体の組成物 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
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| JP (1) | JP3429211B2 (ja) |
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| KR100326558B1 (ko) * | 1998-09-01 | 2002-09-17 | 엘지전자주식회사 | 플라즈마용표시장치용격벽조성물 |
| WO2000067283A1 (fr) * | 1999-04-28 | 2000-11-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran a plasma |
| KR100605755B1 (ko) * | 1999-05-18 | 2006-07-31 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 표시장치용 유전체 조성물 |
| US6514891B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-02-04 | Lg Electronics Inc. | Thick dielectric composition for solid state display |
| KR100752845B1 (ko) * | 2000-01-04 | 2007-08-29 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 유전층 |
| US20020082155A1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-06-27 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Barrier rib material for plasma display panel |
| JP3389243B1 (ja) * | 2001-07-03 | 2003-03-24 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法 |
| JP4034202B2 (ja) * | 2003-02-10 | 2008-01-16 | 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 | ガス放電パネル及びその製造方法 |
| KR100557853B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2006-03-10 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 인산염계 저유전율 세라믹 조성물 |
| KR100522701B1 (ko) * | 2003-10-16 | 2005-10-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 결정화 유전체층을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널과,이의 제조 방법 |
| JP2007149686A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Lg Electronics Inc | プラズマディスプレイパネル |
| JP2008130566A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Lg Electronics Inc | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法、及びこれのための誘電体組成物 |
| KR100831013B1 (ko) * | 2007-02-22 | 2008-05-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| KR100858660B1 (ko) * | 2007-04-03 | 2008-09-16 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 |
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| JP6966950B2 (ja) * | 2018-01-23 | 2021-11-17 | Ａｇｃ株式会社 | ガラス、ガラスの製造方法、導電ペーストおよび太陽電池 |
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|---|---|---|---|---|
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