JPH11297217A - プラズマ表示装置用の誘電体の組成物 - Google Patents
プラズマ表示装置用の誘電体の組成物Info
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- JPH11297217A JPH11297217A JP10373351A JP37335198A JPH11297217A JP H11297217 A JPH11297217 A JP H11297217A JP 10373351 A JP10373351 A JP 10373351A JP 37335198 A JP37335198 A JP 37335198A JP H11297217 A JPH11297217 A JP H11297217A
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Abstract
するもので、アドレシングの時間の遅延が少なく、素子
の重さ及び全体的な重量を小さくする。 【解決手段】 本発明によるプラズマの装置用の誘電体
の組成物はSiO2−ZnO−B203系のガラスを使用
する。
Description
の誘電体の組成物に関するものである。
isplay;LCD)、電界放出表示装置(Field Emission
Dislay ;FED)及びプラズマ表示装置(Plasma Dis
play Panel;PDP)などの平面表示装置が活発に開発
されている。これらの内PDPは単純構造による製作の
容易性、高輝度と高発光効率、メモリ機能及び160℃
以上の光視野角を持つ点と併せて40インチ以上の大画
面を実現することのできる長所を持っている。
一つのセルの断面図である。このセルがマトリックス状
に多数用意されている。従来の技術によるPDPは、下
部ガラス板(14)のセルのほぼ中央にアドレス電極
(2)を配置し、さらに下部電極の表面には所定の厚さ
に壁電荷( Wall Charge)を充電するための誘電体の厚
膜(18)が塗布されている。(8)は下部誘電体の厚
膜(18)の上部に形成されてそれぞれの放電セルを分
割する隔壁である。すなわち、その隔壁で一つのセルが
他のセルから分離されている。前記厚真句を形成させた
下部ガラス板(14)の表面にはさらに、プラズマの放
電の時発生された光によって励起されて発光する蛍光体
(6)が設けられている。一方、上部ガラス板(16)
のセル内部を向いた表面には一対の透明電極(4)が形
成されており、さらに、壁電荷を充電する上部誘電体の
厚膜(12)が所定の厚さに塗布されている。また、誘
電体の厚膜(12)の上には放電によるスパッタリング
から上部誘電体の厚膜(12)を保護する保護膜(1
0)が設けられている。
定の駆動電圧(例えば200V)が加えられると放電セ
ルの内部ではアドレス電極(2)で放出された電子によ
ってプラズマ放電が起こる。これを詳細にすると、電極
で放出された電子が放電セルに封入されたHeガスとX
eガスの混合ガスの原子またはNeガスとXeガスの混
合ガスの原子と衝突して混合ガスの原子をイオン化さ
せ、2次電子の放出が起こる。この時、2次電子は混合
ガスの原子などと衝突を繰り返しながら混合ガスの原子
が順次イオン化させる。即ち、電子とイオンが倍に増加
するアバランシ現象が生じる。このアバランシ課程で発
生した光が赤色(R)、緑色(G)、青色(B)の蛍光
体を発光させる。こうように蛍光体で発光さしたR、
G、Bの光は保護膜(10)、上部誘電体の厚膜(1
2)及び透明電極(4)を経由して上部ガラス板(1
6)に進み、文字またはグラフィックが表示される。一
方、上部誘電体の厚膜(12)及び下部誘電体の厚膜
(18)は互いに異なる特性を要求している。例えて説
明すると、上部誘電体の厚膜(12)は蛍光体(6)で
発光された光を透過させなければならないので高い透過
率を持たなければならないが、下部誘電体の厚膜(1
8)は蛍光体(6)で発光された光を上部ガラス板(1
6)の方に反射させ発光の効率の向上及び拡散防止膜の
機能を発揮しなければならない。したがって、厚膜(1
8)は高密度組織と高い反射率が要求され、かつ、亀裂
を防止するために低い熱膨張系数と熱的安定性及び低い
誘電率などの特性が要求される。
厚膜と、その製造方法が日本国特許公開公報第平8−1
19665号に開示されている。日本国特許公開公報第
平8−119665号に開示された誘電体の厚膜は表1
のような組成比を持つ。表1での組成比は誘電体の厚膜
の重さ100重量%にして算出されている。
665号に開示された誘電体の厚膜の製造方法は次のよ
うである。まず、60〜70重量%のPbOを含む化合
物ガラスまたは化合物ガラスに酸化物充填剤を混ぜたガ
ラス−セラミックス材料を10μm以下の微粉末に作
る。続いて、微粉末が有機溶媒(Vehicle)と混
合された状態でペースト化されて、ペースト化された微
粉末をガラス基板に20−30μmの厚さでスクリーン
印刷する。最後に、ガラス基板にスクリーン印刷された
ペーストが100℃で30−30分乾燥された後500
−550℃の温度範囲で焼結されることで誘電体の厚膜
が形成される。
た誘電体の厚膜では誘電率が12−15で比較的に高い
のでアドレシングの時間の遅延が現れ、かつPbOが占
める比重が高いので素子の重さ及び全体的な重量が大き
くなる問題などがある。従って、本発明の目的は光学
的、熱的、電気的な要求の特性を満足させるプラズマ表
示装置用の新規な誘電体の組成物を提供することにあ
る。
発明によるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物はSi
O2−ZnO−B203系のガラスを使用する。本発明に
よるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物はP205−Z
nO−BaO系のガラスを使用する。本発明によるプラ
ズマ表示装置用の誘電体の組成物はSiO2−ZnO−
B203系のガラスと溶融点が580℃以下である充填剤
を含む。本発明によるプラズマ表示装置用の誘電体の組
成物はSiO2−ZnO−B203系のガラスと、屈折率
2.0以上、熱膨張系数80x10-7/℃以下、溶融点
が800℃以上である第1充填剤と、溶融点が580℃
以下である第2充填剤を含む。本発明によるプラズマ表
示装置用の誘電体の組成物はSiO2−ZnO−B203
系のガラスと、酸化物の粉末である充填剤を含む。本発
明によるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物はP205
−ZnO−BaO系のガラスと、酸化物の粉末である充
填剤を含む。
用の誘電体の組成物は誘電体の厚膜の光学的、熱的、電
気的な要求の特性を満足させることと併せて、軽量化す
ることができる。
発明の好ましい実施形態に対して説明することにする。
本発明による誘電体の厚膜は要求される特性によってS
iO2−ZnO−B203 系の母材ガラス(Parent Glas
s)粉末またはP205−ZnO−BaO系の母材ガラス
の粉末で形成されたり、SiO2−ZnO−B203 系の
母材ガラス粉末と充填剤(第1乃至第3充填剤)粉末が
混合された組成物またはP205−ZnO−BaO系の母
材ガラスの粉末と充填剤(第4充填剤)粉末が混合され
た組成物で形成される。
と、誘電体の厚膜に要求される特性による原材料を一定
の組成比で混合して溶融させた後急速に冷却することに
よって微細な粒子を持つ粉末(母材ガラス粉末)または
その粉末に充填剤を所定の比率で混合した混合粉末を形
成させる。粉末(母材ガラス粉末)または混合粉末は有
機溶媒(Vehicle)を所定の比率で混合すること
でペースト化される。次にはペーストがガラスの基板に
所定の厚さで塗布された後所定の温度で焼結されること
で誘電体の厚膜が形成される。このように製作された誘
電体の厚膜は光学的、熱的、電気的な要求の特性が向上
される。
膜の組成比とその製造方法を説明するが、本発明の範囲
がこれらの実施形態などに限らないということは明らか
にしておく。
母材ガラスの粉末で形成された誘電体の厚膜に対して説
明する。誘電体の厚膜の組成物であるSiO2−ZnO
−B203系の母材ガラス及びP205−ZnO−BaO系
の母材ガラスの粉末の組成比が表2及び表3にそれぞれ
表している。表2での組成比はSiO2−ZnO−B20
3系の母材ガラスの重さを100重量%として算出され
ている。 表2 SiO2−ZnO−B203系の母材ガラスの組成比
BaO系の母材ガラスの重さを100重量%として算出
されている。 表3 P205−ZnO−BaO系の母材ガラスの組成比
るプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するための
誘電体の厚膜の製造方法が段階別に説明されている。母
材ガラスの粉末を形成する(第1段階)。母材ガラスの
粉末の形成を詳細に説明すると、まず、SiO2−Zn
O−B203 系の母材ガラスまたはP205−ZnO−B
aO系の母材ガラスの原材料を表2または表3の組成比
のように混合する。SiO2−ZnO−B203 系の母材
ガラスまたはP205−ZnO−BaO系の母材ガラスの
原材料は表2または表3に表したような組成比を持つよ
うにする。
03系の母材ガラスは 25乃至45重量%のZnOと、
3乃至40重量%のPbOと、15乃至25重量%のS
iO2と、12乃至25重量%のB203と、2乃至10
重量%のK20と、2乃至8重量%のNa20と、1乃至
7重量%のAl203と、1乃至5重量の%のLi20
と、1乃至5重量%のCaOを含む。一方、表3を参照
してP205−ZnO−BaO系の母材ガラスの組成比に
対して詳細に説明すると、P205−ZnO−BaO系の
母材ガラスは45乃至65重量%のP205と、20乃至
35重量%のZnOと、3乃至15重量%のBaOと、
2乃至10重量%のLi2 0と、1乃至7重量%のAl
203と、1乃至6重量%のCaOと、1乃至5重量%の
B203を含む。
ラスまたはP205−ZnO−BaO系の母材ガラスの原
材料を前記組成比のように用意して、その材料を所定時
間(例えば、10時間)駆動されるタンブリングミキサ
(TumblingMixer )により混合する。その工程で混合さ
れた原材料を溶融炉に投入して溶融させる。この時の溶
融条件は1100℃で5時間ぐらい維持して、溶融途中
に原材料がすべて等しく溶融されるように2−3回撹拌
させて均質化を図る。それにより、溶融されたガラスは
緻密な組織を持つようになる。
によって微細な粒子を持つ粉末を形成させることができ
る。溶融されたガラスを急冷ローラ(Quenching Rolle
r)を通過させて冷却することで微細なクラックを持つ
破砕ガラス(コレット:cullet)が生成される。これら
破砕ガラスをボールミルによって所定時間(例えば、1
6時間)粉砕した後、#170、#270シバー(Sive
r )を順次的に通過させて粒子の大きさが約6μmの粉
末を得る。この時、破砕ガラスを生成するためには破砕
ガラスに微細なクラックを形成する急冷ローラ方式が正
しくて、粉砕時ののバルの形態は円筒形バルが正しい。
こうした工程を経てSiO2−ZnO−B203 系の母材
ガラス粉末またはP205−ZnO−BaO系の母材ガラ
スの粉末が形成される。この時、SiO2 −ZnO−B
203 系の母材ガラスの粉末またはP205−ZnO−B
aO 系の母材ガラスの粉末になった組成物は上部の誘
電体の厚膜に利用される。
の比率で混合することで粉末ペーストを形成する(第2
段階)。ペースト形成の過程に対して以下詳細に説明す
る。粉末は有機溶媒(Vehicle)と一定の比率で
混合されることでペースト形成される。この時の有機溶
媒(Vehicle)はBCA(ButylーCarb
itolーAcetate)、BC(ButylーCa
rbitol)及びEC(EthylーCellulo
se)が一定の比率で混合された有機溶媒を使用する。
これらの中ECの量によってペーストの粘度が変化して
流動性及び燒結特性に影響を与える。このECの混合比
率は10%が正しい。また、BCAの混合比率は60%、
BCの混合比率は30%が正しい。
した後、所定の温度で所定時間燒結する(第4段階)。
ペーストをガラス基板にスクリーン印刷方法によって1
0μmの厚さで塗布させた後、ドライオーブンで所定時
間(例えば20分)乾燥させた後、抵抗加熱の方式のバ
ッチ(Batch )またはインライン型(In-Line Type)抵
抗加熱にガラス基板を投入する。このように投入された
ガラス基板を結晶化温度によって焼結することで誘電体
の厚膜が形成される。この時、ドライオーブンでペース
ト内に含まれた有機物が消去される。また、焼結温度
は、粉末に対するDTA(Differential Thermal Analy
sis )から得られる結晶化温度によって決められて、S
iO2−ZnO−B203系の場合550−600℃に設
定してP205 −ZnO−BaO系の場合510−53
0℃に設定して15−30分程度焼結することが正し
い。前記のような方法で形成された誘電体の厚膜はPb
0が含まれなかったりPbOの含有量が少なくて誘電体
の厚膜の重量を軽量化することができる。
の母材ガラス粉末に溶融点が580℃以下である第2充
填剤の粉末を混合して形成された誘電体の厚膜である。
誘電体の厚膜の組成物であるSiO2−ZnO−B203
系の母材粉末の組成比及び第2充填剤の粉末の種類と特
性が表2及び表4に示されている。この表4での組成比
はSiO2−ZnO−B203 系の母材ガラスの重さを1
00重量%にして算出されている。
である酸化物の粉末が使用される。例えて説明すると、
周期律表上1A族(即ち、1個の価電子を持つ元素)に
該当するLi、Na、Kが含まれるLi1、LiNO3、
NaNO3、 KlO3などは母材ガラス分子(即ち、4
個の価電子を持つ分子)の架橋酸素イオンと置換されて
被架橋酸素を形成する。この被架橋酸素は母材ガラスの
連続的な網目構造を分離させることで母材ガラスの焼結
温度を下げる機能を果たす。また、周期律表上3A族
(即ち、3個の価電子を持つ元素)に該当するBが含ま
れるB203は母材ガラス分子(即ち、4個の価電子を持
つ分子)の架橋酸素イオンと置換されて被架橋酸素を形
成する。この被架橋酸素は母材ガラスの連続的な網目構
造を分離させることで母材ガラスの焼結温度を下げる。
これによって、第2充填剤は誘電体の厚膜及び基板の熱
変形を防ぐことができる。一方、焼結温度が高い場合に
は基板に使用されるソーダ石灰ガラスの変形をもたら
す。反面に焼結温度があまりも低い場合には誘電体の厚
膜の不完全な焼成によって気空が残り反射率及び表面の
照度が低下したり、耐熱特性の減少などの特性低下をも
たらす。したがって、誘電体の厚膜の焼結温度の範囲は
550−580℃が正しい。それのために、本発明では
580℃以下で溶融点を持つ第2充填剤を使用して活性
化エネルギーを下げて流動性の増加による反応の促進を
もたらすようにして580℃以下でも十分な焼結ができ
るようにした。
によるプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するた
めの誘電体の厚膜の製造方法が段階別で説明されてい
る。SiO2−ZnO−B203 系の母材粉末に第2充填
剤の粉末(酸化物粉末)が混合されて混合粉末を形成す
る(第11段階)。図2で説明したのと同一の方法によ
ってSiO2−ZnO−B203系の母材粉末を形成す
る。SiO2−ZnO−B203 系の母材粉末に表4の組
成比による第2充填剤の粉末が混合された混合粉末組成
物は、下部誘電体の厚膜及び隔壁に適用することができ
る。
所定の比率で混合されることで混合粉末ペーストが形成
される(第12段階)。この時、混合粉末とはSiO2
−ZnO−B203系の母材粉末に充填剤の粉末が混合さ
れた粉末を意味する。ペースト形成過程に対しては図2
で十分に記述されたので詳細な説明は省略する。
た後、所定の温度で所定時間燒結される(第14段
階)。塗布段階と焼結段階に対しては図2で十分に記述
されたので詳細な説明は省略することにする。前記のよ
うな方法で形成された誘電体の厚膜はPbOの含有量が
少なく、誘電体の厚膜の重量を軽量化することと併せ
て、第2充填剤が混合されることで焼結温度が下がって
誘電体の厚膜及び基板の変形を防ぐことができる。
の母材ガラス粉末に第1及び第2充填剤の粉末(酸化物
の粉末)が混合された誘電体厚膜である。第1充填剤の
組成比は表5に示されている。表5での組成比はSiO
2−ZnO−B203系の母材ガラスの重さを100重量
%にして算出されている。
以上であり、熱膨張系数が80x10-7/℃以下であ
り、溶融点が800℃以下である酸化物の粉末を使用す
る。母材ガラスに4乃至30重量%のTiO2 が混合さ
れと下部誘電体の厚膜(18)の反射率と結晶化度が向
上する。これを詳細に説明すると、母材ガラスの屈折率
(n)は1.4−1.5でありTiO2の屈折率(n)は
2.76になる。この時、屈折率と反射率は比例するよ
うになるので屈折率が高いほど反射率が増加する。ま
た、TiO2 は誘電体の厚膜の結晶化度を高めるので反
射率が増加する。また、母材ガラスに4乃至30重量%
のZrO2 が混合されると、誘電体の厚膜の結晶化度が
向上する。
ってTiO2、ZrO2、SiC、Si、BaTiO3、
CaTiO3、LiNbO3、NiO、MnO、ZnO、
Bi2O3及びSiOの中少なくとも1以上を選択的に添
加して誘電体の厚膜を形成することもできる。母材ガラ
スに第1充填剤が所定の組成比(例えば、4乃至30重
量%)で混合されることで誘電体の厚膜の反射率及び表
面照度が向上する。また、母材ガラスに第1充填剤が所
定の組成比(例えば、4乃至30重量%)で混合される
ことで誘電体の厚膜の熱膨張系数に近似するようにな
り、亀裂を防ぐことができる。また、第2充填剤の種類
及び組成比は表4と同一なので詳細な説明は省略する。
ラズマ表示用の誘電体の厚膜を製造するための誘電体の
厚膜の製造方法が段階別に説明されている。SiO2−
ZnO−B203系の母材ガラスの粉末に第1及び第2充
填剤の粉末(酸化物の粉末)を混合させて混合粉末を形
成する(第21段階)。図2で説明したのと同一の方法
によってSiO2−ZnO−B203系の母材ガラスの粉
末が形成される。続いて、SiO2−ZnO−B203 系
の母材ガラスの粉末に表4及び表5の組成比によって第
1及び第2の充填剤の粉末を混合して混合粉末を形成す
る。このSiO2 −ZnO−B203系の母材ガラスの粉
末に第1及び第2充填剤が混合された混合粉末の組成物
は下部の誘電体の厚膜及び隔壁に適用される。混合粉末
が有機溶媒(Vehicle)の所定比率で混合される
ことで混合粉末のペーストを形成する(第22段階)。
この混合粉末はSiO2−ZnO−B203系の母材ガラ
スの粉末に第1及び第2充填剤の粉末を混合した粉末を
意味する。ペースト形成過程に対しては図2で十分に記
述されたので詳細な説明は省略する。
た後、所定温度で所定時間焼結される(第24段階)。
塗布段階と焼結段階に対しては図2で十分に記述された
ので詳細な説明は省略する。
O2−ZnO−B203 系の母材ガラスの粉末に第1及び
第2充填剤が添加されて形成された誘電体の厚膜の特性
が表6に示されている。 表6 SiO2−ZnO−B203 系の母材ガラスの粉末に第1
及び第2充填剤が添加された誘電体の厚膜の特性
膜は誘電率7−10で比較的に低く、アドレシング時間
の遅延を縮めることができるとともに、誘電体の厚膜の
照度及び反射率が向上する。また、PbOの含有量が少
ないので誘電体の厚膜を軽量化することができる。ま
た、第1充填剤が混合されるので誘電体の厚膜の熱膨張
系数とガラス基板の熱膨張系数が近似し、誘電体の厚膜
の亀裂が防止される。また、第2充填剤を選択的に混合
することによって焼結温度が下がり、誘電体の厚膜及び
基板の変形を防ぐことができる。
iO2−ZnO−B203 系の母材ガラスの粉末に酸化物
の粉末である第3充填剤が混合された誘電体の厚膜であ
る。このSiO2−ZnO−B203系の母材ガラスに添
加される第3充填剤の組成比が表7に示されている。表
7での組成比はSiO2−ZnO−B203 系の母材ガラ
スの重さを100%にして算出されている。 表7 第3充填剤の種類及び組成比
に混合される第3充填剤に対して説明すると、母材ガラ
スに3乃至25重量%のTiO2 が混合されると誘電体
の厚膜の反射率と結晶化度が向上する。これを詳細に説
明すると、母材ガラスの屈折率(n)が1.4ー1.5で
ありTiO2の屈折率(n)は2.7になる。この時、屈
折率と反射率は比例するので屈折率が高いほど反射率が
増加する。これによって、TiO2 は誘電体の厚膜の結
晶化度を高くし、反射率を増加させる。一方、母材ガラ
スに5乃至30重量%のAlPO4 を添加したり、母材
ガラスに5乃至30重量%のP2O5を混合したり、母材
ガラスに2乃至15重量%のV2O5を混合したり、母材
ガラスに2乃至20重量%のZrO2 を添加すると、下
部誘電体の厚膜(18)の結晶化度が向上する。一方、
TiO2、AlPO4、P2O5、V2O5及びZrO2 の内
一つ以上を選択的に添加して誘電体の厚膜を形成するこ
ともできる。
によるプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するた
めの誘電体の厚膜の製造方法が段階別で説明されてい
る。SiO2−ZnO−B203 系の母材ガラスの粉末と
第3充填剤の粉末が混合されて混合粉末が形成される
(第31段階)。図2で説明したのと同一の方法によっ
てSiO2−ZnO−B203系の母材ガラスの粉末を形
成する。続いて、SiO2−ZnO−B203系の母材ガ
ラスの粉末に表7の組成比によって第3充填剤の粉末を
混合することで混合粉末を形成する。このSiO2−Z
nO−B203 系の母材ガラスの粉末に第3充填剤の粉
末が混合された混合粉末の組成物は、下部の誘電体の厚
膜及び隔壁に適用される。
所定の比率で混合された混合粉末ペーストを形成する
(第32段階)。この時、混合粉末は、SiO2−Zn
O−B203 系の母材粉末に第3充填剤の粉末が混合さ
れた粉末を意味する。ペースト形成過程に対しては図2
で十分に記述されたので詳細な説明は省略する。ペース
トは基板に塗布(第33段階)された後、所定の温度で
所定時間燒結される(第34段階)。塗布段階と焼結段
階に対しては図2で十分に記述したので詳細な説明は省
略することにする。前記のような製造方法によってSi
O2−ZnO−B203 系の母材ガラスに第充填剤が混合
されて形成された誘電体の厚膜の特性が表8に表れてい
る。表8SiO2−ZnO−B203系の母材ガラスに第
3充填剤が混合されて形成された誘電体の厚膜の特性
膜では誘電率が7−10で比較的に低く、アドレシング
時間の遅延を少なくできるとともに、誘電体の厚膜の照
度が向上する。また、PbOが含まれないので、誘電体
の厚膜の重量を軽量化することができて、誘電体の厚膜
の反射率が向上する。
205−ZnO−BaO系の母材ガラスの粉末に酸化物の
粉末である第4充填剤が混合された誘電体の厚膜であ
る。このP205−ZnO−BaO系の母材ガラスに混合
される第4充填剤の組成比が表9に示されている。表9
での組成比はP205−ZnO−BaO系の母材ガラスの
重さを100重量%にして算出されている。 表9 第4充填剤の種類及び組成比
混合される第4充填剤に対して説明する。母材ガラスに
3乃至25重量%のTiO2 が混合されると誘電体の厚
膜の反射率と熱膨張性が向上する。一方、母材ガラスに
2乃至15重量%のV2O5を混合したり、母材ガラス
に2乃至20重量%のZrO2を混合すると、誘電体の
厚膜の結晶化度が向上する。一方、母材ガラスに5乃至
20重量%のα−Al2O3を混合すると、低い熱膨張系
数を持つ誘電体の厚膜が形成される。これを詳細に説明
すると、母材ガラスの熱膨張系数は101 X 10-7/
℃でありα−Al2O3の熱膨張系数は66 X 10-7/
℃である。また、母材ガラスにα−Al2O3を混合して
形成した誘電体の厚膜の熱膨張系数は85−90 X 1
0-7/℃で、ガラス板(ソーダ石灰ガラス)の熱膨張系
数である83−85 X 10-7/℃に近似するので誘電
体の厚膜に亀裂が生じない。一方、TiO2 、α−Al
2O3、V2O5、ZrO2 が母材ガラスにすべて混合され
て誘電体の厚膜を形成することもできて、誘電体の厚膜
で要求される特性によって母材ガラスに前記TiO2、
α−Al2O3、V2O5、ZrO2の少なくとも一つ以上
選択的に添加して誘電体の厚膜を形成することもでき
る。
によるプラズマ表示装置用の誘電体の厚膜を製造するた
めの誘電体の厚膜の製造方法が段階別で説明されてい
る。P205−ZnO−BaO系の母材ガラスの粉末に第
4充填剤の粉末を混合して混合粉末を形成する(第41
段階)。図2で説明したのと同一の方法によってP205
−ZnO−BaO系の母材ガラスの粉末を形成する。続
いて、P205−ZnO−BaO系の母材ガラスの粉末に
表9の組成比によって第4充填剤の粉末を混合させるこ
とで混合粉末を形成する。P205−ZnO−BaO系の
母材ガラスの粉末に第4充填剤の粉末を混合した混合粉
末の組成物は下部の誘電体の厚膜及び隔壁に適用され
る。
所定の比率で混合されることで混合粉末ペーストを形成
する(第42段階)。この時、混合粉末はP205−Zn
O−BaO系の母材粉末に充填剤の粉末が混合された粉
末を意味する。ペースト形成過程に対しては図2で十分
に記述されたので詳細な説明は省略する。
た後、所定の温度で所定時間燒結される(第44段
階)。塗布段階と焼結段階に対しては図2で十分に記述
されたので詳細な説明は省略する。
05−ZnO−BaO系の母材ガラスに第4充填剤を混
合して形成した誘電体の厚膜の特性が表10に示す。 表10 P205−ZnO−BaO系の母材ガラスに第4充填剤が
混合されて形成された誘電体の厚膜の特性
膜では誘電率が7−10で比較的低く、アドレシング時
間の遅延を少なくできると共に、誘電体の厚膜の照度及
び反射率が向上する。また、PbOが含まれないので誘
電体の厚膜の重量を軽量化することができる。また、第
4充填剤が混合されるので誘電体の厚膜の熱膨張系数と
ガラス基板の熱膨張系数が近似するようになるので誘電
体の厚膜の亀裂を防ぐことができる。
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多様な変更及び修
正ができる。一例として、本発明の実施形態などで誘電
体の組成物でSiO2−ZnO−B203 系の母材ガラス
またはP205−ZnO−BaO系の母材ガラスを使用す
ることもでき、SiO2−ZnO−B203 系の母材ガラ
スに第1乃至第3充填剤を誘電体の厚膜の要求特性によ
って選択的に添加したり、P205−ZnO−BaO系の
母材ガラスに第4充填剤を誘電体の厚膜の要求特性によ
って選択的に添加することもあるということを当業者は
分かるだろう。
態などによるプラズマ表示装置用の誘電体の組成物は誘
電体の厚膜の光学的、熱的、電気的要求特性を満足させ
ることと併せて、重量を軽量化することのできる長所が
ある。
示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
置用の誘電体の組成物を説明するために誘電体の厚膜の
製造方法を図示した図である。
Claims (23)
- 【請求項1】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物に
おいて、前記誘電体の組成物がSiO2−ZnO−B20
3 系のガラスを使用することを特徴とするプラズマ表示
装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項2】 前記SiO2−ZnO−B203系のガラ
スは25乃至45重量%のZnOと、3乃至40重量%
のPb0と、15乃至25重量%のSiO2と、12乃至
25重量%のB203と、2乃至10重量%のK20と、
2乃至8重量%の Na20と、1乃至7重量%のAl2
03と、1乃至5重量の%のLi20と、1乃至5重量%
のCaOとで形成されることを特徴とする請求項1記載
のプラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項3】 前記誘電体の組成物はプラズマの表示装
置の上部の誘電体の厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁
の内少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とする
請求項1記載のプラズマ表示装置の誘電体の組成物。 - 【請求項4】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物に
おいて、前記誘電体の組成物が、SiO2−ZnO−B2
03 系のガラスと、溶融点が580℃以下である充填剤
を含むことを特徴とするプラズマ表示装置用の誘電体の
組成物。 - 【請求項5】 前記SiO2−ZnO−B203 系のガラ
スが、25乃至45重量%のZnOと、3乃至40重量
%のPbOと、15乃至25重量%の SiO2と、12
乃至25重量%のB203と、2乃至10重量%のK20
と、2乃至8重量%のNa20と、1乃至7重量%のA
l203と、1乃至5重量の%のLi20と、1乃至5重
量%のCaOとを含むことを特徴とする請求項4記載の
プラズマ表示装置の誘電体の組成物。 - 【請求項6】 前記充填剤が、1乃至20重量%のLi
l、LiN03 、NaNO3、KN03、Cal2及びB20
3 の内少なくとも一つを含むことを特徴とする請求項4
記載のプラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項7】 前記誘電体の組成物はプラズマの表示装
置の上部の誘電体の厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁
の内少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とする
請求項4記載のプラズマ表示装置の誘電体の組成物。 - 【請求項8】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物に
おいて、前記誘電体の組成物が、SiO2−ZnO−B2
03系のガラスと、屈折率2.0以上、熱膨張系数80x
10-7/℃以下、溶融点が800℃以上である第1充填
剤と、溶融点が580℃以下である第2充填剤を含むこ
とを特徴とするプラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項9】 前記SiO2−ZnO−B203系のガラ
スが、25乃至45重量%のZnOと、3乃至40重量
%のPbOと、15乃至25重量%の SiO2と、12
乃至25重量%のB203と、2乃至10重量%のK20
と、2乃至8重量%のNa20と、1乃至7重量%のA
l203と、1乃至5重量の%のLi20と、1乃至5重
量%のCaOとを含むことを特徴とする請求項8記載の
プラズマ表示装置の誘電体の組成物。 - 【請求項10】 前記第1充填剤が、4乃至30重量%
のTi02、Zr02 、SiC、Si、BaTi03、Ca
TiO3、NiNb03、NiO、MnO、ZnO、Bi2
03及びSiOの内少なくとも一つを含むことを特徴と
する請求項8記載のプラズマ表示装置用の誘電体の組成
物。 - 【請求項11】 前記第2充填剤が、1乃至20重量%
のLil、LiN03、NaNO3、KN03、Cal2及び
B203 の内少なくとも一つを含むことを特徴とする請
求項4記載のプラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項12】 前記誘電体の組成物が上部の誘電体の
厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁の内少なくとも一つ
以上に適用されることを特徴とする請求項8記載のプラ
ズマ表示装置の誘電体の組成物。 - 【請求項13】 プラズマ表示装置用の組成物におい
て、前記誘電体の組成物はSiO2−ZnO−B203系
のガラスと、酸化物の粉末である充填剤を含むことを特
徴とするプラズマ表示装置の誘電体の組成物。 - 【請求項14】 前記SiO2−ZnO−B203系のガ
ラスが、25乃至45重量%のZnOと、3乃至40重
量%のPbOと、15乃至25重量%の SiO2と、1
2乃至25重量%のB203と、2乃至10重量%のK2
0と、2乃至8重量%のNa20と、1乃至7重量%の
Al203と、1乃至5重量の%のLi2 0と、1乃至5
重量%のCaOを含むことを特徴とする請求項13記載
のプラズマ表示装置の誘電体の組成物。 - 【請求項15】 前記充填剤が3乃至25重量%のTi
O2、5乃至30重量%のAlPO4、5乃至30重量%
のP205、2乃至15重量%のV205、及び2乃至20
重量%のZrO2の内少なくとも一つを含むことを特徴
とする請求項13記載のプラズマ表示装置の誘電体の組
成物。 - 【請求項16】 前記誘電体の組成物が上部の誘電体の
厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁の内少なくとも一つ
以上に適用されることを特徴とする請求項13記載のプ
ラズマ表示装置の誘電体の組成物。 - 【請求項17】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物
において、前記誘電体の組成物がP205−ZnO−Ba
O系のガラスを使用することを特徴とするプラズマ表示
装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項18】 前記P205−ZnO−BaO系のガラ
スは45乃至65重量%のP205と、20乃至35重量
%のZnOと、3乃至15重量%のBaOと、2乃至1
0重量%のLi20と、1乃至7重量%のAl203と、
1乃至6重量%のCaOと、1乃至5重量%のB203と
を含むことを特徴とする請求項17記載のプラズマ表示
装置の誘電体の組成物。 - 【請求項19】 前記誘電体の組成物はプラズマ表示装
置の上部の誘電体の厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔壁
の内少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とする
請求項17記載のプラズマ表示装置の誘電体の組成物。 - 【請求項20】 プラズマ表示装置用の誘電体の組成物
において、前記誘電体の組成物がP205−ZnO−Ba
O系のガラスと、酸化物の粉末である充填剤を含むこと
を特徴とするプラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項21】 前記P205−ZnO−BaO系のガラ
スは45乃至65重量%のP205と、20乃至35重量
%のZnOと、3乃至15重量%のBaOと、2乃至1
0重量%のLi20と、1乃至7重量%のAl203と、
1乃至6重量%のCaOと、1乃至5重量%のB203と
を含むことを特徴とする請求項20記載のプラズマ表示
装置の誘電体の組成物。 - 【請求項22】 前記充填剤が、3乃至25重量%のT
i02、5乃至20重量%のα-Al203、2乃至15重
量%のV205及び2乃至20重量%のZr02、の内少
なくとも一つを含むことを特徴とする請求項20記載の
プラズマ表示装置用の誘電体の組成物。 - 【請求項23】 前記誘電体の組成物はプラズマの表示
装置の上部の誘電体の厚膜、下部の誘電体の厚膜及び隔
壁の内少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とす
る請求項20記載のプラズマ表示装置の誘電体の組成
物。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2003005401A1 (fr) * | 2001-07-03 | 2003-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran d'affichage plasma et procede de production de celui-ci |
KR100752845B1 (ko) * | 2000-01-04 | 2007-08-29 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 유전층 |
JP2019127404A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | Agc株式会社 | ガラス、ガラスの製造方法、導電ペーストおよび太陽電池 |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100326558B1 (ko) * | 1998-09-01 | 2002-09-17 | 엘지전자주식회사 | 플라즈마용표시장치용격벽조성물 |
US6897610B1 (en) * | 1999-04-28 | 2005-05-24 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel |
KR100605755B1 (ko) * | 1999-05-18 | 2006-07-31 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 표시장치용 유전체 조성물 |
US6514891B1 (en) * | 1999-07-14 | 2003-02-04 | Lg Electronics Inc. | Thick dielectric composition for solid state display |
US20020082155A1 (en) * | 2000-10-12 | 2002-06-27 | Nippon Electric Glass Co., Ltd. | Barrier rib material for plasma display panel |
JP4034202B2 (ja) * | 2003-02-10 | 2008-01-16 | 富士通日立プラズマディスプレイ株式会社 | ガス放電パネル及びその製造方法 |
KR100557853B1 (ko) * | 2003-09-17 | 2006-03-10 | 재단법인서울대학교산학협력재단 | 인산염계 저유전율 세라믹 조성물 |
KR100522701B1 (ko) * | 2003-10-16 | 2005-10-19 | 삼성에스디아이 주식회사 | 결정화 유전체층을 구비한 플라즈마 디스플레이 패널과,이의 제조 방법 |
JP2007149686A (ja) * | 2005-11-28 | 2007-06-14 | Lg Electronics Inc | プラズマディスプレイパネル |
JP2008130566A (ja) * | 2006-11-21 | 2008-06-05 | Lg Electronics Inc | プラズマディスプレイパネル及びその製造方法、及びこれのための誘電体組成物 |
KR100831013B1 (ko) * | 2007-02-22 | 2008-05-20 | 삼성에스디아이 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
KR100858660B1 (ko) * | 2007-04-03 | 2008-09-16 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 유전체용 조성물 및 이를포함하는 플라즈마 디스플레이 패널 |
CN103319096A (zh) * | 2013-06-21 | 2013-09-25 | 四川虹欧显示器件有限公司 | 一种等离子显示屏用新型介质层材料及其应用 |
Family Cites Families (22)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2509285A1 (fr) * | 1981-07-09 | 1983-01-14 | Comp Generale Electricite | Materiau vitreux et application a un composant a semi-conducteur |
US4451761A (en) * | 1982-01-13 | 1984-05-29 | Burroughs Corporation | Glass composition and gas-filled display panel incorporating the glass as an insulating layer |
US4578619A (en) * | 1983-06-22 | 1986-03-25 | Burroughs Corporation | Glass composition and gas-filled display panel incorporating the glass |
JPS60235744A (ja) * | 1984-05-04 | 1985-11-22 | Asahi Glass Co Ltd | セラミック基板用組成物 |
US4692662A (en) * | 1984-07-13 | 1987-09-08 | Okuno Chemical Industries Co. Ltd. | High contrast display device |
US4808673A (en) * | 1986-10-02 | 1989-02-28 | General Electric Company | Dielectric inks for multilayer copper circuits |
WO1991006115A1 (fr) * | 1989-10-18 | 1991-05-02 | Noritake Co., Limited | Panneau d'affichage au plasma et procede de production |
US5196381A (en) * | 1990-01-16 | 1993-03-23 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Metaphosphate glass composition |
US5137848A (en) * | 1990-12-13 | 1992-08-11 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Dielectric composition containing kerf additive |
US5210057A (en) * | 1991-02-08 | 1993-05-11 | Haun Michael J | Partially crystallizable glass compositions |
DE69201714T2 (de) * | 1991-11-14 | 1995-10-05 | Du Pont | Lichtabsorbierende, dielektrische Zusammensetzungen. |
JPH08119665A (ja) * | 1994-10-19 | 1996-05-14 | Asahi Glass Co Ltd | ガラス組成物及びそれを用いたプラズマディスプレイパネル |
US5674634A (en) * | 1994-12-05 | 1997-10-07 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Insulator composition, green tape, and method for forming plasma display apparatus barrier-rib |
US5714840A (en) * | 1995-03-07 | 1998-02-03 | Asahi Glass Company Ltd. | Plasma display panel |
US5997377A (en) * | 1995-11-17 | 1999-12-07 | Hoya Corporation | Process for the production of spacered substrate for use in self-emitting display |
JP2995728B2 (ja) * | 1996-04-12 | 1999-12-27 | 日本電気硝子株式会社 | 低誘電率ガラス組成物 |
JP3317161B2 (ja) * | 1996-10-04 | 2002-08-26 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
JP3317175B2 (ja) * | 1997-01-27 | 2002-08-26 | 松下電器産業株式会社 | プラズマディスプレイパネル |
DE69807976T2 (de) * | 1997-05-09 | 2003-06-05 | Jsr Corp | Zusammensetzung einer Glaspaste |
JP3904102B2 (ja) * | 1997-08-06 | 2007-04-11 | 日本電気硝子株式会社 | プラズマディスプレーパネル用誘電体形成材料 |
AU9212398A (en) * | 1997-09-05 | 1999-03-29 | Ferro Corporation | Reflective porcelain enamel coating composition |
KR100301661B1 (ko) * | 1998-04-30 | 2001-11-14 | 구자홍 | 플라즈마표시장치용유전체조성물 |
-
1998
- 1998-12-10 US US09/209,240 patent/US6184163B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-12-28 JP JP37335198A patent/JP3429211B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-04-07 US US09/544,455 patent/US6376398B1/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100752845B1 (ko) * | 2000-01-04 | 2007-08-29 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널의 유전층 |
WO2003005401A1 (fr) * | 2001-07-03 | 2003-01-16 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Ecran d'affichage plasma et procede de production de celui-ci |
US7057342B2 (en) | 2001-07-03 | 2006-06-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Plasma display panel and production method therefor |
KR100895368B1 (ko) * | 2001-07-03 | 2009-04-29 | 파나소닉 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 및 그 제조방법 |
JP2019127404A (ja) * | 2018-01-23 | 2019-08-01 | Agc株式会社 | ガラス、ガラスの製造方法、導電ペーストおよび太陽電池 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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US6376398B1 (en) | 2002-04-23 |
US6184163B1 (en) | 2001-02-06 |
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