JPH11343142A - プラズマディスプレイパネル用の誘電体の組成物 - Google Patents
プラズマディスプレイパネル用の誘電体の組成物Info
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- JPH11343142A JPH11343142A JP11123969A JP12396999A JPH11343142A JP H11343142 A JPH11343142 A JP H11343142A JP 11123969 A JP11123969 A JP 11123969A JP 12396999 A JP12396999 A JP 12396999A JP H11343142 A JPH11343142 A JP H11343142A
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- C03C—CHEMICAL COMPOSITION OF GLASSES, GLAZES OR VITREOUS ENAMELS; SURFACE TREATMENT OF GLASS; SURFACE TREATMENT OF FIBRES OR FILAMENTS MADE FROM GLASS, MINERALS OR SLAGS; JOINING GLASS TO GLASS OR OTHER MATERIALS
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 プラズマディスプレイパネルの隔壁及び誘電
体層に用いられる新規な誘電体組成物を提供する。 【解決手段】 本発明の誘電体組成物はＰ2Ｏ5−ＰｂＯ
−Ｋ2Ｏ系母材ガラスと、Ｍｇ2Ａｌ3（ＡｌＳｉ
5Ｏ18）、Ｖ2Ｏ5、ＬｉＡｌ（Ｓｉ2Ｏ6）を含む酸化物
充鎮剤とからなることを特徴とする。
体層に用いられる新規な誘電体組成物を提供する。 【解決手段】 本発明の誘電体組成物はＰ2Ｏ5−ＰｂＯ
−Ｋ2Ｏ系母材ガラスと、Ｍｇ2Ａｌ3（ＡｌＳｉ
5Ｏ18）、Ｖ2Ｏ5、ＬｉＡｌ（Ｓｉ2Ｏ6）を含む酸化物
充鎮剤とからなることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はプラズマディスプレ
イパネル（ＰＤＰ）に関する。特に本発明はＰＤＰの誘
電体層と隔壁の形成に適用される誘電体の組成物とその
組成物の形成方法に関するものである。
イパネル（ＰＤＰ）に関する。特に本発明はＰＤＰの誘
電体層と隔壁の形成に適用される誘電体の組成物とその
組成物の形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰは他のフラットパネルディスプレ
イ（ＦＰＤ）より製作工程が容易であり、大画面のフラ
ットパネルディスプレイとして注目を浴びている。図１
は交流（ＡＣ）型のＰＤＰのマトリックス形態で配列さ
れたＰＤＰセルの構造を図示している。ＰＤＰセルは上
部基板（１０）に維持電極対（１２Ａ、１２Ｂ）、上部
誘電体層（１４）及び保護膜（１６）を形成させた上板
と、下部基板（１８）にアドレス電極（２０）、下部誘
電体層（２２）、隔壁（２４）及び蛍光体層（２６）を
形成させた下板とを具備する。なお、本命最初におい
て、方向を意味する上下は説明の便宜にすぎない。上部
基板（１０）と下部基板（１８）は互いに対向され、こ
れらの基板（１０、１８）と隔壁（２４）により放電空
間が形成されている。
イ（ＦＰＤ）より製作工程が容易であり、大画面のフラ
ットパネルディスプレイとして注目を浴びている。図１
は交流（ＡＣ）型のＰＤＰのマトリックス形態で配列さ
れたＰＤＰセルの構造を図示している。ＰＤＰセルは上
部基板（１０）に維持電極対（１２Ａ、１２Ｂ）、上部
誘電体層（１４）及び保護膜（１６）を形成させた上板
と、下部基板（１８）にアドレス電極（２０）、下部誘
電体層（２２）、隔壁（２４）及び蛍光体層（２６）を
形成させた下板とを具備する。なお、本命最初におい
て、方向を意味する上下は説明の便宜にすぎない。上部
基板（１０）と下部基板（１８）は互いに対向され、こ
れらの基板（１０、１８）と隔壁（２４）により放電空
間が形成されている。
【０００３】維持電極対（１２Ａ、１２Ｂ）の一つはパ
ネルを走査するための走査パルスを供給する走査電極と
して利用される。上部の誘電体層（１４）には電荷が蓄
積される。保護膜（１６）はスパッタリングによる上部
の誘電体層（１４）の損傷を防いでＰＤＰの寿命を延ば
すだけでなく、二次電子の放出効率を高めている。保護
膜（１６）としては通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が
利用される。上部基板（１０）と下部基板（１８）が整
列させられてアドレス電極（２０）は維持電極対（１２
Ａ、１２Ｂ）と交差する。図はわかりやすくするために
一方の基板を９０度回転させて示している。このアドレ
ス電極（２０）はディスプレイされたセルを選択するた
めのデータ信号が供給される。隔壁（２４）は放電によ
り生成された紫外線が隣接した放電セルに漏れるのを防
ぐ。蛍光体（２６）は下部誘電体層（２２）及び隔壁
（２４）の表面に塗布されて、赤色、緑色または青色の
可視光線を発生する役割をする。
ネルを走査するための走査パルスを供給する走査電極と
して利用される。上部の誘電体層（１４）には電荷が蓄
積される。保護膜（１６）はスパッタリングによる上部
の誘電体層（１４）の損傷を防いでＰＤＰの寿命を延ば
すだけでなく、二次電子の放出効率を高めている。保護
膜（１６）としては通常酸化マグネシウム（ＭｇＯ）が
利用される。上部基板（１０）と下部基板（１８）が整
列させられてアドレス電極（２０）は維持電極対（１２
Ａ、１２Ｂ）と交差する。図はわかりやすくするために
一方の基板を９０度回転させて示している。このアドレ
ス電極（２０）はディスプレイされたセルを選択するた
めのデータ信号が供給される。隔壁（２４）は放電によ
り生成された紫外線が隣接した放電セルに漏れるのを防
ぐ。蛍光体（２６）は下部誘電体層（２２）及び隔壁
（２４）の表面に塗布されて、赤色、緑色または青色の
可視光線を発生する役割をする。
【０００４】このような構造のＰＤＰ放電セルはアドレ
ス電極（２０）と走査／維持電極（１２Ａ）の間の対向
放電により選択された後、維持電極対（１２Ａ、１２
Ｂ）の間の面放電により放電を維持する。ＰＤＰ放電セ
ルでは維持放電時に発生する紫外線により蛍光体（２
６）が発光して可視光が外部に放射される。その結果、
放電セルなどを有するＰＤＰは画像を表示する。
ス電極（２０）と走査／維持電極（１２Ａ）の間の対向
放電により選択された後、維持電極対（１２Ａ、１２
Ｂ）の間の面放電により放電を維持する。ＰＤＰ放電セ
ルでは維持放電時に発生する紫外線により蛍光体（２
６）が発光して可視光が外部に放射される。その結果、
放電セルなどを有するＰＤＰは画像を表示する。
【０００５】図２は図１に図示された隔壁（２４）の製
造方法を段階的に説明する流れ図である。段階Ｓ２で隔
壁の材料である母材ガラスの粉末と酸化物充鎮剤粉末を
混ぜて混合粉末を作る。この場合、母材ガラス粉末と酸
化物充鎮剤粉末を所定の比率で混合した後１０μm以下
の微粉末にする。次に、段階Ｓ４で混合粉末を有機溶媒
と混合してスクリーン印刷法で利用されるペーストまた
はテープキャスチング（Tape Casting）法で利用される
スラリー状態にする。続いて、段階Ｓ６でペーストまた
はスラリーを利用して下部基板（１８）上に形成された
下部誘電体層（２２）上に隔壁（２４）を形成する。こ
の場合、隔壁（２４）はスクリーン印刷方法、サンドブ
ラスト方法、エッチング法、添加法及びスタンピング
（Stamping）法などにより形成することができる。これ
に対する詳細な説明は後述する。そして、段階Ｓ８で形
成された隔壁（２４）を３００〜５００℃の温度の範囲
で１５〜２０分間乾燥して有機溶媒を除去した後、５５
０〜６００℃範囲で加熱して隔壁（２４）を完成する。
造方法を段階的に説明する流れ図である。段階Ｓ２で隔
壁の材料である母材ガラスの粉末と酸化物充鎮剤粉末を
混ぜて混合粉末を作る。この場合、母材ガラス粉末と酸
化物充鎮剤粉末を所定の比率で混合した後１０μm以下
の微粉末にする。次に、段階Ｓ４で混合粉末を有機溶媒
と混合してスクリーン印刷法で利用されるペーストまた
はテープキャスチング（Tape Casting）法で利用される
スラリー状態にする。続いて、段階Ｓ６でペーストまた
はスラリーを利用して下部基板（１８）上に形成された
下部誘電体層（２２）上に隔壁（２４）を形成する。こ
の場合、隔壁（２４）はスクリーン印刷方法、サンドブ
ラスト方法、エッチング法、添加法及びスタンピング
（Stamping）法などにより形成することができる。これ
に対する詳細な説明は後述する。そして、段階Ｓ８で形
成された隔壁（２４）を３００〜５００℃の温度の範囲
で１５〜２０分間乾燥して有機溶媒を除去した後、５５
０〜６００℃範囲で加熱して隔壁（２４）を完成する。
【０００６】図３Ａ乃至図３Ｄはスクリーン印刷方法を
利用した隔壁製造方法を段階的に表す断面図である。図
３Ａを参照すると、下部基板（１８）上に下部誘電体層
（２２）とガラスペーストパターン（２８）が積層され
た構造が図示されている。ガラスペーストパターン（２
８）は母材ガラスと充鎮剤が混合されたガラス粉末を有
機溶媒と混合したガラスペーストをスクリーン印刷方法
により下部誘電体層（２２）上に所定の厚さに塗布した
後所定の時間の間乾燥させて形成される。ついで、図３
Ｂ及び図３Ｃに図示されたように、前述したガラスペー
ストパターン（２８）形成方法を７〜８回繰り返して行
う。この結果、所望の高さ例えば、１５０〜２００μｍ
の高さにガラスペーストパターン（２８）を積層する。
このように積層されたガラスペーストパターン（２８）
はを焼成して図３Ｄに図示されたように下部誘電体層
（２２）上に所定の高さを有する隔壁（２４）が形成さ
れる。
利用した隔壁製造方法を段階的に表す断面図である。図
３Ａを参照すると、下部基板（１８）上に下部誘電体層
（２２）とガラスペーストパターン（２８）が積層され
た構造が図示されている。ガラスペーストパターン（２
８）は母材ガラスと充鎮剤が混合されたガラス粉末を有
機溶媒と混合したガラスペーストをスクリーン印刷方法
により下部誘電体層（２２）上に所定の厚さに塗布した
後所定の時間の間乾燥させて形成される。ついで、図３
Ｂ及び図３Ｃに図示されたように、前述したガラスペー
ストパターン（２８）形成方法を７〜８回繰り返して行
う。この結果、所望の高さ例えば、１５０〜２００μｍ
の高さにガラスペーストパターン（２８）を積層する。
このように積層されたガラスペーストパターン（２８）
はを焼成して図３Ｄに図示されたように下部誘電体層
（２２）上に所定の高さを有する隔壁（２４）が形成さ
れる。
【０００７】図４Ａないし図４Ｆはサンドブラスト方法
を利用した隔壁製造方法を段階的に表す断面図である。
図４Ａに示されたように下部基板（１８）上に形成され
た下部誘電体層（２２）上にガラスペースト（３０）を
塗布した後、図４Ｂに図示されたようにそのガラスペー
スト（３０）上にフォトレジスタ（３２）を塗布する。
次に、図４Ｃに示されたようにマスクパターン（３４）
をフォトレジスタ（３２）上に位置させた後、そのマス
クパターン（３４）の開口部を通してフォトレジスタ
（３２）を露光させる。続いて、マスクパターン（３
４）を除去した後フォトレジスタ（３２）で露光されな
い部分を除去することで図４Ｄに示されたようにフォト
レジスタパターン（３２Ａ）を形成する。そして、サン
ドブラストを利用してフォトレジスタパターン（３２
Ａ）を除去することで図４ｅに図示されたようにフォト
レジスタパターン（３２Ａ）と同一の形状のガラスペー
ストパターン（３０Ａ）を形成する。その次、フォトレ
ジスタパターン（３２Ａ）を除去した後、ガラスペース
トパターン（３０Ａ）を焼成させて図４Ｆに示されたよ
うに下部誘電体層（２２）上に隔壁（２４）を形成す
る。
を利用した隔壁製造方法を段階的に表す断面図である。
図４Ａに示されたように下部基板（１８）上に形成され
た下部誘電体層（２２）上にガラスペースト（３０）を
塗布した後、図４Ｂに図示されたようにそのガラスペー
スト（３０）上にフォトレジスタ（３２）を塗布する。
次に、図４Ｃに示されたようにマスクパターン（３４）
をフォトレジスタ（３２）上に位置させた後、そのマス
クパターン（３４）の開口部を通してフォトレジスタ
（３２）を露光させる。続いて、マスクパターン（３
４）を除去した後フォトレジスタ（３２）で露光されな
い部分を除去することで図４Ｄに示されたようにフォト
レジスタパターン（３２Ａ）を形成する。そして、サン
ドブラストを利用してフォトレジスタパターン（３２
Ａ）を除去することで図４ｅに図示されたようにフォト
レジスタパターン（３２Ａ）と同一の形状のガラスペー
ストパターン（３０Ａ）を形成する。その次、フォトレ
ジスタパターン（３２Ａ）を除去した後、ガラスペース
トパターン（３０Ａ）を焼成させて図４Ｆに示されたよ
うに下部誘電体層（２２）上に隔壁（２４）を形成す
る。
【０００８】図５Ａないし図５Ｃはエッチング方法を利
用した隔壁製造方法を段階的に表す断面図である。図５
Ａに示されたように下部基板（１８）上に形成した誘電
体層（２２）上に感光性ペースト（３４）を塗布する。
その次、図５Ｂに示されたように感光性ペースト（３
４）上にマスクパターン（３６）を配置した後、そのマ
スクパターン（３６）を通して感光性ペースト（３４）
を露光させる。続いて、マスクパターン（３６）を除去
した後、感光性ペースト（３４）で露光されない部分を
エッチングさせた後エッチングされない部分を焼成する
ことで図５Ｃに示された隔壁（２４）を形成する。
用した隔壁製造方法を段階的に表す断面図である。図５
Ａに示されたように下部基板（１８）上に形成した誘電
体層（２２）上に感光性ペースト（３４）を塗布する。
その次、図５Ｂに示されたように感光性ペースト（３
４）上にマスクパターン（３６）を配置した後、そのマ
スクパターン（３６）を通して感光性ペースト（３４）
を露光させる。続いて、マスクパターン（３６）を除去
した後、感光性ペースト（３４）で露光されない部分を
エッチングさせた後エッチングされない部分を焼成する
ことで図５Ｃに示された隔壁（２４）を形成する。
【０００９】図６Ａないし図６Ｅは添加（Additive）法
を利用した隔壁製造方法を段階的に表す断面図である。
図６Ａに図示されたように下部基板（１８）上に形成さ
れた下部誘電体層（２２）上にフォトレジスタ（３８）
を塗布する。その次、図６Ｂに示されたようにフォトレ
ジスタ（３８）上にマスクパターン（４０）を配置させ
た後、そのマスクパターン（４０）を通してフォトレジ
スタ（３８）を露光する。続いて、マスクパターン（４
０）を除去した後、フォトレジスタ（３８）の露光され
た部分を除去することで図６Ｃに示されたようなフォト
レジスタパターン（３８Ａ）を形成する。そして、図６
Ｄに示されたようにフォトレジスタパターン（３８Ａ）
の間にガラスペースト（３０）を塗布して乾燥させる。
続いて、フォトレジスタパターン（３８Ａ）を除去した
後ガラスペースト（３０）を焼成させることで図６Ｅに
示されたように下部誘電体層（２２）上に隔壁（２４）
を形成する。
を利用した隔壁製造方法を段階的に表す断面図である。
図６Ａに図示されたように下部基板（１８）上に形成さ
れた下部誘電体層（２２）上にフォトレジスタ（３８）
を塗布する。その次、図６Ｂに示されたようにフォトレ
ジスタ（３８）上にマスクパターン（４０）を配置させ
た後、そのマスクパターン（４０）を通してフォトレジ
スタ（３８）を露光する。続いて、マスクパターン（４
０）を除去した後、フォトレジスタ（３８）の露光され
た部分を除去することで図６Ｃに示されたようなフォト
レジスタパターン（３８Ａ）を形成する。そして、図６
Ｄに示されたようにフォトレジスタパターン（３８Ａ）
の間にガラスペースト（３０）を塗布して乾燥させる。
続いて、フォトレジスタパターン（３８Ａ）を除去した
後ガラスペースト（３０）を焼成させることで図６Ｅに
示されたように下部誘電体層（２２）上に隔壁（２４）
を形成する。
【００１０】図７Ａないし図７Ｄはスタンピング方法を
利用する隔壁製造方法を段階別に表す断面図である。図
７Ａに示されたように、下部基板（１８）上に形成され
た下部誘電体層（２２）上にガラスペースト（４２）を
塗布する。その次、ガラスペースト（４２）の上に隔壁
用の溝が形成された金型（４４）を配置した後、その金
型（４４）に所定の圧力を加えてスタンピングして、図
７Ｂに示されたように金型（４４）の溝形状に対応する
ガラスペーストパターン（４２Ａ）を形成する。続い
て、図７Ｃに示されたように金型（４４）を分離した
後、ガラスペーストパターン（４２Ａ）を焼成させて図
７Ｄに示されたように、下部誘電体層（２２）上に隔壁
（２４）を形成する。
利用する隔壁製造方法を段階別に表す断面図である。図
７Ａに示されたように、下部基板（１８）上に形成され
た下部誘電体層（２２）上にガラスペースト（４２）を
塗布する。その次、ガラスペースト（４２）の上に隔壁
用の溝が形成された金型（４４）を配置した後、その金
型（４４）に所定の圧力を加えてスタンピングして、図
７Ｂに示されたように金型（４４）の溝形状に対応する
ガラスペーストパターン（４２Ａ）を形成する。続い
て、図７Ｃに示されたように金型（４４）を分離した
後、ガラスペーストパターン（４２Ａ）を焼成させて図
７Ｄに示されたように、下部誘電体層（２２）上に隔壁
（２４）を形成する。
【００１１】このように様々な方法により製造すること
ができる隔壁（２４）は下部誘電体層（２２）と共に蛍
光体層（２６）から出される背面光を反射してＰＤＰの
輝度を増加させる役割を担っている。これによって、下
部誘電体層（２２）及び隔壁（２４）は高い反射率を有
するための緻密な組織が要求される。また、下部誘電体
層（２２）及び隔壁（２４）は素子の応答特性を良くす
るために低い誘電率とし、かつ亀裂を防ぐための低い熱
膨張係数とし、かつ熱的安定性及び焼成時下部基板（１
８）の亀裂を防ぐために低い焼成温度が要求される。こ
のために、下部誘電体層（２２）及び隔壁（２４）は同
一の系列の母材ガラスと酸化物充鎮剤を使用している。
例えば、隔壁（２４）材料では大量のＰｂＯ成分を含む
ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系、またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−
ＺｎＯ系の母材ガラス粉末にＴｉＯ2とＡｌ2Ｏ3とで構
成された酸化物充鎮剤粉末が混合されたガラスセラミッ
クス材料が使用されている。従来の隔壁（２４）材料に
含まれている母材ガラスの組成物と組成比を示せば次の
表１の通りである。
ができる隔壁（２４）は下部誘電体層（２２）と共に蛍
光体層（２６）から出される背面光を反射してＰＤＰの
輝度を増加させる役割を担っている。これによって、下
部誘電体層（２２）及び隔壁（２４）は高い反射率を有
するための緻密な組織が要求される。また、下部誘電体
層（２２）及び隔壁（２４）は素子の応答特性を良くす
るために低い誘電率とし、かつ亀裂を防ぐための低い熱
膨張係数とし、かつ熱的安定性及び焼成時下部基板（１
８）の亀裂を防ぐために低い焼成温度が要求される。こ
のために、下部誘電体層（２２）及び隔壁（２４）は同
一の系列の母材ガラスと酸化物充鎮剤を使用している。
例えば、隔壁（２４）材料では大量のＰｂＯ成分を含む
ＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系、またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−
ＺｎＯ系の母材ガラス粉末にＴｉＯ2とＡｌ2Ｏ3とで構
成された酸化物充鎮剤粉末が混合されたガラスセラミッ
クス材料が使用されている。従来の隔壁（２４）材料に
含まれている母材ガラスの組成物と組成比を示せば次の
表１の通りである。
【００１２】
【００１３】ここで、母材ガラス組成物の組成比は隔壁
の重さを１００重量％と仮定して算出し、充鎮剤組成物
の組成比もまた隔壁重さを１００重量％と仮定して算出
した。表１のように従来の隔壁（２４）用母材ガラスに
は６０〜８０％の大きい比重を占める酸化鉛（ＰｂＯ）
を含むＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ
3−ＺｎＯ系が使用されている。酸化物充鎮剤でＴｉＯ2
は隔壁（２４）の反射率と結晶性を増加させる役割をす
る。詳細すると、反射率と比例する母材ガラスの屈折率
は１.４〜１.５であるが、ＴｉＯ2の屈折率は２.７であ
るのでＴｉＯ2は隔壁の反射率を増加させる重要な要素
になる。また、ＴｉＯ2は隔壁の結晶性を高くし、反射
率を増加させる。そして、酸化物充鎮剤でＡｌ2Ｏ3は隔
壁（２４）の熱膨張係数を低下させる役割をする。表２
は表１に表したような組成比を有する組成物が適用され
た隔壁（２４）の特性を表す。
の重さを１００重量％と仮定して算出し、充鎮剤組成物
の組成比もまた隔壁重さを１００重量％と仮定して算出
した。表１のように従来の隔壁（２４）用母材ガラスに
は６０〜８０％の大きい比重を占める酸化鉛（ＰｂＯ）
を含むＰｂＯ−Ｂ2Ｏ3−ＳｉＯ2系またはＰｂＯ−Ｂ2Ｏ
3−ＺｎＯ系が使用されている。酸化物充鎮剤でＴｉＯ2
は隔壁（２４）の反射率と結晶性を増加させる役割をす
る。詳細すると、反射率と比例する母材ガラスの屈折率
は１.４〜１.５であるが、ＴｉＯ2の屈折率は２.７であ
るのでＴｉＯ2は隔壁の反射率を増加させる重要な要素
になる。また、ＴｉＯ2は隔壁の結晶性を高くし、反射
率を増加させる。そして、酸化物充鎮剤でＡｌ2Ｏ3は隔
壁（２４）の熱膨張係数を低下させる役割をする。表２
は表１に表したような組成比を有する組成物が適用され
た隔壁（２４）の特性を表す。
【００１４】 なお、上記母材ガラスは４０〜７０％で充填剤は３０〜６０％である。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような隔
壁（２４）材料は１３〜１５に該当する高い誘電率を有
することによって素子の応答速度が遅延されるという問
題点がある。また、隔壁（２４）は前述したように下部
基板（１８）上に形成された後下部基板（１８）と共に
焼成する。この場合、従来のように隔壁（２４）の材料
が高い焼成温度を有すると、隔壁（２４）焼成時下部基
板（１８）が変形または破損されるという問題点もあ
る。さらに、従来の隔壁（２４）材料は高い比重のＰｂ
Ｏにより環境汚染を誘発するだけでなく素子の重さが増
大するという問題点がある。
壁（２４）材料は１３〜１５に該当する高い誘電率を有
することによって素子の応答速度が遅延されるという問
題点がある。また、隔壁（２４）は前述したように下部
基板（１８）上に形成された後下部基板（１８）と共に
焼成する。この場合、従来のように隔壁（２４）の材料
が高い焼成温度を有すると、隔壁（２４）焼成時下部基
板（１８）が変形または破損されるという問題点もあ
る。さらに、従来の隔壁（２４）材料は高い比重のＰｂ
Ｏにより環境汚染を誘発するだけでなく素子の重さが増
大するという問題点がある。
【００１６】従って、本発明の目的は光学的、熱的、電
気的要求を満足させることができるプラズマディスプレ
イパネル用の誘電体組成物を提供することである。本発
明の他の目的はＰｂＯの組成比が低い母材ガラスを使用
することでＰｂＯによる環境汚染を防ぐことができるプ
ラズマディスプレイパネル用の誘電体組成物を提供する
ことである。
気的要求を満足させることができるプラズマディスプレ
イパネル用の誘電体組成物を提供することである。本発
明の他の目的はＰｂＯの組成比が低い母材ガラスを使用
することでＰｂＯによる環境汚染を防ぐことができるプ
ラズマディスプレイパネル用の誘電体組成物を提供する
ことである。
【００１７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に、本発明によるプラズマディスプレイパネル用の誘電
体組成物はＰ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスと、酸
化物充鎮剤を含むことを特徴とする。本発明によるプラ
ズマディスプレイパネル用の誘電体組成物は母材ガラス
と、３０〜９０重量％のＡｌ2Ｏ3、５〜１５重量％のＶ
2Ｏ5、５〜１０重量％のＴｉＯ2、０〜２０重量％のＭ
ｇ2Ａｌ3（ＡｌＳｉ5Ｏ18）及び０〜２０重量％のＬｉ
Ａｌ（Ｓｉ2Ｏ6）の中少なくとも一つ以上を構成とする
酸化物充鎮剤を含むことを特徴とする。本発明によるプ
ラズマディスプレイパネル用の誘電体組成物はＰ2Ｏ5−
ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスと、３０〜９０重量％のＡ
ｌ2Ｏ3、５〜１５重量％のＶ2Ｏ 5、５〜１０重量％のＴ
ｉＯ2、０〜２０重量％のＭｇ2Ａｌ3（ＡｌＳｉ5Ｏ18）
及び０〜２０重量％のＬｉＡｌ（Ｓｉ2Ｏ6）の中少なく
とも一つ以上を構成とする酸化物充鎮剤を含むことを特
徴とする。
に、本発明によるプラズマディスプレイパネル用の誘電
体組成物はＰ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスと、酸
化物充鎮剤を含むことを特徴とする。本発明によるプラ
ズマディスプレイパネル用の誘電体組成物は母材ガラス
と、３０〜９０重量％のＡｌ2Ｏ3、５〜１５重量％のＶ
2Ｏ5、５〜１０重量％のＴｉＯ2、０〜２０重量％のＭ
ｇ2Ａｌ3（ＡｌＳｉ5Ｏ18）及び０〜２０重量％のＬｉ
Ａｌ（Ｓｉ2Ｏ6）の中少なくとも一つ以上を構成とする
酸化物充鎮剤を含むことを特徴とする。本発明によるプ
ラズマディスプレイパネル用の誘電体組成物はＰ2Ｏ5−
ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスと、３０〜９０重量％のＡ
ｌ2Ｏ3、５〜１５重量％のＶ2Ｏ 5、５〜１０重量％のＴ
ｉＯ2、０〜２０重量％のＭｇ2Ａｌ3（ＡｌＳｉ5Ｏ18）
及び０〜２０重量％のＬｉＡｌ（Ｓｉ2Ｏ6）の中少なく
とも一つ以上を構成とする酸化物充鎮剤を含むことを特
徴とする。
【００１８】
【作用】本発明によるＰＤＰ用誘電体組成物はＰ2Ｏ5−
ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスを含むことで誘電体が比較
的に低い誘電率を有するようになり、素子の応答速度を
向上させることができる。また、本発明によるＰＤＰ用
誘電体組成物はＰ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスを
含むことで反射率が増加して輝度を向上させることがで
きる。併せて、本発明によるＰＤＰ用誘電体組成物はＰ
2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ 2Ｏ系母材ガラスを含むことで焼成温
度を低下させ、熱膨張係数を減少させることができ、誘
電体の亀裂及び下部基板の変形または亀裂を防ぐことが
できる。さらに、本発明によるＰＤＰ用誘電体組成物は
ＰｂＯ成分が少ない母材ガラスを含むのでＰｂＯによる
環境汚染などの問題を少なくできるだけではなく、ＰＤ
Ｐ素子の重量を減少させることができる。
ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスを含むことで誘電体が比較
的に低い誘電率を有するようになり、素子の応答速度を
向上させることができる。また、本発明によるＰＤＰ用
誘電体組成物はＰ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスを
含むことで反射率が増加して輝度を向上させることがで
きる。併せて、本発明によるＰＤＰ用誘電体組成物はＰ
2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ 2Ｏ系母材ガラスを含むことで焼成温
度を低下させ、熱膨張係数を減少させることができ、誘
電体の亀裂及び下部基板の変形または亀裂を防ぐことが
できる。さらに、本発明によるＰＤＰ用誘電体組成物は
ＰｂＯ成分が少ない母材ガラスを含むのでＰｂＯによる
環境汚染などの問題を少なくできるだけではなく、ＰＤ
Ｐ素子の重量を減少させることができる。
【００１９】
【発明の実施形態】以下、本発明の好ましい実施形態に
対して詳細に説明する。本発明の実施形態によるＰＤＰ
用誘電体組成物は隔壁及び下板誘電体層に適用される。
Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスと酸化物充鎮剤を
含む。この場合、Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラス
と酸化物充鎮剤に対する詳細な組成物及び組成比の例を
あげると次の表３の通りである。
対して詳細に説明する。本発明の実施形態によるＰＤＰ
用誘電体組成物は隔壁及び下板誘電体層に適用される。
Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスと酸化物充鎮剤を
含む。この場合、Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラス
と酸化物充鎮剤に対する詳細な組成物及び組成比の例を
あげると次の表３の通りである。
【００２０】
【００２１】表３でＰ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラ
ス組成物の組成比は母材ガラスの重さを１００重量％と
仮定して算出し、酸化物充鎮剤組成物の組成比は酸化物
充鎮剤の重さを１００重量％と仮定して算出してある。
このような誘電体組成物でＴｉＯ2はＶ2Ｏ5 と併せて誘
電体の組成物の結晶性を増大させ誘電体の反射率を増加
させる目的として添加している。そして、Ａｌ2Ｏ3及び
酸化化合物は誘電体材料の誘電率を低下させて、熱膨張
係数を調節するために添加する。詳細には、熱膨張係数
が１２０〜１４０×１０ー7℃の範囲である母材ガラスＡ
ｌ2Ｏ3及び酸化化合物のような低熱膨張係数の充鎮剤を
混合することでその混合比率によって熱膨張係数が７０
〜８５０×１０ー7℃の範囲の誘電体材料が得られる。表
３で酸化物充鎮剤や組成物ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｇ2Ａ
ｌ3（ＡｌＳｉ5Ｏ18）、Ｖ2Ｏ5、ＬｉＡｌ（Ｓｉ2Ｏ6）
それぞれを、Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスすべ
てに添加することができるが、誘電体に要求される特性
によって選択的に添加することもできる。表４は表３に
表した組成物が適用された誘電体の特徴を表している。
ス組成物の組成比は母材ガラスの重さを１００重量％と
仮定して算出し、酸化物充鎮剤組成物の組成比は酸化物
充鎮剤の重さを１００重量％と仮定して算出してある。
このような誘電体組成物でＴｉＯ2はＶ2Ｏ5 と併せて誘
電体の組成物の結晶性を増大させ誘電体の反射率を増加
させる目的として添加している。そして、Ａｌ2Ｏ3及び
酸化化合物は誘電体材料の誘電率を低下させて、熱膨張
係数を調節するために添加する。詳細には、熱膨張係数
が１２０〜１４０×１０ー7℃の範囲である母材ガラスＡ
ｌ2Ｏ3及び酸化化合物のような低熱膨張係数の充鎮剤を
混合することでその混合比率によって熱膨張係数が７０
〜８５０×１０ー7℃の範囲の誘電体材料が得られる。表
３で酸化物充鎮剤や組成物ＴｉＯ2、Ａｌ2Ｏ3、Ｍｇ2Ａ
ｌ3（ＡｌＳｉ5Ｏ18）、Ｖ2Ｏ5、ＬｉＡｌ（Ｓｉ2Ｏ6）
それぞれを、Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスすべ
てに添加することができるが、誘電体に要求される特性
によって選択的に添加することもできる。表４は表３に
表した組成物が適用された誘電体の特徴を表している。
【００２２】 ただし、母材ガラスと充填材は、前者が４０〜８０％で後者が２０〜６０％であ る。
【００２３】上記のように、本発明による組成物が適用
された誘電体は４０〜８０重量％の母材ガラスと２０〜
６０重量％の充鎮剤を含む。表４で本発明の組成物が適
用された誘電体の焼成温度は５３０〜５８０℃であり、
表２に表れた従来の組成物が適用された隔壁、即ち誘電
体の焼成温度５８０〜６００℃より低くなっていること
が分かる。また、表４で誘電体の誘電率は７〜１０であ
り、表２の従来の誘電体の誘電率の１３〜１５より低
く、また反射率が５０〜５５で、表２の従来誘電体の反
射率５０〜６０より低いことが分かる。そして、本実施
形態の誘電体熱膨張係数は７０〜８０×１０-7℃で、表
２の従来誘電体の熱膨張係数と同一であることが分か
る。結果的に、本発明による誘電体組成物はＰ2Ｏ5−Ｐ
ｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスを含むことで熱的安定性、低
誘電体率の特性を確保することができる。また、ＰｂＯ
成分が低い母材ガラスを使用するので環境汚染などの問
題を少なくすることができる。
された誘電体は４０〜８０重量％の母材ガラスと２０〜
６０重量％の充鎮剤を含む。表４で本発明の組成物が適
用された誘電体の焼成温度は５３０〜５８０℃であり、
表２に表れた従来の組成物が適用された隔壁、即ち誘電
体の焼成温度５８０〜６００℃より低くなっていること
が分かる。また、表４で誘電体の誘電率は７〜１０であ
り、表２の従来の誘電体の誘電率の１３〜１５より低
く、また反射率が５０〜５５で、表２の従来誘電体の反
射率５０〜６０より低いことが分かる。そして、本実施
形態の誘電体熱膨張係数は７０〜８０×１０-7℃で、表
２の従来誘電体の熱膨張係数と同一であることが分か
る。結果的に、本発明による誘電体組成物はＰ2Ｏ5−Ｐ
ｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスを含むことで熱的安定性、低
誘電体率の特性を確保することができる。また、ＰｂＯ
成分が低い母材ガラスを使用するので環境汚染などの問
題を少なくすることができる。
【００２４】本発明によるＰ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母
材ガラスと酸化物充鎮剤を含む誘電体組成物が適用され
る隔壁製造方法を図２を参照して説明する。段階Ｓ２で
Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラス粉末と酸化物充鎮
剤粉末を混合してグラスセラミックス粉末を作る。この
Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラス粉末の製造過程を
詳細に説明する。表３に表した母材ガラス組成物それぞ
れの原材料を設定された組成比に計量した後タンブリン
グミッキサ（Tumbling Mixer）を利用して所定の時間の
間混合する。その次、混合された原材料を電気溶融炉を
利用して溶融させる。その溶融条件である温度範囲は１
０００〜１２００℃程度に設定する。溶融時間は１〜５
時間程度に設定する。そして、均質度維持のために溶融
されたガラスを攪拌器を利用して数回攪拌する。それに
より溶融されたガラスは緻密な組織を有するようにな
る。続いて、溶融されたガラスをクエンチングローラ
（Quenching Roller）を利用して急速冷却させることで
ガラス破片（コレット）を作成する。そして、ガラス破
片をボールミルを利用して１６時間の間製粉した後＃１
７０、＃２７０ふるいに順番に通過させ、平均粒子の大
きさが１０μｍ以下の粒度の母材ガラス粉末を作る。こ
の場合、ミリング条件であるミリングジャー（Milling
Jar）の充填量は２５０ｇに設定して、ボールタイプの
シリンダの単位概数は４４ＥＡ／ｊａｒ、ミリング速度
は７０ｒｐｍ、ミリング時間は１６時間に設定して潤滑
剤としてはＩＰＡ溶液２ｍｌを使用する。このような過
程により作られた母材ガラス粉末に前記表３のような組
成比を有する充鎮剤粉末を２０〜６０重量％程添加して
グラスセラミックス粉末を作る。この場合、母材ガラス
粉末と酸化物充鎮剤粉末をタンブリングミッキサで７時
間程度混合した後混合された粉末を１５０℃のドライオ
ーブンに入れて２時間以上乾燥させることでグラスーセ
ラミックス粉末を作る。
材ガラスと酸化物充鎮剤を含む誘電体組成物が適用され
る隔壁製造方法を図２を参照して説明する。段階Ｓ２で
Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラス粉末と酸化物充鎮
剤粉末を混合してグラスセラミックス粉末を作る。この
Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラス粉末の製造過程を
詳細に説明する。表３に表した母材ガラス組成物それぞ
れの原材料を設定された組成比に計量した後タンブリン
グミッキサ（Tumbling Mixer）を利用して所定の時間の
間混合する。その次、混合された原材料を電気溶融炉を
利用して溶融させる。その溶融条件である温度範囲は１
０００〜１２００℃程度に設定する。溶融時間は１〜５
時間程度に設定する。そして、均質度維持のために溶融
されたガラスを攪拌器を利用して数回攪拌する。それに
より溶融されたガラスは緻密な組織を有するようにな
る。続いて、溶融されたガラスをクエンチングローラ
（Quenching Roller）を利用して急速冷却させることで
ガラス破片（コレット）を作成する。そして、ガラス破
片をボールミルを利用して１６時間の間製粉した後＃１
７０、＃２７０ふるいに順番に通過させ、平均粒子の大
きさが１０μｍ以下の粒度の母材ガラス粉末を作る。こ
の場合、ミリング条件であるミリングジャー（Milling
Jar）の充填量は２５０ｇに設定して、ボールタイプの
シリンダの単位概数は４４ＥＡ／ｊａｒ、ミリング速度
は７０ｒｐｍ、ミリング時間は１６時間に設定して潤滑
剤としてはＩＰＡ溶液２ｍｌを使用する。このような過
程により作られた母材ガラス粉末に前記表３のような組
成比を有する充鎮剤粉末を２０〜６０重量％程添加して
グラスセラミックス粉末を作る。この場合、母材ガラス
粉末と酸化物充鎮剤粉末をタンブリングミッキサで７時
間程度混合した後混合された粉末を１５０℃のドライオ
ーブンに入れて２時間以上乾燥させることでグラスーセ
ラミックス粉末を作る。
【００２５】その次、段階Ｓ４でＳ２段階で作られたグ
ラスーセラミックス材料を有機溶媒と混合してスクリー
ン印刷用ペーストまたはテープキャスティング用スラリ
ーを作る。この場合、グラスーセラミックス粉末と有機
溶媒の混合比率は７０：３０程度が適当であり、この比
率は母材ガラス粉末と酸化物充鎮剤の種類によって調節
される。有機溶媒としてはＢＣＡ（Butyl Carbitol Ace
tate）、ＢＣ（ButylCarbitol）及びＥＣ（Ethyl Cellu
lose）が所定の比率で混合されたものを使用する。ここ
で、ＥＣはペーストまたはスラリーの粘度を変化させ流
動性及び焼結特性に影響を与える。このＥＣの混合比率
は１０％が適当であり、ＢＣＡの混合比率は６０％、Ｂ
Ｃの混合比率は２０％が適当である。そして、スクリー
ン印刷ペーストの粘度は７０，０００〜１００，０００
（ｃｐｓ）程度の範囲が適当であり、テープキャスティ
ングスラリーの粘度は７００〜１，０００（ｃｐｓ）程
度の範囲が適当である。ここで、ペースト及びスラリー
の粘度は後工程によって異なるように調節する。
ラスーセラミックス材料を有機溶媒と混合してスクリー
ン印刷用ペーストまたはテープキャスティング用スラリ
ーを作る。この場合、グラスーセラミックス粉末と有機
溶媒の混合比率は７０：３０程度が適当であり、この比
率は母材ガラス粉末と酸化物充鎮剤の種類によって調節
される。有機溶媒としてはＢＣＡ（Butyl Carbitol Ace
tate）、ＢＣ（ButylCarbitol）及びＥＣ（Ethyl Cellu
lose）が所定の比率で混合されたものを使用する。ここ
で、ＥＣはペーストまたはスラリーの粘度を変化させ流
動性及び焼結特性に影響を与える。このＥＣの混合比率
は１０％が適当であり、ＢＣＡの混合比率は６０％、Ｂ
Ｃの混合比率は２０％が適当である。そして、スクリー
ン印刷ペーストの粘度は７０，０００〜１００，０００
（ｃｐｓ）程度の範囲が適当であり、テープキャスティ
ングスラリーの粘度は７００〜１，０００（ｃｐｓ）程
度の範囲が適当である。ここで、ペースト及びスラリー
の粘度は後工程によって異なるように調節する。
【００２６】続いて、段階Ｓ６ではＳ４段階で作られた
ペーストまたはスラリーにより下部基板上に形成された
下部誘電体上に隔壁を形成する。この場合、隔壁は前述
した隔壁製造方法の中一つを利用して形成する。そし
て、段階Ｓ８で隔壁を焼成して完成する。この場合、隔
壁が形成された下部基板を２０分程度乾燥した後、加熱
炉を利用して隔壁を焼成させることで隔壁を完成する。
この時、隔壁の焼成温度は通常混合粉末に対するＤＴＡ
（Differential Thermal Analysis）分析結果から得ら
れた結晶化温度で決定され、本発明の実施形態による混
合粉末は５３０〜５８０℃の焼成温度で１５分から３０
分程度焼成させることが適当である。
ペーストまたはスラリーにより下部基板上に形成された
下部誘電体上に隔壁を形成する。この場合、隔壁は前述
した隔壁製造方法の中一つを利用して形成する。そし
て、段階Ｓ８で隔壁を焼成して完成する。この場合、隔
壁が形成された下部基板を２０分程度乾燥した後、加熱
炉を利用して隔壁を焼成させることで隔壁を完成する。
この時、隔壁の焼成温度は通常混合粉末に対するＤＴＡ
（Differential Thermal Analysis）分析結果から得ら
れた結晶化温度で決定され、本発明の実施形態による混
合粉末は５３０〜５８０℃の焼成温度で１５分から３０
分程度焼成させることが適当である。
【００２７】
【発明の効果】上述したように、本発明によるＰＤＰ用
誘電体組成物はＰ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスを
含む。そのため、誘電体が比較的に低い誘電率を有する
ようになり、素子の応答速度を向上させることができ
る。また、反射率が増加して輝度を向上させることがで
きる。さらに、焼成温度が低下し、熱膨張係数が減少す
るので誘電体の亀裂及び下部基板の変形または亀裂を防
ぐことができる。さらに、本発明によるＰＤＰ用誘電体
組成物はＰｂＯ成分が減少した母材ガラスを含むのでＰ
ｂＯによる環境汚染などの問題を少なくすることができ
るだけでなくＰＤＰ素子の重量を減少させることができ
る。
誘電体組成物はＰ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラスを
含む。そのため、誘電体が比較的に低い誘電率を有する
ようになり、素子の応答速度を向上させることができ
る。また、反射率が増加して輝度を向上させることがで
きる。さらに、焼成温度が低下し、熱膨張係数が減少す
るので誘電体の亀裂及び下部基板の変形または亀裂を防
ぐことができる。さらに、本発明によるＰＤＰ用誘電体
組成物はＰｂＯ成分が減少した母材ガラスを含むのでＰ
ｂＯによる環境汚染などの問題を少なくすることができ
るだけでなくＰＤＰ素子の重量を減少させることができ
る。
【００２８】以上説明した内容を通して当業者であれば
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多用な変更及び修
正が可能である。従って、本発明の技術的範囲は明細書
の詳細な説明に記載戯れた内容に限らず特許請求の範囲
により定めなければならないであろう。
本発明の技術思想を逸脱しない範囲で多用な変更及び修
正が可能である。従って、本発明の技術的範囲は明細書
の詳細な説明に記載戯れた内容に限らず特許請求の範囲
により定めなければならないであろう。
【図１】 一般的プラズマディスプレイパネル放電セル
構造を表す断面図である。
構造を表す断面図である。
【図２】 隔壁製造方法を段階的に説明する流れ図であ
る。
る。
【図３】 スクリーン印刷法を利用した隔壁製造方法を
段階的に表す断面図である。
段階的に表す断面図である。
【図４】 サンドブラスト法を利用した隔壁製造方法を
段階的に表す断面図である。
段階的に表す断面図である。
【図５】 エッチング法を利用した隔壁製造方法を段階
的に表す断面図である。
的に表す断面図である。
【図６】 添加法を利用した隔壁製造方法を段階的に表
す断面図である。
す断面図である。
【図７】 スタンピング法を利用した隔壁製造方法を段
階的に表す断面図である。
階的に表す断面図である。
１０：上部基板 １２Ａ：走査／維持電
極 １２Ｂ：維持電極 １４：上部誘電体層 １６：保護膜 １８：下部基板 ２０：アドレス電極 ２８、３０Ａ、４２Ａ：ガラスペーストパターン ２２：下部誘電体層 ２４：隔壁 ２６：蛍光体 ３０、４２：ガラスペ
ースト ３２、３８：フォトレジスタ ３２Ａ、３８Ａ：フォトレジスタパターン ３６、４０：マスクパターン ３４：感光性ペースト ４４：金型
極 １２Ｂ：維持電極 １４：上部誘電体層 １６：保護膜 １８：下部基板 ２０：アドレス電極 ２８、３０Ａ、４２Ａ：ガラスペーストパターン ２２：下部誘電体層 ２４：隔壁 ２６：蛍光体 ３０、４２：ガラスペ
ースト ３２、３８：フォトレジスタ ３２Ａ、３８Ａ：フォトレジスタパターン ３６、４０：マスクパターン ３４：感光性ペースト ４４：金型
Claims (9)
- 【請求項１】 Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラス
と、酸化物の充鎮剤とを含むことを特徴とするプラズマ
ディスプレイパネル用の誘電体の組成物。 - 【請求項２】 前記Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ係のガラス
はＰ2Ｏ5、ＰｂＯ、Ｋ2Ｏ、ＭｇＯ、ＢａＯ、Ｃａ０、
ＮＡ2Ｏ、Ｖ2Ｏ5、Ａｌ2Ｏ3を含むことを特徴とする請
求項１記載のプラズマディスプレイパネル用の誘電体の
組成物。 - 【請求項３】 前記Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラ
スは４５〜６５重量％のＰ2Ｏ5と、１０〜３５重量％の
ＰｂＯと、５〜２０重量％のＫ2Ｏと、１〜７重量％の
ＺｎＯと、１〜４重量％のＭｇＯと、１〜４重量％のＢ
ａＯと、０〜４重量％のＣａＯと、０〜５重量％のＮａ
2０と、０〜４重量％のＶ2Ｏ5と、０〜４重量％のＡｌ2
０3を含むことを特徴とする請求項２記載のプラズマデ
ィスプレイパネル用の誘電体の組成物。 - 【請求項４】 前記誘電体の組成物は前記プラズマディ
スプレイパネルの上部誘電体層、下部誘電体層または隔
壁の中少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とす
る請求項１記載のプラズマディスプレイパネル用の誘電
体の組成物。 - 【請求項５】 母材ガラスは、３０〜９０重量％のＡｌ
2Ｏ3、５〜１５重量％のＶ2Ｏ5、５〜１０重量％のＴｉ
０2、０〜２０重量％のＭｇＡｌ3（ＡｌＳｉ 5Ｏ18）及
び０〜２０重量％のＬｉＡｌ（Ｓｉ2Ｏ6）の中少なくと
も一つ以上を構成とする酸化物重鎮剤を含むことを特徴
とするプラズマディスプレイパネル用の誘電体の組成
物。 - 【請求項６】 前記誘電体の組成物は前記プラズマディ
スプレイパネルの上部誘電体層、下部誘電体層または隔
壁の中少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とす
る請求項５記載のプラズマディスプレイパネル用の誘電
体の組成物。 - 【請求項７】 Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラス
は、３０〜９０重量％のＡｌ2Ｏ3、５〜１５重量％のＶ
2Ｏ5、５〜１０重量％のＴｉ０2、０〜２０重量％のＭ
ｇＡｌ3（ＡｌＳｉ5Ｏ18）及び０〜２０重量％のＬｉＡ
ｌ（Ｓｉ2Ｏ6）の中少なくとも一つ以上を構成とする酸
化物重鎮剤を含むことを特徴とするプラズマディスプレ
イパネル用の誘電体の組成物。 - 【請求項８】 前記Ｐ2Ｏ5−ＰｂＯ−Ｋ2Ｏ系母材ガラ
スは４５〜６５重量％のＰ2Ｏ5と、１０〜３５重量％の
ＰｂＯと、５〜２０重量％のＫ2Ｏと、１〜７重量％の
ＺｎＯと、１〜４重量％のＭｇＯと、１〜４重量％のＢ
ａＯと、０〜４重量％のＣａＯと、０〜５重量％のＮａ
2０と、０〜４重量％のＶ2Ｏ5と、０〜４重量％のＡｌ2
０3を含むことを特徴とする請求項７記載のプラズマデ
ィスプレイパネル用の誘電体の組成物。 - 【請求項９】 前記誘電体の組成物は前記プラズマディ
スプレイパネルの上部誘電体層、下部誘電体層または隔
壁の中少なくとも一つ以上に適用されることを特徴とす
る請求項７記載のプラズマディスプレイパネル用の誘電
体の組成物。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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