JP3400607B2 - 半導体デバイスの上に多孔質誘電体を作成する方法 - Google Patents

半導体デバイスの上に多孔質誘電体を作成する方法

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Description

【発明の詳細な説明】 【０００１】 【産業上の利用分野】本発明は、全体的にいえば、半導
体デバイスの上の誘電体の作成に関する。さらに詳細に
いえば、本発明は、多孔質誘電体材料で作成された電気
的絶縁体を用いて、半導体デバイスの上で静電容量的結
合を小さくする方法にに関する。 【０００２】 【従来の技術およびその問題点】半導体は、コンピュー
タおよびテレビジョンのような電子デバイスのための集
積回路に広く用いられている。これらの集積回路は、典
型的には、複雑な機能を実行するためおよびデータを記
憶するために、単結晶シリコン・チップの上に多数個の
トランジスタを組み合わせて使用する。半導体および電
子装置の製造業者および最終のユーザは、小形のパッケ
ージでかつ短時間で達成でき、一方電力消費の少ない、
集積回路を要望している。けれども、これらの要望の多
くは、相互に対立している。例えば、与えられた回路の
特性寸法を０．５ミクロンから０．２５ミクロンにまで
単純に縮小することは、電力消費を３０％だけ増大させ
ることがあり得る。同様に、演算速度を２倍にすること
は、通常、電力消費を２倍にする。小形化することはま
た、通常、チップを横断して信号を伝達する導電体の間
の静電容量的結合を増加させる、すなわち、漏話を増加
させる。この両方の効果は、達成可能なスピードに限界
を与え、およびデバイスの正しい動作を確実に得るため
に利用される雑音余裕を劣化させる。 【０００３】電力消費効果と漏話効果とを減少させる１
つの方法は、導電体を分離している絶縁体、すなわち誘
電体、の誘電率を小さくすることである。最も普通の半
導体の誘電体は、多分、二酸化シリコンであるであろ
う。二酸化シリコンの誘電率は３．９である。一方、空
気（低圧の空気を含む）の誘電率は１．０よりわずかに
大きい。したがって、多くの静電容量減少方式は、固体
誘電体を空気で少なくとも部分的に置き換える、という
方式で考案されてきた。 【０００４】カーンタ（Ｋａａｎｔａ）ほか名で１９９
１年１月２２日に発行された米国特許第４，９８７，１
０１号は、気体（空気）誘電体を製造する方法を開示し
ている。この方法は、（導電体のような）支持体の間に
除去可能な一時的な層を沈着する段階と、この層をキャ
ップ絶縁体層で被覆する段階と、このキャップ絶縁体層
の中に貫通孔を作成する段階と、この貫通孔を通して除
去可能な材料を取り去る段階と、その後、この貫通孔を
閉じる段階とを有する。この方法は、厄介な方法であ
る。その理由の一部分は、この方法では、設計規則の中
に貫通孔の位置を配慮することを必要とし、回路設計中
に整合誤差の計画を立てることが必要であり、および貫
通孔を作成しそして貫通孔に栓をするために余分の処理
工程段階を必要とするからである。この方法はまた大き
な空洞領域を生じ、そしてこの空洞領域は、機械的応力
と熱の発散を処理することが事実上できない。 【０００５】サカモト（Ｓａｋａｍｏｔｏ）名で１９９
２年４月７日に発行された米国特許第５，１０３，２８
８号は、５０％ないし８０％の多孔度（多孔度は、構造
体の中の空洞である部分の割合をいう）を有し、かつ孔
の寸法が約５ｎｍないし５０ｎｍである、多孔質誘電体
を用いることにより静電容量を小さくする、多重層巻線
構造体を開示している。この構造体は、典型的には、酸
性酸化物と塩基性酸化物との混合体を沈着させ、次に熱
処理をして塩基性酸化物を析出させ、そして次に塩基性
酸化物を溶出させることにより、作成される。このよう
な構造体から塩基性酸化物を溶出させることは、問題点
が多い。それは、塩基性酸化物の小さなポケットには、
浸出剤が到達できないからである。さらに、（ナトリウ
ムおよびリチウムを含む）塩基性酸化物に用いられると
説明された元素のいくつかは、通常、半導体産業では汚
染材料と考えられており、そしてこのような材料は製造
環境から通常除かれるべきものである。極めて小さな
（１０ｎｍ以下の）孔だけを作成することは、この方法
を用いる場合には困難であろう。１ミクロンの１０分の
１またはそれ以下のスケールにまでサブミクロン処理工
程が進む時、この要請はなお存在するであろう。 【０００６】半導体基板（「基板」という用語は、着目
している導電体／絶縁体のレベルに先立って作成された
すべての層を包含するとして、ここでは広義に用いられ
る）の上に多孔質誘電体膜を作成するまた別の方法は、
ブリンカ（Ｂｒｉｎｋｅｒ）ほか名で１９８７年３月２
４日に発行された米国特許第４，６５２，４６７号に開
示されている。この特許は、制御された多孔度と孔寸法
（直径）を有する多孔質膜を沈着するゾル・ゲル技術を
開示している。この開示された技術では、溶液が基板の
上に沈着され、そしてゲル化され、次に交差連結され、
そして蒸発により溶媒を除去することにより緻密化さ
れ、それにより多孔質誘電体が後に残る。この方法の第
１の目的は、膜の緻密化である。この方法は、誘電率が
小さいことを応用する場合とは反対の方向に向かってい
る。この方法により作成された誘電体の典型的な多孔度
は、乾燥期間中に膜の厚さの永久的な減少が少なくとも
２０％である場合には、１５％ないし５０％である。さ
らに高い多孔度（例えば、４０％ないし５０％）を達成
することもできるが、そのようなことは、このようなマ
イクロ回路への応用に対し、通常は大き過ぎる孔寸法で
のみ達成することができる。これらの材料は、最終的な
構造体はゲルではなくて、固体材料の開いた孔（孔が分
離して孤立したセル小室ではなく、全体的に相互に連結
した孔）の多孔質構造体であるけれども、通常はキセロ
ゲルと呼ばれる。 【０００７】 【問題点を解決するための手段】本発明により、半導体
絶縁体として用いられる、高度に多孔質で、かつ微細な
孔（孔の直径が８０ｎｍ以下であり、そして２ｎｍない
し２５ｎｍであることが好ましい）を有し、小さな誘電
率（ｋは通常３．０より小さく、そして２．０より小さ
いことが好ましい）を有する、誘電体膜を作成する方法
が得られる。驚くことに、本発明の方法により、新型の
製造技術を用いることなく、または他の誘電率を小さく
する方法に見られる欠点を生ずることなく、制御された
湿ったゲルから作成された、誘電率の極めて小さな絶縁
構造体を得ることができる。 【０００８】本発明で承認されるマイクロ回路に乾燥さ
れたゲル誘電体を応用する際、従来理解されていなかっ
た１つの問題点は、ゲル乾燥期間中に典型的に見られ
る、縮小効果である。このことは、大きな空洞、ひび割
れ、粉末化、遊離した誘電体破片、回りの構造体の中の
応力、および誘電体それ自身の緻密化（および誘電率の
増大）、のような機械的不完全性の原因となるであろ
う。サブミクロン寸法の集積回路に普通に見られるよう
な隣接する導電体の間の縦横比の大きな（高さが幅より
も大きい）隙間を多孔質材料で満たすことが要求される
時、機械的不完全性は特に好ましくない（そして、起こ
ることがあり得る）。それは、このような隙間の中で縮
小が起こると、溝の底面および／または側面から誘電体
を遊離するように引っ張ることがあるからである。乾燥
期間中のキセロゲル縮小の背後にある主要な原因は、乾
燥期間中の孔の中の液体溶媒と蒸気溶媒との間の境界に
生ずる毛細管圧力の結果である、と現在は理解されてい
る。本発明の方法により、緻密化および他の縮小効果を
制御する新規な解決方法が得られる。この方法は、半導
体の製造に容易に応用することができ、それにより、緻
密度が大幅に小さく、かつ多孔度が大きい、丈夫な構造
体が得られる。この構造体は、縦横比の大きな形状の中
においても作成することができる。 【０００９】本発明により得ることができるその他の利
点のいくつかを挙げれば、次の通りである。処理工程を
雰囲気圧力の下で行うことができることである。このこ
とは処理工程を簡単にするだけでなく、同じデバイスの
上に多重多孔質層を構成することを可能にする。次に、
多孔質膜から溶媒を事実上完全に除去することができる
ことである。さらに次に、この処理工程に用いられる材
料は、半導体デバイスに対して有害な材料ではないこと
である。さらに次に、この多孔質構造体を疎水性（水を
跳ね返す）に作成することができることである。さらに
次に、応用する際、どの段階においても高い温度を必要
としないことである。さらに次に、乾燥された多孔質構
造体は適切な構造的強度を有していることであり、それ
により、この乾燥された多孔質構造体の上に他の層を沈
着することができる。さらに重要なことは、誘電体の中
に作成された孔を十分に小さく作成することができるこ
とであり、それにより、０．５マイクロメートルないし
０．１マイクロメートルの範囲の特性寸法のデバイスに
対して、またはさらに小さな特性寸法のデバイスに対し
てさえ、この方法を用いることができることである。 【００１０】本発明により、半導体デバイスの上の導電
体の間の好ましくない静電容量的結合を減らすという主
要な目的のために、半導体デバイスの上に多孔質誘電体
を作成する方法を得ることができる。この方法は、基板
の上に作成された少なくとも２個のパターンに作成され
た導電体を有する層を備える段階と、湿った開放孔あき
多孔質ゲル（湿った状態において、ゲルの孔が液体で満
たされる）を作成するために後でゲル化することができ
る、非ゲル化溶液から基板の上に薄膜を沈着する段階
と、を有することができる。ゲル化は、金属アルコキシ
ドの加水分解および凝縮、粒子状またはコロイド状の金
属酸化物のゲル化、有機前駆物質のゲル化、またはこれ
らの方式の組み合わせにより、達成されることが好まし
い。この方法はさらに、制御された温度条件の下で、予
め定められた時間の間、この湿ったゲルを熟成する段階
を有することができる。この方法はさらに、ゲル構造体
から事実上すべての水を除去するために、湿ったゲルに
ついて溶媒交換を実行する段階を有する。この方法はさ
らに、湿ったゲルを表面変性剤と反応させる段階を有す
る。この反応により、孔の内部表面に存在する反応性の
高い群（例えば、ヒドロキシル群またはアルコキシル
群）の少なくとも１５％（少なくとも３０％であること
がさらに好ましい）を、さらに安定な表面イオン（例え
ば、有機物、フッ素、過フッ化炭化水素）で置き換える
ことが好ましく、それにより、乾燥期間中、孔の内部表
面の上にある隣接する群の間の凝縮反応を少なくとも部
分的に防止することができ、そしてそれにより、緻密化
を制御することができる。表面変性剤はまた、湿ったゲ
ルの孔の中の孔流体の接触角を大幅に増大させることが
でき、それにより、非臨界超過乾燥期間中、毛細管圧力
を小さくすることができる。表面変性剤はまた、多孔質
構造体を疎水性にすることができる。この方法は、（真
空から臨界の近くまでの）１つまたは複数個の臨界以下
の圧力で、そしてさらに好ましくは大気圧で、ゲル化し
た膜を乾燥する段階をさらに有することが好ましい。ま
たはこの方法は、臨界超過状態の下でゲル化した膜を乾
燥する段階（必ずしも好ましくはないが）を有すること
ができる。 【００１１】 【実施例】本発明と、その種々の特徴および利点は、添
付図面を参照することにより最もよく理解することがで
きる。 【００１２】本発明の典型的な実施例は、図１に示され
た種々の段階で構成することができる。ただし、１つの
与えられた実施例において、示されたすべての段階が必
要であるわけではない。さらに、これらの段階のいくつ
かにおいて、種々の効果を達成するために、使用材料を
置き換えることができ、そして時間と、温度と、圧力
と、成分の相対濃度のような処理工程パラメータを広い
範囲で変えることができる。図１において、種々の前駆
溶液（それらのいくつかについては、具体的な実施例に
ついて詳細に説明される。）を混合することができ、そ
してその後、基板の上のパターンに作成された導電体の
層の上に、この前駆溶液が与えられる。この前駆溶液を
与える方法は、例えば、溶媒の蒸発が制限される制御さ
れた雰囲気の中でのスピン・オン技術であることができ
る。少なくとも１つの実施例において、この前駆溶液を
与える目的は、隣接する導電体の間の隙間を少なくとも
実質的に満たす前駆材料の層を作成することである。前
駆溶液は基板の上でゲルになることが可能であり、その
処理工程には、溶液およびゲル化の方法に応じて、典型
的には、１分から１２時間かかる。この湿ったゲルに一
定の時間だけ熟成を行うことができる。通常、１つの制
御された温度または多数個の制御された温度において、
約１日（もっと短いことも可能である）の熟成を行うこ
とができる。もし湿ったゲルが水を含んでいるならば、
このゲルについての溶媒交換を実行するために、１回ま
たは多数回の洗浄段階を行うことができ、それにより水
が除去されるが、ゲルは湿った状態のまま残る。この溶
媒は、プロトン性溶媒（例えば、エタノール）または非
プロトン性溶媒（例えば、アセトンまたはヘキサン）の
いずれかであることができる。その後、表面変性剤（表
面変性段階の効果は、下記で説明されるであろう）とこ
の変性剤が溶解可能である溶媒とを含む混合体の中にこ
の構造体を浸すというような方法により、この湿ったゲ
ルが表面変性剤と反応することができる。この溶媒はま
た、湿ったゲルの中に既に存在している溶媒と混和可能
でなければならない。この構造体から過剰な表面変性剤
を除去するために、また別の溶媒交換を後で行うことが
できる。溶媒はゲルから蒸発することができ、後に多孔
質誘電体構造体が残る。もしこの膜が乾燥の期間中密度
が大幅に低下するならば、乾燥されたゲルは湿ったゲル
と事実上同じ構造を示す（乾燥した膜の厚さは、湿った
ゲルの膜の厚さと事実上同じである）。特定の実施例で
詳細に説明されるように、この多孔質誘電体は、最終的
に、非多孔質の絶縁体層で蓋をされる。 【００１３】図２Ａは、湿ったゲル構造体１０の中の１
個の孔１２の横断面図である。孔１２は、液体の孔流体
１４で満たされている。図２Ｂは、同じ孔の中で孔流体
が蒸発を行っている状態を示す。（液体から気体への）
相変化が、メニスカス１８の形成により示されている。
メニスカス１８は、蒸発の期間中に形成される蒸気１６
と液体の孔流体１４との間の三日月形の境界面である。
このメニスカスは、孔の壁に対し孔流体の表面張力が内
側向きの圧力を及ぼしている（通常、外向きの圧力が働
く流体が多い）ことを示している。この毛細管圧力Ｐ
は、孔流体の表面張力ＴS と、接触角ｑ（流体のメニス
カスが孔の表面と接触する角度）と、孔の半径ｒとに関
し、下記の方程式により定められる。 【００１４】 【数１】 【００１５】乾燥期間中に極めて小さな孔（ｒが小さ
い）を完全に保持することが困難であることは、この方
程式からも明らかである。それは、半径ｒが半分になる
毎に、孔の壁に及ぼす圧力が２倍になるからである。不
幸なことに、導電体の間に用いるのに適切である多孔質
誘電体は、導電体間の距離よりも少なくとも１桁小さい
孔（例えば、導電体間の距離が０．２マイクロメートル
の場合、半径ｒは約１０ナノメートルである）を有しな
ければならない。したがって、毛細管圧力を軽減するた
めに孔の寸法を大きくするように調整することは、マイ
クロ電子装置への応用に対し選択の幅を制限することに
なる。他方、孔が毛細管圧力で単につぶれるのに任せれ
ば過剰な収縮が生じ、それに応じて誘電体の密度が増大
し、それにより（誘電定数を小さくするという）この方
法の第１の目的が達成されなく、そして良好な表面粘着
が妨げられる。 【００１６】モノリシック・キセロゲル合成における毛
細管圧力の問題点を回避するために、エーロゲル技術が
開発された。通常、キセロゲル技術に代わるこの変更技
術は、臨界超過圧力状態および臨界超過温度状態の下
で、湿ったゲルから溶媒を除去する。臨界超過状態の下
で溶媒を除去することにより、液体溶媒の蒸発は起こら
なく、その代わり、操作の期間中に、流体に一定の密度
変化が起こり、明確な状態の境界なしに、圧縮された液
体から超過加熱された蒸気に変化する。この技術によ
り、毛細管圧力の問題点を完全に回避することができ
る。それは、孔の中に状態変化の境界が常に存在しない
からである。このエーロゲル技術を半導体製造に適応さ
せるには、問題点があるように見え、そして費用がかか
るように見える。典型的な溶媒の候補は、高い臨界圧力
を有し（例えば、エタノール、６．４×１０6 Ｐａ（９
２４ｐｓｉ）、二酸化炭素、６．８×１０6 Ｐａ（１０
７１ｐｓｉ））、このことにより多くの場合に応用を困
難にしている。例えば、これらの圧力は、大気圧の下で
蓋をされた多孔質誘電体の以前からの層を押しつぶす傾
向がある、または蓋がされないままである以前からの多
孔質誘電体層の孔の中に湿ったゲルを無理に押し込む傾
向がある。そしてこれらの圧力は、ゲルが乾燥する前
に、ゲルがウエハから無理に押し出されることが防止さ
れるように、ウエハの端部で湿ったゲルを閉じ込めるこ
とを必要とする。それにも拘らず、一定の条件の下での
この処理工程により、微細な孔を有する誘電体構造体を
作成することができ、本発明を実施する際、多分、この
臨界超過技術を利用可能にすることができるであろう。 【００１７】これとは異なる実施例として、本発明は、
真空から臨界状態近くまでの圧力範囲で応用することが
できる一群の新規な技術を有している。これらの技術で
は、大気圧は、取り扱いの容易さにより、および以前の
多孔質層と両立し得ることとにより、好ましいものであ
る。これらの技術における１つの類似点は、表面変性段
階が湿ったゲルの上で実行されることであり、そこでは
孔の壁の上の大部分の分子が他の種類の分子で置き換え
られる。この表面変性は、典型的には、ヒドロキシルお
よびアルコキシルのような反応性表面群をメチル群のよ
うなより安定な表面群で置き換え、それにより、ゲル乾
燥の期間中、好ましくない凝縮反応（および縮小効果）
を制御することができる。図２Ｃは、表面変性段階の後
の孔の横断面図である。孔１２の表面の上にあるゲル１
０の部分（領域２０で示されている）は、異なる種類の
分子を含んでいる。表面変性の期間中に置き換えられた
反応性表面群の割合を制御することにより、変性されて
いないキセロゲルに典型である大幅な縮小（制御されな
い縮小の場合）から、エーロゲル技術の場合にのみこれ
まで達成可能であった数パーセントだけの収縮にまで、
最終的な縮小を調整することができる。密度の増大を事
実上解消するために、典型的には、反応性表面群の約３
０％が置き換えられなければならない。さらに、特定の
孔流体と組み合わせて、その湿り性質のために、置き換
え表面物質の種類を選定することができる。したがって
図２Ｄでは、メニスカス１８は図２Ｂのメニスカスより
も大幅に平坦であり、その結果、孔の流体の接触角は９
０度に近い。流体の接触角が９０度に近づく時、接触角
ｑのコサインはゼロに近づき、そして方程式１の毛細管
圧力Ｐはそれに比例して小さくなる。表面変性は表面凝
結反応を妨げ、そしてまた孔流体接触角を変えることに
より、毛細管圧力を小さくすることができると信じら
れ、それにより、表面変性されたゲルが乾燥処理にさら
によく耐えることができる。この新規な技術は、大気圧
で、平均の孔直径と多孔度とを有し、かつ全体としての
縮小度が臨界超過で乾燥されたエーロゲルの縮小度と同
様である、誘電体層を得ることができる。 【００１８】表面変性によりさらに得られる利点は、疎
水性であることが可能であることである。例えば、この
構造体を疎水性にするのに、反応性表面群の１５％だけ
をメチル群で置き換えることで十分に可能であることが
分かっている。これは、半導体処理工程に用いられるす
べての材料に対する１つの重要な特徴であり、特に、多
孔質材料に対して重要な特徴である。もし多孔質表面が
親水性（水を呼び込む性質）のままであるならば、この
構造体は、水中ではその自重の何倍も重くなることが可
能である通常の家庭用スポンジと多くの点で類似してい
る。けれども、極めて小さな孔の寸法により、親水性の
多孔質誘電体はまわりの空中から水を急速に集めること
ができ、デバイスの製造の際、このことを防止すること
はさらに困難を付加することになるであろう。ゲルが乾
燥される前に孔を疎水性にすることにより、このような
種類の困難を避けることができる。 【００１９】図３Ａ〜図３Ｄは、本発明に従う製造中の
種々の段階における半導体デバイスの横断面図である。
これらの実施例を説明する際、ウエハという用語は、従
来の半導体処理工程に用いられる、少なくとも本発明に
取り込まれた半導体デバイスの処理工程に用いられる、
ウエハを意味するとして用いられる。図３Ａに、絶縁体
層２２の上に形成された３個のパターンに作成された導
電体（例えば、アルミニウムと少量の銅との合金）２４
が示されている。この絶縁体層２２は、導電体２４とこ
のデバイスの下側の層との間に電気的接触を得るための
通路または貫通孔（図示されていない）を有することが
できる。例えばスピン・オン技術により前駆溶液がウエ
ハに与えられた後、導電体の間を埋めている前記前駆溶
液２６が図に示されている。この前駆溶液は、例えば下
記の２段階工程により、作成することができる。その第
１段階工程は、テトラエチルオルソケイ酸（ＴＥＯＳ）
と、エタノールと、水と、ＨＣｌとをモル比で約１：
３：１：０．０００７で混合した混合体であるＴＥＯＳ
ストックは、これらの成分剤を６０℃で１．５時間の
間、一定の還流の下で撹拌することにより作成される。
第２段階工程は、０．０５Ｍの水酸化アンモニウムがＴ
ＥＯＳストックの１ｍｌ当たりに０．１ｍｌ加えられ
る。ストックに水酸化アンモニウムを加えることはゲル
化速度を大幅に増進させるから、この溶液をウエハに急
いで与えなければならない。（これら２つの段階の順序
を変えることは可能であるであろう。）この溶液がウエ
ハに与えられた後、この薄膜が早まって乾燥しないこと
が確実に得られるように、注意を払わなければならな
い。溶液／ゲルを有するウエハが、乾燥段階の前にいつ
でも、液体の中または飽和した雰囲気の中のいずれかに
浸されたままであることが好ましい。ゲル化および熟成
経時変化は、飽和したエタノール雰囲気の中に約３７℃
で約２４時間の間、このデバイスを置くことにより達成
されることが好ましい。次に、好ましくはこのウエハを
純粋なエタノールの中に浸すことにより、湿ったゲルか
ら水を除去することができる。その後、表面変性段階を
実行することができる。この段階は、トリメチルクロロ
シラン（ＴＭＣＳ）を体積率で約１０％含むヘキサン溶
液の中に、ウエハを浸すことにより行われることが好ま
しい。短い反応時間の後、未反応の表面変性化合物は、
通常、非プロトン性溶剤（例えば、アセトン、ヘキサ
ン）の中に浸すことにより除去され、そして過剰の溶媒
を排出することができる。この溶媒が交換された後、最
終的に、溶媒を湿ったゲル２６から蒸発させることがで
きる。このことにより、図３Ｂの構造体と同様な構造体
を得ることができる。図３Ｂの構造体には乾燥されたゲ
ルが示されていて、多孔質誘電体層２８を形成する。図
３Ｂの構造体はまた、この方法の典型値である数パーセ
ントの収縮を示す。（乾燥した多孔質膜の厚さは、湿っ
たゲルの厚さよりもわずかに小さいだけである。）この
実施例および同様な実施例の１つの利点は、この表面変
性多孔質誘電体層は疎水性であることであり、一方、そ
うでない同様な臨界超過で乾燥された（表面変性の行わ
れていない）エーロゲルは、もし後での処理が行われな
いならば、親水性の傾向がある。 【００２０】図３Ｃに示されているように、解放された
多孔質構造体を密封するために、およびこのデバイスを
機械的に補強するために、および貫通孔エッチングおよ
びまた別の金属／誘電体層を構成するための非多孔質層
を得るために、事実上非多孔質である誘電体層３０で多
孔質層２８に蓋をすることが好ましい。この層は、化学
蒸気沈着（ＣＶＤ）またはスピン・オン・ガラス（ＳＯ
Ｇ）のような方法により付けられた、二酸化シリコン、
窒化シリコン、二酸化シリコン部分層と窒化シリコン部
分層との複合層、酸窒化シリコン、有機絶縁体、または
これらと同等の材料で構成することができる。図３Ｄに
は、非多孔質層３０を貫通するエッチングで作成された
孔が示されている。金属で満たされた貫通孔３２を得る
ために、この孔が導電体材料で充填され、それにより、
導電体２４と、パターンに作成された導電体３４の第２
層との間を電気的に接続する装置が得られる。この第２
導電体層の１つが、図３Ｄに示されている。この実施例
の非多孔質層は、層間誘電体の大部分を形成する。固体
誘電体は層と層との間の静電容量値をほとんど減少させ
ない、または全く減少させないであろうが、層間の優れ
た機械的性質が保持される。これは好ましいことであ
る、それは、それにより小さな層内静電容量値を達成す
るからであり、そして同時に、通常、完全に丈夫な層内
誘電体／層間誘電体の機械的性質を保持するからであ
る。このことのより、層内静電容量値の減少が、層間静
電容量値の減少よりもはるかに重要であることが分か
る。 【００２１】図４Ａ〜図４Ｃは、異なる誘電体構造体を
有する第２実施例の図面である。図４Ａは、図３Ｃの構
造体と同様の構造体を有しているが、１つの異なる点
は、非多孔質誘電体層３０は、層間誘電体を形成するに
は薄過ぎることである。図４Ｂに示されているように、
第２多孔質誘電体層３６が、例えば非多孔質誘電体層３
０を非ゲル化前駆溶液で被覆することにより、そして図
１の段階を繰り返すことにより、作成される。図４Ｃに
示されているように、第２多孔質層３６の上に、キヤッ
プ層３８を沈着することができる。このキヤップ層３８
は、例えば、非多孔質層３０を作成するのに用いられた
のと同様の材料および同様の処理工程を用いて、作成す
ることができる。この実施例により、従来の実施例より
は大幅に小さな層間誘電定数を得ることができる。その
際、構造上の強度がいくらか犠牲になるであろう。けれ
ども、これらの非多孔質層およびキヤップ層は貫通孔の
作成の制御を助けることができ、そしてキヤップ層によ
り、付加的導電体層に対する丈夫な基礎構造体が得られ
る。 【００２２】図５は、１個の多孔質誘電体層と１個の非
多孔質誘電体層とを有する実施例を示しているが、層内
誘電体と大部分の層間誘電体とは、通常、多孔質層によ
り作成される。多孔質誘電体層２８は、層間誘電体を作
成するためにほぼ必要な（基板２２から測った）深さに
まで導電体を完全に被覆するために、被覆用溶液の沈積
深さを大きくすることにより作成されることが好まし
い。この処理工程は、要求された厚さの絶縁体を作成す
るために、溶液の沈積とゲル化を数回行うことが必要で
あるであろう。その後、多孔質誘電体層２８は、本発明
の１つの方法に従って、乾燥を行うことができる。非多
孔質層３０を、例えば、前記の実施例の非多孔質層を作
成するのに用いられたのと同様の材料および処理工程を
用いて、多孔質層２８の上に付けることができる。 【００２３】図６Ａ〜図６Ｆは、多孔質層内誘電体に対
して有用であるデバイス構造体の横断面図である。図６
Ａは、基板２２の上にパターンに作成された導電体２４
を再び示している。例えば前記で開示されたような方法
により、導電体２４の間の隙間を満たすようにおよび導
電体２４の上を被覆すように多孔質誘電体層２８が構成
され、その乾燥された構造体は、図６Ｂのように多分な
るであろう。図６Ｃは、導電体２４の上部を好ましく露
出するために、多孔質層２８の上部を除去した後の構造
体を示している。この材料の除去は、例えば、誘電体多
孔度に強く依存する濃度およびエッチング回数で、ＨＦ
プラズマ・エッチングのような制御された化学エッチン
グにより行うことができる。または、この材料の除去
は、例えばシリカの水性コロイド懸濁液を用いて、機械
的研磨機で実行することができる。このことにより、導
電体の間の隙間にだけ多孔質層を非常に精密に沈着する
よりも、厚い多孔質層を沈着しそしてそれにエッチング
を行う方が容易である（したがって、好ましい）ことが
分かる。図６Ｄは、化学蒸気沈着（ＣＶＤ）技術による
ことが好ましい沈着段階を示し、それにより、多孔質誘
電体層２８と導電体２４との上に直接に、例えば二酸化
シリコンの整合した部分層５６が沈着される。多孔質層
の上部付近に主として沈着される乾燥処理されたＣＶＤ
層は、スピン・オン・ガラス（ＳＯＧ）に対して好まし
いものであるであろう。このスピン・オン・ガラス（Ｓ
ＯＧ）は、多孔質層２８の中の孔を濡らすことができる
溶媒を含有することができるであろう。けれども、ＣＶ
Ｄは特別に平坦化されるわけではなく、そして厚い誘電
体を作成するためには、比較的遅い方法である。図６Ｅ
は、平坦化された層間誘電体を急速に完成するために、
例えばＳＯＧ酸化物のような整合した部分層５６の上
に、非多孔質誘電体３０をどのように付けることができ
るかを示している。 【００２４】図６Ｆは、フォトレジスト・マスク５０の
沈着とパターンに作成された後の構造体の図面である。
この構造体により、図６Ｇに示されているように、層３
０および層５６を貫通する貫通孔５２をエッチングで作
成するためのウエハができる。この実施例の１つの利点
は、貫通孔５２は多孔質誘電体２８を貫通しないことで
ある。多孔質誘電体２８は、精密にパターンに作成する
のが困難な材料である。最後に、図６Ｈは、金属が充填
された貫通孔３２と、パターンに作成された導電体の第
２層３４の１つとを示している。パターンに作成された
導電体の第２層３４の１つは、金属が充填された貫通孔
３２により、パターンに作成された導電体２４の１つに
電気的に接続される。本発明のこの実施例により、層内
静電容量値の大幅な減少と、多孔質誘電体と非多孔質誘
電体との間の良好な機械的接合と、大部分が従来の貫通
孔作成法に従う簡単な構成技術と、良好な機械的特性お
よび良好な熱伝達特性を有する平坦で非多孔質の層間誘
電体とを得ることができる。 【００２５】図７は、厚さが比較的小さい整合した不動
態化層５４により、多孔質誘電体層２８が導電体２４か
ら分離された１つの実施例を示しいる。不動態化層５４
は、例えば、ＣＶＤ二酸化シリコンで作成することがで
きる。この層は、いくつかの実施例において利点を有す
る。図６のような実施例では、多孔質誘電体２８を再び
エッチングする期間中、導電体２４の上部から層５４を
除去することができる。 【００２６】図８Ａ〜図８Ｄは、誘電体スペーサを備え
たさらに別の実施例を示す。図８Ａにおいて、導電体２
４は、この導電体２４の上の誘電体スペーサ５８と共
に、パターンに作成される。このスペーサは、（図８Ｄ
に示された）非多孔質層３０に用いられる材料と同じ材
料で作成されることが好ましい。このことは、導電体層
を沈着し、そして二酸化シリコンのような材料の誘電体
層でそれを被覆し、そしてこれらの両方を１つのマスク
でパターンに作成することにより達成することができ
る。図８Ｂに示されているように、多孔質誘電体層２８
がスペーサ５８を被覆するように作成されることが好ま
しい。図８Ｃは、多孔質誘電体２８の上部分が除去され
た後のデバイスを示している。この段階により、スペー
サの上が露出されることが好ましい。図８Ｃに示されて
いるように、実際にはこの段階で、スペーサ５８の上部
の一部分もまた多分除去されるであろう。最後に、図８
Ｄは、層間誘電体を完成するために、この構造体の上に
非多孔質誘電体３０が沈着された後のデバイスを示して
いる。この実施例の１つの利点は、スペーサを加えるこ
とにより、導電体の一部分を除去する可能性なしに、多
孔質誘電体の上部分を除去することができることであ
る。この構造体はまた、図６の実施例に比べて、漏話が
小さいという結果を得ることができる。 【００２７】下記の表は、図面に示されたいくつかの実
施例を概観したものである。 【００２８】 【表１】【００２９】本発明の範囲は、前記で説明された特定の
実施例に限定されると考えてはならない。前記実施例は
例示のために示された実施例であって、本発明がこれら
の実施例に限定されることを意味するものではない。本
発明は、本発明の範囲内に含まれるすべての処理工程お
よび構造体を包含するものである。例えば、当業者は、
適切な前駆体から湿ったゲルを最初に作成する多くの他
の発表された方法のいずれかを、本発明に対し応用する
ことができるであろう。または、一部分のシリカを有機
物で置き換えることができ、一方、例えば、主としてシ
リカである材料（シリコンの５０原子パーセント以下が
置き換えられる）をなお有することができるであろう。
本発明の範囲内において、いくつかの特定の実施例の性
質を組み合わせることができる。 【００３０】以上の説明に関して更に以下の項を開示す
る。 （１）（イ） 基板の上に作成された第１導電体と水平
方向に隣接する第２導電体とを備える段階と、（ロ）
湿ったゲルを作成することができる溶液を備える段階
と、（ハ） 前記第１導電体と前記第２導電体との間の
隙間が前記溶液で事実上満たされるように前記基板を前
記溶液で被覆する段階と、（ニ） 開放孔あき構造体に
配列された孔を有する湿ったゲルを前記基板の上に作成
するために、前記溶液をゲル化する段階と、（ホ） 誘
電率が３．０以下でありかつ孔の直径が８０ｎｍ以下で
あり、それにより同じレベルにある導電体の間の静電容
量的結合が二酸化シリコンの固体誘電体の場合に比べて
大幅に小さく、かつ密度の大幅に小さい多孔質誘電体を
作成するために、前記ゲルを乾燥する段階と、を有す
る、半導体デバイスの上に多孔質誘電体を作成する方
法。 （２） 第１項記載の方法において、前記ゲル化段階の
後、前記湿ったゲルの中に含有されるすべての水を事実
上除去するために、前記湿ったゲルを溶媒で洗浄する段
階をさらに有する、前記方法。 （３） 第２項記載の方法において、前記洗浄段階の
後、前記孔の表面の上の反応性群の少なくとも１５％を
事実上安定な表面群で置き換えるために、それにより前
記乾燥段階の期間中の前記湿ったゲルの好ましくない凝
縮反応および緻密化を制御するために、前記湿ったゲル
を表面変性剤と反応させる段階をさらに有する、前記方
法。 （４） 第３項記載の方法において、前記反応性群がヒ
ドロキシル群を有する、前記方法。 （５） 第３項記載の方法において、前記安定な表面群
が有機物である、前記方法。 【００３１】（６） 第３項記載の方法において、前記
乾燥段階が臨界以下の１つまたは複数個の圧力で行われ
る、前記方法。 （７） 第３項記載の方法において、前記反応段階の
後、前記表面変性剤の未反応部分が前記湿ったゲルから
除去される段階を有する、前記方法。 （８） 第１項記載の方法において、金属アルコキシド
を加水分解する段階および凝縮する段階と、粒子状また
はコロイドの金属アルコキシドをゲル化する段階と、有
機前駆物質のゲル化段階と、またはこれらを組み合わせ
た段階と、から成る群から選定された方法により、前記
ゲル化段階が達成される、前記方法。 （９） 第１項記載の方法において、前記湿ったゲルの
中に含まれる溶媒の沸点より低い１つまたは複数個の温
度において予め定められた時間間隔の間前記湿ったゲル
を熟成する段階を前記ゲル化段階がさらに有する、前記
方法。 （１０） 第１項記載の方法において、前記多孔質誘電
体の中の前記孔の直径が約２ｎｍから約２５ｎｍまでの
範囲内にある、前記方法。 （１１） 第１項記載の方法において、前記多孔質誘電
体が主として二酸化シリコンで構成される、前記方法。 【００３２】（１２）（イ） 基板の上に作成された第
１導電体と水平方向に隣接する第２導電体とを備える段
階と、（ロ） 湿ったゲルを作成することができる溶液
を備える段階と、（ハ） 前記第１導電体と前記第２導
電体との間の隙間が前記溶液で事実上満たされるように
前記基板を前記溶液で被覆する段階と、（ニ） 開放孔
あき構造体に配列された孔を有する湿ったゲルを前記基
板の上に作成するために、前記溶液をゲル化する段階
と、（ホ） 前記孔の表面の上の反応性群の少なくとも
１５％を事実上安定な表面イオンで置き換える段階と、
（ヘ） 誘電率が３．０以下でありかつ孔の直径が８０
ｎｍ以下であり、それにより同じレベルにある導電体の
間の静電容量的結合が二酸化シリコンの固体誘電体の場
合に比べて大幅に小さいく、かつ多孔質誘電体層を臨界
以下の１つまたは複数個の圧力で前記湿ったゲルを乾燥
する段階であって、それにより前記乾燥段階の期間中前
記湿ったゲルの好ましくない凝縮反応および緻密化が制
御される、前記乾燥段階と、を有する、半導体デバイス
の上に多孔質誘電体を作成する方法。 （１３） 第１２項記載の方法において、前記置き換え
段階が（イ） 前記湿ったゲルの中に含まれる事実上す
べての水を除去するために前記湿ったゲルを溶媒で洗浄
する段階と、（ロ） 前記湿ったゲルを表面変性剤と反
応させる段階と、を有する、前記方法。 （１４） 第１２項記載の方法において、前記安定な表
面イオンが有機物である、前記方法。 （１５） 第１２項記載の方法において、前記乾燥段階
が大気圧の下で行われる、前記方法。 （１６） 第１２項記載の方法において、前記多孔質誘
電体の中の前記孔の直径が約２ｎｍから約２５ｎｍまで
の範囲内にある、前記方法。 （１７）（イ） 半導体基板を備える段階と、（ロ）
湿ったゲルを作成することができる溶液を備える段階
と、（ハ） 平均の厚さが０．１マイクロメートルと２
マイクロメートルとの間にある前記溶液の膜で、前記基
板を被覆する段階と、（ニ） 開放孔あき構造体の中に
配置された孔を含む湿ったゲルを前記基板の上に作成す
るために、前記膜をゲル化する段階と、（ホ） 前記ゲ
ルの中に含まれる事実上すべての水を除去するために、
前記湿ったゲルの上で溶媒交換を実行する段階と、
（ヘ） 前記孔の表面の上の反応性群の少なくとも１５
％を事実上安定な表面イオンで置き換えるために、前記
湿ったゲルを表面変性剤と反応させる段階と、（ト）
多孔質誘電体層を作成するために大気圧に近い圧力で前
記湿ったゲルから前記溶媒を蒸発させる段階であって、
それにより前記蒸発段階の期間中前記湿ったゲルの好ま
しくない反応および縮小が制御される、前記蒸発段階
と、を有する、半導体デバイスの上に多孔質誘電体を作
成する方法。 （１８） 第１７項記載の方法において、前記段階
（ヘ）の後、前記ゲルの前記孔から未反応の表面変性剤
の事実上すべてを除去するために、第２溶媒交換が実行
される、前記方法。 （１９） 第１７項記載の方法において、前記多孔質誘
電体の中の前記孔の直径が約２ｎｍから約２５ｎｍまで
の範囲内にある、前記方法。 （２０） 第１７項記載の方法において、前記ゲル化段
階が、１つまたは複数個の高い温度で予め定められた時
間間隔の間前記湿ったゲルを熟成する段階を有する、前
記方法。 【００３３】（２１） 本発明により、隣接する導電体
の間の静電容量値が大幅に小さい半導体デバイスを作成
するための処理工程が得られる。この処理工程は、導電
体２４の間に溶液を与える段階と、次にゲル化する段階
と、表面変性を行う段階と、極めて多孔質な誘電体層２
８を作成するために前記溶液を乾燥する段階と、を有す
ることができる。多孔質層２８の上に、非多孔質誘電体
層３０を作成することができる。これで層間誘電体が完
成する。多孔質誘電体層を作成するための新規な処理工
程が開示される。この処理工程は、真空または大気圧の
下で実行することができ、なおかつ、臨界超過圧力の下
でゲルを乾燥することによってのみ従来得ることができ
る誘電体に比べて、良好な多孔度と、良好な孔の寸法
と、乾燥期間中の誘電体の良好な縮小とが得られる。
【図面の簡単な説明】 【図１】本発明の典型的な１つの実施例の種々の段階を
示したブロック線図。 【図２】溶媒の蒸発の前および溶媒蒸発の期間中の、溶
媒で満たされた孔の横断面図であって、Ａは湿ったゲル
構造体の孔を孔流体が満たしている図、Ｂは孔流体が蒸
発を行っている期間中の図、Ｃは表面変性段階の後の孔
の横断面図、Ｄは蒸発期間中の図であって、メニスカス
がＢよりも大幅に平坦であることを示す図。 【図３】本発明の１つの実施例を典型的なデバイスに応
用した際の種々の段階を示した、半導体デバイスの一部
分の横断面図であって、Ａは半導体デバイス作成の初期
の段階の図、Ｂは多孔質誘電体層を形成する乾燥したゲ
ルを示した図、Ｃは多孔質層を事実上非多孔質の誘電体
層で蓋をした図、Ｄは金属で充填された貫通孔が非多孔
質層に備えられた図。 【図４】本発明の２つの異なる応用を示した、また別の
半導体デバイスの横断面図であって、Ａは非多孔質誘電
体層の厚さが非常に薄い図３Ｃと同様の構造体の図、Ｂ
は非ゲル化前駆溶液で非多孔質誘電体層を被覆すること
によりおよび図１の段階を繰り返すことにより第２多孔
質誘電体層が作成された図、Ｃは第２多孔質層の上にキ
ャップ層が沈着された図。 【図５】比較的厚い多孔質誘電体と比較的薄い非多孔質
誘電体とを有する、本発明の方法により作成された別の
構造体の横断面図。 【図６】２つの部分層により作成された非多孔質誘電体
を有するまた別の半導体デバイスの横断面図であって、
Ａは基板の上にパターンに作成された導電体を有する
図、Ｂは多孔質誘電体層が導電体の間を満たしおよび多
孔質誘電体層が導電体の上を被覆した図、Ｃは多孔質層
の上部分を除去した図、Ｄは多孔質誘電体層と導電体と
の上に整合した部分層を沈着した図、Ｅは整合した部分
層の上に非多孔質誘電体が作成された図、Ｆはフォトレ
ジスト・マスクが沈着されそしてパターンに作成された
後の構造体の図、Ｇはエッチングで貫通孔が作成された
図、Ｈは貫通孔が金属で充填された図。 【図７】多孔質誘電体層が導電体と直接に接触しないよ
うに分離する不動態化層を有する半導体デバイスの横断
面図。 【図８】導電体の上部に取り付けられた誘電体スペーサ
を有する半導体デバイスの横断面図であって、Ａは導電
体および誘電体スペーサがパターンに作成された図、Ｂ
は多孔質誘電体層がスペーサを被覆するように作成され
た図、Ｃは多孔質誘電体の上部分が除去されてスペーサ
の上部が露出した半導体デバイスの図、Ｄは構造体の上
に非多孔質誘電体が沈着された後の半導体デバイスの
図。 【符号の説明】 ２４ 第１導電体 ３４ 第２導電体 ２８ 多孔質誘電体層 ３０ 非多孔質誘電体層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 ダグラス エム．スミス アメリカ合衆国 ニューメキシコ州 ア ルブクアーケ，マーケット プレース エヌ．イー． 1412 (56)参考文献 特開 平１−235254（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−51277（ＪＰ，Ａ) 特表 平８−504674（ＪＰ，Ａ) (58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名) H01L 21/316 H01L 21/768

Claims (1)

  1. (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】 （イ） 基板の上に作成された第１導電
    体と水平方向に隣接する第２導電体とを備える段階と、 （ロ） 湿ったゲルを作成することができる溶液を備え
    る段階と、 （ハ） 前記第１導電体と前記第２導電体との間の隙間
    が前記溶液で満たされるように前記基板を前記溶液で被
    覆する段階と、 （ニ） 開放孔あき構造体に配列された孔を有する湿っ
    たゲルを前記基板の上に作成するために、前記溶液をゲ
    ル化する段階と、（ホ） 前記湿ったゲルの中に含有されるすべての水を
    除去するために、前記湿ったゲルを溶媒で洗浄する段階
    と、 （ヘ） 前記孔の表面の上の反応性群の少なくとも１５
    ％を安定な表面群で置き換えるために、それにより前記
    乾燥段階の期間中の前記湿ったゲルの好ましくない凝縮
    反応および緻密化を制御するために、前記湿ったゲルを
    表面変性剤と反応させる段階と、 （ト） 誘電率が３．０以下でありかつ孔の直径が８０
    ｎｍ以下であり、それにより同じレベルにある導電体の
    間の静電容量的結合が二酸化シリコンの固体誘電体の場
    合に比べて大幅に小さく、かつ密度の大幅に小さい多孔
    質誘電体を作成するために、前記ゲルを乾燥する段階
    と、を有する、半導体デバイスの上に多孔質誘電体を作
    成する方法。
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