JP3406644B2 - ナフタレン誘導体の製造方法及び製造中間体 - Google Patents

ナフタレン誘導体の製造方法及び製造中間体

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  • Acyclic And Carbocyclic Compounds In Medicinal Compositions (AREA)
  • Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
  • Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明はナフタレン誘導体の製造
方法に関し、さらに詳しくは、活性化血液凝固第X因子
(以下「FXa」で示す)を可逆的に阻害して強力な抗
凝固作用を示す薬剤の中間体として有用なナフタレン誘
導体の製造方法及び製造中間体に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、血栓形成抑制剤として抗トロンビ
ン剤の開発が行われてきたが、この抗トロンビン剤は抗
凝固作用とともにトロンビンによる血小板の凝集作用も
併せて抑制することから出血傾向をきたす危険性のある
ことが知られており、凝固能のコントロールを容易に行
えるものではなかった。そこで、トロンビン阻害作用以
外の作用機序に基づく抗凝固剤の開発が行われ、この中
から、FXa阻害作用を有する抗凝固剤として次式
(A)
【0003】
【化24】
【0004】で表わされる化合物が得られている(欧州
特許540051A1号)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】式(A)の化合物の製
造上、重要な中間体である(1)の製造法としては、オ
ーストラリアン・ジャーナル・オブ・ケミストリー(A
ustralian Journal of Chem
istry,18巻,1351−1364頁,1965
年)及び前記欧州特許公開公報に記載の方法が知られて
いる。しかしながら、上記製造法は以下のような欠点を
有する。 1)反応工程数が多い。 2)工業的製造法として好ましくないヒドラジンを利用
している。 3)取り扱いに問題のある−70℃以下という甚だしい
低温条件を要するブチルリチウムを使用する反応工程が
ある。 4)安全上問題のある硫化水素が発生する反応を利用し
ている。よって、従来知られている方法は、設備面、操
作面及び公害面から工業的製造法として満足できるもの
ではない。
【0006】そこで、FXaを可逆的に阻害して強力な
抗凝固作用を示し、しかも溶解性が良好で経口投与によ
っても有効な薬剤の製造中間体を簡便かつ安価に得る方
法の開発が望まれていた。
【0007】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、かかる実
情に鑑み鋭意検討した結果、後述する製造方法に従え
ば、前記欧州特許540051A1号明細書に記載のF
Xaを効率的に阻害して抗凝固作用を示す化合物(A)
の製造中間体が簡便かつ安価に得られることを見出し、
本発明を完成するに至った。
【0008】すなわち、本発明は下記反応工程式(I)
又は(II)に従う下記ナフタレン誘導体(1)の製造方
法及び製造中間体を提供するものである。
【0009】
【化25】
【0010】(式中、R、R′は同一又は異なって、低
級アルキル基又はアラルキル基を示し、Xはハロゲン原
子を示す。)
【0011】
【化26】
【0012】(式中、R、Xはそれぞれ前記と同義であ
る。)
【0013】前記反応工程式(I)及び(II)におい
て、Xで示されるハロゲン原子としては、フッ素原子、
塩素原子、臭素原子、沃素原子等が挙げられるが、これ
らのうち塩素原子が好ましい。
【0014】前記反応工程式(I)及び(II)におい
て、R又はR′で示される低級アルキル基としては、炭
素数1〜6の直鎖状、分枝鎖状又は環状のアルキル基の
いずれをも挙げることができ、具体例としてはメチル、
エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、第二級又は
第三級ブチル、ペンチル、ヘキシル、シクロプロピル、
シクロブチル、シクロペンチル、シクロヘキシル基等
が、アラルキル基としてはベンジル基が挙げられる。
【0015】前記反応工程式(I)において原料として
使用される化合物(6)の1つ、2,7−ナフタレンジ
カルボン酸ジアルキルエステルは、公知の化合物であり
(米国特許第3565945号)、容易に入手可能なも
のである。
【0016】化合物(6)から、7−ヒドロキシメチル
−2−ナフタレンカルボン酸アルキルエステル又は7−
ヒドロキシメチル−2−ナフタレンカルボン酸アラルキ
ルエステル(5)を得るには、適当な溶媒中、低級アル
コールの存在下水素化ホウ素ナトリウムと反応させるか
又はナトリウム以外の水素化ホウ素金属塩と反応させれ
ばよい。この場合、溶媒としては、テトラヒドロフラ
ン、ジオキサン等のエーテル類及び第三級ブタノール、
2−メチル−2−ブタノール等の第三級アルコールが常
用されるが、特にこれらに限定されるものではない。低
級アルコールとしては、メタノール、エタノール、1−
プロパノール、2−プロパノール、1−ブタノール等が
挙げられる。これらは場合によっては反応溶媒を兼ねる
ものであってもよい。ナトリウム以外の水素化ホウ素金
属塩としては、リチウム、カルシウム等の水素化ホウ素
金属塩が挙げられる。また、テトラヒドロフラン中、水
素化トリメトキシホウ素ナトリウムと反応させることに
よってもよい。反応温度は室温から使用する溶媒の沸点
まで特に限定はないが、通常は使用する溶媒の沸点近辺
で反応させる。
【0017】化合物(5)から7−ヒドロキシメチル−
2−ナフタレンカルボキサミド(2)を得るには、化合
物(5)を、密閉容器中50〜140℃、好ましくは8
0℃にて、アンモニア水又はアンモニア飽和のアルコー
ルと反応させればよい。
【0018】化合物(2)からナフタレン誘導体(1)
を得るには、化合物(2)を、トリフェニルホスフィン
の存在下にハロゲン化炭素と反応させるか又はハロゲン
化チオニル若しくはオキシハロゲン化リンと単独である
いはベンゼン、N,N−ジメチルホルムアミド、好まし
くはクロロホルム、塩化メチレンなどのハロゲン化炭化
水素溶媒中で、室温から加熱下で還流させればよい。
【0019】一方、反応工程式(II)において、化合物
(5)から7−ヒドロキシメチル−2−ナフタレンカル
ボン酸(4)を得るには、化合物(5)を水酸化ナトリ
ウム、水酸化カリウムなどの苛性アルカリ、炭酸ナトリ
ウム、炭酸カリウムなどのアルカリ金属炭酸塩水溶液の
存在下、メタノール、エタノールなどのアルコール系溶
媒中又は塩酸などの鉱酸中で室温から加熱下に還流させ
ればよい。
【0020】化合物(4)から7−ハロメチル−2−ナ
フタレンカルボキサミド(3)を得るには、化合物
(4)をハロゲン化チオニル又はオキシハロゲン化リン
と単独で、あるいはベンゼン、トルエン、キシレン、ク
ロロホルム、塩化メチレンなどの非水溶媒中で、室温か
ら加熱下で還流させた後、アンモニアと反応させればよ
い。
【0021】化合物(3)からナフタレン誘導体(1)
を得るには、化合物(3)をハロゲン化チオニル又はオ
キシハロゲン化リンと単独であるいはN,N−ジメチル
ホルムアミド、ベンゼン、トルエン、キシレン、クロロ
ホルム、塩化メチレンなどの非水系溶媒中で、室温から
加熱下で還流させればよい。
【0022】かくして得られるナフタレン誘導体(1)
は、前記薬剤(A)の重要な製造中間体である。ナフタ
レン誘導体(1)から薬剤(A)を製造するには、上記
化合物(1)をトリフェニルホスフィンと反応させて
(7−シアノ−2−ナフチル)メチルトリフェニルホス
ホニウムハライドとなし、次いで欧州特許第54005
1A号明細書の記載に従って反応を行えばよい。
【0023】
【発明の効果】本発明によれば、優れたFXa阻害作用
に基づく抗血液凝固作用を示す薬剤の重要な製造中間体
であるナフタレン誘導体を簡便に、かつ安価に製造でき
る。また、本発明は工業的製造法としては設備面、操作
面及び公害面からも満足し得るものである。
【0024】
【実施例】以下に本発明を実施例により具体的に説明す
るが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0025】実施例1 7−ヒドロキシメチル−2−ナフタレンカルボン酸 メ
チルエステル(5′)の製造 公知の化合物である(米国特許第3565945号公
報)2,7−ナフタレンジカルボン酸 ジメチルエステ
ル(6′)50gをテトラヒドロフラン800mlに溶
解し、水素化ほう素ナトリウム580mgを加えた。溶
液を60〜70℃まで加熱し、次いでメタノール200
mlを滴下した。滴下終了後、さらに1時間還流し、次
いで冷却後塩酸を加えて中和した。テトラヒドロフラン
を濃縮し酢酸エステルを加えて抽出し、水で洗浄した
後、有機層を減圧濃縮した。残渣をシリカゲルカラムク
ロマトグラフィーに付し、表記化合物(5′)25.6
gを得た。
【0026】1H-NMR(CDCl3)δ:2.24(1H,s), 3.97(3H,
s), 4.85(2H,s),7.57(1H,d,J=8.1Hz), 7.80〜7.88(3H,
m), 8.02(1H,d,J=8.1Hz),8.53(1H,s). 元素分析:C13H12O3(計算値);C, 72.21;H, 5.59 実測値;C, 71.99;H, 5.58
【0027】実施例2 7−ヒドロキシメチル−2−ナフタレンカルボキサミド
(2′)の製造 実施例1で得た7−ヒドロキシメチル−2−ナフタレン
カルボン酸 メチルエステル(5′)20gに28%ア
ンモニア水200ml及び塩化アンモニウム1620m
gを添加し、80〜85℃にて密閉状態で1時間攪拌し
た。冷却後結晶を濾取し、水洗後乾燥して 無色の表記
化合物(2′)14gを得た。
【0028】1H-NMR(DMSO-d6)δ:4.68(2H,s), 5.40(1
H,s), 7.46(1H,s), 7.54(1H,s),7.87〜7.96(4H,m), 8.1
2(1H,s), 8.44(1H,s).
【0029】実施例3 7−クロロメチル−2−ナフタレンカルボニトリル
(1′)の製造 (イ)実施例2で得た7−ヒドロキシメチル−2−カル
ボキサミド(2′)3.0gをテトラヒドロフラン90
ml、四塩化炭素72mlの混合溶媒中でトリフェニルホス
フィン20gとともに22時間加熱還流した。放冷後、
不溶物を濾去し、濾液を減圧濃縮した。残渣をシリカゲ
ルクロマトグラフィーに付し、表記化合物(1′)2.
5gを得た。
【0030】1H-NMR(CDCl3)δ:4.76(2H,s), 7.57〜7.7
1(2H,m), 7.84〜7.92(3H,m),8.19(1H,s).
【0031】(ロ)実施例2で得た7−ヒドロキシメチ
ル−2−カルボキサミド10.0gにクロロホルム10
0mlとジイソプロピルアミン15.2gを加え5℃まで
冷却し90%オキシ塩化リン30mlのクロロホルム30
ml溶液を滴下した。1時間加熱還流し次いで冷却後水を
加えて攪拌した。クロロホルム層を飽和食塩水で洗浄後
減圧濃縮し残渣をシリカゲルカラムクロマトで精製し、
表記化合物(1′)8.80gを得た。このものの1H-N
MRデータは前記と同様であった。
【0032】実施例4 7−ヒドロキシメチル−2−ナフタレンカルボン酸
(4′)の製造 実施例1で得た7−ヒドロキシメチル−2−ナフタレン
カルボン酸 メチルエステル(5′)2.2gにメタノ
ール13ml、15%水酸化ナトリウム水溶液8.5mlを
加え、50分間加熱還流した。次いで溶媒を減圧留去
し、残渣に水、塩酸を加えて酸性とし析出する結晶を濾
取した。水洗後乾燥し白色の表記化合物(4′)1.9
gを得た。
【0033】1H-NMR(DMSO-d6)δ:4.72(2H,s), 7.63(1
H,d), 7.84〜8.19(4H,m),8.59(1H,s).
【0034】実施例5 7−クロロメチル−2−ナフタレンカルボキサミド
(3′)の製造 実施例4で得た7−ヒドロキシメチル−2−ナフタレン
カルボン酸(4′)1.58gに塩化チオニル11ml
を加え3時間加熱還流した。次いで減圧濃縮し、残渣に
アンモニア水を加え撹拌後析出する結晶を濾取した。水
洗後乾燥し、表記化合物(3′)1.27gを得た。
【0035】1H-NMR(DMSO-d6)δ:4.98(2H,s), 7.52(1
H,s), 7.66(1H,d),7.93〜8.04(3H,m), 8.07(1H,s), 8.4
9(1H,s).
【0036】一方、実施例2で得られた7−ヒドロキシ
メチル−2−カルボキサミド(2′)0.5gを室温に
て塩化チオニルと反応させることにより表記化合物
(3′)0.45gが得られた。
【0037】実施例6 7−クロロメチル−2−ナフタレンカルボニトリル
(1′)の製造 実施例5で得た7−クロロメチル−2−ナフタレンカル
ボキサミド(3′)0.3gに塩化チオニル6mlを加
え4時間加熱還流し、次いで減圧濃縮後残渣にクロロホ
ルム及び水を加え分液した。有機層を水、10%水酸化
カリウム水溶液、水で洗浄後芒硝で乾燥し濃縮した。残
渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィーで精製し表記
化合物(1′)を得た。
【0038】参考例1 (7−シアノ−2−ナフチル)メチルトリフェニルホス
ホニウムクロリドの製造 7−クロロメチル−2−ナフタレンカルボニトリル5.
1g及びトリフェニルホスフィン9.8gをキシレン1
0ml中9時間加熱還流した。冷却後結晶を濾取し、イソ
プロピルエーテルで洗浄し白色の表記化合物10.9g
を得た。
【0039】mp>250℃1 H-NMR(CDCl3)δ:6.11(2H,d), 7.28〜7.88(21H,m). 元素分析 C30H23ClNP: 計算値;C. 77.67; H. 5.00; N. 3.02; Cl. 7.64 実測値;C. 77.48; H. 5.22; N. 2.96; Cl. 7.93
フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 FI C07C 235/66 C07C 235/66 255/52 255/52 // C07B 61/00 300 C07B 61/00 300 (72)発明者 横山 幸夫 東京都江戸川区北葛西1丁目16番13号 第一製薬株式会社 東京研究開発センタ ー内 (72)発明者 深山 之浩 東京都江戸川区北葛西1丁目16番13号 第一製薬株式会社 東京研究開発センタ ー内 (56)参考文献 欧州特許出願公開540051(EP,A 1) (58)調査した分野(Int.Cl.7,DB名) C07C 253/20 C07C 65/11 C07C 69/76 C07C 233/65 C07C 235/66 C07C 255/52 C07B 61/00 300 CA(STN) CAOLD(STN) REGISTRY(STN)

Claims (10)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 下記式(2) 【化1】 で表わされる化合物をトリフェニルホスフィンの存在下
    に四ハロゲン化炭素と反応せしめるか、又はハロゲン化
    チオニル若しくはオキシハロゲン化リンと反応せしめる
    ことを特徴とする下記式(1) 【化2】 (式中、Xはハロゲン原子を示す)で表わされるナフタ
    レン誘導体の製造方法。
  2. 【請求項2】 下記式(5) 【化3】 (式中、Rは低級アルキル基又はアラルキル基を示す)
    で表わされる化合物にアンモニアを反応させ、得られた
    下記式(2) 【化4】 で表わされる化合物をトリフェニルホスフィンの存在下
    に四ハロゲン化炭素と反応せしめるか、又はハロゲン化
    チオニル若しくはオキシハロゲン化リンと反応せしめる
    ことを特徴とする下記式(1) 【化5】 (式中、Xはハロゲン原子を示す)で表わされるナフタ
    レン誘導体の製造方法。
  3. 【請求項3】 下記式(6) 【化6】 (式中、R、R′は、同一又は異なって、低級アルキル
    基又はアラルキル基を示す)で表わされる化合物を低級
    アルコールの存在下に水素化ホウ素金属塩と反応せしめ
    るか、又は水素化トリメトキシホウ素ナトリウムと反応
    せしめ、得られた下記式(5) 【化7】 (式中、Rは低級アルキル基又はアラルキル基を示す)
    で表わされる化合物にアンモニアを反応させ、次いで得
    られた下記式(2) 【化8】 で表わされる化合物をトリフェニルホスフィンの存在下
    に四ハロゲン化炭素と反応せしめるか、又はハロゲン化
    チオニル若しくはオキシハロゲン化リンと反応せしめる
    ことを特徴とする下記式(1) 【化9】 (式中、Xはハロゲン原子を示す)で表わされるナフタ
    レン誘導体の製造方法。
  4. 【請求項4】 下記式(3) 【化10】 (式中、Xはハロゲン原子を示す)で表わされる化合物
    をハロゲン化チオニル又はオキシハロゲン化リンと反応
    せしめることを特徴とする下記式(1) 【化11】 (式中、Xは前記と同義である)で表わされるナフタレ
    ン誘導体の製造方法。
  5. 【請求項5】 下記式(4) 【化12】 で表わされる化合物をハロゲン化チオニルと反応せし
    め、次いでアンモニアと反応せしめ、得られる下記式
    (3) 【化13】 (式中、Xはハロゲン原子を示す)で表わされる化合物
    をハロゲン化チオニル又はオキシハロゲン化リンと反応
    せしめることを特徴とする下記式(1) 【化14】 (式中、Xは前記と同義である)で表わされるナフタレ
    ン誘導体の製造方法。
  6. 【請求項6】 下記式(5) 【化15】 (式中、Rは低級アルキル基又はアラルキル基を示す)
    で表わされる化合物を加水分解せしめ、得られた下記式
    (4) 【化16】 で表わされる化合物をハロゲン化チオニルと反応せし
    め、次いでアンモニアと反応せしめ、得られた下記式
    (3) 【化17】 (式中、Xはハロゲン原子を示す)で表わされる化合物
    をハロゲン化チオニル又はオキシハロゲン化リンと反応
    せしめることを特徴とする下記式(1) 【化18】 (式中、Xは前記と同義である)で表わされるナフタレ
    ン誘導体の製造方法。
  7. 【請求項7】 下記式(2) 【化19】 で表わされる化合物。
  8. 【請求項8】 下記式(5) 【化20】 (式中、Rは低級アルキル基又はアラルキル基を示す)
    で表わされる化合物。
  9. 【請求項9】 下記式(3) 【化21】 (式中、Xはハロゲン原子を示す)で表わされる化合
    物。
  10. 【請求項10】 下記式(4) 【化22】 で表わされる化合物。
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